JPH1170353A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH1170353A
JPH1170353A JP13626698A JP13626698A JPH1170353A JP H1170353 A JPH1170353 A JP H1170353A JP 13626698 A JP13626698 A JP 13626698A JP 13626698 A JP13626698 A JP 13626698A JP H1170353 A JPH1170353 A JP H1170353A
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Tatsuyuki Iwama
達之 岩間
Tetsuo Nakahara
哲郎 中原
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理体の表面に処理液が塗布されない部分
が生じたりすることがないようにした処理装置を提供す
る。 【解決手段】 処理液供給ノズルを、回転中の被処理体
の上方において、回転半径方向に移動させながら、被処
理体上に処理液を供給して被処理体に処理液を塗布する
処理装置である。処理液供給ノズルの移動区間を複数個
に分割し、各分割移動区間での処理液供給ノズルの移動
速度を、それぞれ所望の速度値に設定するノズル移動速
度設定手段と、各分割移動区間のそれぞれにおける処理
液供給ノズルの移動速度を、ノズル移動速度設定手段に
より設定された速度値に制御するノズル移動速度制御手
段と、各分割移動区間での被処理体の回転速度を、処理
液供給ノズルの、被処理体の回転半径方向位置に応じて
切り替え制御する回転速度制御手段とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
ェーハの露光、現像処理等に用いられる処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】露光処理前の半導体ウェーハにホトレジ
スト膜を塗布する場合や、現像処理液を半導体ウェーハ
の表面に塗布する場合、ホトレジスト材料や現像処理液
は、半導体ウェーハの上方に設置されるノズルから半導
体ウェーハの表面に供給する。
【0003】この一例として、半導体ウェーハはチャッ
クに真空吸引して半固定した状態で回転させるととも
に、ノズルを半導体ウェーハの中心である回転中心に向
かって、一定速度で直線的に移動させながら、一定量ず
つの処理液を半導体ウェーハに供給して処理液の塗布を
行うものが知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウェ
ーハは角速度一定で回転させられるので、ウェーハ上
の、回転中心からの距離dが異なる位置では、同じ時間
に移動する回転方向の距離が異なることになる。したが
って、距離dが大きい位置では処理液が比較的多く必要
であり、また、距離dが小さい位置では処理液は比較的
少なくて良い。
【0005】ところが、前述したように、従来は、一定
速度で直線移動するノズルからウェーハに対し、一定量
の処理液を滴下して供給している。このため、ウェーハ
上で、その回転中心位置からの距離が異なる各位置にお
いて、処理液の過不足が生じることになり、半導体ウェ
ーハの表面上で処理液が塗布されない部分が生じたりし
て、処理液の塗布の不均一を生じる欠点がある。
【0006】また、処理液によって粘度や濃度が異な
り、ノズルの移動速度が一定、ウェーハの回転速度一定
及び処理液量一定では被処理物の表面に処理液を均一に
塗布できないことが多々ある。
【0007】この発明は、以上の点に鑑み、被処理体の
表面に処理液が塗布されない部分が生じたりすることが
ないようにした処理装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明による処理装置は、処理液供給ノズ
ルを、回転中の被処理体の上方において、回転半径方向
に移動させながら、上記被処理体上に処理液を供給して
上記被処理体に処理液を塗布する処理装置において、上
記処理液供給ノズルの移動区間を複数個に分割し、各分
割移動区間での上記処理液供給ノズルの移動速度を、そ
れぞれ所望の速度値に設定するノズル移動速度設定手段
と、上記各分割移動区間のそれぞれにおける上記処理液
供給ノズルの移動速度を、上記ノズル移動速度設定手段
により設定された速度値に制御するノズル移動速度制御
手段と、上記各分割移動区間での上記被処理体の回転速
度を、上記処理液供給ノズルの、上記被処理体の回転半
径方向位置に応じて切り替え制御する回転速度制御手段
と、を備えることを特徴とする。
【0009】
【作用】上述の構成の請求項1の発明による処理装置に
おいては、処理液供給ノズルの移動区間が、被処理体の
回転半径方向の位置に応じて複数個に分割され、各分割
移動区間での処理液供給ノズルの移動速度が、オペレー
タにより設定された速度値に制御される。そして、各分
割移動区間内においては、被処理体の回転速度が、処理
液供給ノズルの回転半径方向位置に応じて切り替え制御
される。
【0010】したがって、回転中の被処理体への処理液
の塗布液量が当該被処理体の回転半径方向の各位置に応
じた適切なものとなり、被処理体の全体に渡って、均一
に処理液を塗布することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
を参照しながら説明しよう。
【0012】図1は、この発明による装置を半導体ウェ
ーハの現像処理などの表面処理装置に適用した場合の電
気的構成の一例のブロック図である。
【0013】この例は、2枚の半導体ウェーハを同時に
処理することができる場合の例で、処理系はA、Bの2
系統ある。各系はユニットコントローラ11A,11Bと、
ジョイントボックス12A,12Bと、処理ユニット13A,
13Bからなる。処理ユニット13A,13B、ユニットコン
トローラ11A,11Bは、それぞれマイクロコンピュータ
(以下CPUという)を有し、ユニットコントローラ11
A,11Bからの制御指令を受けて処理ユニット13A,13
Bは、所定の処理を行う。
【0014】処理ユニット13A及び13Bには、半導体ウ
ェーハを真空吸引して固定し、また、この半導体ウェー
ハを回転させるためのチャックが配される。その回転速
度はユニットコントローラ11A,11Bからの指示により
設定され、可変である。このチャックの上方にユニット
ヘッド部の処理液供給ノズルが配される。ユニットヘッ
ド部は、処理液供給ノズルを、チャックの回転中心位置
及びウェーハのエッジ部を通る直線または曲線上におい
て、移動可能とする。
【0015】ユニットヘッド部は、例えば図2に示すよ
うに構成されている。すなわち、図2Aはユニットヘッ
ド部の側面図、図2Bは平面図である。図2において、
31はノズルプレートで、これにノズルが取り付けられ
る。32は摺動体で、ノズルプレート31はこの摺動体32に
固定されている。この摺動体32には、貫通孔が設けら
れ、その貫通孔の内周面にはネジが切られている。33は
ボールネジで、その外周面には摺動体32の貫通孔の内周
面のネジと噛み合うネジが形成されている。摺動体32の
貫通孔にこのボールネジ33が螺入されている。ボールネ
ジ33が回転すると、その回転方向に応じて摺動体32は、
図中右方向あるいは左方向にボールネジ33に沿って摺動
運動する。その結果、ノズルは半導体ウェーハ上を直線
的に移動する。
【0016】34はガイドで、摺動体32の摺動運動を案内
する。35はステッピングモータである。ボールネジ33の
回転軸36には、プーリ37が取り付けられており、ステッ
ピングモータ35の回転軸に取り付けられたプーリ38との
間にタイミングベルト39が巻回され、ステッピングモー
タ35の回転がボールネジ33の回転軸に伝達される。ステ
ッピングモータ35の回転が制御されることにより、摺動
体32の摺動運動、従ってノズルの移動速度が制御され
る。
【0017】なお、40はセンサ取り付け部で、これはボ
ールネジ33に沿って設けられる。このセンサ取り付け部
40には、摺動体32の位置、従ってノズルの位置を知るた
めの複数個のセンサを、任意の位置に取り付け可能とさ
れている。このセンサは、ノズルが移動例えばスキャン
始めの位置にあるか、半導体ウェーハの中心位置にノズ
ルが来たかなどの検知を行う。
【0018】また、図1において、20はノズルの移動速
度を制御する速度コントローラである。この速度コント
ローラ20は、2つの系A及びBで兼用のCPUを有し、
後述のようにノズルの移動速度設定データをユニットコ
ントローラ11A及び11Bにそれぞれ送り、また、ユニッ
トコントローラ11A及び11Bからの制御指令を受けて、
ノズルの移動速度の制御を行う。
【0019】21A及び21Bは、系A及び系Bの各ノズル
の移動速度のデータなどを設定するための入力パネルで
ある。これら入力パネル21A及び21Bからの入力データ
は、セレクタ22を介して速度コントローラ20に入力され
る、速度コントローラ20のCPUは、セレクタ22を制御
して、入力パネル21Aまたは21Bからの入力データを選
択的に取り込み、対応する系のユニットコントローラ11
Aまたは11BのCPUに、その入力データを転送する。
【0020】この速度コントローラ20において、ノズル
の移動速度の制御は、各系A及びBの処理ユニット13A
及び13Bの、ステッピングモータ35に供給する駆動パル
スを制御することによりなされる。この場合において、
モータ35の駆動制御回路は、ハードウエアで構成され、
処理ユニット13A及び13Bのそれぞれに対して設けられ
ている。そして、この駆動制御回路の出力パルスが各系
のステッピングモータ35に供給される。
【0021】図3は、ステッピングモータ35の駆動制御
回路の一例で、この回路が系A及びBのそれぞれについ
て設けられる。
【0022】41は、例えば周波数が3.072MHzのパ
ルスを発生する発振器である。この発振器41の出力パル
スPIは、ステッピングモータ35を第1の速度から第2の
速度に変えるときの加速度を決定する回路42に供給され
る。この加速度決定回路42は、第1の可変分周回路421
と、1/2分周回路422 とで構成される。第1の可変分
周回路421 は、例えばカウンタで構成され、そのプリセ
ット値を変えることにより分周比が変えられる。
【0023】この加速度決定回路42の出力パルスPaは、
ステッピングモータ35の目標速度の決定回路43に供給さ
れる。この目標速度決定回路43は、第2の可変分周回路
431と、1/2分周回路432 とからなり、第2の可変分
周回路431 は、例えばカウンタで構成され、そのプリセ
ット値を変えることにより分周比が変えられる。この目
標速度決定回路43の出力パルスPoが、ステッピングモー
タ35に供給される。
【0024】この場合、加速度決定回路42の出力パルス
Paの周波数をfa、目標速度決定回路43の出力パルスPoの
周波数をfoとした時、ステッピングモータ35は、目標周
波数foに応じた速度になるまでに、出力パルスfaにより
定まる加速度で速度変化することになる。前述したよう
に、第1及び第2の可変分周回路421 及び431 の分周比
は、カウンタのプリセット値を変えることで変えること
ができるので、このプリセット値を適宜選定することに
よりステッピングモータ35の速度を任意に変えることが
できる。
【0025】ここで、第1の可変分周回路421 の分周比
1/N のN値をACC 、第2の可変分周回路431 のそれをSP
EDとした時、出力パルスPoの周波数foは、次式により求
められる。
【0026】 fo=3072000/( ACC×2×SPED×2) =768000/( ACC×SPED)[Hz] …(a) ステッピングモータ35はこの出力パルスPoの周波数foに
応じた回転周波数で回転する。
【0027】ここで、SPEDは、後述する入力パネルでの
設定データ(BCDデータ)を16進データに変換した
値の補数を意味する。これは、ステッピングモータの起
動補償を行なっているためである。
【0028】この例では、この図3の駆動制御回路を用
いて、1回の現像処理液の塗布に際してのノズルの移動
速度を、一定ではなく、複数段階に変えられるようにし
ている。
【0029】すなわち、この場合、1回の処理液塗布時
間、つまり半導体ウェーハに対するノズルの1回のスキ
ャン区間を仮想的に複数に分割し、各分割スキャン区間
において第1及び第2の可変分周回路に供給するプリセ
ット値を、ウェーハの全面において均一に塗布されるよ
うに値を設定し、各分割スキャン期間におけるノズルの
移動速度を設定した加速度で設定した速度にまで変化さ
せることができるようにしている。速度の設定及び加速
度の設定は、入力パネル21A及び21Bでなされ、1回の
処理液塗布の際の全体の制御は、ユニットコントローラ
11A及び11Bが行う。
【0030】以下、1回の処理液塗布の際の設定動作及
びそれに応じてなされるユニットコントローラ11A及び
11Bによる処理動作について説明する。
【0031】図4は、入力パネル21Aまたは21Bの一例
である。この例の場合、1回のスキャンを3分割できる
ようにされており、このため、データ設定部はP1、P
2,P3の3個、設けられる。
【0032】データ設定項目は、この例では、図の左側
から順に、目標速度SPEED に対する速度データDV、加速
度ACCELERATIONに対する加速度データDA、分割スキャン
時間SCAN TIME (分割スキャン区間)、スキャン遅延時
間SCAN DELAY TIME の、4項目とされている。
【0033】この例においては、速度データDVは、速度
を3桁の値(10進法)で表したとき、最小値[000]
から最大値[254]まで取り得るようにされる。ま
た、加速度データDAは、同様に、最小値[255]ら最
大値[001]までとされる。
【0034】前述の式(a)における値ACC 及びSPED
と、これら加速度データDA及び速度データDVとの関係は
次のようになる。すなわち、 ACC =DA(3桁の10進数) SPED=255−DV(3桁の10進数) となる。
【0035】スキャン遅延時間は、ユニットコントロー
ラからのスキャン開始指令を速度コントローラ20が受け
取ってから、実際にノズルのスキャンを開始するまでの
時間である。これは、処理液を加圧をかけてノズルから
送り出すときの、遅延時間を考慮したものである。
【0036】データ設定部P1は、1回のスキャン距離
の初めの時点からの分割スキャン区間のデータを設定す
る。データ設定部P2は、これに続く分割スキャン区間
のデータを設定し、データ設定部P3は、最後の分割ス
キャン区間のデータを設定する。
【0037】このデータ設定部におけるデータ設定の方
法を以下説明する。
【0038】今、例えば図5に示すように、1回のスキ
ャン距離を80mmとした時、これを前半の15mmの分割
スキャン区間SAと、後半の65mm分割スキャン区間SBと
に分割して、ノズルのスキャン速度を2段階に変えるよ
うにする場合を例にとる。
【0039】上記の例の場合には、データ設定部はP1
とP2を使用する。
【0040】先ず、データ設定部P1では、分割スキャ
ン区間SAのスキャン時間を例えば0.5秒と設定する。
スキャン遅延時間は、例えば0とする。スキャン方向
は、半導体ウェーハの周辺部から中心部方向へ向かう方
向であってもよいし、逆に中心部から周辺部に向かう方
向であってもよい。
【0041】次に、分割スキャン区間SAでのノズルの移
動速度Sを求める。ここでは、S=15/0.5=30
mm/秒となる。次に、この移動速度Sから、ステッピン
グモータ35の回転周波数Pを求める。これは、例えば、
P=S×500/27=555.5Hzとして求められ
る。
【0042】次に、このステッピングモータの回転周波
数を元にして、図6に示すような、速度データDV及び加
速度データDAの一覧表(これは、予め用意されている)
から適切な加速度データDA及び速度データDVを求め、入
力パネル上で設定する。この場合に、目標速度が同じで
あっても、速度データDVと加速度データDAとを組み合わ
せることにより、異なる加速度で目標速度にまで立ち上
げることができる。
【0043】分割スキャン区間SBに対しても、同様にし
てデータ設定部P2において、スキャン時間、速度デー
タDV、加速度データDAを設定する。
【0044】ユニットコントローラ11Aまたは11Bで
は、これら入力パネル21Aまたは21Bからの分割スキャ
ン区間SA及びSBのデータを受ける。
【0045】そして、以下に示すように、処理液塗布の
際の各部の動作仕様が定められたレシピと呼ばれる処理
シーケンス仕様に従って、実際の処理液塗布処理が行わ
れる。
【0046】図7はレシピの一例である。この例は、前
述の図5の全スキャン区間が80mmの場合において、デ
ータ設定部P1及びP2でデータが前述のように設定さ
れた場合である。
【0047】この例の場合、レシピでは、1回のスキャ
ン時間が複数のセクション、図の例では6セクションSE
Q1〜SEQ6に分けられている。そして、各セクションの時
間(分割スキャン時間)、そのセクションでのチャッ
ク、すなわちウェーハの回転数、回転加速度が図のよう
に割り付けられている。つまり、この例ではウェーハの
回転速度は各セクションで変えられている。また、各セ
クションで使用する設定データが割り付けられる。この
例では、セクションSEQ1〜SEQ5までは、データ設定部P
1及びP2で設定したデータを使用することを意味して
いる。つまりユニットコントローラ11Aまたは11Bから
設定されたデータが速度コントローラ20に送られる。セ
クションSEQ6では何のデータも割り付けられていない
が、これはこれらのデータが速度コントローラ20に送ら
れないことを意味している。
【0048】速度コントローラ20では、データ設定部P
1及びP2で設定したデータが送られている間は、これ
らのデータに従った速度制御を行い、データが送られて
こないセクションSEQ6では、定められた速度でノズルを
元の位置に戻す動作をなすようにされている。なお、図
7で、S1は、現像処理液、つまりレジスト塗布処理を
行うことを示している。
【0049】図8は、上記のレシピに従ったノズルの移
動とその速度変化とを示す図である。この図8を参照し
ながら、この例の現像処理液塗布動作について説明す
る。
【0050】すなわち、処理液塗布処理のスタート指令
がユニットコントローラに対し与えられると、ユニット
コントローラ11Aまたは11Bから、セクションSEQ1で起
動信号が速度コントローラ20に与えられると共にデータ
設定部P1及びP2のデータが速度コントローラ20に送
られる。すると、速度コントローラ20により、ステッピ
ングモータ35はデータ設定部P1で設定された速度値及
び加速度値の割合で目標速度まで加速される。そして、
ノズルから現像液が例えば、20cc/秒の割合で、ウェ
ーハに供給される。以後、ノズルからは、この割合で、
一定量づつ半導体ウェーハに現像液が供給される。
【0051】また、このセクションSEQ1では、ウェーハ
の回転速度500rpm で回転するようにユニットコント
ローラ11Aまたは11Bによって制御される。スキャン遅
延時間が設定されているときは、そのスキャン遅延時間
経過後、ステッピングモータ35が回転を始める。また、
スキャン遅延時間経過後、現像液がノズルからウェーハ
に供給される。
【0052】目標値の速度、この例では30mm/秒まで
加速されると、ステッピングモータ35はその速度で分割
スキャン区間SAのスキャン時間の間、つまりセクション
SEQ1の間、固定され、その移動速度でノズルが移動す
る。
【0053】データ設定部P1で設定したスキャン時間
経過してセクションSEQ2になると、速度コントローラ20
によりステッピングモータ35はデータ設定部P2で設定
された速度値及び加速度値の割合で、目標速度、この例
では65mm÷0.8秒=81.25mm/秒まで加速され
る。
【0054】目標値の速度まで加速されると、ステッピ
ングモータ35はその速度で分割スキャン区間SBのスキャ
ン時間の間、つまりセクションSEQ2〜SEQ5までの間、固
定され、その移動速度でノズルが移動する。しかし、ウ
ェーハの回転速度は、セクションSEQ2では1000rpm
、セクションSEQ3では800rpm 、セクションSEQ4で
は1500rpm 、セクションSEQ5では2000rpm と、
ユニットコントローラにより制御されて変えられてい
る。
【0055】データ設定部P2で設定した時間経過して
セクションSEQ6になると、ノズルからの現像液供給が停
止されると共に、速度コントローラ20によりステッピン
グモータ35は減速停止させられ、ノズルは元のスタート
位置に戻される。このとき、ユニットコントローラによ
りウェーハの回転速度は4000rpm とされ、現像液が
ウェーハに、より均一に塗布されるようにされる。
【0056】以上のようにして、ノズルの移動速度は、
分割スキャン区間ごとに異なる値に設定される。また、
ウェーハの回転速度も変えられている。
【0057】この場合、ノズルの移動速度は半導体ウェ
ーハの中心に近い位置では81.25mm/秒と速く、外
周縁に近い位置では30mm秒と比較的遅くなる。従っ
て、処理液をノズルから一定量ずつ半導体ウェーハの表
面に供給したとしても、処理液が半導体ウェーハの表面
に塗布されない部分が生じないようにすることができ
る。
【0058】勿論、オペレータは、設定データを種々変
えてほぼ均一に処理液がウェーハの表面に塗布できる設
定データを選択することができる。
【0059】以上の例によれば、1回の処理に際しての
ノズルのスキャン区間を複数に分割し、各分割スキャン
区間でノズルの移動速度を任意に設定できるので、処理
液の濃度や被処理物の移動速度等に対応させて最適のノ
ズルの移動制御を行うことができる。
【0060】また、上記の例においては、半導体ウェー
ハの回転速度を、ノズルの移動に関連して変えるように
したので、処理液の塗布の際の制御をさらに細かく行う
ことができる。
【0061】なお、以上の例では、ノズルの移動速度を
徐々に上げた場合の例であるが、データ設定部P2ある
いはP3の設定データを、その前の分割スキャン区間の
移動速度よりも遅い速度を目標速度とするように設定す
れば、移動速度を下げるようにすることができる。ま
た、同様にして移動速度を上げたり下げたりすることが
できることはいうまでもない。
【0062】なお、以上の例は分割スキャン区間を3個
にした場合であるが、分割スキャン区間は用途に応じて
幾つ設けても良い。
【0063】また、上記の実施例ではノズルの移動速度
を変えて被処理体への処理液量を回転中心部と周辺部と
で変えるようにした場合について説明したが、ノズルの
移動速度は一定にしておき、ノズルからの処理液の供給
量を、ノズルからの処理液の噴射を断続させることによ
り、あるいはノズルからの噴射量自体を変えることによ
り変えて、被処理体の回転中心部と周辺部とでの処理液
量を変えるようにしても良い。
【0064】また、上述の実施例では1本のノズルをス
キャンさせたが、複数本のノズルを半導体ウェーハの半
径方向に配列し、それぞれのノズルから同時に処理液を
滴下させてもよい。同時に滴下して供給したほうが周速
度差により現像液の乾燥が周辺の方が速いのを緩和でき
る。
【0065】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、被処理体の回転中心部と周辺部とで、塗布する処理
液量を変えるようにしたので、被処理体の回転中心から
の半径方向の距離が異なるいずれの位置でも被処理体へ
の処理液の塗布量は均一になり、処理液が塗布されない
箇所が生じることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明による処理装置の実施の形態の電気的
構成のブロック図である。
【図2】この発明による処理装置の実施の形態の要部の
機械的構成の一例を示す図である。
【図3】ノズルの移動駆動用モータの駆動制御回路の一
例を示すブロック図である。
【図4】移動速度を設定するための入力パネルの一例を
示す図である。
【図5】ノズルのスキャンの一例を説明するための図で
ある。
【図6】ノズルの移動速度のデータを設定する場合に使
用する表の一例を示す図である。
【図7】処理液塗布の際の各部の動作仕様の一例を示す
図である。
【図8】ノズルの移動とその速度変化を示す図である。
【符号の説明】
11A,11B;ユニットコントローラ 13A,13B;処理ユニット 20;速度コントローラ 21A,21B;入力パネル 31;ノズルプレート 32;摺動体 35;ステッピングモータ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】処理液供給ノズルを、回転中の被処理体の
    上方において、回転半径方向に移動させながら、上記被
    処理体上に処理液を供給して上記被処理体に処理液を塗
    布する処理装置において、 上記処理液供給ノズルの移動区間を複数個に分割し、各
    分割移動区間での上記処理液供給ノズルの移動速度を、
    それぞれ所望の速度値に設定するノズル移動速度設定手
    段と、 上記各分割移動区間のそれぞれにおける上記処理液供給
    ノズルの移動速度を、上記ノズル移動速度設定手段によ
    り設定された速度値に制御するノズル移動速度制御手段
    と、 上記各分割移動区間での上記被処理体の回転速度を、上
    記処理液供給ノズルの、上記被処理体の回転半径方向位
    置に応じて切り替え制御する回転速度制御手段と、 を備えることを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】上記処理液供給ノズルを移動させながら、
    上記回転中の被処理体に対する処理液の供給を行った後
    に、上記処理液の供給を停止して、上記処理液供給ノズ
    ルを元に位置に戻す移動の際には、前記ノズル移動速度
    制御手段による制御をフリーにすることを特徴とする請
    求項1に記載の処理装置。
  3. 【請求項3】上記処理液が現像処理液であることを特徴
    とする請求項1または請求項2に記載の処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001307992A (ja) * 2000-04-25 2001-11-02 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2002015984A (ja) * 2000-04-27 2002-01-18 Toshiba Corp 成膜方法

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