JPH1196541A

JPH1196541A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH1196541A
Application number: JP26046697A
Authority: JP
Inventors: Takao Mori; 敬郎森; Atsumichi Kawashima; 敦道川島
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-09-25
Filing date: 1997-09-25
Publication date: 1999-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】磁性層２上にカーボン保護膜３を設けること
によって磁気記録媒体の摺動耐久性とともに耐環境性を
改善する。【解決手段】カーボン保護膜の密度を１．５ｇ／ｃｍ
³以上に規制する。さらにカーボン保護膜のラマン分光
分析における１５５０ｃｍ^-1でのピーク強度Ｉｇと８０
０ｃｍ^-1でのピーク強度Ｉｓの比Ｉｇ／Ｉｓを４．５以
上の範囲にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
し、特に保護膜の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、酸化
物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩
化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、
ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中
に分散せしめた磁性塗料を、非磁性支持体上に塗布、乾
燥することで磁性層が形成される、いわゆる塗布型の磁
気記録媒体が広く使用されている。

【０００３】一方、高密度磁気記録への要求の高まりと
ともに、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｏ等
の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段（真空蒸
着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法等）
によってポリエステルフィルムやポリアミド、ポリイミ
ドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着することで磁
性層が形成される、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録
媒体が提案され注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れるとともに、磁性層の厚みを極め
て薄くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著し
く小さく、短波長での電磁変換特性に優れる。また、そ
ればかりでなく、磁性層中に非磁性材であるバインダー
を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め
ることができること等、数々の利点を有している。この
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、このような磁気特性
的な優位さ故に高密度磁気記録用の媒体として主流にな
ると考えられる。

【０００５】特に、金属磁性材料を斜め方向から蒸着す
ることで磁性層が形成される、斜法蒸着タイプの磁気記
録媒体は、電磁変換特性に優れ、大きな出力が得られる
ことから既に実用化されている。

【０００６】このような金属磁性薄膜型の磁気記録媒体
では、さらなる高密度化の流れからヘッドとの間のスペ
ーシング損失をより小さくする必要が出てきており、こ
のため磁性層表面は平滑化される方向にある。しかし、
磁性層表面が平滑化されると、ヘッドに対する接触面積
が増大することから、ヘッド−媒体間の摩擦力が増大
し、媒体に生ずる剪断応力が大きくなる。そこで、摺動
耐久性を付与する目的で、磁性層表面に保護膜を形成す
る技術の検討がされている。

【０００７】保護膜としては、カーボン膜、石英（Ｓｉ
Ｏ₂）膜、ジルコニア（ＺｒＯ₂）膜等が検討されてお
り、なかでもダイヤモンド構造を有する硬質カーボン膜
（ＤＬＣ膜）は、摺動耐久性に非常に優れ、今後、保護
膜の主流になるものと考えられる。

【０００８】なお、このＤＬＣ膜は、スパッタリング法
あるいはＣＶＤ（化学気相成長）法によって形成される
が、スパッタリング法は膜形成速度が比較的遅いことか
ら、工業的にはＣＶＤ法を用いる方が有利である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、金属磁性薄
膜型の磁気記録媒体で形成される保護膜としては、摺動
耐久性に優れるとともに、金属磁性薄膜が酸化物磁性材
料に比べて非常に酸化し易いことから、金属磁性薄膜を
湿気等の腐食因子から保護する遮蔽効果も有しているこ
とが求められる。

【００１０】しかしながら、スパッタリング法やＣＶＤ
法で成膜されるカーボン保護膜は成膜条件によって膜の
状態が大きく変動し、カーボン保護膜の遮蔽効果はこの
膜の状態の変動によって損なわれ易い。このため、これ
までのカーボン保護膜では摺動耐久性は付与できても耐
環境性を十分に改善することはできないのが実情であ
る。

【００１１】そこで本発明はこのような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、保護効果に優れたカーボン
保護膜を設けることによって摺動耐久性とともに耐環境
性にも優れた磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に、磁
性層が形成され、この上にカーボン保護膜が形成されて
なり、上記カーボン保護膜の密度が１．５ｇ／ｃｍ³以
上であることを特徴とするものである。

【００１３】また、カーボン保護膜は、ラマン分光分析
における１５５０ｃｍ^-1でのピーク強度Ｉｇと８００ｃ
ｍ^-1でのピーク強度Ｉｓの比Ｉｇ／Ｉｓが４．５以上で
あるのが望ましい。

【００１４】密度が１．５ｇ／ｃｍ³以上のカーボン保
護膜は、摺動耐久性に優れるとともに膜質が密であるこ
とから腐食因子を遮蔽する効果にも優れている。したが
って、このようなカーボン保護膜を磁性層の上に設ける
と、摺動耐久性だけでなく磁気記録媒体の耐環境性も大
きく改善される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について説明する。

【００１６】本発明の磁気記録媒体は、図１に示すよう
に、非磁性支持体１上に磁性層２が形成され、この上に
カーボン保護膜３が形成されて構成される。

【００１７】上記非磁性支持体１の材質としては、例え
ば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリエチレン，ポリプロピレン等のポリオレフィン類、
セルローストリアセテート，セルロースダイアセテー
ト，セルロースブチレート等のセルロース誘導体、ポリ
塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポ
リカーボネート，ポリイミド，ポリアミド等の高分子材
料の他、アルミニウム合金，チタン合金等の軽金属、ア
ルミナガラス等のセラミック等が挙げられる。非磁性支
持体にアルミニウム合金板やガラス板等の剛性を有する
基板を使用した場合には、基板表面にアルマイト処理等
の酸化被膜やＮｉ−Ｐ被膜等を形成してその表面を硬く
するようにしてもよい。

【００１８】上記磁性層２は、例えば金属磁性材料を薄
膜形成技術によって非磁性支持体上に直接被着すること
で設けられる。

【００１９】金属磁性材料としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
などの強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ
−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−
Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられ
る。金属磁性薄膜は、これら金属磁性材料の単層膜であ
ってもよいし、層毎に組成あるいは成膜条件を変えた多
層膜であってもよい。さらには、非磁性支持体と金属磁
性薄膜の間に下地層を設けたり、多層膜の場合には各層
間に中間層を設けることで、付着力の向上、抗磁力の制
御等を行うようにしても良い。

【００２０】金属磁性薄膜を形成するための薄膜形成技
術としては、真空下で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性
支持体上に沈着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の
蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴン
を主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし生じたア
ルゴンイオンでターゲット表面の原子をただき出すスパ
ッタ法等、いわゆるＰＶＤ（物理的気相成長）技術が用
いられる。

【００２１】このような磁性層２上には、摺動耐久性を
付与するとともに外部の湿気等から磁性層２を保護する
ために、カーボン保護膜３が設けられる。そして、本発
明では、特にこのカーボン保護膜３の密度が１．５ｇ／
ｃｍ³以上に規制される。

【００２２】密度が１．５ｇ／ｃｍ³以上のカーボン保
護膜３は、膜質が密であることから腐食因子を遮蔽する
効果に優れており、摺動耐久性だけでなく磁気記録媒体
の耐環境性も大きく改善することができる。

【００２３】また、カーボン保護膜は、密度が１．５ｇ
／ｃｍ³以上であるとともにラマン分光分析における１
５５０ｃｍ^-1でのピーク強度Ｉｇと８００ｃｍ^-1でのピ
ーク強度Ｉｓの比Ｉｇ／Ｉｓが、４．５以上であるのが
望ましい。

【００２４】ここでカーボン保護膜で観測される、Ａｒ
⁺レーザー（波長５１４．５ｎｍ）でのラマン・スペク
トルの典型例を図２に示す。

【００２５】カーボン保護膜のラマン・スペクトルで
は、１５５０ｃｍ^-1と１４００ｃｍ^-1にピークが観測さ
れ、このうち１５５０ｃｍ^-1でのピークはｓｐ²軌道に
由来し、１４００ｃｍ^-1でのピークはｓｐ³軌道に由来
する。このうちｓｐ²軌道に由来する１５５０ｃｍ^-1で
のピーク強度Ｉｇはカーボン保護膜の膜密度と相関関係
があり、このピーク強度Ｉｇが大きい値のもの程膜の密
度が大きい傾向がある。

【００２６】そこで、本発明では１５５０ｃｍ^-1でのピ
ーク強度Ｉｇを、８００ｃｍ^-1でのピーク強度Ｉｓとの
比をとることで標準化した値Ｉｇ／Ｉｓを４．５以上に
規制する。Ｉｇ／Ｉｓが４．５以上のカーボン保護膜は
膜密度が大きく、磁気記録媒体の摺動耐久性、耐環境性
を改善することができる。

【００２７】そして、さらにカーボン保護膜は、ｓｐ³
軌道に由来する１４００ｃｍ^-1でのピーク面積強度Ｄと
ｓｐ²軌道の由来する１５５０ｃｍ^-1でのピーク面積強
度Ｇとの比Ｄ／Ｇが１〜２であることが望ましい。この
Ｄ／Ｇはカーボン保護膜の硬度を反映するものであり、
通常この値が小さいもの程硬質な膜であることを意味す
る。

【００２８】一方、例えばテープ状の磁気記録媒体の場
合、カーボン保護膜があまり硬質であると可撓性が得ら
れず、磁気ヘッドに対する当たりが悪くなり、電磁変換
特性が損なわれる。このようなヘッドに対する当たり不
良を防止するために、硬度を反映するＤ／Ｇは１以上で
あるのが好ましい。また、カーボン保護膜の強度の点で
はこのＤ／Ｇ強度は２以下であるのが望ましい。

【００２９】このようなカーボン保護膜３はスパッタリ
ング法やＣＶＤ（化学気相成長）法等によって成膜さ
れ、カーボン保護膜３の密度は成膜に際する成膜条件を
制御することによって上記範囲とすることができる。

【００３０】例えばプラズマによって反応ガスに分解、
合成等の化学反応を生じさせ、生じた反応物を被成膜面
に被着堆積させるプラズマＣＶＤ法では、プラズマ電極
に印加する直流電圧や反応ガスの種類によって膜密度が
制御される。

【００３１】この場合、１．５ｇ／ｃｍ³以上の膜密度
を得るためには、プラズマ電極に印加する印加電圧を
１．２ｋＶ以上とするのが望ましい。印加電圧をこのよ
うに高めに設定することによって反応ガスの分解が促進
され、膜密度が高くなる。

【００３２】また、カーボン保護膜を成膜するための反
応ガスとしては炭化水素系ガスが用いられるが、高い膜
密度のためにはこの炭化水素ガスとして二重結合や三重
結合といった不飽和結合を有さないもの、例えばエタ
ン、メタン等を用いるのが好ましい。さらに、炭化水素
系ガスに、Ｂ₂Ｈ₆のような水素を含むガスやＡｒガス等
を混合することによっても膜密度を高めることができ
る。この場合、化学反応を生じさせるための反応管を複
数用い、各反応管で炭化水素系ガスと他のガスの混合比
を変えるようにしても良い。

【００３３】このようなカーボン保護膜３の膜厚は５〜
２０ｎｍであるのが望ましい。密度が上記範囲とされた
カーボン保護膜３は比較的薄い膜厚範囲でも優れた保護
効果が得られるが、膜厚が５ｎｍよりも薄くなるとその
効果が十分に得られなくなり、耐環境性が不足する。ま
た、カーボン保護膜３の膜厚が２０ｎｍを超えると、磁
気ヘッドと磁性層の間のスペーシングが広くなり、電磁
変換特性が損なわれる。

【００３４】以上が本発明の基本的な構成であるが、こ
の磁気記録媒体には、この他、磁気記録媒体で一般に設
けられている付加的な構成をもたせるようにしてもよ
い。

【００３５】たとえは、非磁性支持体１の磁性層２が形
成されている側とは反対側の面に非磁性顔料と結合剤を
主体とするバックコート層を形成したり、カーボン保護
膜３の上にさらに潤滑剤等よりなるトップコート層を形
成することで走行性の改善を図るようにしてもよい。ま
た、非磁性支持体１表面に下塗層を設け、その表面性を
磁性層２やカーボン保護膜３表面に反映させることによ
って媒体自体の表面性を制御しても構わない。これらバ
ックコート層、トップコート層、下塗層の材料は、磁気
記録媒体において通常用いられているものがいずれも使
用可能である。

【００３６】磁気記録媒体の形状は、特に限定されずテ
ープ状であってもディスク状であっても構わない。特に
テープ状とされた場合には、カートリッジ内に収容され
るディスク状の媒体よりも外に露出する機会が多いこと
から湿気等の影響を受けやすい。したがって、本発明の
効果が顕著に発揮される。

【００３７】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。

【００３８】プラズマＣＶＤ装置の構成カーボン保護膜を成膜するために使用したプラズマＣＶ
Ｄ装置を図３に示す。

【００３９】このプラズマＣＶＤ装置は、頭部に設けら
れた真空排気系２０によって内部が高真空状態となされ
た真空室２１内に、図中の反時計回り方向に定速回転す
る送りロール２２と、図中の反時計回り方向に定速回転
する巻取りロール２３とが設けられ、これら送りロール
２２から巻取りロール２３に、金属磁性薄膜が形成され
た非磁性支持体２４が順次走行するようになされてい
る。

【００４０】これら送りロール２２から巻取りロール２
３側に上記非磁性支持体２４が走行する中途部には、上
記各ロール２２，２３の径よりも大径となされた支持ロ
ール２５が設けられている。この支持ロール２５は、非
磁性支持体２４の走行を案内するとともに後述のプラズ
マ電極２６，２７に対する対向電極としての機能も兼ね
る。この支持ロール２５は、上記非磁性支持体２４を図
中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向
に定速回転する構成とされる。尚、上記送りロール２
２，巻取りロール２３及び支持ロール２５は、それぞれ
非磁性支持体２４の幅と略同じ長さからなる円筒状をな
すものである。

【００４１】したがって、上記非磁性支持体２４は、送
りロール２２から順次送り出され、さらに上記支持ロー
ル２５の周面を通過し、巻取りロール２３に巻き取られ
ていくようになされている。なお、上記送りロール２２
と上記支持ロール２５との間及び該支持ロール２５と上
記巻取りロール２３との間にはそれぞれ回転支持体２８
が配設され、上記送りロール２２から支持ロール２５及
び該支持ロール２５から巻取りロール２３に亘って走行
する非磁性支持体２４に所定のテンションをかけ、該非
磁性支持体２４が円滑に走行するようになされている。

【００４２】また、上記真空室２１内には、上記支持ロ
ール２５の側方（図中右側）に第１の反応管が設けら
れ、また上記支持ロール９の下方に第２の反応管が設け
られている。これら第１の反応管２９と第２の反応管３
０はパイレックスガラス，プラスチック等よりなる中空
管として構成されている。

【００４３】このうち第１の反応管２９は、一方の端部
２９ａが真空室２１の側壁部を貫通しており、この端部
２９ａから反応ガスが当該反応管２９内に導入されるよ
うになっている。また、この第１の反応管２９内の中途
部には金メッシュ等よりなる第１のプラズマ電極２６が
取り付けられている。

【００４４】また、第２の反応管３０は、一方の端部３
０ａが真空室２１の底部を貫通しており、この端部３０
ａから反応ガスが当該反応管３０内に導入されるように
なっている。また、この第２の反応管３０内の中途部に
は金メッシュ等よりなる第２のプラズマ電極２７が取り
付けられている。

【００４５】これら第１の反応管２９と第２の反応管３
０では、第１のプラズマ電極２６と第２のプラズマ電極
２７にそれぞれ外部の直流電源３１，３２より＋５００
Ｖ〜＋２０００Ｖの電位が印加されるようになってお
り、これらプラズマ電極２６，２７と支持ロール２５と
の間にグロー放電が生じる。第１の反応管２９、第２の
反応管３０内に導入された反応ガスは、この生じたグロ
ー放電によって分解される。

【００４６】そして、連続走行している非磁性支持体２
４上に形成された金属薄膜表面には、まず第１の反応管
２９上を通過する際に第１の反応管２９内で生じた反応
ガスの分解物が被着堆積し、次いで第２の反応管３０上
を通過する際に第２の反応管３０内で生じた反応ガスの
分解物が被着堆積することによって保護膜が形成され
る。

【００４７】以下の実施例及び比較例では、このような
プラズマＣＶＤ装置によってカーボン保護膜を成膜し、
磁気記録媒体を作成した。

【００４８】実施例１厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、蒸着法によって、酸素ガスを導入しながらＣｏ−Ｏ
蒸着膜を磁性層として成膜した、蒸着条件は以下の通り
である。

【００４９】蒸着源：Ｃｏ₁₀₀ 蒸気流の入射角：４５〜９０゜導入ガス：酸素ガス蒸着時真空度：２×１０^-2Ｐａ磁性層の厚さ：２００ｎｍそして、このＣｏ蒸着膜表面に、上記プラズマＣＶＤ装
置を用いてカーボン保護膜を成膜することで磁気記録媒
体を作成した。ＣＶＤ条件を以下に示す。

【００５０】第１の反応管反応ガス：エチレンとＢ₂Ｈ₆の混合ガス（エチレン：Ｂ
₂Ｈ₆（流量比）＝１００：１）反応ガスの圧力：２０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．５ｋＶ第２の反応管反応ガス：エチレン反応ガスの圧力：２０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：２．０ｋＶカーボン保護膜の厚さ：１０ｎｍ実施例２カーボン保護膜を成膜するに際して、第２の反応管での
直流電圧を１．５ｋＶに変えたこと以外は実施例１と同
様にして磁気記録媒体を作成した。

【００５１】実施例３カーボン保護膜を成膜するに際して、第２の反応管での
直流電圧を１．２ｋＶに変えたこと以外は実施例１と同
様にして磁気記録媒体を作成した。

【００５２】実施例４カーボン保護膜を成膜するに際して、第１の反応管及び
第２の反応管でのＣＶＤ条件を以下のように変えたこと
以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作成した。

【００５３】第１の反応管反応ガス：エタンとＢ₂Ｈ₆の混合ガス（エタン：Ｂ₂Ｈ₆
（流量比）＝１００：１）反応ガスの圧力：２０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．２ｋＶ第２の反応管反応ガス：エタンとアルゴンの混合ガス（エタン：アル
ゴン（流量比）＝３：１）反応ガスの圧力：３０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．５ｋＶ実施例５カーボン保護膜を成膜するに際して、第１の反応管及び
第２の反応管でのＣＶＤ条件を以下のように変えたこと
以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作成した。

【００５４】第１の反応管反応ガス：エチレンとＢ₂Ｈ₆の混合ガス（エチレン：Ｂ
₂Ｈ₆（流量比）＝１００：１）反応ガスの圧力：２０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．２ｋＶ第２の反応管反応ガス：エチレンとアルゴンの混合ガス（エチレン：
アルゴン（流量比）＝５：１）反応ガスの圧力：２０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．５ｋＶ実施例６カーボン保護膜を成膜するに際して、第１の反応管及び
第２の反応管でのＣＶＤ条件を以下のように変えたこと
以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作成した。

【００５５】第１の反応管反応ガス：メタンとＢ₂Ｈ₆の混合ガス（メタン：Ｂ₂Ｈ₆
（流量比）＝１００：１）反応ガスの圧力：２０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．３ｋＶ第２の反応管反応ガス：メタン反応ガスの圧力：４０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．３ｋＶ比較例１カーボン保護膜を成膜するに際して、第２の反応管での
直流電圧を０．８ｋＶに変えたこと以外は実施例１と同
様にして磁気記録媒体を作成した。

【００５６】比較例２カーボン保護膜を成膜するに際して、第１の反応管及び
第２の反応管でのＣＶＤ条件を以下のように変えたこと
以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作成した。

【００５７】第１の反応管反応ガス：アセチレンとＢ₂Ｈ₆の混合ガス（エタン：Ｂ
₂Ｈ₆（流量比）＝１００：１）反応ガスの圧力：２０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．２ｋＶ第２の反応管反応ガス：アセチレン反応ガスの圧力：２０Ｐａプラズマ電極の直流電圧：１．２ｋＶ比較例３カーボン保護膜を成膜するに際して、第１の反応管を用
いず、第２の反応管のみで成膜を行ったこと以外は実施
例１と同様にして磁気記録媒体を作成した。なお、第２
の反応管でのＣＶＤ条件は実施例１の場合と同様であ
る。

【００５８】以上のようにして作成された磁気記録媒体
のカーボン保護膜の密度及びラマン分光分析で観測され
た１５５０ｃｍ^-1でのピーク強度Ｉｇと８００ｃｍ^-1で
のピーク強度Ｉｓの比Ｉｇ／Ｉｓを表１に示す。

【００５９】なお、密度は、シリコン基板上に、実施例
１〜実施例６及び比較例１〜比較例３で行ったのと同じ
条件でカーボン保護膜を成膜し、それぞれ（カーボン保
護膜の重量）／（カーボン保護膜の体積）を算出するこ
とで求めた。ここでカーボン保護膜の重量はカーボン保
護膜が成膜されたシリコン基板の重量からシリコン基板
単体の重量を差し引くことで求め、カーボン保護膜の体
積はカーボン保護膜が成膜された領域の面積とカーボン
保護膜の膜厚から算出した。

【００６０】ラマン分光分析での測定条件は以下の通り
である。

【００６１】装置：Ｇａ−５０５型光源：Ａｒ⁺レーザー（波長５１４．５ｎｍ）光源出力：１．０ｍＷ分光器：Ｄｉｌｏｒ−ＸＹスリット幅：２００μｍ検出器：ＣＣＤマルチチャンネル試料条件：室温、大気中レーザービーム径：数十μｍまた、作成された磁気記録媒体について、耐環境性試験
を行った。

【００６２】耐環境性試験は、温度３０℃相対湿度７０
％に維持された恒温槽内を０．５ｐｐｍのＳＯ₂ガス雰
囲気とし、この恒温槽内で磁気記録媒体を１０日間保存
したときの飽和磁化量の劣化を調べることで行った。飽
和磁化劣化量ΔＭｓの変化は次式によって求めた。

【００６３】 ΔＭｓ＝［（Ｍｓ₁−Ｍｓ₀）／Ｍｓ₀］×１００ ΔＭｓ：飽和磁化劣化量Ｍｓ₀：保存前飽和磁化量Ｍｓ₁：保存後飽和磁化量この耐環境性試験の測定結果をカーボン保護膜の密度及
びＩｇ／Ｉｓの値と併せて表１に示す。また、カーボン
保護膜の密度とＩｇ／Ｉｓの関係を図４に、カーボン保
護膜の密度と飽和磁化劣化量ΔＭｓの関係を図５に示
す。

【００６４】

【表１】

【００６５】まず、図４を見ると、カーボン保護膜の密
度とＩｇ／Ｉｓとは相関関係があり、密度が大きいもの
程Ｉｇ／Ｉｓが大きな値になっている。このことからＩ
ｇ／Ｉｓはカーボン保護膜の密度の指標となることがわ
かる。

【００６６】次に、表１及び図５を見ると、カーボン保
護膜の密度が高く、Ｉｇ／Ｉｓが大きい値のもの程、飽
和磁化が劣化し難いことがわかる。ここで、画音質に影
響を来さない飽和磁化の劣化分は１０％以下であり、劣
化分が１０％以下になるのはカーボン保護膜の密度が
１．５ｇ／ｃｍ³以上であり、またＩｇ／Ｉｓが４．５
以上の場合である。

【００６７】以上のことから磁性層上に形成するカーボ
ン保護膜の膜密度を１．５ｇ／ｃｍ³以上に規制し、さ
らにはＩｇ／Ｉｓを４．５以上に規制することによって
磁気記録媒体の耐環境性が改善されることがわかった。

【００６８】なお、以上の実施例及び比較例の磁気記録
媒体においてはカーボン保護膜のＤ／Ｇはいずれも１〜
２の範囲にあった。また、カーボン保護膜のＤ／Ｇが１
未満またはＤ／Ｇが２を超える磁気記録媒体について特
性の検討を行ったが、Ｄ／Ｇが１未満の場合には磁気ヘ
ッドに対する当たりが悪く、十分な電磁変換特性が得ら
れなかった。また、Ｄ／Ｇが２を超える場合には保護膜
の耐久性が低く、走行耐久性が不十分であった。

【００６９】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気記録媒体では磁性層上に密度が１．５ｇ／ｃｍ
³以上のカーボン保護膜が設けられるので、優れた摺動
耐久性が得られるとともに耐環境性にも優れている。し
たがって、摺動耐久性や耐環境性が厳しく要求され、い
わゆるデータストリーマーやビデオライブラリ等の用途
でも十分に対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の一例を示す概
略断面図である。

【図２】カーボン保護膜で観測されるラマン・スペクト
ルの典型例を示す特性図である。

【図３】カーボン保護膜を成膜するためのプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す模式図である。

【図４】カーボン保護膜の密度とＩｇ／Ｉｓの関係を示
す特性図である。

【図５】カーボン保護膜の密度と飽和磁化劣化量ΔＭｓ
の関係を示す特性図である。

【符号の説明】

１非磁性支持体、２磁性層、３カーボン保護膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上に、磁性層が形成され、
この上にカーボン保護膜が形成されてなり、上記カーボン保護膜の密度が、１．５ｇ／ｃｍ³以上で
あることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記カーボン保護膜のラマン分光分析に
おける１５５０ｃｍ^-1でのピーク強度Ｉｇと８００ｃｍ
^-1でのピーク強度Ｉｓの比Ｉｇ／Ｉｓが、４．５以上で
あることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。