JPH0855879A - Tape for tab and manufacture of semiconductor device using tape for tab - Google Patents
Tape for tab and manufacture of semiconductor device using tape for tabInfo
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- JPH0855879A JPH0855879A JP6192605A JP19260594A JPH0855879A JP H0855879 A JPH0855879 A JP H0855879A JP 6192605 A JP6192605 A JP 6192605A JP 19260594 A JP19260594 A JP 19260594A JP H0855879 A JPH0855879 A JP H0855879A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢ用テープ及びこれ
を用いた半導体装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a TAB tape and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体装置は多端子・軽量・薄型
化が進み、また、実装技術の進歩によりＱｕａｄ Ｆｕ
ａｔ Ｐａｃｋａｇｅ（以下、ＱＦＰと記す）からＴＡ
Ｂパッケージへの移り変わろうとしている。従来、ＴＡ
Ｂ用テープは３５・４８・７０ｍｍ幅などのポリイミド
樹脂等の絶縁フィルム上に、３５μｍ前後の厚みの金属
材料を貼り合わせ、金属材料をエッチングすることによ
り、配線パターンを形成している。ＴＡＢパッケージ
は、このＴＡＢ用テープを用いインナリードボンディン
グ（以下、ＩＬＢと記す）用窓上にＩＣペレットを配
し、ＩＣペレットの各辺に沿って具備された入出力信号
及び電源を供給する為の電極（以下パッドと記す）とＴ
ＡＢ用テープのインナリードをＩＬＢ接続により、熱圧
着または共晶結合にて接続し、絶縁性の流動樹脂を用い
ポッティング封止などにより樹脂封止されている。実装
時には、アウタリード部にてリードを切断・分離しリー
ド成形等を施した後使用している。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have become more multi-terminal, lighter and thinner, and due to advances in packaging technology, Quad Fu
from at Package (hereinafter referred to as QFP) to TA
It is about to change to B package. Conventionally, TA
The tape for B has a wiring pattern formed by bonding a metal material having a thickness of about 35 μm on an insulating film such as a polyimide resin having a width of 35, 48, or 70 mm and etching the metal material. The TAB package uses the TAB tape to arrange the IC pellet on the window for inner lead bonding (hereinafter, referred to as ILB), and to supply the input / output signal and the power source provided along each side of the IC pellet. Electrodes (hereinafter referred to as pads) and T
The inner leads of the tape for AB are connected by ILB connection by thermocompression bonding or eutectic bonding, and resin-sealed by potting sealing using an insulating fluid resin. At the time of mounting, the outer leads are used after cutting and separating the leads and performing lead molding and the like.
【０００３】従来、ＱＦＰでは金属線によるワイヤボン
ディングにて接続しているため、ＩＣペレットに具備さ
れたパッドピッチが１２０μｍ前後必要であるが、ＴＡ
Ｂ用テープでは８０μｍ前後で量産が可能でありＩＣペ
レットを高集積化することができる。また、金線を用い
るＱＦＰに比べ容易に多端子・軽量・薄型化を実現する
ことができ、民生機器などの小型化に広く用いられよう
としている。なお、従来のＴＡＢ用テープのインナリー
ドは、所望の機能が得られるようにＩＣペレットのパッ
ド配置に合わせ各々専用設計されている。また、エッチ
ング処理により形成されたＴＡＢ用テープのインナリー
ドは薄膜であり、今後、高集積・多ピンになるにつれイ
ンナリードはより微細及び薄膜となって行く。Conventionally, since the QFP is connected by wire bonding with a metal wire, the pad pitch provided on the IC pellet needs to be about 120 μm.
The B tape can be mass-produced with a thickness of around 80 μm, and IC pellets can be highly integrated. Further, compared with QFP using a gold wire, it is possible to easily realize multiple terminals, light weight, and thinness, and it is about to be widely used for miniaturization of consumer appliances and the like. The inner leads of the conventional TAB tape are designed exclusively for the pad arrangement of the IC pellets so as to obtain a desired function. Further, the inner lead of the TAB tape formed by the etching process is a thin film, and in the future, the inner lead will become finer and thinner as the number of highly integrated and more pins increases.
【０００４】図４（ａ），（ｂ）〜図８（ａ），（ｂ）
は従来のＴＡＢ用テープを用いた半導体装置の製造方法
の一例を説明する工程順に示した平面図及びそのＡ−
Ａ′線断面図である。従来のＴＡＢ用テープは、まず、
図４（ａ），（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂等の
絶縁フィルム１にパンチングによりＩＬＢ用窓３及びア
ウタリードボンディング（以下、ＯＬＢと記す）用窓４
を打ち抜く。次に、図５（ａ），（ｂ）に示すように、
金属材料５を貼り合わせた後、図６（ａ），（ｂ）に示
すようにエッチング処理を施して配線パターン６を形成
する。この配線パターン６は、ＩＬＢ用窓３上に形成さ
れた部分がインナリード７となり、ＯＬＢ用窓４上に形
成された部分がアウタリード８となる。次に、図７
（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＬＢ用窓３上にＩＣペ
レット９を搭載し、ＩＣペレット９に配置されているパ
ッドとインナリード７をＩＬＢ用窓３によりＩＬＢ接続
した後、図８（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＣペレッ
ト９を封止樹脂１０にて樹脂封止を施す。従来は、マス
タスライス方式の半導体集積回路のパッドはＩＣペレッ
ト９の各辺に沿って等間隔に並べられている。また、製
品群の展開をＩＣペレット９の大きさを変えることによ
り実施している。FIGS. 4A and 4B to FIGS. 8A and 8B
Is a plan view showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device using a conventional TAB tape and showing a plan view thereof in the order of steps.
It is an A'line sectional view. The conventional TAB tape is
As shown in FIGS. 4A and 4B, a window 3 for ILB and a window 4 for outer lead bonding (hereinafter referred to as OLB) are formed by punching on an insulating film 1 made of a polyimide resin or the like.
Punch out. Next, as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b),
After the metal material 5 is attached, an etching process is performed as shown in FIGS. 6A and 6B to form the wiring pattern 6. In this wiring pattern 6, the portion formed on the ILB window 3 becomes the inner lead 7, and the portion formed on the OLB window 4 becomes the outer lead 8. Next, FIG.
As shown in (a) and (b), the IC pellets 9 are mounted on the ILB window 3, and the pads arranged on the IC pellets 9 and the inner leads 7 are connected to the ILB window 3 by the ILB. As shown in FIGS. 8A and 8B, the IC pellet 9 is resin-sealed with the sealing resin 10. Conventionally, the pads of the master slice type semiconductor integrated circuit are arranged at equal intervals along each side of the IC pellet 9. Further, the development of the product group is carried out by changing the size of the IC pellet 9.
【０００５】この従来の半導体装置のＴＡＢ用テープを
用いれば高集積・多ピン・軽量・薄型化を容易に実現す
ることができるが、マスタスライス方式の半導体集積回
路などでは少量多品種化が進むにつれＴＡＢ用テープの
共用化及びインナリードの微細化による変形防止が課題
となっている。この共用化及びインナリードの微細化に
よる変形防止対策をリードフレームに適用した例とし
て、特開平２−９４４６４号公報では、リードフレーム
のインナリードの下面にインナリードを固定する絶縁体
を設け、ＩＣペレットを積載するための平板を絶縁体の
下面に固定し、ＩＣペレットのサイズに応じて絶縁体の
中央箇所の打ち抜く大きさを変えることにより、平板の
ＩＣペレット積載部の広さを変え対応している。By using the TAB tape of this conventional semiconductor device, it is possible to easily realize high integration, high pin count, light weight, and thinness. As a result, it has become a problem to prevent the deformation by sharing the TAB tape and making the inner leads finer. As an example of applying this common use and deformation prevention measures due to miniaturization of the inner leads to the lead frame, in JP-A-2-94464, an insulator for fixing the inner leads is provided on the lower surface of the inner lead of the lead frame to By fixing the flat plate on which the pellets are loaded to the lower surface of the insulator and changing the punching size at the center of the insulator according to the size of the IC pellets, the size of the flat plate of the IC pellet loading part can be changed. ing.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】この従来のＴＡＢ用テ
ープでは、所望の機能が得られるようインナリードをＩ
Ｃペレットのパッドの位置に合わせて専用設計されてい
るために共用化が難かしいという問題点がある。また、
インナリードの微細化による変形防止が課題となってい
る。In this conventional TAB tape, the inner lead is provided so as to obtain a desired function.
Since it is specially designed according to the position of the pad of the C pellet, it is difficult to share it. Also,
The problem is how to prevent the deformation of inner leads.
【０００７】本発明の目的は、異る機種のＩＣペレット
の共用化が可能で、インナリードの変形を防止できる接
続信頼性の高い半導体装置が得られるＴＡＢ用テープ及
びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することに
ある。An object of the present invention is to provide a TAB tape and a semiconductor device using the same, in which IC pellets of different models can be shared and a semiconductor device with high connection reliability that can prevent deformation of the inner leads can be obtained. It is to provide a manufacturing method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】第１の発明のＴＡＢ用テ
ープは、絶縁フィルムと、この絶縁フィルムにそれぞれ
形成されたスプロケットホールと、ＩＬＢ用窓及びＯＬ
Ｂ用窓と、前記絶縁フィルム上にそれぞれ配設されたイ
ンナリード、アウタリード及び試験用パッドを含む配線
パターンとを有するＴＡＢ用テープにおいて、前記ＩＬ
Ｂ用窓上に形成される前記インナリードの先端をＴＡＢ
パッケージを必要とする最小サイズのＩＣペレットのパ
ッドの位置に合わせて配置されている。The TAB tape of the first invention comprises an insulating film, sprocket holes formed in the insulating film, an ILB window and an OL.
A TAB tape having a B window and a wiring pattern including an inner lead, an outer lead and a test pad, which are respectively disposed on the insulating film, wherein the IL
TAB the tip of the inner lead formed on the B window
It is arranged in accordance with the position of the pad of the minimum size IC pellet that requires the package.
【０００９】第１の発明の半導体装置の製造方法は、上
記第１の発明のＴＡＢ用テープを形成する工程と、ＩＬ
Ｂ用窓上に形成されたインナリードを搭載するＩＣペレ
ットのパッドの位置に合わせて切断する工程と、前記Ｉ
ＬＢ用窓上に前記ＩＣペレットを搭載する工程と、前記
ＩＣペレッドのパッドと前記インナリードの先端を前記
ＩＬＢ用窓によりＩＬＢ接続する工程と、前記ＩＣペレ
ットを封止樹脂にて樹脂封止する工程とを含む。A method of manufacturing a semiconductor device according to a first aspect of the present invention comprises a step of forming the TAB tape according to the first aspect of the present invention, and an IL.
A step of cutting the inner lead formed on the B window in accordance with the position of the pad of the IC pellet on which the inner lead is mounted;
The step of mounting the IC pellets on the LB window, the step of ILB connecting the pads of the IC pered and the tips of the inner leads with the ILB window, and the IC pellets are resin-sealed with a sealing resin. And a process.
【００１０】第２の発明のＴＡＢ用テープは、絶縁フィ
ルムと、この絶縁フィルムにそれぞれ形成されたスプロ
ケットホールと、ＩＬＢ用窓及びＯＬＢ用窓と、前記絶
縁フィルム上にそれぞれ配設されたインナリード、アウ
タリード及び試験用パッドを含む配線パターンとを有す
るＴＡＢ用テープにおいて、前記ＩＬＢ用窓上に形成さ
れる前記インナリード同志がＴＡＢパッケージを必要と
する最小サイズのＩＣペレットのパッドが囲む領域内で
接続している。The TAB tape of the second invention comprises an insulating film, sprocket holes respectively formed in the insulating film, an ILB window and an OLB window, and an inner lead arranged on the insulating film. , An outer lead and a wiring pattern including a test pad, the inner lead formed on the ILB window is surrounded by a pad of a minimum size IC pellet that requires a TAB package. Connected.
【００１１】第２の発明の半導体装置の製造方法は、上
記第２の発明のＴＢ用テープを形成する工程と、ＩＬＢ
用窓上に形成されたインナリードを搭載するＩＣペレッ
トのパッドの位置に合わせて切断する工程と、前記ＩＬ
Ｂ用窓上に前記ＩＣペレットを搭載する工程と、前記Ｉ
Ｃペレッドのパッドと前記インナリードの先端を前記Ｉ
ＬＢ用窓によりＩＬＢ接続する工程と、前記ＩＣペレッ
トを封止樹脂にて樹脂封止する工程とを含む。A method of manufacturing a semiconductor device according to a second aspect of the present invention comprises a step of forming the tape for TB according to the second aspect of the present invention, and an ILB.
A step of cutting in accordance with the position of the pad of the IC pellet on which the inner lead formed on the window for use is mounted;
Mounting the IC pellets on the B window,
Insert the C-pered pad and the tip of the inner lead into the I
The method includes the steps of ILB connection using the LB window and the step of resin-sealing the IC pellet with a sealing resin.
【００１２】[0012]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.
【００１３】図１（ａ），（ｂ）及び図２（ａ），
（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明する平面図及びそ
のＡ−Ａ′線断面図である。本実施例は、まず、図１
（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＬＢ用窓３上に形成さ
れるインナリード７の先端をＴＡＢパッケージを必要と
する最小サイズのＩＣペレット９のパッドの配置に合わ
せて設計し、絶縁フィルム１にスプロケットホール２，
ＩＬＢ用窓３，ＯＬＢ用窓４及びインナリード７，アウ
タリード８，試験用パッド１１を含む配線パターン６に
よって構成されるＴＡＢ用テープを形成する。次に、Ｉ
ＬＢ用窓３上にＩＣペレット９を搭載し、ＩＣペレット
９に配置されているパッドとインナリードの先端をＩＬ
Ｂ用窓３によりＩＬＢ接続した後、封止樹脂にて樹脂封
止を施す。1 (a), 1 (b) and 2 (a),
FIG. 2B is a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the first embodiment of the present invention. In this embodiment, first, FIG.
As shown in (a) and (b), the tip of the inner lead 7 formed on the ILB window 3 is designed in accordance with the pad arrangement of the IC pellet 9 of the minimum size that requires the TAB package, and insulation is performed. Film 1 with sprocket holes 2
A TAB tape composed of the wiring pattern 6 including the ILB window 3, the OLB window 4, the inner lead 7, the outer lead 8 and the test pad 11 is formed. Then I
The IC pellet 9 is mounted on the LB window 3, and the pads and inner leads of the IC pellet 9 are fixed to the IL.
After the ILB connection is made through the B window 3, resin sealing is performed with a sealing resin.
【００１４】このＴＡＢ用テープをサイズの異るＩＣペ
レットに使用する場合には、まず、図２（ａ），（ｂ）
に示すように、ＩＬＢ用窓３上に形成されたインナリー
ド７を搭載するＩＣペレット９のパッドの位置に合わせ
て切断する。次に、ＩＬＢ用窓３上にＩＣペレット９を
搭載し、ＩＣペレット９に配置されているパッドとイン
ナリード７の先端をＩＬＢ用窓３によりＩＬＢ接続した
後、封止樹脂にて樹脂封止を施すことにより、異る機種
の共用化が可能となる。When this TAB tape is used for IC pellets of different sizes, first, as shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, the inner lead 7 formed on the ILB window 3 is cut in accordance with the pad position of the IC pellet 9 on which the inner lead 7 is mounted. Next, the IC pellets 9 are mounted on the ILB window 3, and the pads arranged on the IC pellets 9 and the tips of the inner leads 7 are ILB-connected by the ILB window 3 and then resin-sealed with a sealing resin. By doing so, different models can be shared.
【００１５】図３（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実
施例を説明する平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図であ
る。本実施例は、まず、図３（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ＩＬＢ用窓３上に形成されるインナリード７同志が
ＴＡＢパッケージを必要とする最小サイズのＩＣペレッ
トのパッドが囲む領域内で接続するように設計し、絶縁
フィルム１にスプロケットホール２，ＩＬＢ用窓３，Ｏ
ＬＢ用窓４及びインナリード７，アウタリード８，試験
用パッド１１を含む配線パターン６によって構成される
ＴＡＢ用テープを形成する。次に、ＩＬＢ用窓３上に形
成されたインナリード７を搭載するＩＣペレットのパッ
ドの配置に合わせて切断する。次に、ＩＬＢ用窓３上Ｉ
Ｃペレットを搭載し、ＩＣペレットに配置されているパ
ッドとインナリード７の先端をＩＬＢ用窓３によりＩＬ
Ｂ接続した後、封止樹脂にて樹脂封止を施す。第２の実
施例は、切断前のインナリード同志を接続しておくの
で、ＩＬＢ接続前のインナリードの変形を防止し接続信
頼性を高める効果がある。3 (a) and 3 (b) are a plan view and a sectional view taken along the line AA 'of the second embodiment of the present invention. In this embodiment, first, as shown in FIGS. 3A and 3B, the inner leads 7 formed on the ILB window 3 are surrounded by a pad of a minimum size IC pellet that requires a TAB package. Designed to connect within the area, sprocket hole 2, ILB window 3, O in insulating film 1
A TAB tape composed of the wiring pattern 6 including the LB window 4, inner leads 7, outer leads 8, and test pads 11 is formed. Next, the cutting is performed according to the arrangement of the pad of the IC pellet on which the inner lead 7 formed on the ILB window 3 is mounted. Next, on the ILB window 3 I
The C pellets are mounted, and the pads arranged on the IC pellets and the tips of the inner leads 7 are ILed by the ILB window 3.
After the B connection, resin sealing is performed with a sealing resin. In the second embodiment, since the inner leads before disconnection are connected to each other, there is an effect that deformation of the inner leads before ILB connection is prevented and connection reliability is improved.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＴＡＢパ
ッケージを必要とするＩＣペレットの最小サイズのパッ
ドの位置に合わせてインナリードを配置し、ＩＬＢ接続
前にインナリードを使用するＩＣペレットのパッドの位
置に合わせて切断し、長さを調整してＩＬＢ接続するこ
とにより、異る機種のＩＣペレットへの適用を可能に
し、汎用性を持たせることができるという効果がある。
また、インナリード同志を接続しておくことにより、イ
ンナリードの変形を防止し接続信頼性を高めることがで
きるという効果もある。As described above, according to the present invention, the inner lead is arranged in accordance with the position of the minimum size pad of the IC pellet requiring the TAB package, and the IC pellet using the inner lead is connected before the ILB connection. By cutting the pad according to the position of the pad, adjusting the length, and performing the ILB connection, it is possible to apply it to IC pellets of different models and to provide versatility.
In addition, by connecting the inner leads to each other, it is possible to prevent the inner leads from being deformed and improve the connection reliability.
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明
する平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the first embodiment of the present invention.
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明
する平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。2 (a) and 2 (b) are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA 'of the first embodiment of the present invention.
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明
する平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。3 (a) and 3 (b) are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the second embodiment of the present invention.
【図４】（ａ），（ｂ）は従来のＴＡＢ用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA ′ in the order of steps illustrating an example of a method for manufacturing a semiconductor device using a conventional TAB tape.
【図５】（ａ），（ｂ）は従来のＴＡＢ用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA ′ in the order of steps for explaining an example of a method for manufacturing a semiconductor device using a conventional TAB tape.
【図６】（ａ），（ｂ）は従来のＴＡＢ用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。6 (a) and 6 (b) are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA ′ showing the order of steps for explaining an example of a method for manufacturing a semiconductor device using a conventional TAB tape.
【図７】（ａ），（ｂ）は従来のＴＡＢ用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。7 (a) and 7 (b) are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA ', showing the order of steps for explaining an example of a method for manufacturing a semiconductor device using a conventional TAB tape.
【図８】（ａ），（ｂ）は従来のＴＡＢ用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのＡ−Ａ′線断面図である。FIGS. 8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view taken along the line AA ′ in the order of steps illustrating an example of a method for manufacturing a semiconductor device using a conventional TAB tape.
１ 絶縁フィルム ２ スプロケットホール ３ ＩＬＢ用窓 ４ ＯＬＢ用窓 ５ 金属材料 ６ 配線パターン ７ インナリード ８ アウタリード ９ ＩＣペレット １０ 封止樹脂 １１ 試験用パッド 1 Insulating Film 2 Sprocket Hole 3 ILB Window 4 OLB Window 5 Metallic Material 6 Wiring Pattern 7 Inner Lead 8 Outer Lead 9 IC Pellet 10 Sealing Resin 11 Test Pad
Claims (4)
れぞれ形成されたスプロケットホール、インナリードボ
ンディング用窓及びアウタリードボンディング用窓と、
前記絶縁フィルム上にそれぞれ配設されたインナリー
ド、アウタリード及び試験用パッドを含む配線パターン
とを有するＴＡＢ用テープにおいて、前記インナリード
ボンディング用窓上に形成される前記インナリードの先
端をＴＡＢパッケージを必要とする最小サイズのＩＣペ
レットのパッドの位置に合わせて配置したことを特徴と
するＴＡＢ用テープ。1. An insulating film, a sprocket hole, an inner lead bonding window and an outer lead bonding window respectively formed in the insulating film,
In a TAB tape having an inner lead, an outer lead, and a wiring pattern including a test pad, which are respectively disposed on the insulating film, a tip of the inner lead formed on the inner lead bonding window is attached to a TAB package. A tape for TAB, which is arranged according to the position of a pad of a required minimum size IC pellet.
る工程と、インナリードボンディング用窓上に形成され
たインナリードを搭載するＩＣペレットのパッドの位置
に合わせて切断する工程と、前記インナリードボンディ
ング用窓上に前記ＩＣペレットを搭載する工程と、前記
ＩＣペレッドのパッドと前記インナリードの先端を前記
インナリードボンディング用窓によりインナリードボン
ディング接続する工程と、前記ＩＣペレットを封止樹脂
にて樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。2. A step of forming the TAB tape according to claim 1, a step of cutting in accordance with a position of a pad of an IC pellet having an inner lead formed on an inner lead bonding window, and the inner core. A step of mounting the IC pellet on a lead bonding window, a step of connecting the pad of the IC pellet and the tip of the inner lead by inner lead bonding through the inner lead bonding window, and the IC pellet as a sealing resin. And a step of resin-sealing the semiconductor device.
れぞれ形成されたスプロケットホール、インナリードボ
ンディング用窓及びアウタリードボンディング用窓と、
前記絶縁フィルム上にそれぞれ配設されたインナリー
ド、アウタリード及び試験用パッドを含む配線パターン
とを有するＴＡＢ用テープにおいて、前記インナリード
ボンディング用窓上に形成される前記インナリード同志
がＴＡＢパッケージを必要とする最小サイズのＩＣペレ
ットのパッドが囲む領域内で接続していることを特徴と
するＴＡＢ用テープ。3. An insulating film, a sprocket hole, an inner lead bonding window and an outer lead bonding window respectively formed in the insulating film,
In a TAB tape having an inner lead, an outer lead, and a wiring pattern including a test pad arranged on the insulating film, the inner leads formed on the inner lead bonding window require a TAB package. The tape for TAB is characterized in that the pads are connected in the area surrounded by the pads of the smallest size IC pellet.
る工程と、インナリードボンディング用窓上に形成され
たインナリードを搭載するＩＣペレットのパッドの位置
に合わせて切断する工程と、前記インナリードボンディ
ング用窓上に前記ＩＣペレットを搭載する工程と、前記
ＩＣペレットのパッドと前記インナリードの先端を前記
インナリードボンディング用窓によりインナリードボン
ディング接続する工程と、前記ＩＣペレットを封止樹脂
にて樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。4. A step of forming the TAB tape according to claim 3, a step of cutting in accordance with a position of a pad of an IC pellet having an inner lead formed on an inner lead bonding window, and the inner core. A step of mounting the IC pellet on the lead bonding window, a step of connecting the pad of the IC pellet and the tip of the inner lead to the inner lead bonding by the inner lead bonding window, and the IC pellet as a sealing resin. And a step of resin-sealing the semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192605A JPH0855879A (en) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | Tape for tab and manufacture of semiconductor device using tape for tab |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192605A JPH0855879A (en) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | Tape for tab and manufacture of semiconductor device using tape for tab |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855879A true JPH0855879A (en) | 1996-02-27 |
Family
ID=16294048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6192605A Pending JPH0855879A (en) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | Tape for tab and manufacture of semiconductor device using tape for tab |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855879A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346467C (en) * | 2005-07-19 | 2007-10-31 | 钰创科技股份有限公司 | Circuit rewiring method and circuit structure |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237045A (en) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Fujitsu Ltd | Tape carrier |
| JPH0478150A (en) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Toshiba Corp | Tab tape |
| JPH05144882A (en) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Hitachi Cable Ltd | Film carrier for semiconductor device |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP6192605A patent/JPH0855879A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961105 |