JPH1187921A - 多層配線板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】特殊な絶縁材料を用いず、多大な設備投資を必
要とせずに配線の高密度化が可能な多層配線板の製造法
を提供する。 【解決手段】内層回路３を形成した内層基板４の表面
に、絶縁性接着層２と導体金属箔１とをこの順に重ね、
加圧加熱して一体化し、導体金属箔１と内層回路３の電
気的接続を行うＩＶＨ９を形成する箇所に開口部５を形
成し、その開口部５にレーザー光６を照射して非貫通穴
１１をあけ、めっき用触媒７を付与し、導体金属箔１の
表面に、非貫通穴１１とその周囲を除いて、めっきレジ
スト８を形成し、めっきレジスト８が形成されていない
箇所にめっき１３を行い、めっきレジスト８を除去し、
導体金属箔１の不要な箇所をエッチング除去して、外層
配線１０を形成する工程を含むＩＶＨ９を持つ多層配線
板の製造法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、隣接する層間のみ
を接続するための ＩｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌＶｉａ
Ｈｏｌｅ（以下、ＩＶＨという。）を持つ多層配線板の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】多層配線板においては、従来から層間を
電気的に接続する方法としては、貫通穴をあけた後に金
属めっきする手法が主流であった。しかし、この方法で
は貫通穴による配線禁止領域が全層にあるため高密度化
の障害となっており、近年は、隣接する層間のみを接続
するためのＩＶＨを使用する方式が実用化されてきてい
る。この製造方法としては、特開平４−１４８５９０号
公報に記載されているように、内層回路基板の表面に感
光性を有する絶縁層を形成し、層間接続を行う部分の基
板表面の絶縁層にフォトリソグラフ法で非貫通穴をあ
け、その穴及び基板表面を金属めっきした後、基板表面
の導体をエッチング法により回路形成する方法（フォト
ビア法）がある。

【０００３】また、特公平４−３６３７号公報に記載さ
れている様に、金属箔と絶縁性接着剤を、内層回路基板
の表面に重ねて積層接着し、層間接続を行う部分の基板
表面の金属層にエッチング法で穴をあけ、更にレーザー
等で非貫通穴をあけ、その穴及び基板表面を金属めっき
した後、基板表面の導体をエッチング法により回路形成
する方法（レーザー穴あけ法）もある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】特開平４−１４８５９
０号公報に記載された方法では、絶縁層にはフォトリソ
性、絶縁性、めっき金属との接着性、基板への塗膜形成
性等の多くの特性が求められることになるが、現在、全
てを満たすものは少なく、また、現在の設備だけで行う
こともできず、何らかの設備的な投資が必要となる。例
えば、絶縁性とフォトリソ性を両立するために、極性基
の少ない材料系を選択するとフォトリソ工程の現像にお
いては、溶剤現像を採用しなければならず、環境保護の
観点から塩素系溶剤が使えないため、可燃性溶剤を用い
て完全防爆型の装置が必要となる。また、特公平４−３
６３７号公報に記載された方法では、金属箔上に更に金
属めっきを付けるために導体回路となる金属層の厚みが
厚く、エッチング法で回路を形成する場合には、回路の
微細化に限界がある。

【０００５】本発明は、特殊な絶縁材料を用いず、多大
な設備投資を必要とせずに配線の高密度化が可能な多層
配線板の製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線板の製
造法は、隣接する層間のみを接続するためのＩＶＨ９を
持つ多層配線板の製造方法において、以下の工程を含む
ことを特徴とする。 ａ．図１（ａ）に示すように、内層回路３を形成した内
層基板４の表面に、絶縁性接着層２と導体金属箔１とを
この順に重ね、加圧加熱して一体化する工程、 ｂ．図１（ｂ）に示すように、導体金属箔１と内層回路
３の電気的接続を行うＩＶＨ９を形成する箇所の、導体
金属箔１をエッチング除去して開口部５を形成する工
程、 ｃ．図１（ｃ）に示すように、導体金属箔１に形成した
開口部５にレーザー光６を照射して、絶縁性接着層２
に、内層回路３が露出するまで非貫通穴１１をあける工
程、 ｄ．図１（ｄ）に示すように、少なくとも、非貫通穴１
１内壁の絶縁性接着層２に、めっき用触媒７を付与する
工程、 ｅ．図１（ｅ）に示すように、導体金属箔１の表面に、
非貫通穴１１とその周囲を除いて、めっきレジスト８を
形成する工程、 ｆ．図１（ｆ）に示すように、めっきレジスト８が形成
されていない箇所にめっき１３を行う工程、 ｇ．図１（ｇ）に示すように、めっきレジスト８を除去
する工程、 ｈ．図１（ｈ）に示すように、導体金属箔１の不要な箇
所をエッチング除去して、外層配線１０を形成する工
程。

【０００７】多層化するには、以下のようにすることに
よって可能である。 ａ．内層回路３を形成した内層基板４の表面に、絶縁性
接着層２と導体金属箔１とをこの順に重ね、加圧加熱し
て一体化する工程、 ｂ．導体金属箔１と内層回路３の電気的接続を行うＩＶ
Ｈ９を形成する箇所の、導体金属箔１をエッチング除去
して開口部５を形成する工程、 ｃ．導体金属箔１に形成した開口部５にレーザー光６を
照射して、絶縁性接着層２に、内層回路３が露出するま
で非貫通穴１１をあける工程、 ｄ．少なくとも、非貫通穴１１内壁の絶縁性接着層２
に、めっき用触媒７を付与する工程、 ｅ．導体金属箔１の表面に、非貫通穴１１とその周囲を
除いて、めっきレジスト８を形成する工程、 ｆ．めっきレジスト８が形成されていない箇所にめっき
１３を行う工程、 ｇ．めっきレジスト８を除去する工程、 ｈ１．導体金属箔１の不要な箇所をエッチング除去し
て、第１の外層配線を形成する工程、 ｊ．工程ａ〜工程ｈ１を必要回数繰り返し、工程ａ〜工
程ｈを行う工程。

【０００８】また、工程ａにおいて、絶縁性接着層２と
導体金属箔１とを重ねることに代えて、これらが一体化
した導体金属箔付き絶縁性接着層１２を用いることもで
きる。

【０００９】さらに、以下の工程を追加して、図２に示
すように、貫通穴１４も同時に設けることができる。 ・工程ｂまたは工程ｃに貫通穴１４をあける工程、 ・工程ｄにおいて、貫通穴１４の内壁にもめっき用触媒
を付与する工程、 ・工程ｅにおいて形成するめっきレジスト８が、貫通穴
１４とその周囲においても除かれているように形成する
工程、及び、 ・工程ｆにおいて、貫通穴１４の内壁にもめっき１３を
行う工程。

【００１０】

【発明の実施の形態】

（工程ａ）本発明で使用する導体金属箔１は、エッチン
グ法で配線形成できるものであれば使用可能であり、一
般的には銅箔が好ましい。また、微細配線を形成するた
めに金属箔の厚みはできるだけ薄いものが好ましいが、
銅箔が単層の場合には、取扱性から考えると９μｍから
１８μｍが良い。また、ライン／スペースが５０μｍ／
５０μｍ未満の極めて微細な配線を形成する場合には、
銅箔の厚さは更に薄いものが望ましく、このような場合
には３〜９μｍの極薄銅箔とその極薄銅箔の強化層から
なる複合箔を使用する。この強化層は加圧加熱積層後
に、引き剥がしによって剥離するか、もしくはエッチン
グによって除去する。引き剥がし可能な複合箔の例とし
ては、７０μｍ厚さの銅箔と９μｍの極薄銅箔からなる
ピーラブル銅箔（古河サーキットホイル株式会社製、商
品名）がある。エッチングによって強化層が除去できる
ものとして、アルミニウム箔に５μｍの極薄銅箔を複合
化したアルミニウム箔をエッチングで除去する複合箔
（三井金属工業株式会社製）等がある。

【００１１】本発明で用いる、絶縁性接着層２の樹脂と
しては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂などの樹脂が使用できる。この絶縁性接着層２は、内
層基板４に加圧加熱して積層後、レーザー光６を照射し
て層間接続のための穴をあけるので、層間接続の直径を
越える無機質繊維がこの絶縁性接着層２に含まれている
と、レーザー加工に要する時間が長くなり生産性が著し
く低くなるため、この絶縁性接着層２にはレーザー光６
であける穴の直径以上の長さの無機繊維を含まないこと
が望ましい。絶縁性接着層２としては、エポキシやポリ
イミド類を成分として含むものであり、例えば、分子量
１０万以上の高分子量エポキシ重合体を主成分としたエ
ポキシ系接着フィルムとして、ＡＳ−３０００Ｅ（日立
化成工業株式会社製、商品名）がある。変成ゴムを添加
したエポキシ系接着フィルムとしてＧＦ−３５００（日
立化成工業株式会社製、商品名）がある。ポリイミド系
接着フィルムとしてはＡＳ−２５００（日立化成工業株
式会社製、商品名）がある。直径が０．１〜６μｍで長
さが約５〜１００μｍの繊維状物質をエポキシ系樹脂中
に分散させたエポキシ系接着剤フィルムとして、ＡＳ−
６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）があ
る。これらの絶縁性接着層２は引き剥がし可能なフィル
ム上に、熱硬化性樹脂を溶剤に溶解したワニスを塗布し
た後、溶剤分を乾燥することによって得られる。この絶
縁性接着層２の厚さは内層回路３の厚さと関係してお
り、内層回路３の充填性の点から、少なくとも内層回路
３の厚さ以上であることが必要である。内層回路３の厚
さが１２μｍの場合には、２５μｍ程度の厚さのものに
する。内層回路３の厚さが５μｍ程度の薄さであれば、
１０μｍ程度でも内層回路３を充填することができる。
一般にはこの絶縁性接着層２の厚さは１０〜５００μｍ
の範囲である。

【００１２】導体金属箔１と絶縁性接着層２を重ねるこ
とに代えて用いることのできる、導体金属箔１と一体化
した導体金属箔付絶縁性接着層１２は、導体金属箔１の
表面に上述した引き剥がし可能なフィルムに絶縁性接着
剤を塗布したものを貼り合わせ、その後フィルムを引き
剥がすことで得られる。引き剥がし可能なフィルムは、
有機フィルムが好適であり、接着剤を塗布する有機フィ
ルムとしては、塗布後に溶剤分を加熱乾燥除去するため
に、この加熱温度での耐熱性が必要である。このような
有機フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、
ポリプロピレン、４メチルペンテン１ポリマー、ポリフ
ッ化エチレン等が使用できる。これらのフィルムの厚さ
は５μｍ以上であり、取り扱い性の点からはある程度の
厚さが必要である。このような点から望ましい厚さは１
０〜７０μｍである。

【００１３】また、この導体金属箔付絶縁性接着層１２
は、絶縁性接着剤樹脂を溶剤に溶解したワニスを、直接
金属箔に塗布することでも得られる。このような材料と
しては、例えば、分子量１０万以上の高分子量エポキシ
重合体を主成分とした銅箔付エポキシ系接着フィルムと
して、ＭＣＦ−３０００（日立化成工業株式会社製、商
品名）がある。また、直径が０．１〜６μｍで長さが約
５〜１００μｍの繊維状物質をエポキシ系樹脂中に分散
させた銅箔付エポキシ系接着剤フィルムとして、ＭＣＦ
−６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）があ
る。

【００１４】本発明で使用する内層基板４としては、紙
基材やガラス基材を含むエポキシ系、フェノール系、ポ
リイミド系の片面銅張積層板が使用できる。また、これ
らの基材と樹脂からなる両面銅張積層板が使用される。
これらの基材を使用してエッチング法やめっきとエッチ
ングの両方を用いて内層回路３を形成する。また、紙基
材やガラス基材を含むエポキシ系、フェノール系、ポリ
イミド系基板にアディティブ法で導体パターンを形成し
たものも使用できる。また、金属基板やセラミック基板
等の表面に導体パターンを形成したものも使用できる。
内層基板４がその両面に回路を形成した両面回路基板の
場合には、層間接続穴は導電性ペーストまたは絶縁性樹
脂で充填した両面回路基板を使用する。

【００１５】この内層基板４に絶縁性接着層２と導体金
属箔１をこの順に重ね、加圧加熱して一体化する条件
は、使用する樹脂に依存するが、一般には１６０〜２８
０℃の加熱温度範囲で、圧力は一般に１〜５０ＭＰａの
範囲である。

【００１６】（工程ｂ）導体金属箔１に設ける開口部５
の穴径は特に限定するものではなく、基板の高密度化の
観点から小さいほど良いが、エッチング法での工程能力
やめっき付まわり性等から考慮して、５０μｍ以上が好
ましい。

【００１７】（工程ｃ）開口部５に照射するレーザー光
としては、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー等があ
るが、導体金属箔１以外の樹脂層を選択的に加工しやす
いこと、加工速度が早くメンテナンスの容易な炭酸ガス
レーザーが好適である。レーザー穴あけでは、開口部５
の直径より大きなビーム径のレーザー光を照射すること
で、導体金属箔１の開口部５と同一の場所の絶縁性接着
層２に同一の直径の穴をあけて、内層回路３が露出する
まで非貫通穴１１をあけることができる。この時のレー
ザー加工条件は、絶縁性接着剤層の種類により変化する
ため、予め実験的に最適条件を選択する。

【００１８】（工程ｄ）非貫通穴１１の内壁の絶縁性接
着層に、付与するめっき用触媒７は、一般にシーディン
グと呼ばれている微細金属粒子を析出させる方法や、導
電性の皮膜を形成する方法、例えば、ＤＥ３８０６８８
４Ｃ１号公報に記載されているように、穴部分の樹脂部
分に対し、異原子として窒素又は硫黄を有する５又は６
員の複素環基からなるモノマーを吸着させた後、酸化剤
により重合させることで、導電性ポリマー層を形成する
方法等がある。本発明においては、穴内壁と穴近傍のみ
をめっきするため、短い工程で短時間に処理可能な電気
めっきを併用できる後者の方法が好ましい。また、めっ
き用触媒７及び金属めっきと穴内部の樹脂層との密着強
度を上げて接続部分の信頼性を向上させるために、めっ
き用触媒付与工程の前に穴内部の樹脂層表面を酸化処理
するデスミア工程を追加することができる。

【００１９】（工程ｅ）導体金属箔１の表面に非貫通穴
１１とその周囲を除いて形成するめっきレジスト８の穴
径は、先に形成した非貫通穴１１の穴径と、次に形成す
るめっきレジスト層に設ける穴との位置合わせ誤差を加
算した大きさ以上にする。これ以上小さい穴径の場合、
めっき層と導体金属箔１との接合部分が導体金属箔１の
穴端面のみとなり、接続信頼性が低下するためである。
めっきレジスト８としては、通常のプリント基板に使用
されているものが使用でき、例えば、フォテックＨ−Ｋ
４２５、フォテックＨ−Ｗ４２５（いずれも、日立化成
工業株式会社製、商品名）等のドライフィルムが使用で
きる。

【００２０】（工程ｆ）穴あけした部分に金属めっき
し、内層回路３と導体金属箔１とを接続するＩＶＨ９を
形成する方法としては、特に限定するものではなく、通
常のプリント基板で行われる無電解めっき又は電気めっ
き等が適用可能である。

【００２１】

【実施例】

実施例１ 導体金属箔付絶縁性接着層１２として、銅箔厚さが１２
μｍで、樹脂層厚さが５０μｍ、分子量１０万以上の高
分子量エポキシ重合体を主成分としたエポキシ系接着フ
ィルムであるＭＣＦ−３０００Ｅ（日立化成工業株式会
社製、商品名）、内層基板４として、厚さが０．２ｍｍ
で回路加工済のエポキシ系片面銅張積層板を準備した。
次に、これらを重ね合わせて、圧力２．５ＭＰａ、温度
１７０℃、６０分間、加圧加熱して多層配線板を作製
し、エッチング法で表面の銅箔層に直径０．１ｍｍの開
口部５を形成した。次に、炭酸ガスレーザーを照射して
内層基板４の内層回路３まで届く非貫通穴１１をあけ
た。次に、めっき用触媒７として、ＤＭＳ−Ｅ処理液
（ブラスベルク・オーベルフレヒエンテヒニーク・ゲー
・エム・ベー・ハー社製、商品名）によって、非貫通穴
１１の絶縁性接着層２に導電性の皮膜を形成した。次
に、めっきレジスト８として、フォテックＨ−Ｗ４２５
（日立化成工業株式会社製、商品名）をホットロールラ
ミネートした後、非貫通穴１１とその周囲を含む直径
０．３ｍｍの穴を形成するマスクパターンを用いて露
光、現像した。その後、非貫通穴１１内部と周囲に１２
μｍの厚さの電気めっきを行い、めっきレジスト８を剥
離除去した。更に、新たにエッチングレジストを形成し
て、外層配線１０の形状にマスクパターンを用いて露
光、現像し、エッチング法で最外層の回路を形成し２層
の基板を作製した。

【００２２】実施例２ 導体金属箔１として、強化層としての７０μｍ厚さの銅
箔と９μｍの極薄銅箔からなるピーラブル銅箔（古河サ
ーキットホイル株式会社製、商品名）、絶縁性接着層２
として、樹脂層が厚み７０μｍのエポキシ系接着剤フィ
ルムとしてＡＳ−６０００Ｅ（日立化成工業株式会社
製、商品名）、内層基板４として、厚さが０．２ｍｍで
回路加工済のエポキシ系両面銅張積層板を準備した。次
に、内層基板４の両面にＡＳ−６０００Ｅ（日立化成工
業株式会社製、商品名）及びピーラブル銅箔（古河サー
キットホイル株式会社製、商品名）をこの順に重ね合わ
せて、圧力２．５ＭＰａ、温度１７０℃、６０分間、加
圧加熱して多層配線板を作製した。次に、強化層である
７０μｍ厚さの銅箔を引き剥がした後、エッチング法で
表面の銅箔層に直径０．１ｍｍの開口部５を形成した。
次に、炭酸ガスレーザーを照射して内層基板の内層回路
３まで届く非貫通穴１１をあけた。次に、めっき用触媒
として、ＤＭＳ−Ｅ処理液（ブラスベルク・オーベルフ
レヒエンテヒニーク・ゲー・エム・ベー・ハー社製、商
品名）によって、非貫通穴１１の絶縁性接着層２の部分
に導電性の皮膜を形成した。次に、めっきレジスト８と
して、フォテックＨ−Ｗ４２５（日立化成工業株式会社
製、商品名）をホットロールラミネートした後、非貫通
穴１１を含む直径０．３ｍｍの穴を形成するマスクパタ
ーンを用いて露光、現像した。その後、非貫通穴１１と
その周囲に１２μｍの厚みの電気めっきを行い、めっき
レジスト８を剥離除去した。更に、新たにエッチングレ
ジストを形成して、外層配線１０の形状にマスクパター
ンを用いて露光、現像し、エッチング法で最外層の回路
を形成し、４層の多層基板を作製した。

【００２３】実施例３ 実施例２の基板を内層基板４として、更に両面に絶縁性
接着層２と銅箔層を積み上げて、その他の材料は同じも
のを用い、実施例２と同じ工程を繰り返し、６層の多層
基板を作製した。

【００２４】比較例１ 実施例１において、めっき用触媒７を付与した後、めっ
きレジスト８を形成せずに電気めっきした。その後、実
施例１と同様の回路を形成した。

【００２５】以上の実施例及び比較例で作製した基板を
比較評価した。各基板に設けた配線パターンで、配線ル
ールがライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍの部分に
ついては、実施例１、２、３共に短絡、断線の不良がな
かったが、比較例１においては短絡と断線不良が多発し
た。なお、直列にＩＶＨを１００個接続した試験片で、
信頼性試験の一つであるホットオイル試験（２６０℃ホ
ットオイル１０秒ディップと室温水中１０秒ディップを
繰り返し行うサイクル試験）を５０サイクル行ったとこ
ろ、何れの試験片も抵抗値の変化は、１０％以内で良好
であった。

【００２６】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、高密度な微細配線が可能な多層配線板の製造が可能
になる。また、レーザーによって非貫通穴をあけるため
に直径が１００μｍレベルの微小径が加工できる。更
に、絶縁性接着剤層は多層プリント基板用に使用される
一般的な絶縁材料が使用できるため、用途に応じて絶縁
材料を使い分けることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の一実施例を説明す
るための各工程における断面図であり、（ａ’）は、本
発明の他の実施例の一工程における断面図である。

【図２】本発明のさらに他の実施例の方法によって製造
された多層配線板を示す断面図である。

【符号の説明】

１．導体金属箔 ２．絶縁
性接着層 ３．内層回路 ４．内層
基板 ５．開口部 ６．レー
ザ光 ７．めっき用触媒 ８．めっ
きレジスト ９．ＩＶＨ １０．外
層配線 １１．非貫通穴 １２．導
体金属箔付絶縁性接着層 １３．めっき １４．貫
通穴

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浦崎 直之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 藤本 大輔 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 ▲つる▼ 義之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】隣接する層間のみを接続するためのＩＶＨ
   （９）を持つ多層配線板の製造方法において、以下の工
   程を含むことを特徴とする多層配線板の製造法。 ａ．内層回路（３）を形成した内層基板（４）の表面
   に、絶縁性接着層（２）と導体金属箔（１）とをこの順
   に重ね、加圧加熱して一体化する工程、 ｂ．導体金属箔（１）と内層回路（３）の電気的接続を
   行うＩＶＨ（９）を形成する箇所の、導体金属箔（１）
   をエッチング除去して開口部（５）を形成する工程、 ｃ．導体金属箔（１）に形成した開口部（５）にレーザ
   ー光（６）を照射して、絶縁性接着層（２）に、内層回
   路（３）が露出するまで非貫通穴（１１）をあける工
   程、 ｄ．少なくとも、非貫通穴（１１）内壁の絶縁性接着層
   （２）に、めっき用触媒（７）を付与する工程、 ｅ．導体金属箔（１）の表面に、非貫通穴（１１）とそ
   の周囲を除いて、めっきレジスト（８）を形成する工
   程、 ｆ．めっきレジスト（８）が形成されていない箇所にめ
   っき（１３）を行う工程、 ｇ．めっきレジスト（８）を除去する工程、 ｈ．導体金属箔（１）の不要な箇所をエッチング除去し
   て、外層配線（１０）を形成する工程。
2. 【請求項２】以下の工程を含むことを特徴とする請求項
   １に記載の多層配線板の製造法。 ａ．内層回路（３）を形成した内層基板（４）の表面
   に、絶縁性接着層（２）と導体金属箔（１）とをこの順
   に重ね、加圧加熱して一体化する工程、 ｂ．導体金属箔（１）と内層回路（３）の電気的接続を
   行うＩＶＨ（９）を形成する箇所の、導体金属箔（１）
   をエッチング除去して開口部（５）を形成する工程、 ｃ．導体金属箔（１）に形成した開口部（５）にレーザ
   ー光（６）を照射して、絶縁性接着層（２）に、内層回
   路（３）が露出するまで非貫通穴（１１）をあける工
   程、 ｄ．少なくとも、非貫通穴（１１）内壁の絶縁性接着層
   （２）に、めっき用触媒（７）を付与する工程、 ｅ．導体金属箔（１）の表面に、非貫通穴（１１）とそ
   の周囲を除いて、めっきレジスト（８）を形成する工
   程、 ｆ．めっきレジスト（８）が形成されていない箇所にめ
   っき（１３）を行う工程、 ｇ．めっきレジスト（８）を除去する工程、 ｈ１．導体金属箔（１）の不要な箇所をエッチング除去
   して、第１の外層配線を形成する工程、 ｊ．工程ａ〜工程ｈ１を必要回数繰り返し、工程ａ〜工
   程ｈを行う工程。
3. 【請求項３】工程ａにおいて、絶縁性接着層（２）と導
   体金属箔（１）とを重ねることに代えて、これらが一体
   化した導体金属箔付き絶縁性接着層（１２）を用いるこ
   とを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線板の
   製造法。
4. 【請求項４】以下の工程を追加して貫通穴（１４）も同
   時に設けることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれ
   かに記載の多層配線板の製造法。 ・工程ｂまたは工程ｃに貫通穴（１４）をあける工程、 ・工程ｄにおいて、貫通穴（１４）の内壁にもめっき用
   触媒を付与する工程、 ・工程ｅにおいて形成するめっきレジストが、貫通穴
   （１４）とその周囲においても除かれているように形成
   する工程、及び、 ・工程ｆにおいて、貫通穴（１４）の内壁にもめっき
   （１３）を行う工程。