JPH1164377A - Lamination-type connector and adaptor device for inspecting circuit board - Google Patents

Lamination-type connector and adaptor device for inspecting circuit board

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JPH1164377A
JPH1164377A JP9223814A JP22381497A JPH1164377A JP H1164377 A JPH1164377 A JP H1164377A JP 9223814 A JP9223814 A JP 9223814A JP 22381497 A JP22381497 A JP 22381497A JP H1164377 A JPH1164377 A JP H1164377A
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JP
Japan
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substrate
insulating layer
short
wiring portion
electrode
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Withdrawn
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JP9223814A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazumi Hanawa
一美 塙
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Original Assignee
JSR Corp
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Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4614Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination

Landscapes

  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To permit the formation of a wiring part with a large degree of freedom and to connect the via hole land part of the wiring part of a substrate and the short- circuit part reliably by providing an insulating layer laminated on the substrate in which the wiring part with the via hole land is formed on the upper surface. SOLUTION: This connector is formed of a laminated body of an upper insulating layer 20 laminated on the upper surface of a substrate 10 and a lower insulating layer 30 laminated on the lower surface of the substrate 10. The short-circuit part 23 of the upper insulating layer 20 is formed of a metal post 24 and an intermediary conductor 25, and the upper end of the intermediary conductor 25 is coupled to a connecting electrode 21. The lower insulating electrode 30 is formed on the lower surface of the substrate 10 including a tower-side wiring part 13, and a terminal electrode 31 provided on the tower surface of the lower insulating layer 30 is electrically connected to a via hole land 14 or the lower-side wiring part 13 by a short-circuit part 32. The connecting electrodes 21 are each electrically connected to the terminal electrode 31 via the short-circuit parts 23 and 32 of the upper and lower insulating layer 20 and 30, the upper and lower wiring parts 11 and 13, and a substrate short- circuit part 15.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型コネクター
およびこの積層型コネクターを具えた回路基板検査用ア
ダプター装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated connector and an adapter device for inspecting a circuit board provided with the laminated connector.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にプリント回路基板などの回路基板
においては、図21に示すように、回路基板90の中央
部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域
91が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域9
1のための多数のリード電極92が配列されてなるリー
ド電極領域93が形成される。そして、現在において
は、機能素子領域91の集積度の増大に伴ってリード電
極領域93のリード電極数が増加し高密度化する傾向に
ある。
2. Description of the Related Art In general, in a circuit board such as a printed circuit board, as shown in FIG. 21, a functional element region 91 in which functional elements are formed with a high degree of integration is provided at a central portion of a circuit board 90. The functional element region 9
A lead electrode region 93 in which a large number of lead electrodes 92 for one are arranged is formed. At present, with the increase in the degree of integration of the functional element region 91, the number of lead electrodes in the lead electrode region 93 tends to increase and the density tends to increase.

【0003】このような回路基板のリード電極と、これ
に接続すべき他の回路端子などとの電気的な接続を達成
するために、従来、各リード電極領域上に異方導電性シ
ートを介在させることが行われている。この異方導電性
シートは、厚さ方向にのみ導電性を示すもの、あるいは
加圧されたときに厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加
圧導電性導電部を有するものであり、種々の構造のもの
が例えば特公昭56−48951号公報、特開昭51−
93393号公報、特開昭53−147772号公報、
特開昭54−146873号公報などにより、知られて
いる。
In order to achieve electrical connection between such lead electrodes of a circuit board and other circuit terminals to be connected thereto, conventionally, an anisotropic conductive sheet is interposed on each lead electrode region. Let it be done. The anisotropic conductive sheet has conductivity only in the thickness direction, or has a large number of pressurized conductive portions that show conductivity only in the thickness direction when pressed. Are disclosed, for example, in JP-B-56-48951 and JP-A-51-481.
No. 93393, JP-A-53-147772,
This is known from JP-A-54-146873 and the like.

【0004】然るに、上記の異方導電性シートは、それ
自体が単独の製品として製造され、また単独で取り扱わ
れるものであって、電気的接続作業においては回路基板
に対して特定の位置関係をもって保持固定することが必
要である。しかしながら、独立した異方導電性シートを
利用して回路基板の電気的接続を達成する手段において
は、検査対象である回路基板におけるリード電極の配列
ピッチ(以下「電極ピッチ」という。) 、すなわち互い
に隣接するリード電極の中心間距離が小さくなるに従っ
て異方導電性シートの位置合わせおよび保持固定が困難
となる、という問題点がある。
However, the above-described anisotropic conductive sheet is manufactured as a single product itself and is handled independently, and has a specific positional relationship with respect to a circuit board in an electrical connection operation. It is necessary to hold and fix. However, in the means for achieving the electrical connection of the circuit boards by using independent anisotropic conductive sheets, the arrangement pitch of the lead electrodes on the circuit board to be inspected (hereinafter referred to as “electrode pitch”), that is, each other. There is a problem that as the center-to-center distance between adjacent lead electrodes becomes smaller, it becomes more difficult to position and hold and fix the anisotropic conductive sheet.

【0005】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が、検査対象である回路基板を構成する材料と
異方導電性シートを構成する材料との間で異なるため、
電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されな
い、という問題点がある。
[0005] Even if the desired alignment and holding and fixing have been realized, the degree of stress due to thermal expansion and thermal shrinkage is an object of inspection when a thermal history due to a temperature change is received. Because the material constituting the circuit board and the material constituting the anisotropic conductive sheet are different,
There is a problem that a stable connection state is not maintained due to a change in the electrical connection state.

【0006】更に、検査対象である回路基板に対して安
定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度
の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパター
ンの被検査電極群を有する回路基板に対しては、当該被
検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成すること
が困難であるため、所要の検査を十分に行うことができ
ない、という問題点がある。
Further, even if a stable connection state can be maintained with respect to a circuit board to be inspected, a circuit having a complicated and fine pattern of electrodes to be inspected, such as a printed circuit board having a high mounting density. Since it is difficult to reliably achieve electrical connection with each of the electrodes to be inspected on the substrate, there is a problem that required inspection cannot be performed sufficiently.

【0007】そして、従来、以上のような問題を解決す
るために、下面に規格化された標準格子点上に配置され
た端子電極を有し、上面には検査対象回路基板の被検査
電極に対応する接続用電極が設けられたアダプター本体
を形成し、このアダプター本体の上面上に一体的に異方
導電性エラストマー層を設けることにより、回路基板検
査用アダプター装置を構成することが提案されている。
Conventionally, in order to solve the above-described problems, terminal electrodes are arranged on standardized standard grid points on the lower surface, and the electrodes to be inspected of the circuit board to be inspected are arranged on the upper surface. It has been proposed to form an adapter device for circuit board inspection by forming an adapter body provided with corresponding connection electrodes and integrally providing an anisotropic conductive elastomer layer on the upper surface of the adapter body. I have.

【0008】このような構成によれば、検査対象である
回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、電極
ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパター
ンのものである場合にも、当該回路基板について所要の
電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化
による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的
接続状態が安定に維持され、従って接続信頼性が高い、
という点においてきわめて有利な回路基板検査用アダプ
ター装置が提供される。
According to such a configuration, even when the electrodes to be inspected such as the lead electrodes on the circuit board to be inspected have a minute electrode pitch and a fine, high-density complex pattern. The required electrical connection can be reliably achieved for the circuit board, and a good electrical connection state can be stably maintained against environmental changes such as heat history due to temperature changes, and therefore connection reliability can be improved. Is high,
Thus, there is provided an adapter device for circuit board inspection which is very advantageous in this respect.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】而して、このような回
路基板検査用アダプター装置においては、検査対象であ
る回路基板の被検査電極に対応したパターンすなわち電
極ピッチが微小で複雑なパターンの接続用電極と、例え
ば電極ピッチが2.54mm、1.80mmまたは1.
27mmの標準格子点上に配置された端子電極とを電気
的に接続することが必要であるため、アダプター本体と
して、上面に適宜の配線部を有する基板上に、当該基板
の配線部に接続された短絡部を有する絶縁層が積重され
てなる積層型コネクターが用いられている。そして、か
かる積層型コネクターにおいて、絶縁層に短絡部を形成
する方法としては、一般に、スルーホール法が採用され
ている。このスルーホール法は、基板と絶縁層とのコネ
クター用積層体を形成し、このコネクター用積層体に対
して例えばドリリング装置によってその厚み方向に貫通
するスルーホールを形成した上で、当該スルーホールの
内面に例えば銅メッキ法によって銅の堆積物を形成する
方法である。
In such an adapter device for inspecting a circuit board, a pattern corresponding to an electrode to be inspected on a circuit board to be inspected, that is, a complicated pattern having a small electrode pitch is connected. Electrode and, for example, an electrode pitch of 2.54 mm, 1.80 mm or 1.
Since it is necessary to electrically connect terminal electrodes arranged on a standard grid point of 27 mm, the adapter body is connected to a wiring portion of the substrate on a substrate having an appropriate wiring portion on the upper surface. There is used a laminated connector in which insulating layers having short circuits are stacked. In such a multilayer connector, a through-hole method is generally employed as a method for forming a short-circuit portion in an insulating layer. In this through-hole method, a laminate for a connector of a substrate and an insulating layer is formed, and a through-hole is formed in the laminate for the connector in a thickness direction by, for example, a drilling device. In this method, a copper deposit is formed on the inner surface by, for example, a copper plating method.

【0010】しかしながら、このようなスルーホール法
では、基板に、短絡部として使用されない導体が形成さ
れること、積層体全体を貫通するスルーホールを形成す
るためには、強度の高いドリルすなわち径の大きいドリ
ルを用いることが必要となる結果、絶縁層に外径の小さ
い短絡部を形成することが困難であること、などの理由
により、基板表面の配線部および絶縁層の上面の配線部
を大きい自由度で形成することができず、検査対象であ
る回路基板の被検査電極が極めて高密度のものである場
合において、これに対応する積層型コネクターを製造す
るためには、絶縁層の数を増やすことが必要となり、配
線設計に要する時間および費用、アダプター本体の製造
に要する時間および費用が多大なものとなる、という問
題がある。
However, in such a through-hole method, a conductor which is not used as a short-circuit portion is formed on the substrate, and a drill having a high strength, that is, a drill having a large diameter is required in order to form a through-hole penetrating the entire laminate. As a result of the necessity of using a large drill, it is difficult to form a short-circuit portion having a small outer diameter on the insulating layer. In the case where the electrodes to be inspected on the circuit board to be inspected are extremely dense and cannot be formed with a degree of freedom, in order to manufacture a corresponding laminated connector, the number of insulating layers must be reduced. There is a problem that the time and cost required for wiring design and the time and cost required for manufacturing the adapter main body become enormous.

【0011】一方、スルーホール法の他に、絶縁層に短
絡部を形成する方法としては、いわゆるブラインドバイ
アホールによる方法(以下、「ブラインドバイアホール
法」という。)が知られている。このブラインドバイア
ホール法は、例えば数値制御型ドリリング装置によっ
て、前記コネクター用積層体における絶縁層のみにドリ
ル穴(ブラインドバイアホール)を形成し、このドリル
穴の内面に金属の堆積物を形成する方法である。然る
に、このようなブラインドバイアホール法によって、基
板の配線部のビアホールランドの直上位置に、絶縁層の
短絡部を形成する場合には、以下のような問題がある。 (1)絶縁層に形成されるドリル穴は、絶縁層の上面か
らビアホールランドに到達しかつ当該ビアホールランド
を貫通しない範囲の深さのものであることが必要であ
り、しかも、ビアホールランドの厚みは10μm程度で
あるので、所要のドリル穴を確実に形成することは極め
て困難である。 (2)絶縁層の配線部を大きい自由度で形成するために
は、当該絶縁層に外径の小さい短絡部を形成することが
肝要であるが、絶縁層に外径の小さい短絡部を形成する
ために、ビアホールランドの内径より小さい内径のドリ
ル穴を形成すると、ビアホールランドに接続された短絡
部が形成されず、そのため、所要の層間接続を確実に達
成することが困難となる。
On the other hand, in addition to the through-hole method, a method using a so-called blind via hole (hereinafter, referred to as a "blind via hole method") is known as a method for forming a short-circuit portion in an insulating layer. In the blind via hole method, a drill hole (blind via hole) is formed only in the insulating layer in the connector laminate by, for example, a numerically controlled drilling device, and a metal deposit is formed on the inner surface of the drill hole. It is. However, when a short-circuit portion of an insulating layer is formed at a position directly above a via-hole land in a wiring portion of a substrate by such a blind via hole method, there are the following problems. (1) The drill hole formed in the insulating layer needs to have a depth that reaches the via hole land from the upper surface of the insulating layer and does not penetrate the via hole land. Is about 10 μm, it is extremely difficult to reliably form required drill holes. (2) In order to form the wiring portion of the insulating layer with a large degree of freedom, it is important to form a short-circuit portion having a small outer diameter in the insulating layer. However, a short-circuit portion having a small outer diameter is formed in the insulating layer. Therefore, if a drill hole having an inner diameter smaller than the inner diameter of the via hole land is formed, a short-circuit portion connected to the via hole land is not formed, so that it is difficult to reliably achieve a required interlayer connection.

【0012】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その第1の目的は、回路基板の検
査に用いられる積層型コネクターであって、検査対象で
ある回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、
電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパ
ターンのものである場合にも、配線部を大きい自由度で
かつ容易に形成することができ、しかも、基板の配線部
のビアホールランドと絶縁層の短絡部との接続を確実に
達成することのできる積層型コネクターを提供すること
にある。本発明の第2の目的は、検査対象である回路基
板におけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチ
が微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのも
のである場合にも、当該回路基板について所要の電気的
接続を確実に達成することができ、また温度変化による
熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状
態が安定に維持され、従って接続信頼性が高く、しかも
有利にかつ確実に製造することのできる回路基板検査用
アダプター装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object of the present invention is to provide a laminated connector used for inspection of a circuit board, and which is used for a circuit board to be inspected. The electrode to be inspected such as a lead electrode
Even when the electrode pitch is minute and the pattern is fine and has a complicated pattern of high density, the wiring portion can be easily formed with a large degree of freedom. An object of the present invention is to provide a laminated connector that can reliably achieve connection of an insulating layer to a short-circuit portion. A second object of the present invention is to provide a method for testing an electrode to be inspected, such as a lead electrode, on a circuit board to be inspected, in which the electrode pitch is minute, and the electrode has a fine, high-density complex pattern. The required electrical connection for the circuit board can be reliably achieved, and a good electrical connection state can be stably maintained against environmental changes such as heat history due to temperature changes, and thus connection reliability is high. Another object of the present invention is to provide a circuit board inspection adapter device that can be advantageously and reliably manufactured.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の積層型コネクタ
ーは、ビアホールランドを有する配線部が上面に形成さ
れた基板と、この配線部を含む基板上に積重して設けら
れた少なくとも1つの絶縁層とを具えてなり、前記絶縁
層には、前記基板の配線部におけるビアホールランドに
接続された、当該絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び
る短絡部が形成されており、当該短絡部は、前記基板の
配線部におけるビアホールランドから上方に突出するよ
う設けられたメタルポストと、当該絶縁層の上面から下
方に伸びて前記メタルポストの上部に接合された仲介用
導電体とにより構成されていることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a laminated connector comprising: a substrate having a wiring portion having a via hole land formed on an upper surface; and at least one substrate provided on the substrate including the wiring portion. An insulating layer, wherein the insulating layer has a short-circuit portion connected to a via-hole land in a wiring portion of the substrate and extending through the insulating layer in a thickness direction thereof. Is constituted by a metal post provided so as to protrude upward from a via hole land in a wiring portion of the substrate, and an intermediate conductor extending downward from an upper surface of the insulating layer and joined to an upper portion of the metal post. It is characterized by having.

【0014】そして、上記の積層型コネクターは、基板
の上面に、ビアホールランドを有する配線部を形成した
後、当該配線部のビアホールランドから上方に突出する
ようメタルポストを形成する第1工程と、前記配線部お
よびメタルポストを含む基板の上面に、絶縁層を形成す
る第2工程と、前記絶縁層における前記メタルポストが
形成された位置に、当該メタルポストに到達する深さの
穴を形成し、この穴の内部に仲介用導電体を形成するこ
とにより、前記配線部のビアホールランドに接続され
た、当該絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部
を形成する第3工程とを有する方法により製造すること
ができる。
A first step of forming a wiring portion having a via hole land on the upper surface of the substrate, and then forming a metal post so as to protrude upward from the via hole land of the wiring portion; Forming a second step of forming an insulating layer on the upper surface of the substrate including the wiring portion and the metal post, and forming a hole having a depth reaching the metal post at a position where the metal post is formed in the insulating layer. Forming a mediating conductor inside the hole to form a short-circuit portion connected to the via-hole land of the wiring portion and extending through the insulating layer in the thickness direction thereof. It can be manufactured by a method.

【0015】本発明の回路基板検査用アダプター装置
は、検査対象回路基板と電気的検査装置との間に介在さ
れて当該回路基板の被検査電極と電気的検査装置との電
気的接続を行う回路基板検査用アダプター装置であっ
て、下面に格子点上に配置された端子電極を有すると共
に、上面に検査対象回路基板の被検査電極に対応する接
続用電極を有するアダプター本体と、このアダプター本
体の上面上に一体的に設けられた異方導電性エラストマ
ー層とよりなり、前記アダプター本体は、上記の積層型
コネクターを具えてなり、当該絶縁層に形成された短絡
部は、前記接続用電極に電気的に接続され、当該基板の
配線部は、前記端子電極に電気的に接続されていること
を特徴とする。
A circuit board inspection adapter device according to the present invention is a circuit interposed between a circuit board to be inspected and an electrical inspection device for electrically connecting an electrode to be inspected of the circuit board to the electrical inspection device. An adapter device for inspecting a board, comprising: an adapter body having terminal electrodes arranged on lattice points on a lower surface and having connection electrodes corresponding to electrodes to be inspected on a circuit board to be inspected on an upper surface; The adapter body is provided with an anisotropic conductive elastomer layer integrally provided on the upper surface, the adapter body includes the above-described laminated connector, and a short-circuit portion formed on the insulating layer is provided on the connection electrode. It is electrically connected, and the wiring portion of the substrate is electrically connected to the terminal electrode.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。図1は、本発明の積層型コネクターの一例におけ
る構成を示す説明用断面図であり、図2は積層型コネク
ターの各部の配置の状態を示す説明用部分平面図であ
り、図3は積層型コネクターの一部を拡大して示す説明
用断面図である。この積層型コネクターは、図1に示す
ように、基板10と、この基板10の上面に積重して設
けられた上部絶縁層20と、基板10の下面に積重して
設けられた下部絶縁層30との積層体によって構成され
ている。基板10の材質は寸法安定性の高い耐熱性材料
よりなる板状体であることが好ましく、各種の絶縁性樹
脂を使用することができるが、特にガラス繊維補強型エ
ポキシ樹脂が最適である。上部絶縁層20および下部絶
縁層30は、例えば熱圧着により設けられた熱硬化性樹
脂シートにより形成されている。この熱硬化性樹脂シー
トは寸法安定性の高い耐熱性樹脂よりなることが好まし
く、各種の樹脂シートを使用することができるが、ガラ
ス繊維補強型エポキシプリプレグ樹脂シート、ポリイミ
ドプリプレグ樹脂シート、エポキシプリプレグ樹脂シー
トが好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of an example of the multilayer connector of the present invention, FIG. 2 is a partial plan view showing an arrangement state of each part of the multilayer connector, and FIG. It is explanatory sectional drawing which expands and shows a part of connector. As shown in FIG. 1, the laminated connector includes a substrate 10, an upper insulating layer 20 provided on the upper surface of the substrate 10, and a lower insulating layer provided on the lower surface of the substrate 10. It is constituted by a laminate with the layer 30. The material of the substrate 10 is preferably a plate-like body made of a heat-resistant material having high dimensional stability, and various insulating resins can be used. In particular, a glass fiber reinforced epoxy resin is most suitable. The upper insulating layer 20 and the lower insulating layer 30 are formed of, for example, a thermosetting resin sheet provided by thermocompression bonding. This thermosetting resin sheet is preferably made of a heat-resistant resin having high dimensional stability, and various resin sheets can be used, but a glass fiber reinforced epoxy prepreg resin sheet, a polyimide prepreg resin sheet, an epoxy prepreg resin Sheets are preferred.

【0017】基板10の上面には、例えば円形のビアホ
ールランド12を有する適宜のパターンの上部側配線部
11が形成され、基板10の下面には、例えば円形のビ
アホールランド14を有する適宜のパターンの下部側配
線部13が形成されており、上部側配線部11および下
部側配線部13は、基板10をその厚み方向に貫通して
伸びる例えば円筒状の基板短絡部15により電気的に接
続されている。この基板短絡部15は、上部側配線部1
1のビアホールランド12の直下の位置、下部側配線部
13のビアホールランド14の直上の位置および上部側
配線部11と下部側配線部13と間の適宜の位置に形成
されている。ここで、「ビアホールランド」とは、ビア
ホール上に形成されたランドすなわち基板短絡部上に形
成されたランドを意味する。
On the upper surface of the substrate 10, an upper wiring portion 11 having an appropriate pattern having, for example, a circular via hole land 12 is formed. On the lower surface of the substrate 10, for example, an appropriate pattern having a circular via hole land 14 is formed. A lower wiring portion 13 is formed, and the upper wiring portion 11 and the lower wiring portion 13 are electrically connected to each other by, for example, a cylindrical substrate short-circuit portion 15 extending through the substrate 10 in the thickness direction. I have. The substrate short-circuit portion 15 is connected to the upper wiring portion 1.
It is formed at a position directly below the first via hole land 12, at a position just above the via hole land 14 of the lower wiring portion 13, and at an appropriate position between the upper wiring portion 11 and the lower wiring portion 13. Here, the “via hole land” means a land formed on the via hole, that is, a land formed on the substrate short-circuit portion.

【0018】上部側配線部11を含む基板10の上面に
は、上部絶縁層20が形成されている。この上部絶縁層
20の上面には、検査対象である回路基板の被検査電極
(図示せず)のパターンに対応した位置に、接続用電極
21が、当該上面から突出する状態に形成されると共
に、適宜のパターンの上面配線部22が形成されてい
る。そして、当該上部絶縁層20には、その厚み方向に
貫通して伸びる例えば円筒状の短絡部23が設けられて
いる。この短絡部23の上端は、直接または上面配線部
22を介して接続用電極21に連結され、一方、当該短
絡部23の下端は、上部側配線部11のビアホールラン
ド12または上部側配線部11の適宜の個所に連結さ
れ、これにより接続用電極21が上部側配線部11に電
気的に接続されている。
An upper insulating layer 20 is formed on the upper surface of the substrate 10 including the upper wiring section 11. On the upper surface of the upper insulating layer 20, a connection electrode 21 is formed at a position corresponding to a pattern of an electrode to be inspected (not shown) on a circuit board to be inspected so as to protrude from the upper surface. An upper surface wiring portion 22 having an appropriate pattern is formed. The upper insulating layer 20 is provided with, for example, a cylindrical short-circuit portion 23 extending through the thickness direction thereof. The upper end of the short-circuit portion 23 is connected to the connection electrode 21 directly or via the upper surface wiring portion 22, while the lower end of the short-circuit portion 23 is connected to the via hole land 12 of the upper wiring portion 11 or the upper wiring portion 11. The connection electrode 21 is thereby electrically connected to the upper wiring portion 11.

【0019】図3に示すように、上部絶縁層20の短絡
部23は、上部側配線部11のビアホールランド12お
よび上部側配線部11の適宜の個所に、当該上部側配線
部11から上方に突出するよう形成された微小円筒状の
メタルポスト24と、上部側絶縁層20の上面から下方
に伸びてメタルポスト24の上部に接合された、当該メ
タルポスト24の筒孔24Hの内径より大きい外径を有
する円筒状の仲介用導電体25とにより構成されてお
り、この仲介用導電体25の上端が、接続用電極21に
直接または上面配線部(図示省略)を介して連結されて
いる。
As shown in FIG. 3, the short-circuit portion 23 of the upper insulating layer 20 is formed at an appropriate position of the via hole land 12 and the upper wiring portion 11 of the upper wiring portion 11 and above the upper wiring portion 11. A metal post 24 having a cylindrical shape formed so as to protrude, and a metal post 24 that extends downward from the upper surface of the upper insulating layer 20 and is joined to the upper portion of the metal post 24 and that is larger than the inner diameter of the cylindrical hole 24H of the metal post 24. It is composed of a cylindrical intermediate conductor 25 having a diameter, and the upper end of the intermediate conductor 25 is connected to the connection electrode 21 directly or via a top wiring portion (not shown).

【0020】下部側配線部13を含む基板10の下面に
は、下部絶縁層30が形成されている。この下部絶縁層
30の下面には、電気的検査装置すなわち検査用テスタ
ーに適宜の手段によって電気的に接続される端子電極3
1が格子点上に配置されて設けられており、この端子電
極31は、下部絶縁層30をその厚み方向に貫通して伸
びる例えば円筒状の短絡部32によって、基板10の下
部側配線部13のビアホールランド14または下部側配
線部13の適宜の個所に電気的に接続されている。端子
電極31に係る格子点間の距離、すなわち端子電極31
の電極ピッチは、特に限定されるものではなく、種々の
条件に応じて適宜の大きさとすることができるが、例え
ば2.54mm、1.8mmまたは1.27mmであ
る。
A lower insulating layer 30 is formed on the lower surface of the substrate 10 including the lower wiring portion 13. The lower surface of the lower insulating layer 30 has a terminal electrode 3 electrically connected to an electrical inspection apparatus, that is, an inspection tester by appropriate means.
The terminal electrodes 31 are provided on the lattice points, and the terminal electrodes 31 are formed by, for example, cylindrical short-circuit portions 32 extending through the lower insulating layer 30 in the thickness direction thereof, thereby forming the lower wiring portions 13 of the substrate 10. Of the via hole land 14 or the lower wiring portion 13. The distance between the lattice points of the terminal electrode 31, that is, the terminal electrode 31
The electrode pitch is not particularly limited, and may be an appropriate size according to various conditions. For example, the electrode pitch is 2.54 mm, 1.8 mm, or 1.27 mm.

【0021】そして、接続用電極21の各々は、上部絶
縁層20の短絡部23(仲介用導電体25およびメタル
ポスト24)、上部側配線部11、基板短絡部15、下
部側配線部13および下部絶縁層30の短絡部32を介
して端子電極31と電気的に接続されている。なお、基
板10の上部側配線部11および下部側配線部13並び
に上部絶縁層20の上面配線部22は、図1において、
いずれも紙面と交わる方向に伸びる状態に形成され得る
ことは勿論であって、図2にはそのような状態が示され
ている。
Each of the connection electrodes 21 includes a short-circuit portion 23 (intermediate conductor 25 and metal post 24) of the upper insulating layer 20, an upper wiring portion 11, a substrate short-circuit portion 15, a lower wiring portion 13, It is electrically connected to the terminal electrode 31 via the short-circuit portion 32 of the lower insulating layer 30. The upper wiring portion 11 and lower wiring portion 13 of the substrate 10 and the upper wiring portion 22 of the upper insulating layer 20 are the same as those in FIG.
Of course, any of them can be formed to extend in a direction intersecting the paper surface, and FIG. 2 shows such a state.

【0022】実際の構成において、接続用電極21と端
子電極31との電気的な接続は回路基板の検査目的に応
じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用
電極21と端子電極31とが必ず1対1の対応関係で接
続される必要はなく、接続用電極21、上面配線部2
2、上部側配線部11、下部側配線部13および端子電
極31について種々の要請される接続状態を実現するこ
とができる。例えば、上面配線部22を利用して接続用
電極21同士を接続すること、複数の接続用電極21を
1つの上部側配線部11に共通に接続すること、1つの
接続用電極21を複数の上部側配線部11に同時に接続
すること、その他が可能である。
In an actual configuration, the electrical connection between the connection electrode 21 and the terminal electrode 31 may be achieved in a manner according to the purpose of inspecting the circuit board. Therefore, it is not always necessary to connect all the connection electrodes 21 and the terminal electrodes 31 in a one-to-one correspondence, and the connection electrodes 21 and the upper surface wiring section 2
2. Various required connection states for the upper wiring portion 11, the lower wiring portion 13, and the terminal electrode 31 can be realized. For example, connecting the connection electrodes 21 using the upper surface wiring portion 22, connecting the plurality of connection electrodes 21 to one upper wiring portion 11 in common, and connecting one connection electrode 21 to the plurality of connection electrodes 21. The connection to the upper side wiring portion 11 at the same time and others are possible.

【0023】このような構成の積層型コネクターは、
(1)基板10の上面に、ビアホールランド12を有す
る上部側配線部11を形成した後、当該上部側配線部1
1のビアホールランド12から上方に突出するようメタ
ルポスト24を形成する第1工程と、(2)上部側配線
部11およびメタルポスト24を含む基板10の上面
に、上部絶縁層20を形成する第2工程と、(3)上部
絶縁層20におけるメタルポスト24が形成された位置
に、当該メタルポスト24に到達する深さの穴を形成
し、この穴の内部に仲介用導電体25を形成することに
より、上部側配線部11のビアホールランド12に接続
された、上部絶縁層20をその厚み方向に貫通して伸び
る短絡部23を形成する第3工程とを経由して製造され
る。
The laminated connector having such a structure is as follows.
(1) After forming the upper side wiring portion 11 having the via hole land 12 on the upper surface of the substrate 10, the upper side wiring portion 1
A first step of forming a metal post 24 so as to protrude upward from one via hole land 12, and (2) a second step of forming an upper insulating layer 20 on the upper surface of the substrate 10 including the upper wiring portion 11 and the metal post 24. In two steps, (3) a hole having a depth reaching the metal post 24 is formed in the upper insulating layer 20 at a position where the metal post 24 is formed, and a mediating conductor 25 is formed inside the hole. Thereby, it is manufactured through the third step of forming a short-circuit portion 23 connected to the via-hole land 12 of the upper wiring portion 11 and extending through the upper insulating layer 20 in the thickness direction thereof.

【0024】第1工程〜第3工程の詳細は次のとおりで
ある。 第1工程:この第1工程は、最終的には図6に示すよう
に、基板10の上面に、ビアホールランド12を有する
上部側配線部11、並びに上部側配線部11のビアホー
ルランド12および上部側配線部11の適宜の個所から
上方に突出するようメタルポスト24を形成すると共
に、当該基板10を厚み方向に貫通して伸びる基板短絡
部15を形成し、更に、基板10の下面に、ビアホール
ランド14を有する下部側配線部13を形成する工程で
ある。
The details of the first to third steps are as follows. First step: In the first step, finally, as shown in FIG. 6, the upper wiring portion 11 having the via hole land 12 on the upper surface of the substrate 10, and the via hole land 12 and the upper portion of the upper wiring portion 11 A metal post 24 is formed so as to protrude upward from an appropriate portion of the side wiring portion 11, a substrate short-circuit portion 15 extending through the substrate 10 in the thickness direction is formed, and a via hole is formed on the lower surface of the substrate 10. This is a step of forming the lower wiring portion 13 having the land 14.

【0025】具体的には、図4に示すように、例えば銅
などよりなる金属薄層11Aおよび13Aが両面に積層
して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の絶縁性の基板
10が用意され、この基板10に、例えば数値制御型ド
リリング装置により、図5に示すように、当該基板10
の厚み方向に貫通する基板短絡部形成用孔15Hが形成
される。次いで、上記基板10に対し、図6に示すよう
に、無電解銅メッキ、電解銅メッキを施すことにより、
基板短絡部形成用孔15Hの内面に銅の堆積体を形成
し、これにより、基板10をその厚み方向に貫通して伸
びる円筒状の基板短絡部15が形成される。また、基板
10の上面の金属薄層11Aに対してフォトリソグラフ
ィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去する
ことより、基板短絡部15に接続された、ビアホールラ
ンド12を有する所望の態様に応じたパターンに従う上
部側配線部11が形成される。
More specifically, as shown in FIG. 4, a flat insulating substrate 10 made of a hard resin provided with thin metal layers 11A and 13A made of, for example, copper is laminated on both sides. As shown in FIG. 5, the substrate 10 is mounted on the substrate 10 by, for example, a numerically controlled drilling device.
A hole 15H for forming a substrate short-circuit portion penetrating in the thickness direction is formed. Next, as shown in FIG. 6, the substrate 10 is subjected to electroless copper plating and electrolytic copper plating,
A copper deposit is formed on the inner surface of the hole 15H for forming a substrate short-circuit portion, thereby forming a cylindrical substrate short-circuit portion 15 extending through the substrate 10 in the thickness direction. In addition, the thin metal layer 11A on the upper surface of the substrate 10 is subjected to photolithography and etching to remove a part of the thin metal layer 11A. The upper wiring portion 11 is formed according to the pattern.

【0026】更に、図7にも拡大して示すように、上記
の基板10の上面における上部側配線部11のビアホー
ルランド12および上部側配線部11の適宜の個所にお
いて、フォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法
により、微小円筒柱状の金属堆積体よりなるメタルポス
ト24が形成される。このメタルポスト24の高さは、
後述する熱硬化性樹脂シートの厚みより小さいものとさ
れ、具体的には、20〜100μmであって、かつ、上
部側配線部11およびビアホールランド12の厚みより
10μm以上大きいものあることが好ましい。メタルポ
スト24の高さが上部側配線部11およびビアホールラ
ンド12の厚みより10μm以上のものでない場合に
は、後述する所要の導電体用ドリル穴を確実に形成する
ことが困難となることがある。一方、メタルポスト24
の高さが100μmを超える場合には、熱硬化性樹脂シ
ートとして相当に厚みの大きいものを用いることが必要
となり、従って、形成される絶縁層の厚みが大きくなる
結果、得られる積層型コネクター全体が大型のものとな
るため、好ましくない。また、メタルポスト24の筒孔
24Hの内径は、80μm以下であることが好ましく、
これにより、後述する仲介用導電体用ドリル穴の内径を
小さくすることが可能となり、その結果、絶縁層に外径
の小さい短絡部を形成することができるので、上部絶縁
層の配線部の形成において、より大きい自由度が得られ
る。
Further, as shown in FIG. 7 in an enlarged manner, photolithography and electrolytic copper plating are performed on the via hole lands 12 of the upper wiring portion 11 and appropriate portions of the upper wiring portion 11 on the upper surface of the substrate 10. By the above method, a metal post 24 made of a metal deposit in the form of a small cylindrical column is formed. The height of this metal post 24 is
It is preferably smaller than the thickness of a thermosetting resin sheet to be described later, specifically, 20 to 100 μm, and more preferably 10 μm or more than the thickness of the upper wiring portion 11 and the via hole land 12. If the height of the metal post 24 is not more than 10 μm than the thickness of the upper wiring portion 11 and the via hole land 12, it may be difficult to reliably form a required conductor drill hole described later. . Meanwhile, metal post 24
When the height exceeds 100 μm, it is necessary to use a thermosetting resin sheet having a considerably large thickness, and therefore, the thickness of the formed insulating layer becomes large, and as a result, the entire laminated connector obtained is obtained. Is undesirably large. Further, the inner diameter of the cylindrical hole 24H of the metal post 24 is preferably 80 μm or less,
This makes it possible to reduce the inner diameter of the intermediate conductor drill hole described later, and as a result, it is possible to form a short-circuit portion having a small outer diameter in the insulating layer, thereby forming the wiring portion of the upper insulating layer. , A greater degree of freedom is obtained.

【0027】一方、基板10の下面の金属薄層13Aに
対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施
してその一部を除去することより、基板短絡部15に接
続された、ビアホールランド14を有する所望の態様に
応じたパターンに従う下部側配線部13が形成される。
On the other hand, by subjecting the thin metal layer 13A on the lower surface of the substrate 10 to photolithography and etching to remove a part thereof, a desired portion having the via hole land 14 connected to the substrate short-circuit portion 15 is obtained. The lower wiring portion 13 is formed according to a pattern according to the mode.

【0028】第2工程:この第2工程は、最終的には図
9に示すように、上部側配線部11およびメタルポスト
24を含む基板10の上面に、上部絶縁層20を形成す
ると共に、この上部絶縁層20の上面に接続用電極およ
び上面配線部を形成するための金属薄層21Aを形成
し、更に、下部側配線部13を含む基板10の下面に、
下部絶縁層30を形成すると共に、この下部絶縁層30
の下面に端子電極を形成するための金属薄層31Aを形
成する工程である。
Second step: This second step is to form an upper insulating layer 20 on the upper surface of the substrate 10 including the upper wiring portion 11 and the metal posts 24, as shown in FIG. A thin metal layer 21A for forming a connection electrode and an upper wiring portion is formed on the upper surface of the upper insulating layer 20, and further, on the lower surface of the substrate 10 including the lower wiring portion 13,
The lower insulating layer 30 is formed and the lower insulating layer 30 is formed.
Is a step of forming a thin metal layer 31A for forming a terminal electrode on the lower surface of the substrate.

【0029】具体的には、図8に示すように、予めメタ
ルポスト24と適合する径の貫通孔23Aをそれぞれ対
応する位置に形成した熱硬化性樹脂シート20Aが、基
板10の上面に重ねられてメタルポスト24が貫通孔2
3A内に挿入された状態とされ、更に、この熱硬化性樹
脂シート20Aの上面に金属箔21Bが重ねられる。一
方、熱硬化性樹脂シート30Aが、基板10の下面に重
ねられ、更に、この熱硬化性樹脂シート30Aの下面に
金属箔31Bが重ねられる。そして、この状態で、例え
ば真空プレス法によって熱圧着処理することにより、当
該熱硬化性樹脂シート20Aおよび熱硬化性樹脂シート
30Aが硬化して、基板10の上面および下面を被着面
として一体的に被着され、更に、当該熱硬化性樹脂シー
ト20Aの上面に金属箔21Bが一体的に被着されると
共に、熱硬化性樹脂シート30Aの下面に金属箔31B
が一体的に被着され、これにより、図9に示すように、
金属薄層21A、上部絶縁層20、基板10、下部絶縁
層30および金属薄層31Aがこの順で積層された圧着
積層体1Aが形成される。このとき、熱硬化性樹脂シー
ト20Aに形成された貫通孔23Aは、図10にも拡大
して示すように、熱圧着によって塞がれることとなり、
これにより、メタルポスト24の上端面が上部絶縁層2
0により被覆された状態となる。
More specifically, as shown in FIG. 8, a thermosetting resin sheet 20A in which through holes 23A having a diameter compatible with the metal posts 24 are formed at corresponding positions in advance is overlaid on the upper surface of the substrate 10. Metal post 24 is through hole 2
3A, and the metal foil 21B is overlaid on the upper surface of the thermosetting resin sheet 20A. On the other hand, a thermosetting resin sheet 30A is placed on the lower surface of the substrate 10, and a metal foil 31B is placed on the lower surface of the thermosetting resin sheet 30A. Then, in this state, the thermosetting resin sheet 20A and the thermosetting resin sheet 30A are cured by, for example, thermocompression bonding by a vacuum press method, and the upper surface and the lower surface of the substrate 10 are integrally formed as an adhered surface. And a metal foil 21B is integrally attached to the upper surface of the thermosetting resin sheet 20A, and a metal foil 31B is attached to the lower surface of the thermosetting resin sheet 30A.
Are integrally attached, whereby, as shown in FIG.
A pressure-bonded laminate 1A in which the metal thin layer 21A, the upper insulating layer 20, the substrate 10, the lower insulating layer 30, and the metal thin layer 31A are stacked in this order is formed. At this time, the through holes 23A formed in the thermosetting resin sheet 20A are closed by thermocompression as shown in FIG.
As a result, the upper end surface of the metal post 24 is
0 is covered.

【0030】以上において、上部絶縁層20および下部
絶縁層30を形成するための手段として、熱硬化性樹脂
シート20A,30Aを、被着面に対し、加熱下におい
て圧着する熱圧着手段が利用されるが、これにより、例
えば絶縁性樹脂層形成液を塗布し乾燥させる方法に比し
て、きわめて容易に均一な厚みを有する所要の絶縁層を
確実に形成することができる。熱硬化性樹脂シート20
Aとしては、その熱圧着時にメタルポスト24が当該シ
ートを突き抜けない程度の十分な厚みを有するものを用
いることが必要であり、具体的には、形成される絶縁層
の厚みが例えば20〜100μmとなる厚みのものが好
ましく用いられる。また、熱圧着により金属薄層21
A,31Aを形成するための金属箔21B,31Bの厚
みは、例えば9〜35μmであることが好ましい。
In the above, as a means for forming the upper insulating layer 20 and the lower insulating layer 30, a thermocompression bonding means for pressing the thermosetting resin sheets 20A, 30A to the surface to be adhered under heating is used. However, this makes it possible to reliably form a required insulating layer having a uniform thickness very easily as compared with, for example, a method of applying and drying an insulating resin layer forming liquid. Thermosetting resin sheet 20
As A, it is necessary to use a material having a sufficient thickness so that the metal post 24 does not penetrate the sheet at the time of thermocompression bonding. Specifically, the thickness of the formed insulating layer is, for example, 20 to 100 μm. Is preferably used. Further, the metal thin layer 21 is formed by thermocompression bonding.
It is preferable that the thickness of the metal foils 21B and 31B for forming A and 31A be, for example, 9 to 35 μm.

【0031】熱硬化性樹脂シート20Aは、これに形成
された貫通孔23Aとメタルポスト34とが位置合わせ
された状態で重ねられることが必要であるが、この位置
合わせは、例えばガイドピンなどによる位置調整手段に
より、容易に達成することができる。また、適当な材質
の熱硬化性樹脂シートを用いる場合には、メタルポスト
24に対応する貫通孔を予め形成しておくことは必須の
ことではない。
The thermosetting resin sheet 20A needs to be overlapped with the through-hole 23A formed therein and the metal post 34 being aligned with each other. This can be easily achieved by the position adjusting means. In addition, when a thermosetting resin sheet of an appropriate material is used, it is not essential that a through hole corresponding to the metal post 24 be formed in advance.

【0032】熱硬化性樹脂シート20A,30Aおよび
金属箔21B,31Bを熱圧着するための温度は、当該
熱硬化性樹脂シート20A,30Aの材質にもよるが、
当該熱硬化性樹脂シートが軟化して接着性を帯びる温度
以上であることが必要であり、通常、80〜250℃、
好ましくは140〜200℃程度とすることができる。
この熱圧着工程におけるプレス圧力は、例えば最高5〜
50kg/cm2 程度であり、好ましくは20〜40k
g/cm2 程度である。この熱圧着工程は、常圧雰囲気
下で熱圧着することも可能であるが、実際上、例えば5
〜100Pa、好ましくは10〜50Pa程度の減圧雰
囲気によるいわゆる真空プレス法によることが好まし
く、この場合には、当該熱硬化性樹脂シートと被着面と
の間に気泡が閉じ込められることが有効に防止される。
The temperature for thermocompression bonding the thermosetting resin sheets 20A, 30A and the metal foils 21B, 31B depends on the material of the thermosetting resin sheets 20A, 30A.
It is necessary that the temperature is not lower than the temperature at which the thermosetting resin sheet softens and becomes adhesive, and is usually 80 to 250 ° C.
Preferably, it can be set to about 140 to 200 ° C.
The pressing pressure in this thermocompression bonding step is, for example, at most 5
About 50 kg / cm 2, preferably 20-40 k
g / cm2. In this thermocompression bonding step, thermocompression bonding can be performed under an atmosphere of normal pressure.
It is preferable to use a so-called vacuum press method in a reduced pressure atmosphere of about 100 Pa, preferably about 10 to 50 Pa. In this case, it is effectively prevented that air bubbles are trapped between the thermosetting resin sheet and the adherend surface. Is done.

【0033】第3工程:この第3工程は、最終的には図
13に示すように、上部絶縁層20の上面から下方に伸
びてメタルポスト24の上部に接合された仲介用導電体
25を形成することにより、上部絶縁層20に、上端が
当該上部絶縁層20の上面に形成された金属薄層21に
電気的に接続され、下端が上部側配線部11のビアホー
ルランド12または上部側配線部11の適宜の個所に電
気的に接続された状態の短絡部23を形成する共に、下
部絶縁層30に、下端が当該下部絶縁層30の下面に形
成された金属薄層31Aに電気的に接続され、上端が下
部側配線部13のビアホールランド14または下部側配
線部13の適宜の個所に電気的に接続された状態の短絡
部32を形成する工程である。
Third step: In the third step, as shown in FIG. 13, the intermediary conductor 25 extending downward from the upper surface of the upper insulating layer 20 and joined to the upper part of the metal post 24 is finally formed. By the formation, the upper end is electrically connected to the thin metal layer 21 formed on the upper surface of the upper insulating layer 20, and the lower end is connected to the via hole land 12 of the upper wiring portion 11 or the upper wiring. A short-circuit portion 23 electrically connected to an appropriate portion of the portion 11 is formed, and the lower end of the short-circuit portion 23 is electrically connected to the thin metal layer 31A formed on the lower surface of the lower insulating layer 30. This is a step of forming a short-circuit portion 32 that is connected and has an upper end electrically connected to a via hole land 14 of the lower wiring portion 13 or an appropriate portion of the lower wiring portion 13.

【0034】具体的には、上記の圧着積層体1Aに、例
えば数値制御型ドリリング装置により、図11に示すよ
うに、メタルポスト24が形成された位置において、当
該圧着積層体1Aの上面から当該メタルポスト24に到
達する導電体形成用ドリル穴25Hを形成されると共
に、下部側配線部13に関連した位置(ビアホールラン
ド14が形成された位置およびその他の適宜の位置)に
おいて、当該圧着積層体1Aの下面から当該下部側配線
部13に到達する短絡部形成用ドリル穴32Hが形成さ
れる。
Specifically, as shown in FIG. 11, the above-mentioned crimped laminated body 1A is placed on the above-mentioned crimped laminated body 1A from the upper surface of the crimped laminated body 1A at a position where the metal post 24 is formed, as shown in FIG. A conductor forming drill hole 25H reaching the metal post 24 is formed, and at the position related to the lower wiring portion 13 (the position where the via hole land 14 is formed and other appropriate positions), the crimped laminate is formed. A drill hole 32H for forming a short-circuit portion that reaches the lower wiring portion 13 from the lower surface of 1A is formed.

【0035】以上において、導電体形成用ドリル穴25
Hの深さは、メタルポスト24に到達し、かつ、上部側
配線部11およびビアホールランド12を貫通しないも
のであればよく、従って、形成すべき導電体形成用ドリ
ル穴25Hの深さの許容範囲が大きいので、数値制御型
ドリリング装置により形成される穴の深さの誤差範囲を
十分にカバーすることができ、その結果、所要の導電体
形成用ドリル穴25Hを確実に形成することができる。
また、導電体形成用ドリル穴25Hの内径は、メタルポ
スト24における筒孔24Hの内径より大きいものであ
って、形成される仲介用導電体の所要の電気的な接続が
達成されるものであれば特に制限されるものではない
が、例えば0.03〜0.5mm、好ましくは0.05
〜0.15mm程度である。また、短絡部形成用ドリル
穴32Hの内径は例えば0.15mmである。
In the above description, the conductor forming drill hole 25
The depth of H may be such that it reaches metal post 24 and does not penetrate upper wiring portion 11 and via hole land 12, so that the allowable depth of conductor forming drill hole 25H to be formed is allowed. Since the range is large, the error range of the depth of the hole formed by the numerically controlled drilling device can be sufficiently covered, and as a result, the required conductor forming drill hole 25H can be reliably formed. .
Also, the inner diameter of the conductor forming drill hole 25H is larger than the inner diameter of the cylindrical hole 24H in the metal post 24, so that the required electrical connection of the formed intermediate conductor is achieved. It is not particularly limited as long as it is, for example, 0.03 to 0.5 mm, preferably 0.05 to 0.5 mm.
It is about 0.15 mm. The inner diameter of the short hole forming drill hole 32H is, for example, 0.15 mm.

【0036】次に、上記の圧着積層体1Aに、無電解銅
メッキ法、電解銅メッキ法などのメッキ処理を行うこと
により、図12に示すように、導電体形成用ドリル穴2
5Hの内面に銅の堆積体が形成され、これにより、上部
絶縁層20の厚み方向に伸びる円筒状の仲介用導電体2
5が形成され、以てポストメタル24と仲介用導電体2
5とが接合されてなる短絡部23が形成される。一方、
上記のメッキ処理により、短絡部形成用ドリル穴32H
の内面に銅の堆積体が形成され、これにより、下部絶縁
層30を厚み方向に貫通して伸びる円筒状の短絡部32
が形成される。
Next, by performing a plating treatment such as an electroless copper plating method or an electrolytic copper plating method on the above-mentioned pressure-bonded laminate 1A, as shown in FIG.
5H, a copper deposit is formed on the inner surface of the inner conductor 5H, thereby forming a cylindrical intermediate conductor 2 extending in the thickness direction of the upper insulating layer 20.
5, the post metal 24 and the intermediary conductor 2
5 is formed. on the other hand,
By the above plating process, the short hole forming drill hole 32H
Is formed on the inner surface of the cylindrical short-circuit portion 32 extending through the lower insulating layer 30 in the thickness direction.
Is formed.

【0037】以上のようにして、図13に示すように、
上部絶縁層20には、その上面に形成された金属薄層2
1および基板10の上部側配線部11に電気的に接続さ
れた状態の短絡部23が形成されると共に、下部絶縁層
30には、その下面に形成された金属薄層31Aおよび
基板10の下部側配線部13に電気的に接続された状態
の短絡部32が形成される。
As described above, as shown in FIG.
The upper insulating layer 20 has a thin metal layer 2 formed on its upper surface.
1 and a short-circuit portion 23 electrically connected to the upper wiring portion 11 of the substrate 10, and the lower insulating layer 30 has a thin metal layer 31 </ b> A formed on the lower surface thereof and a lower portion of the substrate 10. The short-circuit portion 32 electrically connected to the side wiring portion 13 is formed.

【0038】第4工程:この第4工程は、最終的には図
15に示すように、上部絶縁層20の上面に、基板10
における上部側配線部11のビアホールランド12また
は上部側配線部11の適宜の個所に電気的に接続された
状態の接続用電極21を形成すると共に、下部絶縁層3
0の下面に、基板10における下部側配線部13のビア
ホールランド14または下部側配線部13の適宜の個所
に電気的に接続された状態の端子電極31を形成する工
程である。
Fourth step: In the fourth step, finally, as shown in FIG.
The connection electrode 21 electrically connected to the via hole land 12 of the upper wiring portion 11 or an appropriate portion of the upper wiring portion 11 is formed, and the lower insulating layer 3 is formed.
This is a step of forming the terminal electrode 31 electrically connected to the via hole land 14 of the lower wiring portion 13 or an appropriate portion of the lower wiring portion 13 on the lower surface of the substrate 10.

【0039】具体的には、圧着積層体1Aの上面の金属
薄層21Aに対してフォトリソグラフィーおよびエッチ
ング処理を施してその一部を除去することより、図14
に示すように、検査対象である回路基板の被検査電極に
対応したパターンの接続用電極基層21Cおよび上面配
線部22が形成される。この接続用電極基層21Cは、
短絡部23またはこれと上面配線部22とを介して、基
板10における上部側配線部11のビアホールランド1
2または上部側配線部11の適宜の個所に電気的に接続
された状態である。そして、図15に示すように、上記
の接続用電極基層21Cの上面に、例えばメッキ法によ
り金属を堆積させることにより、金属層としての厚みを
大きくして所要の接続用電極21が形成される。
More specifically, the thin metal layer 21A on the upper surface of the pressure-bonded laminate 1A is subjected to photolithography and etching to remove a part of the thin metal layer 21A.
As shown in (1), a connection electrode base layer 21C and a top wiring portion 22 are formed in a pattern corresponding to the electrode to be inspected of the circuit board to be inspected. This connection electrode base layer 21C is
Via the short-circuit portion 23 or the via-hole land 1 of the upper-side wiring portion 11 of the substrate 10 via the upper surface wiring portion 22.
2 or in a state where it is electrically connected to an appropriate portion of the upper wiring portion 11. Then, as shown in FIG. 15, a required connection electrode 21 is formed by depositing a metal on the upper surface of the connection electrode base layer 21C by, for example, a plating method to increase the thickness as a metal layer. .

【0040】また、下部絶縁層30の下面の金属薄層3
1Aに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処
理が施されることにより、格子点上に配置された端子電
極31が短絡部32に連結された状態で形成される。こ
の端子電極31の電極ピッチは、例えば2.54mm、
1.8mmまたは1.27mmである。
The thin metal layer 3 on the lower surface of the lower insulating layer 30
By performing photolithography and etching on 1A, the terminal electrodes 31 arranged on the lattice points are formed in a state of being connected to the short-circuit portions 32. The electrode pitch of the terminal electrode 31 is, for example, 2.54 mm,
1.8 mm or 1.27 mm.

【0041】以上において、接続用電極21または上面
配線部22を形成する金属層の厚みを個別的に大きくす
ることが望まれる場合がある。例えば接続用電極21
は、後述するエラストマー層40の機能との関係から、
表面の配線層から更に20μm以上突出していることが
好ましい。このような場合には、例えば増加させるべき
厚みに対応する膜厚のフォトレジスト膜を形成してこれ
に同一のパターニングを行うことにより、当該金属層の
表面を露出させる孔を形成し、この孔を介して当該金属
層の表面上にメッキ法などによって金属を充填して堆積
させ、その後にフォトレジスト膜を除去すればよい。こ
のような方法により、例えば接続用電極21を表面から
突出した所期の状態に形成することが容易である。
In the above description, it may be desired to individually increase the thickness of the metal layer forming the connection electrode 21 or the upper wiring portion 22. For example, the connection electrode 21
Is, from the relationship with the function of the elastomer layer 40 described below,
It is preferable that the projection further protrudes from the surface wiring layer by 20 μm or more. In such a case, for example, a photoresist film having a thickness corresponding to the thickness to be increased is formed, and the same patterning is performed on the photoresist film to form a hole exposing the surface of the metal layer. Then, a metal is filled and deposited on the surface of the metal layer by a plating method or the like, and then the photoresist film may be removed. By such a method, for example, it is easy to form the connection electrode 21 in an expected state protruding from the surface.

【0042】また、第4工程、すなわち上部絶縁層20
の上面に接続用電極21および上面配線部22を形成す
ると共に、下部絶縁層30の下面に端子電極31を形成
する工程は独立して設けられる必要はなく、その一部ま
たは全部を第2工程または第3工程において行うことが
できる。
The fourth step, that is, the upper insulating layer 20
The step of forming the connection electrode 21 and the upper surface wiring portion 22 on the upper surface and forming the terminal electrode 31 on the lower surface of the lower insulating layer 30 does not need to be provided independently. Alternatively, it can be performed in the third step.

【0043】このようにして、基板10と、この基板1
0の上面に積重して設けられた上部絶縁層20と、基板
10の下面に積重して設けられた下部絶縁層30との積
層体よりなり、上面および下面にそれぞれ接続用電極2
1および端子電極31を有すると共に、当該接続用電極
21が、短絡部23(仲介用導電体25およびメタルポ
スト24)、ビアホールランド12を含む上部側配線部
11、基板短絡部23、ビアホールランド14を含む下
部側配線部13および短絡部32を介して端子電極31
に電気的に接続された積層型コネクターが製造される。
In this manner, the substrate 10 and the substrate 1
0 and a lower insulating layer 30 stacked on the lower surface of the substrate 10 and a connecting electrode 2 on each of the upper and lower surfaces.
1 and the terminal electrode 31, and the connection electrode 21 is composed of the short-circuit portion 23 (the intermediary conductor 25 and the metal post 24), the upper wiring portion 11 including the via-hole land 12, the substrate short-circuit portion 23, and the via-hole land 14. Terminal electrode 31 via the lower wiring portion 13 and the short-circuit portion 32 including
A laminated connector electrically connected to the connector is manufactured.

【0044】このような積層型コネクターによれば、上
部絶縁層20の短絡部23は、基板10における上部側
配線部11のビアホールランド12または上部側配線部
11の適宜の個所から上方に突出するよう設けられたメ
タルポスト24と、上部絶縁層20の上面から下方に伸
びてメタルポスト24の上部に接合された仲介用導電体
25とにより構成されており、当該積層型コネクター全
体を貫通するスルーホールによるものではないので、基
板10の上部側配線部11および下部側配線部13を大
きい自由度でかつ容易に形成することができる。また、
仲介用導電体25は、上部絶縁層20に導電体用ドリル
穴25Hを形成してその内部に設けることができ、この
導電体用ドリル穴25Hの深さは、メタルポスト24に
到達し、かつ、上部側配線部11を貫通しないものであ
ればよく、従って、形成すべき導電体用ドリル穴25H
の深さの許容範囲が大きいため、数値制御型ドリリング
装置により形成される穴の深さの誤差範囲を十分にカバ
ーすることができ、その結果、所要の導電体形成用ドリ
ル穴35が確実に形成されるので、基板10における上
部側配線部11のビアホールランド12および上部側配
線部11の適宜の個所に接続された短絡部23を確実に
形成することができる。更に、仲介用導電体25の外径
は、メタルポスト24の筒孔24Hより大きくすること
が必要であるが、筒孔24の内径が相当に小さいメタル
ポスト24を形成することが可能であり、これにより、
外径の小さい仲介用導電体25を形成することができる
ので、上部絶縁層20の上面配線部22を大きい自由度
で形成することができる。
According to such a laminated connector, the short-circuit portion 23 of the upper insulating layer 20 protrudes upward from the via hole land 12 of the upper wiring portion 11 or an appropriate portion of the upper wiring portion 11 on the substrate 10. And an intermediate conductor 25 extending downward from the upper surface of the upper insulating layer 20 and joined to the upper portion of the metal post 24, and a through hole penetrating the entire multilayer connector. Since it is not based on holes, the upper wiring portion 11 and the lower wiring portion 13 of the substrate 10 can be easily formed with a large degree of freedom. Also,
The mediating conductor 25 can be provided inside the upper insulating layer 20 by forming a conductor drill hole 25H in the upper insulating layer 20. The depth of the conductor drill hole 25H reaches the metal post 24, and The conductor drilling hole 25H to be formed is not limited as long as it does not penetrate the upper wiring portion 11.
The depth tolerance of the hole is large, so that the error range of the depth of the hole formed by the numerically controlled drilling device can be sufficiently covered. As a result, the required conductor forming drill hole 35 can be surely formed. Since it is formed, the via hole land 12 of the upper wiring portion 11 and the short-circuit portion 23 connected to an appropriate portion of the upper wiring portion 11 on the substrate 10 can be reliably formed. Further, the outer diameter of the intermediary conductor 25 needs to be larger than the cylindrical hole 24H of the metal post 24, but it is possible to form the metal post 24 in which the inner diameter of the cylindrical hole 24 is considerably small. This allows
Since the intermediate conductor 25 having a small outer diameter can be formed, the upper surface wiring portion 22 of the upper insulating layer 20 can be formed with a large degree of freedom.

【0045】次に、本発明の回路基板検査用アダプター
装置について説明する。図16は、本発明の回路基板検
査用アダプター装置の一例における構成を示す説明用断
面図である。この回路基板検査用アダプター装置は、ア
ダプター本体1と、このアダプター本体1の上面上に設
けられた異方導電性エラストマー層(以下、単に「エラ
ストマー層」という)40とにより構成されている。
Next, the circuit board inspection adapter device of the present invention will be described. FIG. 16 is an explanatory cross-sectional view illustrating a configuration of an example of the adapter device for circuit board inspection of the present invention. The adapter device for circuit board inspection includes an adapter body 1 and an anisotropic conductive elastomer layer (hereinafter, simply referred to as “elastomer layer”) 40 provided on the upper surface of the adapter body 1.

【0046】具体的に説明すると、アダプター本体1
は、図1に示す構成の積層型コネクターよりなり、この
アダプター本体1の表面には、エラストマー層40が一
体的に接着乃至密着した状態で形成されている。このエ
ラストマー層40は、図17に示すように、絶縁性の弾
性高分子物質E中に導電性粒子Pが密に充填されてなる
多数の導電部41が接続用電極21上に位置された状態
で、かつ、隣接する導電部41が相互に絶縁部42によ
って絶縁された状態とされている。各導電部41におい
ては、導電性粒子Pが厚さ方向に並ぶよう配向されてお
り、厚さ方向に伸びる導電路が形成されている。この導
電部41は、厚さ方向に加圧されて圧縮されたときに抵
抗値が減少して導電路が形成される、加圧導電部であっ
てもよい。これに対して、絶縁部42は、加圧されたと
きにも厚さ方向に導電路が形成されないものである。
More specifically, the adapter body 1
Is composed of a laminated connector having the configuration shown in FIG. 1, and an elastomer layer 40 is integrally formed on the surface of the adapter body 1 in a state of being adhered or adhered thereto. As shown in FIG. 17, this elastomer layer 40 has a state in which a large number of conductive portions 41 in which conductive particles P are densely filled in an insulating elastic polymer substance E are located on the connection electrodes 21. And the adjacent conductive portions 41 are insulated from each other by the insulating portion 42. In each conductive portion 41, the conductive particles P are oriented so as to be arranged in the thickness direction, and a conductive path extending in the thickness direction is formed. The conductive portion 41 may be a pressurized conductive portion in which a conductive path is formed by reducing the resistance value when compressed in the thickness direction and compressed. On the other hand, the insulating portion 42 does not form a conductive path in the thickness direction even when pressed.

【0047】上記エラストマー層40の導電部41にお
いては、導電性粒子Pの充填率が10体積%以上、特に
15体積%以上であることが好ましい。導電部を加圧導
電部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いと
きには、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接
続を達成することができる点では好ましい。しかし、接
続用電極21の電極ピッチが小さくなると、隣接する導
電部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあ
り、このため、導電部41における導電性粒子Pの充填
率は40体積%以下であることが好ましい。
In the conductive portion 41 of the elastomer layer 40, the filling rate of the conductive particles P is preferably 10% by volume or more, particularly preferably 15% by volume or more. In the case where the conductive portion is a pressurized conductive portion, when the filling rate of the conductive particles is high, it is preferable in that the intended electrical connection can be reliably achieved even when the pressing force is small. However, when the electrode pitch of the connection electrode 21 is reduced, sufficient insulation between adjacent conductive portions may not be ensured, and therefore, the filling rate of the conductive particles 41 in the conductive portion 41 is 40% by volume or less. It is preferred that

【0048】このような構成の回路基板検査用アダプタ
ー装置においては、その上面にエラストマー層40が一
体的に形成されており、しかも当該上面の接続用電極2
1上にエラストマー層40の導電部41が配置されてい
るため、電気的接続作業時にエラストマー層40の位置
合わせおよび保持固定を行うことが全く不要であり、従
ってリード電極領域の電極ピッチが微小である場合に
も、所要の電気的接続を確実に達成することができる。
また、エラストマー層40はアダプター本体1と一体で
あるため、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対
しても、良好な電気的接続状態が安定に維持され、従っ
て常に高い接続信頼性を得ることができる。
In the adapter device for circuit board inspection having such a configuration, the elastomer layer 40 is integrally formed on the upper surface thereof, and the connection electrode 2 on the upper surface is further formed.
Since the conductive portion 41 of the elastomer layer 40 is disposed on the first electrode 1, there is no need to perform positioning and holding and fixing of the elastomer layer 40 at the time of an electrical connection operation, so that the electrode pitch in the lead electrode region is very small. In some cases, the required electrical connections can be reliably achieved.
Further, since the elastomer layer 40 is integrated with the adapter main body 1, a good electrical connection state is stably maintained even with environmental changes such as heat history due to a temperature change, and therefore always high connection reliability is obtained. be able to.

【0049】図示の例においては、エラストマー層40
の外面において、導電部41が絶縁部42の表面から突
出する突出部を形成している。このような例によれば、
加圧による圧縮の程度が絶縁部42より導電部41にお
いて大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導
電部41に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変
動に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その
結果、エラストマー層40に作用される加圧力が不均一
であっても、各導電部41間における導電性のバラツキ
の発生を防止することができる。
In the illustrated example, the elastomer layer 40
, The conductive portion 41 forms a protruding portion that protrudes from the surface of the insulating portion 42. According to such an example,
Since the degree of compression by pressurization is larger in the conductive portion 41 than in the insulating portion 42, a conductive path having a sufficiently low resistance value is reliably formed in the conductive portion 41. Can be reduced, and as a result, even if the pressing force applied to the elastomer layer 40 is not uniform, it is possible to prevent the occurrence of variations in conductivity between the conductive portions 41.

【0050】このように導電部41が突出部を形成する
場合には、当該突出部の突出高さhは、エラストマー層
40の全厚t(t=h+d、dは絶縁部42の厚さであ
る。)の8%以上であることが好ましい。また、エラス
トマー層40の全厚tは、接続用電極21の中心間距離
として定義される電極ピッチpの300%以下、すなわ
ちt≦3pであることが好ましい。このような条件が充
足されることにより、エラストマー層40に作用される
加圧力が変化した場合にも、それによる導電部41の導
電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。
When the conductive portion 41 forms a protrusion as described above, the protrusion height h of the protrusion is the total thickness t of the elastomer layer 40 (t = h + d, and d is the thickness of the insulating portion 42). Is preferably 8% or more. The total thickness t of the elastomer layer 40 is preferably 300% or less of the electrode pitch p defined as the center-to-center distance of the connection electrode 21, that is, t ≦ 3p. When such a condition is satisfied, even when the pressure applied to the elastomer layer 40 changes, the change in the conductivity of the conductive portion 41 due to the change is sufficiently small.

【0051】導電部41が突出部を形成する場合におい
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電
極ピッチの20%以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部41間の離間距離rの
最小値は、当該導電部41の幅Rの10%以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部41同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上の例にお
いて、導電部41の平面形状は接続用電極21と等しい
幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する
円形、その他の適宜の形状とすることができる。
When the conductive portion 41 forms a projection, it is not always necessary that the entire surface of the projection has conductivity. For example, the periphery of the projection has a conductivity of 20% or less of the electrode pitch. A road non-forming portion may be present. Further, it is preferable that the minimum value of the separation distance r between the adjacent conductive portions 41 is 10% or more of the width R of the conductive portion 41. By satisfying such conditions, it is possible to sufficiently avoid the possibility that the adjacent conductive portions 41 electrically contact each other due to lateral displacement when the protrusion is deformed by being pressed. Can be. In the above example, the planar shape of the conductive portion 41 can be a rectangular shape having the same width as the connection electrode 21, but can be a circular shape having a necessary area or any other appropriate shape.

【0052】導電部41の導電性粒子としては、例えば
ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子も
しくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができ
る。後述する方法においては、ニッケル、鉄、またはこ
れらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用いられ、
また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で金メッキ
された粒子を好ましく用いることができる。また、磁気
ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁性体より
なる粒子も好ましく用いることができる。
The conductive particles of the conductive portion 41 include, for example, particles of a metal exhibiting magnetism such as nickel, iron, and cobalt, or particles of an alloy thereof, or gold,
Those plated with silver, palladium, rhodium, etc.
Inorganic particles such as non-magnetic metal particles or glass beads or polymer particles plated with a conductive magnetic material such as nickel or cobalt can be used. In the method described below, nickel, iron, or conductive magnetic particles made of an alloy thereof are used,
Further, gold-plated particles can be preferably used in terms of electrical characteristics such as low contact resistance. Further, particles composed of a conductive superparamagnetic material can be preferably used because they do not show magnetic hysteresis.

【0053】導電性粒子の粒径は、導電部41の加圧変
形を容易にし、かつ導電部41において導電性粒子間に
十分な電気的な接触が得られるよう、3〜200μmで
あることが好ましく、特に10〜100μmであること
が好ましい。
The particle size of the conductive particles is preferably 3 to 200 μm so that the conductive portion 41 can be easily deformed under pressure and sufficient electrical contact can be obtained between the conductive particles in the conductive portion 41. Preferably, it is particularly preferably 10 to 100 μm.

【0054】導電部41を構成する絶縁性で弾性を有す
る高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が
好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることがで
きる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコ
ーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレ
ン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン
共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、ク
ロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。具体的には、硬
化処理前には液状であって、硬化処理後にアダプター本
体1の上面と密着状態または接着状態を保持して一体と
なる高分子物質用材料が好ましい。このような観点か
ら、本発明に好適な高分子物質用材料としては、液状シ
リコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹
脂などを挙げることができる。高分子物質用材料には、
アダプター本体1の上面に対する接着性を向上させるた
めに、シランカップリング剤、チタンカップリング剤な
どの添加剤を添加することができる。
As the insulating and elastic polymer constituting the conductive portion 41, a polymer having a crosslinked structure is preferable. Examples of curable polymer materials that can be used to obtain a crosslinked polymer include silicone rubber, polybutadiene, natural rubber, polyisoprene, styrene-butadiene copolymer rubber, and acrylonitrile-butadiene copolymer rubber. , Ethylene-propylene copolymer rubber, urethane rubber, polyester rubber, chloroprene rubber, epichlorohydrin rubber, and soft liquid epoxy resin. Specifically, a material for a polymer substance which is in a liquid state before the curing treatment and is integrated with the upper surface of the adapter body 1 while keeping the adhesion state or the adhesion state after the curing treatment is preferable. From such a viewpoint, examples of the material for a polymer substance suitable for the present invention include liquid silicone rubber, liquid urethane rubber, and soft liquid epoxy resin. Materials for polymer substances include
Additives such as a silane coupling agent and a titanium coupling agent can be added to improve the adhesiveness to the upper surface of the adapter body 1.

【0055】絶縁部42を構成する材料としては、導電
部41を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体1の上面と密着状態または接着状態を保持し
てアダプター本体1と一体となるものが用いられる。
As a material for forming the insulating portion 42, the same or different material as the polymer material for forming the conductive portion 41 can be used. One that is integrated with the adapter body 1 while maintaining the adhesive state is used.

【0056】このような絶縁部を形成することにより、
エラストマー層それ自体の一体性並びにそのアダプター
本体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター
装置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧
縮に対して優れた耐久性を得ることができる。
By forming such an insulating portion,
Since the integrality of the elastomer layer itself and its integrality with the adapter main body are reliably increased, the strength of the entire adapter device is increased, and therefore, excellent durability against repeated compression can be obtained.

【0057】以上のような構成の回路基板検査用アダプ
ター装置は、その上面に検査対象である回路基板が配置
されて接続用電極21に回路基板の被検査電極が対接さ
れると共に、下面の端子電極31が適宜の接続手段を介
してテスターに接続され、更に全体が厚み方向に圧縮す
るよう加圧された状態とされる。この状態においては、
アダプター装置のエラストマー層40の導電部41が導
電状態となり、これにより、被検査電極とテスターとの
所要の電気的な接続が達成される。
In the adapter device for circuit board inspection having the above-described configuration, the circuit board to be inspected is disposed on the upper surface, the electrode to be inspected of the circuit board is brought into contact with the connection electrode 21, and the lower surface of the lower surface of the connection device 21 The terminal electrode 31 is connected to the tester via an appropriate connection means, and is further pressurized so as to be compressed in the thickness direction. In this state,
The conductive portion 41 of the elastomer layer 40 of the adapter device is brought into a conductive state, whereby a required electrical connection between the electrode under test and the tester is achieved.

【0058】上記の回路基板検査用アダプター装置は、
例えば次のようにしてアダプター本体1の上面にエラス
トマー層40が設けられて製造される。先ず、硬化処理
によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材
料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よ
りなるエラストマー材料が調製され、図18に示すよう
に、このエラストマー材料がアダプター本体1の上面に
塗布されることによりエラストマー材料層50が形成さ
れ、これが金型のキャビティ内に配置される。
The above-mentioned adapter device for circuit board inspection comprises:
For example, it is manufactured by providing the elastomer layer 40 on the upper surface of the adapter body 1 as follows. First, an elastomer material made of a fluid mixture is prepared by dispersing conductive magnetic particles in a polymer material that becomes an insulating elastic polymer material by curing treatment, and as shown in FIG. The elastomer material is applied to the upper surface of the adapter body 1 to form an elastomer material layer 50, which is arranged in the cavity of the mold.

【0059】この金型は、各々電磁石を構成する上型5
1と下型52とよりなり、上型51には、接続用電極2
1に対応するパターンの強磁性体部分(斜線を付して示
す)Mと、それ以外の非磁性体部分Nとよりなる、下面
が平坦面である磁極板53が設けられており、当該磁極
板53の平坦な下面がエラストマー材料層50の表面か
ら離間されて間隙Gが形成された状態とされる。なお、
図18および図19においては、接続用電極21を除
き、アダプター本体1の詳細は省略されている。
The dies are provided with upper dies 5 each constituting an electromagnet.
1 and a lower die 52, and the upper die 51 has a connection electrode 2
A magnetic pole plate 53 having a flat lower surface is provided, which is composed of a ferromagnetic portion M (shown by oblique lines) having a pattern corresponding to No. 1 and a nonmagnetic portion N other than the ferromagnetic portion. The flat lower surface of the plate 53 is separated from the surface of the elastomeric material layer 50 so that the gap G is formed. In addition,
18 and 19, details of the adapter main body 1 are omitted except for the connection electrode 21.

【0060】この状態で上型51と下型52の電磁石を
動作させ、これにより、アダプター本体1の厚さ方向の
平行磁場を作用させる。その結果、エラストマー材料層
50においては接続用電極21上に位置する部分におい
て、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作用
されることとなり、この分布を有する平行磁場により、
図19に示すように、エラストマー材料層50内の導電
性磁性体粒子が、強磁性体部分Mによる磁力により接続
用電極21上に位置する部分に集合して更に厚さ方向に
配向する。
In this state, the electromagnets of the upper die 51 and the lower die 52 are operated, whereby a parallel magnetic field in the thickness direction of the adapter body 1 is applied. As a result, in the portion of the elastomer material layer 50 located on the connection electrode 21, a stronger parallel magnetic field is applied in the thickness direction than in other portions, and by the parallel magnetic field having this distribution,
As shown in FIG. 19, the conductive magnetic particles in the elastomer material layer 50 are gathered in a portion located on the connection electrode 21 by the magnetic force of the ferromagnetic portion M and further oriented in the thickness direction.

【0061】然るに、このとき、エラストマー材料層5
0の表面側には間隙Gが存在するため、導電性磁性体粒
子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動す
る結果、接続用電極21上に位置する部分の高分子物質
用材料表面が隆起し、突出した導電部41が形成され
る。従って、形成される絶縁部42の厚さt1 は、初期
のエラストマー材料層50の厚さt0 より小さいものと
なる。そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平
行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部
を形成する導電部41と絶縁部42とよりなるエラスト
マー層40をアダプター本体1上に一体的に設けること
ができ、以てアダプター装置が製造される。
However, at this time, the elastomer material layer 5
Since the gap G exists on the surface side of the polymer material 0, the polymer material also moves by the moving and gathering of the conductive magnetic particles. Are raised, and a protruding conductive portion 41 is formed. Therefore, the thickness t1 of the formed insulating portion 42 is smaller than the initial thickness t0 of the elastomer material layer 50. After the parallel magnetic field is applied or after the parallel magnetic field is removed, the elastomer layer 40 including the conductive portion 41 and the insulating portion 42 forming the protrusion is integrally formed on the adapter body 1 by performing a curing process. The adapter device is manufactured.

【0062】磁極板53としては、図20に示すよう
に、上型51が接続用電極21に対応するパターンの強
磁性体部分Mとそれ以外の非磁性体部分Nよりなり、当
該上型51の下面において強磁性体部分Mが非磁性体部
分Nより下方に突出した状態の磁極板55を使用するこ
ともできる。更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であ
って、接続用電極21に対応するパターンの部分が、そ
れ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いる
こともできる。これらの場合にも、エラストマー材料層
50に対しては接続用電極21の領域において、より強
い平行磁場が作用されることとなる。
As shown in FIG. 20, as the magnetic pole plate 53, the upper die 51 includes a ferromagnetic portion M of a pattern corresponding to the connection electrode 21 and a non-magnetic portion N other than the ferromagnetic portion M. The magnetic pole plate 55 in a state where the ferromagnetic portion M protrudes below the non-magnetic portion N on the lower surface of the magnetic head may be used. Further, it is also possible to use a magnetic pole plate that is entirely made of a ferromagnetic material and has a pattern portion corresponding to the connection electrode 21 protruding downward from other portions. Also in these cases, a stronger parallel magnetic field is applied to the elastomer material layer 50 in the region of the connection electrode 21.

【0063】また、平行磁場を作用させたままで上型5
1と下型52の間隔が可変の金型を用い、始めは上型5
1をエラストマー材料層50のすぐ上に配置し、平行磁
場を作用させながら上型51と下型52の間隔を徐々に
広げ、これによってエラストマー材料層50の隆起を生
じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。
Further, the upper mold 5 is kept under the parallel magnetic field.
A mold having a variable distance between the lower mold 1 and the lower mold 52 is used.
1 is disposed immediately above the elastomer material layer 50, and the gap between the upper mold 51 and the lower mold 52 is gradually widened while applying a parallel magnetic field, thereby causing the elastomer material layer 50 to protrude. You can do it too.

【0064】本発明においては、エラストマー層40の
導電部41が絶縁部42より突出していることは必須の
ことではなく、平坦な表面を有するものとすることもで
きる。このような場合には、例えば図18に示した構成
の金型を用い、間隙Gを形成せずに処理すればよい。
In the present invention, it is not essential that the conductive portion 41 of the elastomer layer 40 protrudes from the insulating portion 42, and the elastomer portion 40 may have a flat surface. In such a case, the processing may be performed without forming the gap G by using, for example, a mold having the configuration shown in FIG.

【0065】エラストマー材料層50の厚さは例えば
0.1〜3mmとされる。このエラストマー材料層50
のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動
が容易に行われるよう、その温度25℃における粘度が
101 sec-1の歪速度の条件下において104 〜10
7 センチポアズ程度であることが好ましい。エラストマ
ー材料層50の硬化処理は、平行磁場を作用させたまま
の状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止
させた後に行うこともできる。
The thickness of the elastomer material layer 50 is, for example, 0.1 to 3 mm. This elastomer material layer 50
In order to facilitate the movement of the conductive magnetic particles, the material for the polymer substance has a viscosity at 25 ° C. of 10 4 to 10 under the condition of a strain rate of 10 1 sec -1.
It is preferably about 7 centipoise. The curing treatment of the elastomer material layer 50 is preferably performed in a state where the parallel magnetic field is applied, but may be performed after stopping the operation of the parallel magnetic field.

【0066】また、磁極板53の強磁性体部分Mは鉄、
ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分N
は、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂
または空気層などにより形成することができる。エラス
トマー材料層50に作用される平行磁場の強度は、金型
のキャビティの平均で200〜20,000ガウスとな
る大きさが好ましい。
The ferromagnetic portion M of the pole plate 53 is made of iron,
A ferromagnetic material such as nickel, and a non-magnetic material portion N
Can be formed of a nonmagnetic metal such as copper, a heat-resistant resin such as polyimide, or an air layer. The strength of the parallel magnetic field applied to the elastomer material layer 50 is preferably such that the average of the cavity of the mold is 200 to 20,000 gauss.

【0067】硬化処理は、使用される材料によって適宜
選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的
な加熱温度および加熱時間は、エラストマー材料層50
の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に
要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高
分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合
に、硬化処理は、室温で24時間程度、40℃で2時間
程度、80℃で30分間程度で行われる。
The curing treatment is appropriately selected depending on the material used, but is usually performed by heat treatment. The specific heating temperature and heating time depend on the elastomer material layer 50.
The material is appropriately selected in consideration of the type of the polymer material, the time required for the movement of the conductive magnetic particles, and the like. For example, when the material for a polymer substance is a room-temperature-curable silicone rubber, the curing treatment is performed at room temperature for about 24 hours, at 40 ° C. for about 2 hours, and at 80 ° C. for about 30 minutes.

【0068】以上、本発明の一例に従って説明したが、
本発明においては、ビアホールランドおよびこのビアホ
ールランドから厚み方向に貫通して伸びる基板短絡部を
有する基板上に、少なくとも1つの絶縁層が設けられ、
この絶縁層にその厚み方向に貫通して伸びる短絡部が形
成されており、この短絡部が、メタルポストとこの上端
に接合された仲介用導電体とにより構成されていること
を特徴とするものである。従って、上記の図示の例は、
基板上に1つの絶縁層が設けられる場合であるが、本発
明においては、当該絶縁層が2つ以上設けられていても
よく、この場合には、前述の第1工程〜第3工程を絶縁
層の数に対応する回数繰り返して行うことにより、当該
積層型コネクターを製造することができる。
As described above, according to an example of the present invention,
In the present invention, at least one insulating layer is provided on a substrate having a via hole land and a substrate short-circuit portion extending through the via hole land in the thickness direction,
A short-circuit portion extending through the insulating layer in the thickness direction thereof is formed, and the short-circuit portion is constituted by a metal post and an intermediary conductor bonded to the upper end thereof. It is. Therefore, the above illustrated example:
Although one insulating layer is provided on the substrate, in the present invention, two or more insulating layers may be provided. In this case, the above-described first to third steps are insulated. By repeating the number of times corresponding to the number of layers, the laminated connector can be manufactured.

【0069】[0069]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
The present invention is not limited to these examples.

【0070】〈実施例1〉 (1)積層型コネクターの製造 第1工程:各々の厚みが9μmの銅金属薄層(11A,
13A)を厚さ0.5mmのガラス繊維補強型エポキシ
樹脂よりなる基板(10)の両面に積層してなる材料を
用意し、これを縦330mm、横500mmの矩形状に
裁断して、2軸ドリリング装置「ND−2J−18」
(日立精工社製)を用いて、各々の内径が0.15mm
の基板短絡部形成用孔(15H)を形成した(図4およ
び図5参照)。
Example 1 (1) Production of Laminated Connector First Step: Each thin copper metal layer (11A, 9 μm thick)
13A) is prepared by laminating on both surfaces of a substrate (10) made of a glass fiber reinforced epoxy resin having a thickness of 0.5 mm, and cut into a rectangular shape having a length of 330 mm and a width of 500 mm. Drilling device "ND-2J-18"
(Hitachi Seiko Co., Ltd.), each inner diameter is 0.15mm
(FIG. 4 and FIG. 5).

【0071】次いで、銅メッキにより、基板短絡部形成
用孔(15H)内に円筒状の基板短絡部(15)を形成
すると共に、基板10の上面の金属薄層(11A)に対
してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施す
ことにより、上面に、基板短絡部(15)に接続され
た、ビアホールランド(12)を有する上部側配線部
(11)を形成した。その後、基板(10)の上面に形
成された上部側配線部(11)のビアホールランド(1
2)および上部側配線部(11)の所定の個所に、フォ
トリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、上
部側配線部(11)からの突出高さが20μm、外径が
0.30mm、筒孔(24H)の内径が50μmの円筒
状のメタルポスト(24)を形成した。一方、基板(1
0)の下面の金属薄層(13A)に対してフォトリソグ
ラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、基板
短絡部(15)に接続された、ビアホールランド(1
4)を有する下部側配線部(13)を形成した(図6お
よび図7参照)。
Next, a cylindrical substrate short-circuit portion (15) is formed in the substrate short-circuit portion forming hole (15H) by copper plating, and the thin metal layer (11A) on the upper surface of the substrate 10 is subjected to photolithography. By performing the etching process, an upper wiring portion (11) having a via hole land (12) connected to the substrate short-circuit portion (15) was formed on the upper surface. Then, the via hole land (1) of the upper side wiring portion (11) formed on the upper surface of the substrate (10) is formed.
2) At a predetermined portion of the upper wiring portion (11), a projection height from the upper wiring portion (11) is 20 μm, an outer diameter is 0.30 mm, and a cylindrical hole is formed by photolithography and electrolytic copper plating. A cylindrical metal post (24) having an inner diameter of (24H) of 50 μm was formed. On the other hand, the substrate (1
By performing photolithography and etching on the thin metal layer (13A) on the lower surface of (0), the via hole land (1) connected to the substrate short-circuit portion (15) is formed.
A lower side wiring portion (13) having 4) was formed (see FIGS. 6 and 7).

【0072】第2工程:熱硬化性樹脂シート(20A)
におけるメタルポスト(24)に対応する位置に、NC
ドリリリング装置により直径0.35mmの貫通孔(2
3A)を形成し、この熱硬化性樹脂シート(20A)
を、当該貫通孔(23A)とメタルポスト(24)とを
位置合わせした後、基板(10)の上面に重ね、更に、
この熱硬化性樹脂シート(20A)の上面に、金属箔
(21B)を配置すると共に、熱硬化性樹脂シート(3
0A)を、基板(10)の下面に重ね、更に、この熱硬
化性樹脂シート(30A)の下面に、金属箔(31B)
を配置し、真空プレス機「MHPCV−200−75
0」(名機製作所社製)により、10Paの減圧雰囲気
下において、最高プレス圧力40Kg/cm2、最高温
度180℃で2時間プレスし、熱圧着することにより、
基板(10)の上面に上部絶縁層(20)および金属箔
層(21A)が積層され、基板(10)の下面に下部絶
縁層(30)および金属薄層(31A)が積層された圧
着積層体(1A)を形成した(図8〜図10参照)。以
上において、熱硬化性樹脂シート(20A,30A)と
しては、ガラス繊維補強プリプレグ「ナショナルマルチ
R1661」松下電工社製,厚さ60μm)を用い、金
属箔(21B,31B)としては、厚さ70μmの支持
銅箔上に形成された、厚さ9μmの剥離性電解銅箔「ピ
ーラブル銅箔」(古河電工社製)を用いた。
Second step: thermosetting resin sheet (20A)
NC at the position corresponding to the metal post (24)
A 0.35 mm diameter through-hole (2
3A) to form the thermosetting resin sheet (20A)
Is positioned on the upper surface of the substrate (10) after the through hole (23A) is aligned with the metal post (24).
A metal foil (21B) is arranged on the upper surface of the thermosetting resin sheet (20A), and the thermosetting resin sheet (3
0A) on the lower surface of the substrate (10), and further, a metal foil (31B) on the lower surface of the thermosetting resin sheet (30A).
And a vacuum press machine “MHPCV-200-75”
0 "(manufactured by Meiki Seisakusho) under a reduced pressure atmosphere of 10 Pa at a maximum press pressure of 40 kg / cm 2 and a maximum temperature of 180 ° C. for 2 hours, followed by thermocompression bonding.
Compression lamination in which an upper insulating layer (20) and a metal foil layer (21A) are laminated on an upper surface of a substrate (10), and a lower insulating layer (30) and a thin metal layer (31A) are laminated on a lower surface of the substrate (10). A body (1A) was formed (see FIGS. 8 to 10). In the above, as the thermosetting resin sheet (20A, 30A), a glass fiber reinforced prepreg “National Multi R1661” manufactured by Matsushita Electric Works, thickness 60 μm) is used, and as the metal foil (21B, 31B), the thickness is 70 μm. A 9 μm-thick peelable electrolytic copper foil “Peelable Copper Foil” (Furukawa Electric Co., Ltd.) formed on the supporting copper foil was used.

【0073】第3工程:2軸ドリリング装置「ND−2
J−18」(日立精工社製)を用い、上記の圧着積層体
(1A)の上面に、メタルポスト(24)が形成された
位置において、深さが50μmで内径が100μmの導
電体形成用ドリル穴(25H)を形成すると共に、当該
圧着積層体(1A)の下面に、下部配線部(13)のビ
アホールランド(14)が形成された位置およびその他
の所定の位置において、ピッチが1.27mmの格子点
上に配置された状態となるよう、各々深さが50μmで
内径が150μmの短絡部形成用ドリル穴(32H)を
形成した(図11参照)。
Third step: Biaxial drilling machine "ND-2"
J-18 "(manufactured by Hitachi Seiko Co., Ltd.) for forming a conductor having a depth of 50 μm and an inner diameter of 100 μm at the position where the metal post (24) was formed on the upper surface of the pressure-bonded laminate (1A). In addition to forming a drill hole (25H), a pitch of 1.1 is formed at a position where the via hole land (14) of the lower wiring portion (13) is formed on the lower surface of the crimped laminate (1A) and at other predetermined positions. Drill holes (32H) for forming short-circuit portions each having a depth of 50 μm and an inner diameter of 150 μm were formed so as to be arranged on a lattice point of 27 mm (see FIG. 11).

【0074】次いで、上記の圧着積層体1Aに、無電解
銅メッキを行った後更に電解銅メッキを行うことによ
り、導電体形成用ドリル穴25H内に、銅の堆積体より
なる円筒状の仲介用導電体25を形成し、以てメタルポ
スト(24)と仲介用導電体(25)とが接合されてな
る短絡部(23)を形成すると共に、短絡部形成用ドリ
ル穴(32H)内に、銅の堆積体よりなる円筒状の短絡
部(32)を形成した(図12および図13参照)。
Next, the above-mentioned pressure-bonded laminate 1A is subjected to electroless copper plating and further to electrolytic copper plating, so that a cylindrical intermediate member made of a copper deposit is formed in the conductor forming drill hole 25H. Forming a short-circuit portion (23) formed by joining the metal post (24) and the intermediary conductor (25), and forming the short-circuit portion forming drill hole (32H). Then, a cylindrical short-circuit portion (32) made of a copper deposit was formed (see FIGS. 12 and 13).

【0075】第4工程:上記の圧着積層体(1A)の上
面の金属薄層(21A)に対してフォトリソグラフィー
およびエッチング処理を施してその一部を除去すること
より、上面に検査対象である回路基板の被検査電極に対
応したパターンの接続用電極基層(21C)および上面
配線部(22)を形成した(図14参照)。
Fourth step: The thin metal layer (21A) on the upper surface of the above-mentioned pressure-bonded laminate (1A) is subjected to photolithography and etching to remove a part of the thin metal layer (21A). A connection electrode base layer (21C) and a top wiring portion (22) having a pattern corresponding to the electrode to be inspected on the circuit board were formed (see FIG. 14).

【0076】更に、圧着積層体(1A)の上面上に厚み
50μmのフォトレジスト膜「HK350」(日立化成
工業社製)を設け、これをフォトリソグラフィー法によ
り処理して検査対象回路基板の被検査電極に対応するパ
ターンに従って除去し、斯くして形成された穴部に銅メ
ッキ法により金属銅を充填し、その後フォトレジスト膜
を剥離することにより、突出高さが50μmの接続用電
極(21)を形成し、更に各接続用電極(22)に厚み
2μmの金メッキを施した。一方、圧着積層体(1A)
における下部絶縁層(30)の下面の金属薄層(31
A)に対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処
理を施すことにより、1.27mmの格子点上に配置さ
れた端子電極(31)を形成し、以て積層型コネクター
を製造した(図15参照)。
Further, a 50 μm-thick photoresist film “HK350” (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is provided on the upper surface of the pressure-bonded laminate (1A), and this is processed by photolithography to inspect the circuit board to be inspected. The connection electrode (21) having a protrusion height of 50 μm by removing according to the pattern corresponding to the electrode, filling the hole thus formed with copper metal by a copper plating method, and then peeling off the photoresist film. Was formed, and each connection electrode (22) was plated with gold having a thickness of 2 μm. On the other hand, a crimped laminate (1A)
The metal thin layer (31) on the lower surface of the lower insulating layer (30) in
A) was subjected to photolithography and etching to form terminal electrodes (31) arranged on 1.27 mm lattice points, thereby producing a multilayer connector (see FIG. 15).

【0077】以上の方法によって得られた積層型コネク
ターの接続用電極は、各電極の寸法が直径0.25mm
及び直径0.35mmの円形で部分的に電極ピッチが
0.3mmの電極群と、各電極の寸法が直径0.45m
mで電極ピッチが0.6mmの電極群とを有するもので
あった。
The connection electrodes of the laminated connector obtained by the above method had a size of each electrode of 0.25 mm.
And an electrode group having a 0.35 mm diameter circular electrode pitch of 0.3 mm, and each electrode having a diameter of 0.45 m.
m and an electrode group having an electrode pitch of 0.6 mm.

【0078】(2)アダプター装置の製造 上記の積層型コネクターをアダプター本体として用い、
このアダプター本体の上面に、次のようにしてエラスト
マーを形成した。室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径2
6μmのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を15体積
%となる割合で混合してなるエラストマー材料を調製
し、これを上記のアダプター本体の表面に塗布したもの
を、基本的に図20に示した金型を用いる方法に従って
処理した。すなわち、下面において強磁性体部分Mが非
磁性体部分Nより0.1mm突出する磁極板55を用
い、強磁性体部分Mの下面とエラストマー材料層との間
に0.03mmの間隙を形成して平行磁場を作用させて
エラストマー材料層を隆起させ、この状態で室温で24
時間放置して硬化させ、これにより、導電部の厚さtが
0.3mm、絶縁部の厚さdが0.27mm、導電部の
突出割合(t−d)/tが10%のエラストマー層を形
成し、もって回路基板検査用アダプター装置を製造し
た。
(2) Manufacture of Adapter Device Using the above-mentioned laminated connector as an adapter body,
An elastomer was formed on the upper surface of the adapter body as follows. Average particle size 2 for room temperature curable urethane rubber
An elastomer material was prepared by mixing conductive magnetic particles of 6 μm nickel at a ratio of 15% by volume, and this was applied to the surface of the adapter body. It processed according to the method using a metal mold. That is, a gap of 0.03 mm is formed between the lower surface of the ferromagnetic material portion M and the elastomer material layer using the magnetic pole plate 55 in which the ferromagnetic material portion M protrudes 0.1 mm from the nonmagnetic material portion N on the lower surface. In this state, the elastomer material layer is raised by applying a parallel magnetic field.
The elastomer layer having a thickness t of the conductive portion of 0.3 mm, a thickness d of the insulating portion of 0.27 mm, and a protrusion ratio (t−d) / t of the conductive portion of 10% is obtained. Was formed, thereby producing an adapter device for circuit board inspection.

【0079】実験例1 以上のアダプター装置について、抵抗測定器「ミリオー
ムハイテスター」(日置電機社製)を用い、基板の下面
側に共通の導電板を配置してすべての端子電極を短絡状
態とし、この導電板と各接続用電極との間の電気抵抗値
をプローブピンを利用して測定した。その結果、すべて
の接続用電極について、電気抵抗値は30mΩ以下と非
常に小さく、接続されるべき端子電極と接続用電極との
間の電気的な接続が十分に達成されていることが確認さ
れた。
EXPERIMENTAL EXAMPLE 1 With respect to the above adapter device, a common conductive plate was arranged on the lower surface side of the substrate by using a resistance measuring device "Milliohm High Tester" (manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.), and all terminal electrodes were short-circuited. The electrical resistance between the conductive plate and each connection electrode was measured using a probe pin. As a result, it was confirmed that the electric resistance value of all the connection electrodes was as extremely small as 30 mΩ or less, and that the electric connection between the terminal electrode to be connected and the connection electrode was sufficiently achieved. Was.

【0080】実験例2 更に当該アダプター装置について、上記と同様の抵抗測
定器を用い、互いに絶縁状態とされるべき隣接する接続
用電極の間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定
したところ、電気抵抗値はいずれも2MΩ以上と非常に
大きく、十分な絶縁状態が達成されていることが確認さ
れた。
Experimental Example 2 Further, regarding the adapter device, the electric resistance between adjacent connection electrodes to be insulated from each other was measured using a probe pin, using the same resistance measuring device as described above. In addition, the electric resistance value was as very large as 2 MΩ or more, and it was confirmed that a sufficient insulating state was achieved.

【0081】[0081]

【発明の効果】本発明の積層型コネクターによれば、絶
縁層の短絡部は、基板における配線部のビアホールラン
ドから上方に突出するよう設けられたメタルポストと、
当該絶縁層の上面から下方に伸びてメタルポストの上部
に接合された仲介用導電体とにより構成されており、当
該積層型コネクター全体を貫通するスルーホールによる
ものではないので、基板の配線部を大きい自由度でかつ
容易に形成することができる。また、仲介用導電体は、
絶縁層に穴部を形成してその内部に設けることができ、
この穴部の深さは、メタルポストに到達しかつ配線部を
貫通しないものであればよく、従って、形成すべき穴部
の深さの許容範囲が大きいため、数値制御型ドリリング
装置により形成される穴の深さの誤差範囲を十分にカバ
ーすることができ、その結果、所要の穴部が確実に形成
されるので、基板の配線部のビアホールランドと短絡部
との接続を確実に達成することができる。更に、筒孔の
内径が相当に小さいメタルポストを形成することによ
り、外径の小さい仲介用導電体を形成することができる
ので、絶縁層の配線部を大きい自由度で形成することが
できる。
According to the multilayer connector of the present invention, the short-circuit portion of the insulating layer is formed by a metal post provided so as to protrude upward from the via-hole land of the wiring portion on the substrate.
It is composed of an intermediary conductor extending downward from the upper surface of the insulating layer and joined to the upper part of the metal post, and is not formed by a through hole penetrating the entire multilayer connector. It can be formed easily with a large degree of freedom. Also, the mediating conductor is
Holes can be formed in the insulating layer and provided inside,
The depth of the hole is not limited as long as it reaches the metal post and does not penetrate the wiring portion. Therefore, since the allowable range of the depth of the hole to be formed is large, it is formed by a numerically controlled drilling device. The error range of the depth of the hole can be sufficiently covered, and as a result, the required hole is reliably formed, so that the connection between the via hole land of the wiring portion of the substrate and the short-circuit portion is reliably achieved. be able to. Further, by forming the metal post having a considerably small inner diameter of the cylindrical hole, a middle conductor having a small outer diameter can be formed, so that the wiring portion of the insulating layer can be formed with a large degree of freedom.

【0082】本発明の回路基板検査用アダプター装置
は、その基本的構成において、アダプター本体の上面
に、検査対象回路基板の被検査電極に対応して配置され
た接続用電極が形成されると共に、下面には格子点に配
置された端子電極が形成されており、かつアダプター本
体は、上記の積層型コネクターを具えてなり、しかもア
ダプター本体の上面上には異方導電性エラストマー層が
一体的に設けられているため、検査対象である回路基板
の被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で
高密度の複雑なパターンのパターンのものである場合に
も、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達
成することができ、また温度変化による熱履歴などの環
境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持
され、従って高い接続信頼性を得ることができ、しか
も、所望の配線構成を有するアダプター本体の形成がき
わめて容易であり、従ってきわめて有利にかつ確実に製
造することができる。
In the adapter device for circuit board inspection of the present invention, in the basic configuration, connection electrodes arranged corresponding to the electrodes to be inspected of the circuit board to be inspected are formed on the upper surface of the adapter body. Terminal electrodes arranged at lattice points are formed on the lower surface, and the adapter body is provided with the above-mentioned laminated connector, and an anisotropic conductive elastomer layer is integrally formed on the upper surface of the adapter body. Since the electrode to be inspected of the circuit board to be inspected has a fine electrode pitch and a fine and high-density complicated pattern, the required An electrical connection can be reliably achieved, and a good electrical connection state is stably maintained against environmental changes such as a heat history due to a temperature change. -Reliability can be obtained, moreover, formation of the adapter body having a desired wiring configuration is extremely easy, thus it can be very advantageously and reliably produced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の積層型コネクターの一例における構成
を示す説明用断面図である。
FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of an example of a laminated connector of the present invention.

【図2】本発明の積層型コネクターの一例における各部
の配置の状態を示す説明用部分平面図である。
FIG. 2 is a partial plan view for explaining an arrangement state of each part in an example of the laminated connector of the present invention.

【図3】図1における積層型コネクターの説明用拡大断
面図である。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view for explaining the multilayer connector in FIG.

【図4】本発明の積層型コネクターを製造する方法に用
いられる基板材料の説明用断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a substrate material used in the method of manufacturing a multilayer connector according to the present invention.

【図5】基板に基板短絡部形成用孔が形成された状態を
示す説明用断面図である。
FIG. 5 is an explanatory sectional view showing a state in which a substrate short-circuit portion forming hole is formed in the substrate.

【図6】基板に、ビアホールランドを有する上部側配線
部、メタルポスト、基板短絡部およびビアホールランド
を有する下部側配線部が形成された状態を示す説明用断
面図である。
FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which an upper wiring portion having a via hole land, a metal post, a substrate short-circuit portion, and a lower wiring portion having a via hole land are formed on a substrate.

【図7】図6における基板の一部を拡大して示す説明用
断面図である。
FIG. 7 is an explanatory sectional view showing a part of the substrate in FIG. 6 in an enlarged manner.

【図8】圧着積層体を形成する部材の配置状態を示す説
明用断面図である。
FIG. 8 is an explanatory cross-sectional view showing an arrangement state of members forming a pressure-bonded laminate.

【図9】圧着積層体が形成された状態を示す説明用断面
図である。。
FIG. 9 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a pressure-bonded laminate is formed. .

【図10】図9における圧着積層体の一部を拡大して示
す説明用断面図である。
FIG. 10 is an explanatory sectional view showing a part of the pressure-bonded laminate in FIG. 9 in an enlarged manner.

【図11】圧着積層体に導電体用ドリル穴および短絡部
形成用ドリル穴が形成された状態を示す説明用断面図で
ある。
FIG. 11 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a conductor drill hole and a short-circuit portion forming drill hole are formed in the crimped laminate.

【図12】導電体用ドリル穴の内部に仲介用導電体が形
成され、短絡部形成用ドリル穴の内部に短絡部が形成さ
れた状態を示す説明用断面図である。
FIG. 12 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a mediating conductor is formed inside a conductor drill hole and a short-circuit portion is formed inside a short-circuit portion forming drill hole.

【図13】圧着積層体における上部絶縁層に短絡部が形
成された状態を示す説明用断面図である。
FIG. 13 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a short-circuit portion is formed in an upper insulating layer in the pressure-bonded laminate.

【図14】圧着積層体の上面に接続用電極基層および上
面配線部が形成された状態を示す説明用断面図である。
FIG. 14 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a connection electrode base layer and an upper surface wiring portion are formed on the upper surface of the pressure-bonded laminate.

【図15】圧着積層体の上面に接続用電極が形成され、
圧着積層体の下面に端子電極が形成されて完成した積層
型コネクターの説明用断面図である。
FIG. 15 shows a connection electrode formed on the upper surface of the pressure-bonded laminate,
It is sectional drawing for description of the laminated connector completed by forming the terminal electrode on the lower surface of a crimp laminated body.

【図16】本発明の回路基板検査用アダプター装置の一
例における構成を示す説明用断面図である。
FIG. 16 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of an example of the adapter device for circuit board inspection of the present invention.

【図17】本発明の回路基板検査用アダプター装置の一
例におけるエラストマー層部分の説明用拡大断面図であ
る。
FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view for explaining an elastomer layer portion in an example of the adapter device for circuit board inspection of the present invention.

【図18】エラストマー材料層が形成されたアダプター
本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図であ
る。
FIG. 18 is an explanatory cross-sectional view showing a state where the adapter body on which the elastomer material layer is formed is set in a mold.

【図19】図18において、平行磁場が作用された状態
を示す説明用断面図である。
FIG. 19 is an explanatory sectional view showing a state where a parallel magnetic field is applied in FIG. 18;

【図20】エラストマー層を形成するために用いられる
金型の他の例を示す説明用断面図である。
FIG. 20 is an explanatory sectional view showing another example of a mold used for forming an elastomer layer.

【図21】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図
である。
FIG. 21 is an explanatory diagram showing an arrangement of an example of a printed circuit board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アダプター本体 1A 圧着積層
体 10 基板 11 上部側配
線部 11A 金属薄層 12 ビアホー
ルランド 13 下部側配線部 13A 金属薄
層 14 ビアホールランド 15 基板短絡
部 15H 基板短絡部形成用孔 20 上部絶縁
層 20A 熱硬化性樹脂シート 21 接続用電
極 21A 金属薄層 21B 金属箔 21C 接続用電極基層 22 上面配線
部 23 短絡部 23A 貫通孔 24 メタルポスト 24H 筒孔 25 仲介用導電体 25H 導電体
形成用ドリル穴 30 下部絶縁層 30A 熱硬化
性樹脂シート 31 端子電極 31A 金属薄
層 31B 金属箔 32 短絡部 32H 短絡部形成用ドリル穴 40 異方導電
性エラストマー層 41 導電部 42 絶縁部 E 弾性高分子物質 P 導電性粒子 50 エラストマー材料層 51 上型 52 下型 M 強磁性体部
分 N 非磁性体部分 53 磁極板 G 間隙 55 磁極板 90 回路基板 91 機能素子
領域 92 リード電極 93 リード電
極領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adapter main body 1A Compression laminated body 10 Substrate 11 Upper wiring part 11A Metal thin layer 12 Via hole land 13 Lower wiring part 13A Metal thin layer 14 Via hole land 15 Substrate short circuit part 15H Hole for substrate short circuit part 20 Upper insulating layer 20A Heat Curable resin sheet 21 Connection electrode 21A Thin metal layer 21B Metal foil 21C Connection electrode base layer 22 Top wiring part 23 Short circuit part 23A Through hole 24 Metal post 24H Cylindrical hole 25 Mediating conductor 25H Conductor forming drill hole 30 Lower part Insulating layer 30A Thermosetting resin sheet 31 Terminal electrode 31A Thin metal layer 31B Metal foil 32 Short-circuit part 32H Drill hole for short-circuit part formation 40 Anisotropic conductive elastomer layer 41 Conductive part 42 Insulating part E Elastomeric material P Conductive particles Reference Signs List 50 elastomer material layer 51 upper mold 52 lower mold M ferromagnetic material Part N Non-magnetic material part 53 Magnetic pole plate G Gap 55 Magnetic pole plate 90 Circuit board 91 Functional element area 92 Lead electrode 93 Lead electrode area

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ビアホールランドを有する配線部が上面
に形成された基板と、この配線部を含む基板上に積重し
て設けられた少なくとも1つの絶縁層とを具えてなり、 前記絶縁層には、前記基板の配線部におけるビアホール
ランドに接続された、当該絶縁層をその厚み方向に貫通
して伸びる短絡部が形成されており、 当該短絡部は、前記基板の配線部におけるビアホールラ
ンドから上方に突出するよう設けられたメタルポスト
と、当該絶縁層の上面から下方に伸びて前記メタルポス
トの上部に接合された仲介用導電体とにより構成されて
いることを特徴とする積層型コネクター。
1. A semiconductor device comprising: a substrate having a wiring portion having a via hole land formed on an upper surface; and at least one insulating layer provided in a stacked manner on the substrate including the wiring portion. Is formed with a short-circuit portion connected to the via-hole land in the wiring portion of the substrate and extending through the insulating layer in the thickness direction thereof, and the short-circuit portion is located above the via-hole land in the wiring portion of the substrate. A multilayer connector comprising: a metal post provided so as to protrude therefrom; and an intermediate conductor extending downward from an upper surface of the insulating layer and joined to an upper portion of the metal post.
【請求項2】 検査対象回路基板と電気的検査装置との
間に介在されて当該回路基板の被検査電極と電気的検査
装置との電気的接続を行う回路基板検査用アダプター装
置であって、 下面に格子点上に配置された端子電極を有すると共に、
上面に検査対象回路基板の被検査電極に対応する接続用
電極を有するアダプター本体と、このアダプター本体の
上面上に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層
とよりなり、 前記アダプター本体は、請求項1に記載の積層型コネク
ターを具えてなり、当該絶縁層に形成された短絡部は、
前記接続用電極に電気的に接続され、当該基板の配線部
は、前記端子電極に電気的に接続されていることを特徴
とする回路基板検査用アダプター装置。
2. A circuit board inspection adapter device interposed between an inspection target circuit board and an electrical inspection device for electrically connecting an electrode to be inspected of the circuit board and the electrical inspection device, With terminal electrodes arranged on lattice points on the lower surface,
An adapter body having a connection electrode corresponding to an electrode to be inspected of a circuit board to be inspected on an upper surface, and an anisotropic conductive elastomer layer provided integrally on an upper surface of the adapter body, wherein the adapter body is A short-circuit portion formed on the insulating layer, comprising the laminated connector according to claim 1,
An adapter device for circuit board inspection, wherein the adapter device is electrically connected to the connection electrode, and a wiring portion of the substrate is electrically connected to the terminal electrode.
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