JPH118348A - 複数のicチップを備えた半導体装置の構造 - Google Patents

複数のicチップを備えた半導体装置の構造

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 二つのICチップ2,3を、これらの電極パ
ッド2b,3aの相互間を電気的に接続した状態で一体
化する場合に、そのコストの低減と、電気的接続の確実
性を向上する。 【手段】 前記両電極パッド2b,3aのうち一方の電
極パッド3aにバンプ3bを、他方の電極パッド2b
に、当該電極パッドを覆うバリアメタル2dを設け、更
に、前記両ICチップ2,3の相互間を、その間に介挿
した導電粒子混入の接着フィルム4にて、前記バンプ3
bが当該接着フィルム4を圧縮変形するようにして接着
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数個のICチッ
プを、その相互間を電気的に接続した状態で一体的に接
合した半導体装置の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、二つのICチップを、その相互間
を電気的に接続した状態で、一体的に接合するに際して
は、前記両ICチップのうち一方のメインICチップに
形成した各電極パッド及び前記両ICチップのうち他方
のサブICチップに形成した各電極パッドのうちいずれ
か一方の電極パッドにバンプを設けて、このバンプを、
他方の電極パッドに対して圧着すると言う方法を採用し
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法にお
いて、メインICチップとサブICチップとの一体化
を、メインICチップの各電極パッド及びサブICチッ
プの各電極パッドのうちいずれか一方の電極パッドに設
けたバンプにおける他方の電極パッドへの圧着のみに依
存することができず、前記した圧着後において、両IC
チップの間に、その両者を一体的に接着するための合成
樹脂を充填するようにしなければならないから、両IC
チップを一体化することに要するコストが大幅にアップ
すると言う問題があった。
【0004】しかも、前記ICチップにおける電極パッ
ドは、一般的に言ってアルミニウム製であるのに対し、
バンプは、アルミニウムと異質の金又は半田製であるこ
とにより、一方の電極パッドに設けたバンプを、他方の
電極パッドに対して圧着することの確実性が低く、その
確実性を確保するためには、その押圧力を可成り強くし
なければならず、このバンプを他方の電極パッドに圧着
するときに、この他方の電極パッドに対して大きなダメ
ージを及ぼすことになるから、電気的接続の信頼性が低
くて、不良品の発生率が高いと言う問題もあった。
【0005】本発明は、これらの問題を解消できるよう
にした半導体装置の構造を提供することを技術的課題と
するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「少なくとも上面に回路素子とこの回
路素子に対する電極パッドとを形成したメインICチッ
プと、少なくとも片面に回路素子とこの回路素子に対す
る電極パッドとを形成したサブICチップとから成り、
前記サブICチップを、前記メインICチップの上面側
に、当該サブICチップにおける回路素子及び電極パッ
ドが前記メインICチップにおける回路素子及び電極パ
ッドの対面するように下向きにして配設し、前記メイン
ICチップにおける電極パッド及びサブICチップにお
ける電極パッドのうち一方の電極パッドにバンプを、他
方の電極パッドに、当該電極パッドを覆うバリアメタル
を設け、更に、前記両ICチップの相互間を、その間に
介挿した導電粒子混入の接着フィルムにて、前記バンプ
が当該接着フィルムを圧縮変形するようにして接着す
る。」と言う構成にした。
【0007】
【発明の作用・効果】このように構成することにより、
両ICチップを、その間に介挿した接着フィルムにて強
固に一体化することができる一方、前記接着フィルム
を、一方の電極パッドに設けたバンプにて圧縮変形する
ことにより、この接着フィルムに混入されている導電粒
子が、このバンプと、他方の電極パッドの表面に形成さ
れているバリアメタルとの間に挟まれることになって、
この導電粒子及びバリアメタルを介して前記一方の電極
パッドに設けたバンプと他方の電極パッドとを互いに容
易に電気的に導通することになるから、両ICチップの
押圧力をさほど強くすることなく、電気的に確実に接続
することができるのである。
【0008】しかも、前記一方の電極パッドに設けたバ
ンプが他方の電極パッドに対してダメージを及ぼすこと
を、この他方の電極パッドの表面に形成されているバリ
アメタルによって確実に低減できるのである。従って、
本発明によると、メインICチップとサブICチップと
を、その間に接着フィルムを介挿したのち押圧するだけ
で、その相互間を電気的に接続した状態で簡単に一体化
することができる一方、その相互間に電気的な接続に際
して、電極パッドに対して及ぼすダメージが小さいと共
に、電気的接続の信頼性を高くて、不良品の発生率が低
いから、前記一体化が簡単にできることと相俟って、製
造コストを大幅に低減できる効果を有する。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、一
つのパッケージ体にて二つのICチップを密封した形式
の半導体装置に適用した場合の図面(図1〜図8)につ
いて説明する。この図において、符号1は、矩形状のチ
ップマウント部1aと、このチップマウント部1aにお
ける四つの各辺から外向きに延びる複数本のリード端子
1bとを備えたリードフレームを示す。
【0010】また、符号2は、前記リードフレーム1に
おけるチップマウント部1aに対してダイボンディング
されるメインICチップを示し、このメインICチップ
2の上面には、図示しない能動素子又は受動素子等のよ
うな回路素子の多数個が形成されている共に、その周囲
にワイヤボンディング用電極パッド2aの多数個が、そ
の内側に後述するサブICチップ3に対する接続用の電
極パッド2bの多数個が形成されている。
【0011】この場合において、前記メインICチップ
2の上面には、図3に示すように、当該上面に形成され
ている各種の回路素子を覆う保護膜2cが、前記各電極
パッド2bの部分に開口部を設け形成され、更に、前記
各電極パッド2bの部分には、バリアメタル2eが、当
該電極パッド2bのうち前記保護膜2cにおける開口部
内の部分及び前記保護膜2cのうち開口部の周囲縁の部
分を覆うように形成されている。なお、このバリアメタ
ル2eは、例えば、チタンを下層としタングステンを上
層とするか、クロムを下層とし銀を上層とする二層構造
に構成されている。
【0012】更にまた、符号3は、前記メインICチッ
プ2の上面に一体化されるサブICチップを示し、この
サブICチップ3における表裏両面のうち少なくとも片
面には、前記メインICチップ2と同様に図示しない能
動素子又は受動素子等のような回路素子の多数個が形成
されている共に、前記メインICチップ2における各電
極パッド2bの各々に対応する箇所ごとに接続用の電極
パッド3aが形成されている。
【0013】そして、前記サブICチップ3を、前記メ
インICチップ2に対して、これらにおける電極パッド
2b,3bの相互間を電気的に接続した状態で一体化す
るに際しては、前記サブICチップ3における各電極パ
ッド3aの各々に、金又は半田等によるバンプ3bを設
けるのである。次いで、前記サブICチップ3を、その
回路素子、電極パッド3a及びバンプ3bを形成した片
面を下向きにして、前記メインICチップ2の上面側に
配設し、その間に導電粒子を混入した接着フィルム4を
介挿したのち、前記サブICチップ3を、メインICチ
ップ2に向かって、その間における前記接着フィルム4
を、図5に示すように、各バンプ3bにより圧縮変形す
るように押圧し、この押圧を保持した状態で、加熱等に
て前記接着フィルム4を乾燥・硬化することにより、前
記サブICチップ3を、メインICチップ2に対して、
その間に介挿した接着フィルム4により確実に且つ強固
に一体化できるのである。
【0014】また、前記サブICチップ3における各バ
ンプ3bが、前記接着フィルム4を圧縮変形することに
より、この接着フィルム4に混入されている導電粒子
が、この各バンプ3bと、メインICチップ2における
各電極パッド2bの表面に形成したバリアメタル2eと
の間に挟まれることにより、サブICチップ3における
各電極パッド3aと、メインICチップ2における各電
極パッド2bとの相互間を電気的に接続することができ
るのであり、前記した押圧のときにおいて、サブICチ
ップ3における各電極パッド3aに設けたバンプ3b
が、メインICチップ2における各電極パッド2bに対
してダメージを及ぼすことを、この各電極パッド2bの
表面に形成されているバリアメタル2dによって確実に
低減できるのである。
【0015】この場合において、図示のように、メイン
ICチップ2の上面における保護膜2cを、各電極パッ
ド2bの上面の一部に開口部を設けて形成する一方、バ
リアメタル2dを、電極パッド2bのうち前記保護膜2
cにおける開口部内の部分及び前記保護膜2cのうち開
口部の周囲縁の部分を覆うように形成することにより、
このバリアメタル2dの上面には、前記バンプ3bが嵌
まる凹所が形成されることになる。
【0016】これにより、前記接着フィルム4がバンプ
3bによって圧縮変形するときに、この接着フィルム4
に混入した導電粒子が前記バンプ3bとバリアメタル2
dとの間から横方向に逃げるのを、前記バリアメタル2
dの上面に形成される凹所にて阻止でき、換言すると、
前記バリアメタル2dの上面における凹所内に、多くの
導電粒子を確保することができるから、前記接着フィル
ム4への導電粒子の混入量を多くすることなく、電気的
接続の確実性を向上できるのである。
【0017】このようにして、メインICチップ2に対
してサブICチップ3を一体化すると、このメインIC
チップ2を、図6に示すように、前記リードフレーム1
におけるチップマウント部1aに対してダイボンディン
グシ、次いで、このメインICチップ2における各ワイ
ヤボンディング用電極パッド2aと、リードフレーム1
における各リード端子1bとの間を、細い金属線5によ
るワイヤボンディングにて電気的に接続したのち、これ
らの全体を、図7に示すように、合成樹脂製のパッケー
ジ体6にて密封し、次いで、図8に示すように、リード
フレーム1から切り離したのち、各リード端子1bのう
ちパッケージ体6から突出する部分を、パッケージ体6
の下面の同一平面状に折り曲げることにより、密封型半
導体装置の完成品とするのである。
【0018】なお、前記の説明は、バンプ3bを、サブ
ICチップ3における各電極パッド3aに設けて、この
バンプ3bを、メインICチップ2における各電極パッ
ド2bに設けたバリアメタル2dに対して電気的に接続
する場合を示したが、これに代えて、バンプを、メイン
ICチップ2における各電極パッド2bに設けて、この
バンプを、サブICチップ3における各電極パッド3a
に設けたバリアメタルに対して電気的に接続するように
構成にしても良く、また、本発明は、前記のように、メ
インICチップ2に対して一つのサブICチップ3を一
体化することに限らず、メインICチップ2に対して二
つのサブICチップ3を一体化する場合にも適用できる
ことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す分解斜視図である。
【図2】図1の縦断正面図である。
【図3】図2の要部拡大図である。
【図4】サブICチップをメインICチップに対して一
体化した状態を示す縦断正面図である。
【図5】図4の要部拡大図である。
【図6】リードフレームに対してマウントした状態を示
す縦断正面図である。
【図7】全体をパッケージ体に密封した状態を示す縦断
正面図である。
【図8】半導体装置の縦断正面図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム 1a チップマウント部 1b リード端子 2 メインICチップ 2b 電極パッド 2c 保護膜 2d バリアメタル 3 サブICチップ 3a 電極パッド 3b バンプ 4 接着フィルム 5 金属線 6 パッケージ体

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも上面に回路素子とこの回路素子
    に対する電極パッドとを形成したメインICチップと、
    少なくとも片面に回路素子とこの回路素子に対する電極
    パッドとを形成したサブICチップとから成り、前記サ
    ブICチップを、前記メインICチップの上面側に、当
    該サブICチップにおける回路素子及び電極パッドが前
    記メインICチップにおける回路素子及び電極パッドの
    対面するように下向きにして配設し、前記メインICチ
    ップにおける電極パッド及びサブICチップにおける電
    極パッドのうち一方の電極パッドにバンプを、他方の電
    極パッドに、当該電極パッドを覆うバリアメタルを設
    け、更に、前記両ICチップの相互間を、その間に介挿
    した導電粒子混入の接着フィルムにて、前記バンプが当
    該接着フィルムを圧縮変形するようにして接着したこと
    を特徴とする複数のICチップを備えた半導体装置の構
    造。
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CN108431055A (zh) * 2015-12-17 2018-08-21 3M创新有限公司 含胺聚合物、其分散体以及制备和使用它们的方法

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