JPH1154596A - 多連式センサおよびウエハセンサ - Google Patents
多連式センサおよびウエハセンサInfo
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- JPH1154596A JPH1154596A JP21922597A JP21922597A JPH1154596A JP H1154596 A JPH1154596 A JP H1154596A JP 21922597 A JP21922597 A JP 21922597A JP 21922597 A JP21922597 A JP 21922597A JP H1154596 A JPH1154596 A JP H1154596A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、被検出物体のエッジ部分で検出光
量に顕著に変化が表れることに着目し、このエッジ部分
の光量変化からしきい値を設定することにより、非接触
状態で正確な高検出性能が得られると共に、低コストに
構成し得る多連式センサおよびウエハセンサの提供を目
的とする。 【解決手段】この発明は、多数の透過形センサを並列状
に配設し、各センサの光軸を被検出物体が遮ることで該
物体を検出する多連式センサであって、被検出物体のエ
ッジ部分が透過形センサの光軸を通過したとき、同セン
サの検出光量が変化するエッジ検出特性を求め、このエ
ッジ検出特性を加味して被検出物体を判別するしきい値
を設定したことを特徴とする。
量に顕著に変化が表れることに着目し、このエッジ部分
の光量変化からしきい値を設定することにより、非接触
状態で正確な高検出性能が得られると共に、低コストに
構成し得る多連式センサおよびウエハセンサの提供を目
的とする。 【解決手段】この発明は、多数の透過形センサを並列状
に配設し、各センサの光軸を被検出物体が遮ることで該
物体を検出する多連式センサであって、被検出物体のエ
ッジ部分が透過形センサの光軸を通過したとき、同セン
サの検出光量が変化するエッジ検出特性を求め、このエ
ッジ検出特性を加味して被検出物体を判別するしきい値
を設定したことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、整列配置された
多数の透明体、半透明体および不透明体の被検出物体を
一括して検出する多連式センサに関し、さらに詳しくは
被検出物体の種類を正確に判別する高検出能力を有する
多連式センサおよびウエハセンサに関する。
多数の透明体、半透明体および不透明体の被検出物体を
一括して検出する多連式センサに関し、さらに詳しくは
被検出物体の種類を正確に判別する高検出能力を有する
多連式センサおよびウエハセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】以下、ウエハセンサを例にとって説明す
ると、この種のウエハセンサはウエハキャリアに収納さ
れるウエハの収納許容枚数と、これと同数の投光素子と
受光素子との一対を配設して、ここに収納されたウエハ
の有無および位置を一括して光電検出している(例えば
特公平6ー11070号参照)。
ると、この種のウエハセンサはウエハキャリアに収納さ
れるウエハの収納許容枚数と、これと同数の投光素子と
受光素子との一対を配設して、ここに収納されたウエハ
の有無および位置を一括して光電検出している(例えば
特公平6ー11070号参照)。
【0003】また、この種のウエハは通常、透明、半透
明、不透明の3種類に分類され、石英ガラス、サファイ
アガラス、液晶ガラスのような透明ウエハを検出する場
合は、マイクロスイッチ等を使用した検知方法が知られ
ている。ところが、この場合は透明ウエハに接触して検
出する接触式のため、ウエハの汚染とウエハ接触端面が
破壊される恐れがあった。このため、特開平6ー773
07号の非接触で検出する非接触式のウエハセンサが知
られているが、この場合は一つの投光素子に対して2つ
の受光素子を要してコスト高となる問題を有していた。
明、不透明の3種類に分類され、石英ガラス、サファイ
アガラス、液晶ガラスのような透明ウエハを検出する場
合は、マイクロスイッチ等を使用した検知方法が知られ
ている。ところが、この場合は透明ウエハに接触して検
出する接触式のため、ウエハの汚染とウエハ接触端面が
破壊される恐れがあった。このため、特開平6ー773
07号の非接触で検出する非接触式のウエハセンサが知
られているが、この場合は一つの投光素子に対して2つ
の受光素子を要してコスト高となる問題を有していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこでこの発明は、被
検出物体のエッジ部分で検出光量に顕著に変化が表れる
ことに着目し、このエッジ部分の光量変化からしきい値
を設定することにより、非接触状態で正確な高検出性能
が得られると共に、低コストに構成し得る多連式センサ
およびウエハセンサの提供を目的とする。
検出物体のエッジ部分で検出光量に顕著に変化が表れる
ことに着目し、このエッジ部分の光量変化からしきい値
を設定することにより、非接触状態で正確な高検出性能
が得られると共に、低コストに構成し得る多連式センサ
およびウエハセンサの提供を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
多数の透過形センサを並列状に配設し、各センサの光軸
を被検出物体が遮ったときに物体を検出する多連式セン
サであって、被検出物体のエッジ部分が透過形センサの
光軸を通過したとき、同センサの検出光量が変化するエ
ッジ検出特性を求め、このエッジ検出特性を加味して被
検出物体を判別するしきい値を設定したことを特徴とす
る。
多数の透過形センサを並列状に配設し、各センサの光軸
を被検出物体が遮ったときに物体を検出する多連式セン
サであって、被検出物体のエッジ部分が透過形センサの
光軸を通過したとき、同センサの検出光量が変化するエ
ッジ検出特性を求め、このエッジ検出特性を加味して被
検出物体を判別するしきい値を設定したことを特徴とす
る。
【0006】請求項2記載の発明は、多数の透過形セン
サを並列状に配設し、各センサの光軸をウエハが遮った
ときにウエハを検出するウエハセンサであって、ウエハ
のエッジ部分が透過形センサの光軸を通過したとき、同
センサの検出光量が変化するエッジ検出特性を求め、こ
のエッジ検出特性を加味してウエハの種類を判別するし
きい値を設定したことを特徴とする。
サを並列状に配設し、各センサの光軸をウエハが遮った
ときにウエハを検出するウエハセンサであって、ウエハ
のエッジ部分が透過形センサの光軸を通過したとき、同
センサの検出光量が変化するエッジ検出特性を求め、こ
のエッジ検出特性を加味してウエハの種類を判別するし
きい値を設定したことを特徴とする。
【0007】
【作用】この発明によれば、被検出物体の種類を判別す
る際、被検出物体のエッジ部分が透過形センサの光軸を
通過すると、同センサの検出光量が特別に変化し、この
特別な光量変化からエッジ検出特性を求め、これを加味
して設定したしきい値で被検出物体を判別する。
る際、被検出物体のエッジ部分が透過形センサの光軸を
通過すると、同センサの検出光量が特別に変化し、この
特別な光量変化からエッジ検出特性を求め、これを加味
して設定したしきい値で被検出物体を判別する。
【0008】同じく、ウエハを判別する際、ウエハのエ
ッジ部分が透過形センサの光軸を通過すると、同センサ
の検出光量が特別に変化し、この特別な光量変化からエ
ッジ検出特性を求め、これを加味して設定したしきい値
でウエハを判別する。
ッジ部分が透過形センサの光軸を通過すると、同センサ
の検出光量が特別に変化し、この特別な光量変化からエ
ッジ検出特性を求め、これを加味して設定したしきい値
でウエハを判別する。
【0009】
【発明の効果】この結果、エッジ検出特性を加味したし
きい値を備えているため、このしきい値と検出光量とを
比較することにより、例えば遮光か否かによる判定では
困難な透明体、半透明体の被検出物体を確実に検出する
ことができる。さらに、センサは投光素子と受光素子と
の一対で構成し得るので低コストとなり、また被検出物
体に対して非接触状態で検出するので、該被検出物体の
破損が防止でき、ウエハセンサに適用した場合は、信頼
性の高いウエハの検出管理ができる。
きい値を備えているため、このしきい値と検出光量とを
比較することにより、例えば遮光か否かによる判定では
困難な透明体、半透明体の被検出物体を確実に検出する
ことができる。さらに、センサは投光素子と受光素子と
の一対で構成し得るので低コストとなり、また被検出物
体に対して非接触状態で検出するので、該被検出物体の
破損が防止でき、ウエハセンサに適用した場合は、信頼
性の高いウエハの検出管理ができる。
【0010】
【実施例】この発明の一実施例を以下図面に基づいて詳
述する。図1は半導体集積回路を製造する工程で使用さ
れるウエハ12に対して処理を施すために該ウエハ12
を収納搬送するウエハキャリア(またはウエハカセット
と称す)11を示し、このウエハキャリア11はウエハ
12の多数枚を整列収納する容器として使用され、上方
よりウエハ12…を出入れ可能に上部を開放して一定間
隔毎に配列して収納許容し、下部は開放してウエハ12
の一部を露出させ、この露出した底部対応位置に多連式
のウエハセンサ13を対設する。この多連式のウエハセ
ンサ13は底部より上下動する昇降ベース14の側面に
取付けられて、ウエハキャリア11の底部から内部のウ
エハ12…の下部を検出して、その収納位置、有無を一
括して検出する。
述する。図1は半導体集積回路を製造する工程で使用さ
れるウエハ12に対して処理を施すために該ウエハ12
を収納搬送するウエハキャリア(またはウエハカセット
と称す)11を示し、このウエハキャリア11はウエハ
12の多数枚を整列収納する容器として使用され、上方
よりウエハ12…を出入れ可能に上部を開放して一定間
隔毎に配列して収納許容し、下部は開放してウエハ12
の一部を露出させ、この露出した底部対応位置に多連式
のウエハセンサ13を対設する。この多連式のウエハセ
ンサ13は底部より上下動する昇降ベース14の側面に
取付けられて、ウエハキャリア11の底部から内部のウ
エハ12…の下部を検出して、その収納位置、有無を一
括して検出する。
【0011】図2は多連式のウエハセンサ13を拡大し
て示し、この多連式のウエハセンサ13は横長の長方板
状を有するケース15と、このケース15の上面より上
方に突出する多数の検出アーム16…とを備え、また透
過形の光電センサを構成する投光部と受光部との複数対
をケース15の内部に収納している。
て示し、この多連式のウエハセンサ13は横長の長方板
状を有するケース15と、このケース15の上面より上
方に突出する多数の検出アーム16…とを備え、また透
過形の光電センサを構成する投光部と受光部との複数対
をケース15の内部に収納している。
【0012】この場合、多数の検出アーム16…は円形
シート状の一枚のウエハ12を立姿で収納許容する間隔
を隔てた櫛歯状に並列配設し、この検出アーム16,1
6間でウエハ12の位置決め収納部を形成しており、ウ
エハの収納枚数が例えば25枚であれば、検出領域は2
5か所のため検出アーム16は26個配設する。また、
ケース15の下面には制御信号や検出信号を入出力する
ためのケーブル17を接続し、その端部にはコネクタ1
8を有している。
シート状の一枚のウエハ12を立姿で収納許容する間隔
を隔てた櫛歯状に並列配設し、この検出アーム16,1
6間でウエハ12の位置決め収納部を形成しており、ウ
エハの収納枚数が例えば25枚であれば、検出領域は2
5か所のため検出アーム16は26個配設する。また、
ケース15の下面には制御信号や検出信号を入出力する
ためのケーブル17を接続し、その端部にはコネクタ1
8を有している。
【0013】図3は検出アーム16のウエハ検出構造を
示し、この検出アーム16は黒色不透明合成樹脂により
一体形成され、下部両側に素子収納部19,20を有す
るケース取付け部21と、上部側に平行に伸びる2本の
アーム部22,23とその頂部間を接続する先端部24
とから構成される。
示し、この検出アーム16は黒色不透明合成樹脂により
一体形成され、下部両側に素子収納部19,20を有す
るケース取付け部21と、上部側に平行に伸びる2本の
アーム部22,23とその頂部間を接続する先端部24
とから構成される。
【0014】一方の素子収納部19には発光ダイオード
等の投光素子(投光部)25が圧入保持され、他方の素
子収納部20には筒状のシールド部材26が嵌められた
フォトダイオード等の受光素子(受光部)27が圧入保
持される。
等の投光素子(投光部)25が圧入保持され、他方の素
子収納部20には筒状のシールド部材26が嵌められた
フォトダイオード等の受光素子(受光部)27が圧入保
持される。
【0015】さらに、検出アーム16の先端部内面24
aの両側には、投光部25および受光部27の光軸に対
して45度傾斜した第1反射面28と第2反射面29を
形成している。
aの両側には、投光部25および受光部27の光軸に対
して45度傾斜した第1反射面28と第2反射面29を
形成している。
【0016】第1反射面28は投光部25からアーム部
22に沿って上向きに投光された光を水平方向に屈折さ
せて検出領域30側に投光する往路光路R1 を形成す
る。第2反射面29はこの検出アーム16に対設される
別の検出アーム(図示省略)の反射部で折返し反射され
る折返し光路R2 を経て再び検出領域30に水平に導か
れる復路光路R3 の光をアーム部23に沿わせて下向き
に屈折させて下方の受光部27側に導く。
22に沿って上向きに投光された光を水平方向に屈折さ
せて検出領域30側に投光する往路光路R1 を形成す
る。第2反射面29はこの検出アーム16に対設される
別の検出アーム(図示省略)の反射部で折返し反射され
る折返し光路R2 を経て再び検出領域30に水平に導か
れる復路光路R3 の光をアーム部23に沿わせて下向き
に屈折させて下方の受光部27側に導く。
【0017】このように検出アーム16と、投光部25
および受光部27とで1つの透過形光電センサを形成
し、これらの透過形光電センサを配列してウエハセンサ
13を構成する。
および受光部27とで1つの透過形光電センサを形成
し、これらの透過形光電センサを配列してウエハセンサ
13を構成する。
【0018】図4は多連式のウエハセンサ13の制御回
路ブロック図を示し、CPU41はROM42に格納さ
れたプログラムに沿って各回路装置を制御し、その制御
データをRAM43で読出し可能に記憶する。
路ブロック図を示し、CPU41はROM42に格納さ
れたプログラムに沿って各回路装置を制御し、その制御
データをRAM43で読出し可能に記憶する。
【0019】ウエハの収納許容枚数と同数設置される各
投光部25…は投光駆動回路44および投光ゲート45
を介してCPU41に接続され、このCPU41からの
投光駆動信号CTL1…によって投光制御される。また、こ
れに対応する各受光部27…は受光ゲート46を介して
CPU41に接続され、CPU41からの受光ゲート信
号P1…によって受光制御され、このときの各受光信号は
アナログマスタ47を介してCPU41に入力される。
投光部25…は投光駆動回路44および投光ゲート45
を介してCPU41に接続され、このCPU41からの
投光駆動信号CTL1…によって投光制御される。また、こ
れに対応する各受光部27…は受光ゲート46を介して
CPU41に接続され、CPU41からの受光ゲート信
号P1…によって受光制御され、このときの各受光信号は
アナログマスタ47を介してCPU41に入力される。
【0020】また、CPU41は表示灯48、スイッチ
操作部49、チャンネル数セレクト入力部50、動作モ
ード部51、外部入力部52、自己診断出力部53、制
御出力部54、発振器55を接続してセンサ管理を施し
ている。
操作部49、チャンネル数セレクト入力部50、動作モ
ード部51、外部入力部52、自己診断出力部53、制
御出力部54、発振器55を接続してセンサ管理を施し
ている。
【0021】表示灯48はティーチング表示灯や警告表
示灯を備えてしきい値の設定表示やセンサ動作に応じた
警告表示を行い、スイッチ操作部49によって外部から
各種のスイッチ操作を行い、チャンネル数セレクト入力
部50によって投受光部25,27のチャンネル数を切
換え操作し、動作モード部51によってON/OFF設
定表示等の動作モードを切換える。さらに、外部入力部
52によって制御出力を停止したり、しきい値を外部入
力する等の制御指令動作を入力操作し、また自己診断出
力部53で光量劣化等の自己出力性能を診断し、制御出
力部54で各々の検出結果に応じた制御データを出力す
る。また、発振器55の発振出力によって多連式の光電
検出動作を実行させる。
示灯を備えてしきい値の設定表示やセンサ動作に応じた
警告表示を行い、スイッチ操作部49によって外部から
各種のスイッチ操作を行い、チャンネル数セレクト入力
部50によって投受光部25,27のチャンネル数を切
換え操作し、動作モード部51によってON/OFF設
定表示等の動作モードを切換える。さらに、外部入力部
52によって制御出力を停止したり、しきい値を外部入
力する等の制御指令動作を入力操作し、また自己診断出
力部53で光量劣化等の自己出力性能を診断し、制御出
力部54で各々の検出結果に応じた制御データを出力す
る。また、発振器55の発振出力によって多連式の光電
検出動作を実行させる。
【0022】ところで、CPU41は投受光させてウエ
ハ12を光電検出するとき、透明ウエハ、半透明ウエ
ハ、不透明ウエハの種類に応じて透過光量が異なり、こ
の3種類のウエハを検出するためのしきい値を設定して
おり、検出の種類に対応して切換えられる。
ハ12を光電検出するとき、透明ウエハ、半透明ウエ
ハ、不透明ウエハの種類に応じて透過光量が異なり、こ
の3種類のウエハを検出するためのしきい値を設定して
おり、検出の種類に対応して切換えられる。
【0023】ことに、光があまり減衰しないまま受光検
知されてしまう透過率の高い透明ウエハに対しては、光
電検出性能が低く誤判別しやすい傾向にあるため、これ
を解決すべくウエハの規格化されたエッジ形状からウエ
ハの確かな判別を可能にした。
知されてしまう透過率の高い透明ウエハに対しては、光
電検出性能が低く誤判別しやすい傾向にあるため、これ
を解決すべくウエハの規格化されたエッジ形状からウエ
ハの確かな判別を可能にした。
【0024】これは、図5に示すように、ウエハ12の
エッジ部分Eが規格通りに面取り形成され、この一定の
傾斜角度を有するエッジ部分Eに投光したとき、その光
軸Lは面取り角度に応じて反射量が増え、ここで光が十
分に減衰されてしまい検出光量が低下する。なお、エッ
ジ部分Eに面取りがない場合でも、エッジ部分Eで乱反
射が生じ、これに伴って光の減衰を生じ、この結果、検
出光量の低下を得ることができる。
エッジ部分Eが規格通りに面取り形成され、この一定の
傾斜角度を有するエッジ部分Eに投光したとき、その光
軸Lは面取り角度に応じて反射量が増え、ここで光が十
分に減衰されてしまい検出光量が低下する。なお、エッ
ジ部分Eに面取りがない場合でも、エッジ部分Eで乱反
射が生じ、これに伴って光の減衰を生じ、この結果、検
出光量の低下を得ることができる。
【0025】従って、図6に示すように、ウエハのエッ
ジ部分Eでは平面部分Fに比べて急激に検出光量が低下
し、このウエハのエッジ部分Eに特有の光量変化特性の
あることが認められる。このため、検出光量が低下する
エッジ検出信号をオフディレイすることにより、そのと
きの出力レベルが判定できるので、この値を加味して、
ウエハを検出するしきい値、すなわち上述の検出光量低
下時の検出出力をゆとりをもってカットする値Hに設定
すれば、このしきい値Hによって特に透過率の高い透明
ウエハを安定して検出できる。
ジ部分Eでは平面部分Fに比べて急激に検出光量が低下
し、このウエハのエッジ部分Eに特有の光量変化特性の
あることが認められる。このため、検出光量が低下する
エッジ検出信号をオフディレイすることにより、そのと
きの出力レベルが判定できるので、この値を加味して、
ウエハを検出するしきい値、すなわち上述の検出光量低
下時の検出出力をゆとりをもってカットする値Hに設定
すれば、このしきい値Hによって特に透過率の高い透明
ウエハを安定して検出できる。
【0026】なお、半透明ウエハであって、その透明度
が透明ウエハに近い場合は、上述のエッジ検出特性を加
味してしきい値を設定する方が正確で安定した検出が得
られる。また、CPU41はウエハセンサ自体の性能を
チェックする自己診断機能を備えて、信頼性の高いセン
サ管理を行っている。
が透明ウエハに近い場合は、上述のエッジ検出特性を加
味してしきい値を設定する方が正確で安定した検出が得
られる。また、CPU41はウエハセンサ自体の性能を
チェックする自己診断機能を備えて、信頼性の高いセン
サ管理を行っている。
【0027】図7は自己診断出力部53がウエハセンサ
を自己診断したときのタイムチャートを示し、この自己
診断出力部53はウエハが不安定検出領域に置かれたと
き、センサ自身が周囲の温度変化や素子の劣化に伴って
定常的に受光出力が下がったとき、あるいは光量劣化を
検出したときに自己診断出力をONする。
を自己診断したときのタイムチャートを示し、この自己
診断出力部53はウエハが不安定検出領域に置かれたと
き、センサ自身が周囲の温度変化や素子の劣化に伴って
定常的に受光出力が下がったとき、あるいは光量劣化を
検出したときに自己診断出力をONする。
【0028】通常は、自己診断出力はOFF状態で待機
し、不安定領域の受光出力があるときは1S間のタイマ
監視を行い、1S未満のときは解除し、1S以上連続し
て不安定領域に受光出力があるときは、警告表示灯をO
Nして点灯し、自己診断出力をONする。このとき、該
当するチャンネル(投受光部)の制御出力をパルス出力
(0.5 S)し、不安定領域を越えた場合は通常の計測処
理に戻る。
し、不安定領域の受光出力があるときは1S間のタイマ
監視を行い、1S未満のときは解除し、1S以上連続し
て不安定領域に受光出力があるときは、警告表示灯をO
Nして点灯し、自己診断出力をONする。このとき、該
当するチャンネル(投受光部)の制御出力をパルス出力
(0.5 S)し、不安定領域を越えた場合は通常の計測処
理に戻る。
【0029】図8は透明ウエハ検出時のタイムチャート
を示し、電源が投入されると、その旨を表示し、またウ
エハセンサは投受光を開始する。このとき、しきい値設
定入力がなされ、またオフディレイタイマがセットされ
て、しきい値設定処理がなされたことをアンサーバック
出力によって確認すると、ウエハセンサを検出位置まで
移動させて、このウエハセンサの移動時にウエハと対応
すると、オフディレイタイマ機能によりウエハのエッジ
部分を光電検出して制御信号を取込む。このエッジ部分
の光量低下に基づいて透明ウエハを正確に検出する。
を示し、電源が投入されると、その旨を表示し、またウ
エハセンサは投受光を開始する。このとき、しきい値設
定入力がなされ、またオフディレイタイマがセットされ
て、しきい値設定処理がなされたことをアンサーバック
出力によって確認すると、ウエハセンサを検出位置まで
移動させて、このウエハセンサの移動時にウエハと対応
すると、オフディレイタイマ機能によりウエハのエッジ
部分を光電検出して制御信号を取込む。このエッジ部分
の光量低下に基づいて透明ウエハを正確に検出する。
【0030】図9は透明ウエハ検出時のフローチャート
を示し、ウエハセンサ13の電源スイッチを入れて透明
ウエハを検出するとき、CPU41はこのウエハセンサ
13が待機セットされていることを確認した後、予めオ
フディレイタイマをセットし、続いてアンサーバック出
力により、このセンサのセット完了動作を確認した後
(ステップn1 〜n3 )、ウエハ12を収納したウエハ
キャリア11の存在を確認し、このウエハキャリア11
の存在を確認すると、検出すべき透明ウエハ用のしきい
値をセットし、これをアンサーバック出力により、しき
い値の選択操作が完了したことを確認すると(ステップ
n4 〜n6 )、CPU41はウエハセンサ13を上昇移
動させてウエハキャリア11底部の検出位置まで移動さ
せ、この検出位置で各ウエハ12…のエッジ部分Eの受
光量を検出する。このときの受光検出信号と、しきい値
とを比較することに基づいて透明ウエハの有無、また位
置を検出確認する(ステップn7 〜n8 )。
を示し、ウエハセンサ13の電源スイッチを入れて透明
ウエハを検出するとき、CPU41はこのウエハセンサ
13が待機セットされていることを確認した後、予めオ
フディレイタイマをセットし、続いてアンサーバック出
力により、このセンサのセット完了動作を確認した後
(ステップn1 〜n3 )、ウエハ12を収納したウエハ
キャリア11の存在を確認し、このウエハキャリア11
の存在を確認すると、検出すべき透明ウエハ用のしきい
値をセットし、これをアンサーバック出力により、しき
い値の選択操作が完了したことを確認すると(ステップ
n4 〜n6 )、CPU41はウエハセンサ13を上昇移
動させてウエハキャリア11底部の検出位置まで移動さ
せ、この検出位置で各ウエハ12…のエッジ部分Eの受
光量を検出する。このときの受光検出信号と、しきい値
とを比較することに基づいて透明ウエハの有無、また位
置を検出確認する(ステップn7 〜n8 )。
【0031】ウエハキャリア11に収納されたウエハ1
2…の検出が完了すると、ウエハセンサ13を元の待機
位置に戻して、次の検出動作に備える(ステップn9
)。また、アンサーバック出力による確認動作時に、
繰返しエラーが発生すれば、ウエハセンサ13の異常発
生に伴うエラー処理を行う(ステップn10〜n12)。
2…の検出が完了すると、ウエハセンサ13を元の待機
位置に戻して、次の検出動作に備える(ステップn9
)。また、アンサーバック出力による確認動作時に、
繰返しエラーが発生すれば、ウエハセンサ13の異常発
生に伴うエラー処理を行う(ステップn10〜n12)。
【0032】上述のように、エッジ検出特性を加味した
しきい値を備えているため、このしきい値と検出光量と
を比較することにより、例えば遮光か否かによる判定で
は困難な透明ウエハ、半透明ウエハを確実に検出するこ
とができる。さらに、ウエハセンサは投光素子と受光素
子との一対で構成し得るので低コストとなり、またウエ
ハに対して非接触状態で検出するので、ウエハの破損を
防止でき、信頼性の高いウエハの検出管理ができる。
しきい値を備えているため、このしきい値と検出光量と
を比較することにより、例えば遮光か否かによる判定で
は困難な透明ウエハ、半透明ウエハを確実に検出するこ
とができる。さらに、ウエハセンサは投光素子と受光素
子との一対で構成し得るので低コストとなり、またウエ
ハに対して非接触状態で検出するので、ウエハの破損を
防止でき、信頼性の高いウエハの検出管理ができる。
【0033】なお、この実施例ではCPU41は透明ウ
エハ、半透明ウエハ、不透明ウエハの3種類のしきい値
を持っているので、1回の検出動作時に順次しきい値を
切換えることで、ウエハキャリア11に混在して収納さ
れたウエハ12の透明、半透明、不透明の種類を識別す
ることができる。
エハ、半透明ウエハ、不透明ウエハの3種類のしきい値
を持っているので、1回の検出動作時に順次しきい値を
切換えることで、ウエハキャリア11に混在して収納さ
れたウエハ12の透明、半透明、不透明の種類を識別す
ることができる。
【0034】この発明と、上述の一実施例の構成との対
応において、この発明の多連式センサは、実施例の多連
式のウエハセンサ13に対応し、以下同様に、透過形セ
ンサは、投光部25と受光部27との一対に対応し、被
検出物体は、ウエハ12に対応するも、この発明は請求
項に示される技術的思想に基づいて応用することがで
き、上述の一実施例の構成のみに限定されるものではな
い。
応において、この発明の多連式センサは、実施例の多連
式のウエハセンサ13に対応し、以下同様に、透過形セ
ンサは、投光部25と受光部27との一対に対応し、被
検出物体は、ウエハ12に対応するも、この発明は請求
項に示される技術的思想に基づいて応用することがで
き、上述の一実施例の構成のみに限定されるものではな
い。
【図1】 この発明のウエハキャリアを示す外観斜視
図。
図。
【図2】 この発明の多連式のウエハセンサを示す正面
図。
図。
【図3】 この発明の検出アームを拡大して示す一部分
解斜視図。
解斜視図。
【図4】 この発明の多連式のウエハセンサの制御回路
ブロック図。
ブロック図。
【図5】 この発明のウエハのエッジ部分の透過状態を
示す要部拡大図。
示す要部拡大図。
【図6】 この発明のウエハのエッジ部分の透過出力状
態を示す波形図。
態を示す波形図。
【図7】 この発明のウエハセンサの自己診断出力のタ
イムチャート。
イムチャート。
【図8】 この発明の透明ウエハ検出時のタイムチャー
ト。
ト。
【図9】 この発明の透明ウエハ検出時のフローチャー
ト。
ト。
11…ウエハキャリア 12…ウエハ 13…多連式のウエハセンサ 16…検出アーム 25…投光部 27…受光部 30…検出領域 41…CPU E…ウエハのエッジ部分 L…光 軸 H…しきい値
Claims (2)
- 【請求項1】多数の透過形センサを並列状に配設し、各
センサの光軸を被検出物体が遮ることで該物体を検出す
る多連式センサであって、上記被検出物体のエッジ部分
が透過形センサの光軸を通過したとき、同センサの検出
光量が変化するエッジ検出特性を求め、このエッジ検出
特性を加味して被検出物体を判別するしきい値を設定し
た多連式センサ。 - 【請求項2】多数の透過形センサを並列状に配設し、各
センサの光軸をウエハが遮ることでウエハを検出するウ
エハセンサであって、上記ウエハのエッジ部分が透過形
センサの光軸を通過したとき、同センサの検出光量が変
化するエッジ検出特性を求め、このエッジ検出特性を加
味してウエハの種類を判別するしきい値を設定したウエ
ハセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21922597A JPH1154596A (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 多連式センサおよびウエハセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21922597A JPH1154596A (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 多連式センサおよびウエハセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1154596A true JPH1154596A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16732170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21922597A Pending JPH1154596A (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 多連式センサおよびウエハセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1154596A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009238993A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Oki Semiconductor Co Ltd | ウェハ搬送装置 |
WO2010067814A1 (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 住友電気工業株式会社 | 基板および基板の製造方法 |
JP2020096113A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハ基板、及び半導体ウエハ基板のエッジ部の検出方法 |
-
1997
- 1997-07-29 JP JP21922597A patent/JPH1154596A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009238993A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Oki Semiconductor Co Ltd | ウェハ搬送装置 |
WO2010067814A1 (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 住友電気工業株式会社 | 基板および基板の製造方法 |
JP2010141124A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板および基板の製造方法 |
JP2020096113A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハ基板、及び半導体ウエハ基板のエッジ部の検出方法 |
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