JPH118275A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

Info

Publication number
JPH118275A
JPH118275A JP9156669A JP15666997A JPH118275A JP H118275 A JPH118275 A JP H118275A JP 9156669 A JP9156669 A JP 9156669A JP 15666997 A JP15666997 A JP 15666997A JP H118275 A JPH118275 A JP H118275A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
sealing resin
electronic component
grooves
wiring pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9156669A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2947225B2 (en
Inventor
Hiroto Uematsu
浩人 植松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP9156669A priority Critical patent/JP2947225B2/en
Publication of JPH118275A publication Critical patent/JPH118275A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2947225B2 publication Critical patent/JP2947225B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability finely without decreasing productivity, for example, through laser machining by using the laser machining technique in a process for providing a groove for controlling a resin application range on the opposite surface of a wiring pattern formation surface. SOLUTION: Grooves 13 for stopping the flow of sealing resin 26 are provided on the opposite surface of the formation surface of a wiring pattern and a concrete lead 12 in a tape substrate 11. The grooves 13 can be utilized for stopping the flow of the sealing resin 26. However, the grooves 13 being located inside are used for stopping the flow of the sealing resin, the groove 13 being located at an inner side is utilized as the appearance standard of a resin flow region in a sealing resin application process, namely as the acceptance criterion for inspecting a sealing resin application range, thus improving reliability. Also, when the grooves 13 are formed, a laser machining technique is used. A fine groove can be machined extremely easily in laser machining technique, so that the lowering of productivity can be made.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、半導体チップのような電子部品をテ
ープ基板に搭載して電気的に接続した後、接続部分の樹
脂封止を行う半導体装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device in which electronic parts such as semiconductor chips are mounted on a tape substrate and electrically connected to each other, and then a connection portion is sealed with a resin. The present invention relates to a device manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】移動体通信機器などの民生用電子機器は
小型軽量が追求され、低価格にて市場に提供されてい
る。したがってその内部に実装される半導体装置は小型
化・薄型化とともに経済性も厳しく要求される。
2. Description of the Related Art Consumer electronic devices, such as mobile communication devices, have been pursued to be smaller and lighter and have been offered to the market at lower prices. Therefore, the semiconductor device mounted inside the semiconductor device is required to be compact and thin, and also strictly economical.

【0003】高機能を提供するICやLSIは、高集積
多ピン化のため、例えば図3に示すように、キャリアテ
ープ(テーブ基板)31に印刷などで設けられる配線パ
ターンのコンタクトリード34と半導体チップ33の電
極を、バンプ32を介して接合するTAB(Tape
Automated bonding)技術を追求し
て、小型・薄型化に対応している。
As shown in FIG. 3, for example, as shown in FIG. 3, an IC or an LSI providing a high function is provided with a contact lead 34 having a wiring pattern provided on a carrier tape (tape substrate) 31 by printing or the like. TAB (Tape) for joining the electrodes of the chip 33 through the bumps 32
In pursuit of Automated Bonding technology, it is compatible with miniaturization and thinning.

【0004】その場合、保護や信頼性向上を図るため半
導体チップ33をテープ基板31のコンタクトリード3
4に対しバンプ32を介して接続した部分を封止樹脂3
5により密封する、いわゆるTCP(Tape Car
rier Package)技術を多用している。
In this case, the semiconductor chip 33 is connected to the contact leads 3 of the tape substrate 31 in order to improve protection and reliability.
4 is connected to the sealing resin 3 via the bump 32.
5, so-called TCP (Tape Car)
(Rier Package) technology.

【0005】ところで、封止樹脂35は、一般にテープ
基板31の配線パターンの反対面側(図3において下面
側)から樹脂を塗布するフェイスダウン方式が採られて
いるが、その場合の樹脂の塗布範囲を正確に制御するの
が困難なため、そのバラツキにより実装時に支障をきた
す不具合が生じることがあった。
The sealing resin 35 is generally of a face-down type in which a resin is applied from the side opposite to the wiring pattern of the tape substrate 31 (the lower side in FIG. 3). Since it is difficult to accurately control the range, there is a case in which the variation causes a problem that hinders the mounting.

【0006】この点の対策として、例えば特開平8−9
7535号公報に示す電子部品搭載装置では、長尺状プ
リント配線板用基材に対し、その基材に設けた電子部品
収納部及びボンディングホールを取り囲むように封止樹
脂流れ止め枠を形成した技術が提案されている。ここで
の封止樹脂流れ止め枠は、基材表面にインク(シリコン
系樹脂インク等)をスクリーン印刷やパッド印刷により
形成することにより、生産性の向上を図り、さらに枠の
内面をジグザグな面にして封止樹脂の流れ止め効果を上
げるように配慮している。
As a countermeasure against this point, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No.
In the electronic component mounting apparatus disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 7535, a technology is adopted in which a sealing resin flow stop frame is formed on a long printed wiring board base material so as to surround an electronic component storage portion and a bonding hole provided on the base material. Has been proposed. The sealing resin flow stop frame here is formed by screen printing or pad printing of ink (silicone resin ink, etc.) on the surface of the base material, thereby improving productivity, and furthermore, the inner surface of the frame has a zigzag surface. In this case, the sealing resin is prevented from flowing.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、上述
したような従来の技術によって封止樹脂流れ止め枠を形
成した場合、作業工程が複雑になることである。その理
由は、半導体装置の製造工程において、インク(樹脂)
のスクリーン印刷もしくはパッド印刷といった手間のか
かる余分な工程が増えてしまうからである。
The first problem is that when the sealing resin flow stopping frame is formed by the above-mentioned conventional technique, the working process becomes complicated. The reason is that in the manufacturing process of semiconductor devices, ink (resin)
This is because an extra step such as screen printing or pad printing which is troublesome increases.

【0008】第2の問題点は、こうしたスクリーン印刷
やパッド印刷によって封止樹脂流れ止め枠を形成した場
合、その微細加工が困難なことである。確かに、特開平
8−97535号公報に記載のように、パッド印刷では
スクリーン印刷に比べて微細加工ができるものの、昨今
の超小型、薄型化、並びに大規模集積多ピン化に対応す
るには十分でない。
A second problem is that when the sealing resin flow preventing frame is formed by such screen printing or pad printing, it is difficult to perform fine processing. Certainly, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-97535, although finer processing can be performed by pad printing than screen printing, it is necessary to respond to recent ultra-small, thin, and large-scale integrated multi-pin devices. not enough.

【0009】第3の問題点は、従来の封止樹脂流れ止め
枠は、基材の表面から突出させて設けるようにしている
ため、例えば超微細加工が可能なレーザ加工技術やエッ
チング技術を効果的に利用できないという問題である。
The third problem is that, since the conventional sealing resin flow stopping frame is provided so as to protrude from the surface of the base material, for example, laser processing technology or etching technology capable of ultra-fine processing is effective. It is a problem that it cannot be used.

【0010】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、封止樹脂流れ止め枠を溝の形態とする考え
方を採用することによって、レーザ加工等を用いて微細
に、かつ生産性を低下させることなく形成することがで
き、また、溝を周囲に複数形成することによって、封止
樹脂塗布工程の際の樹脂流れ領域の外観基準に、即ち、
封止樹脂塗布範囲検査用の合否基準に利用して、信頼性
の向上を図ることができる技術を提供しようとするもの
である。
[0010] The present invention has been made in consideration of the above points, and adopts the concept of forming the sealing resin flow stopping frame in the form of a groove, so that it can be finely formed by laser processing or the like. It can be formed without lowering the productivity, and by forming a plurality of grooves around, the appearance standard of the resin flow area at the time of the sealing resin application step, that is,
An object of the present invention is to provide a technique that can be used as a pass / fail criterion for inspection of a sealing resin application range to improve reliability.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、配線パターン及び電子部品とのコンタ
クトリードを有するテープ基板に電子部品を搭載して電
気的に接続した後、少なくともその接続部分を含む形態
で配線パターン形成面の反対面側から樹脂を塗布して封
止する半導体装置の製造方法であって、配線パターン形
成面の反対面に、樹脂塗布範囲を制御するための溝を設
ける工程を含み、その溝を設ける工程ではレーザ加工技
術を用いる方法とした。その場合、電子部品に対して製
造履歴等を識別するための捺印をレーザ加工によって行
う捺印工程があり、その捺印工程の中で前記溝を形成す
る工程を行うこともできる。また、捺印工程で用いるレ
ーザ加工装置によって溝を形成することもできる。ま
た、溝は電子部品の周囲を囲み、封止樹脂を塗布すべき
範囲の外側に位置させるのが好適である。また、溝を複
数設けることもできる。また、複数の溝のうち、封止樹
脂塗布範囲の外側に位置する第1番目の溝を封止樹脂流
れ止め用の溝に利用し、その溝よりもさらに外側に位置
する溝を、封止樹脂塗布範囲検査用の合否基準に利用す
ることもできる。また、電子部品には半導体チップを用
いるのが好適である。一方、本発明では、配線パターン
及び電子部品とのコンタクトリードを有するテープ基板
に電子部品を搭載して電気的に接続した後、少なくとも
その接続部分を含む形態で配線パターン形成面の反対面
側から樹脂を塗布して封止する半導体装置の製造方法で
あって、配線パターン形成面の反対面に、樹脂塗布範囲
を制御するための溝を設ける工程を含み、その溝を設け
る工程ではハーフエッチング技術を用いる方法を採用す
るこもできる。その場合も、溝を封止樹脂塗布範囲の外
側に複数設けることもできる。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, an electronic component is mounted on a tape substrate having a wiring pattern and a contact lead for the electronic component, and is electrically connected to the tape substrate. A method for manufacturing a semiconductor device in which a resin is applied from the opposite side of a wiring pattern forming surface and sealed in a form including a portion, and a groove for controlling a resin application range is formed on the opposite side of the wiring pattern forming surface. The step of providing the groove includes a step of using a laser processing technique. In this case, there is a marking step of performing a marking on the electronic component for identifying a manufacturing history or the like by laser processing, and the step of forming the groove may be performed in the marking step. Also, the grooves can be formed by a laser processing device used in the stamping process. Further, it is preferable that the groove surrounds the periphery of the electronic component and is located outside a range where the sealing resin is to be applied. Also, a plurality of grooves can be provided. Further, of the plurality of grooves, the first groove located outside the sealing resin application range is used as a groove for stopping the flow of the sealing resin, and the groove located further outside the groove is sealed. It can also be used as a pass / fail criterion for resin application range inspection. It is preferable to use a semiconductor chip for the electronic component. On the other hand, in the present invention, after the electronic component is mounted on the tape substrate having the wiring pattern and the contact lead with the electronic component and electrically connected thereto, at least the connection portion is included in the tape substrate from the side opposite to the wiring pattern forming surface. A method for manufacturing a semiconductor device in which a resin is applied and sealed, the method including a step of providing a groove for controlling a resin application range on a surface opposite to a wiring pattern forming surface, wherein the step of providing the groove includes a half-etching technique. May be employed. Also in this case, a plurality of grooves can be provided outside the sealing resin application range.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図1及び図2を参照して詳細に説明する。図1
は電子部品を搭載したテープ基板の平面図であり、図2
はその断面図である。これらの図において、11がテー
プ基板、12がコンタクトリードであり、そのコンタク
トリード12に対して電子部品(半導体チップ)14表
面の電極部分をバンプ23を介して電気的に接続してい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to FIGS. FIG.
FIG. 2 is a plan view of a tape substrate on which electronic components are mounted, and FIG.
Is a sectional view thereof. In these figures, 11 is a tape substrate, 12 is a contact lead, and an electrode part on the surface of an electronic component (semiconductor chip) 14 is electrically connected to the contact lead 12 via a bump 23.

【0013】テープ基板11における配線パターン(複
雑化を避けるため図示せず)及びコンタクトリード12
の形成面の反対面に対し、封止樹脂26の流れ止め用の
溝13を設けている。この溝13は、電子部品14の周
囲を取り囲むような形態で複数(図では内外に間隔をお
いて2つ)設けている。これらの溝13は、予め設定し
た封止樹脂塗布範囲の外側に位置するように配慮してい
る。
A wiring pattern (not shown to avoid complication) on the tape substrate 11 and a contact lead 12
The groove 13 for stopping the flow of the sealing resin 26 is provided on the surface opposite to the surface on which is formed. The plurality of grooves 13 are provided in a form surrounding the periphery of the electronic component 14 (two in FIG. 2 at intervals inside and outside). Care is taken that these grooves 13 are located outside the preset sealing resin application range.

【0014】これらの溝13は何れも封止樹脂26の流
れ止め用として利用できるが、本実施の形態では内側に
位置する溝13を封止樹脂流れ止め用として用い、それ
よりも外側に位置する溝13を封止樹脂塗布工程の際の
樹脂流れ領域の外観基準に、即ち、封止樹脂塗布範囲検
査用の合否基準に利用して、信頼性の向上を図ることが
できるように配慮している。15はスプロケットホール
である。
Although all of these grooves 13 can be used for stopping the flow of the sealing resin 26, in the present embodiment, the grooves 13 located inside are used for stopping the flow of the sealing resin, and The groove 13 to be used is used as an external standard of the resin flow region in the encapsulating resin application step, that is, a pass / fail standard for inspection of the encapsulating resin application range, so that the reliability can be improved. ing. Reference numeral 15 denotes a sprocket hole.

【0015】本実施の形態では、溝13を形成する場合
に、レーザ加工技術を用いて行うようにしている。レー
ザ加工技術では微細な溝の加工は極めて容易に行うこと
ができるし、それによって生産性を低下させることもな
いからである。
In the present embodiment, the groove 13 is formed by using a laser processing technique. This is because the processing of fine grooves can be performed extremely easily by the laser processing technique, and the productivity is not reduced thereby.

【0016】生産性を低下させないようにするという観
点からすれば、次のようなレーザ加工工程を採るのがさ
らに好ましい。それは、こうした半導体装置の製造工程
においては、樹脂封止工程を行う前に、例えば電子部品
14の表面に、製造履歴等を識別するためのロッド番号
や製品名などの捺印がレーザ加工によって行われる。し
たがって、このときのレーザ捺印工程にて、溝13も同
時にレーザ加工することにより、生産性を低下させない
ようにすることができる。
From the viewpoint of not lowering the productivity, it is more preferable to adopt the following laser processing step. That is, in the manufacturing process of such a semiconductor device, before performing the resin sealing process, for example, a stamp such as a rod number or a product name for identifying a manufacturing history or the like is performed on the surface of the electronic component 14 by laser processing. . Therefore, in the laser stamping process at this time, the grooves 13 are also laser-processed at the same time, so that the productivity can be prevented from lowering.

【0017】溝13をレーザ加工する際に用いるレーザ
加工装置としては、専用のものを配置して使用してもよ
いし、レーザ捺印工程で用いるものを使用してもよい。
専用のものを使用すれば、レーザ捺印工程と同時に行え
るので、それだけ生産性向上を図ることができる。他
方、レーザ捺印工程で用いるものを使用すれば、レーザ
加工装置を兼用できるので、設備費用の点で有利であ
る。
As a laser processing device used for laser processing the groove 13, a dedicated laser processing device may be arranged and used, or a laser processing device used in a laser stamping process may be used.
If a special one is used, it can be performed at the same time as the laser marking process, so that productivity can be improved accordingly. On the other hand, if the laser processing step is used, the laser processing apparatus can also be used, which is advantageous in terms of equipment costs.

【0018】溝13の深さについては、樹脂の流れ止め
機能の点からすれば深いほど良い。しかし、この溝13
は一周する溝となるので、テープ基板11の強度にも配
慮しなければならない。これらの点を考慮した場合、テ
ープ基板11の厚さにもよるが、厚さの半分以下とする
のが好ましい。そうすることで、溝13の機能とテープ
基板11の強度の両方に配慮することができる。
The depth of the groove 13 is preferably as deep as possible from the viewpoint of the resin flow stopping function. However, this groove 13
Is a groove that goes around, so that the strength of the tape substrate 11 must be considered. In consideration of these points, it is preferable that the thickness be equal to or less than half the thickness, though it depends on the thickness of the tape substrate 11. By doing so, both the function of the groove 13 and the strength of the tape substrate 11 can be considered.

【0019】この溝13を形成する方法に関しては、レ
ーザ加工の他、例えばハーフエッチング技術を利用して
形成することもできる。その場合、テープ基板11に配
線パターンやコンタクトリード12等を形成する製造工
程において溝13を形成するようにすれば、それほど生
産性を低下させることもない。
Regarding the method of forming the groove 13, besides laser processing, it can be formed by using, for example, a half etching technique. In this case, if the grooves 13 are formed in the manufacturing process for forming the wiring patterns, the contact leads 12, and the like on the tape substrate 11, the productivity does not decrease so much.

【0020】本実施の形態によれば、封止樹脂26を塗
布した際に、予め設定した封止樹脂塗布範囲外に流れ出
た樹脂が、図2に示すように溝13内に入り込み、そこ
で、流れ止めされる。そして、この図2に示す状態の封
止樹脂26は、内側に位置する溝13で止まっており、
外側に位置する溝13内に入り込んでいないから、この
状態にあるとき、外観基準として良品と判断する方法を
採用することができる。勿論、外側の溝13の状態を例
えば光学的に判別する検査装置などを用いる合否基準に
利用することもできる。
According to the present embodiment, when the sealing resin 26 is applied, the resin flowing out of the preset sealing resin application range enters the groove 13 as shown in FIG. It is stopped. The sealing resin 26 in the state shown in FIG. 2 is stopped by the groove 13 located inside,
Since it does not enter the groove 13 located on the outside, in this state, it is possible to adopt a method of judging a good product as an appearance standard. Of course, it can also be used as a pass / fail criterion using an inspection device or the like that optically determines the state of the outer groove 13.

【0021】なお、溝13の他の働きとして、図2に示
すように、テープ基板11の表面と封止樹脂26との境
界部分がテープ基板11の表面から隆起しない形態とな
るので、剥離しにくい接着形状にすることができる。こ
の点からも溝13とするのが大変有効である。
As another function of the groove 13, as shown in FIG. 2, the boundary between the surface of the tape substrate 11 and the sealing resin 26 does not protrude from the surface of the tape substrate 11. It is possible to form a difficult bonding shape. From this point, it is very effective to use the groove 13.

【0022】この溝13は、3つ以上設けてもよいし、
蛇行するような形状、ジグザグ状など溝の数や形状等に
ついては問わない。
The number of the grooves 13 may be three or more.
The number and shape of the grooves, such as a meandering shape and a zigzag shape, do not matter.

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、封止樹
脂流れ止め枠を溝の形態とすることによって、レーザ加
工等を用いて微細に、かつ生産性を低下させることなく
形成することができ、また、溝を周囲に複数形成するこ
とによって、封止樹脂塗布工程の際の樹脂流れ領域の外
観基準に、即ち、封止樹脂塗布範囲検査用の合否基準に
利用して、信頼性の向上を図ることができる。
As described above, according to the present invention, by forming the sealing resin flow stopping frame in the form of a groove, it can be formed finely by laser processing or the like without lowering the productivity. In addition, by forming a plurality of grooves around the periphery, it can be used as a reference for the appearance of the resin flow area at the time of the sealing resin application step, that is, used as a pass / fail criterion for inspection of the sealing resin application range, and Performance can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図3】従来の封止樹脂流れ止め枠を示す断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional sealing resin flow stopping frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 テープ基板 12 コンタクトリード 13 封止樹脂流れ止め用の溝 14 電子部品(半導体チップ) 15 スプロケットホール 23 バンプ 26 封止樹脂 31 テープ基板 32 バンプ 33 電子部品(半導体チップ) 34 コンタクトリード 35 封止樹脂 REFERENCE SIGNS LIST 11 tape substrate 12 contact lead 13 groove for preventing sealing resin from flowing 14 electronic component (semiconductor chip) 15 sprocket hole 23 bump 26 sealing resin 31 tape substrate 32 bump 33 electronic component (semiconductor chip) 34 contact lead 35 sealing resin

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 配線パターン及び電子部品とのコンタク
トリードを有するテープ基板に電子部品を搭載して電気
的に接続した後、少なくともその接続部分を含む形態で
配線パターン形成面の反対面側から樹脂を塗布して封止
する半導体装置の製造方法であって、前記配線パターン
形成面の反対面に、樹脂塗布範囲を制御するための溝を
設ける工程を含み、その溝を設ける工程ではレーザ加工
技術を用いることを特徴とする、半導体装置の製造方
法。
After mounting an electronic component on a tape substrate having a wiring pattern and a contact lead to the electronic component and electrically connecting the component, a resin including at least the connection portion from a side opposite to a wiring pattern forming surface is formed of a resin. A method for manufacturing a semiconductor device, in which a groove for controlling a resin application range is provided on a surface opposite to the surface on which the wiring pattern is formed, wherein the groove is provided by a laser processing technique. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
【請求項2】 前記電子部品に対して製造履歴等を識別
するための捺印をレーザ加工によって行う捺印工程があ
り、その捺印工程の中で前記溝を形成する工程を行うこ
とを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方
法。
2. A marking process for performing a marking for identifying a manufacturing history or the like on the electronic component by laser processing, wherein a step of forming the groove is performed in the marking process. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
【請求項3】 前記捺印工程で用いるレーザ加工装置に
よって前記溝を形成することを特徴とする、請求項2に
記載の半導体装置の製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the groove is formed by a laser processing device used in the stamping step.
【請求項4】 前記溝は電子部品の周囲を囲み、封止樹
脂を塗布すべき範囲の外側に位置していることを特徴と
する、請求項1〜3に記載の半導体装置の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein the groove surrounds the periphery of the electronic component and is located outside a range in which a sealing resin is to be applied.
【請求項5】 前記溝を複数設けることを特徴とする、
請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein a plurality of the grooves are provided.
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4.
【請求項6】 前記複数の溝のうち、封止樹脂塗布範囲
の外側に位置する第1番目の溝を封止樹脂流れ止め用の
溝に利用し、その溝よりもさらに外側に位置する溝を、
封止樹脂塗布範囲検査用の合否基準に利用することを特
徴とする、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
6. A groove located outside the sealing resin application range among the plurality of grooves, which is used as a groove for stopping the flow of the sealing resin, and a groove located further outside the groove. To
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the method is used as a pass / fail criterion for inspection of a sealing resin application range.
【請求項7】 前記電子部品が半導体チップであること
を特徴とする、請求項1〜6に記載の半導体装置の製造
方法。
7. The method according to claim 1, wherein the electronic component is a semiconductor chip.
【請求項8】 配線パターン及び電子部品とのコンタク
トリードを有するテープ基板に電子部品を搭載して電気
的に接続した後、少なくともその接続部分を含む形態で
配線パターン形成面の反対面側から樹脂を塗布して封止
する半導体装置の製造方法であって、前記配線パターン
形成面の反対面に、樹脂塗布範囲を制御するための溝を
設ける工程を含み、その溝を設ける工程ではハーフエッ
チング技術を用いることを特徴とする、半導体装置の製
造方法。
8. After mounting an electronic component on a tape substrate having a wiring pattern and a contact lead for the electronic component and electrically connecting the electronic component to the tape substrate, a resin including at least the connection portion is formed from a side opposite to the wiring pattern forming surface. A step of providing a groove for controlling a resin application range on a surface opposite to the wiring pattern forming surface, wherein the step of providing the groove includes a half-etching technique. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
【請求項9】 前記溝を封止樹脂塗布範囲の外側に複数
設けることを特徴とする、請求項8に記載の半導体装置
の製造方法。
9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein a plurality of the grooves are provided outside a sealing resin application range.
JP9156669A 1997-06-13 1997-06-13 Method for manufacturing semiconductor device Expired - Lifetime JP2947225B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9156669A JP2947225B2 (en) 1997-06-13 1997-06-13 Method for manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9156669A JP2947225B2 (en) 1997-06-13 1997-06-13 Method for manufacturing semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH118275A true JPH118275A (en) 1999-01-12
JP2947225B2 JP2947225B2 (en) 1999-09-13

Family

ID=15632725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9156669A Expired - Lifetime JP2947225B2 (en) 1997-06-13 1997-06-13 Method for manufacturing semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2947225B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001088979A3 (en) * 2000-05-17 2002-06-20 Infineon Technologies Ag Semi-conductor component and method for the production thereof
EP1170793A3 (en) * 2000-07-07 2004-03-03 Infineon Technologies AG Support matrix with a bonding channel for an integrated circuit and manufacturing method thereof
JP2019062064A (en) * 2017-09-26 2019-04-18 カシオ計算機株式会社 Circuit board, electronic apparatus, and manufacturing method of circuit board

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001088979A3 (en) * 2000-05-17 2002-06-20 Infineon Technologies Ag Semi-conductor component and method for the production thereof
EP1170793A3 (en) * 2000-07-07 2004-03-03 Infineon Technologies AG Support matrix with a bonding channel for an integrated circuit and manufacturing method thereof
US6979887B2 (en) 2000-07-07 2005-12-27 Infineon Technologies Ag Support matrix with bonding channel for integrated semiconductors, and method for producing it
JP2019062064A (en) * 2017-09-26 2019-04-18 カシオ計算機株式会社 Circuit board, electronic apparatus, and manufacturing method of circuit board

Also Published As

Publication number Publication date
JP2947225B2 (en) 1999-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7521294B2 (en) Lead frame for semiconductor package
US5824569A (en) Semiconductor device having ball-bonded pads
US20050026323A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
KR20030051222A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2001044324A (en) Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof
JPH0729934A (en) Semiconductor structure with bump
JP2852178B2 (en) Film carrier tape
JPH08293529A (en) Semiconductor device, manufacture thereof and electronic device using thereof
JP2947225B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR20000006433A (en) Process for producing bga type semiconductor device, tab tape for bga type semiconductor device, and bga type semiconductor device
JP2002184927A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JPH07226418A (en) Chip carrier semiconductor device and its manufacture
JPH0936275A (en) Manufacture of surface mount semiconductor device
JP3157249B2 (en) Semiconductor device package and mounting method
JP2001267452A (en) Semiconductor device
US6278183B1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JPH07249707A (en) Semiconductor package
JPS59152656A (en) Semiconductor device
JPH03265148A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPH10340923A (en) Method for connecting semiconductor device
KR0147156B1 (en) Film-on-chip package and the manufacturing method thereof
JPH0855879A (en) Tape for tab and manufacture of semiconductor device using tape for tab
JPH02198147A (en) Ic package
JP2004200719A (en) Semiconductor device
JPH08112686A (en) Laser beam processing method, production of lead frame and lead frame