JPH1192744A - 接着フィルム - Google Patents
接着フィルムInfo
- Publication number
- JPH1192744A JPH1192744A JP25293497A JP25293497A JPH1192744A JP H1192744 A JPH1192744 A JP H1192744A JP 25293497 A JP25293497 A JP 25293497A JP 25293497 A JP25293497 A JP 25293497A JP H1192744 A JPH1192744 A JP H1192744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- dianhydride
- adhesive film
- formula
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
ルムで、特に銅リードフレームに好適に使用できる接着
フィルムを提供する。 【解決手段】シロキサン系ジアミンH2N-(CH2)3-
Si(CH3)2-〔O-Si(CH3)2〕10-(CH2)3-
NH20.05モル及び2,2−ビス(4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル)プロパン0.05モルとデカ
メチレンビストリメリテート二無水物0.1モルを反応
後、無水酢酸及びピリジンを加える。反応液を水中に注
ぎ、沈澱したポリマーを濾過により採取する。これに、
熱硬化性樹脂、フィラー、溶媒を加えてワニスとした
後、ベースフィルム上に塗布し、加熱する。室温でベー
スフィルムを剥がし接着フィルムを得る。
Description
半導体素子とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持
部材の接合材料、すなわちダイボンディング用材料とし
て用いられる接着フィルムに関する。
接合にはAu−Si共晶合金、半田あるいは銀ペースト
等が用いられている。Au−Si共晶合金は、耐熱性及
び耐湿性は高いが、弾性率が大きいため大型チップへ適
用した場合に割れやすいほか、高価である難点がある。
半田は安価であるものの、耐熱性が劣り、更に弾性率は
Au−Si共晶合金と同様に高く、大型チップへ適用が
困難である。いっぽう、銀ペーストは安価で、耐湿性が
高く、弾性率も上記3者の中では最も低く、350℃の
熱圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性も有するの
で、現在ハICやLSIとリードフレームの接着用材料
の主流である。しかし、近年ICやLSIの高集積化が
進み、それに伴ってチップが大型化しているなかで、I
CやLSIとリードフレームを銀ペーストで接合しよう
とする場合、銀ペーストをチップ全面に広げ塗布するに
は困難を伴う。
チャリング アンド テスティング(MICROELECTRONIC M
ANUFACTURING AND TESTING 1985年10月)に、導電
性フィラーを熱可塑性樹脂に充填したダイボンド用の接
着フィルムが報告された。これは熱可塑性樹脂の融点付
近まで温度を上げ、加圧接着するものである。
ミド樹脂を用いた接着フィルム、及びこれに導電性フィ
ラーもしくは無機フィラーを含有するダイボンド用接着
フィルムを提案した(特開平6−145639号、特開
平7−228697号他)。
ロニック マニュファクチャリング アンド テスティ
ングで報告された接着フィルムは、融点の低い熱可塑性
樹脂を選んで用いると接着温度を低くすることができ、
リードフレームの酸化等、チップに与えるダメージは少
なくてすむが、熱時接着力が低いのでダイボンド後の熱
処理(例えばワイヤボンド、封止工程等)に耐えられな
い。熱処理に耐えられる融点の高い熱可塑性樹脂を用い
ると、接着温度が高くなり、リードフレームが酸化等の
ダメージを受けやすい。
比較的低温で接着でき、かつ良好な熱時接着力をもって
いるのでダイボンド用として42アロイリードフレームに
好適に使用できる。しかしながら、近年使われ始めてい
る銅リードフレームは酸化を受けやすく、そこで、酸化
によるダメージを避けるために上記接着フィルムよりも
更に低い温度で接着できる接着フィルムが望まれてい
る。また、熱伝導性の低い絶縁性支持基板は熱膨張率が
大きいため加熱接合時に反りやすく、吸水性も高いので
その水分を接着フィルムが吸収すると半導体パッケージ
の熱時信頼性が損なわれる。そこで、この場合には低温
接着性に加え低吸湿性も望まれている。本発明は、ダイ
ボンド用として42アロイリードフレームに用いられるば
かりでなく、銅リードフレームにも好適に使用でき、更
に絶縁性支持基板にも好適に使用できる低応力・低温接
着性、かつ低吸湿性の接着フィルムを提供することを目
的としている。
ラカルボン酸二無水物が全テトラカルボン酸二無水物の
30モル%以上を含むテトラカルボン酸二無水物、と式
(II)
ルキレン基、又はフェニレン基を示し、Q3、Q4、Q5
及びQ6はそれぞれ独立に炭素数1〜5のアルキル基、
フェニル基又はフェノキシ基を示し、pは1〜50の整
数である。)で表されるシロキサン系ジアミンが全ジア
ミンの3モル%以上を含むジアミンを反応させて得られ
るポリイミド樹脂を含有してなる接着フィルム、であ
る。なお、Q1及びQ2のうちの炭素数1〜5のアルキレ
ン基としては、例えば、メチレン、エチレン、トリメチ
レン、テトラメチレン、ペンタメチレン等があり、
Q3、Q4、Q5及びQ6のうちの炭素数1〜5のアルキル
基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル等がある。
(A)100重量部に対して、更に(B)熱硬化性樹
脂:0〜200重量部、及び(C)フィラー:0〜80
00重量部を含有させて接着フィルムとすることもでき
る。
イミド樹脂の製造原料の一つである、式(I)のテトラ
カルボン酸二無水物としては、nが2〜5のとき、1,
2−(エチレン)ビス(トリメリテート二無水物)、
1,3−(トリメチレン)ビス(トリメリテート二無水
物)、1,4−(テトラメチレン)ビス(トリメリテー
ト二無水物)、1,5−(ペンタメチレン)ビス(トリ
メリテート二無水物)、nが6〜20のとき、1,6−
(ヘキサメチレン)ビス(トリメリテート二無水物)、
1,7−(ヘプタメチレン)ビス(トリメリテート二無
水物)、1,8−(オクタメチレン)ビス(トリメリテ
ート二無水物)、1,9−(ノナメチレン)ビス(トリ
メリテート二無水物)、1,10−(デカメチレン)ビ
ス(トリメリテート二無水物)、1,12−(ドデカメ
チレン)ビス(トリメリテート二無水物)、1,16−
(ヘキサデカメチレン)ビストリメリテート二無水物、
1,18−(オクタデカメチレン)ビス(トリメリテー
ト二無水物)、等があり、これら2種以上を併用しても
よい。
リメリット酸モノクロライド及び対応するジオールから
合成することができる。また、全テトラカルボン酸二無
水物に対して上記テトラカルボン酸二無水物の含まれる
量は、30モル%以上、好ましくは50モル%以上、更
に好ましくは70モル%以上である。30モル%未満で
あると、接着フィルムの接着時の温度が高くなり好まし
くない。
に使用できるテトラカルボン酸二無水物としては、例え
ば、ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ジ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,
3′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−
ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水
物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プ
ロパン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシ
フェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジ
カルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−
ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,
4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水
物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無
水物、3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、2,3,2′,3−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,
5−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、1,4,
5,8−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、
5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロル
ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水
物、2,3,6,7−テトラクロルナフタレン−1,
4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレ
ン−1,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピ
ラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、
チオフエン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水
物、2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,3,2′,3′−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン
二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、1,3−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−
テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p−フェニレ
ンビス(トリメリテート無水物)、
2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒ
ドロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二
無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−
ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テ
トラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5
−テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス(エキソ−ビシ
クロ〔2,2,1〕ヘプタン−2,3−ジカルボン酸二
無水物)スルホン、ビシクロ−(2,2,2)−オクト
(7)−エン2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水
物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス〔4−
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン二無水物、4,4′−ビス(3,4−
ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフイド二無水
物、1,4−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソ
プロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸二無水物)、
1,3−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロ
ピル)ベンゼンビス(トリメリット酸二無水物)、5−
(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル
−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸二無水
物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカル
ボン酸二無水物等があり、2種類以上を混合して用いて
もよい。
脂の他の製造原料の一つの式(II)のシロキサン系ジア
ミンとしては、pが1のとき、1,1,3,3−テトラ
メチル−1,3−ビス(4−アミノフェニル)ジシロキ
サン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ビ
ス(4−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3
−テトラフェニル−1,3−ビス(2−アミノエチル)
ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,
3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,
1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(2−アミノ
エチル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル
−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、
1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−ア
ミノブチル)ジシロキサン、1,3−ジメチル−1,3
−ジメトキシ−1,3−ビス(4−アミノブチル)ジシ
ロキサン、等があり、
ヘキサメチル−1,5−ビス(4−アミノフェニル)ト
リシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,
3−ジメチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)ト
リシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,
3−ジメトキシ−1,5−ビス(4−アミノブチル)ト
リシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,
3−ジメトキシ−1,5−ビス(5−アミノペンチル)
トリシロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,
3−ジメトキシ−1,5−ビス(2−アミノエチル)ト
リシロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,3
−ジメトキシ−1,5−ビス(4−アミノブチル)トリ
シロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,3−
ジメトキシ−1,5−ビス(5−アミノペンチル)トリ
シロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−
1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、
1,1,3,3,5,5−ヘキサエチル−1,5−ビス
(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,
3,5,5−ヘキサプロピル−1,5−ビス(3−アミ
ノプロピル)トリシロキサン、等があり、
I)のシロキサン系ジアミンは、全ジアミンに対して3
モル%以上、好ましくは5モル%以上、更に好ましくは
10モル%以上が含まれるジアミンとする。3モル%未
満では、低応力、低温接着性、低吸湿性の特性を発揮で
きない。
に、他のジアミンを併用することができる。併用できる
他のジアミンとしては、1,2−ジアミノエタン、1,
3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,
5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、
1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタ
ン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカ
ン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミ
ノドデカン等の脂肪族ジアミン、o−フェニレンジアミ
ン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミ
ン、3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′
−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルメタ
ン、3,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジアミノジフェ
ニルジフルオロメタン、3,4′−ジアミノジフェニル
ジフルオロメタン、4,4′−ジアミノジフェニルジフ
ルオロメタン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,4′−ジアミノジフェニルスルホン、4,4′
−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノジ
フェニルスルフイド、3,4′−ジアミノジフェニルス
ルフイド、4,4′−ジアミノジフェニルスルフイド、
3,4′−ジアミノジフェニルケトン、4,4′−ジア
ミノジフェニルケトン、2,2−ビス(3−アミノフェ
ニル)プロパン、2,2′−(3,4′−ジアミノジフ
ェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−(3,4′−ジアミノ
ジフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,
3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−
ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3′-(1,
4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニ
リン、3,4′-(1,4−フェニレンビス(1−メチル
エチリデン))ビスアニリン、4,4′-(1,4−フェ
ニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、
2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(3−
アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(4−(4−アミノフエノキシ)フエ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル)スルフイド、ビス(4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル)スルフイド、ビス(4
−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン等
の芳香族ジアミンを挙げることができる。
合反応は、有機溶媒中で行う。この場合、テトラカルボ
ン酸二無水物とジアミンは等モル又はほぼ等モルで用い
るのが好ましく、各成分の添加順序は任意である。用い
る有機溶媒としては、ジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、m−ク
レゾール、o−クロルフェノール等がある。
0℃である。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々
に上昇する。この場合、ポリイミドの前駆体であるポリ
アミド酸が生成する。
酸)を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は1
20℃〜250℃で熱処理する方法や化学的方法を用い
て行うことができる。120℃〜250℃で熱処理する
方法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら
行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等を用いて水を共沸除去してもよい。なお、本発
明においてポリイミド樹脂とは、ポリイミド及びその前
駆体を総称する。ポリイミドの前駆体には、ポリアミド
酸のほか、ポリアミド酸が部分的にイミド化したものが
ある。
剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸の
酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボ
ジイミド化合物等を用いる。このとき必要に応じてピリ
ジン、イソキノリン、トリメチルアミン、アミノピリジ
ン、イミダゾール等の閉環触媒を用いてもよい。閉環剤
又は閉環触媒は、テトラカルボン酸二無水物1モルに対
し、それぞれ1〜8モルの範囲で使用するのが好まし
い。また、接着力を向上させるため、ポリイミド樹脂に
シランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニ
オン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系
添加剤等を適宜加えてもよい。
樹脂に熱硬化性樹脂及び/又はフィラーを含有させて接
着フィルムとすることもできる。熱硬化性樹脂を用いる
場合に、熱硬化性樹脂(B)としてはエポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂及び硬化促進剤を含有する樹脂、あるいは
1分子中に少なくとも2個の熱硬化性イミド基を有する
イミド化合物から選ぶ。
ノール樹脂及び硬化促進剤を含む熱硬化性樹脂を用いる
場合の接着フィルムは、(1) 式(I)のテトラカルボン
酸二無水物が全テトラカルボン酸二無水物の30モル%
以上を含むテトラカルボン酸二無水物と、式(II)のジ
アミンが全ジアミンを10モル%以上を含むジアミンと
を反応させて得られるポリイミド樹脂(A);100重
量部、エポキシ樹脂;0〜200重量部、フェノール樹
脂;エポキシ樹脂100重量部に対し、0〜150重量
部、及び硬化促進剤;エポキシ樹脂100重量部に対
し、0〜50重量部、を有機溶媒に溶解し、(2) ベース
フィルム上に塗布し、加熱する、ことにより製造でき
る。
個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物である場合
は、(1) 式(I)のテトラカルボン酸二無水物が全テト
ラカルボン酸二無水物の30モル%以上を含むテトラカ
ルボン酸二無水物と、式(II)のジアミンが全ジアミン
を10モル%以上を含むジアミンとを反応させて得られ
るポリイミド樹脂(A);100重量部、及び1分子中
に少なくとも2個の熱硬化性イミド基を有するイミド化
合物;0〜200重量部、を有機溶媒に溶解し、(2) ベ
ースフィルム上に塗布し、加熱する、ことにより製造さ
れる。
(C)としては、銀粉、金粉、銅粉等の導電性フィラ
ー、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セ
ラミック等の無機物質フィラー等がある。
ド樹脂を有機溶媒に溶解後、フィラーを加え、必要に応
じ他の成分を加え、混合・混練する。得られたペースト
状混合物を、ベースフィルム上に均一に塗布し、加熱し
て製造する。
ルムは、熱時の剪断接着力が高くなる特徴がある。しか
し、熱時のピール接着力は逆に低下するので、使用目的
に応じて、熱硬化性樹脂含有又は非含有の接着フィルム
とし、使い分けるとよい。なお、ここで、熱硬化性樹脂
とは、加熱により3次元的網目構造を形成し、硬化する
樹脂のことである。
樹脂の量は、ポリイミド樹脂(A)100重量部に対し
0〜200重量部、好ましくは0〜100重量部とす
る。200重量部を越えるとフィルム形成性が悪くな
る。
ノール樹脂及び硬化促進剤を含有する樹脂を選ぶ場合
に、用いられるエポキシ樹脂は、分子内に少なくとも2
個のエポキシ基を含むもので、硬化性や硬化物特性の点
からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂
が好ましい。このような樹脂としては、ビスフェノール
A、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ビスフェ
ノールFもしくはハロゲン化ビスフェノールAとエピク
ロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグ
リシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシ
ジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリ
シジルエーテル等が挙げられる。エポキシ樹脂の量は、
ポリイミド樹脂100重量部に対し0〜200重量部、
好ましくは0〜100重量部で、200重量部を越える
とフィルム形成性が悪くなる。
なくとも2個のフェノール性水酸基を有するもので、こ
のような樹脂としては例えば、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボ
ラック樹脂、ポリ−p−ビニルフェノール、フェノール
アラルキル樹脂等が挙げられる。フェノール樹脂の量
は、エポキシ樹脂100重量部に対して0〜150重量
部、好ましくは0〜120重量部である。150重量部
を越えると硬化性が不十分となる。
ために用いられるものであれば特に制限はない。このよ
うなものとしては例えば、イミダゾール類、ジシアンジ
アミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニ
ルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェ
ニルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾール−
テトラフェニルボレート、1,8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7−テトラフェニルボレー
ト等が用いられる。これらは、2種以上を併用してもよ
い。硬化促進剤の量はエポキシ樹脂100重量部に対
し、0〜50重量部、好ましくは0〜20重量部で、5
0重量部を越えると保存安定性が悪くなる。
溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるもので
あれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケト
ン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン等
がある。
も2個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物を使用
する場合、その化合物の例としては、オルトビスマレイ
ミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビス
マレイミドベンゼン、1,4−ビス(p−マレイミドク
ミル)ベンゼン、1,4−ビス(m−マレイミドクミ
ル)ベンゼンのほか、下記の式(III)〜(V)で表さ
れるイミド化合物等がある。
O、C(CH3)2 又はC(CF3)2を示し、R1、
R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素、低級アルキル
基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、
Dはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残
基を示す。〕
O、C(CH3)2又はC(CF3)2を示し、R5、R6、
R7及びR8はそれぞれ独立に水素、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Dはエ
チレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示
する。〕
ポリイミド樹脂100重量部に対して0〜200重量
部、好ましくは0〜100重量部である。200重量部
を越えるとフィルム形成性が悪くなる。
ば、4,4−ビスマレイミドジフェニルエーテル、4,
4−ビスマレイミドジフェニルメタン、4,4−ビスマ
レイミド−3,3’−ジメチル−ジフェニルメタン、
4,4−ビスマレイミドジフェニルスルホン、4,4−
ビスマレイミドジフェニルスルフィド、4,4−ビスマ
レイミドジフェニルケトン、2,2’−ビス(4−マレ
イミドフェニル)プロパン、4,4−ビスマレイミドジ
フェニルフルオロメタン、1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2,2−ビス(4−マレイミドフェニ
ル)プロパン、等がある。
ば、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニ
ル〕エーテル、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル〕メタン、ビス〔4−(4−マレイミドフ
ェノキシ)フェニル〕フルオロメタン、ビス〔4−(4
−マレイミドフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス
〔4−(3−マレイミドフェノキシ)フェニル〕スルホ
ン、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニ
ル〕スルフィド、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル〕ケトン、2,2−ビス〔4−(4−マレ
イミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔4−(4
−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、等があ
る。
め、ラジカル重合剤を使用してもよい。ラジカル重合剤
としては、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキ
サイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパー
オキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパ
ーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイド
ロパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリル等があ
る。このとき、ラジカル重合剤の使用量は、イミド化合
物100重量部に対して概ね0.01〜1.0重量部が
好ましい。
電性フィラーは接着剤に導電性又はチキソ性を付与する
目的で添加され、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラ
ス、酸化鉄、セラミック等の無機物質フィラーは接着剤
に低熱膨張性、低吸湿率を付与する目的で添加される。
これら導電性フィラー又は無機物質フィラーは2種以上
を混合して用いることもできる。また、物性を損なわな
い範囲で導電性フィラーと無機物質フィラーとを混合し
て用いてもよい。
量部に対し0〜8000重量部、好ましくは0〜400
0重量部の範囲である。8000重量部よりも多いと接
着性が低下する。
常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミルなど
の分散機を適宜、組み合せて、行うことができる。
をベースフィルム上に均一に塗布後、使用した溶媒が充
分に揮散する条件、すなわち、おおむね60〜200℃
の温度で、0.1〜30分間加熱して行う。その後、接
着フィルムは、通常は、室温下にベースフィルムから剥
がして使用される。
の半導体素子と、42アロイリードフレーム、銅リード
フレーム等のリードフレーム、ポリイミド、エポキシ樹
脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム、ガラ
ス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの、ア
ルミナ等のセラミックス等の支持部材の接合に用いるこ
とができる。すなわち、前記したような半導体素子と支
持部材との間に本発明の接着フィルムを挾み、加熱圧着
して、両者を接着させる。加熱温度は、通常、100〜
300℃、0.1〜300秒間である。
lの四つ口フラスコに次の式で表されるジアミン
(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン20.5
g(0.05モル)を秤取し、N−メチル−2−ピロリ
ドン150gを加え、撹拌した。ジアミンの溶解後、フ
ラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリ
メリテート二無水物52.2g(0.1モル)を少量ず
つ添加した。添加終了後、氷浴中で3時間、さらに室温
で4時間反応させたのち、無水酢酸25.5g(0.2
5モル)及びピリジン19.8g(0.25モル)を加
え、室温で2時間攪拌した。その反応液を水中に注ぎ、
沈澱したポリマーを濾過により採取し、乾燥してポリイ
ミド樹脂(A)を得た。
合した。なお、表1において、種々の記号は下記の意味
である。 YDCN-702:東都化成、クレゾールノボラック型エポキシ
(エポキシ当量220) N-865:大日本インキ製、ビスフェノールノボラック型
エポキシ(エポキシ当量208) H-1:明和化成、フェノールノボラック(OH当量106) VH-4170:大日本インキ、ビスフェノールAノボラック
(OH当量118) TPPK:東京化成、テトラフェニルホスホニウムテトラフ
ェニルボラート 2P4MHZ:四国化成、キュアゾール2P4MHZ TCG-1:徳力化学、銀粉 DMAC:ジメチルアセトアミド DMF :ジメチルホルムアミド
〜50μmの厚さにポリプロピレンフィルム(ベースフ
ィルム)上に塗布し、80℃で10分、つづいて150
℃で30分加熱し、その後、室温でベースフィルムを剥
がして除き、接着フィルムを得た。
接着力及び吸湿性を測定し、また、実施例1〜3で得ら
れた接着フィルムを用いてリードフレームにシリコンチ
ップを接合させたときのチップ反りを測定した(表
2)。
りの測定法は以下の通り。 〈ピール接着力の測定法〉接着フィルムを8mm×8m
mの大きさに切断し、これを8mm×8mmのシリコン
チップと銅リードフレームの間に挟み、1000gの荷
重をかけて、180℃又は250℃で5秒間圧着させた
のち、250℃、20秒加熱時の引剥し強さを測定し
た。
℃で1時間硬化させた後、50mm×50mmの大きさ
に切断し、これを120℃で1時間、減圧下に加熱し、冷
却したのち重量(X1)を測定する。その後、このフィ
ルムを室温でイオン交換水中に24時間侵漬し、これを
取り出して表面の水滴を濾紙で丁寧に拭き取り、その後
再び重量(X2)を測定する。次式により、吸湿性(吸
湿率)を求める。 吸湿率(%)=(X2−X1)/X1×100
3mm×13mmの大きさに切断し、これを銅リードフ
レームと13mm×13mmの大きさのシリコンチップ
との間に挟み、1000gの荷重をかけて、250℃、
5秒間圧着させた後、室温に戻し、これについて表面粗
さ計を用い直線状に11mmスキャンし、ベースライン
からの最大高さ(μm)を求めて、チップ反りとした。
着性であり、かつ吸湿性が低い。そのため、ダイボンド
用として銅リードフレームに好適に使用でき、更に絶縁
性支持基板にも好適に使用できる。また、42アロイリー
ドフレームにも使用できる。
Claims (2)
- 【請求項1】式(I) 【化1】 (式中、n=2〜20の整数を示す。)で表されるテト
ラカルボン酸二無水物が全テトラカルボン酸二無水物の
30モル%以上を含むテトラカルボン酸二無水物、と式
(II) 【化2】 (式中、Q1及びQ2はそれぞれ独立に炭素数1〜5のア
ルキレン基、又はフェニレン基を示し、Q3、Q4、Q5
及びQ6はそれぞれ独立に炭素数1〜5のアルキル基、
フェニル基又はフェノキシ基を示し、pは1〜50の整
数を示す。)で表されるシロキサン系ジアミンが全ジア
ミンの3モル%以上を含むジアミンを反応させて得られ
るポリイミド樹脂を含有してなる接着フィルム。 - 【請求項2】(A)式(I)のテトラカルボン酸二無水
物が全テトラカルボン酸二無水物の30モル%以上を含
むテトラカルボン酸二無水物、と式(II)のシロキサン
系ジアミンが全ジアミンの3モル%以上を含むジアミン
を反応させて得られるポリイミド樹脂:100重量部
に対して、(B)熱硬化性樹脂:0〜200重量部、及
び(C)フィラー:0〜8000重量部を含有してなる
接着フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25293497A JP3513829B2 (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 接着フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25293497A JP3513829B2 (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 接着フィルム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003345609A Division JP2004048065A (ja) | 2003-10-03 | 2003-10-03 | 半導体素子付き支持部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1192744A true JPH1192744A (ja) | 1999-04-06 |
JP3513829B2 JP3513829B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=17244203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25293497A Expired - Lifetime JP3513829B2 (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 接着フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3513829B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002161250A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム、その製造法、半導体素子と支持部材との接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 |
JP2005105251A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-04-21 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト |
US7488532B2 (en) | 2003-05-14 | 2009-02-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Adhesive resin composition and adhesive agent in film form, and semiconductor device using the same |
JP2009275229A (ja) * | 2000-11-28 | 2009-11-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム及び半導体装置 |
JP2010275509A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープ |
JP2014029999A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-02-13 | Hitachi Chemical Co Ltd | 仮固定用フィルム、仮固定用フィルムシート及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-09-18 JP JP25293497A patent/JP3513829B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002161250A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム、その製造法、半導体素子と支持部材との接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 |
JP2009275229A (ja) * | 2000-11-28 | 2009-11-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム及び半導体装置 |
US7488532B2 (en) | 2003-05-14 | 2009-02-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Adhesive resin composition and adhesive agent in film form, and semiconductor device using the same |
JP2005105251A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-04-21 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト |
JP2010275509A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープ |
JP2014029999A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-02-13 | Hitachi Chemical Co Ltd | 仮固定用フィルム、仮固定用フィルムシート及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3513829B2 (ja) | 2004-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3288146B2 (ja) | 導電性接着フィルム、接着法、導電性接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
JP2964823B2 (ja) | 接着フィルム、その製造法、接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
KR20070005698A (ko) | 다이본딩용 수지 페이스트 | |
JP4120156B2 (ja) | ダイボンディング材及び半導体装置 | |
US5667899A (en) | Electrically conductive bonding films | |
JP3482946B2 (ja) | 接着フィルム及び半導体装置 | |
JP2002121530A (ja) | 接着フィルム、その製造法及び接着フィルム付き半導体装置 | |
JP3055388B2 (ja) | 接着フィルム | |
JP3777021B2 (ja) | 接着フィルム | |
JP4367404B2 (ja) | ダイボンディング材 | |
JP3513829B2 (ja) | 接着フィルム | |
JP3978628B2 (ja) | 接着フィルム | |
JP4584028B2 (ja) | 半導体素子用粘着フィルムおよび半導体装置 | |
JP4013092B2 (ja) | 接着フィルム | |
JP2006117945A (ja) | ポリイミド樹脂の製造方法及び半導体素子接着用の接着フィルム | |
JP4534410B2 (ja) | 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2004210805A (ja) | 接着フィルム及びその用途 | |
JP5002089B2 (ja) | 接着フィルム、その製造法、半導体素子と支持部材との接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
JP3239007B2 (ja) | 接着フィルム付きリードフレーム | |
JP2005105251A (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト | |
JP4161205B2 (ja) | 半導体素子付き支持部材 | |
JP3570202B2 (ja) | 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
JP2006117949A (ja) | ダイボンディング材 | |
JPH11228913A (ja) | 接着フィルム | |
JP2004006832A (ja) | 接着フィルム及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031229 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090123 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100123 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140123 Year of fee payment: 10 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |