JPS58101422A - 気相成長反応炉用サセプタ - Google Patents
気相成長反応炉用サセプタInfo
- Publication number
- JPS58101422A JPS58101422A JP20029681A JP20029681A JPS58101422A JP S58101422 A JPS58101422 A JP S58101422A JP 20029681 A JP20029681 A JP 20029681A JP 20029681 A JP20029681 A JP 20029681A JP S58101422 A JPS58101422 A JP S58101422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concaves
- susceptor
- phase growth
- vapor growth
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、気相成長反応炉用サセプタに関する。
発明の技術的背景及びその問題点
近年、半導体つ、ハの表面に所望の気相成長層を形成す
る九めに絡１図に示す如き、横型気相成長装置１、菖２
図に示す如き、縦ｍ ＜ ｌンケー＝？ｉｌ）気相成長
装置１１第３図に示す如き、シリンダ型（バレルｍ＞気
相成長装置互の３種類のものが主に使用されている。こ
れらの気相成長装置、Ｊ 、 ｊ 、 Ｊでは、反応炉
Ｊｌ＆、２１１゜１ａ内に設置するウェハ載置用サセプ
タＪｂ。
る九めに絡１図に示す如き、横型気相成長装置１、菖２
図に示す如き、縦ｍ ＜ ｌンケー＝？ｉｌ）気相成長
装置１１第３図に示す如き、シリンダ型（バレルｍ＞気
相成長装置互の３種類のものが主に使用されている。こ
れらの気相成長装置、Ｊ 、 ｊ 、 Ｊでは、反応炉
Ｊｌ＆、２１１゜１ａ内に設置するウェハ載置用サセプ
タＪｂ。
ｊｂ、Ｊｂの形状や反応炉１＆、２８．１ａ内への反応
ガスの導入の仕方４夫々異なる。而して、昇降温及び温
度制御が容易であり、かつ、成長条件の設定も容易でし
かも装置の価格が最も・安価である横型気相成長装置り
が一香よく使用されている。
ガスの導入の仕方４夫々異なる。而して、昇降温及び温
度制御が容易であり、かつ、成長条件の設定も容易でし
かも装置の価格が最も・安価である横型気相成長装置り
が一香よく使用されている。
横型気相成長装置は、一般に第４図及び第５図に示す如
く、石英反応炉５内の所定位置に石英スレ、Ｐｔ１Ｙｒ
介して平板状のサセプタ１０片面し、このサセプタ１０
表面上に気相成長処理【施すつａｃ ”’ ａ ｔ−載
置するようにした構造を有している。而して、石英反応
炉１の周囲を覆うように設けた高周波加熱フィル＃によ
りてつ。
く、石英反応炉５内の所定位置に石英スレ、Ｐｔ１Ｙｒ
介して平板状のサセプタ１０片面し、このサセプタ１０
表面上に気相成長処理【施すつａｃ ”’ ａ ｔ−載
置するようにした構造を有している。而して、石英反応
炉１の周囲を覆うように設けた高周波加熱フィル＃によ
りてつ。
ハ１ｔ−所定温度に加熱し、気相成長処理を施している
。しかしながら、サセプタ１０片面＠にのみウェイ・８
を載置するため、気相成長処理の施されるウェノ・８の
数が制約される欠点がある。
。しかしながら、サセプタ１０片面＠にのみウェイ・８
を載置するため、気相成長処理の施されるウェノ・８の
数が制約される欠点がある。
このような欠点を解消するために第６図及び第７図に示
す如く、周囲を高周波加熱コイル１０で囲った石英反応
炉１１内に１略三角柱状の基体ＪＪＩ＆の対向する傾斜
面に所定間隔でウェハ滑り止め片１２ｂｔ−突出してこ
のつ、−滑り止め片ｘｚｂと傾斜面とでウェーＩ ＩＹ
ｒ保持するようＫしたサセプタ１２を設置するようＫし
たものが開発されている。しかしながら、このようなす
七ゲタ１２では、傾斜面に保持された対向するつ、ハＩ
Ｊの間隔が、サセプタ１２の上部と下部で異なるため、
全てのウェハＩＩＹｒ均一に加熱することができなかっ
た。特に突出したつ、へ滑シ止め片１１ｂが高温に加熱
され、ウェハ１３の上端部が比較的低温になる傾向があ
った。その結果、つ、−１３の表面に高品質の気相成長
層を形成できない問題があった。なお、Ｉｆ！８図に示
す如（、断面が略台形状の基体１４を順次積層して各々
の基体１４の側部にウェハ滑り止め片１４＆を突出した
サセプタ１５も提案されているが、前述の略三角°柱状
の基体１１＆からなるサセプタ１２と同様にサセプタ１
５の上部、と下部の体積が異なるため、ウェハ滑り止め
片１４＆が高温に加熱されつ、八１３の上１部がこれに
比べて低温になり、高品質の気相成長層を形成できない
問題があった。
す如く、周囲を高周波加熱コイル１０で囲った石英反応
炉１１内に１略三角柱状の基体ＪＪＩ＆の対向する傾斜
面に所定間隔でウェハ滑り止め片１２ｂｔ−突出してこ
のつ、−滑り止め片ｘｚｂと傾斜面とでウェーＩ ＩＹ
ｒ保持するようＫしたサセプタ１２を設置するようＫし
たものが開発されている。しかしながら、このようなす
七ゲタ１２では、傾斜面に保持された対向するつ、ハＩ
Ｊの間隔が、サセプタ１２の上部と下部で異なるため、
全てのウェハＩＩＹｒ均一に加熱することができなかっ
た。特に突出したつ、へ滑シ止め片１１ｂが高温に加熱
され、ウェハ１３の上端部が比較的低温になる傾向があ
った。その結果、つ、−１３の表面に高品質の気相成長
層を形成できない問題があった。なお、Ｉｆ！８図に示
す如（、断面が略台形状の基体１４を順次積層して各々
の基体１４の側部にウェハ滑り止め片１４＆を突出した
サセプタ１５も提案されているが、前述の略三角°柱状
の基体１１＆からなるサセプタ１２と同様にサセプタ１
５の上部、と下部の体積が異なるため、ウェハ滑り止め
片１４＆が高温に加熱されつ、八１３の上１部がこれに
比べて低温になり、高品質の気相成長層を形成できない
問題があった。
発明の目的
本発明は、全てのウェノ・全所定の温度で均一に加熱し
て高品質の気相成長層を容易に形成することができる気
相成長反応炉用サセプタを提供することをその目的とす
るものである。
て高品質の気相成長層を容易に形成することができる気
相成長反応炉用サセプタを提供することをその目的とす
るものである。
発明の概要
本発明は、平板状基体の表裏面にウェｊ’？保持するた
めの凹部を形成して、表裏面側の対応するウェハ間の肉
厚會均−にするととＫより、全てのウェノ・を所定の温
度に加熱して高品質の気相成長層を形成できるようにし
九気相成長反応炉用すセゾタである。
めの凹部を形成して、表裏面側の対応するウェハ間の肉
厚會均−にするととＫより、全てのウェノ・を所定の温
度に加熱して高品質の気相成長層を形成できるようにし
九気相成長反応炉用すセゾタである。
発明の実施例
第９図は、本発明の一実施例の断面図、第１０図は、同
実施例の要部の正面図である１図中２０は、平板状基体
である。平板状基体２００表裏面には、気相成長処理の
施されるウェー・Ｊｌの径よりも僅に大きな径で、かつ
、つ、）・１１の肉厚とほぼ勢しいか若干浅い深さでつ
。
実施例の要部の正面図である１図中２０は、平板状基体
である。平板状基体２００表裏面には、気相成長処理の
施されるウェー・Ｊｌの径よりも僅に大きな径で、かつ
、つ、）・１１の肉厚とほぼ勢しいか若干浅い深さでつ
。
ハ２１の嵌合用凹部１２が所定間隔を設けて多数個形成
されている。凹部２１０周辺近傍には、凹部ｚｚＫ恢合
されたウェー７７を固定するための固定片２Ｊが凹部２
２内に臨むように形成されている。ここで、表面側の凹
部２２とこの凹部１２に対応する裏面側の凹部１２間Ｘ
の平板状基体２０の肉厚は、何れの箇所でも同じ大きさ
に設定されている。また、凹部２２の深さ及び径は、ウ
ェＩＪ Ｊ 會確実に嵌合して固定できるように設定す
るのが望ましい、固定片２３の大きさ及び数は、凹部２
２に嵌合されたウェーｊ Ｊ ｔ−確ｉＪ！に固定でき
る作用を発揮できる範囲で、小さくするのが望ましい。
されている。凹部２１０周辺近傍には、凹部ｚｚＫ恢合
されたウェー７７を固定するための固定片２Ｊが凹部２
２内に臨むように形成されている。ここで、表面側の凹
部２２とこの凹部１２に対応する裏面側の凹部１２間Ｘ
の平板状基体２０の肉厚は、何れの箇所でも同じ大きさ
に設定されている。また、凹部２２の深さ及び径は、ウ
ェＩＪ Ｊ 會確実に嵌合して固定できるように設定す
るのが望ましい、固定片２３の大きさ及び数は、凹部２
２に嵌合されたウェーｊ Ｊ ｔ−確ｉＪ！に固定でき
る作用を発揮できる範囲で、小さくするのが望ましい。
而して、このように構成された気相成長反応炉用サセプ
タ７５によれば、対応する凹部２２間の肉厚が何れの箇
所でも等しい凹部２２内につ、−１１ｆ嵌合して加熱す
るので、凹部２２に保持された全てのつ、ｌ−１１ｆ所
定の温度に均一に加熱することができる。また、固定片
２３の大きさは可能な限り小さく設定されているので、
固定片２３０所で局所的に高温状態に加熱されるのを防
止することができる。その結果、全てのウェー・２１を
所定の温度に均一に加熱することができるので、高品質
の気相成長層を容易に形成することができる。しかも、
平板状基体２０の表裏、両面に凹部２１が多数個形成さ
れているので、生産性を向上させることができる・ 因に１実施例の気相成長反応炉用サセプタ２５によれば
、第６図乃至第８図に示す従来のサセプタ１１！、ＩＩ
Ｋ比べて、極めて高品質の発明の詳細 な説明した如く、気相成長反応炉用サセプタによれば、
全てのウェノ・を所定の温度で均一に加熱して高品質の
気相成長層を容易に形成することができるものである。
タ７５によれば、対応する凹部２２間の肉厚が何れの箇
所でも等しい凹部２２内につ、−１１ｆ嵌合して加熱す
るので、凹部２２に保持された全てのつ、ｌ−１１ｆ所
定の温度に均一に加熱することができる。また、固定片
２３の大きさは可能な限り小さく設定されているので、
固定片２３０所で局所的に高温状態に加熱されるのを防
止することができる。その結果、全てのウェー・２１を
所定の温度に均一に加熱することができるので、高品質
の気相成長層を容易に形成することができる。しかも、
平板状基体２０の表裏、両面に凹部２１が多数個形成さ
れているので、生産性を向上させることができる・ 因に１実施例の気相成長反応炉用サセプタ２５によれば
、第６図乃至第８図に示す従来のサセプタ１１！、ＩＩ
Ｋ比べて、極めて高品質の発明の詳細 な説明した如く、気相成長反応炉用サセプタによれば、
全てのウェノ・を所定の温度で均一に加熱して高品質の
気相成長層を容易に形成することができるものである。
＃！１図は、横型気相成長装置の概略構成を示す説明図
、第２図は、縦型気相成長装置の概略構成を示す説明図
、第３図は、シリンダ型気相成長装置の概略構成を示す
説明図、第４図は、横型気相成長装置の一部破断平面図
、第５図は、同横型気相成長装愛のＶ−Ｖ線に沿う断面
図、第６図は、略三角柱状の基体からなるサセプタを用
いた横型気相成長装置の一部破断平面図、第７図は、同
横型気相成長装蓋の■−■線に沿う断面図、第８図は、
略台形状の基体を積層してなるサセプタの斜視図、第９
図は、本発明の一実施例の断面図、第１０図は、同実施
例の要部を示す平面図である。 ２０・・・平板状基体、２１・・・ウェハ、２２・・・
凹部、２２・・・固定片、２５・・・気相成長反応炉用
サセプタ。 第１図 第２図 フ 第３図 第４図 第５図 第８＠１ 第９図 第１０１！１
、第２図は、縦型気相成長装置の概略構成を示す説明図
、第３図は、シリンダ型気相成長装置の概略構成を示す
説明図、第４図は、横型気相成長装置の一部破断平面図
、第５図は、同横型気相成長装愛のＶ−Ｖ線に沿う断面
図、第６図は、略三角柱状の基体からなるサセプタを用
いた横型気相成長装置の一部破断平面図、第７図は、同
横型気相成長装蓋の■−■線に沿う断面図、第８図は、
略台形状の基体を積層してなるサセプタの斜視図、第９
図は、本発明の一実施例の断面図、第１０図は、同実施
例の要部を示す平面図である。 ２０・・・平板状基体、２１・・・ウェハ、２２・・・
凹部、２２・・・固定片、２５・・・気相成長反応炉用
サセプタ。 第１図 第２図 フ 第３図 第４図 第５図 第８＠１ 第９図 第１０１！１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 平板状基体の表裏面に気相成長処理の施されるつ、八を
濠合する凹部を、前記表裏面の対応する該凹部間の肉厚
を均一にして多数個形成し、かつ、該凹部の周囲近傍に
前記つ、ノ・の固定片【設は九ことｔ特徴とする気相成
長反応炉用サセプタ・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20029681A JPS58101422A (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 気相成長反応炉用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20029681A JPS58101422A (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 気相成長反応炉用サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101422A true JPS58101422A (ja) | 1983-06-16 |
Family
ID=16421951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20029681A Pending JPS58101422A (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 気相成長反応炉用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101422A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0147967A2 (en) * | 1983-12-09 | 1985-07-10 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492257B1 (ja) * | 1970-07-06 | 1974-01-19 | ||
| JPS4967882A (ja) * | 1972-11-02 | 1974-07-01 | ||
| JPS55110031A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Fujitsu Ltd | Method for vapor growth |
-
1981
- 1981-12-12 JP JP20029681A patent/JPS58101422A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS492257B1 (ja) * | 1970-07-06 | 1974-01-19 | ||
| JPS4967882A (ja) * | 1972-11-02 | 1974-07-01 | ||
| JPS55110031A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Fujitsu Ltd | Method for vapor growth |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0147967A2 (en) * | 1983-12-09 | 1985-07-10 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
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