JPH1192916A - 有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法 - Google Patents
有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法Info
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- JPH1192916A JPH1192916A JP25460797A JP25460797A JPH1192916A JP H1192916 A JPH1192916 A JP H1192916A JP 25460797 A JP25460797 A JP 25460797A JP 25460797 A JP25460797 A JP 25460797A JP H1192916 A JPH1192916 A JP H1192916A
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- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
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- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機基材の表面のプラズマ処理において、プ
ラズマ用電極の材料がスパッタリングされて有機基材に
付着するのを防止し、例えば、プラズマ処理の後で、真
空蒸着により金属層を形成した場合、有機基材と金属層
の密着性を向上させる。 【解決手段】 プラズマ用電極の放電面にＴｉ、Ｖ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのいずれか一種または
二種以上から成る金属、または、上記金属の酸化物ある
いは窒化物を設置する。
ラズマ用電極の材料がスパッタリングされて有機基材に
付着するのを防止し、例えば、プラズマ処理の後で、真
空蒸着により金属層を形成した場合、有機基材と金属層
の密着性を向上させる。 【解決手段】 プラズマ用電極の放電面にＴｉ、Ｖ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのいずれか一種または
二種以上から成る金属、または、上記金属の酸化物ある
いは窒化物を設置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機基材のプラズマ
処理方法及びこのプラズマ処理後に有機基材に真空蒸着
により金属層を形成する方法に関する。
処理方法及びこのプラズマ処理後に有機基材に真空蒸着
により金属層を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機基材に金属層を形成する方法とし
て、真空蒸着が従来から行われている。この真空蒸着に
おいては、通常、有機基材と金属層の密着性を向上させ
るために、有機基材の前処理として、減圧下でのグロー
放電によるプラズマ処理を行い、その後、真空蒸着によ
り金属層を形成している。
て、真空蒸着が従来から行われている。この真空蒸着に
おいては、通常、有機基材と金属層の密着性を向上させ
るために、有機基材の前処理として、減圧下でのグロー
放電によるプラズマ処理を行い、その後、真空蒸着によ
り金属層を形成している。
【０００３】通常、上記プラズマ処理においては、雰囲
気ガスとしてアルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素等のガ
スが用いられており、プラズマを発生させるための電極
としては、銅、アルミニウム、鉄、または、ステンレス
製の平板状、棒状、コイル状等の電極が用いられてい
る。
気ガスとしてアルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素等のガ
スが用いられており、プラズマを発生させるための電極
としては、銅、アルミニウム、鉄、または、ステンレス
製の平板状、棒状、コイル状等の電極が用いられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記プラズ
マ処理においては、プラズマ用電極を構成する材料の一
部がスパッタリングにより有機基材表面に付着し、金属
層の密着性が低下するという問題がある。しかも、この
問題は、プラズマ処理時間を短くするために、放電電力
を大きくした場合に特に顕著であり、プラズマ処理の効
率を向上させる妨げとなっている。
マ処理においては、プラズマ用電極を構成する材料の一
部がスパッタリングにより有機基材表面に付着し、金属
層の密着性が低下するという問題がある。しかも、この
問題は、プラズマ処理時間を短くするために、放電電力
を大きくした場合に特に顕著であり、プラズマ処理の効
率を向上させる妨げとなっている。
【０００５】本発明は、上記のような問題を克服するた
めになされたものであり、プラズマ処理の放電電力を大
きくしてもプラズマ用電極がスパッタリングされず、有
機基材表面が該電極材料のスパッタリングにより汚染さ
れない有機基材のプラズマ処理方法を提供することを第
一の目的とする。また、本発明は、有機基材と金属層間
の大きな密着力を得ることができる有機基材への金属層
形成方法を提供することを第二の目的とする。
めになされたものであり、プラズマ処理の放電電力を大
きくしてもプラズマ用電極がスパッタリングされず、有
機基材表面が該電極材料のスパッタリングにより汚染さ
れない有機基材のプラズマ処理方法を提供することを第
一の目的とする。また、本発明は、有機基材と金属層間
の大きな密着力を得ることができる有機基材への金属層
形成方法を提供することを第二の目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記第一の目的を達成す
るために、本発明の有機基材のプラズマ処理方法は、放
電面にＴｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｙ（イット
リウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍ
ｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタ
ル）のいずれか一種または二種以上から成る金属、また
は、上記金属の酸化物あるいは窒化物を設置した電極を
用いてプラズマ処理を行うことを特徴とする。
るために、本発明の有機基材のプラズマ処理方法は、放
電面にＴｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｙ（イット
リウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍ
ｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタ
ル）のいずれか一種または二種以上から成る金属、また
は、上記金属の酸化物あるいは窒化物を設置した電極を
用いてプラズマ処理を行うことを特徴とする。
【０００７】また、上記第二の目的を達成するために、
本発明の有機基材への金属層形成方法は、有機基材の表
面をプラズマ処理した後、真空蒸着にて有機基材の表面
に金属層を形成する方法において、プラズマ処理を放電
面にＴｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのいず
れか一種または二種以上から成る金属、または、上記金
属の酸化物あるいは窒化物を設置した電極を用いて行う
ことを特徴とする。
本発明の有機基材への金属層形成方法は、有機基材の表
面をプラズマ処理した後、真空蒸着にて有機基材の表面
に金属層を形成する方法において、プラズマ処理を放電
面にＴｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのいず
れか一種または二種以上から成る金属、または、上記金
属の酸化物あるいは窒化物を設置した電極を用いて行う
ことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の有機基材のプラズマ処理
方法において、有機基材としては、ポリイミドフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
エーテルサルフォン、ポリサルフォン等の高分子フィル
ム及びこれらの高分子フィルムと金属箔の積層体や、金
属箔上に有機重合体の被膜が部分的に形成されたもの等
が挙げられるが、特に、回路基材として良く用いられる
ポリイミドフィルムあるいは金属箔上に形成されたポリ
イミド被膜に対して、本発明の方法は好適に用いられ
る。
方法において、有機基材としては、ポリイミドフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
エーテルサルフォン、ポリサルフォン等の高分子フィル
ム及びこれらの高分子フィルムと金属箔の積層体や、金
属箔上に有機重合体の被膜が部分的に形成されたもの等
が挙げられるが、特に、回路基材として良く用いられる
ポリイミドフィルムあるいは金属箔上に形成されたポリ
イミド被膜に対して、本発明の方法は好適に用いられ
る。
【０００９】また、本発明を工業的に製造プロセスとし
て利用する場合は、上記有機基材は長尺有機基材である
ことが好ましい。また、枚葉型の有機基材の場合でも、
何らかの長尺基材の上に貼付することにより、長尺有機
基材と同様に処理することができる。
て利用する場合は、上記有機基材は長尺有機基材である
ことが好ましい。また、枚葉型の有機基材の場合でも、
何らかの長尺基材の上に貼付することにより、長尺有機
基材と同様に処理することができる。
【００１０】本発明の有機基材のプラズマ処理方法によ
る長尺有機基材の処理は、例えば、図２に示したような
装置で行うことができる。図２において、１は真空容
器、２は長尺有機基材で、この長尺有機基材は真空容器
１内に設けられた巻出軸（巻取軸）４より巻出され、案
内ロール６、７を経て電極ロール３上で、プラズマ処理
がなされ、再び案内ロール８、９を経由して巻取軸（巻
出軸）５に巻き取られる。１０は、プラズマ用電極、１
６はマッチング回路、１７は高周波電源である。
る長尺有機基材の処理は、例えば、図２に示したような
装置で行うことができる。図２において、１は真空容
器、２は長尺有機基材で、この長尺有機基材は真空容器
１内に設けられた巻出軸（巻取軸）４より巻出され、案
内ロール６、７を経て電極ロール３上で、プラズマ処理
がなされ、再び案内ロール８、９を経由して巻取軸（巻
出軸）５に巻き取られる。１０は、プラズマ用電極、１
６はマッチング回路、１７は高周波電源である。
【００１１】そして、本発明においては、プラズマ用電
極の放電面にＴｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔ
ａのいずれか一種または二種以上から成る金属、また
は、上記金属の酸化物あるいは窒化物が設置される。こ
れらの設置形態は、従来の電極（銅、アルミニウム、
鉄、ステンレス等から成る）の表面をこれらの材料でコ
ーティングしても良いし、これらの材料のインゴットを
放電面に装着するだけでも良く、例えば、上記図２に示
した装置においては、これらの材料のインゴット１３
が、プラズマ用電極１０の放電面に設置されている。
極の放電面にＴｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔ
ａのいずれか一種または二種以上から成る金属、また
は、上記金属の酸化物あるいは窒化物が設置される。こ
れらの設置形態は、従来の電極（銅、アルミニウム、
鉄、ステンレス等から成る）の表面をこれらの材料でコ
ーティングしても良いし、これらの材料のインゴットを
放電面に装着するだけでも良く、例えば、上記図２に示
した装置においては、これらの材料のインゴット１３
が、プラズマ用電極１０の放電面に設置されている。
【００１２】本発明において、プラズマ処理の雰囲気ガ
スとしてはアルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等
の不活性ガスや窒素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、
アンモニアやこれらの混合ガスが用いられ、また、圧力
は、通常１０-1〜１０Ｐａ、好ましくは、２×１０-1〜
６Ｐａに設定される。
スとしてはアルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等
の不活性ガスや窒素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、
アンモニアやこれらの混合ガスが用いられ、また、圧力
は、通常１０-1〜１０Ｐａ、好ましくは、２×１０-1〜
６Ｐａに設定される。
【００１３】上記金属、または、上記金属の酸化物ある
いは窒化物は上記雰囲気ガスに対して非常にスパッタリ
ングされにくいので、プラズマ処理により、電極の材料
が有機基材に付着することがなく、例えば、プラズマ処
理の後で、真空蒸着により金属層を形成した場合、有機
基材と金属層の密着性が非常に良好となる。
いは窒化物は上記雰囲気ガスに対して非常にスパッタリ
ングされにくいので、プラズマ処理により、電極の材料
が有機基材に付着することがなく、例えば、プラズマ処
理の後で、真空蒸着により金属層を形成した場合、有機
基材と金属層の密着性が非常に良好となる。
【００１４】しかも、放電電力を大きくしても、上記金
属、または、上記金属の酸化物あるいは窒化物は上記雰
囲気ガスに対して非常にスパッタリングされにくいの
で、プラズマ処理時間を従来よりも短くし、処理効率を
あげることができる。
属、または、上記金属の酸化物あるいは窒化物は上記雰
囲気ガスに対して非常にスパッタリングされにくいの
で、プラズマ処理時間を従来よりも短くし、処理効率を
あげることができる。
【００１５】本発明において、プラズマ用電極の形状
は、平板状、棒状、コイル状等のいずれでもよいが、特
に、平板状が、放電面に上記材料のインゴットを装着す
るのが容易であるため、好ましい。また、前記図２に示
したような装置を用いて、長尺有機基材をプラズマ処理
する場合は、プラズマ用電極は平板状のものが好ましく
用いられる。なぜなら、長尺基材の幅方向のプラズマの
均一性が得られやすいからであり、なかでも、プレーナ
ーマグネトロン型のカソード電極を用いることにより、
イオンやラジカル密度を高めることができ、プラズマ処
理効率が向上する。
は、平板状、棒状、コイル状等のいずれでもよいが、特
に、平板状が、放電面に上記材料のインゴットを装着す
るのが容易であるため、好ましい。また、前記図２に示
したような装置を用いて、長尺有機基材をプラズマ処理
する場合は、プラズマ用電極は平板状のものが好ましく
用いられる。なぜなら、長尺基材の幅方向のプラズマの
均一性が得られやすいからであり、なかでも、プレーナ
ーマグネトロン型のカソード電極を用いることにより、
イオンやラジカル密度を高めることができ、プラズマ処
理効率が向上する。
【００１６】以上のような本発明の有機基材のプラズマ
処理方法は、本発明の有機基材への金属層形成方法にお
いて、有機基材表面に金属層を真空蒸着する前に行う、
有機基材の前処理に利用できる。
処理方法は、本発明の有機基材への金属層形成方法にお
いて、有機基材表面に金属層を真空蒸着する前に行う、
有機基材の前処理に利用できる。
【００１７】本発明においては、上記プラズマ処理をし
た後、好ましくは、処理直後に真空蒸着を行うのが一般
的である。この真空蒸着とは、主に、スパッタリングを
意味するものであり、通常の直流及び高周波スパッタリ
ングでも良いが、マグネトロン型のスパッタリングが、
蒸着速度を速くできるので、特に好ましい。
た後、好ましくは、処理直後に真空蒸着を行うのが一般
的である。この真空蒸着とは、主に、スパッタリングを
意味するものであり、通常の直流及び高周波スパッタリ
ングでも良いが、マグネトロン型のスパッタリングが、
蒸着速度を速くできるので、特に好ましい。
【００１８】真空蒸着における雰囲気ガスとしては、ア
ルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等の不活性ガス
が好ましく用いられるが、中でも、工業的には、アルゴ
ンが特に好ましい。また、圧力は、通常、１０-1〜１．
３Ｐａ、好ましくは、１．５×１０-1〜８×１０-1Ｐａ
に設定される。
ルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等の不活性ガス
が好ましく用いられるが、中でも、工業的には、アルゴ
ンが特に好ましい。また、圧力は、通常、１０-1〜１．
３Ｐａ、好ましくは、１．５×１０-1〜８×１０-1Ｐａ
に設定される。
【００１９】本発明において、真空蒸着により形成され
る金属層は銅、クロム、ニッケル、銀、金、チタン、
錫、インジウム等から成り、金属層の厚みは、通常４〜
５００ｎｍである。 また、金属層の上に、さらに別種
の金属を真空蒸着をすることにより、２種類以上の金属
層を積層することもできる。有機基材により密着性の高
い金属層を有機基材側に形成することで、密着性向上を
図ることができる。
る金属層は銅、クロム、ニッケル、銀、金、チタン、
錫、インジウム等から成り、金属層の厚みは、通常４〜
５００ｎｍである。 また、金属層の上に、さらに別種
の金属を真空蒸着をすることにより、２種類以上の金属
層を積層することもできる。有機基材により密着性の高
い金属層を有機基材側に形成することで、密着性向上を
図ることができる。
【００２０】長尺有機基材への金属層の形成は、具体的
には、例えば図１に示したような装置を用いて行うこと
ができる。図１において、１は真空容器、２は長尺有機
基材で、この長尺有機基材は真空容器１内に設けられた
巻出軸（巻取軸）４より巻出され、案内ロール６、７を
経て電極ロール３上で、プラズマ処理あるいは金属層の
形成がなされ、再び案内ロール８、９を経由して巻取軸
（巻出軸）５に巻き取られる。１７はプラズマ処理用の
高周波電源、１６はマッチング回路、１８及び１９はス
パッタ蒸着用の直流電源である。（スパッタ蒸着とは真
空蒸着に含まれるものである。）１０は、プラズマ用電
極であり、その放電面には前記特定の金属またはそれら
の金属の酸化物または窒化物のインゴットが設置されて
いる。１１及び１２はいずれもスパッタ蒸着用電極であ
り、それぞれの放電面には金属のインゴット１４、１５
が設置されている。なお、スパッタ蒸着用電極は、１つ
だけでも良いし、３つ以上でも良いが、通常、真空容器
１のスペースを考慮して、１つまたは２つ設置される。
には、例えば図１に示したような装置を用いて行うこと
ができる。図１において、１は真空容器、２は長尺有機
基材で、この長尺有機基材は真空容器１内に設けられた
巻出軸（巻取軸）４より巻出され、案内ロール６、７を
経て電極ロール３上で、プラズマ処理あるいは金属層の
形成がなされ、再び案内ロール８、９を経由して巻取軸
（巻出軸）５に巻き取られる。１７はプラズマ処理用の
高周波電源、１６はマッチング回路、１８及び１９はス
パッタ蒸着用の直流電源である。（スパッタ蒸着とは真
空蒸着に含まれるものである。）１０は、プラズマ用電
極であり、その放電面には前記特定の金属またはそれら
の金属の酸化物または窒化物のインゴットが設置されて
いる。１１及び１２はいずれもスパッタ蒸着用電極であ
り、それぞれの放電面には金属のインゴット１４、１５
が設置されている。なお、スパッタ蒸着用電極は、１つ
だけでも良いし、３つ以上でも良いが、通常、真空容器
１のスペースを考慮して、１つまたは２つ設置される。
【００２１】また、プラズマ用電極も、長尺有機基材が
プラズマ処理される領域を長くするために、複数個設置
しても良いが、通常、装置内にスペースがないため、１
つだけ設置される。その点、本発明の方法は、前述のよ
うに、放電電力を大きくしてプラズマ処理の効率をあげ
ることができるのでプラズマ用電極は１つだけで十分で
あり、例えば、図１に示したような１つの真空容器のス
ペース内にプラズマ用電極及びスパッタ蒸着用電極を設
置した１つの装置で、プラズマ処理とスパッタ蒸着の両
方を行うことができるので経済的に有利である。
プラズマ処理される領域を長くするために、複数個設置
しても良いが、通常、装置内にスペースがないため、１
つだけ設置される。その点、本発明の方法は、前述のよ
うに、放電電力を大きくしてプラズマ処理の効率をあげ
ることができるのでプラズマ用電極は１つだけで十分で
あり、例えば、図１に示したような１つの真空容器のス
ペース内にプラズマ用電極及びスパッタ蒸着用電極を設
置した１つの装置で、プラズマ処理とスパッタ蒸着の両
方を行うことができるので経済的に有利である。
【００２２】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００２３】
（実施例１〜１１）図１に示した装置を用いて、長尺有
機基材としてのポリイミドフィルム（東レ・デュポン
（株）製カプトンＨ）に、プラズマ処理による前処理及
びスパッタ蒸着による金属層の形成を行った。
機基材としてのポリイミドフィルム（東レ・デュポン
（株）製カプトンＨ）に、プラズマ処理による前処理及
びスパッタ蒸着による金属層の形成を行った。
【００２４】以下、実施例１〜１１に係る図１の装置に
関して説明する。プラズマ用電極１０およびスパッタ蒸
着用電極１１、１２は、いずれも、プレーナーマグネト
ロンスパッタ電極である。プラズマ用電極１０の放電面
には、実施例１〜１１において、それぞれ、表１に示し
た金属、金属の酸化物、または金属の窒化物のインゴッ
ト１３（５インチ×１５インチ）が装着してある。ま
た、スパッタ蒸着用電極１１、１２には、それぞれ、ク
ロムのインゴット１４（５インチ×１５インチ）及び銅
のインゴット１５（５インチ×１５インチ）が、スパッ
タリングのターゲットとして装着されている。ポリイミ
ドフィルムの原反（幅：３５０ｍｍ）を巻取軸（巻出
軸）５に装着した後、真空ポンプ（図示していない）に
て、１×１０-3Ｐａまで排気し、その後、窒素ガスを導
入し、圧力を４×１０-1Ｐａに保った。そして、プラズ
マ用電極１０に１３．５６Ｍｈｚの高周波電圧（放電電
力は０．８Ｗ／ｃｍ2 ）を印加して放電させ、ポリイミ
ドフィルムを巻出軸（巻取軸）４で巻取りながら１ｍ／
ｍｉｎで走行させてプラズマ処理を行った。
関して説明する。プラズマ用電極１０およびスパッタ蒸
着用電極１１、１２は、いずれも、プレーナーマグネト
ロンスパッタ電極である。プラズマ用電極１０の放電面
には、実施例１〜１１において、それぞれ、表１に示し
た金属、金属の酸化物、または金属の窒化物のインゴッ
ト１３（５インチ×１５インチ）が装着してある。ま
た、スパッタ蒸着用電極１１、１２には、それぞれ、ク
ロムのインゴット１４（５インチ×１５インチ）及び銅
のインゴット１５（５インチ×１５インチ）が、スパッ
タリングのターゲットとして装着されている。ポリイミ
ドフィルムの原反（幅：３５０ｍｍ）を巻取軸（巻出
軸）５に装着した後、真空ポンプ（図示していない）に
て、１×１０-3Ｐａまで排気し、その後、窒素ガスを導
入し、圧力を４×１０-1Ｐａに保った。そして、プラズ
マ用電極１０に１３．５６Ｍｈｚの高周波電圧（放電電
力は０．８Ｗ／ｃｍ2 ）を印加して放電させ、ポリイミ
ドフィルムを巻出軸（巻取軸）４で巻取りながら１ｍ／
ｍｉｎで走行させてプラズマ処理を行った。
【００２５】その後、窒素ガスに代えてアルゴンガスを
導入し、同じく圧力を４×１０-1Ｐａに保った。そし
て、スパッタ蒸着用電極１１、１２にそれぞれ１．３ｋ
Ｗと３ｋＷの直流電力を印加して放電させ、ポリイミド
フィルムを、プラズマ処理の時とは逆に、巻出軸（巻取
軸）４から巻出して、巻取軸（巻出軸）５で巻取りなが
ら１ｍ／ｍｉｎで走行させて、真空蒸着を行った。
導入し、同じく圧力を４×１０-1Ｐａに保った。そし
て、スパッタ蒸着用電極１１、１２にそれぞれ１．３ｋ
Ｗと３ｋＷの直流電力を印加して放電させ、ポリイミド
フィルムを、プラズマ処理の時とは逆に、巻出軸（巻取
軸）４から巻出して、巻取軸（巻出軸）５で巻取りなが
ら１ｍ／ｍｉｎで走行させて、真空蒸着を行った。
【００２６】形成した金属層の厚みは、実施例１〜１１
はいずれも、クロム層の厚みが２０ｎｍで、その上に積
層した銅層の厚みが７０ｎｍであった。
はいずれも、クロム層の厚みが２０ｎｍで、その上に積
層した銅層の厚みが７０ｎｍであった。
【００２７】上記のようにしてポリイミドフィルムに形
成した金属層の上に、さらに、別工程で、電気メッキに
て銅を２０μm まで形成し、金属層（クロム層）のポリ
イミドフィルムに対する密着力を９０°ピール剥離試験
により測定した。測定サンプルの形状は２ｍｍ×１００
ｍｍとし、測定サンプルの切り出し位置は、図３に示し
たように、原反幅の中心及び両端から５０ｍｍの位置の
計３点として、３点の測定値の平均値を密着力とした。
その結果を表１に示した。
成した金属層の上に、さらに、別工程で、電気メッキに
て銅を２０μm まで形成し、金属層（クロム層）のポリ
イミドフィルムに対する密着力を９０°ピール剥離試験
により測定した。測定サンプルの形状は２ｍｍ×１００
ｍｍとし、測定サンプルの切り出し位置は、図３に示し
たように、原反幅の中心及び両端から５０ｍｍの位置の
計３点として、３点の測定値の平均値を密着力とした。
その結果を表１に示した。
【００２８】（比較例１）実施例１において、プラズマ
用電極１０の放電面にステンレスのインゴットを装着し
た以外は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルム上
にクロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
用電極１０の放電面にステンレスのインゴットを装着し
た以外は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルム上
にクロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
【００２９】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は４５０ｇ／ｃｍであり、実施例
１〜１１に比較して小さかった。
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は４５０ｇ／ｃｍであり、実施例
１〜１１に比較して小さかった。
【００３０】（実施例１２）まず、有機基材として、長
尺ステンレス箔上にポリイミド被膜を形成したものを、
以下のようにして作製した。
尺ステンレス箔上にポリイミド被膜を形成したものを、
以下のようにして作製した。
【００３１】ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
４，４−ジアミノジフェニルエーテルを重縮合して得ら
れたポリアミド酸の被膜を長尺ステンレス箔上に形成し
た後、加熱によりイミド化して、ポリイミド被膜を得
た。
４，４−ジアミノジフェニルエーテルを重縮合して得ら
れたポリアミド酸の被膜を長尺ステンレス箔上に形成し
た後、加熱によりイミド化して、ポリイミド被膜を得
た。
【００３２】次に、上記有機基材上に、プラズマ用電極
１０の放電面にＺｒＯ2 のインゴット（５インチ×１５
インチ）を装着した以外は、実施例１と同様の方法でク
ロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
１０の放電面にＺｒＯ2 のインゴット（５インチ×１５
インチ）を装着した以外は、実施例１と同様の方法でク
ロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
【００３３】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は１５００ｇ／ｃｍであった。
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は１５００ｇ／ｃｍであった。
【００３４】（比較例２）実施例１２において、プラズ
マ用電極１０の放電面にＡｌ（アルミニウム）のインゴ
ットを装着した以外は、実施例１２と同様にして有機基
材上にクロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
マ用電極１０の放電面にＡｌ（アルミニウム）のインゴ
ットを装着した以外は、実施例１２と同様にして有機基
材上にクロム層及び銅層から成る金属層を形成した。
【００３５】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は４００ｇ／ｃｍであり、実施例
１２に比較して小さかった。
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は４００ｇ／ｃｍであり、実施例
１２に比較して小さかった。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【発明の効果】本発明の有機基材のプラズマ処理方法
は、プラズマ用電極の放電面にＴｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのいずれか一種または二種以上から
成る金属、または、上記金属の酸化物あるいは窒化物を
設置しているため、該電極の材料がスパッタリングされ
て有機基材に付着することがなく、例えば、プラズマ処
理の後で、真空蒸着により金属層を形成した場合、有機
基材と金属層の密着性が非常に良好となる。そして、放
電電力を大きくしても、該電極の材料がスパッタリング
されることがないので処理時間を短くし、処置効率をあ
げることができる。
は、プラズマ用電極の放電面にＴｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａのいずれか一種または二種以上から
成る金属、または、上記金属の酸化物あるいは窒化物を
設置しているため、該電極の材料がスパッタリングされ
て有機基材に付着することがなく、例えば、プラズマ処
理の後で、真空蒸着により金属層を形成した場合、有機
基材と金属層の密着性が非常に良好となる。そして、放
電電力を大きくしても、該電極の材料がスパッタリング
されることがないので処理時間を短くし、処置効率をあ
げることができる。
【００３８】したがって、プラズマ用電極が１つだけで
も、プラズマ処理を十分効率良く行うことができるの
で、例えば、図１に示したような１つの真空容器のスペ
ース内にプラズマ用電極及びスパッタ蒸着用電極を設置
した１つの装置で、プラズマ処理とスパッタ蒸着の両方
を行うことができるので経済的に有利である。
も、プラズマ処理を十分効率良く行うことができるの
で、例えば、図１に示したような１つの真空容器のスペ
ース内にプラズマ用電極及びスパッタ蒸着用電極を設置
した１つの装置で、プラズマ処理とスパッタ蒸着の両方
を行うことができるので経済的に有利である。
【００３９】本発明の有機基材への金属層の形成方法
は、有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処
理した後、真空蒸着にて有機基材の表面に金属層を形成
する方法において、該プラズマ処理を上記本発明の有機
基材のプラズマ処理方法により行うので、有機基材と金
属層の密着性が非常に良好となる。
は、有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処
理した後、真空蒸着にて有機基材の表面に金属層を形成
する方法において、該プラズマ処理を上記本発明の有機
基材のプラズマ処理方法により行うので、有機基材と金
属層の密着性が非常に良好となる。
【００４０】なお、このような方法で作製される有機基
材と金属層の積層体は、液晶ディスプレイの透明電極、
透明タッチパネル、電磁波シールド、あるいは、回路基
板等として利用することができる。
材と金属層の積層体は、液晶ディスプレイの透明電極、
透明タッチパネル、電磁波シールド、あるいは、回路基
板等として利用することができる。
【図１】プラズマ処理及びスパッタ蒸着を行う装置を示
した概略図である。
した概略図である。
【図２】プラズマ処理を行う装置を示した概略図であ
る。
る。
【図３】ピール剥離試験の測定サンプルのサンプリング
位置を示す図である。
位置を示す図である。
２ 長尺有機基材 １０ プラズマ用電極 １１、１２ スパッタ蒸着用電極 １３ 特定の金属、または、それら金属の酸化物または
窒化物のインゴット １４ クロムのインゴット １５ 銅のインゴット
窒化物のインゴット １４ クロムのインゴット １５ 銅のインゴット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｊ 7/00 ３０６ Ｃ０８Ｊ 7/00 ３０６ 7/06 ＣＦＧ 7/06 ＣＦＧＺ Ｃ２３Ｃ 14/02 Ｃ２３Ｃ 14/02 Ａ 14/06 14/06 Ａ 14/08 14/08 Ｅ Ｆ Ｇ 14/14 14/14 Ｄ 14/24 14/24 Ｈ // Ｂ２９Ｋ 79:00 Ｂ２９Ｌ 7:00
Claims (4)
- 【請求項１】 放電面にＴｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｔａのいずれか一種または二種以上から成る金
属、または、上記金属の酸化物あるいは窒化物を設置し
た電極を用いることを特徴とする有機基材のプラズマ処
理方法。 - 【請求項２】 電極がプレーナーマグネトロンスパッタ
蒸着用カソード電極であることを特徴とする請求項１に
記載の有機基材のプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 有機基材の表面をプラズマ処理した後、
真空蒸着にて有機基材の表面に金属層を形成する方法に
おいて、放電面にＴｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔａのいずれか一種または二種以上から成る金属、
または、上記金属の酸化物あるいは窒化物を設置した電
極を用いてプラズマ処理を行うことを特徴とする有機基
材への金属層形成方法。 - 【請求項４】 電極がプレーナーマグネトロンスパッタ
蒸着用カソード電極であることを特徴とする請求項２に
記載の有機基材への金属層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25460797A JP3331308B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25460797A JP3331308B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192916A true JPH1192916A (ja) | 1999-04-06 |
| JP3331308B2 JP3331308B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=17267391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25460797A Expired - Lifetime JP3331308B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 有機基材のプラズマ処理方法及び有機基材への金属層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3331308B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100757736B1 (ko) | 2005-12-02 | 2007-09-12 | 한국전기연구원 | 플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 ｆｃｃｌ 제조장치 |
| JP2011119599A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
| CN114686805A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 洛克技研工业株式会社 | 树脂片材表面处理方法及树脂片材表面处理装置 |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP25460797A patent/JP3331308B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100757736B1 (ko) | 2005-12-02 | 2007-09-12 | 한국전기연구원 | 플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 ｆｃｃｌ 제조장치 |
| JP2011119599A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
| CN114686805A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 洛克技研工业株式会社 | 树脂片材表面处理方法及树脂片材表面处理装置 |
| KR20220094106A (ko) * | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 록 기켄 고교 가부시키가이샤 | 수지 시트 표면 처리 방법 및 수지 시트 표면 처리 장치 |
| JP2022103918A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | ロック技研工業株式会社 | 樹脂シート表面処理方法及び樹脂シート表面処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3331308B2 (ja) | 2002-10-07 |
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