JPH0936275A - Manufacture of surface mount semiconductor device - Google Patents

Manufacture of surface mount semiconductor device

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Publication number
JPH0936275A
JPH0936275A JP7185497A JP18549795A JPH0936275A JP H0936275 A JPH0936275 A JP H0936275A JP 7185497 A JP7185497 A JP 7185497A JP 18549795 A JP18549795 A JP 18549795A JP H0936275 A JPH0936275 A JP H0936275A
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JP
Japan
Prior art keywords
wiring pattern
tab
bga
tab tape
manufacturing
Prior art date
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Application number
JP7185497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masashi Otsuka
雅司 大塚
Kimihiro Ikebe
公弘 池部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP7185497A priority Critical patent/JPH0936275A/en
Publication of JPH0936275A publication Critical patent/JPH0936275A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a TAB-BGA using a single- layer TAB tape which can easily cope with the increase of pins without increasing the number of processes and can reduce the manufacturing cost of the TAB-BGA. SOLUTION: A surface mount semiconductor device manufacturing method is composed, for example, of a process for simultaneously forming both device holes 13 and pad holes 17 by punching a base film 14 upon receiving the film 14, a process for forming a wiring pattern 16 on the upper surface of the film 14, a process for connecting one end of the pattern 16 to each electrode pad of a semiconductor chip 11, and a process for connecting the other end of the pattern 16 to each solder ball 18 fitted to the lower surface of the film 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、たとえばパッケ
ージの片面に格子状に配置された半田ボールによって基
板上に実装される表面実装型半導体装置の製造方法に関
するもので、特にTAB(Tape Automated Bonding)テ
ープ接続方式のBGA(Ball Grid Array)の製造に用
いられるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a surface mount type semiconductor device mounted on a substrate by solder balls arranged in a grid on one surface of a package, and more particularly to TAB (Tape Automated Bonding). It is used for manufacturing a tape-connected BGA (Ball Grid Array).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、フラットタイプのパッケージとし
ては、たとえばQFP(Quad Flat Package )が最も一
般的である。このQFPは、ファインピッチでのリード
の形成の難しさなどから、リード間ピッチは0.3mm
で、リード数は300前後が限界といわれている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a QFP (Quad Flat Package) is most popular as a flat type package. This QFP has a lead-to-lead pitch of 0.3 mm due to difficulty in forming fine-pitch leads.
The number of leads is said to be around 300.

【0003】また、リードフレームの代わりに、ファイ
ンピッチでのリードの形成が可能なTABテープを用い
たTCP(Tape Carrier Package)がある。このTCP
は、他の部品との一括リフローが困難なため、市場の大
きな拡大は望めない。
Further, there is a TCP (Tape Carrier Package) using a TAB tape capable of forming leads at a fine pitch instead of the lead frame. This TCP
Is difficult to batch reflow with other parts, so we cannot expect a large expansion of the market.

【0004】そこで、登場したのがBGAである。BG
Aとは、パッケージの裏面に半田ボールを格子状に配置
した構造で、600程度までの多ピンパッケージが実現
できる。
Then, BGA appeared. BG
A is a structure in which solder balls are arranged in a grid on the back surface of the package, and a multi-pin package up to about 600 can be realized.

【0005】BGAは、当初、プリント基板にチップを
マウントし、ワイヤボンディングした後、モールドした
タイプが多かった。また、最近では、多ピン化に対応す
るため、TABテープを使用した方式のTAB−BGA
も開発されている。
In many BGAs, a chip was initially mounted on a printed board, wire-bonded, and then molded. In addition, recently, in order to cope with the increase in the number of pins, a TAB-BGA using a TAB tape is used.
Has also been developed.

【0006】このように、モールドタイプのBGA(い
わゆる、P−BGA)は、現在でも、主流の一角をなし
ている。しかし、そのピン数は、たかだか100〜20
0ピン程度となっている。これは、チップの接続にワイ
ヤボンディングを用いているためであり、ボンディング
技術の限界によって、300〜600ピンといった多ピ
ン化には対応できないという問題があった。
As described above, the mold type BGA (so-called P-BGA) is still a mainstream corner even now. However, the number of pins is 100 to 20 at most.
It has about 0 pins. This is because wire bonding is used to connect the chips, and there is a problem that the number of pins such as 300 to 600 pins cannot be accommodated due to the limitation of the bonding technique.

【0007】これに対し、TABまたはフリップチップ
技術の場合、多ピン化にも十分に対応できる。図4は、
二層式のTABテープを使用してなる、TAB−BGA
の概略構成を示すものである。
On the other hand, in the case of the TAB or flip chip technology, it is possible to sufficiently cope with the increase in the number of pins. FIG.
TAB-BGA using a double-layer TAB tape
FIG.

【0008】このTAB−BGAは、半導体チップ10
1の電極パッドにTABテープ102上の配線パターン
103の一端が接続され、他端がベースフィルム(ポリ
イミド(PI))104の裏面側にスルーホール105
を介して引き出されている。そして、それぞれの引き出
し位置において、配線パターン103と半田ボール10
6とが個々に接続された構成となっている。
This TAB-BGA is a semiconductor chip 10
One end of the wiring pattern 103 on the TAB tape 102 is connected to the first electrode pad, and the other end is provided with a through hole 105 on the back surface side of the base film (polyimide (PI)) 104.
Have been pulled through. Then, the wiring pattern 103 and the solder ball 10
6 and 6 are individually connected.

【0009】また、半導体チップ101の電極パッドと
配線パターン103との接続面がポッティング樹脂10
7によって封止され、さらに、TABテープ102の表
面側には補強用のスティフナー108が接着されてい
る。
The connecting surface between the electrode pad of the semiconductor chip 101 and the wiring pattern 103 has a potting resin 10.
7, and a stiffener 108 for reinforcement is adhered to the surface side of the TAB tape 102.

【0010】このような構成によれば、配線パターン1
03のファインピッチ化によって、300〜600ピン
といった多ピンにも十分に対応できる。しかしながら、
このTAB−BGAの場合、TABテープ102におけ
るベースフィルム104の表面の配線パターン103
と、裏面の電極部の半田ボール106とをスルーホール
メッキにより接続する構成となっている。すなわち、二
層式のTABテープ102を使用してなるBGAにおい
ては、TABテープ102の製造プロセス上における工
程を著しく複雑なものにするため、非常にコストが高く
なる。
According to such a configuration, the wiring pattern 1
By adopting a fine pitch of 03, it is possible to sufficiently cope with a large number of pins such as 300 to 600 pins. However,
In the case of this TAB-BGA, the wiring pattern 103 on the surface of the base film 104 in the TAB tape 102.
And the solder ball 106 of the electrode portion on the back surface are connected by through hole plating. That is, in the BGA using the two-layer type TAB tape 102, the steps in the manufacturing process of the TAB tape 102 are remarkably complicated, resulting in a very high cost.

【0011】このような問題点を解決するものとして、
一層式のTABテープを使用してなる、TAB−BGA
が発案されている。図5は、一層式のTABテープを使
用してなる、TAB−BGAの概略構成を示すものであ
る。
As a means for solving such a problem,
TAB-BGA using single-layer TAB tape
Has been proposed. FIG. 5 shows a schematic structure of a TAB-BGA using a single-layer TAB tape.

【0012】このTAB−BGAは、半導体チップ20
1の電極パッドにTABテープ202上の配線パターン
203の一端が接続され、他端がベースフィルム204
の裏面側において、半田ボール206と個々に接続され
た構成となっている。
This TAB-BGA is a semiconductor chip 20.
One electrode pad is connected to one end of the wiring pattern 203 on the TAB tape 202, and the other end is connected to the base film 204.
On the back surface side, the solder balls 206 are individually connected.

【0013】また、半導体チップ201の電極パッドと
配線パターン203との接続面がポッティング樹脂20
7によって封止され、さらに、TABテープ202の表
面側には補強用のスティフナー208が接着されてい
る。
The connecting surface between the electrode pad of the semiconductor chip 201 and the wiring pattern 203 has a potting resin 20.
7, and a stiffener 208 for reinforcement is adhered to the surface side of the TAB tape 202.

【0014】このような構成によれば、300〜600
ピンといった多ピンにも十分に対応でき、しかも、安価
な一層式のTABテープ202の使用により低コスト化
が可能となる。
According to this structure, 300 to 600
It is possible to sufficiently cope with a large number of pins such as pins, and further, the cost can be reduced by using the inexpensive single-layer TAB tape 202.

【0015】しかしながら、このTAB−BGAの場
合、TABテープ202上の配線パターン203がベー
スフィルム204の一方面(裏面側)にあるため、ボー
ル取り付け時に配線パターン203を保護する目的で、
ソルダーレジスト209の塗布または印刷が不可欠とな
っている。
However, in the case of this TAB-BGA, since the wiring pattern 203 on the TAB tape 202 is on one surface (back surface side) of the base film 204, in order to protect the wiring pattern 203 when mounting the ball,
Application or printing of the solder resist 209 is indispensable.

【0016】図6は、上記TAB−BGAにおける、T
ABテープ202上の配線パターン203の一例を示す
ものである。この図に示すように、上記ソルダーレジス
ト209は、配線パターン203を確実に覆い、かつ、
半田ボール206が接続されるボールパッド210には
かからないようにしなければならない。なお、図中に
は、上記レジスト209が設けられる領域を破線211
によって示している。
FIG. 6 shows the T in the TAB-BGA.
3 shows an example of a wiring pattern 203 on the AB tape 202. As shown in this figure, the solder resist 209 surely covers the wiring pattern 203, and
The ball pad 210 to which the solder ball 206 is connected must not be touched. In the figure, a region where the resist 209 is provided is indicated by a broken line 211.
Indicated by

【0017】このようなソルダーレジスト209の印刷
の精度を考えると、たとえばボールパッド210のピッ
チを1.27mm、パッド210の径を0.7mmと
し、パッド210間に5本の配線パターン203を通そ
うとするとき、その精度は±60μmとなる。
Considering the printing accuracy of the solder resist 209, for example, the pitch of the ball pads 210 is 1.27 mm, the diameter of the pads 210 is 0.7 mm, and the five wiring patterns 203 are passed between the pads 210. In doing so, the accuracy is ± 60 μm.

【0018】これは、現状のレジスト印刷技術では決し
て不可能ではないが、高等なプロセス技術が必要となる
ため、高価なものとなり、当初の低コストという目的を
果たすことができなくなる。
This is not impossible by the current resist printing technique, but it requires an expensive process technique, which makes it expensive, and the original purpose of low cost cannot be achieved.

【0019】また、このような高等なプロセス技術を用
いたとしても、パッド210間に5本以上の配線パター
ン203を通すことは不可能であり、したがって、ファ
インピッチ化,多ピン化には限界がある。
Even if such a high-level process technology is used, it is impossible to pass five or more wiring patterns 203 between the pads 210, and therefore, there is a limit to fine pitch and a large number of pins. There is.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、二層式のTABテープよりも安価な一層式
のTABテープを使用したとしても、高い精度でのレジ
スト形成の必要性から、多ピン対応のBGAを低コスト
で実現するのは困難な状況となっていた。
As described above, in the prior art, even if a single-layer TAB tape, which is cheaper than a double-layer TAB tape, is used, it is necessary to form a resist with high accuracy. It has been difficult to realize a multi-pin BGA at low cost.

【0021】そこで、この発明は、工程数の増加を招く
ことなく、多ピン化に容易に対応でき、しかも、より低
コスト化を図ることが可能な表面実装型半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
Therefore, the present invention provides a method of manufacturing a surface mount type semiconductor device, which can easily cope with the increase in the number of pins without increasing the number of steps and can further reduce the cost. Is intended.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明にあっては、パッケージの片面に配置さ
れた半田ボールによって基板上に実装される表面実装型
半導体装置の製造方法において、一方面に接着剤が塗布
された絶縁材を打ち抜き、半導体素子を搭載するための
開口部を形成すると同時に、前記半田ボールの取り付け
位置に貫通孔を形成する工程と、前記接着剤により前記
絶縁材上に金属箔を貼り付ける工程と、前記金属箔をエ
ッチングして、一端が前記開口部内に延在され、他端が
前記貫通孔に対応する配線パターンを形成する工程と、
前記開口部内に延在する前記配線パターンの一端を、前
記半導体素子の電極と接続する工程と、前記絶縁材の他
方面に前記半田ボールを取り付け、その半田ボールと前
記配線パターンの他端とを前記貫通孔を介して接続する
工程とからなっている。
To achieve the above object, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a surface mount type semiconductor device mounted on a substrate by solder balls arranged on one surface of a package. A step of punching out an insulating material coated with an adhesive on one surface to form an opening for mounting a semiconductor element, and at the same time forming a through hole at a mounting position of the solder ball; A step of pasting a metal foil on a material, a step of etching the metal foil to form a wiring pattern in which one end extends into the opening and the other end corresponds to the through hole,
A step of connecting one end of the wiring pattern extending into the opening to the electrode of the semiconductor element, attaching the solder ball to the other surface of the insulating material, and connecting the solder ball and the other end of the wiring pattern. And connecting through the through hole.

【0023】この発明は、上記した手段により、たとえ
ばベースフィルムの、半導体チップの搭載位置に設けら
れるデバイスホールの形成と同時に、半田ボールの取り
付け位置にパッドホールを形成し、このパッドホールを
介して、上記ベースフィルムの一方面に設けられた配線
パターンと、他方面に設けられた半田ボールとを電気的
に接続するようにしている。したがって、従来のTAB
テープの製造プロセスにおいて、デバイスホールの形成
の工程で同時にパッドホールの形成を行うようにするの
みで、特別な工程の追加を必要とすることなしに、容易
に実現できる。しかも、ベースフィルムの一方面に配線
パターンを、他方面に半田ボールをそれぞれ設けるよう
にしている。このため、半田ボールの取り付け時に配線
パターンのソルダーレジストによる保護を必ずしも必要
としなくなるものである。
According to the present invention, a pad hole is formed at the solder ball mounting position at the same time as the formation of the device hole provided at the semiconductor chip mounting position of the base film by the above-mentioned means, and the pad hole is formed through this pad hole. The wiring pattern provided on one surface of the base film is electrically connected to the solder ball provided on the other surface. Therefore, conventional TAB
In the tape manufacturing process, only the pad holes are formed at the same time as the device hole forming step, and the tape hole can be easily realized without adding a special step. Moreover, the wiring pattern is provided on one surface of the base film and the solder balls are provided on the other surface. Therefore, it is not always necessary to protect the wiring pattern with the solder resist when mounting the solder balls.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態に
ついて図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施
の一形態にかかる、一層式のTABテープを使用してな
る、TAB−BGA(TABテープ接続方式を採用して
なるBGA)の概略構成を示すものである。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a TAB-BGA (BGA adopting a TAB tape connection method) using a single-layer TAB tape according to an embodiment of the present invention.

【0025】すなわち、半導体チップ(半導体素子)1
1は、TABテープ12のデバイスホール(開口部)1
3上に搭載されている。TABテープ12は、ポリイミ
ド(PI)などからなるベースフィルム(絶縁材)14
と、その一方面、たとえば上面に、接着剤15によって
銅箔を貼り付けてなる配線パターン16とからなってい
る。
That is, the semiconductor chip (semiconductor element) 1
1 is a device hole (opening) of the TAB tape 12
It is mounted on the 3. The TAB tape 12 is a base film (insulating material) 14 made of polyimide (PI) or the like.
And a wiring pattern 16 formed by adhering a copper foil with an adhesive 15 on one surface thereof, for example, the upper surface.

【0026】ベースフィルム14には、上記半導体チッ
プ11の搭載位置に対応して上記デバイスホール13が
設けられてなるとともに、半田ボール取り付け位置にそ
れぞれ対応してパッドホール(貫通孔)17が設けられ
ている。
The base film 14 is provided with the device holes 13 corresponding to the mounting positions of the semiconductor chips 11 and pad holes (through holes) 17 corresponding to the solder ball mounting positions. ing.

【0027】配線パターン16の一端は、それぞれ上記
デバイスホール13内に延在されて、上記半導体チップ
11の各電極パッドと接続されている。配線パターン1
6の他端は、それぞれ上記パッドホール17を塞ぐかた
ちで設けられて、上記ベースフィルム14の多方面、た
とえば下面に取り付けられた半田ボール18と個々に接
続されている。
One end of the wiring pattern 16 extends into the device hole 13 and is connected to each electrode pad of the semiconductor chip 11. Wiring pattern 1
The other end of 6 is provided so as to close the pad hole 17, and is individually connected to the solder balls 18 attached to various surfaces of the base film 14, for example, the lower surface.

【0028】また、半導体チップ11上の、上記電極パ
ッドと配線パターン16との接続面はポッティング樹脂
19によって封止されている。さらに、TABテープ1
2の表面の上記配線パターン16上には、スティフナー
(補強板)20が接着剤層21によって接着されてい
る。
The connection surface between the electrode pad and the wiring pattern 16 on the semiconductor chip 11 is sealed with potting resin 19. Furthermore, TAB tape 1
A stiffener (reinforcing plate) 20 is adhered to the wiring pattern 16 on the surface of No. 2 by an adhesive layer 21.

【0029】このような構造のTAB−BGAによれ
ば、配線パターン16がベースフィルム14の上面に位
置するため、半田ボール18の取り付け時に配線パター
ン16をソルダーレジストによって保護する必要がな
い。この結果、ソルダーレジストの形成のための制約を
受けないので、ローコストで、しかも、TABのエッチ
ング技術の限界までファイン化が可能となる。
According to the TAB-BGA having such a structure, since the wiring pattern 16 is located on the upper surface of the base film 14, it is not necessary to protect the wiring pattern 16 with the solder resist when mounting the solder balls 18. As a result, since there is no restriction for forming the solder resist, it is possible to achieve fineness at a low cost and to the limit of the TAB etching technique.

【0030】また、上記スティフナー20は、配線パタ
ーン16に対して約10〜20μmの厚さの接着剤層2
1を介して極めて近接して設けられている。このため、
スティフナー20をGNDに接続することで、電気的特
性の向上も期待できる。
The stiffener 20 has a thickness of about 10 to 20 μm with respect to the wiring pattern 16.
1 are provided very close to each other. For this reason,
By connecting the stiffener 20 to GND, improvement in electrical characteristics can be expected.

【0031】なお、図1においては、便宜上、半田ボー
ル18の取り付けの際に、半田ボール18より溶融され
てパッドホール17内に溶け込む半田の量が、半田ボー
ル18の大きさに比べて多くなっている。しかしなが
ら、実際には、パッドホール17内に溶け込む半田の
量、つまり、接続に必要な半田の量はさほど多くなく、
半田ボール18はそのボール形状を十分に保つことが可
能となっている。
In FIG. 1, for the sake of convenience, when the solder balls 18 are attached, the amount of solder that is melted from the solder balls 18 and melts into the pad holes 17 is larger than the size of the solder balls 18. ing. However, in reality, the amount of solder that melts into the pad hole 17, that is, the amount of solder required for connection is not so large,
The solder ball 18 can maintain its ball shape sufficiently.

【0032】図2は、上記したTAB−BGAにおけ
る、半田ボール18の取り付け位置を拡大して示すもの
である。たとえば、半田ボール18の径を700μmと
する場合、一般的に用いられるベースフィルム14およ
び接着剤15の厚さはたかだか100μm前後であるた
め、パッドホール17の径を500μm程度とすること
により、溶融前に、半田ボール18の球面をあらかじめ
配線パターン16に当接できる。したがって、この状態
で溶融すれば、半田量を大幅に損なうことなく、ボール
形状を保ったままで半田ボール18を確実に配線パター
ン16と接続できる。
FIG. 2 is an enlarged view showing the mounting positions of the solder balls 18 in the above-mentioned TAB-BGA. For example, when the diameter of the solder ball 18 is 700 μm, the thickness of the base film 14 and the adhesive 15 which are generally used is about 100 μm at most, and therefore the diameter of the pad hole 17 is set to about 500 μm. Before, the spherical surface of the solder ball 18 can be brought into contact with the wiring pattern 16 in advance. Therefore, if the solder ball 18 is melted in this state, the solder ball 18 can be reliably connected to the wiring pattern 16 while maintaining the ball shape without significantly impairing the amount of solder.

【0033】次に、上記した、一層式のTABテープを
使用してなる、TAB−BGAの製造方法について説明
する。図3は、TAB−BGAの製造プロセスを概略的
に示すものである。ここでは、TABテープ製造工程と
BGAアッセンブリ工程とに大別される。
Next, a method of manufacturing a TAB-BGA using the above-mentioned single-layer TAB tape will be described. FIG. 3 schematically shows a manufacturing process of TAB-BGA. Here, it is roughly divided into a TAB tape manufacturing process and a BGA assembly process.

【0034】TABテープ製造工程においては、まず、
あらかじめ接着剤15の塗布されたベースフィルム14
を受け入れて(同図(a))、デバイスホール13およ
びパッドホール17を打ち抜きにより同時に形成する
(同図(b))。
In the TAB tape manufacturing process, first,
Base film 14 to which adhesive 15 is applied in advance
Then, the device hole 13 and the pad hole 17 are simultaneously formed by punching (FIG. 11B).

【0035】次に、上記接着剤15を介して、上記ベー
スフィルム14上に銅箔16´を貼り付け(同図
(c))、それをエッチングによりパターニングして配
線パターン16を形成する(同図(d))。
Next, a copper foil 16 'is attached to the base film 14 via the adhesive 15 (FIG. 7C), and the wiring pattern 16 is formed by patterning it by etching. Figure (d)).

【0036】そして、配線パターン16の少なくとも他
の部品(たとえば、半導体チップ11)との接続部位に
対してメッキ処理を施すことにより、上記した一層式の
TABテープ12を製造する(同図(e))。
Then, a plating process is applied to at least a connection portion of the wiring pattern 16 with at least another component (for example, the semiconductor chip 11) to manufacture the above-mentioned single-layer TAB tape 12 (see FIG. )).

【0037】この後、BGAアッセンブリ工程において
は、半導体チップ11がTABテープ12のデバイスホ
ール13に対応されて、その各電極パッドと上記配線パ
ターン16の一端とをそれぞれ接続する(同図
(f))。
Thereafter, in the BGA assembly process, the semiconductor chip 11 is made to correspond to the device hole 13 of the TAB tape 12, and each electrode pad thereof is connected to one end of the wiring pattern 16 (FIG. 6 (f)). ).

【0038】そして、その接続部を含む半導体チップ1
1の上面をポッティング樹脂19により封止する(同図
(g))。また、TABテープ12の表面の上記配線パ
ターン16上に、接着剤層21を介して、スティフナー
20を接着する(同図(h))。
The semiconductor chip 1 including the connecting portion
The upper surface of No. 1 is sealed with potting resin 19 ((g) in the same figure). Further, the stiffener 20 is adhered onto the wiring pattern 16 on the surface of the TAB tape 12 via the adhesive layer 21 ((h) in the figure).

【0039】さらに、上記TABテープ12の、ベース
フィルム14に形成された各パッドホール17上に半田
ボール18を配置し、リフロー処理によって加熱、溶融
して、半田ボール18と配線パターン16とをパッドホ
ール17を介して個々に接続する(同図(i))。
Further, solder balls 18 are arranged on the pad holes 17 formed in the base film 14 of the TAB tape 12, and are heated and melted by a reflow process to pad the solder balls 18 and the wiring pattern 16 to each other. They are individually connected through the holes 17 ((i) in the figure).

【0040】しかる後、テスト、マーキング、およびパ
ッキングなどの各工程を経て、上記図1に示した、TA
B−BGAが完成される。このような方法によれば、デ
バイスホール13の形成工程において、パッドホール1
7の形成を同時に行うようにしているため、特別な工程
の追加を必要とすることなしに、容易に実現できる。し
かも、エッチングにより形成する場合よりも、工程の大
幅な簡素化が可能である。
After that, through the steps of testing, marking, packing, etc., the TA shown in FIG.
B-BGA is completed. According to such a method, in the process of forming the device hole 13, the pad hole 1
Since the formation of 7 is performed at the same time, it can be easily realized without adding a special step. Moreover, the process can be significantly simplified as compared with the case of forming by etching.

【0041】上記したように、ベースフィルムの、半導
体チップの搭載位置に設けられるデバイスホールの形成
と同時に、半田ボールの取り付け位置にパッドホールを
形成し、このパッドホールを介して、上記ベースフィル
ムの一方面に設けられた配線パターンと、他方面に設け
られた半田ボールとを電気的に接続するようにしてい
る。
As described above, at the same time as the formation of the device hole provided at the mounting position of the semiconductor chip on the base film, the pad hole is formed at the mounting position of the solder ball, and the base film is formed through the pad hole. The wiring pattern provided on one surface and the solder balls provided on the other surface are electrically connected.

【0042】したがって、従来のTABテープの製造プ
ロセスにおいて、デバイスホールの形成の工程で同時に
パッドホールの形成を行うようにするのみで、特別な工
程の追加を必要とすることなしに、容易に実現できるも
のである。
Therefore, in the conventional TAB tape manufacturing process, only the pad holes are formed at the same time as the device hole forming steps, and the steps can be easily realized without adding any special steps. It is possible.

【0043】しかも、一層式のTABテープの、ベース
フィルムの上面に配線パターンを、下面に半田ボールを
それぞれ設けるようにしている。このため、半田ボール
の取り付け時に配線パターンのソルダーレジストによる
保護を必ずしも必要としなくなる。
Moreover, the wiring pattern is provided on the upper surface of the base film and the solder balls are provided on the lower surface of the single-layer TAB tape. Therefore, it is not always necessary to protect the wiring pattern with the solder resist when mounting the solder balls.

【0044】この結果、安価な一層式のTABテープの
使用が可能となるとともに、ソルダーレジストの形成の
ための制約を受けないので、よりローコストで、TAB
のエッチング技術の限界までファイン化が可能となるも
のである。
As a result, it is possible to use an inexpensive single-layer TAB tape, and since there is no restriction for forming the solder resist, the TAB tape can be manufactured at a lower cost.
It is possible to achieve fineness up to the limit of the etching technology of.

【0045】また、スティフナーを配線パターンに対し
て極めて近接して設けるようにしているため、これをG
NDに接続することで、電気的特性の向上も期待できる
ものである。その他、この発明の要旨を変えない範囲に
おいて、種々変形実施可能なことは勿論である。
Since the stiffener is provided very close to the wiring pattern, it is
By connecting to ND, improvement in electrical characteristics can be expected. Of course, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、工程数の増加を招くことなく、多ピン化に容易に対
応でき、しかも、より低コスト化を図ることが可能な表
面実装型半導体装置の製造方法を提供できる。
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to easily cope with the increase in the number of pins without increasing the number of steps, and to reduce the cost. Provided is a method of manufacturing a semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施の一形態にかかる、TABテー
プ接続方式を採用してなるBGA(TAB−BGA)の
概略構成を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a BGA (TAB-BGA) adopting a TAB tape connection system according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じく、TAB−BGAの要部の構成を示す拡
大図。
FIG. 2 is also an enlarged view showing the configuration of the main part of the TAB-BGA.

【図3】同じく、TAB−BGAの製造プロセスを説明
するために示す概略断面図。
FIG. 3 is also a schematic cross-sectional view shown for explaining the manufacturing process of the TAB-BGA.

【図4】従来技術とその問題点を説明するために示す、
二層式のTABテープを使用してなるTAB−BGAの
概略構成図。
FIG. 4 is shown to explain the prior art and its problems;
The schematic block diagram of TAB-BGA using a two-layer type TAB tape.

【図5】同じく、一層式のTABテープを使用してなる
TAB−BGAの概略構成図。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a TAB-BGA using a single-layer TAB tape.

【図6】同じく、一層式のTABテープ上におけるソル
ダレジスト領域の形成例を示す要部の拡大図。
FIG. 6 is an enlarged view of a main part showing an example of forming a solder resist region on a single-layer TAB tape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…半導体チップ(半導体素子)、12…TABテー
プ、13…デバイスホール(開口部)、14…ベースフ
ィルム(絶縁材)、15…接着剤、16…配線パター
ン、17…パッドホール(貫通孔)、18…半田ボー
ル、19…ポッティング樹脂、20…スティフナー(補
強板)、21…接着剤層。
11 ... Semiconductor chip (semiconductor element), 12 ... TAB tape, 13 ... Device hole (opening), 14 ... Base film (insulating material), 15 ... Adhesive agent, 16 ... Wiring pattern, 17 ... Pad hole (through hole) , 18 ... Solder balls, 19 ... Potting resin, 20 ... Stiffener (reinforcing plate), 21 ... Adhesive layer.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パッケージの片面に配置された半田ボー
ルによって基板上に実装される表面実装型半導体装置の
製造方法において、 一方面に接着剤が塗布された絶縁材を打ち抜き、半導体
素子を搭載するための開口部を形成すると同時に、前記
半田ボールの取り付け位置に貫通孔を形成する工程と、 前記接着剤により前記絶縁材上に金属箔を貼り付ける工
程と、 前記金属箔をエッチングして、一端が前記開口部内に延
在され、他端が前記貫通孔に対応する配線パターンを形
成する工程と、 前記開口部内に延在する前記配線パターンの一端を、前
記半導体素子の電極と接続する工程と、 前記絶縁材の他方面に前記半田ボールを取り付け、その
半田ボールと前記配線パターンの他端とを前記貫通孔を
介して接続する工程とからなることを特徴とする表面実
装型半導体装置の製造方法。
1. A method of manufacturing a surface mount semiconductor device mounted on a substrate by a solder ball arranged on one surface of a package, wherein an insulating material coated with an adhesive is punched out on one surface to mount a semiconductor element. Forming an opening for forming a through hole at the mounting position of the solder ball, attaching a metal foil on the insulating material with the adhesive, etching the metal foil, and Extending into the opening, the other end forming a wiring pattern corresponding to the through-hole, and a step of connecting one end of the wiring pattern extending into the opening to the electrode of the semiconductor element, Attaching the solder ball to the other surface of the insulating material, and connecting the solder ball and the other end of the wiring pattern through the through hole. Method of manufacturing a surface mounting semiconductor device that.
【請求項2】 前記絶縁材と前記配線パターンとによっ
てTABテープが形成されてなることを特徴とする請求
項1に記載の表面実装型半導体装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a surface mount semiconductor device according to claim 1, wherein a TAB tape is formed by the insulating material and the wiring pattern.
【請求項3】 前記絶縁材の、前記配線パターン上に補
強板を接着する工程をさらに含むことを特徴とする請求
項1に記載の表面実装型半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a surface mount semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of adhering a reinforcing plate on the wiring pattern of the insulating material.
【請求項4】 前記補強板がGNDに接続されてなるこ
とを特徴とする請求項3に記載の表面実装型半導体装置
の製造方法。
4. The method for manufacturing a surface mount semiconductor device according to claim 3, wherein the reinforcing plate is connected to GND.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998036450A1 (en) * 1997-02-13 1998-08-20 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method for manufacturing and mounting thereof, and circuit board mounted with the semiconductor device
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