JPH1187315A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH1187315A JPH1187315A JP9237543A JP23754397A JPH1187315A JP H1187315 A JPH1187315 A JP H1187315A JP 9237543 A JP9237543 A JP 9237543A JP 23754397 A JP23754397 A JP 23754397A JP H1187315 A JPH1187315 A JP H1187315A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造に用いられるドライエッチング装
置等のプラズマ処理装置において、エッチング不良が少
なく、電極の寿命が長いプラズマ処理装置を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 （ａ）に示すように被処理基板６を載置
し、被処理基板６を下部電極７に静電吸着させる。絶縁
リング１６の高さが下部電極７の被処理基板載置面より
も高いことにより、上記の静電吸着によって被処理基板
が（ｂ）に示すように弾性変形して、下部電極７および
被処理基板６の裏面がプラズマにさらされることがな
く、電極の寿命が長く、エッチング不良が少ないプラズ
マ処理装置が得られる。
置等のプラズマ処理装置において、エッチング不良が少
なく、電極の寿命が長いプラズマ処理装置を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 （ａ）に示すように被処理基板６を載置
し、被処理基板６を下部電極７に静電吸着させる。絶縁
リング１６の高さが下部電極７の被処理基板載置面より
も高いことにより、上記の静電吸着によって被処理基板
が（ｂ）に示すように弾性変形して、下部電極７および
被処理基板６の裏面がプラズマにさらされることがな
く、電極の寿命が長く、エッチング不良が少ないプラズ
マ処理装置が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体や液晶表示素
子（ＬＣＤ）製造に用いられるドライエッチング装置、
スパッタ装置、ＣＶＤ装置などのプラズマ処理装置に関
するものである。
子（ＬＣＤ）製造に用いられるドライエッチング装置、
スパッタ装置、ＣＶＤ装置などのプラズマ処理装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造装置におけるシリコン
基板のプラズマ処理装置において、しばしば基板の温度
制御の伝熱手段として、静電吸着方式の電極が用いられ
る。
基板のプラズマ処理装置において、しばしば基板の温度
制御の伝熱手段として、静電吸着方式の電極が用いられ
る。
【０００３】図４は従来のドライエッチング装置を示
す。図４において、１は真空容器、２は真空排気ポン
プ、３は下面にガス吹出し口を有する上部電極で、上部
にガス供給口４を有し、アース５に接続されている。
す。図４において、１は真空容器、２は真空排気ポン
プ、３は下面にガス吹出し口を有する上部電極で、上部
にガス供給口４を有し、アース５に接続されている。
【０００４】６は被処理基板であるシリコンウエハ、７
は下部電極であり、絶縁板８に載置されており、端子９
を通じてコンデンサ１０、高周波電源１１につながって
いる。
は下部電極であり、絶縁板８に載置されており、端子９
を通じてコンデンサ１０、高周波電源１１につながって
いる。
【０００５】下部電極７の内部の上部には、静電チャッ
ク１２が設けられている。静電チャック１２は端子１
３，１４を通じて直流電源１５に接続されている。下部
電極７の外周には絶縁リング１６があり、その上面は下
部電極７のシリコンウエハの６の載置面よりも０．３ｍ
ｍ程低く設定されている。また下部電極７の内部には冷
却水路１７があり冷却水が循環している。
ク１２が設けられている。静電チャック１２は端子１
３，１４を通じて直流電源１５に接続されている。下部
電極７の外周には絶縁リング１６があり、その上面は下
部電極７のシリコンウエハの６の載置面よりも０．３ｍ
ｍ程低く設定されている。また下部電極７の内部には冷
却水路１７があり冷却水が循環している。
【０００６】以上のように構成されたドライエッチング
装置において、以下その動作について説明する。まず、
シリコンウエハ６を下部電極７の上に載せ、直流電源１
５により静電チャック１２に直流電圧を印加し静電力を
発生させて下部電極７にシリコンウエハ６を吸着させ
る。
装置において、以下その動作について説明する。まず、
シリコンウエハ６を下部電極７の上に載せ、直流電源１
５により静電チャック１２に直流電圧を印加し静電力を
発生させて下部電極７にシリコンウエハ６を吸着させ
る。
【０００７】次いで、真空ポンプ２で真空容器１の空気
を排気し、ガス供給口４から微量のエッチングガスを導
入しつつ、高周波電源１１により高周波を印加して下部
電極７と上部電極３の間にプラズマを作り、シリコンウ
エハ６をエッチングする。
を排気し、ガス供給口４から微量のエッチングガスを導
入しつつ、高周波電源１１により高周波を印加して下部
電極７と上部電極３の間にプラズマを作り、シリコンウ
エハ６をエッチングする。
【０００８】プラズマは高温なのでエッチングの間にシ
リコンウエハ６を同時に加熱する。シリコンウエハ６と
下部電極７は、静電力により密着しており、シリコンウ
エハ６の熱は、冷却水路１７の冷却水により冷却された
下部電極７に伝わり放熱されて、シリコンウエハ６がプ
ラズマの熱で過熱してレジストが変質しエッチング不良
になるのを防止している。またシリコンウエハ６の温度
を一定に保ってエッチング特性を良好にしている。
リコンウエハ６を同時に加熱する。シリコンウエハ６と
下部電極７は、静電力により密着しており、シリコンウ
エハ６の熱は、冷却水路１７の冷却水により冷却された
下部電極７に伝わり放熱されて、シリコンウエハ６がプ
ラズマの熱で過熱してレジストが変質しエッチング不良
になるのを防止している。またシリコンウエハ６の温度
を一定に保ってエッチング特性を良好にしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
静電吸着方式の電極を用いたプラズマ処理装置では、絶
縁リング１６と被処理基板であるシリコンウエハ６との
間の０．３ｍｍほどの隙間１８からプラズマが回り込
み、被処理基板の裏面や電極がエッチングされていた。
静電吸着方式の電極を用いたプラズマ処理装置では、絶
縁リング１６と被処理基板であるシリコンウエハ６との
間の０．３ｍｍほどの隙間１８からプラズマが回り込
み、被処理基板の裏面や電極がエッチングされていた。
【００１０】その結果、エッチングされた微粒子が被処
理基板のエッチング面に飛散し、エッチングの不良を起
こしていた。また下部電極７のプラズマに対する絶縁が
破壊され電極の寿命を短くしていた。
理基板のエッチング面に飛散し、エッチングの不良を起
こしていた。また下部電極７のプラズマに対する絶縁が
破壊され電極の寿命を短くしていた。
【００１１】本発明は上記問題点に鑑み、エッチング不
良が少なく、電極の寿命が長いプラズマ処理装置を提供
することを目的とする。
良が少なく、電極の寿命が長いプラズマ処理装置を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のプラズマ処理装置は、被処理基板を載置し、
被処理基板を吸着する直流電圧供給手段を有する電極の
外周に載置される絶縁リングの高さが電極の被処理基板
載置面よりも高いことを特徴とする。
に本発明のプラズマ処理装置は、被処理基板を載置し、
被処理基板を吸着する直流電圧供給手段を有する電極の
外周に載置される絶縁リングの高さが電極の被処理基板
載置面よりも高いことを特徴とする。
【００１３】この発明によれば、電極の寿命が長く、エ
ッチング不良が少ないプラズマ処理装置が得られる。
ッチング不良が少ないプラズマ処理装置が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】請求項１に記載のプラズマ処理装
置は、真空容器の内部に設けられた下部電極の上に被処
理基板を静電吸着させた状態で前記真空容器の内部にプ
ラズマを発生させて前記の被処理基板を処理すると共
に、前記の下部電極の外周部を絶縁リングで覆ったプラ
ズマ処理装置であって、前記の下部電極の外径寸法を被
処理基板よりも小さくし、前記の絶縁リングの高さを前
記の下部電極の被処理基板の載置面よりも高くし、下部
電極の上に被処理基板を静電吸着させたることによって
被処理基板の外周が前記の絶縁リングの上端に押し当て
られることを特徴とする。
置は、真空容器の内部に設けられた下部電極の上に被処
理基板を静電吸着させた状態で前記真空容器の内部にプ
ラズマを発生させて前記の被処理基板を処理すると共
に、前記の下部電極の外周部を絶縁リングで覆ったプラ
ズマ処理装置であって、前記の下部電極の外径寸法を被
処理基板よりも小さくし、前記の絶縁リングの高さを前
記の下部電極の被処理基板の載置面よりも高くし、下部
電極の上に被処理基板を静電吸着させたることによって
被処理基板の外周が前記の絶縁リングの上端に押し当て
られることを特徴とする。
【００１５】請求項２に記載のプラズマ処理装置は、請
求項１において、絶縁リングの被処理基板との接触面
が、被処理基板を載置する下部電極の外径を支点とし、
被処理基板の外径に所定の荷重を受ける基板の撓み曲面
であることを特徴とする。
求項１において、絶縁リングの被処理基板との接触面
が、被処理基板を載置する下部電極の外径を支点とし、
被処理基板の外径に所定の荷重を受ける基板の撓み曲面
であることを特徴とする。
【００１６】以下、本発明の各実施の形態を図１と図２
に基づいて説明する。なお、従来例を示す図４と同一の
作用を成すものには同一の符号を付けて説明する。
に基づいて説明する。なお、従来例を示す図４と同一の
作用を成すものには同一の符号を付けて説明する。
【００１７】（実施の形態１）図１と図２は本発明の
（実施の形態１）のプラズマ処理装置を示す。下部電極
７と絶縁リング１６の関係が従来例を示す図４とは次の
ように異なっている。
（実施の形態１）のプラズマ処理装置を示す。下部電極
７と絶縁リング１６の関係が従来例を示す図４とは次の
ように異なっている。
【００１８】この（実施の形態１）の下部電極７はシリ
コンウエハ６よりも径が小さく、下部電極７の外周に設
けられた絶縁リング１６の上面１６ａは、下部電極７の
上面７ａよりも高く設定されており、下部電極７の外周
部から絶縁リング１６がほぼ垂直に立ち上がる段部１９
が形成されている。段部１９の寸法はシリコンウエハ６
の厚みの（１／２）以下が適当である。
コンウエハ６よりも径が小さく、下部電極７の外周に設
けられた絶縁リング１６の上面１６ａは、下部電極７の
上面７ａよりも高く設定されており、下部電極７の外周
部から絶縁リング１６がほぼ垂直に立ち上がる段部１９
が形成されている。段部１９の寸法はシリコンウエハ６
の厚みの（１／２）以下が適当である。
【００１９】具体的には、シリコンウエハ６の大きさが
φ２００ｍｍで厚みが０．７２５ｍｍの場合に、上面１
６ａと上面７ａとの段差は０．３ｍｍ程に設定した。こ
のように構成したため、まずφ２００ｍｍシリコンウエ
ハ６を図２の（ａ）に示すように下部電極７の上に載
せ、直流電源１５により静電チャック１２に直流電圧を
印加し静電力を発生させて、図２の（ｂ）に示すように
下部電極７にφ２００シリコンウエハ６を吸着させる。
φ２００ｍｍで厚みが０．７２５ｍｍの場合に、上面１
６ａと上面７ａとの段差は０．３ｍｍ程に設定した。こ
のように構成したため、まずφ２００ｍｍシリコンウエ
ハ６を図２の（ａ）に示すように下部電極７の上に載
せ、直流電源１５により静電チャック１２に直流電圧を
印加し静電力を発生させて、図２の（ｂ）に示すように
下部電極７にφ２００シリコンウエハ６を吸着させる。
【００２０】すると、シリコンウエハ６の外周部は平板
・円板の微少たわみ理論から導き出される曲面に撓む。
このとき、φ２００シリコンウエハ６の外周部は静電力
により絶縁リング１６に押さえ付けられている。
・円板の微少たわみ理論から導き出される曲面に撓む。
このとき、φ２００シリコンウエハ６の外周部は静電力
により絶縁リング１６に押さえ付けられている。
【００２１】この状態で、真空ポンプ２で真空容器１の
空気を排気し、ガス供給口４から微量のエッチングガス
を導入しつつ、高周波電源１１により高周波を印加して
下部電極７と上部電極３の間にプラズマを作り、シリコ
ンウエハ６をエッチングする。
空気を排気し、ガス供給口４から微量のエッチングガス
を導入しつつ、高周波電源１１により高周波を印加して
下部電極７と上部電極３の間にプラズマを作り、シリコ
ンウエハ６をエッチングする。
【００２２】したがって、シリコンウエハ６の外周部は
静電力により絶縁リング１６に押さえ付けられ、シリコ
ンウエハ６の裏面、および下部電極７はプラズマにさら
されることがなくなる。
静電力により絶縁リング１６に押さえ付けられ、シリコ
ンウエハ６の裏面、および下部電極７はプラズマにさら
されることがなくなる。
【００２３】（実施の形態２）図３は本発明の（実施の
形態２）の要部２を示す。（実施の形態１）で絶縁リン
グ１６と下部電極７との段部は、下部電極７の外周部か
ら絶縁リング１６がほぼ垂直に立ち上がる段部１９で形
成したが、この（実施の形態２）では、下部電極７の外
周部から絶縁リング１６が曲面で次第に立ち上がってい
る。この曲面は、平板・円板の微少たわみ理論から導き
出される。
形態２）の要部２を示す。（実施の形態１）で絶縁リン
グ１６と下部電極７との段部は、下部電極７の外周部か
ら絶縁リング１６がほぼ垂直に立ち上がる段部１９で形
成したが、この（実施の形態２）では、下部電極７の外
周部から絶縁リング１６が曲面で次第に立ち上がってい
る。この曲面は、平板・円板の微少たわみ理論から導き
出される。
【００２４】このように構成したため、静電チャック１
２を運転して下部電極７にシリコンウエハ６を静電させ
ると、絶縁リング１６のφ２００シリコンウエハ６の接
触面は、下部電極７の外径を支点とし、φ２００シリコ
ンウエハ６が外径に所定の荷重を受け０．３ｍｍ撓んだ
ときの曲面であるので、被処理基板の裏面と絶縁リング
との隙間は極小になり、プラズマが回り込む空間がほと
んどなくなる。
２を運転して下部電極７にシリコンウエハ６を静電させ
ると、絶縁リング１６のφ２００シリコンウエハ６の接
触面は、下部電極７の外径を支点とし、φ２００シリコ
ンウエハ６が外径に所定の荷重を受け０．３ｍｍ撓んだ
ときの曲面であるので、被処理基板の裏面と絶縁リング
との隙間は極小になり、プラズマが回り込む空間がほと
んどなくなる。
【００２５】なお、上記の各実施の形態では、絶縁リン
グ１６のシリコンウエハとの接触面を水平面、あるいは
曲面で構成した例で説明したが、テーパ面で構成しても
同様に実施可能である。又、絶縁リングを下部電極の外
周に固定した例で説明したが、絶縁リングを上下動させ
る駆動手段や絶縁リングを弾性体で支持する手段を設け
ても同様に実施可能である。
グ１６のシリコンウエハとの接触面を水平面、あるいは
曲面で構成した例で説明したが、テーパ面で構成しても
同様に実施可能である。又、絶縁リングを下部電極の外
周に固定した例で説明したが、絶縁リングを上下動させ
る駆動手段や絶縁リングを弾性体で支持する手段を設け
ても同様に実施可能である。
【００２６】また、この装置は、ドライエッチング装置
のみならず、スパッタ装置やＣＶＤ装置においても同様
に実施可能である。上記の各実施の形態において、段部
１９の寸法を０．３ｍｍ程に設定したが、これは被処理
基板の材質の弾性と厚さ、および被処理基板面内のエッ
チング特性に応じて決定されるもので、被処理基板がシ
リコンウエハやガラス基板の場合には、被処理基板の厚
みの１／２以下が適当であった。
のみならず、スパッタ装置やＣＶＤ装置においても同様
に実施可能である。上記の各実施の形態において、段部
１９の寸法を０．３ｍｍ程に設定したが、これは被処理
基板の材質の弾性と厚さ、および被処理基板面内のエッ
チング特性に応じて決定されるもので、被処理基板がシ
リコンウエハやガラス基板の場合には、被処理基板の厚
みの１／２以下が適当であった。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明のプラズマ処理装置
によると、被処理基板を載置する電極の外周の絶縁リン
グが、電極の被処理基板載置面よりも高いので、被処理
基板は電極、絶縁リングの両方に接触し、電極はプラズ
マにさらされず、被処理基板のエッチング不良が低減さ
れ、電極の寿命も長くすることができ、良好なプラズマ
処理を長期にわたって安定して処理できる。
によると、被処理基板を載置する電極の外周の絶縁リン
グが、電極の被処理基板載置面よりも高いので、被処理
基板は電極、絶縁リングの両方に接触し、電極はプラズ
マにさらされず、被処理基板のエッチング不良が低減さ
れ、電極の寿命も長くすることができ、良好なプラズマ
処理を長期にわたって安定して処理できる。
【図１】本発明の（実施の形態１）のプラズマエッチン
グ装置の断面図
グ装置の断面図
【図２】同実施の形態の要部の静電吸着の前後の状態の
拡大図
拡大図
【図３】本発明の（実施の形態２）のプラズマエッチン
グ装置の要部のエッチング状態の拡大図
グ装置の要部のエッチング状態の拡大図
【図４】従来のプラズマエッチング装置の断面図
１ 真空容器 ６ シリコンウエハ ７ 下部電極 ７ａ 下部電極の上面 １６ 絶縁リング １６ａ 絶縁リングの上面 １９ 段部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 21/68 21/68 Ｒ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】真空容器の内部に設けられた下部電極の上
に被処理基板を静電吸着させた状態で前記真空容器の内
部にプラズマを発生させて前記の被処理基板を処理する
と共に、前記の下部電極の外周部を絶縁リングで覆った
プラズマ処理装置であって、 前記の下部電極の外径寸法を被処理基板よりも小さく
し、前記の絶縁リングの高さを前記の下部電極の被処理
基板の載置面よりも高くし、下部電極の上に被処理基板
を静電吸着させたることによって被処理基板の外周が前
記の絶縁リングの上端に押し当てられるプラズマ処理装
置。 - 【請求項２】 絶縁リングの被処理基板との接触面が、
被処理基板を載置する下部電極の外径を支点とし、被処
理基板の外径に所定の荷重を受ける基板の撓み曲面また
はテーパ面であることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項３】 被処理基板を載置する下部電極と絶縁リ
ングとの高さの差が被処理基板の厚みの１／２以下であ
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載のプラ
ズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23754397A JP3657089B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | プラズマ処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23754397A JP3657089B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | プラズマ処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187315A true JPH1187315A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3657089B2 JP3657089B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=17016895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23754397A Expired - Fee Related JP3657089B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | プラズマ処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3657089B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105118767A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-02 | 郑州大学 | 等离子体刻蚀设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263541U (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | ||
| JPH0729968A (ja) * | 1991-05-17 | 1995-01-31 | Unisearch Ltd | 改良された静電チヤック |
| JPH07130826A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Anelva Corp | 静電チャック |
| JPH08279549A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置 |
| JPH09107689A (ja) * | 1995-05-11 | 1997-04-22 | Applied Materials Inc | 静電チャックのためのバリアシール |
-
1997
- 1997-09-03 JP JP23754397A patent/JP3657089B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263541U (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | ||
| JPH0729968A (ja) * | 1991-05-17 | 1995-01-31 | Unisearch Ltd | 改良された静電チヤック |
| JPH07130826A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Anelva Corp | 静電チャック |
| JPH08279549A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置 |
| JPH09107689A (ja) * | 1995-05-11 | 1997-04-22 | Applied Materials Inc | 静電チャックのためのバリアシール |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105118767A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-02 | 郑州大学 | 等离子体刻蚀设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3657089B2 (ja) | 2005-06-08 |
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