JPH1168412A - 非可逆回路素子 - Google Patents

非可逆回路素子

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JPH1168412A
JPH1168412A JP21492197A JP21492197A JPH1168412A JP H1168412 A JPH1168412 A JP H1168412A JP 21492197 A JP21492197 A JP 21492197A JP 21492197 A JP21492197 A JP 21492197A JP H1168412 A JPH1168412 A JP H1168412A
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conductors
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center conductors
lines
thickness
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Noriyuki Umebayashi
憲之 梅林
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】中心導体の磁性体からの浮き上がりを防止して
所望の電気的特性を安定に得ることができ、かつ、各中
心導体と他の構成部材との安定で確実な接続を得ること
ができる非可逆回路素子を提供する。 【解決手段】磁性体4を包み込むように磁性体4に折り
曲げて配置された各中心導体51〜53の磁性体4上面
外周部の折曲部にはそれぞれ切欠き51a,52a,5
3aが設けられ、最上部の中心導体53には各中心導体
51〜53の交差部分である磁性体4の上面中央部に位
置する部分に切欠き53bが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の通信
機器に使用される非可逆回路素子、例えばアイソレー
タ、サーキュレータに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、集中定数型のアイソレータ、サ
ーキュレータ等の非可逆回路素子は、減衰量が信号を伝
送方向には極めて小さく、逆方向には極めて大きい特性
を有している。
【0003】従来、この種の非可逆回路素子は、例え
ば、図4〜図6に示すような磁性組立体3を備えてい
る。図4は磁性組立体の斜視図、図5は磁性組立体の上
面を示す平面図、図6は図5のX−X線断面図である。
この磁性組立体3は、図4〜図6に示すように、円板状
の磁性体4の下面にアース部を当接し、磁性体4を包み
込むように各中心導体51〜53を磁性体4の上面に絶
縁シート6(図4及び図5では図示省略)を介在させて
互いに所定の角度で交差するように折り曲げて配置し、
各中心導体51〜53の先端部にあたる各ポート部P1
〜P3は磁性体4の外周から外方に突出するように構成
されている。
【0004】各中心導体51〜53は金属導体板からな
り、挿入損失を低減するためにそれぞれ2つのラインで
構成され、各中心導体51〜53の幅及びライン間隔は
ほぼ同じ寸法で形成されている。
【0005】そして、磁気閉回路を構成する磁性体ヨー
ク内に上記磁性組立体3、永久磁石等を収容し、各中心
導体51〜53のポート部P1、P2、P3に整合用の
コンデンサを接続し、他端部(アース部)をアースに接
続し、各中心導体51〜53の交差部分に永久磁石によ
り直流バイアス磁界を印加して、非可逆回路素子が構成
される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この種の非可逆回路素
子が採用される携帯電話等の移動体通信機器は小型化、
薄型化が急速に進展しており、非可逆回路素子のさらな
る小型化、薄型化が強く要求されている。
【0007】しかしながら、上記従来の非可逆回路素子
においては、各中心導体51〜53の幅及びライン間隔
はほぼ同じ寸法で形成されているので、図6に示すよう
に3本の中心導体51〜53が全て重なる部分が生じ、
この交差部分での厚みTを3本の中心導体51〜53と
3枚の絶縁シート6の合計の寸法より小さくすることが
できず、磁性組立体3の薄型化、ひいては非可逆回路素
子の薄型化を図るには限界が有った。
【0008】そこで、本発明の目的は、中心導体の交差
部分での厚みを低減して、全体を薄型化することができ
る非可逆回路素子を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明は、薄板状金属板からなる3本
の中心導体を磁性体の一方主面上に絶縁シートを介在さ
せて互いに所定の角度で交差するように折り曲げて配置
した磁性組立体を備えてなる非可逆回路素子において、
少なくとも1本の中心導体は2つのラインで構成され、
該中心導体のライン間隔を他の2本の中心導体の交差幅
よりも大きく設定するとともに、2つのラインが他の2
本の中心導体の交差部分に重ならないように配置したこ
とを特徴とするものである。
【0010】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
非可逆回路素子において、前記2つのラインで構成され
た中心導体を最上部に配置したこと特徴とするものであ
る。上記の構成によれば、少なくとも1本の中心導体は
2つのラインで構成され、この中心導体のライン間隔は
他の2本の中心導体の交差幅よりも大きく設定され、2
つのラインが他の2本の中心導体の交差部分に重ならな
いように配置されており、3本の中心導体が全て重なり
合う部分をなくすことができるので、3本の中心導体の
交差部分での厚みを中心導体の厚み分の小さくすること
が可能となる。したがって、磁性組立体を薄くすること
ができ、非可逆回路素子全体を薄型化することができ
る。
【0011】前記2つのラインで構成され他の2本の中心
導体の交差幅よりも大きく設定された中心導体は最上部
に配置するのが好ましい。つまり、この場合、構造上3
本の中心導体の幅やライン間隔の差を他の構成よりも小
さくすることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施例を示す
図面に基づいて説明する。図1は、本発明の一実施例に
係る磁性組立体の平面図及びアイソレータの構成を説明
するための図であり、図2は中心導体の展開図、図3は
図1のX−X線断面図である。
【0013】本実施例のアイソレータは、図1に示すよ
うに、磁性体4に3本の中心導体51、52、53を互
いに電気的絶縁状態で、かつ所定角度をなすように交差
させて配置した磁性組立体3を有し、各中心導体51〜
53の各ポート部P1、P2、P3に整合用回路素子と
してコンデンサC1、C2、C3を接続するとともに他
端部をアースに接続し、各中心導体51〜53の交差部
分に永久磁石(図示せず)により直流バイアス磁界を印
加し、1つのポート部P3に終端抵抗Rを接続して構成
されている。
【0014】中心導体51〜53は銅等の金属導体板を
打ち抜きして形成されたものであり、図2の展開図で示
すように、各中心導体51〜53は互いに所定の角度
(図においては120度)をなして放射状に形成され、
アース部55となる中央部で連接一体化され、挿入損失
をより低減するために、その中央部を長方形状に打ち抜
きして2つのラインとなるように形成されている。
【0015】磁性組立体3は、図1及び図3に示すよう
に、フェライト等からなる円板状の磁性体4の下面にア
ース部55を当接し、磁性体4を包み込むように各中心
導体51〜53を磁性体4の上面に絶縁シート6(図1
では図示省略)を介在させて互いに交差するように折り
曲げて配置して構成されている。
【0016】そして、最上部に配置される中心導体53
のライン間隔WLは他の2本の中心導体51,52の交差
幅Wkよりも大きく設定され、かつ中心導体53は中心
導体51,52の交差部分に重ならないように配置され
ている。
【0017】各絶縁シート6はポリイミド等の絶縁性樹
脂材料からなり一方主面あるいは両主面に接着剤が貼着
されており、各中心導体51〜53同士の電気的絶縁を
図るために、かつ各中心導体51〜53を磁性体4に密
着するように安定に固定するために用いられる。各中心
導体51〜53の磁性体4への折り曲げ配置は各絶縁シ
ート6で各中心導体51〜53を磁性体4に押えつけて
安定に固定するように治工具を用いて行われる。
【0018】上記磁性組立体3、永久磁石は磁気閉回路
を構成する磁性体ヨーク(図示せず)内に収容され、各
中心導体51〜53の先端部にあたる各ポート部P1〜
P3には整合用の単板コンデンサC1〜C3の一方の電
極面が、1つのポート部P3には終端抵抗用のチップ抵
抗Rの一方の電極が接続されてアイソレータが構成され
る。上記磁性組立体3は永久磁石あるいは押え部材等に
より押さえ付けられた状態で配置される。一般に、各中
心導体の先端部であるポート部は、コンデンサ等の他の
構成部材との安定な接続を得る形状に適宜加工されたも
のが用いられる。なお、最上部の中心導体を覆う絶縁シ
ートを用いない場合もある。
【0019】本実施例のアイソレータの外形寸法は、略
W7.0×L7.0×H2.5mmであり、中心導体は
厚み約50μm、絶縁シートは厚み50〜80μm、磁
性体4は厚み約550μmのものが用いられている。
【0020】本実施例の構成においては、最上部に配置
された中心導体53の2つのラインが他の2本の中心導
体51,52の交差部分に重ならないように配置されて
おり、図3に示すように、中心導体53を下部の配置さ
れた2枚の絶縁シート6上に配置することができ、3本
の中心導体51〜53が互いに交差する部分での厚みT
を中心導体51,52及び3枚の絶縁シート6の厚みの
合計値の寸法とすることができる。したがって、磁性組
立体3の厚み(高さ)を中心導体の厚み分(本実施例で
は約50μm)薄く形成することができ、この磁性組立
体3を用いたアイソレータ全体を薄型化することができ
る。
【0021】なお、3本のライン間隔の差をより小さく
するうえで、上記実施例のようにライン間隔の大きな中
心導体を最上部に配置するのが好ましいが、これに限る
ものではなく、ライン間隔の大きな中心導体を最下部あ
るいは中間に配置するようにしてもよい。
【0022】また、3本の中心導体は全て2本のライン
で構成される必要はなく、いずれか1本の中心導体を2
つのラインで構成し、この中心導体のライン間隔を他の
2本の中心導体の交差幅よりも大きく形成するようにす
ればよい。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る非可
逆回路素子によれば、少なくとも1本の中心導体のライ
ン間隔は他の2本の中心導体の交差幅よりも大きく設定
され、2つのラインが他の2本の中心導体の交差部分に
重ならないように配置されており、3本の中心導体が全
て重なり合う部分をなくすことができるので、3本の中
心導体の交差部分での厚みを中心導体の厚み分の小さく
することが可能となる。
【0024】3本の中心導体の幅やライン間隔の差をよ
り小さくするために、2つのラインで構成され他の2本の
中心導体の交差幅よりも大きく設定された中心導体は最
上部に配置するのが好ましい。
【0025】したがって、本発明によれば、磁性組立体
を薄くすることができ、非可逆回路素子全体を薄型化す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る磁性組立体及びアイソ
レータの構成を説明するための図である。
【図2】本発明の一実施例に係る中心導体の展開図であ
る。
【図3】図1のX−X線断面図である。
【図4】従来の非可逆回路素子の磁性組立体の斜視図で
ある。
【図5】従来の非可逆回路素子の磁性組立体の平面図で
ある。
【図6】図5のX−X線断面図である。
【符号の説明】
3 磁性組立体 4 磁性体 51〜53 中心導体 P1〜P3 ポート部 C1〜C3 整合用コンデンサ R 終端抵抗

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 薄板状金属板からなる3本の中心導体を
    磁性体の一方主面上に絶縁シートを介在させて互いに所
    定の角度で交差するように折り曲げて配置した磁性組立
    体を備えてなる非可逆回路素子において、 少なくとも1本の中心導体は2つのラインで構成され、
    該中心導体のライン間隔を他の2本の中心導体の交差幅
    よりも大きく設定するとともに、2つのラインが他の2
    本の中心導体の交差部分に重ならないように配置したこ
    とを特徴とする非可逆回路素子。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の非可逆回路素子におい
    て、前記2つのラインで構成された中心導体を最上部に
    配置したこと特徴とする非可逆回路素子。
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