JPS58100214A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS58100214A JPS58100214A JP19764881A JP19764881A JPS58100214A JP S58100214 A JPS58100214 A JP S58100214A JP 19764881 A JP19764881 A JP 19764881A JP 19764881 A JP19764881 A JP 19764881A JP S58100214 A JPS58100214 A JP S58100214A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- magnetoresistive element
- head
- magnetic head
- metal conductor
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
略す）を持つ薄膜磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと略す）
に関し、長寿命のＭＲヘッドを提供することを目的とす
る。
に関し、長寿命のＭＲヘッドを提供することを目的とす
る。
第１図及び第２図は従来のＭＲヘッドを示しておシ、第
１ｊ図のものは単磁区構造と考えた場合、磁化Ｍが破性
記録媒体１からの信号磁界によ９回軒し、ＭＲ累子２，
３に流す電流Ｌに対して角度θをなし、この角度に対し
てｃＱｓ２θに比例すると考えられてきた。そして非線
形性を改善するだめのバイアス磁界はバイアス用導体４
に供給する電流によシ加えられる。電極５，６はＭＲ素
子２，３とバイアス用導体４に電流を供給し、共通電極
７に電流を流す。
１ｊ図のものは単磁区構造と考えた場合、磁化Ｍが破性
記録媒体１からの信号磁界によ９回軒し、ＭＲ累子２，
３に流す電流Ｌに対して角度θをなし、この角度に対し
てｃＱｓ２θに比例すると考えられてきた。そして非線
形性を改善するだめのバイアス磁界はバイアス用導体４
に供給する電流によシ加えられる。電極５，６はＭＲ素
子２，３とバイアス用導体４に電流を供給し、共通電極
７に電流を流す。
このヘッドでは、ＭＲ素子２，３は電極部分５゜６，７
まで延長されておシ、この形状の効果によって実際に作
動するＭＲ素子部分の磁区が単純な形状にならないので
ＭＲ特性の利用率が悪く実用にならない。また、・クイ
アス磁界を発生するだめのバイアス用導体４とＭＲ素子
の合成抵抗値は、相方の膜の比抵抗が、ＭＲ素子では８
３Ｎｉ−１７Ｆｅの場合３０μ軸、バイアス用導体では
１００μｈ 程度のＴｉ膜を用いるため大きくなり、こ
のような構成で多素子の磁気へ、ソドを形成すると、電
流を流すことによって発生する熱が無視できなくなり実
用的でない。
まで延長されておシ、この形状の効果によって実際に作
動するＭＲ素子部分の磁区が単純な形状にならないので
ＭＲ特性の利用率が悪く実用にならない。また、・クイ
アス磁界を発生するだめのバイアス用導体４とＭＲ素子
の合成抵抗値は、相方の膜の比抵抗が、ＭＲ素子では８
３Ｎｉ−１７Ｆｅの場合３０μ軸、バイアス用導体では
１００μｈ 程度のＴｉ膜を用いるため大きくなり、こ
のような構成で多素子の磁気へ、ソドを形成すると、電
流を流すことによって発生する熱が無視できなくなり実
用的でない。
また、第２図に示すのは他の従来例であり、ＭＲ素子１
０の両端に電極が２ケ所（８，９）設けられており、電
極の一方から流れる電流によってＭＲ素子部の比抵抗変
化を電圧として読み取る。
０の両端に電極が２ケ所（８，９）設けられており、電
極の一方から流れる電流によってＭＲ素子部の比抵抗変
化を電圧として読み取る。
ＭＲ素子には、バイアス磁界ＨＢが加えられており、Ｍ
Ｒ素子の再生出力の２次高調波歪を少なくするように最
適バイアス磁界を定める。電極ばＡｕ／Ｃｒの二重層や
Ａｔ等の比抵抗の低い金属薄膜を用いておりＭＲヘッド
として使用し易い発熱の少ないヘッドとなっている。
Ｒ素子の再生出力の２次高調波歪を少なくするように最
適バイアス磁界を定める。電極ばＡｕ／Ｃｒの二重層や
Ａｔ等の比抵抗の低い金属薄膜を用いておりＭＲヘッド
として使用し易い発熱の少ないヘッドとなっている。
第２図の構造のヘッドを実際に使用する場合には、記録
媒□体との接触摺動を行うために、ヘッドの前面部は第
３図ｆａｌの如き構成としている。第３図において、磁
性基板１１上に絶縁体層１２を被着する。その上にＭＲ
素子となるＦｅ −Ｎｉ合金を蒸着し、第２図の１０で
示した形状にＭＲ素子を形成する。ＭＲ素子の両端部に
電極８，９を設け、シールド層１４を形成するためにＭ
Ｒ素子と電極部上に絶縁層１３を被着する。この上に、
テープへ６．ドとして前面研磨し、テープ摺動面を仕上
げるが、薄膜ヘッドの保護にガラス等の保護基板１６と
接着層１５で接着するものである。
媒□体との接触摺動を行うために、ヘッドの前面部は第
３図ｆａｌの如き構成としている。第３図において、磁
性基板１１上に絶縁体層１２を被着する。その上にＭＲ
素子となるＦｅ −Ｎｉ合金を蒸着し、第２図の１０で
示した形状にＭＲ素子を形成する。ＭＲ素子の両端部に
電極８，９を設け、シールド層１４を形成するためにＭ
Ｒ素子と電極部上に絶縁層１３を被着する。この上に、
テープへ６．ドとして前面研磨し、テープ摺動面を仕上
げるが、薄膜ヘッドの保護にガラス等の保護基板１６と
接着層１５で接着するものである。
このような構造の磁気へ、ドの前面部が、記録媒体との
接触摺動の結果第３図（ｂｌに示すように、ド膜１４等
の付近の面荒れ１７が発生して、実用にならなかった。
接触摺動の結果第３図（ｂｌに示すように、ド膜１４等
の付近の面荒れ１７が発生して、実用にならなかった。
本発明は、このような従来の磁気ヘッドの欠点を解消し
、磁気ヘッドとして適切な抵抗値を有するＭＲヘッドを
提供しようとするものである。
、磁気ヘッドとして適切な抵抗値を有するＭＲヘッドを
提供しようとするものである。
第４図に本発明によるＭＲヘッドの構造を、第５図にヘ
ッド前面部の構造を示す。なお第３図と同一参照数字は
同一内容を示す。本実施例では、ＭＲ素子１０は、図に
示したように短ざく状に加工する。電極部１８はＭＲ素
子１０の一部分に電気的及び物理的に接触させ、外部回
路との接続のため後方部位まで延長される。
ッド前面部の構造を示す。なお第３図と同一参照数字は
同一内容を示す。本実施例では、ＭＲ素子１０は、図に
示したように短ざく状に加工する。電極部１８はＭＲ素
子１０の一部分に電気的及び物理的に接触させ、外部回
路との接続のため後方部位まで延長される。
第５図は、第４図に示した実施例の媒体との接触摺動面
であり、第４図に示した多層膜上に絶縁層であるギヤ、
ツブ材１３を形成しその上にシールド膜１４を蒸着する
。この上に、ヘッドを保護するために保護ガラス１６を
接着層１５を介して接着する。以上のヘッド前面形状で
は、電極材料であるＡｕ／Ｃｒ 、Ａｔ％ Ｃｕ ＸＡ
ｇ等がヘッド前面に露呈していなく、ＭＲ素子は、Ｆｅ
Ｎｉ合金やＣｏＮｉ合金で形成され硬度は５あシ硬いの
で第３図（ｂｌに示したようなヘッド摩耗やチッピング
が発生しない。
であり、第４図に示した多層膜上に絶縁層であるギヤ、
ツブ材１３を形成しその上にシールド膜１４を蒸着する
。この上に、ヘッドを保護するために保護ガラス１６を
接着層１５を介して接着する。以上のヘッド前面形状で
は、電極材料であるＡｕ／Ｃｒ 、Ａｔ％ Ｃｕ ＸＡ
ｇ等がヘッド前面に露呈していなく、ＭＲ素子は、Ｆｅ
Ｎｉ合金やＣｏＮｉ合金で形成され硬度は５あシ硬いの
で第３図（ｂｌに示したようなヘッド摩耗やチッピング
が発生しない。
（５）
捷だ、ＭＲ素子と電極が直接接触しているので抵抗値は
低く実用的である。しかし、この構造では、ＭＲ素子と
電極の接触部分が小さく、レジス） ／Ｆターンによる
位置精度や密着露光時のレジストの損傷等に問題があり
実用的でない。
低く実用的である。しかし、この構造では、ＭＲ素子と
電極の接触部分が小さく、レジス） ／Ｆターンによる
位置精度や密着露光時のレジストの損傷等に問題があり
実用的でない。
第６図に本発明による他の実施例を示す。本実施例では
、前記のＭＲ素子の一方の面に金属導体層１９を設け、
ＭＲ素子の下地とする。ＭＲ素子１０ｕζに示されてい
るように、短ざく状に加工する。金属導体層１９は、電
極部１８と重なった部分を持つように、ＭＲ素子の下部
から延長されている。この金属導体層１９とＭＲ素子の
一部分にかけて電極１８を形成し、電極１８は金属導体
層１９よりも後端部まで配設する。
、前記のＭＲ素子の一方の面に金属導体層１９を設け、
ＭＲ素子の下地とする。ＭＲ素子１０ｕζに示されてい
るように、短ざく状に加工する。金属導体層１９は、電
極部１８と重なった部分を持つように、ＭＲ素子の下部
から延長されている。この金属導体層１９とＭＲ素子の
一部分にかけて電極１８を形成し、電極１８は金属導体
層１９よりも後端部まで配設する。
第７図は第６図のＭＲヘッドの記録媒体摺動面で、第７
図と第３図（ａｔの相異点は、ＭＲ素子の下部に金属導
体１９が露呈していることと、電極が前面に出ていない
事である。金属導体１９の役割りは、ＭＲ素子と電極の
電気的接触を十分に行なうためのもので、金属導体自体
の比抵抗はあまシ（６） 問題にしない。
図と第３図（ａｔの相異点は、ＭＲ素子の下部に金属導
体１９が露呈していることと、電極が前面に出ていない
事である。金属導体１９の役割りは、ＭＲ素子と電極の
電気的接触を十分に行なうためのもので、金属導体自体
の比抵抗はあまシ（６） 問題にしない。
一般に、電極等の配設に利用される金属は良導体のｌｂ
ｂ金属、銅、銀、金及びｍｂ族全金族アルミニウムであ
り、各物質の比抵抗は３μΩ釧以下である。第１表、第
２表は各物質のモース硬度と比抵抗を周期率表にまとめ
たものである。Ｉｂ。
ｂ金属、銅、銀、金及びｍｂ族全金族アルミニウムであ
り、各物質の比抵抗は３μΩ釧以下である。第１表、第
２表は各物質のモース硬度と比抵抗を周期率表にまとめ
たものである。Ｉｂ。
１１ｂ、 Ｂを除＜■ｂ族の各物質の硬度は３以下と低
く、前述の第３図（ａｌのように金属導体１９が露呈し
ている状態では、第３図（ｂｌのようにギャップくずれ
が発生していた。
く、前述の第３図（ａｌのように金属導体１９が露呈し
ている状態では、第３図（ｂｌのようにギャップくずれ
が発生していた。
金属導体としては、ｌ１ｌａ、■ａ、 ＶａｌＶＬａ、
■ａ１■１１族の金属は、他の族の金属と比較するとモ
ース硬度で４〜９であシ、良導体の金属よシも硬く摩耗
しにくい。
■ａ１■１１族の金属は、他の族の金属と比較するとモ
ース硬度で４〜９であシ、良導体の金属よシも硬く摩耗
しにくい。
金属導体としては比較的硬質のＭｏ ＸＴｉ 、Ｗ等の
金属が摩耗に対して良好である。以上のように、ＭＲヘ
ッドの前面部は硬い材料はかシで構成されることになり
、第３図（ｂ）のようなチッピングやかけは発生しなく
なる。また、電極は金属導体１９とＭＲ素子双方と接触
しているので、電極とＭＲ素子との接触不良はなく、か
つ磁気ヘッドとして十分低い抵抗値を有している。
金属が摩耗に対して良好である。以上のように、ＭＲヘ
ッドの前面部は硬い材料はかシで構成されることになり
、第３図（ｂ）のようなチッピングやかけは発生しなく
なる。また、電極は金属導体１９とＭＲ素子双方と接触
しているので、電極とＭＲ素子との接触不良はなく、か
つ磁気ヘッドとして十分低い抵抗値を有している。
第８図は本発明の他の実施例であり、第９図はその記録
媒体摺動面である。本実施例と第６図に示した実施例の
相異点は、金属導体層２０の一部分１９が陽極酸化や熱
酸化によって酸化物となっていることであり、第６図の
場合のように電流がＭＲ素子と金属導体層の相方に流れ
ないため、ＭＲ素子自体の電流利用が大きくなることで
ある。
媒体摺動面である。本実施例と第６図に示した実施例の
相異点は、金属導体層２０の一部分１９が陽極酸化や熱
酸化によって酸化物となっていることであり、第６図の
場合のように電流がＭＲ素子と金属導体層の相方に流れ
ないため、ＭＲ素子自体の電流利用が大きくなることで
ある。
この場合の金属導体も第６図の場合と同様に金属導体層
を比較的硬いＭｏ、’ｌ”ｉ、Ｃｒ、Ｗ等の材料を選ぶ
ことができ、而」摩耗性が良好である。また、このよう
な構成であるとＭＲ素子に流す電流が少なくてすみ、Ｍ
Ｒ素子特有の熱ノイズ等を低減できる。
を比較的硬いＭｏ、’ｌ”ｉ、Ｃｒ、Ｗ等の材料を選ぶ
ことができ、而」摩耗性が良好である。また、このよう
な構成であるとＭＲ素子に流す電流が少なくてすみ、Ｍ
Ｒ素子特有の熱ノイズ等を低減できる。
息
以上、本発明によシ耐摩耗性良好な、１だ磁気ヘッドと
して適切な抵抗値を持つ薄膜磁気ヘッドを提供すること
ができる。
して適切な抵抗値を持つ薄膜磁気ヘッドを提供すること
ができる。
第１図、第２図は、従来例の説明図、第３図は第２図の
ＭＲヘッドの媒体摺動面（ａｌと寿命テスト後の摺動面
（ｂｌを示す図、第４図、第６図、第８図は本発明によ
る薄膜磁気へ１．ドの平面図、第５図は、第４図のＭＲ
ヘッドの媒体摺動面を示す図、第７図は第６図のＭＲヘ
ッドの媒体摺動面を示す図、第９図は、第８図のＭＲヘ
ッドの媒体摺動面を示す図である。 １０・・・ＭＲ素子、１１・・・磁性体基板、１２゜１
３・・・非磁性絶縁体層、１４・・・シールド膜、１５
・・・接着層、１７・・・ガラス層、１８・・・電極部
、１９゜２０・・・金属導体層。 （１１） 第１図 第２図 Ｉ′ｏ り第５図 第６図 第７図 第 ８ 図 第９図
ＭＲヘッドの媒体摺動面（ａｌと寿命テスト後の摺動面
（ｂｌを示す図、第４図、第６図、第８図は本発明によ
る薄膜磁気へ１．ドの平面図、第５図は、第４図のＭＲ
ヘッドの媒体摺動面を示す図、第７図は第６図のＭＲヘ
ッドの媒体摺動面を示す図、第９図は、第８図のＭＲヘ
ッドの媒体摺動面を示す図である。 １０・・・ＭＲ素子、１１・・・磁性体基板、１２゜１
３・・・非磁性絶縁体層、１４・・・シールド膜、１５
・・・接着層、１７・・・ガラス層、１８・・・電極部
、１９゜２０・・・金属導体層。 （１１） 第１図 第２図 Ｉ′ｏ り第５図 第６図 第７図 第 ８ 図 第９図
Claims (4)
- （１）磁気抵抗効果素子を持つ磁気へ、ラドにおいて、
磁気抵抗効果素子に少なくとも二つの電極を設け、該電
極は磁気抵抗効果素子と電気的及び物理的に接触し、か
つ該電極の接触部分は磁気抵抗効果素子の素子幅よりも
小さい範囲で磁気抵抗効果素子と接触していることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 - （２）磁気抵抗効果素子を持つ磁気ヘッドにおいて、磁
気抵抗効果素子の一側面の少なくとも一部分に金属導体
層を設け、前記側面と向かい合う面の一部分に電極を設
け、該電極は磁気抵抗効果素子と前記金属導体層の磁気
抵抗効果素子からの延長部と電気的及び物理的に接触し
、該電極と磁気抵抗効果素子との接触部分は磁気抵抗効
果素子の幅よりも小さいことを特徴とする薄膜磁気へ、
ラド。 - （３） 前記金属導体層の平面形状が磁気抵抗効果素
子の平面形状を包含していることを特徴とする特許請求
の範囲第（２）項記載の薄膜磁気へ、、ド。 - （４） 前記金属導体の一部分を酸化したことを特徴
とする特許請求の範、四糖（３）項記載の薄膜磁気へソ
ド ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19764881A JPS58100214A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19764881A JPS58100214A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100214A true JPS58100214A (ja) | 1983-06-14 |
| JPH0235361B2 JPH0235361B2 (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=16377983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19764881A Granted JPS58100214A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100214A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0590905A2 (en) * | 1992-10-02 | 1994-04-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic sensor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3879760A (en) * | 1973-02-27 | 1975-04-22 | Cii | Magnetic transducers |
| JPS5059023A (ja) * | 1973-09-20 | 1975-05-22 | ||
| JPS57167115A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetoresistance head |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP19764881A patent/JPS58100214A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3879760A (en) * | 1973-02-27 | 1975-04-22 | Cii | Magnetic transducers |
| JPS5059023A (ja) * | 1973-09-20 | 1975-05-22 | ||
| JPS57167115A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetoresistance head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0590905A2 (en) * | 1992-10-02 | 1994-04-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic sensor |
| EP0590905A3 (en) * | 1992-10-02 | 1995-07-05 | Ibm | Magnetic sensor. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0235361B2 (ja) | 1990-08-09 |
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