JPH1160685A - 半導体用樹脂ペースト - Google Patents

半導体用樹脂ペースト

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JPH1160685A
JPH1160685A JP21424697A JP21424697A JPH1160685A JP H1160685 A JPH1160685 A JP H1160685A JP 21424697 A JP21424697 A JP 21424697A JP 21424697 A JP21424697 A JP 21424697A JP H1160685 A JPH1160685 A JP H1160685A
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JP
Japan
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weight
epoxy resin
resin
parts
curing
Prior art date
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Pending
Application number
JP21424697A
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English (en)
Inventor
Shingo Ito
慎吾 伊藤
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 液状エポキシ樹脂、フェノール硬化剤、潜在
性硬化剤、エポキシ変性アルコキシシランカップリング
剤、有機ボレート塩、及び無機フィラーからなる半導体
用樹脂ペースト。 【効果】 IC製造において一般的なインライン硬化方
式(ホットプレート硬化、HP硬化)、バッチ方式(オ
ーブン硬化)両方で硬化が可能で、充分な接着力、低応
力性を有し、ポットライフの長く、特性、生産性に優れ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はIC、LSI等の半導体
素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子を金属フレームに接着させる
工程、いわゆるダイボンディングエ程において、樹脂ぺ
一ストを用いる方法では半導体素子を金属フレームにマ
ウント後硬化する必要がある。従来はオーブンによるバ
ッチ方式での硬化が主流であった。ところが近年半導体
素子を金属フレームにマウントするダイボンダーの横に
硬化炉を接続させ、ダイボンディング、硬化、ワイヤー
ボンディングの工程を同一ライン上で一括して行え、生
産性の向上が図れるインライン方式が採用され、今後さ
らに増加する傾向にある。
【0003】一方、このインライン方式は硬化装置が従
来のオーブンに比べ非常に高価であリ、同一工場内でイ
ンライン方式とオーブンによるバッチ方式が混在する場
合が多い。このような場合インライン方式用、バッチ方
式用と硬化方式毎に半導体素子接着用樹脂ぺ一ストを使
い分けるのは在庫管理や作業者にとって非常に困難との
ことからどちらの方式でも硬化が可能な半導体素子接着
用樹脂ペーストを求められている。
【0004】インライン方式では従来のバッチ方式に比
べ硬化時間の制約があり、例えば硬化時間が従来のバッ
チ方式では150〜200℃で60〜120分であった
が、インライン方式では150〜200℃で15〜12
0秒でなければならない。これらの硬化条件の相違はエ
ポキシ樹脂を用いた半導体素子接着用樹脂ぺ一ストに用
いる硬化剤の反応性に起因する。主に短時間で硬化する
インライン硬化用の半導体素子接着用樹脂ぺ一ストの場
合、オーブン硬化時の接着強度等の性能がインライン硬
化時に比べ非常に劣る。逆にオーブン硬化用の半導体素
子接着用樹脂ペーストでは、インライン方式の制約され
る硬化時間内では硬化が終了しない。
【0005】そのためオーブン硬化とインライン硬化の
併用は非常に困難な間題であった。更に、インライン硬
化の場合、温度が急激に上昇するため、樹脂ぺ一スト内
に気抱が発生し、半導体素子の傾きや接着強度の低下と
いった間題が発生した。又、硬化性を速くするための弊
害として、常温でも反応が進行し易く、可使時間(ポッ
トライフ)が短くなるといった間題もあった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明はIC製造にお
いて一般的なインライン硬化方式(ホットプレート硬
化、HP硬化)、バッチ方式(オーブン硬化)両方で硬
化が可能で、充分な接着力、低応力性を有し、ポットラ
イフの長い樹脂ペーストを提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は(A)一般式
(1)で示される液状エポキシ樹脂とエポキシ基を有す
る反応性希釈剤の重量比が70:30〜100:0であ
る液状エポキシ樹脂、(B)フェノール硬化剤、(C)
潜在性硬化剤、(D)一般式(2)で示されるシラン化
合物、(E)有機ボレート塩及び(F)無機フィラーを
必須成分とし、成分(A)100重量部に対し、成分
(B)が20〜60重量部、成分(C)が0.5〜5重
量部であり、かつ成分(A)(B)(C)の合計100
重量部に対し、成分(D)が10〜60重量部、成分
(E)が0.5〜10重量部であることを特徴とする半
導体用樹脂ペーストである。
【0008】
【化1】
【0009】
【化2】 (式中、R1:エポキシ基を有する脂肪族又は芳香族官能
基、R2:アルコキシ基、R3:アルキル基又はアルコキシ
基)
【0010】
【発明の実施の形態】本発明に用いる液状エポキシ樹脂
(A)は一般式(1)で示される液状エポキシ樹脂とエ
ポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が70:30〜
100:0である液状エポキシ樹脂で、一般式(1)で
示される液状エポキシ樹脂は分子量により各種のものが
あるが、分子量が小さく常温で液状のものが、配合する
ときの作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。
【0011】一般式(1)で示される液状エポキシ樹脂
と混合するエポキシ基を有する反応性希釈剤にはn−ブ
チルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジル
エステル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジ
ルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグ
リシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル
等があり、これらの内の1種類あるいは複数種と併用可
能である。式(1)で示される液状エポキシ樹脂とエポ
キシ基を有する反応性希釈剤の重量比は70:30〜1
00:0が接着性の点から好ましい。
【0012】本発明は他のエポキシ樹脂を混合しても良
い。上記液状エポキシ樹脂と混合する場合の他のエポキ
シ樹脂としては,例えばビスフェノールA、ビスフェノ
ールF、フェノールノボラック、クレゾールノボラック
類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポリグ
リシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテ
ル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の
脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複素環
式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシ
クロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジエ
ポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあり、こ
れらの内の1種類あるいは複数種と併用可能である。
【0013】本発明に用いるフェノール硬化剤(B)は
エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる。本発明に用い
るフェノール硬化剤はエポキシ基と反応して架橋にあず
かる活性水素基を分子当り2個以上有することが望まし
い。このようなフェノール化合物の例としては、ビスフ
ェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テ
トラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノ
ールF、テトラメチルビスフェノールS、ジヒドロキシ
ジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、o-
ヒドロキシフェノール、m-ヒドロキシフェノール、p-ヒ
ドロキシフェノール、ビフェノール、テトラメチルビフ
ェノール、エチリデンビスフェノール、メチルエチリデ
ンビス(メチルフェノール)、シク口へキシリデンビスフ
ェノール、またフェノール、クレゾール、キシレノール
等の1価フェノール類とホルムアルデヒドとを稀薄水溶
液中強酸性下で反応させることによって得られるフェノ
ールノボラック樹脂、1価フェノール類とアクロレイ
ン、グリオキザール等の多官能アルデヒド類との酸性下
の初期縮合物や、レゾルシン、カテコール、ハイドロキ
ノン等の多価フェノール類とホルムアルデヒドとの酸性
下の初期縮合物などであり、これらは単独でも混合して
用いてもよい。
【0014】フェノール硬化剤(B)の配合量は液状エ
ポキシ樹脂(A)に対し20〜60重量%使用するのが接着
性及び低応力性の点から好ましい。
【0015】本発明に用いる潜在性硬化剤(C)はエポキ
シ樹脂の硬化剤として用いられ、例えばアジピン酸ジヒ
ドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒ
ドラジド、P-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン
酸ジヒドラジドやジシアンジアミドである。潜在性硬化
剤を用いるとフェノール硬化剤単独で硬化した場合に比
べ著しく熱時接着強度が高くなる。又潜在性硬化剤はフ
ェノール硬化剤よりも当量が小さいため、併用すること
により粘度がそれ程高くなく、又潜在性であるため保存
性にも優れたペーストを得ることができる。潜在性硬化
剤(C)の配合量は液状エポキシ樹脂(A)に対し、0.5〜
5重量%使用するのが好ましい。0.5重量%未満では熱時
接着強度が弱く、5重量%を越えると低応力性が低下す
る。
【0016】本発明で用いられるシラン化合物(D)は一
般式(1)で示されるもので、希釈剤としての作用及び接
着性を付与するために用いられる。RIはエポキシ基を有
する脂肪族又は芳香族官能基であるが、これはペースト
の樹脂成分にエポキシ樹脂を使用しているために、エポ
キシ基以外の例えばビニル基、アミノ基、メルカプト基
等であると相溶性や保存性に悪影響を与えるが、エポキ
シ基であれば、これらに悪影響を与えない。R2はアルコ
キシ基であることによりペースト硬化後に充分な接着力
が得られ、アルコキシ基以外では充分な接着力が得られ
ない。R3はアルキル基又はアルコキシ基であればよく、
アルコキシ基であればより強い接着力が得られる。この
ようなシラン化合物としては、例えばγ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジメトキシシラン、8-(3,4-エポキシシク口へ
キシル)エチルメトキシシラン等がある。シラン化合物
(D)の配合量は液状エポキシ樹脂(A)、フェノール硬化剤
(B)、潜在性硬化剤(C)の総量に対し10〜60重量%とする
のが好ましい。10重量%未満では充分な接着強度が得ら
れず、60重量%を越えると低応力性が低下する。
【0017】本発明に用いる有機ボレート塩(E)は硬化
促進剤として用いられ、イミダゾール類、第3級アミン
類、ホスホニウム類とテトラフェニルボレートとの塩と
して得られるものである。テトラフェニルボレートとの
塩にしないものを硬化促進剤に用いると保存性が極めて
悪く実用性がない。有機ボレート塩を用いた場合は硬化
性を損なわずに保存性にも極めて優れた樹脂ペーストが
得られる。有機ボレート塩としては、例えば1,8-ジアザ
ビシク口(5,4,0)ウンデセン-7・テトラフエニルボレー
ト塩、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボ
レート塩等が挙げられる。有機ボレート塩(D)の配合量
は液状エポキシ樹脂(A)、フェノール硬化剤(B)、潜在性
硬化剤(C)の総量に対し、0.5〜10重量%使用するのが好
ましい。0.5重量%未満では充分な硬化性が得られず、10
重量%を越えると保存性が低下する。
【0018】本発明に用いる無機フィラー(F)として
は銀粉、シリカフィラー等がある。銀粉は導電性を付与
するために用いられ、ハロゲンイオン、アルカリ金属イ
オン等のイオン性不純物の含有量は10ppm以下であるこ
とが好ましい。又銀粉の形状としてはフレーク状、樹脂
状や球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度に
より、使用する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は
2〜10μm、最大粒径は50μm程度のものが好ましい。
又比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いること
もでき、形状についても各種のものを適宜混合してもよ
い。
【0019】本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径
1〜20μmで最大粒径50μm以下のものである。平均粒径
が1μm以下だと粘度が高くなり、20μm以上だと塗布
又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生する
ため好ましくない。最大粒径が50μm以上だとディスペ
ンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出口を
塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシリカ
フィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用いるこ
ともでき、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。又、必要とされる特性を付与するために本発明以
外の無機フィラーを使用してもよい。
【0020】本発明における樹脂ペーストには、必要に
より用途に応じた特性を損なわない範囲内で、顔料、染
料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予
備混合して三本ロール等を用いて、ペーストを得て、真
空下脱抱すること等がある。
【0021】
【実施例】本発明を実施例で具体的に説明する.各成分
の配合割合は重量部とする. 実施例1〜8、比較例1〜11 表1に示した組成の各成分と無機フィラーを配合し、三
本ロールで混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペー
ストを真空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後、
以下の方法により各種の性能を評価した。評価結果を表
1に示す。
【0022】 用いる原料成分 ・一般式(1)で示される液状エポキシ樹脂(エポキシA) :粘度4000mPa・s、エポキシ当量200
【0023】
【化1】
【0024】 ・ビスフェノールA型エポキシ樹脂(BPA) :粘度9000mPa・s、エポキシ当量185 ・ビスフェノールF型エポキシ樹脂(BPF) :粘度5000mPa・s、エポキシ当量170 ・反応性希釈剤 :フェニルグリシジルエーテル ・フェノール硬化剤(B):ビスフェノールF フェノールノボラック樹脂(PN、数平均分子量6 00、 水酸基当量104) ・潜在性硬化剤(C) :ジシアンジアミド(DDA) ・シラン化合物(D) :γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン (γ−GPTMS) ・有機ボレート塩(E) :テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニル ボレート塩(TPPK) ・無機フィラー(F) :銀粉 :粒径が0.1〜50μmで平均粒径3μm のフレーク状 シリカフィラー:平均粒径5μmで最大粒径20μmの シリカフィラー
【0025】評価方法 粘度 :E型粘度計(3°コーン)を用い25
℃、2.5rpmでの値を測定し粘度とした。 弾性率 :テフロンシート上にペーストを幅10m
m長さ約150mm厚さ100μmに塗布し、200℃
オーブン中60分間硬化した後、引っ張り試験機で試験
長100mm引っ張り速度1mm/分にて測定し得られ
た応力ーひずみ曲線の初期勾配より弾性率を算出した。 接着強度 :2×2mmのシリコンチップをペースト
を用いて銅フレームにマウントし、200℃中60秒間
熱板上(HP硬化)及びオーブンを使用し200℃60
分(OV硬化)で硬化した。硬化後マウント強度測定装
置でを用い25℃,250℃での熱時ダイシェア強度を
測定した。 反り量 :6×15×0.3mmシリコンチップを
銅フレーム(200μm厚さ)に導電性樹脂ペーストで
マウントし、200℃中60秒間熱板上(HP硬化)及
びオーブンを使用し200℃60分(OV硬化)で硬化
した後、チップの反りを表面粗さ計(測定長13mm)
で測定した。 ポットライフ:25℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置
した時の粘度が初期粘度の1.2倍以上増粘するまでの
日数を測定した。
【0026】
【表1】
【0027】
【表2】
【0028】実施例1〜8では熱時接着強度、低応力性
(低弾性率、低反り量)及びポットライフ長い優れたペ
ーストが得られるが、比較例1はビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が大
きくなりチップクラックが発生する。比較例2はビスフ
ェノールF型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪
く、反り量が大きくなりチップクラックが発生する。比
較例3は反応性希釈剤の配合量が多く、接着強度が著し
く低下する。比較例4はフェノール硬化剤の配合量が少
なく、接着強度が著しく低下する。比較例5はフェノー
ル硬化剤の配合量が多く、反り量が大きくなりチップク
ラックが発生する。比較例6は潜在性硬化剤の配合量が
少なく、接着強度が著しく低下する。比較例7は潜在性
硬化剤の配合量が多く、反り量が大きくなりチップクラ
ックが発生する。比較例8はシラン化合物の配合量が少
なく、接着強度が著しく低下する。比較例9はシラン化
合物の配合量が多く、反り量が大きくなりチップクラッ
クが発生する。比較例10は有機ボレート塩の配合量が
少なく、接着強度が著しく低下する。比較例11は有機
ボレート塩の配合量が多く、ポットライフが著しく短く
なる。
【0029】
【発明の効果】本発明はIC製造において一般的なイン
ライン硬化方式(ホットプレート硬化、HP硬化)、バ
ッチ方式(オーブン硬化)両方で硬化が可能で、充分な
接着力、低応力性を有し、ポットライフの長い樹脂ペー
ストを提供するものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)一般式(1)で示される液状エポ
    キシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が
    70:30〜100:0である液状エポキシ樹脂、
    (B)フェノール硬化剤、(C)潜在性硬化剤、(D)
    一般式(2)で示されるシラン化合物、(E)有機ボレ
    ート塩及び(F)無機フィラーを必須成分とし、成分
    (A)100重量部に対し、成分(B)が20〜60重
    量部、成分(C)が0.5〜5重量部であり、かつ成分
    (A)(B)(C)の合計100重量部に対し、成分
    (D)が10〜60重量部、成分(E)が0.5〜10
    重量部であることを特徴とする半導体用樹脂ペースト。 【化1】 【化2】 (式中、R1:エポキシ基を有する脂肪族又は芳香族官能
    基、R2:アルコキシ基、R3:アルキル基又はアルコキシ
    基)
JP21424697A 1997-08-08 1997-08-08 半導体用樹脂ペースト Pending JPH1160685A (ja)

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