JPH1168512A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents

弾性表面波フィルタ

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JPH1168512A
JPH1168512A JP22657097A JP22657097A JPH1168512A JP H1168512 A JPH1168512 A JP H1168512A JP 22657097 A JP22657097 A JP 22657097A JP 22657097 A JP22657097 A JP 22657097A JP H1168512 A JPH1168512 A JP H1168512A
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正敏 小栗
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来に比べ小型、低価格、低損失の1入力2
出力又は2入力1出力のSAWフィルタを実現する。 【解決手段】 通過帯域の中心周波数がf1であるSA
WフィルタFil1に、周波数f1を共振周波数とする
SAW共振器Reso1を接続する。周波数f2を通過
帯域の中心周波数とするSAWフィルタFil2に、周
波数f2を共振周波数とするSAW共振器Reso2を
接続する。SAW共振器Reso1及びReso2の一
端を共通接続し、インピーダンス整合回路10に接続す
る。SAWフィルタFil1及びFil2、SAW共振
器Reso1及びReso2並びにインピーダンス整合
回路10のコンデンサCを、単一のSAWチップ上に形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波(SA
W)フィルタ、特に2入力1出力又は1入力2出力のS
AWフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術及びその問題点】SAWフィルタは広く用
いられているフィルタであり、例えば携帯電話機の高周
波回路でも用いられている。他方、国内の携帯電話シス
テムではデュアルバンドによるサービスが行われてお
り、受信周波数の帯域が820MHzと880MHZと
いう2帯域存している。そこで、デュアルバンドの携帯
電話システムに対応できる1入力2出力のSAWフィル
タが、開発されている。
【0003】図13に、1入力2出力SAWフィルタの
一例構成を示す。この図に示すフィルタは、2個のSA
WフィルタFil1及びFil2、インピーダンス整合
回路10、並びに2個のインピーダンス変換器12−1
及び12−2から構成されている。SAWフィルタFi
l1及びFil2の一端はインピーダンス変換器12−
1及び12−2のうち対応するものを介して共通接続さ
れており、この共通接続に係る端が、インピーダンス整
合回路10を介して、入力端として用いられている。ま
た、SAWフィルタFil1及びFil2の他端は、そ
れぞれ出力端として用いられている。
【0004】SAWフィルタFil1及びFil2は、
その通過帯域の中心周波数がそれぞれf1,f2(但し
f1<f2)となるよう、設計されている。f1は例え
ば820MHz、f2は例えば880MHzである。そ
のように設計した場合、SAWフィルタFil1及びF
il2の入力インピーダンスZin1a,Zin1b
は、それぞれ図14(a),(b)に示すようなスミス
チャートを描く。この図に示すように、周波数f1即ち
入力インピーダンスZin1a=Z0となる周波数にお
ける入力インピーダンスZin1bと、周波数f2即ち
入力インピーダンスZin1b=Z0となる周波数にお
ける入力インピーダンスZin1aとの間には、通常は
相違がある(但しZ0は特性インピーダンス例えば50
Ω)。このような相違があると、インピーダンス整合回
路10のみでは十分なインピーダンス整合を実現するこ
とができない。インピーダンス変換器12−1及び12
−2を設けているのは、上述のインピーダンス特性差の
影響を抑えるためである。なお、インピーダンス変換器
12−1及び12−2は具体的にはジャイレータであ
り、LCのπ型回路等で実現できる。
【0005】インピーダンス整合回路10並びにインピ
ーダンス変換器12−1及び12−2は、プリント回路
基板を用いて形成した伝送線路や、或いはプリント回路
基板を利用して組み立てたLC回路等として、実現でき
る。しかし、このような実現手法をとると、製品寸法、
製造コスト、損失発生等の問題が生じる。即ち、伝送線
路乃至LC回路として実現するには、ある程度の寸法を
有するプリント回路基板が必要であるし、またプリント
回路基板上の回路乃至部品にて損失も発生する。LC回
路として実現する際には、インダクタやコンデンサの多
さ=部品点数の多さ、ひいては多大な部品コストの発生
という問題も生じる。加えて、SAWフィルタFil1
及びFil2は従来はそれぞれ単独のチップにて実現さ
れていたため、この面でも、部品点数が多いという問題
が生じる。
【0006】SAWフィルタFil1及びFil2やそ
の周辺の回路を単独のチップ上に形成できれば、上述の
問題は解消される。しかし、インピーダンス変換器12
−1及び12−2は、通常はインダクタ等、圧電性基板
上では(十分小さくなるようには)実現困難な成分を必
要とするため、図13に示される回路構成を単一チップ
化することは、事実上不可能である。
【0007】
【発明の概要】本発明の目的の一つは、共振周波数では
短絡、反共振周波数では開放、それ以外の周波数では容
量性のインピーダンスを呈するというSAW共振器の特
徴を利用して、小型かつ低損失な1入力2出力又は2入
力1出力のSAWフィルタを、小部品点数、従って低コ
ストにて実現することにある。
【0008】かかる目的を達成すべく、本発明において
は、まず、第1,第2SAWフィルタ素子を、その通過
帯域の中心周波数がそれぞれf1,f2(f1≠f2)
となるよう設計した上で、第1,第2SAWフィルタ素
子のうち対応するものに縦続接続すべき第1,第2SA
W共振器を、その共振周波数がそれぞれf1,f2とな
るよう、かつ、第1SAW共振器の一端から第1SAW
共振器を介し第1SAWフィルタ素子側を見た入力イン
ピーダンスの周波数f2における値が第2SAW共振器
の一端から第2SAW共振器を介し第2SAWフィルタ
素子側を見た入力インピーダンスの周波数f1における
値と等しくなるよう、設計する。更に、単一の圧電性基
板の同一の面に、第1SAWフィルタ素子を構成する電
極、第2SAWフィルタ素子を構成する電極、第1SA
W共振器を構成しかつ第1SAWフィルタ素子を第1S
AW共振器に接続する電極、第2SAW共振器を構成し
かつ第2SAWフィルタ素子を第2SAW共振器に接続
する電極、並びに第1及び第2SAW共振器を共通接続
する電極を形成することにより、2入力1出力又は1入
力2出力のSAWフィルタ用チップを製造する。尚、よ
り好ましくは、同じ圧電性基板の同じ面に、第1及び第
2SAW共振器に共通接続されかつ整合回路用コンデン
サを形成する電極を、形成する。更に、このようにして
製造されたSAWフィルタ用チップを、フェースダウン
ボンディングによりパッケージに収納固定し、更に整合
回路又は整合回路用インダクタを接続することにより、
2入力1出力又は1入力2出力のSAWフィルタを製造
する。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
関し図面に基づき説明する。
【0010】図1に、本発明の一実施形態に係り1入力
2出力のSAWフィルタのブロック構成を示す。この図
に示すように、本実施形態では、SAWフィルタFil
1及びFil2とインピーダンス整合回路10との間
に、それぞれ共振周波数がf1,f2のSAW共振器R
eso1及びReso2が接続されている。SAW共振
器Reso1及びReso2は、それぞれその共振周波
数では等価的に短絡であり、反共振周波数では等価的に
開放であり、それ以外の周波数では容量性インピーダン
スを呈する。従って、図1に示すフィルタの周波数f1
における等価回路は図2のような回路となり、周波数f
2における等価回路は図3のような回路となる。図中、
C1は周波数f2におけるSAW共振器Reso1の等
価容量、C2は周波数f1におけるSAW共振器Res
o2の等価容量である。
【0011】本発明の特徴の一つは、SAW共振器Re
so1及びReso2を、その共振周波数や反共振周波
数における特性ではなく、それ以外の周波数での特性を
利用していることにある。即ち、対応するSAWフィル
タとは別のSAWフィルタの通過帯域中心周波数にて、
静電容量として動作させ、この静電容量にてスミスチャ
ート上で入力インピーダンスの特性を回転させるところ
にある。これによって、インピーダンス整合回路10中
のインダクタLをのぞけば全ての回路を単一のSAWチ
ップの上に作成することが可能になっており、ひいては
部品点数低減、コスト削減、小型化、低損失等を達成し
ている。
【0012】図4に、容量C1及びC2による特性回転
の効果を、SAW共振器Reso1及びReso2を介
して見たSAWフィルタFil1及びFil2の入力イ
ンピーダンスZin1c及びZin2cにより、示す。
周波数f1におけるSAWフィルタFil2の入力イン
ピーダンスZin2cは容量C2に応じて、また周波数
f2におけるSAWフィルタFil1の入力インピーダ
ンスZin1cは容量C1に応じて、それぞれスミスチ
ャート上で回転するから、周波数f1におけるSAWフ
ィルタFil2の入力インピーダンスZin2cと周波
数f2におけるSAWフィルタFil1の入力インピー
ダンスZin1cとを互いに一致させる容量C1及びC
2が生じるよう、SAW共振器Reso1及びReso
2を設計することによって、上述のような効果が得られ
る。
【0013】図5に、図1に示すフィルタを実現するた
めに用いることができるチップ14、すなわちSAWフ
ィルタFil1及びFil2、SAW共振器Reso1
及びReso2並びにインピーダンス整合回路10中の
コンデンサCをその表面にて実現したチップ14の一例
構成を示す。この図に示すチップ14は、圧電性基板1
6の表面に、前述のSAWフィルタFil1及びFil
2を構成する電極(櫛歯状電極対)、SAW共振器Re
so1及びReso2を構成する電極(櫛歯状電極
対)、コンデンサCを実現する電極(櫛歯状電極対)、
入力端子18、出力端子28−1及び28−2、GND
端子22を形成した構成を有している。
【0014】また、このチップ14は、図6に示されて
いるように、ケース24の凹部に図5の面を下にして収
納固定される(フェースダウンボンディング)。図5及
び図6中、黒丸の箇所28は、圧電性基板16表面の電
極とケース24の凹部底面のパッドと電気的に接続し固
定するためのバンプである。ケース24の凹部底面に
は、例えば図7に示されているような態様で、入力パッ
ド30、出力パッド32−1及び32−2並びにGND
パッド34を形成しておく。図中、破線の丸は、バンプ
28が当接する部位である。このような態様にて各パッ
ドを形成することにより、比較的ラフな作業にて高精度
位置決め固定を実現することができる。尚、図7は、理
解の簡単化のため、左右を反転して描いている。このよ
うにして得られるフィルタ36は、例えば、図8に示す
ように入力導体40、出力導体42−1及び42−2並
びにGND導体44を有する基板38の表面において、
外付けのインダクタ46と接続され、これにより図1に
示す回路が実現される。
【0015】図9乃至図12に、本願発明の発明者によ
り試作された1入力2出力フィルタの特性測定結果を示
す。これらの図から明らかなように、本実施形態によれ
ば、例えばデュアルバンドサービスに対応した携帯電話
機の高周波回路において利用しうる1入力2出力フィル
タが実現されている。
【0016】尚、本発明は、1入力2出力フィルタとし
てのみでなく、2入力1出力フィルタとしても実現でき
ることは、いうまでもない。さらに、前述の構成は、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において、様々に変形する
ことができる。また、本発明は、SAWチップの製造方
法やSAWフィルタとしてのみでなく、他のカテゴリー
においても把握及び理解することができる。かかる把握
及び理解は、本願の開示内容を参照した当業者にとって
は一意かつ自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態に係るSAWフィルタの
ブロック構成を示すブロック図である。
【図2】 この実施形態におけるSAW共振器の機能を
示す図である。
【図3】 この実施形態におけるSAW共振器の機能を
示す図である。
【図4】 SAW共振器の等価容量の作用を示す図であ
り、特に(a)は入力インピーダンスZin1cを、
(b)は入力インピーダンスZin2cをそれぞれ示す
チャートである。
【図5】 この実施形態を実現する際に用いるSAWチ
ップの構成を示す電極配置図である。
【図6】 この実施形態に係るフィルタの構成を示す分
解断面図である。
【図7】 この実施形態におけるパッド配置図である。
【図8】 この実施形態における整合回路用インダクタ
の外付け態様を示す図である。
【図9】 本実施形態に係るフィルタの特性測定結果、
特に出力2を50Ω(=Z0)で終端し入力から出力1
を見たときの挿入損失特性を示す図である。
【図10】 本実施形態に係るフィルタの特性測定結
果、特に出力1を50Ω(=Z0)で終端し入力から出
力2を見たときの挿入損失特性を示す図である。
【図11】 本実施形態に係るフィルタの特性測定結果
を850MHzを中心とした200MHzの周波数範囲
について示す図であり、特に(a)は出力1及び2をそ
れぞれ50Ω(=Z0)で終端し入力から見たときの整
合回路のLを含む全体の入力インピーダンスを示すスミ
スチャート、(b)は入力及び出力2をそれぞれ50Ω
(=Z0)で終端し出力1から見た入力インピーダンス
を示すスミスチャートである。
【図12】 本実施形態に係るフィルタの特性測定結果
を850MHzを中心とした200MHzの周波数範囲
について示す図であり、特に(a)は出力1及び2をそ
れぞれ50Ω(=Z0)で終端し入力から見たときの整
合回路のLを含む全体の入力インピーダンスを示すスミ
スチャート、(b)は入力及び出力1をそれぞれ50Ω
(=Z0)で終端し出力2から見た入力インピーダンス
を示すスミスチャートである。
【図13】 従来技術に係るSAWフィルタのブロック
構成を示すブロック図である。
【図14】 SAWフィルタの特性を示す図であり、特
に(a)はSAWフィルタFil1単体での入力インピ
ーダンスを、(b)はSAWフィルタFil2単体での
入力インピーダンスをそれぞれ示すスミスチャートであ
る。
【符号の説明】
10 インピーダンス整合回路、Fil1,Fil2
SAWフィルタ、Reso1,Reso2 SAW共振
器、f1,f2 SAWフィルタFil1,Fil2の
通過帯域の中心周波数、Zin1,Zin2 SAWフ
ィルタFil1,Fil2単体での入力インピーダン
ス、Zin1c,Zin2c SAW共振器Reso
1,Reso2を介してみたSAWフィルタFil1,
Fil2の入力インピーダンス、C,L 整合回路用コ
ンデンサ,インダクタ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1,第2弾性表面波フィルタ素子を、
    その通過帯域の中心周波数がそれぞれf1,f2(f1
    ≠f2)となるよう設計し、 上記第1,第2弾性表面波フィルタ素子のうち対応する
    ものに縦続接続すべき第1,第2弾性表面波共振器を、
    その共振周波数がそれぞれf1,f2となるよう、か
    つ、上記第1弾性表面波共振器の一端から当該第1弾性
    表面波共振器を介し上記第1弾性表面波フィルタ素子側
    を見た入力インピーダンスの周波数f2における値が上
    記第2弾性表面波共振器の一端から当該第2弾性表面波
    共振器を介し上記第2弾性表面波フィルタ素子側を見た
    入力インピーダンスの周波数f1における値と等しくな
    るよう、設計し、 単一の圧電性基板の同一の面に、上記第1弾性表面波フ
    ィルタ素子を構成する電極、上記第2弾性表面波フィル
    タ素子を構成する電極、上記第1弾性表面波共振器を構
    成しかつ上記第1弾性表面波フィルタ素子を上記第1弾
    性表面波共振器に接続する電極、上記第2弾性表面波共
    振器を構成しかつ上記第2弾性表面波フィルタ素子を上
    記第2弾性表面波共振器に接続する電極、並びに上記第
    1及び第2弾性表面波共振器を共通接続する電極を形成
    することにより、 2入力1出力又は1入力2出力の弾性表面波フィルタ用
    チップを製造することを特徴とする製造方法。
  2. 【請求項2】 上記圧電性基板の上記面に、上記第1及
    び第2弾性表面波共振器に共通接続されかつ整合回路用
    コンデンサを形成する電極を、形成することを特徴とす
    る請求項1記載の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の方法により製造さ
    れた弾性表面波フィルタ用チップをフェースダウンボン
    ディングによりパッケージに収納固定し、更に整合回路
    又は整合回路用インダクタを接続することにより製造さ
    れる2入力1出力又は1入力2出力の弾性表面波フィル
    タ。
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