JPH1197763A - スピンバルブ型薄膜素子 - Google Patents
スピンバルブ型薄膜素子Info
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- H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スピンバルブ型薄膜素子では、ＡＢＳ面以外
の面が絶縁膜に覆われているので、前記スピンバルブ型
薄膜素子には、ハイト方向に引っ張り応力が作用してお
り、このような状態で、フリー磁性層の磁歪が正の値で
あると、逆磁歪効果により、前記フリー磁性層の磁化が
ハイト方向に誘起されてしまい、アシンメトリーが悪化
するといった問題が生じていた。 【解決手段】 フリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓが、
―２≦１０-6≦λｓ≦０、より好ましくは―１×１０-6
≦λｓ≦０の範囲内にされているので、前記フリー磁性
層４に図示Ｙ方向（ハイト方向）の引っ張り応力が作用
しても、逆磁歪効果により、前記フリー磁性層４の磁化
を図示Ｘ方向（トラック幅方向）に誘起させることがで
きる。これにより、フリー磁性層４の磁化反転は良好に
なり、アシンメトリーを零に近づける（良好にする）こ
とが可能となる。
の面が絶縁膜に覆われているので、前記スピンバルブ型
薄膜素子には、ハイト方向に引っ張り応力が作用してお
り、このような状態で、フリー磁性層の磁歪が正の値で
あると、逆磁歪効果により、前記フリー磁性層の磁化が
ハイト方向に誘起されてしまい、アシンメトリーが悪化
するといった問題が生じていた。 【解決手段】 フリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓが、
―２≦１０-6≦λｓ≦０、より好ましくは―１×１０-6
≦λｓ≦０の範囲内にされているので、前記フリー磁性
層４に図示Ｙ方向（ハイト方向）の引っ張り応力が作用
しても、逆磁歪効果により、前記フリー磁性層４の磁化
を図示Ｘ方向（トラック幅方向）に誘起させることがで
きる。これにより、フリー磁性層４の磁化反転は良好に
なり、アシンメトリーを零に近づける（良好にする）こ
とが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固定磁性層（ピン
（Pinned）磁性層）の磁化の方向と外部磁界の影響を受
けるフリー（Free）磁性層の磁化の方向との関係で電気
抵抗が変化するいわゆるスピンバルブ型薄膜素子に係
り、特に、良好なアシンメトリーを得られるようにした
スピンバルブ型薄膜素子に関する。
（Pinned）磁性層）の磁化の方向と外部磁界の影響を受
けるフリー（Free）磁性層の磁化の方向との関係で電気
抵抗が変化するいわゆるスピンバルブ型薄膜素子に係
り、特に、良好なアシンメトリーを得られるようにした
スピンバルブ型薄膜素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、ハードディスクなどの記録媒体
からの記録磁界を検出するスピンバルブ型薄膜素子（ス
ピンバルブ型薄膜磁気ヘッド）のＡＢＳ面近傍での断面
図である。このスピンバルブ型薄膜素子は、反強磁性層
３０、固定磁性層（ピン（Pinned）磁性層）２、非磁性
導電層３及びフリー（Free）磁性層３１が積層され、そ
の両側にハードバイアス層５，５が形成されている。反
強磁性層３０にはＦｅ―Ｍｎ（鉄―マンガン）合金膜や
Ｎｉ―Ｍｎ（ニッケル―マンガン）合金膜、固定磁性層
２及びフリー磁性層３１にはＮｉ―Ｆｅ（ニッケル―
鉄）合金膜、非磁性導電層３にはＣｕ（銅）膜、またハ
ードバイアス層５，５にはＣｏ―Ｐｔ（コバルト―白
金）合金膜などが一般的に使用されている。なお、符号
６，７はＴａ（タンタル）などの非磁性材料で形成され
た下地層及び保護層である。
からの記録磁界を検出するスピンバルブ型薄膜素子（ス
ピンバルブ型薄膜磁気ヘッド）のＡＢＳ面近傍での断面
図である。このスピンバルブ型薄膜素子は、反強磁性層
３０、固定磁性層（ピン（Pinned）磁性層）２、非磁性
導電層３及びフリー（Free）磁性層３１が積層され、そ
の両側にハードバイアス層５，５が形成されている。反
強磁性層３０にはＦｅ―Ｍｎ（鉄―マンガン）合金膜や
Ｎｉ―Ｍｎ（ニッケル―マンガン）合金膜、固定磁性層
２及びフリー磁性層３１にはＮｉ―Ｆｅ（ニッケル―
鉄）合金膜、非磁性導電層３にはＣｕ（銅）膜、またハ
ードバイアス層５，５にはＣｏ―Ｐｔ（コバルト―白
金）合金膜などが一般的に使用されている。なお、符号
６，７はＴａ（タンタル）などの非磁性材料で形成され
た下地層及び保護層である。
【０００３】図に示すように、反強磁性層３０と固定磁
性層２とが接して形成され、前記固定磁性層２は、前記
反強磁性層３０との界面での交換結合による交換異方性
磁界により、Ｙ方向（ハイト方向）へ単磁区化され、磁
化の方向がＹ方向に固定される。前記交換異方性磁界
は、反強磁性層３０がＮｉＭｎ合金膜の場合は、磁界を
Ｙ方向へ与えながら、アニール処理（熱処理）を施すこ
とにより前記反強磁性層３０と前記固定磁性層２との界
面において生じる。また反強磁性層３０がＦｅＭｎ合金
膜の場合は、磁場中で成膜することにより、前記反強磁
性層３０と前記固定磁性層２との界面において交換異方
性磁界が生じる。また、Ｘ方向（トラック幅方向）に磁
化されているハードバイアス層５，５の影響を受けて前
記フリー磁性層３１の磁化方向はＸ方向に揃えられてい
る。
性層２とが接して形成され、前記固定磁性層２は、前記
反強磁性層３０との界面での交換結合による交換異方性
磁界により、Ｙ方向（ハイト方向）へ単磁区化され、磁
化の方向がＹ方向に固定される。前記交換異方性磁界
は、反強磁性層３０がＮｉＭｎ合金膜の場合は、磁界を
Ｙ方向へ与えながら、アニール処理（熱処理）を施すこ
とにより前記反強磁性層３０と前記固定磁性層２との界
面において生じる。また反強磁性層３０がＦｅＭｎ合金
膜の場合は、磁場中で成膜することにより、前記反強磁
性層３０と前記固定磁性層２との界面において交換異方
性磁界が生じる。また、Ｘ方向（トラック幅方向）に磁
化されているハードバイアス層５，５の影響を受けて前
記フリー磁性層３１の磁化方向はＸ方向に揃えられてい
る。
【０００４】スピンバルブ型薄膜素子の製造方法として
は、まず下地層６から保護層７までの６層が成膜され、
その後イオンミリングなどのエッチング工程で、前記６
層の側部が傾斜面となるように削り取られ、その後に、
前記６層の両側にハードバイアス層５，５が成膜され
る。このスピンバルブ型薄膜素子では、ハードバイアス
層５，５上に形成された導電層８，８から、固定磁性層
２、非磁性導電層３及びフリー磁性層３１に定常電流
（センス電流）が与えられる。ハードディスクなどの記
録媒体の走行方向はＺ方向であり、記録媒体からの洩れ
磁界がＹ方向に与えられると、フリー磁性層４の磁化が
ＸからＹ方向へ向けて変化する。このフリー磁性層３１
内での磁化の方向の変動と、固定磁性層２の固定磁化方
向との関係で電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化
に基づく電圧変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検
出される。
は、まず下地層６から保護層７までの６層が成膜され、
その後イオンミリングなどのエッチング工程で、前記６
層の側部が傾斜面となるように削り取られ、その後に、
前記６層の両側にハードバイアス層５，５が成膜され
る。このスピンバルブ型薄膜素子では、ハードバイアス
層５，５上に形成された導電層８，８から、固定磁性層
２、非磁性導電層３及びフリー磁性層３１に定常電流
（センス電流）が与えられる。ハードディスクなどの記
録媒体の走行方向はＺ方向であり、記録媒体からの洩れ
磁界がＹ方向に与えられると、フリー磁性層４の磁化が
ＸからＹ方向へ向けて変化する。このフリー磁性層３１
内での磁化の方向の変動と、固定磁性層２の固定磁化方
向との関係で電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化
に基づく電圧変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検
出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図７に示す
スピンバルブ型薄膜素子は、そのＡＢＳ面（正面）のみ
が外部に露出し、それ以外の面が例えばＡｌ2Ｏ3などの
絶縁膜（ギャップ膜）により覆われている。また前記ス
ピンバルブ型薄膜素子は、金属膜の多層構造であるた
め、前記スピンバルブ型薄膜素子の熱膨張係数は、前記
スピンバルブ型薄膜素子を覆う絶縁膜の熱膨張係数に比
べて大きくなっている。よって、前記スピンバルブ型薄
膜素子には、図示Ｙ方向（ハイト方向）への引っ張り応
力が作用している。このような状態にて、スピンバルブ
型薄膜素子を構成するフリー磁性層３１の磁歪が正の値
であると、逆磁歪効果により、前記フリー磁性層３１の
磁化は、図示Ｙ方向に傾斜して誘起されてしまう。
スピンバルブ型薄膜素子は、そのＡＢＳ面（正面）のみ
が外部に露出し、それ以外の面が例えばＡｌ2Ｏ3などの
絶縁膜（ギャップ膜）により覆われている。また前記ス
ピンバルブ型薄膜素子は、金属膜の多層構造であるた
め、前記スピンバルブ型薄膜素子の熱膨張係数は、前記
スピンバルブ型薄膜素子を覆う絶縁膜の熱膨張係数に比
べて大きくなっている。よって、前記スピンバルブ型薄
膜素子には、図示Ｙ方向（ハイト方向）への引っ張り応
力が作用している。このような状態にて、スピンバルブ
型薄膜素子を構成するフリー磁性層３１の磁歪が正の値
であると、逆磁歪効果により、前記フリー磁性層３１の
磁化は、図示Ｙ方向に傾斜して誘起されてしまう。
【０００６】前述したように、前記フリー磁性層３１の
磁化は、ハードバイアス層５，５により、図示Ｘ方向
（トラック幅方向）に揃えられており、記録媒体からの
漏れ磁界により、前記フリー磁性層３１の磁化が変動
し、前記記録媒体からの漏れ磁界が検出される。ところ
が、スピンバルブ型薄膜素子に図示Ｙ方向への引っ張り
応力が作用し、且つフリー磁性層３１の磁歪が正の値で
あると、前記フリー磁性層の磁化が図示Ｙ方向に傾斜し
て誘起されてしまうために、記録媒体からの漏れ磁界に
対して良好な磁化反転を起こさず、再生出力波形の上下
対称性が低下してしまう。
磁化は、ハードバイアス層５，５により、図示Ｘ方向
（トラック幅方向）に揃えられており、記録媒体からの
漏れ磁界により、前記フリー磁性層３１の磁化が変動
し、前記記録媒体からの漏れ磁界が検出される。ところ
が、スピンバルブ型薄膜素子に図示Ｙ方向への引っ張り
応力が作用し、且つフリー磁性層３１の磁歪が正の値で
あると、前記フリー磁性層の磁化が図示Ｙ方向に傾斜し
て誘起されてしまうために、記録媒体からの漏れ磁界に
対して良好な磁化反転を起こさず、再生出力波形の上下
対称性が低下してしまう。
【０００７】再生出力波形の上下非対称性はアシンメト
リーと称されており、このアシンメトリーは、図示Ｙ方
向へ与えられる記録媒体からの漏れ磁界を±Ｈ（Ｏｅ；
エルステッド）としたとき、｛［ΔＲ（―Ｈ（Ｏｅ））
―ΔＲ（＋Ｈ（Ｏｅ））］／［ΔＲ（―Ｈ（Ｏｅ））＋
ΔＲ（＋Ｈ（Ｏｅ））］×１００｝（Ｒ；抵抗）で表わ
される。なお前記において、ΔＲ（―Ｈ（Ｏｅ））は、
漏れ磁界が―Ｈのときの抵抗変化量ΔＲを意味する。前
記アシンメトリーを零に近づけるほど、再生出力波形の
上下対称性が高くなり、再生特性は良好になる。
リーと称されており、このアシンメトリーは、図示Ｙ方
向へ与えられる記録媒体からの漏れ磁界を±Ｈ（Ｏｅ；
エルステッド）としたとき、｛［ΔＲ（―Ｈ（Ｏｅ））
―ΔＲ（＋Ｈ（Ｏｅ））］／［ΔＲ（―Ｈ（Ｏｅ））＋
ΔＲ（＋Ｈ（Ｏｅ））］×１００｝（Ｒ；抵抗）で表わ
される。なお前記において、ΔＲ（―Ｈ（Ｏｅ））は、
漏れ磁界が―Ｈのときの抵抗変化量ΔＲを意味する。前
記アシンメトリーを零に近づけるほど、再生出力波形の
上下対称性が高くなり、再生特性は良好になる。
【０００８】本発明者は、フリー磁性層３１の図示Ｙ方
向に引っ張り応力を与え、さらに前記フリー磁性層３１
に正の磁歪を持たせた場合の、スピンバルブ型薄膜素子
のアシンメトリーを測定した。実験では、フリー磁性層
３１の磁歪を＋２×１０-6で統一し、スピンバルブ型薄
膜素子の図示Ｙ方向に、０ＭＰａ，１５ＭＰａ，７０Ｍ
Ｐａ，１９２ＭＰａの引っ張り応力を与え、それぞれの
引っ張り応力に対するセンス電流Ｉｓと、アシンメトリ
ー（％）との関係について調べた。その実験結果を図８
に示す。
向に引っ張り応力を与え、さらに前記フリー磁性層３１
に正の磁歪を持たせた場合の、スピンバルブ型薄膜素子
のアシンメトリーを測定した。実験では、フリー磁性層
３１の磁歪を＋２×１０-6で統一し、スピンバルブ型薄
膜素子の図示Ｙ方向に、０ＭＰａ，１５ＭＰａ，７０Ｍ
Ｐａ，１９２ＭＰａの引っ張り応力を与え、それぞれの
引っ張り応力に対するセンス電流Ｉｓと、アシンメトリ
ー（％）との関係について調べた。その実験結果を図８
に示す。
【０００９】図に示すように、引っ張り応力が大きい
程、アシンメトリーは悪化している（零から離れる）こ
とがわかる。次に各応力におけるアシンメトリーのセン
ス電流依存の傾きを見ると、応力が大きい程、アシンメ
トリーの傾きは急になっていることがわかる。最もアシ
ンメトリーのセンス電流依存の傾きが急になっている１
９２ＭＰａの応力が作用した場合、アシンメトリーはセ
ンス電流が約８ｍＡとなると、ほぼ零となるが、傾きが
急なために、センス電流が８ｍＡ以上になると、前記ア
シンメトリーは急激に悪化（零よりも大きくなる）する
ことがわかる。
程、アシンメトリーは悪化している（零から離れる）こ
とがわかる。次に各応力におけるアシンメトリーのセン
ス電流依存の傾きを見ると、応力が大きい程、アシンメ
トリーの傾きは急になっていることがわかる。最もアシ
ンメトリーのセンス電流依存の傾きが急になっている１
９２ＭＰａの応力が作用した場合、アシンメトリーはセ
ンス電流が約８ｍＡとなると、ほぼ零となるが、傾きが
急なために、センス電流が８ｍＡ以上になると、前記ア
シンメトリーは急激に悪化（零よりも大きくなる）する
ことがわかる。
【００１０】このように、フリー磁性層３１の磁歪が正
の値である場合、図示Ｙ方向に大きい引っ張り応力が働
くほど、アシンメトリーを零の値に近づけることは困難
であり、特にスピンバルブ型薄膜素子には、通常、図示
Ｙ方向に２００〜３００ＭＰａの引っ張り応力が作用し
ていることが知られており、実際には、図８に示す実験
結果よりもさらにアシンメトリーは悪化するものと考え
られる。
の値である場合、図示Ｙ方向に大きい引っ張り応力が働
くほど、アシンメトリーを零の値に近づけることは困難
であり、特にスピンバルブ型薄膜素子には、通常、図示
Ｙ方向に２００〜３００ＭＰａの引っ張り応力が作用し
ていることが知られており、実際には、図８に示す実験
結果よりもさらにアシンメトリーは悪化するものと考え
られる。
【００１１】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特にハイト方向に引っ張り応力が働いてい
る場合、良好なアシンメトリーを得られるようにしたス
ピンバルブ型薄膜素子を提供することを目的としてい
る。
ものであり、特にハイト方向に引っ張り応力が働いてい
る場合、良好なアシンメトリーを得られるようにしたス
ピンバルブ型薄膜素子を提供することを目的としてい
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、反強磁性層
と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層
との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁
性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成さ
れたフリー磁性層とを有し、さらに前記フリー磁性層の
磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ
揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリ
ー磁性層に検出電流を与える導電層とが設けられて成る
スピンバルブ型薄膜素子において、前記フリー磁性層の
飽和磁歪定数λｓは、―２×１０-6≦λｓ≦０であるこ
とを特徴とするものである。
と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層
との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁
性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成さ
れたフリー磁性層とを有し、さらに前記フリー磁性層の
磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ
揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリ
ー磁性層に検出電流を与える導電層とが設けられて成る
スピンバルブ型薄膜素子において、前記フリー磁性層の
飽和磁歪定数λｓは、―２×１０-6≦λｓ≦０であるこ
とを特徴とするものである。
【００１３】本発明では、前記飽和磁歪定数λｓは、―
１×１０-6≦λｓ≦０であることがより好ましい。
１×１０-6≦λｓ≦０であることがより好ましい。
【００１４】ところで、前記飽和磁歪定数λｓは、フリ
ー磁性層を構成する軟磁性材料の組成比を変えることに
よって、適性に調節することができる。
ー磁性層を構成する軟磁性材料の組成比を変えることに
よって、適性に調節することができる。
【００１５】本発明では、前記フリー磁性層がＮｉＦｅ
系合金で形成された場合、ＮｉＦｅ系合金の組成式は、
ＮｉxＦｅ100-xで示され、組成比ｘはｗｔ％で、８１．
５≦ｘ≦８４．５であると、前記フリー磁性層の飽和磁
歪定数λｓを―２×１０-6〜０の範囲内にすることがで
きる。
系合金で形成された場合、ＮｉＦｅ系合金の組成式は、
ＮｉxＦｅ100-xで示され、組成比ｘはｗｔ％で、８１．
５≦ｘ≦８４．５であると、前記フリー磁性層の飽和磁
歪定数λｓを―２×１０-6〜０の範囲内にすることがで
きる。
【００１６】また、前記フリー磁性層がＮｉＦｅ系合金
で形成された場合、ＮｉＦｅ系合金の組成式は、Ｎｉx
Ｆｅ100-xで示され、組成比ｘはｗｔ％で、８１．５≦
ｘ≦８３であると、前記フリー磁性層の飽和磁歪定数λ
ｓを―１×１０-6〜０の範囲内にすることができる。
で形成された場合、ＮｉＦｅ系合金の組成式は、Ｎｉx
Ｆｅ100-xで示され、組成比ｘはｗｔ％で、８１．５≦
ｘ≦８３であると、前記フリー磁性層の飽和磁歪定数λ
ｓを―１×１０-6〜０の範囲内にすることができる。
【００１７】また本発明では、前記反強磁性層が、Ｐｔ
Ｍｎ合金で形成されることが好ましい。ＰｔＭｎ合金
は、従来から反強磁性層として使用されているＦｅＭｎ
合金などに比べて、交換異方性磁界（Ｈｅｘ）が大き
く、またブロッキング温度が高いなど反強磁性層として
優れた性質を有している。
Ｍｎ合金で形成されることが好ましい。ＰｔＭｎ合金
は、従来から反強磁性層として使用されているＦｅＭｎ
合金などに比べて、交換異方性磁界（Ｈｅｘ）が大き
く、またブロッキング温度が高いなど反強磁性層として
優れた性質を有している。
【００１８】また、本発明では、ＰｔＭｎ合金に代え
て、Ｘ―Ｍｎ系合金（Ｘ＝Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏ
ｓ）、Ｐｔ―Ｍｎ―Ｘ系合金（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，
Ｒｕ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｃｏ）が用いられてもよい。
て、Ｘ―Ｍｎ系合金（Ｘ＝Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏ
ｓ）、Ｐｔ―Ｍｎ―Ｘ系合金（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，
Ｒｕ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｃｏ）が用いられてもよい。
【００１９】前述したように、スピンバルブ型薄膜素子
は、その上下、およびＡＢＳ面の逆側（以下、ハイト側
と称す）の側面が絶縁膜により覆われて、ＡＢＳ面のみ
が外部に露出しているが、前記スピンバルブ型薄膜素子
の熱膨張係数は、絶縁膜の熱膨張係数に比べて大きいた
めに、前記スピンバルブ型薄膜素子には、ハイト方向に
引っ張り応力が働いている。
は、その上下、およびＡＢＳ面の逆側（以下、ハイト側
と称す）の側面が絶縁膜により覆われて、ＡＢＳ面のみ
が外部に露出しているが、前記スピンバルブ型薄膜素子
の熱膨張係数は、絶縁膜の熱膨張係数に比べて大きいた
めに、前記スピンバルブ型薄膜素子には、ハイト方向に
引っ張り応力が働いている。
【００２０】しかし、フリー磁性層の飽和磁歪定数λｓ
が正の値であると逆磁歪効果により、前記フリー磁性層
の磁化がハイト方向に誘起されて、アシンメトリーが悪
化するといった問題が生じてしまう。
が正の値であると逆磁歪効果により、前記フリー磁性層
の磁化がハイト方向に誘起されて、アシンメトリーが悪
化するといった問題が生じてしまう。
【００２１】そこで本発明者は、前記フリー磁性層の飽
和磁歪定数λｓを負の値にすれば、逆磁歪効果により、
前記フリー磁性層の磁化がトラック幅方向に誘起され
て、アシンメトリーが良好になる（より零に近づく）点
に着目した。
和磁歪定数λｓを負の値にすれば、逆磁歪効果により、
前記フリー磁性層の磁化がトラック幅方向に誘起され
て、アシンメトリーが良好になる（より零に近づく）点
に着目した。
【００２２】以下に、飽和磁歪定数λｓに関する実験お
よびその結果などについて説明する。まず実験では、フ
リー磁性層としてＮｉＦｅ系合金を使用し、このＮｉＦ
ｅ系合金の組成比の異なる複数の多層膜を成膜して、そ
れぞれの多層膜におけるフリー磁性層の飽和磁歪定数λ
ｓを測定した。その実験結果を図３に示す。
よびその結果などについて説明する。まず実験では、フ
リー磁性層としてＮｉＦｅ系合金を使用し、このＮｉＦ
ｅ系合金の組成比の異なる複数の多層膜を成膜して、そ
れぞれの多層膜におけるフリー磁性層の飽和磁歪定数λ
ｓを測定した。その実験結果を図３に示す。
【００２３】なお、前記多層膜における各層の材質およ
びその膜厚は以下の通りである。基板／下地層：Ｔａ
（３ｎｍ）／反強磁性層：ＰｔＭｎ（３０ｎｍ）／固定
磁性層：ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／非磁性導電層：Ｃｕ（２
ｎｍ）／フリー磁性層：ＮｉＦｅ（８ｎｍ）／保護層：
Ｔａ（５ｎｍ）図３に示すように、Ｎｉの組成比が８
１．５ｗｔ％であると、飽和磁歪定数λｓはほぼ零とな
ることがわかる。またＮｉの組成比が８１．５ｗｔ％以
上になると、前記飽和磁歪定数λｓは負の値になること
がわかる。
びその膜厚は以下の通りである。基板／下地層：Ｔａ
（３ｎｍ）／反強磁性層：ＰｔＭｎ（３０ｎｍ）／固定
磁性層：ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／非磁性導電層：Ｃｕ（２
ｎｍ）／フリー磁性層：ＮｉＦｅ（８ｎｍ）／保護層：
Ｔａ（５ｎｍ）図３に示すように、Ｎｉの組成比が８
１．５ｗｔ％であると、飽和磁歪定数λｓはほぼ零とな
ることがわかる。またＮｉの組成比が８１．５ｗｔ％以
上になると、前記飽和磁歪定数λｓは負の値になること
がわかる。
【００２４】次に、各多層膜にハイト方向に約３００Ｍ
Ｐａの引っ張り応力を与え、さらに５ｍＡのセンス電流
Ｉｓを流し、且つハイト方向へ±２００Ｏｅの磁界を与
えながら、アシンメトリーの測定を行った。その実験結
果を図４に示す。図４に示すように、飽和磁歪定数λｓ
が零のとき、アシンメトリーは約―５％であり、前記飽
和磁歪定数λｓが負の値で、その絶対値が大きくなるほ
ど、前記アシンメトリーはより零に近づくことがわか
る。アシンメトリーは零に近いほど、再生出力波形の上
下の対称性が高くなり良好な再生特性を得られることか
ら好ましいが、飽和磁歪定数λｓを負の値にし、絶対値
を大きくしすぎると、後述するようにバルクハウゼンノ
イズが大きくなりすぎて好ましくない。
Ｐａの引っ張り応力を与え、さらに５ｍＡのセンス電流
Ｉｓを流し、且つハイト方向へ±２００Ｏｅの磁界を与
えながら、アシンメトリーの測定を行った。その実験結
果を図４に示す。図４に示すように、飽和磁歪定数λｓ
が零のとき、アシンメトリーは約―５％であり、前記飽
和磁歪定数λｓが負の値で、その絶対値が大きくなるほ
ど、前記アシンメトリーはより零に近づくことがわか
る。アシンメトリーは零に近いほど、再生出力波形の上
下の対称性が高くなり良好な再生特性を得られることか
ら好ましいが、飽和磁歪定数λｓを負の値にし、絶対値
を大きくしすぎると、後述するようにバルクハウゼンノ
イズが大きくなりすぎて好ましくない。
【００２５】そこで本発明では、フリー磁性層の飽和磁
歪定数λｓを、―２×１０-6≦λｓ≦０の範囲内として
いる。この範囲内であると、図４に示すように、アシン
メトリーを絶対値で５％以内に収めることができ、また
バルクハウゼンノイズを比較的小さくすることができて
好ましい。
歪定数λｓを、―２×１０-6≦λｓ≦０の範囲内として
いる。この範囲内であると、図４に示すように、アシン
メトリーを絶対値で５％以内に収めることができ、また
バルクハウゼンノイズを比較的小さくすることができて
好ましい。
【００２６】なお、フリー磁性層の飽和磁歪定数λｓを
―２×１０-6〜０にするには、前記フリー磁性層がＮｉ
Ｆｅ系合金で形成されているとき、図３に示すように、
Ｎｉの組成比を８１．５〜８４．５ｗｔ％の範囲内にす
ればよいことがわかる。
―２×１０-6〜０にするには、前記フリー磁性層がＮｉ
Ｆｅ系合金で形成されているとき、図３に示すように、
Ｎｉの組成比を８１．５〜８４．５ｗｔ％の範囲内にす
ればよいことがわかる。
【００２７】図５は、飽和磁歪定数λｓとバルクハウゼ
ンノイズとの関係についてのグラフである。図に示すよ
うに、飽和磁歪定数λｓを零にすると、バルクハウゼン
ノイズは最も小さくなり、飽和磁歪定数λｓの絶対値を
大きくするほど、バルクハウゼンノイズは大きくなるこ
とがわかる。
ンノイズとの関係についてのグラフである。図に示すよ
うに、飽和磁歪定数λｓを零にすると、バルクハウゼン
ノイズは最も小さくなり、飽和磁歪定数λｓの絶対値を
大きくするほど、バルクハウゼンノイズは大きくなるこ
とがわかる。
【００２８】飽和磁歪定数λｓが大きくなるほど、バル
クハウゼンノイズが大きくなるのは、フリー磁性層に磁
壁が発生するためである。前述したように、スピンバル
ブ型薄膜素子には、ハイト方向に引っ張り応力が働いて
いるが、局部的に見ると、前記応力は、ある部分では必
ずしもハイト方向に働いていない。このように、応力の
向きが不均一であると、飽和磁歪定数λｓが大きくなる
ことにより、応力の向きの異なる部分に磁壁が発生しや
すくなり、その結果バルクハウゼンノイズは大きくな
る。
クハウゼンノイズが大きくなるのは、フリー磁性層に磁
壁が発生するためである。前述したように、スピンバル
ブ型薄膜素子には、ハイト方向に引っ張り応力が働いて
いるが、局部的に見ると、前記応力は、ある部分では必
ずしもハイト方向に働いていない。このように、応力の
向きが不均一であると、飽和磁歪定数λｓが大きくなる
ことにより、応力の向きの異なる部分に磁壁が発生しや
すくなり、その結果バルクハウゼンノイズは大きくな
る。
【００２９】バルクハウゼンノイズはできるだけ小さい
ことが好ましく、図５に示す実験結果に基づいてバルク
ハウゼンノイズを５％以内に収めるためには、フリー磁
性層の飽和磁歪定数λｓを―１×１０-6≦λｓ≦１×１
０-6の範囲内にする必要があることがわかる。なお、前
記飽和磁歪定数λｓをこの範囲内に収めるには、前記フ
リー磁性層がＮｉＦｅ系合金で形成されているとき、図
３に示すように、Ｎｉの組成比を８０．０〜８３．０ｗ
ｔ％としなければならないことがわかる。
ことが好ましく、図５に示す実験結果に基づいてバルク
ハウゼンノイズを５％以内に収めるためには、フリー磁
性層の飽和磁歪定数λｓを―１×１０-6≦λｓ≦１×１
０-6の範囲内にする必要があることがわかる。なお、前
記飽和磁歪定数λｓをこの範囲内に収めるには、前記フ
リー磁性層がＮｉＦｅ系合金で形成されているとき、図
３に示すように、Ｎｉの組成比を８０．０〜８３．０ｗ
ｔ％としなければならないことがわかる。
【００３０】本発明では、図４と図５に示す実験結果に
基づいて、アシンメトリーが絶対値で５％以内となり、
且つバルクハウゼンノイズが５％以内となるように、フ
リー磁性層の飽和磁歪定数λｓの範囲を決定することが
より好ましいとしており、従って本発明におけるより好
ましいフリー磁性層の飽和磁歪定数λｓは、―１×１０
-6≦λｓ≦０である。
基づいて、アシンメトリーが絶対値で５％以内となり、
且つバルクハウゼンノイズが５％以内となるように、フ
リー磁性層の飽和磁歪定数λｓの範囲を決定することが
より好ましいとしており、従って本発明におけるより好
ましいフリー磁性層の飽和磁歪定数λｓは、―１×１０
-6≦λｓ≦０である。
【００３１】なお、フリー磁性層の飽和磁歪定数λｓを
この範囲内に収めるには、前記フリー磁性層がＮｉＦｅ
系合金で形成されているとき、図３に示すように、Ｎｉ
の組成比を８１．５〜８３．０ｗｔ％にしなければなら
ないことがわかる。
この範囲内に収めるには、前記フリー磁性層がＮｉＦｅ
系合金で形成されているとき、図３に示すように、Ｎｉ
の組成比を８１．５〜８３．０ｗｔ％にしなければなら
ないことがわかる。
【００３２】以上のように、スピンバルブ型薄膜素子の
ハイト方向に引っ張り応力が働いている場合、フリー磁
性層の飽和磁歪定数λｓを―２×１０-6〜０、より好ま
しくは―１×１０-6〜０の範囲内とすれば、逆磁歪効果
により、フリー磁性層の磁化はトラック幅方向に誘起さ
れるので、前記磁化は記録媒体からの漏れ磁界に対して
良好な磁化反転を起こし、アシンメトリーをより零に近
づけることが可能となる。またフリー磁性層の飽和磁歪
定数λｓが、上述した範囲内であれば、バルクハウゼン
ノイズも同時に小さくすることが可能である。
ハイト方向に引っ張り応力が働いている場合、フリー磁
性層の飽和磁歪定数λｓを―２×１０-6〜０、より好ま
しくは―１×１０-6〜０の範囲内とすれば、逆磁歪効果
により、フリー磁性層の磁化はトラック幅方向に誘起さ
れるので、前記磁化は記録媒体からの漏れ磁界に対して
良好な磁化反転を起こし、アシンメトリーをより零に近
づけることが可能となる。またフリー磁性層の飽和磁歪
定数λｓが、上述した範囲内であれば、バルクハウゼン
ノイズも同時に小さくすることが可能である。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
のスピンバルブ型薄膜素子の構造をＡＢＳ面側から見た
断面図である。なお、図１ではＸ方向に延びる素子の中
央部分のみを破断して示している。また、図１に示すス
ピンバルブ型薄膜素子は、図７に示す従来のスピンバル
ブ型薄膜素子と同様に、その上下、およびハイト側の面
が絶縁膜（ギャップ膜）により覆われており、ＡＢＳ面
（正面）のみが外部に露出している。
のスピンバルブ型薄膜素子の構造をＡＢＳ面側から見た
断面図である。なお、図１ではＸ方向に延びる素子の中
央部分のみを破断して示している。また、図１に示すス
ピンバルブ型薄膜素子は、図７に示す従来のスピンバル
ブ型薄膜素子と同様に、その上下、およびハイト側の面
が絶縁膜（ギャップ膜）により覆われており、ＡＢＳ面
（正面）のみが外部に露出している。
【００３４】図１に示すスピバルブ型薄膜素子の熱膨張
係数は、前記スピンバルブ型薄膜素子を覆う絶縁膜の熱
膨張係数よりも大きいために、前記スピンバルブ型薄膜
素子には、図示Ｙ方向（ハイト方向）に引っ張り応力が
働いており、その引っ張り応力は約２００ＭＰａ〜３０
０ＭＰａである。なお、図１に示すスピンバルブ型薄膜
素子は、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライ
ダのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディ
スクなどの記録磁界を検出するものである。また、ハー
ドディスクなどの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向であ
り、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向はＹ方向であ
る。
係数は、前記スピンバルブ型薄膜素子を覆う絶縁膜の熱
膨張係数よりも大きいために、前記スピンバルブ型薄膜
素子には、図示Ｙ方向（ハイト方向）に引っ張り応力が
働いており、その引っ張り応力は約２００ＭＰａ〜３０
０ＭＰａである。なお、図１に示すスピンバルブ型薄膜
素子は、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライ
ダのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディ
スクなどの記録磁界を検出するものである。また、ハー
ドディスクなどの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向であ
り、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向はＹ方向であ
る。
【００３５】図１の最も下に形成されているのはＴａ
（タンタル）などの非磁性材料で形成された下地層６で
ある。この下地層６の上に反強磁性層１、固定磁性層
（ピン磁性層）２が積層されている。前記反強磁性層１
と固定磁性層２とが積層された状態で、所定の大きさの
磁界中で熱処理が施されることにより、両層の界面で交
換異方性磁界が得られ、前記固定磁性層２の磁化の方向
がＹ方向（ハイト方向）に単磁区化され固定される。本
発明では、前記反強磁性層１にＰｔ―Ｍｎ（白金―マン
ガン）合金を使用している。Ｐｔ―Ｍｎ合金は、Ｆｅ―
Ｍｎ合金などに比べて耐熱性に優れており、またブロッ
キング温度も高く、さらに交換異方性磁界（Ｈｅｘ）が
大きいなど反強磁性材料として優れた特性を有してい
る。
（タンタル）などの非磁性材料で形成された下地層６で
ある。この下地層６の上に反強磁性層１、固定磁性層
（ピン磁性層）２が積層されている。前記反強磁性層１
と固定磁性層２とが積層された状態で、所定の大きさの
磁界中で熱処理が施されることにより、両層の界面で交
換異方性磁界が得られ、前記固定磁性層２の磁化の方向
がＹ方向（ハイト方向）に単磁区化され固定される。本
発明では、前記反強磁性層１にＰｔ―Ｍｎ（白金―マン
ガン）合金を使用している。Ｐｔ―Ｍｎ合金は、Ｆｅ―
Ｍｎ合金などに比べて耐熱性に優れており、またブロッ
キング温度も高く、さらに交換異方性磁界（Ｈｅｘ）が
大きいなど反強磁性材料として優れた特性を有してい
る。
【００３６】また、Ｐｔ―Ｍｎ合金に代えて、Ｘ―Ｍｎ
（Ｘ＝Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ）系合金あるいは
Ｐｔ―Ｍｎ―Ｘ（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，
Ｃｒ，Ｃｏ）合金などを反強磁性層１として使用しても
よい。なおＰｔ―Ｍｎ合金およびＸ―Ｍｎ系合金の組成
比は、（Ｐｔ，Ｘ）：Ｍｎ＝１：９〜３：７、または
１：０．７〜１：１．３であることが好ましく、より好
ましい範囲は１：１である。また、固定磁性層２は、Ｎ
ｉ―Ｆｅ（ニッケル―鉄）合金、Ｃｏ―Ｆｅ（コバルト
―鉄）合金、Ｃｏ、ＣｏＦｅＮｉ合金などで形成されて
いる。
（Ｘ＝Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ）系合金あるいは
Ｐｔ―Ｍｎ―Ｘ（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，
Ｃｒ，Ｃｏ）合金などを反強磁性層１として使用しても
よい。なおＰｔ―Ｍｎ合金およびＸ―Ｍｎ系合金の組成
比は、（Ｐｔ，Ｘ）：Ｍｎ＝１：９〜３：７、または
１：０．７〜１：１．３であることが好ましく、より好
ましい範囲は１：１である。また、固定磁性層２は、Ｎ
ｉ―Ｆｅ（ニッケル―鉄）合金、Ｃｏ―Ｆｅ（コバルト
―鉄）合金、Ｃｏ、ＣｏＦｅＮｉ合金などで形成されて
いる。
【００３７】前記固定磁性層２の上には、Ｃｕ（銅）な
どの電気抵抗の低い非磁性導電層３が形成され、さらに
フリー磁性層４、Ｔａなどの保護層７が積層されてい
る。なお、前記フリー磁性層４は、前述した固定磁性層
２に使用される磁性材料で形成されている。下地層６か
ら保護層７までの６層は、スパッタ法などにより積層さ
れた後、図１に示すように、その両側が傾斜面に削り取
られる。そして前記６層の両側にハードバイアス層５，
５が形成され、さらに前記ハードバイアス層５の上に導
電層８，８が形成される。
どの電気抵抗の低い非磁性導電層３が形成され、さらに
フリー磁性層４、Ｔａなどの保護層７が積層されてい
る。なお、前記フリー磁性層４は、前述した固定磁性層
２に使用される磁性材料で形成されている。下地層６か
ら保護層７までの６層は、スパッタ法などにより積層さ
れた後、図１に示すように、その両側が傾斜面に削り取
られる。そして前記６層の両側にハードバイアス層５，
５が形成され、さらに前記ハードバイアス層５の上に導
電層８，８が形成される。
【００３８】前記ハードバイアス層５，５は例えばＣｏ
―Ｐｔ（コバルト―白金）合金やＣｏ―Ｃｒ―Ｐｔ（コ
バルト―クロム―白金）合金などで形成されている。ま
た導電層８はＷ（タングステン）やＣｕ（銅）などによ
り形成されている。前記ハードバイアス層５，５は図示
Ｘ方向（トラック方向）に磁化されており、フリー磁性
層４の磁化は前記ハードバイアス層５，５の影響を受け
て、図示Ｘ方向に揃えられる。
―Ｐｔ（コバルト―白金）合金やＣｏ―Ｃｒ―Ｐｔ（コ
バルト―クロム―白金）合金などで形成されている。ま
た導電層８はＷ（タングステン）やＣｕ（銅）などによ
り形成されている。前記ハードバイアス層５，５は図示
Ｘ方向（トラック方向）に磁化されており、フリー磁性
層４の磁化は前記ハードバイアス層５，５の影響を受け
て、図示Ｘ方向に揃えられる。
【００３９】図２は、本発明の第２の実施形態のスピン
バルブ型薄膜素子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図で
ある。図２に示すスピンバルブ型薄膜素子は、図１に示
すスピンバルブ型薄膜素子の積層の順番を逆にしたもの
である。つまり、図２では、下地層６の上にフリー磁性
層４、非磁性導電層３、固定磁性層２、及び反強磁性層
１が連続して積層されている。
バルブ型薄膜素子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図で
ある。図２に示すスピンバルブ型薄膜素子は、図１に示
すスピンバルブ型薄膜素子の積層の順番を逆にしたもの
である。つまり、図２では、下地層６の上にフリー磁性
層４、非磁性導電層３、固定磁性層２、及び反強磁性層
１が連続して積層されている。
【００４０】なお、図２に示すスピンバルブ型薄膜素子
のフリー磁性層４は、反強磁性層１よりも下方に形成さ
れているために、ハードバイアス層５，５の膜厚の厚い
部分と隣接しており、従って前記フリー磁性層４の磁化
は容易にＸ方向に揃えられる。また、図２に示す反強磁
性層１は、図１に示す反強磁性層１と同様に、ＰｔＭｎ
合金、Ｘ―Ｍｎ合金、またはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ合金で形成
されているが、反強磁性材料としてＰｔＭｎ合金、Ｘ―
Ｍｎ合金、またはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ合金を用いると、この
反強磁性層１の上下どちらに固定磁性層２を形成して
も、界面にて交換異方性磁界を発生させることが可能で
ある。
のフリー磁性層４は、反強磁性層１よりも下方に形成さ
れているために、ハードバイアス層５，５の膜厚の厚い
部分と隣接しており、従って前記フリー磁性層４の磁化
は容易にＸ方向に揃えられる。また、図２に示す反強磁
性層１は、図１に示す反強磁性層１と同様に、ＰｔＭｎ
合金、Ｘ―Ｍｎ合金、またはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ合金で形成
されているが、反強磁性材料としてＰｔＭｎ合金、Ｘ―
Ｍｎ合金、またはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ合金を用いると、この
反強磁性層１の上下どちらに固定磁性層２を形成して
も、界面にて交換異方性磁界を発生させることが可能で
ある。
【００４１】図１及び図２に示すスピンバルブ型薄膜素
子では、導電層８から固定磁性層２、非磁性導電層３お
よびフリー磁性層４に定常電流（センス電流）が与えら
れ、しかも記録媒体からＹ方向へ磁界が与えられると、
フリー磁性層４の磁化方向がＸ方向からＹ方向へ向けて
変化する。このとき、非磁性導電層３と固定磁性層２と
の界面、または非磁性導電層３とフリー磁性層４との界
面で伝導電子の散乱状態が変化し、電気抵抗が変化す
る。よって検出出力を得ることができる。本発明では、
前述したフリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓは負の値に
されているが、これは前記フリー磁性層４の磁化を図示
Ｘ方向（トラック幅方向）に適性に揃えるためである。
子では、導電層８から固定磁性層２、非磁性導電層３お
よびフリー磁性層４に定常電流（センス電流）が与えら
れ、しかも記録媒体からＹ方向へ磁界が与えられると、
フリー磁性層４の磁化方向がＸ方向からＹ方向へ向けて
変化する。このとき、非磁性導電層３と固定磁性層２と
の界面、または非磁性導電層３とフリー磁性層４との界
面で伝導電子の散乱状態が変化し、電気抵抗が変化す
る。よって検出出力を得ることができる。本発明では、
前述したフリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓは負の値に
されているが、これは前記フリー磁性層４の磁化を図示
Ｘ方向（トラック幅方向）に適性に揃えるためである。
【００４２】前述したように、図１に示すスピンバルブ
型薄膜素子では、ＡＢＳ面（正面）のみが外部に露出
し、その他の面が絶縁膜にて覆われているので、前記ス
ピンバルブ型薄膜素子には、図示Ｙ方向（ハイト方向）
に引っ張り応力が働いている。従って、前記フリー磁性
層４の飽和磁歪定数λｓを負の値にすれば、逆磁歪効果
により、前記フリー磁性層４の磁化を、図示Ｘ方向（ト
ラック幅方向）に誘起させることができ、前記フリー磁
性層４の磁化を図示Ｘ方向に適性に揃えることが可能と
なる。
型薄膜素子では、ＡＢＳ面（正面）のみが外部に露出
し、その他の面が絶縁膜にて覆われているので、前記ス
ピンバルブ型薄膜素子には、図示Ｙ方向（ハイト方向）
に引っ張り応力が働いている。従って、前記フリー磁性
層４の飽和磁歪定数λｓを負の値にすれば、逆磁歪効果
により、前記フリー磁性層４の磁化を、図示Ｘ方向（ト
ラック幅方向）に誘起させることができ、前記フリー磁
性層４の磁化を図示Ｘ方向に適性に揃えることが可能と
なる。
【００４３】これにより、記録媒体からの漏れ磁界によ
る前記フリー磁性層４の磁化反転は良好なものとなり、
従って本発明では、再生出力波形の上下の対称性を高め
ることができ、いわゆるアシンメトリーを零により近づ
けることができる。アシンメトリーをより零に近づける
には、フリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓを負の値に
し、絶対値を大きくすればよいが、絶対値があまり大き
すぎると、バルクハウゼンノイズが大きくなるので好ま
しくない。
る前記フリー磁性層４の磁化反転は良好なものとなり、
従って本発明では、再生出力波形の上下の対称性を高め
ることができ、いわゆるアシンメトリーを零により近づ
けることができる。アシンメトリーをより零に近づける
には、フリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓを負の値に
し、絶対値を大きくすればよいが、絶対値があまり大き
すぎると、バルクハウゼンノイズが大きくなるので好ま
しくない。
【００４４】本発明では、フリー磁性層４の飽和磁歪定
数λｓは、―２×１０-6≦λｓ≦０、より好ましくは―
１×１０-6≦λｓ≦０の範囲内とされている。この範囲
内であればアシンメトリーをより零に近づけることがで
き、同時にバルクハウゼンノイズをより小さくすること
ができるので好ましい。ところで、前記フリー磁性層４
の飽和磁歪定数λｓを上述した範囲内に調節するには、
前記フリー磁性層４を形成する軟磁性材料の組成比を適
性に調節すればよい。
数λｓは、―２×１０-6≦λｓ≦０、より好ましくは―
１×１０-6≦λｓ≦０の範囲内とされている。この範囲
内であればアシンメトリーをより零に近づけることがで
き、同時にバルクハウゼンノイズをより小さくすること
ができるので好ましい。ところで、前記フリー磁性層４
の飽和磁歪定数λｓを上述した範囲内に調節するには、
前記フリー磁性層４を形成する軟磁性材料の組成比を適
性に調節すればよい。
【００４５】例えば前記フリー磁性層４がＮｉＦｅ系合
金で形成されているとき、Ｎｉの組成比を８１．５〜８
４．５ｗｔ％、残部をＦｅの組成比をすれば、前記フリ
ー磁性層４の飽和磁歪定数λｓを―２×１０-6≦λｓ≦
０の範囲内にすることができる。また、前記フリー磁性
層４がＮｉＦｅ系合金で形成されているとき、Ｎｉの組
成比を８１．５〜８３．０ｗｔ％、残部をＦｅの組成比
をすれば、前記フリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓを―
１×１０-6≦λｓ≦０の範囲内にすることができる。
金で形成されているとき、Ｎｉの組成比を８１．５〜８
４．５ｗｔ％、残部をＦｅの組成比をすれば、前記フリ
ー磁性層４の飽和磁歪定数λｓを―２×１０-6≦λｓ≦
０の範囲内にすることができる。また、前記フリー磁性
層４がＮｉＦｅ系合金で形成されているとき、Ｎｉの組
成比を８１．５〜８３．０ｗｔ％、残部をＦｅの組成比
をすれば、前記フリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓを―
１×１０-6≦λｓ≦０の範囲内にすることができる。
【００４６】次に、固定磁性層２が、フリー磁性層４と
同じ材質および組成比で形成されるなどして、前記固定
磁性層２の飽和磁歪定数λｓが負の値にされると、前記
固定磁性層２にもフリー磁性層４と同様に図示Ｙ方向
（ハイト方向）に引っ張り応力が働いているために、逆
磁歪効果により、前記固定磁性層２の磁化は、図示Ｘ方
向（トラック幅方向）に傾斜して誘起されることにな
る。前述したように固定磁性層２の磁化は図示Ｙ方向に
揃えられ固定されているが、逆磁歪効果により前記固定
磁性層２の磁化方向が図示Ｙ方向から傾いてしまうと、
アシンメトリーは悪化してしまう。
同じ材質および組成比で形成されるなどして、前記固定
磁性層２の飽和磁歪定数λｓが負の値にされると、前記
固定磁性層２にもフリー磁性層４と同様に図示Ｙ方向
（ハイト方向）に引っ張り応力が働いているために、逆
磁歪効果により、前記固定磁性層２の磁化は、図示Ｘ方
向（トラック幅方向）に傾斜して誘起されることにな
る。前述したように固定磁性層２の磁化は図示Ｙ方向に
揃えられ固定されているが、逆磁歪効果により前記固定
磁性層２の磁化方向が図示Ｙ方向から傾いてしまうと、
アシンメトリーは悪化してしまう。
【００４７】そこで本発明では、前記固定磁性層２の磁
化を図示Ｙ方向に強固に固定するために、前記固定磁性
層２の界面にて大きい交換異方性磁界を発生する反強磁
性層１が選択されている。本発明では前記反強磁性層１
としてＰｔＭｎ合金が使用される。ＰｔとＭｎとの組成
比を１：１とした場合のＰｔＭｎ合金は交換異方性磁界
が大きく最大で９００Ｏｅ程度である。また耐熱性に優
れ、さらにブロッキング温度が約３８０℃と高いので、
例えばスピンバルブ型薄膜素子が高温の中で動作して
も、前記固定磁性層２の磁化が、逆磁歪効果により、図
示Ｙ方向から傾いてしまうといったことがない。
化を図示Ｙ方向に強固に固定するために、前記固定磁性
層２の界面にて大きい交換異方性磁界を発生する反強磁
性層１が選択されている。本発明では前記反強磁性層１
としてＰｔＭｎ合金が使用される。ＰｔとＭｎとの組成
比を１：１とした場合のＰｔＭｎ合金は交換異方性磁界
が大きく最大で９００Ｏｅ程度である。また耐熱性に優
れ、さらにブロッキング温度が約３８０℃と高いので、
例えばスピンバルブ型薄膜素子が高温の中で動作して
も、前記固定磁性層２の磁化が、逆磁歪効果により、図
示Ｙ方向から傾いてしまうといったことがない。
【００４８】以上詳述したように、本発明では、スピン
バルブ型薄膜素子の図示Ｙ方向（ハイト方向）に引っ張
り応力が働いている場合、フリー磁性層４の飽和磁歪定
数λｓを―２×１０-6≦λｓ≦０、好ましくは―１×１
０-6≦λｓ≦０とすることにより、逆磁歪効果により、
フリー磁性層４の磁化を図示Ｘ方向（トラック幅方向）
に誘起させることができる。 従って、前記フリー磁性
層４の磁化を適性に図示Ｘ方向（トラック幅方向）に揃
えることができ、良好なアシンメトリーを得る（アシン
メトリーをより零に近づける）ことが可能となる。
バルブ型薄膜素子の図示Ｙ方向（ハイト方向）に引っ張
り応力が働いている場合、フリー磁性層４の飽和磁歪定
数λｓを―２×１０-6≦λｓ≦０、好ましくは―１×１
０-6≦λｓ≦０とすることにより、逆磁歪効果により、
フリー磁性層４の磁化を図示Ｘ方向（トラック幅方向）
に誘起させることができる。 従って、前記フリー磁性
層４の磁化を適性に図示Ｘ方向（トラック幅方向）に揃
えることができ、良好なアシンメトリーを得る（アシン
メトリーをより零に近づける）ことが可能となる。
【００４９】なお、スピンバルブ型薄膜素子の図示Ｙ方
向（ハイト方向）に引っ張り応力が働く理由は、前述し
たように前記スピンバルブ型薄膜素子のＡＢＳ面を除い
てそれ以外の面が絶縁膜により覆われており、前記スピ
ンバルブ型薄膜素子の熱膨張係数が、前記絶縁膜の熱膨
張係数に比べて高くなっているからである。例えば絶縁
膜の材質はＡｌ2Ｏ3（アルミナ）、ＡｌＮ（窒化アルミ
ニウム）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｃ（ダイヤモンド状
炭素）などであり、熱膨張係数は８×１０-6以下であ
る。
向（ハイト方向）に引っ張り応力が働く理由は、前述し
たように前記スピンバルブ型薄膜素子のＡＢＳ面を除い
てそれ以外の面が絶縁膜により覆われており、前記スピ
ンバルブ型薄膜素子の熱膨張係数が、前記絶縁膜の熱膨
張係数に比べて高くなっているからである。例えば絶縁
膜の材質はＡｌ2Ｏ3（アルミナ）、ＡｌＮ（窒化アルミ
ニウム）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｃ（ダイヤモンド状
炭素）などであり、熱膨張係数は８×１０-6以下であ
る。
【００５０】仮に、スピンバルブ型薄膜素子の熱膨張係
数が、前記スピンバルブ型薄膜素子のＡＢＳ面以外の面
を覆う膜の熱膨張係数よりも小さい場合、前記スピンバ
ルブ型薄膜素子にはハイト方向に縮む方向の応力が働く
ことになる。この場合は、フリー磁性層４の飽和磁歪定
数λｓを正の値とすることにより、逆磁歪効果により、
前記フリー磁性層４の磁化をトラック幅方向に誘起させ
ることが可能となり、アシンメトリーを零に近づけるこ
とができる。
数が、前記スピンバルブ型薄膜素子のＡＢＳ面以外の面
を覆う膜の熱膨張係数よりも小さい場合、前記スピンバ
ルブ型薄膜素子にはハイト方向に縮む方向の応力が働く
ことになる。この場合は、フリー磁性層４の飽和磁歪定
数λｓを正の値とすることにより、逆磁歪効果により、
前記フリー磁性層４の磁化をトラック幅方向に誘起させ
ることが可能となり、アシンメトリーを零に近づけるこ
とができる。
【００５１】
【実施例】本発明では、図１に示すスピンバルブ型薄膜
素子の図示Ｙ方向（ハイト方向）に引っ張り応力を与
え、フリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓを―１×１０-6
とした場合のセンス電流Ｉｓとアシンメトリーとの関係
について測定した。その実験結果を図６に示す。図６に
示すように、引っ張り応力が１９２ＭＰａ与えられてい
る場合の方が、引っ張り応力が与えられていない（０Ｍ
Ｐａ）場合に比べて、アシンメトリーはより零に近づい
ていることがわかる。
素子の図示Ｙ方向（ハイト方向）に引っ張り応力を与
え、フリー磁性層４の飽和磁歪定数λｓを―１×１０-6
とした場合のセンス電流Ｉｓとアシンメトリーとの関係
について測定した。その実験結果を図６に示す。図６に
示すように、引っ張り応力が１９２ＭＰａ与えられてい
る場合の方が、引っ張り応力が与えられていない（０Ｍ
Ｐａ）場合に比べて、アシンメトリーはより零に近づい
ていることがわかる。
【００５２】これは、フリー磁性層４の飽和磁歪定数λ
ｓが負の値で、引っ張り応力が与えられると、逆磁歪効
果により、前記フリー磁性層４の磁化が図示Ｘ方向（ト
ラック幅方向）に誘起されるからである。ここで、図６
と図８とを比較してみる。なお、図８は、図７に示すフ
リー磁性層３１が２×１０-6の飽和磁歪定数λｓを有す
る場合の、センス電流Ｉｓとアシンメトリーとの関係を
示すグラフである。
ｓが負の値で、引っ張り応力が与えられると、逆磁歪効
果により、前記フリー磁性層４の磁化が図示Ｘ方向（ト
ラック幅方向）に誘起されるからである。ここで、図６
と図８とを比較してみる。なお、図８は、図７に示すフ
リー磁性層３１が２×１０-6の飽和磁歪定数λｓを有す
る場合の、センス電流Ｉｓとアシンメトリーとの関係を
示すグラフである。
【００５３】実際のスピンバルブ型薄膜素子のハイト方
向には、２００〜３００ＭＰａ程度の引っ張り応力が働
くことが知られているので、この値に最も近い図６に示
す１９２ＭＰａの応力が作用した場合のアシンメトリー
と、図８に示す１９２ＭＰａの応力が作用した場合のア
シンメトリーとを比較してみると、例えばセンス電流が
―１０ｍＡであるとき、図６におけるアシンメトリーは
約―３０％であるのに対し、図８におけるアシンメトリ
ーは約―７０％である。このように、良好なアシンメト
リーを得るには、スピンバルブ型薄膜素子に引っ張り応
力が働いている場合、フリー磁性層４の飽和磁歪定数λ
ｓを負の値にすることが好ましいことがわかる。
向には、２００〜３００ＭＰａ程度の引っ張り応力が働
くことが知られているので、この値に最も近い図６に示
す１９２ＭＰａの応力が作用した場合のアシンメトリー
と、図８に示す１９２ＭＰａの応力が作用した場合のア
シンメトリーとを比較してみると、例えばセンス電流が
―１０ｍＡであるとき、図６におけるアシンメトリーは
約―３０％であるのに対し、図８におけるアシンメトリ
ーは約―７０％である。このように、良好なアシンメト
リーを得るには、スピンバルブ型薄膜素子に引っ張り応
力が働いている場合、フリー磁性層４の飽和磁歪定数λ
ｓを負の値にすることが好ましいことがわかる。
【００５４】また、図８に示す１９２ＭＰａの応力が作
用した場合のアシンメトリーは、センス電流が約８ｍＡ
のときに、ほぼ零となるが、前記アシンメトリーの傾き
は非常に急であるため、センス電流が８ｍＡ以上になる
と、急激にアシンメトリーは大きくなっていることがわ
かる。これに対し、図６に示す１９２ＭＰａの応力が作
用した場合のアシンメトリーは、センス電流が約５ｍＡ
のときほぼ零になるが、前記アシンメトリーの傾きは非
常になだらかであるため、センス電流が５ｍＡ以上にな
っても、前記アシンメトリーはあまり大きくならないこ
とがわかる。このように、フリー磁性層４の飽和磁歪定
数λｓが負の値であると、センス電流の広い範囲にて、
良好なアシンメトリーを得ることが可能となる。
用した場合のアシンメトリーは、センス電流が約８ｍＡ
のときに、ほぼ零となるが、前記アシンメトリーの傾き
は非常に急であるため、センス電流が８ｍＡ以上になる
と、急激にアシンメトリーは大きくなっていることがわ
かる。これに対し、図６に示す１９２ＭＰａの応力が作
用した場合のアシンメトリーは、センス電流が約５ｍＡ
のときほぼ零になるが、前記アシンメトリーの傾きは非
常になだらかであるため、センス電流が５ｍＡ以上にな
っても、前記アシンメトリーはあまり大きくならないこ
とがわかる。このように、フリー磁性層４の飽和磁歪定
数λｓが負の値であると、センス電流の広い範囲にて、
良好なアシンメトリーを得ることが可能となる。
【００５５】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、スピンバ
ルブ型薄膜素子のハイト方向に引っ張り応力が作用して
いる場合、フリー磁性層の飽和磁歪定数λｓを、―２×
１０-6≦λｓ≦０、より好ましくは―１×１０-6≦λｓ
≦０とすれば、逆磁歪効果にて、前記フリー磁性層の磁
化をトラック幅方向に誘起させ、前記フリー磁性層の磁
化をトラック幅方向に適性に揃えることが可能となる。
ルブ型薄膜素子のハイト方向に引っ張り応力が作用して
いる場合、フリー磁性層の飽和磁歪定数λｓを、―２×
１０-6≦λｓ≦０、より好ましくは―１×１０-6≦λｓ
≦０とすれば、逆磁歪効果にて、前記フリー磁性層の磁
化をトラック幅方向に誘起させ、前記フリー磁性層の磁
化をトラック幅方向に適性に揃えることが可能となる。
【００５６】従って、再生時においてフリー磁性層の磁
化反転は良好なものとなり、再生出力波形の上下非対称
性、いわゆるアシンメトリーを零に近づける（良好なも
のにする）ことが可能となる。
化反転は良好なものとなり、再生出力波形の上下非対称
性、いわゆるアシンメトリーを零に近づける（良好なも
のにする）ことが可能となる。
【００５７】またフリー磁性層の飽和磁歪定数λｓが上
述した範囲内であれば、アシンメトリーをより零に近づ
けることができると同時に、バルクハウゼンノイズを小
さくすることが可能である。
述した範囲内であれば、アシンメトリーをより零に近づ
けることができると同時に、バルクハウゼンノイズを小
さくすることが可能である。
【図１】本発明の第１実施形態のスピンバルブ型薄膜素
子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図、
子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図、
【図２】本発明の第２実施形態のスピンバルブ型薄膜素
子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図、
子の構造をＡＢＳ面側から見た断面図、
【図３】フリー磁性層をＮｉＦｅ系合金で形成した場合
の、Ｎｉの組成比と前記フリー磁性層の飽和磁歪定数λ
ｓとの関係を示すグラフ、
の、Ｎｉの組成比と前記フリー磁性層の飽和磁歪定数λ
ｓとの関係を示すグラフ、
【図４】フリー磁性層をＮｉＦｅ系合金で形成し、さら
に前記フリー磁性層のハイト方向に約３００ＭＰａの引
っ張り応力を与えた場合の、フリー磁性層の飽和磁歪定
数λｓとアシンメトリーとの関係を示すグラフ、
に前記フリー磁性層のハイト方向に約３００ＭＰａの引
っ張り応力を与えた場合の、フリー磁性層の飽和磁歪定
数λｓとアシンメトリーとの関係を示すグラフ、
【図５】フリー磁性層をＮｉＦｅ系合金で形成し、さら
に前記フリー磁性層のハイト方向に約３００ＭＰａの引
っ張り応力を与えた場合の、フリー磁性層の飽和磁歪定
数λｓとバルクハウゼンノイズとの関係を示すグラフ、
に前記フリー磁性層のハイト方向に約３００ＭＰａの引
っ張り応力を与えた場合の、フリー磁性層の飽和磁歪定
数λｓとバルクハウゼンノイズとの関係を示すグラフ、
【図６】フリー磁性層の飽和磁歪定数λｓを―１．０×
１０-6とし、前記フリー磁性層のハイト方向に０ＭＰ
ａ、１９２ＭＰａの引っ張り応力を与えた場合の、各応
力におけるセンス電流とアシンメトリーとの関係を示す
グラフ、
１０-6とし、前記フリー磁性層のハイト方向に０ＭＰ
ａ、１９２ＭＰａの引っ張り応力を与えた場合の、各応
力におけるセンス電流とアシンメトリーとの関係を示す
グラフ、
【図７】従来のスピンバルブ型薄膜素子の構造をＡＢＳ
面側から見た断面図、
面側から見た断面図、
【図８】フリー磁性層の飽和磁歪定数λｓを２．０×１
０-6とし、前記フリー磁性層のハイト方向に０ＭＰａ、
１５ＭＰａ、７０ＭＰａ、１９２ＭＰａの引っ張り応力
を与えた場合の、各応力におけるセンス電流とアシンメ
トリーとの関係を示すグラフ、
０-6とし、前記フリー磁性層のハイト方向に０ＭＰａ、
１５ＭＰａ、７０ＭＰａ、１９２ＭＰａの引っ張り応力
を与えた場合の、各応力におけるセンス電流とアシンメ
トリーとの関係を示すグラフ、
１ 反強磁性層 ２ 固定磁性層 ３ 非磁性導電層 ４ フリー磁性層 ５ ハードバイアス層 ６ 下地層 ７ 保護層 ８ 導電層 Ｘ トラック幅方向 Ｙ ハイト方向
Claims (7)
- 【請求項１】 反強磁性層と、この反強磁性層と接して
形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁
化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非
磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有し、
さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の
磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁
性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える
導電層とが設けられて成るスピンバルブ型薄膜素子にお
いて、前記フリー磁性層の飽和磁歪定数λｓは、―２×
１０-6≦λｓ≦０であることを特徴とするスピンバルブ
型薄膜素子。 - 【請求項２】 前記飽和磁歪定数λｓは、―１×１０-6
≦λｓ≦０である請求項１記載のスピンバルブ型薄膜素
子。 - 【請求項３】 前記フリー磁性層がＮｉＦｅ系合金で形
成された場合、ＮｉＦｅ系合金の組成式は、ＮｉxＦｅ
100-xで示され、組成比ｘはｗｔ％で、 ８１．５≦ｘ≦８４．５ である請求項１記載のスピンバルブ型薄膜素子。 - 【請求項４】 前記フリー磁性層がＮｉＦｅ系合金で形
成された場合、ＮｉＦｅ系合金の組成式は、ＮｉxＦｅ
100-xで示され、組成比ｘはｗｔ％で、 ８１．５≦ｘ≦８３ である請求項２記載のスピンバルブ型薄膜素子。 - 【請求項５】 前記反強磁性層が、ＰｔＭｎ合金で形成
される請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のスピ
ンバルブ型薄膜素子。 - 【請求項６】 ＰｔＭｎ合金に代えて、Ｘ―Ｍｎ系合金
（Ｘ＝Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ）が用いられる請
求項５記載のスピンバルブ型薄膜素子。 - 【請求項７】 ＰｔＭｎ合金に代えて、Ｐｔ―Ｍｎ―Ｘ
系合金（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｃ
ｏ）が用いられる請求項５記載のスピンバルブ型薄膜素
子。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25179797A JP3274392B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | スピンバルブ型薄膜素子 |
| KR1019980038453A KR100269988B1 (ko) | 1997-09-17 | 1998-09-17 | 스핀밸브형 박막소자 |
| US09/154,648 US6153319A (en) | 1997-09-17 | 1998-09-17 | Spin-valve type thin film element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25179797A JP3274392B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | スピンバルブ型薄膜素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197763A true JPH1197763A (ja) | 1999-04-09 |
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Family
ID=17228081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25179797A Expired - Fee Related JP3274392B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | スピンバルブ型薄膜素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6153319A (ja) |
| JP (1) | JP3274392B2 (ja) |
| KR (1) | KR100269988B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6364964B1 (en) | 1999-09-06 | 2002-04-02 | Tdk Corporation | Manufacturing method of spin valve magnetoresistive effect element and manufacturing method of thin-film magnetic head with the element |
| US7551407B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-06-23 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, head gimbal assembly and hard disk drive |
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|---|---|---|---|---|
| US6636395B1 (en) * | 1999-06-03 | 2003-10-21 | Tdk Corporation | Magnetic transducer and thin film magnetic head using the same |
| JP2001006127A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Tdk Corp | トンネル磁気抵抗効果型ヘッド |
| JP2001014616A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Tdk Corp | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 |
| JP2002074619A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘッド |
| US6760200B2 (en) | 2000-11-24 | 2004-07-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin-valve thin-film magnetic element suitable for track narrowing and thin-film magnetic head using the same |
| US6614630B2 (en) * | 2001-04-23 | 2003-09-02 | Headway Technologies, Inc. | Top spin valve heads for ultra-high recording density |
| US6674617B2 (en) | 2002-03-07 | 2004-01-06 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction sensor with a multilayer free-layer structure |
| US20040046247A1 (en) * | 2002-09-09 | 2004-03-11 | Olin Corporation, A Corporation Of The Commonwealth Of Virginia | Hermetic semiconductor package |
| US20040091743A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-13 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistance sensor with a controlled-magnetostriction Co-Fe free-layer film |
| US20040166368A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-26 | International Business Machines Corporation | AP-tab spin valve with controlled magnetostriction of the biasing layer |
| US7449345B2 (en) * | 2004-06-15 | 2008-11-11 | Headway Technologies, Inc. | Capping structure for enhancing dR/R of the MTJ device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| US5159513A (en) * | 1991-02-08 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| US5373238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-12-13 | International Business Machines Corporation | Four layer magnetoresistance device and method for making a four layer magnetoresistance device |
-
1997
- 1997-09-17 JP JP25179797A patent/JP3274392B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-17 KR KR1019980038453A patent/KR100269988B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-17 US US09/154,648 patent/US6153319A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6364964B1 (en) | 1999-09-06 | 2002-04-02 | Tdk Corporation | Manufacturing method of spin valve magnetoresistive effect element and manufacturing method of thin-film magnetic head with the element |
| US7551407B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-06-23 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, head gimbal assembly and hard disk drive |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990029898A (ko) | 1999-04-26 |
| KR100269988B1 (ko) | 2000-10-16 |
| JP3274392B2 (ja) | 2002-04-15 |
| US6153319A (en) | 2000-11-28 |
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