JPH1154406A - 球状ｉｃの露光方法 - Google Patents
球状ｉｃの露光方法Info
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- JPH1154406A JPH1154406A JP9209476A JP20947697A JPH1154406A JP H1154406 A JPH1154406 A JP H1154406A JP 9209476 A JP9209476 A JP 9209476A JP 20947697 A JP20947697 A JP 20947697A JP H1154406 A JPH1154406 A JP H1154406A
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- Japan
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- spherical
- exposed
- area
- mask
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 球状ＩＣを露光する場合に、焦点深度の調整
や解像度の維持及びマスクの作成が容易に行える露光方
法を提供すること。 【解決手段】 球状ＩＣ（１）の中心を通る軸を任意に
取り決め、該軸を中心にして球状ＩＣ（１）を間欠的に
回転させながら、この回転角に対応する球状ＩＣ（１）
の表面の露光領域Ｓを露光する。
や解像度の維持及びマスクの作成が容易に行える露光方
法を提供すること。 【解決手段】 球状ＩＣ（１）の中心を通る軸を任意に
取り決め、該軸を中心にして球状ＩＣ（１）を間欠的に
回転させながら、この回転角に対応する球状ＩＣ（１）
の表面の露光領域Ｓを露光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、球体単結晶シリコ
ン表面への露光方法に関する。
ン表面への露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体チップは板状にスライスさ
れた単結晶シリコンウエハー上に回路パターンを形成し
ており、このシリコンウエハーは表面が平面なので一度
の露光で回路パターンの焼き付けを行うことが容易であ
る。
れた単結晶シリコンウエハー上に回路パターンを形成し
ており、このシリコンウエハーは表面が平面なので一度
の露光で回路パターンの焼き付けを行うことが容易であ
る。
【０００３】ところで、最近、板状のシリコンウエハー
に代わって球状の単結晶シリコン上に回路パターンを形
成することが提案されている。
に代わって球状の単結晶シリコン上に回路パターンを形
成することが提案されている。
【０００４】しかしながら、球状の単結晶シリコン（以
下、「球状ＩＣ」と表記することがある）は表面が平面
ではないため、これを一度に露光するとなると、露光ビ
ームの焦点深度の調整が困難である、解像度を高く維持
するのが困難である、及び球面状のマスクの作成が困難
であるといった問題があった。
下、「球状ＩＣ」と表記することがある）は表面が平面
ではないため、これを一度に露光するとなると、露光ビ
ームの焦点深度の調整が困難である、解像度を高く維持
するのが困難である、及び球面状のマスクの作成が困難
であるといった問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、焦点深度の
調整や解像度の維持及びマスクの作成が容易に行える球
状ＩＣの露光方法を提供することをその課題とする。
調整や解像度の維持及びマスクの作成が容易に行える球
状ＩＣの露光方法を提供することをその課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するために、球状ＩＣの中心を通る軸を任意に取り
決め、該軸を中心にして球状ＩＣを間欠的に回転させな
がら、この回転角に対応する球状ＩＣの表面の露光領域
を露光することとし、更には、前記露光領域を前記軸方
向に分割し、分割された前記露光領域毎に露光すること
としている。
解決するために、球状ＩＣの中心を通る軸を任意に取り
決め、該軸を中心にして球状ＩＣを間欠的に回転させな
がら、この回転角に対応する球状ＩＣの表面の露光領域
を露光することとし、更には、前記露光領域を前記軸方
向に分割し、分割された前記露光領域毎に露光すること
としている。
【０００７】また、上記した露光において、前記露光領
域に対応するマスクを用いて露光することとしている。
域に対応するマスクを用いて露光することとしている。
【０００８】ここで、「露光領域」とは、球状ＩＣ表面
の所定の面積を有する領域であって、露光が行われる領
域をいう。
の所定の面積を有する領域であって、露光が行われる領
域をいう。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明では、球状の単結晶シリ
コン表面を露光する場合に、一度に全表面の露光を行う
のではなく、露光範囲を限定することにより、より平面
に近い領域において露光を行うことに第１の特徴を有し
ている。
コン表面を露光する場合に、一度に全表面の露光を行う
のではなく、露光範囲を限定することにより、より平面
に近い領域において露光を行うことに第１の特徴を有し
ている。
【００１０】また、露光範囲の限定を行うにあたり、球
状ＩＣの中心を通る軸及び前記軸を中心とした球状ＩＣ
の回転角度を基準にして前記露光範囲を決定することに
第２の特徴を有している。
状ＩＣの中心を通る軸及び前記軸を中心とした球状ＩＣ
の回転角度を基準にして前記露光範囲を決定することに
第２の特徴を有している。
【００１１】そして、上記の如く決定された露光範囲に
それぞれ対応したマスクを用いて露光を行うことに第３
の特徴を有している。
それぞれ対応したマスクを用いて露光を行うことに第３
の特徴を有している。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しつつ、本発明を実施例に
基づき説明する。ただし、本発明を実施例に限定するも
のでは決してない。
基づき説明する。ただし、本発明を実施例に限定するも
のでは決してない。
【００１３】図１及び２は、本発明の露光方法の実施の
形態の一例を示す概略図であり、図３は本発明の露光方
法の他の実施の形態を示す概略図である。
形態の一例を示す概略図であり、図３は本発明の露光方
法の他の実施の形態を示す概略図である。
【００１４】図１〜図３において、（１）は、その表面
に回路パターンが露光されて形成される球状ＩＣであ
り、その直径は１ｍｍ以下とすることが可能である。
（２）は前記球状ＩＣ（１）の中心を通る回転軸であ
り、該球状ＩＣ（１）の中心を通るのであれば、その位
置は任意に設定できる。（３）はマスクである。
に回路パターンが露光されて形成される球状ＩＣであ
り、その直径は１ｍｍ以下とすることが可能である。
（２）は前記球状ＩＣ（１）の中心を通る回転軸であ
り、該球状ＩＣ（１）の中心を通るのであれば、その位
置は任意に設定できる。（３）はマスクである。
【００１５】最初に、図１及び図２に示された露光方法
について詳細に説明する。ここで、図１は球状ＩＣ
（１）をその赤道方向から見た場合の側面図であり、図
２は球状ＩＣ（１）をその回転軸（２）方向から見た場
合の図である。
について詳細に説明する。ここで、図１は球状ＩＣ
（１）をその赤道方向から見た場合の側面図であり、図
２は球状ＩＣ（１）をその回転軸（２）方向から見た場
合の図である。
【００１６】まず、球状ＩＣ（１）表面は十分に研磨、
洗浄され、その後乾燥される。次に該球状ＩＣ（１）表
面にレジストが均一な厚さとなるように塗布される。こ
のレジストとしては、通常の板状シリコンウエハーの露
光に用いられるのと同様のネガ型又はポジ型のフォトレ
ジストを適宜選択できる。
洗浄され、その後乾燥される。次に該球状ＩＣ（１）表
面にレジストが均一な厚さとなるように塗布される。こ
のレジストとしては、通常の板状シリコンウエハーの露
光に用いられるのと同様のネガ型又はポジ型のフォトレ
ジストを適宜選択できる。
【００１７】次に、露光段階に移ると、本実施例におい
ては、球状ＩＣ（１）は、回転軸（２）を中心にして間
欠的に、すなわち、回転及び停止を所定時間づつ繰り返
しながら所定角度θずつ回転される。
ては、球状ＩＣ（１）は、回転軸（２）を中心にして間
欠的に、すなわち、回転及び停止を所定時間づつ繰り返
しながら所定角度θずつ回転される。
【００１８】球状ＩＣ（１）が回転するときの回転速度
は前記フォトレジストの厚みに変動が生じない範囲で適
宜設定可能であり、特に限定されない。一方、球状ＩＣ
（１）の停止時間は、少なくとも、球状ＩＣ（１）の表
面の露光領域での露光に必要な時間を確保できる範囲内
で任意に設定可能である。
は前記フォトレジストの厚みに変動が生じない範囲で適
宜設定可能であり、特に限定されない。一方、球状ＩＣ
（１）の停止時間は、少なくとも、球状ＩＣ（１）の表
面の露光領域での露光に必要な時間を確保できる範囲内
で任意に設定可能である。
【００１９】前記露光領域の設定について説明する。本
発明においては、球状ＩＣ（１）の回転軸（２）を中心
とした回転角θを基準にして、露光領域が設定される。
発明においては、球状ＩＣ（１）の回転軸（２）を中心
とした回転角θを基準にして、露光領域が設定される。
【００２０】すなわち、球状ＩＣ（１）が回転軸（２）
を中心として所定角度θだけ回転されると、回転角θに
対応する分だけ、球状ＩＣ（１）表面の領域が移動す
る。したがって、図２に示したように、前記回転角θに
対応する球状ＩＣ（１）表面の領域が露光領域Ｓとして
設定される。
を中心として所定角度θだけ回転されると、回転角θに
対応する分だけ、球状ＩＣ（１）表面の領域が移動す
る。したがって、図２に示したように、前記回転角θに
対応する球状ＩＣ（１）表面の領域が露光領域Ｓとして
設定される。
【００２１】ここで、前記所定角度θは露光領域Ｓ同士
が重ならないように設定することが必要である。したが
って、各露光領域Ｓの面積を等しくした場合は、前記角
度θは、３６０゜÷露光領域Ｓの数＝θ の式で決定す
る。図１及び図２は各露光領域Ｓの面積をそれぞれ等し
くした場合の例である。
が重ならないように設定することが必要である。したが
って、各露光領域Ｓの面積を等しくした場合は、前記角
度θは、３６０゜÷露光領域Ｓの数＝θ の式で決定す
る。図１及び図２は各露光領域Ｓの面積をそれぞれ等し
くした場合の例である。
【００２２】なお、本実施例においては、球状ＩＣ
（１）の回転角θを一定とし、これに対応して球状ＩＣ
（１）表面に複数画定される露光領域Ｓの面積をそれぞ
れ等しいものとしたが、各露光領域Ｓが相互に重ならな
いように設定できるのであれば、球状ＩＣ（１）の回転
角θをそれぞれ異なったものとし、これに対応する各露
光領域Ｓの面積もそれぞれ異なったものとしてもよい。
（１）の回転角θを一定とし、これに対応して球状ＩＣ
（１）表面に複数画定される露光領域Ｓの面積をそれぞ
れ等しいものとしたが、各露光領域Ｓが相互に重ならな
いように設定できるのであれば、球状ＩＣ（１）の回転
角θをそれぞれ異なったものとし、これに対応する各露
光領域Ｓの面積もそれぞれ異なったものとしてもよい。
【００２３】このように、本発明では、球状ＩＣ（１）
表面の露光領域Ｓを前記所定角度θを基に決定するの
で、例えば、サッカーボールのように五角形及び六角形
の形状を用いて露光領域を決定する方法に比して露光領
域の決定が容易であり、また、露光手段を固定すること
が可能となる。
表面の露光領域Ｓを前記所定角度θを基に決定するの
で、例えば、サッカーボールのように五角形及び六角形
の形状を用いて露光領域を決定する方法に比して露光領
域の決定が容易であり、また、露光手段を固定すること
が可能となる。
【００２４】さて、図１及び図２に示した場合におい
て、図示しない光源からの露光が開始されると、球状Ｉ
Ｃ（１）表面上の露光領域Ｓのみがマスク３を介して露
光され、所定の回路パターンが前記露光領域Ｓ内に形成
される。前記露光領域Ｓ内での露光が完了すると、球状
ＩＣ（１）は所定角度θだけ回転させられ、前記露光領
域Ｓと等しい面積を有する次の未露光領域Ｓがマスク３
に対応する位置に配置される。この操作を繰り返すこと
で、最終的には、球状ＩＣ（１）の全表面に対して露光
を行うことが可能となる。球状ＩＣ（１）の全表面に対
して露光が完了すると、現像、定着処理及びエッチング
等の通常の表面処理が行われる。
て、図示しない光源からの露光が開始されると、球状Ｉ
Ｃ（１）表面上の露光領域Ｓのみがマスク３を介して露
光され、所定の回路パターンが前記露光領域Ｓ内に形成
される。前記露光領域Ｓ内での露光が完了すると、球状
ＩＣ（１）は所定角度θだけ回転させられ、前記露光領
域Ｓと等しい面積を有する次の未露光領域Ｓがマスク３
に対応する位置に配置される。この操作を繰り返すこと
で、最終的には、球状ＩＣ（１）の全表面に対して露光
を行うことが可能となる。球状ＩＣ（１）の全表面に対
して露光が完了すると、現像、定着処理及びエッチング
等の通常の表面処理が行われる。
【００２５】上記の如く、本発明においては、球状ＩＣ
（１）の全表面を一括して露光せず、その表面の一部を
限定して露光領域Ｓとし、該露光領域Ｓに回路パターン
を形成する操作を繰り返す。
（１）の全表面を一括して露光せず、その表面の一部を
限定して露光領域Ｓとし、該露光領域Ｓに回路パターン
を形成する操作を繰り返す。
【００２６】このように、球状ＩＣ（１）表面において
露光される領域を限定することで、球状ＩＣ（１）の全
表面を一度に露光する場合に比して、より平面に近いシ
リコン表面上で露光を行うことが可能となるので、露光
の際の焦点深度の設定が容易となり、回路パターンの解
像度を高く維持することが可能となる。
露光される領域を限定することで、球状ＩＣ（１）の全
表面を一度に露光する場合に比して、より平面に近いシ
リコン表面上で露光を行うことが可能となるので、露光
の際の焦点深度の設定が容易となり、回路パターンの解
像度を高く維持することが可能となる。
【００２７】なお、前記マスク３は、球状ＩＣ（１）の
表面に正確に回路パターンを形成できるように、前記露
光領域Ｓに対応した形状及び面積を有するように設計さ
れる。
表面に正確に回路パターンを形成できるように、前記露
光領域Ｓに対応した形状及び面積を有するように設計さ
れる。
【００２８】平面に近い露光領域Ｓに対応するマスクを
形成するのみでよいため、球状のマスクを作成する場合
に比べて、マスク作成が容易となる。
形成するのみでよいため、球状のマスクを作成する場合
に比べて、マスク作成が容易となる。
【００２９】次に、図３に示された露光方法について詳
細に説明する。（３’）はマスクである。図１及び図２
と共通する部材については共通の符号を付し、説明は省
略する。
細に説明する。（３’）はマスクである。図１及び図２
と共通する部材については共通の符号を付し、説明は省
略する。
【００３０】図３に示された露光方法では、露光領域Ｓ
は回転軸（２）方向に複数領域に分割され、前記露光領
域Ｓより面積が小さい、複数の露光領域Ｓ’とされる。
露光方法については図１及び図２の場合とほぼ同様であ
るが、ここでは、露光が回転軸（２）の軸線方向につい
ても所定回繰り返される点が上記の場合とは異なる。
は回転軸（２）方向に複数領域に分割され、前記露光領
域Ｓより面積が小さい、複数の露光領域Ｓ’とされる。
露光方法については図１及び図２の場合とほぼ同様であ
るが、ここでは、露光が回転軸（２）の軸線方向につい
ても所定回繰り返される点が上記の場合とは異なる。
【００３１】このようにすることで、図１及び図２に示
される露光方法に比較して、露光時間は増加するもの
の、図１及び図２における露光領域Ｓよりも更に平面に
近い露光領域Ｓ’を得ることが可能となるので、露光の
際の焦点深度の設定がより容易となり、回路パターン形
成時の解像度をより高く維持することが可能となる。
される露光方法に比較して、露光時間は増加するもの
の、図１及び図２における露光領域Ｓよりも更に平面に
近い露光領域Ｓ’を得ることが可能となるので、露光の
際の焦点深度の設定がより容易となり、回路パターン形
成時の解像度をより高く維持することが可能となる。
【００３２】また、マスク（３’）も図１及び図２の場
合に比してより小さい面積のもので済むために、図１及
び図２におけるマスク（３）を作成する場合に比してそ
の作成が容易となる。
合に比してより小さい面積のもので済むために、図１及
び図２におけるマスク（３）を作成する場合に比してそ
の作成が容易となる。
【００３３】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、球状ＩＣの表
面を露光する場合に露光領域を限定することにより、球
状ＩＣ表面の全面を一括して露光する場合に比して、よ
り平面に近い領域で露光を行うことが可能となるため、
露光の際の焦点深度の設定が容易となり、解像度を高く
維持することが可能となる。
面を露光する場合に露光領域を限定することにより、球
状ＩＣ表面の全面を一括して露光する場合に比して、よ
り平面に近い領域で露光を行うことが可能となるため、
露光の際の焦点深度の設定が容易となり、解像度を高く
維持することが可能となる。
【００３４】請求項２の発明によれば、上記の場合より
も、更に平面に近い露光領域を得ることが可能となるた
め、露光の際の焦点深度の設定がより容易となり、解像
度をより高く維持することが可能となる。
も、更に平面に近い露光領域を得ることが可能となるた
め、露光の際の焦点深度の設定がより容易となり、解像
度をより高く維持することが可能となる。
【００３５】請求項３の発明によれば、球状のマスクを
作成する必要がないために、マスクの作成が容易とな
る。
作成する必要がないために、マスクの作成が容易とな
る。
【図１】 球状ＩＣの赤道からみた、本発明の露光方法
の実施の態様を示す概略図。
の実施の態様を示す概略図。
【図２】 球状ＩＣの回転軸方向からみた、本発明の露
光方法の実施の態様を示す概略図。
光方法の実施の態様を示す概略図。
【図３】 本発明の露光方法の他の実施の態様を示す概
略図。
略図。
１ 球状ＩＣ、２ 回転軸、３，３’ マスク、Ｓ，
Ｓ’ 露光領域、
Ｓ’ 露光領域、
Claims (3)
- 【請求項１】 球状ＩＣの中心を通る軸を任意に取り決
め、該軸を中心にして球状ＩＣを間欠的に回転させなが
ら、この回転角に対応する球状ＩＣ表面の露光領域を露
光することを特徴とする球状ＩＣの露光方法 - 【請求項２】 前記露光領域を前記軸方向に分割し、分
割された前記露光領域毎に露光することを特徴とする請
求項１記載の球状ＩＣの露光方法。 - 【請求項３】 前記露光領域に対応するマスクを用いて
露光することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
球状ＩＣの露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9209476A JPH1154406A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 球状ｉｃの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9209476A JPH1154406A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 球状ｉｃの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154406A true JPH1154406A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16573486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9209476A Pending JPH1154406A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 球状ｉｃの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154406A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563137B2 (en) | 2000-03-29 | 2003-05-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optoelectric integrated device having a three-dimensional solid configuration |
| US6897430B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, optoelectronic board, and production methods therefor |
| US6928205B2 (en) | 2002-08-02 | 2005-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical waveguide device, layered substrate and electronics using the same |
| JP2006513569A (ja) * | 2003-01-09 | 2006-04-20 | 株式会社山武 | 曲面を有する半導体デバイスに露光する装置および方法 |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP9209476A patent/JPH1154406A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563137B2 (en) | 2000-03-29 | 2003-05-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optoelectric integrated device having a three-dimensional solid configuration |
| US6897430B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, optoelectronic board, and production methods therefor |
| US6936808B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, optoelectronic board, and production methods therefor |
| US7141778B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, optoelectronic board, and production methods therefor |
| US6928205B2 (en) | 2002-08-02 | 2005-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical waveguide device, layered substrate and electronics using the same |
| JP2006513569A (ja) * | 2003-01-09 | 2006-04-20 | 株式会社山武 | 曲面を有する半導体デバイスに露光する装置および方法 |
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