JPH11514105A

JPH11514105A - 薄膜型光路調節装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11514105A
Application number: JP10509605A
Authority: JP
Inventors: ユンウーナム; サンチョルチュン
Original assignee: テーウーエレクトロニクスカンパニーリミテッド
Priority date: 1996-08-13
Filing date: 1997-01-23
Publication date: 1999-11-30
Also published as: EP0855120A1; WO1998007280A1; AU1320897A; US5786928A; AR005674A1; ID17881A

Abstract

(57)【要約】薄膜形光路調節装置及びその製造方法を提供する。前記装置は電気的配線と連結端子を有する基板と前記基板の上部に形成されたアクチュエータ、そして前記アクチュエータの上部に形成された反射部材を含む。前記アクチュエータは下部電極、変形層、上部電極及び支持層を有して互いに反対方向に駆動する複数個のアクチュエーティング部で構成される。従って、制限された面積内でも２倍以上の駆動角度でミラーを駆動することができ、光源から入射される光の光効率を高めることができ、スクリーンに投影される画像のコントラストを向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】薄膜型光路調節装置及びその製造方法技術分野本発明は薄膜型光路調節装置及び製造方法に関するものであり、より詳細には隣るアクチュエーティング部が互いに反対方向に駆動する複数個のアクチュエーティング部を有することにより、アクチュエータの上部に取り付けられた反射部材のティルティング角度を大きくできる薄膜型光路調節装置及び製造方法に関する。背景技術一般に、光束を調節して画像を形成できる光路調節装置は２種類に大別される。その１種類は直視型画像表示装置であってＣＲＴ（Cathode Ray Tube）などがあり、他の１種類は投射型画像表示装置であって液晶表示装置（Liquid Crystal Display：ＬＣＤともいう）、またはＤＭＤ（Deformable Mirror Device）、ＡＭＡなどがそれに当たる。前記ＣＲＴ装置は画像の質において優れるが、画面の大型化により装置の重量と容積が増加し、その製造コストが上昇するという問題点がある。これに比べて、液晶表示装置（ＬＣＤ）は光学的な構造が簡単であって薄く形成することができてその重量及び容積を減らせるという利点がある。しかしながら、前記液晶表示装置（ＬＣＤ）は入射される光束の偏光により１〜２％の光効率を有する程度に効率が低下し、液晶物質の応答速度が遅くて内部が加熱しやすいという問題点があった。従って、前記問題点を解決するために、ＤＭＤまたはＡＭＡなどの画像表示装置が開発された。現在、ＤＭＤ装置が５％程度の光効率を有するのに比べてＡＭＡ装置は１０％以上の光効率を得ることができる。また、ＡＭＡ装置はスクリーンに投影される画像のコントラストを向上させてより明るくて鮮やかな画像を結ぶことができ、入射される光束の極性に影響されないだけでなく反射される光束の極性に影響しない。このようなGregory Umによる米国特許第５，１２６，８３６号に開示されたＡＭＡのエンジンシステムの概略図を図１に示す。図１を参照すると、光源１から入射された光束は第１スリット３及び第１レンズ５を過ぎながらＲ・Ｇ・Ｂ表色系に応じて分光される。前記Ｒ・Ｇ・Ｂ別に分光された光束はそれぞれ第１ミラー７、第２ミラー９及び第３ミラー１１により反射されてそれぞれのミラーに対応して設けられたＡＭＡ素子１３，１５，１７に入射される。前記Ｒ・Ｇ・Ｂ別に形成されたＡＭＡ素子１３，１５，１７はそれぞれ内部に備えられたミラーを所定の角度に傾斜させて入射された光束を反射させる。この際に、前記ミラーはミラーの下部に形成された変形層の変形に応じて傾く。前記ＡＭＡ素子１３，１５，１７から反射された光は第２レンズ１９及び第２スリット２１を通過した後、投影レンズ２３によりスクリーン（図示せず）に投影されて画像を結ぶ。このような光路調節装置であるＡＭＡはバルク(bulk)型と薄膜型に大別される。前記バルク型光路調節装置はDae-Young Lim による米国特許第５，４６９，３０２号に開示されている。バルク型光路調節装置は多層セラミックを薄く切断して内部に金属電極が形成されたセラミックウェーハをトランジスタが内蔵されたアクチブマトリックス上に装着した後、ソーイング(sawing)方法で加工し、その上部にミラーを設けてなされる。しかしながら、バルク型光路調節装置は設計及び製造において高い精密度が要求され変形層の応答速度が遅いという問題点があった。これにより半導体工程を利用して製造できる薄膜型光路調節装置が開発された。前記薄膜型光路調節装置は本出願人が米国に出願した特許出願第０８／３３６，０２１号（発明の名称：薄膜型光路調節装置及びその製造方法（THIN FILM AC TUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD F OR THE MANUFACTURE THEREOF））に開示されている。図２は前記薄膜型光路調節装置の断面図を示す。図２を参照すると、前記薄膜型光路調節装置はアクチブマトリックス３１、該アクチブマトリックス３１の上部に形成されたアクチュエータ３３、そして前記アクチュエータ３３の上部に形成されたミラー３５を有する。前記アクチブマトリックス３１は基板３７、該基板３７の上部に形成されたＭ ×Ｎ（Ｍ，Ｎは整数）個のトランジスタ（図示せず）、そしてそれぞれのトランジスタの上部に形成されたＭ×Ｎ個の接続端子３９を有する。前記アクチュエータ３３は、アクチブマトリックス３１の上部に前記接続端子３９を含んで形成された支持部４１と、一側下端が支持部４１に取り付けられ他側がアクチブマトリックス３１と平行に形成された第１電極４３、前記支持部４１の内部に前記接続端子３９と前記第１電極４３を連結するように形成された電導管４９、第１電極４３の上部に形成された変形層４５、変形層４５の上部に形成された第２電極４７、第２電極４７の一側上部に形成されたスペーシング部材５１、そしてスペーシング部材５１に一側下端が取り付けられ他側が第２電極４７と平行に形成された支持層５３を含む。そして、ミラー３５は支持層５３の上部に形成される。以下、前記薄膜型光路調節装置の製造方法を説明する。図３Ａないし図３Ｄは図２に示す装置の製造工程図である。図３Ａないし図３Ｄにおいて、図２と同一の部材に対しては同一の参照番号を使用する。図３Ａを参照すると、まずＭ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず）が上部に形成された基板３７と前記トランジスタの上部にそれぞれ形成されたＭ×Ｎ個の接続端子３９を含むアクチブマトリックス３１を提供する。次に、アクチブマトリックス３１の上部に第１犠牲層５５を形成した後、第１犠牲層５５をパターニングしてアクチブマトリックス３１の中上部にＭ×Ｎ個の接続端子３９が形成された部分を露出させる。第１犠牲層５５は後で、エッチング、または化学薬品を使用して除去できる。図３Ｂを参照すると、前記露出されたＭ×Ｎ個の接続端子３９が形成された部分にスパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を使用して支持部４１を形成する。次いで、支持部４１の内部にホールをつくった後、前記ホールの内部に例えば、タングステンＷなどの伝導性物質を入れて電導管４９を形成する。電導管４９は後で形成される第１電極４３と接続端子３９を電気的に接続する。内部に電導管４９が形成された支持部４１の上部及び第１犠牲層５５の上部に例えば、金Ａｕまたは銀Ａｇなどの伝導性物質を使用して第１電極４３を形成する。次いで、第１電極４３の上部に例えば、ＰＺＴ(lead zirconate titanate) などの圧電物質を使用して変形層４５を形成する。そして、前記変形層４５の上部に例えば、金または銀などの伝導性物質を使用して第２電極４７を形成する。アクチブマトリックス３１に内蔵されたトランジスタは光源から入射される光による画像信号を信号電流に変換する。前記信号電流は接続端子３９及び電導管４９を通して第１電極４３に供給する。同時に第２電極４７にはアクチブマトリックス３１の後面に形成された共通電極線（図示せず）から電流が供給され、第２電極４７と第１電極４３との間に電気場（electric field）が発生する。この電気場により第２電極４７と第１電極３９との間に形成された変形層４５がティルティングされる。図３Ｃを参照すると、第２電極４７の上部に第２犠牲層５７を形成した後、第２犠牲層５７をパターニングして第２電極４７の中下に支持部４１が形成された部分と隣接した部分を露出させる。前記第２電極４７の露出された部分にスペーシング部材５１を形成した後、第２犠牲層５７及びスペーシング部材５１の上部に支持層５３を形成する。そして、支持層５３の上部に光源から入射される光を反射するミラー３５が形成される。図３Ｄを参照すると、ミラー３５、支持層５３、第２電極４７、変形層４５、そして第１電極４３を順にパターニングしてＭ×Ｎ個の所定の形状を有する画素を形成する。次いで、第２犠牲層５７及び第１犠牲層５５を除去した後、前記画素を洗滌及び乾燥して薄膜形光路調節装置を完成する。しかしながら、前述した薄膜型光路調節装置において、一つの変形層を有するアクチュエータをティルティングさせ光源から入射される光をアクチュエータの上部に形成されたミラーを使用して反射させるために、アクチュエータのティルティング角度が制限される問題点がある。これにより、ミラーにより反射される光の光効率が落ち、スクリーンに投影される画像のコントラストが低下される。さらに、アクチュエータのティルティング角度が小さいために光源とスクリーンとの間の間隔が狭くなるようなシステムの設計においても問題点がある。発明の開示本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明の目的は、隣り合うアクチュエーティング部が互いに反対方向に駆動する複数個のアクチュエーティング部を有するアクチュエータを形成して狭い面積内でもアクチュエータ上部に取り付けられた反射部材のティルティング角度を大きくできる薄膜形光路調節装置を提供することにある。本発明の別の目的は、隣り合うアクチュエーティング部が互いに反対方向に駆動する複数個のアクチュエーティング部を有するアクチュエータを形成して狭い面積内でもアクチュエータ上部に取り付けられた反射部材のティルティング角度を大きくできる薄膜形光路調節装置の製造方法を提供することにある。前記のような目的を達成するために、本発明は、外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的配線及び連結端子を含む基板と、ｉ）前記第１信号が供給される第１下部電極と、ii）前記第１下部電極に対応し、第２信号を受けて電気場を発生する第１上部電極、iii）前記第１下部電極と前記第１上部電極との間に形成され、前記電気場により変形をおこす第１変形層と、iv）前記第１下部電極の一側下端に形成された下部支持層を含む第１アクチュエーティング部と、ａ）前記第１下部電極と一体で形成された第２下部電極、ｂ）前記第１上部電極と一体で形成され前記第１信号が供給され電気場を発生させる第２上部電極、ｃ）前記第１変形層と一体で形成され前記電気場により変形をおこす第２変形層と、ｄ）前記第２上部電極の上部に形成された上部支持層を含み、前記第１アクチュエーティング部と一体で形成され、前記第１アクチュエーティング部と反対で駆動する第２アクチュエーティング部を含むアクチュエータと、前記第２アクチュエーティング部の上部に形成された反射手段を含み、前記第１信号及び前記第２信号により駆動することを特徴とする薄膜形光路調節装置を提供する。前記第１下部電極及び前記第２下部電極は電気伝導性を有する金属を使用して形成され、前記第１変形層及び前記第２変形層は圧電物質、または電歪物質を使用して形成され、前記第１上部電極及び前記第２上部電極は電気伝導性を有する金属を使用して形成される。望ましくは前記第１下部電極及び前記第２下部電極は白金Ｐｔ、タンタルＴａ、または白金−タンタルＰｔ−Ｔａを使用して形成され、前記第１変形層及び前記第２変形層はＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮを使用して形成され、前記第１上部電極及び前記第２上部電極はアルミニウム、白金、または銀を使用して形成される。望ましくは前記第１変形層及び第２変形層はＺｎＯを使用して形成される。前記下部支持層及び前記上部支持層は硬質の物質を使用して形成される。前記第２アクチュエーティング部は、前記上部支持層の一側上部に形成され前記反射部材を支持するポストをさらに含み、前記反射手段は反射性を有する金属を使用して形成される。望ましくは前記アクチュエータは「Ｕ」字の形状を有する。また、前記のような目的を達成するために、本発明は、外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的配線及び連結端子を含む基板を提供する工程と、前記基板上に第１支持層を形成したと、前記第１支持層をパターニングして前記基板の一部上に下部支持層を形成する工程と、前記下部支持層及び前記基板上に下部電極層、変形層、上部電極層を形成する工程と、前記上部電極層をパターニングして第２信号が供給され電気層を発生させる第１上部電極及び第２上部電極を形成する工程と、前記変形層をパターニングして前記電気場により変形をおこす第１変形層及び第２変形層を形成する工程と、前記下部電極層をパターニングして前記第１信号が供給され下端に前記下部支持層が取り付けられた第１下部電極及び前記第１信号が供給され前記基板の一部上に第２下部電極を形成する工程と、前記第２上部電極の上部に第２支持層を形成した後、前記第２支持層を上部支持層にパターニングする工程と、前記上部支持層の上部に反射手段を形成する工程を含み、前記第１信号及び前記第２信号により駆動することを特徴とする薄膜形光路調節方法を提供する。前記第１支持層を形成する工程は、前記アクチブマトリクスの上部に犠牲層を形成する工程及び前記犠牲層をパターニングして前記基板上前記連結端子が形成された部分を露出させる工程後に遂行される。前記犠牲層を形成する工程は、前記犠牲層の表面をスピンオンガラスＳＯＧを使用する方法、またはＣＭＰ方法を利用して平坦化させる工程をさらに含む。前記第１支持層及び前記第２支持層を形成する工程は金属または窒化物を低圧化学気相蒸着方法を利用して遂行される。前記下部電極層及び前記上部電極層を形成する工程は白金、タンタル、または白金−タンタルをスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行する。前記変形層を形成する工程はＺｎＯ、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮをゾル−ゲル法、スパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行する。前記反射手段を形成する工程はアルミニウム、白金または銀をスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行する。本発明による薄膜型光路調節装置において、第１下部電極には基板に形成された電気的配線、連結端子及びプラグを通して第１信号、すなわち画像電流信号が供給される。第１下部電極に供給された第１信号は第１下部電極と連結された第２下部電極にも供給される。同時に、第１上部電極には共通電極線を通して第２信号、すなわち、バイアス電流信号が供給される。第１上部電極に供給された第２信号は第１上部電極と連結された第２上部電極にも供給される。従って、第１上部電極と第１下部電極との間及び第２上部電極と第２下部電極との間にそれぞれ電気場が発生する。このような電気場により第１上部電極と第１下部電極との間に形成された第１変形層、第２上部電極と第２下部電極との間に形成された第２変形層がそれぞれ変形をおこす。第１変形層及び第２変形層に発生した電気場に対して垂直な方向に収縮する。この場合、第１変形層は下部支持層が位置した方向と反対方向にアクチュエーティングし、第２変形層は上部支持層が位置した方向と反対方向にアクチュエーティングする。すなわち、第１変形層は上方にアクチュエーティングし、第２変形層は下方にアクチュエーティングする。第１変形層１５１と第２変形層１５２のティルティング角度は同一である。第１変形層のティルティング角度の大きさをθとするとき、第１変形層を含む第１アクチュエーティング部はθ大きさのティルティング角度を有し、上方にアクチュエーティングする。また、第２変形層を含む第２アクチュエーティング部はθ大きさのティルティング角度を有して下方にアクチュエーティングする。第１アクチュエーティング部が上方にアクチュエーティングすると、第１アクチュエーティング部と連結された第２アクチュエーティング部も共にθ大きさの角度を有して上方に傾く。この状態で、第２変形層が下方にアクチュエーティングするために第２変形層を含む第２アクチュエーティング部１７２はθ大きさのティルティング角度を有して下方にアクチュエーティングする。それ故に、第２アクチュエーティング部の最終ティルティング角度は２θになる。光源から入射された光を反射する反射部材は第２アクチュエーティング部の上部に形成されているために、２θの大きさの角度を有して傾く。それで、前記した本発明による薄膜形光路調節装置は、隣り合うアクチュエーティング部が互いに反対方向に駆動する複数個のアクチュエーティング部を含むアクチュエータを形成することにより、制限された面積内で従来の光路調節装置により２〜３倍以上のティルティング角度を有して反射部材を駆動できる。従って、光源から入射される光の光効率を高めることができ、スクリーンに投影される画像のコントラストを向上させ明るくて鮮明な画像を結ぶことができる。また、システムの設計においても光源とスクリーンとの間隔を広くしてシステムの間隔を広くしてシステムの設計を容易にできる効果がある。図面の簡単な説明図１は従来の光路調節装置のエンジンシステムの概略図である。図２は本出願人の先行出願に記載された薄膜型光路調節装置の断面図である。図３Ａないし図３Ｄは図２に示す装置の製造工程図である。図４は本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の平面図である。図５は図４に示す装置をＡ₁−Ａ₂線で切り取った断面図である。図６は図４に示す装置をＢ₁−Ｂ₂線で切り取った断面図である。図７ないし図１１は本発明の第１実施例による前記装置の製造工程図である。図１２は本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の平面図である。図１３は図１２に示す装置をＣ₁−Ｃ₂線で切り取った断面図である。図１４は図１２に示す装置をＤ₁−Ｄ₂線で切り取った断面図である。図１５は図１２に示す装置をＥ₁−Ｅ₂線で切り取った断面図である。図１６ないし図１８Ｃは本発明の第２実施例による前記装置の製造工程図である。図１９は本発明の第３実施例による薄膜型光路調節装置の平面図である。図２０は図１９に示す装置をＦ₁−Ｆ₂線で切り取った断面図である。図２１は図１９に示す装置をＧ₁−Ｇ₂線で切り取った断面図である。図２２は図１９に示す装置をＨ₁−Ｈ₂線で切り取った断面図である。図２３は図１９に示す装置をＩ₁−Ｉ₂線で切り取った断面図である。発明を実施するための最良の形態以下、添付した図面に基づき本発明を更に詳細に説明する。実施例１図４は本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の平面図であり、図５は図４に示す装置をＡ₁−Ａ₂線で切り取った断面図であり、図６は図４に示す装置をＢ₁−Ｂ₂線で切り取った断面図である。図４を参照すると、本発明の第１実施例による薄膜形光路調節装置は基板１００と基板１００の上部に形成されたアクチュエータ１７０、そしてアクチュエータ１７０の上部に形成された反射部材１９０を含む。前記アクチュエータ１７０は、基板１００の一側上部に形成された第１アクチュエーティング部１７１、アクチブマトリックス１００の他側上部に形成された第２アクチュエーティング部１７２を含む。第１アクチュエーティング部１７１及び第２アクチュエーティング部１７２を含むアクチュエータ１７０は「Ｕ」字の形状を有する。反射部材１９０は第２アクチュエーティング部１７２の一側上部に形成されたミラーポスト１８０により支持され、前記アクチュエータ１７０を覆うように形成される。望ましくは、前記反射部材１９０はミラーである。図５を参照すると、基板１００は外部から信号が供給される電気的配線（図示せず）、前記電気的配線の上部に形成された連結端子１０５、基板１００及び連結端子１０５の上部に積層された保護層１１０、保護層１１０の上部に積層された食刻防止層１１５、そして食刻防止層１１５の表面から保護層１１０を通して連結端子１０５まで形成されたプラグ１２０を含む。望ましくは、前記電気的配線はＭＯＳ(Metal Oxide semiconductor)トランジスタを含む。第１アクチュエーティング部１７１は、食刻防止層１１５中下にプラグ１２０及び連結端子１０５が形成された部分に一側下端が取り付けられ他側が第１エアギャップ１３０を介在して食刻防止層１１５と平行に積層された第１下部電極１４１、第１下部電極１４１の他側下端に取り付けられた下部支持層１３５、第１下部電極１４１の上部に積層された第１変形層１５１、そして第１変形層１５１の上部に積層された第１上部電極１６１を含む。図６を参照すると、第２アクチュエーティング部１７２は食刻防止層１１５の上部に第１エアギャップ１３０を介在して食刻防止層１１５と平行に積層された第２下部電極１４２、第２下部電極１４２の上部に積層された第２変形層１５２、第２変形層１５２の上部に積層された第２上部電極１６２、そして第２上部電極１６２の上部に積層された上部支持層１６５を含む。第２アクチュエーティング部１７２の第２下部電極１４２は第１アクチュエーティング部１７１の第１下部電極１４１と一体で形成され、第２アクチュエーティング部１７２の第２変形層１５２は第１アクチュエーティング部１７１の第１変形層１５２と一体で形成される。また、第２アクチュエーティング部１７２の第２上部電極１６２は第１アクチュエーティング部１７１の第１上部電極１６１と一体で形成される。そして、第２アクチュエーティング部１７２の上部支持層１６５の一側上部にはポスト１８０が形成される。反射手段１９０はポスト１８０により中央部が支持される。反射手段１９０の一側は第２エアギャップ１８５を介在して上部支持層１６５と平行に形成され、反射手段１９０の他側は隣接したアクチュエータの上部一部分を覆う。望ましくは、反射手段１９０は四角形形状の平板の様子を有する。以下、前述したように構成された本発明の望ましい実施例による薄膜型光路調節装置の製造方法を説明する。図７ないし図１１は本発明の第１実施例による前記装置の製造工程図である。図７を参照すると、外部から信号を受ける電気的配線（図示せず）が形成された基板１００の上部に連結端子１０５を形成する。連結端子１０５は、例えば、タングステンＷなどの金属を使用して形成する。連結端子１０５は前記電気的配線と電気的に接続される。前記電気的配線及び連結端子１０５は外部から信号を供給され前記信号を伝達する。基板１００及び連結端子１０５の上部にはリンシリケートガラス（ＰＳＧ）を使用して保護層１１０が積層される。保護層１１０は化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を用いて１．０〜２．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。保護層１１０は後続する工程の間、前記電気的配線及び連結端子１０５が形成された基板１００が損傷されることを防止する。保護層１１０の上部には食刻防止層１１５が窒化物を使用して１０００〜２０００Å程度の厚さを有するように積層される。食刻防止層１１５は低圧化学気相蒸着ＬＰＣＶＤ方法を利用して形成する。食刻防止層１１５は後続する食刻工程の間保護層１１０及び基板１００が食刻され損傷を受けることを防止する。次いで、食刻防止層１１５中下に連結端子１０５が形成されている部分として食刻防止層１１５及び保護層１１０を食刻した後、タングステンＷまたはチタンＴｉなどの金属を使用してプラグ１２０を形成する。プラグ１２０はスパッタリング方法、または化学気相蒸着方法ＣＶＤを利用して形成される。プラグ１３０は連結端子１０５と電気的に連結される。従って、第１信号、すなわち、画像電流信号は基板１００に形成された前記電気的配線、連結端子１０５、そしてプラグ１２０を通して後に形成される第１下部電極１４１及び第２下部電極１４２に供給される。食刻防止層１１５及びプラグ１２０の上部にはリンシリケートガラスＰＳＧを使用して犠牲層１２５が積層される。犠牲層１２５は大気圧化学気相蒸着ＡＰＣＶＤの方法を利用して１．０〜２．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。この場合、犠牲層１２５は前記電気的配線及び連結端子１０５が形成された基板１００の上部を覆っているためにその表面の平坦度が大変不良である。従って、犠牲層１２５の表面をスピンオンガラスＳＯＧを利用する方法または、ＣＭＰ(C hemical Mechanical Polishing)方法を利用して平坦化させる。続いて、犠牲層１２５中下に連結端子１０５が形成された部分をパターニングして、プラグ１２０が形成された部分周りの食刻防止層１１５の一部を露出させる。図８を参照すると、犠牲層１２５の上部に第１フォトレジスタ１３９をコーティングした後、前記第１フォトレジスタ１３９をパターニングして犠牲層１２５中前記食刻防止層１１５の露出された部分と隣接した部分を露出させる。前記露出された犠牲層１２５の上部に硬質の物質、例えば、窒化物または金属を使用して第１支持層を積層した後、前記第１支持層をパターニングして下部支持層１３５を形成する。下部支持層１３５は低圧化学気相蒸着ＬＰＣＶＤ方法を利用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成される。この場合、下部支持層１３５は後で形成される第１下部電極１４１の下部のみに形成されるようにパターニングされる。前記食刻防止層１１５の露出された部分、下部支持層１３５及び犠牲層１２５の上部には下部電極層１４０が積層される。下部電極層１４０は電気伝導性を有する金属である白金Ｐｔ、タンタルＴａ、または白金−タンタルＰｔ−Ｔａなどを使用して積層する。下部電極層１４０はスパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を利用して５００〜２０００Å程度の厚さを有するように形成する。下部電極層１４０は後で第１下部電極１４１及び第２下部電極１４２にパターニングされる。下部電極層１４０の上部には変形層１５０が積層される。変形層１５０はＺｎＯ、ＰＺＴ、またはＰＬＺＴなどの圧電物質を使用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。また、変形層１５０はＰＭＮなどの電歪物質を使用して形成することができる。また、変形層１５０はゾル−ゲル（Ｓｏｌ−ｇｅｌ）法、スパッタリング方法または化学気相蒸着ＣＶＤ方法を利用して形成した後、急速熱処理（Rapid Thermal Annealing ：ＲＴＡ）方法を利用して熱処理して相変位させる。次いで、変形層１５０をポーリングさせる。前記で変形層１５０をＺｎＯを使用して形成する場合、変形層１５０を３００℃〜６００℃の低温で形成することができる。また、ＺｎＯを使用して変形層１５０を形成すると、供給される電気場によりポーリングされるために別のポーリング工程が必要でなくなる。変形層１５０は後で第１変形層１５１及び第２変形層１５２にパターニングされる。上部電極層１６０は変形層１５０の上部に積層される。上部電極層１６０はアルミニウムＡｌ、白金、または、銀Ａｇなどの電気伝導性を有する金属を使用して形成する。上部電極層１６０は５００〜２０００Å程度の厚さを有するように形成する。上部電極層１６０は後で第１上部電極１６１及び第２上部電極１６２にパターニングされる。図９を参照すると、上部電極層１６０の上部に硬質の物質、例えば、窒化物または金属を使用して第２支持層を積層した後、前記第２支持層をパターニングして上部支持層１６５を形成する。上部支持層１６５は低圧化学気相蒸着ＬＰＣＶＤ方法を利用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成される。この場合、上部支持層１６５は後で形成される第２上部電極１６２の上部のみに形成されるようにパターニングされる。図１０Ａは図５に示す第１アクチュエーティング部１７１の製造工程図であり、図１０Ｂは図６に示す第２アクチュエーティング部１７２の製造工程図である。図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、上部電極層１６０及び上部支持層１６５の上部に第２フォトレジスタ（図示せず）をコーティングした後、前記第２フォトレジスタを食刻マスクに利用して上部電極層１６０をパターニングして第１上部電極１６１をパターニングして第１上部電極１６１及び第２上部電極１６２を形成する。次いで、前記第２フォトレジスタを除去する。この場合、第１上部電極１６１は直四角形の形状を有し、第２上部電極１６２は「Ｌ」字の形状を有するようにパターニングする。従って、第１上部電極１６１及び第２上部電極１６２は互いに連結され共に「Ｕ」字の形状を有する。第１上部電極１６１及び第２上部電極１６２には共通電極線（図示せず）から第２信号が供給される。前記第２信号はバイアス電流信号である。変形層１５０及び下部電極層１４０も上部電極層１６０をパターニングする方法と同一の方法を使用してパターニングされる。変形層１５０は第１変形層１５１及び第２変形層１５２にパターニングされ、下部電極層１４０は第１下部電極１４１及び第２下部電極１４２にパターニングされる。第１変形層１５１及び第２変形層１５２は第１上部電極１６１及び第２上部電極１６２と同一の形状を有する。また、第１下部電極１４１及び第２下部電極１４２も第１上部電極１６１及び第２上部電極１６２と同一の形状を有する。第１下部電極１４１及び第２下部電極１４２には基板１００に形成された前記電気的配線、連結端子及びプラグを通して第１信号、すなわち、画像電流信号が供給される。それで、第１下部電極１４１及び第２下部電極１４２に第１信号が供給され、同時に第１上部電極１６１及び第２上部電極１６２に第２信号が供給されると第１上部電極１６１と第１下部電極１４１との間に電気場が発生する。この電気場により第１変形層１５１が変形をおこす。また、第２上部電極１６２と第２下部電極１４２との間にも電気場が発生し、このような電気場により第２変形層１５２が変形をおこす。次いで、犠牲層１２５及び第１フォトレジスタ１３９をフルオル化水素ＨＦ蒸気を使用して食刻する。犠牲層１２５及び第１フォトレジスタ１３９が除去されると、第１エアギャップ１３０が犠牲層１２５の位置に形成される。従って、第１アクチュエーティング部１７１及び第２アクチュエーティング部１７２が完成される。図１１は図１０に示した第２アクチュエーティング部１７２の上部にミラー１９０を形成する製造工程図である。図１１を参照すると、第１アクチュエーティング部１７１及び第２アクチュエーティング部１７２の上部に第３フォトレジスタ（図示せず）をコーティングした後、前記第３フォトレジスタをパターニングして上部支持層１６５の一部を露出させる。次いで、前記露出された上部支持層１６５の上部及び前記第３フォトレジスタの上部にアルミニウム、白金、または銀などの反射性を有する金属を使用してポスト１８０及び反射部材１９０を同時に形成する。反射部材１９０及びポスト１８０はスパッタリング方法、または化学気相蒸着ＣＶＤ方法を使用して形成する。反射部材１９０は５００〜１０００Å程度の厚さを有する。望ましくは、反射部材１９０はミラーである。次いで、前記第３フォトレジスタを食刻して除去する。前記第３フォトレジスタが除去されると、第２エアギャップ１８５が形成される。反射部材１９０は中央部がポスト１７０により支持される平板の形状を有する。反射部材１９０は一側が第２エアギャップ１８５を介在して上部支持層１６５と平行であり、他側が隣接したアクチュエータの一部を覆うように形成される。これにより、上部に反射部材１９０が形成されたアクチュエータ１７０が完成される。以下、本実施例による薄膜形光路調節装置の動作を説明する。本実施例による薄膜形光路調節において、第１下部電極１４１では基板１００に形成された電気的配線、連結端子１０５及びプラグ１２０を通して第１信号、すなわち画像電流信号が供給される。第１下部電極１４１に供給された第１信号は第１下部電極１４１と連結された第２下部電極１４２にも供給される。同時に、第１上部電極１６１には共通電極線を通して第２信号、すなわち、バイアス電流信号が供給される。第１上部電極１６１に供給された第２信号は第１上部電極１６１と連結された第２上部電極１６２にも供給される。従って、第１上部電極１６１と第１下部電極１４１との間及び第２上部電極１６２と第２下部電極１４２との間にそれぞれ電気場が発生する。このような電気場により第１上部電極１６１と第１下部電極１４１との間に形成された第１変形層１５１、第２上部電極１６２と第２下部電極１４２との間に形成された第２変形層１５２がそれぞれ変形をおこす。第１変形層１５１及び第２変形層１５２に発生した電気場に対して垂直な方向に収縮する。この場合、第１変形層１５１は下部支持層１３５が位置した方向と反対方向にアクチュエーティングし、第２変形層１５２は上部支持層１６５が位置した方向と反対方向にアクチュエーティングする。すなわち、第１変形層１５１は上方にアクチュエーティングし、第２変形層１５２は下方にアクチュエーティングする。第１変形層１５１と第２変形層１５２のティルティング角度は同一である。第１変形層１５１のティルティング角度の大きさをθとするとき、第１変形層１５１を含む第１アクチュエーティング部１７１はθ大きさのティルティング角度を有し、上方にアクチュエーティングする。また、第２変形層１５２を含む第２アクチュエーティング部１７２はθ大きさのティルティング角度を有して下方にアクチュエーティングする。第１アクチュエーティング部１７１が上方にアクチュエーティングすると、第１アクチュエーティング部１７１と連結された第２アクチュエーティング部１７２も共にθ大きさの角度を有して上方に傾く。この状態で、第２変形層１５２が下方にアクチュエーティングするために第２変形層１５２を含む第２アクチュエーティング部１７２はθ大きさのティルティング角度を有して下方にアクチュエーティングする。それ故に、第２アクチュエーティング部１７２の最終ティルティング角度は２θになる。光源から入射された光を反射する反射部材１９０は第２アクチュエーティング部１７２の上部に形成されているために、２θの大きさの角度を有して傾く。実施例２図１２は本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の平面図であり、図１３は図１２に示す装置をＣ₁−Ｃ₂線で切り取った断面図であり、図１４は図１２に示す装置をＤ₁−Ｄ₂線で切り取った断面図であり、図１５は図１２に示す装置をＥ₁−Ｅ₂線で切り取った断面図である。図１２を参照すると、本発明の第２実施例による薄膜形光路調節装置は基板２００と基板２００の上部に形成されたアクチュエータ２８０、そしてアクチュエータ２８０の上部に形成された反射部材２９５を含む。前記アクチュエータ２８０は、基板２００の一側上部に形成された第１アクチュエーティング部２８１、基板２００の他側上部に形成された第２アクチュエーティング部２８２、第１アクチュエーティング部２８１及び第２アクチュエーティング部２８２と一体で形成された第３アクチュエーティング部２８３を含む。反射部材２９５は第３アクチュエーティング部２８３の一側上部に形成されたポスト２９０により支持され、アクチュエータ２８０を覆うように形成される。望ましくは、反射部材２９５はミラーである。第１アクチュエーティング部２８１及び第２アクチュエーティング部２８２はそれぞれ四角形の形状を有し、互いに並んで形成され、第３アクチュエーティング部２８３は「Ｔ」字の形状を有し、第１アクチュエーティング部２８１、第２アクチュエーティング部２８２、そして第３アクチュエーティング部２８３を含むアクチュエータ２８０は二つの「Ｕ」字が並んで結合された形状を有する。図１３を参照すると、内部に電気的配線（図示せず）が形成された基板２００は、基板２００に内蔵された前記電気的配線の上部に形成された連結端子２０５、基板２００及び連結端子２０５の上部に形成された保護層２１０、保護層２１０の上部に形成された食刻防止層２１５、そして食刻防止層２１５の表面から保護層２１０を通して連結端子２０５まで形成されたプラグ２２０を含む。望ましくは、前記電気的配線はスイッチング動作を遂行するＭＯＳトランジスタを含む。第１アクチュエーティング部２８１は、食刻防止層２１５中下にプラグ２２０及び連結端子２０５が形成された部分に一側下端が取り付けられ他側が第１エアギャップ２３０を介在して食刻防止層２１５と平行に積層された第１下部電極２５１、第１下部電極２５１の他側下端に取り付けられた第１下部支持層２４１、第１下部電極２５１の上部に積層された第１変形層２６１、そして第１変形層２６１の上部に積層された第１上部電極２７１を含む。第２アクチュエーティング部２８２は、第２下部電極２５２が食刻防止層２１５に取り付けられる部分を除くと、第１アクチュエーティング部２８１と同一の形状を有する。図１４を参照すると、第２アクチュエーティング部２８２は、食刻防止層２１５の上部に一側下端が取り付けられ他側が第１エアギャップ２３０を介在して食刻防止層２１５と平行に積層された第２下部電極２５２、第２下部電極２５２の他側下端に取り付けられた第２下部支持層２４２、第２下部電極２５２の上部に積層された第２変形層２６２、そして第２変形層２６２の上部に積層された第２上部電極２７２を含む。図１５を参照すると、第３アクチュエーティング部２８３は、第１エアギャップ２３０を介在して食刻防止層２１５と平行に形成された第３下部電極２５３、第３下部電極２５３の上部に積層された第３変形層２６３、第３変形層２６３の上部に積層された第３上部電極２７３、そして第３上部電極２７３の上部に積層された上部支持層２７５を含む。第３アクチュエーティング部２８３の第３下部電極２５３は第１アクチュエーティング部２８１の第１下部電極２５１及び第２アクチュエーティング部２８２の第２下部電極２５２との間に第１アクチュエーティング部２８１の第１下部電極２５１及び第２アクチュエーティング部２８２の第２下部電極２５２と一体で形成され、第３アクチュエーティング部２８３の第３変形層２６３は、第１アクチュエーティング部２８１の第１変形層２６１及び第２アクチュエーティング部２８２の第２変形層２６２との間に第１アクチュエーティング部２８１の第１変形層２６１及び第２アクチュエーティング部２８２の第２変形層２６２と一体で形成される。また、第３アクチュエーティング部２８３の第３上部電極２７３は、第１アクチュエーティング部２８１の第１上部電極２７１及び第２アクチュエーティング部２８２の第２上部電極２７２との間に第１アクチュエーティング部２８１の第１上部電極２７１及び第２アクチュエーティング部２８２の第２上部電極２７２と一体で形成される。そして、第３アクチュエーティング部２８３の上部支持層２７５の一側上部にはポスト２９０が形成される。反射部材２９５は前記ポスト２９０により中央部が支持される。反射部材２９５の一側は第２エアギャップ２８５を介在して上部支持層２７５と平行であり、反射部材２９５の他側は隣接したアクチュエータの一部分を覆う。望ましくは、反射部材２９５は四角形形状の平板の様子を有する。以下、前述したように構成された本発明の望ましい実施例による薄膜型光路調節装置の製造方法を説明する。図１６ないし図１８Ｃは本発明の第２実施例による前記装置の製造工程図である。図１６を参照すると、内部に電気的配線（図示せず）が形成された基板２００の上部に連結端子２０５を形成する。連結端子２０５は、例えば、タングステンＷなどの金属を使用して形成する。連結端子２０５は前記基板２００に形成された前記電気的配線と電気的に接続される。前記電気的配線及び連結端子２０５は外部から第１信号、すなわち、画像電流信号を受けて前記第１信号を伝達する。望ましくは、前記電気的配線はスイッチング動作を遂行するためのＭＯＳトランジスタを含む。基板２００及び連結端子２０５の上部にはリンシリケートガラス（ＰＳＧ）を使用して保護層２１０が積層される。保護層２１０は化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を用いて１．０〜２．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。保護層２１０は後続する工程の間、前記電気的配線及び連結端子２０５が形成された基板２００が損傷されることを防止する。保護層２１０の上部には食刻防止層２１５が窒化物を使用して１０００〜２０００Å程度の厚さを有するように積層される。食刻防止層２１５は低圧化学気相蒸着ＬＰＣＶＤ方法を利用して形成する。食刻防止層２１５は後続する食刻工程の間保護層２１０及び基板２００が食刻され損傷を受けることを防止する。次いで、食刻防止層２１５中下に連結端子２０５が形成されている部分から食刻防止層２１５中下に連結端子２０５が形成されている部分から食刻防止層２１５及び保護層２１０を食刻した後、タングステンＷまたはチタンＴｉなどの金属を使用してプラグ２２０を形成する。プラグ２２０はスパッタリング方法、または化学気相蒸着方法ＣＶＤを利用して形成される。プラグ２２０は連結端子２０５と電気的に連結される。従って、第１信号は基板２００に形成された前記電気的配線、連結端子２０５、そしてプラグ２２０を通して後に形成される第１下部電極２５１、第２下部電極２５２及び第３下部電極２５３に供給される。食刻防止層２１５及びプラグ２２０の上部にはリンシリケートガラスＰＳＧを使用して犠牲層２２５が積層される。犠牲層２２５は大気圧化学気相蒸着ＡＰＣＶＤの方法を利用して１．０〜２．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。この場合、犠牲層２２５は前記電気的配線及び連結端子２０５が形成された基板２００の上部を覆っているためにその表面の平坦度が大変不良である。従って、犠牲層２２５の表面をスピンオンガラスＳＯＧを使用する方法または、ＣＭＰ(C hemical Mechanical Polishing)方法を利用して平坦化させる。続いて、犠牲層２２５中下に連結端子２０５が形成された部分及びこれと隣接した部分をパターニングして、第１アクチュエーティング部２８１及び第２アクチュエーティング部２８２の支持部が形成される位置を考えてプラグ２２０が形成された部分の周りの食刻防止層２１５の一部を露出させる。図１７Ａは第１アクチュエーティング部２８１の製造工程図であり、図１７Ｂは第２アクチュエーティング部２８２の製造工程図であり、図１７Ｃは第３アクチュエーティング部２８３の製造工程図である。図１７Ａないし図１７Ｃを参照すると、犠牲層２２５の上部に第１フォトレジスタ２４０をコーティングした後、前記第１フォトレジスタ２４０をパターニングして犠牲層２２５中前記食刻防止層２１５の露出された部分と隣接した部分を露出させる。前記露出された犠牲層２２５の上部に窒化物を使用して第１支持層を積層した後、前記第１支持層をパターニングして第１下部支持層２４１及び第２下部支持層２４２を形成する。前記第１支持層は低圧化学気相蒸着ＬＰＣＶＤ方法を利用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成される。この場合、第１下部支持層２４１及び第２下部支持層２４２は後で形成される第１下部電極２５１及び第２下部電極２５２の下部に形成されるようにパターニングされる。前記食刻防止層２１５の露出された部分、第１下部支持層２４１及び第２下部支持層２４２及び犠牲層２２５の上部には下部電極層２５０が積層される。下部電極層２５０は白金Ｐｔ、タンタルＴａ、または白金−タンタルＰｔ−Ｔａなどの金属を使用して積層する。下部電極層２５０はスパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を利用して５００〜２０００Å程度の厚さを有するように形成する。下部電極層２５０は後で第１下部電極２５１及び第２下部電極２５２及び第３下部電極２５３にパターニングされる。下部電極層２５０の上部には変形層２６０が積層される。変形層２６０はＺｎＯ、ＰＺＴ、またはＰＬＺＴなどの圧電物質を使用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。また、変形層２６０はＰＭＮなどの電歪物質を使用して形成することができる。また、変形層２６０はゾル−ゲル（Ｓｏｌ−ｇｅｌ）法、スパッタリング方法または化学気相蒸着ＣＶＤ方法を利用して形成した後、急速熱処理（Rapid Thermal Annealing ：ＲＴＡ）方法を利用して熱処理して相変位させる。次いで、変形層２６０をポーリングさせる。前記で変形層２６０をＺｎＯを使用して形成する場合、変形層２６０を３００℃〜６００℃の低温で形成することができる。また、ＺｎＯを使用して変形層２６０を形成すると、供給される電気場によりポーリングされるために別のポーリング工程が必要でなくなる。変形層２６０は後で第１変形層２６１及び第２変形層２６２及び第３変形層２６３にパターニングされる。上部電極層２７０は変形層２６０の上部に積層される。上部電極層２７０はアルミニウムＡｌ、白金、または、銀Ａｇなどの電気伝導性を有する金属を使用して形成する。上部電極層２７０はスパッタリング方法または化学気相蒸着ＣＶＤ方法を利用して５００〜２０００Å程度の厚さを有するように形成する。上部電極層２７０は後で第１上部電極２７１及び第２上部電極２７２及び第３上部電極２７３にパターニングされる。上部電極層２７０の上部に窒化物を使用して第２支持層を積層した後、前記第２支持層をパターニングして上部支持層２７５を形成する。上部支持層２７５は低圧化学気相蒸着ＬＰＣＶＤ方法を利用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成される。この場合、上部支持層２７５は後で形成される第３上部電極２７３の上部のみに形成されるようにパターニングされる。図１８Ａは図１３に示す第１アクチュエーティング部２８１の製造工程図であり、図１８Ｂは図１４に示す第２アクチュエーティング部２８２の製造工程図であり、図１８Ｃは図１５に示す第３アクチュエーティング部２８３の製造工程図である。図１８Ａないし図１８Ｃを参照すると、上部電極層２７０及び上部支持層２７５の上部に第２フォトレジスタ（図示せず）をコーティングした後、前記第２フォトレジスタをマスクに利用して上部電極層２７０をパターニングして第１上部電極２７１、第２上部電極２７２及び第３上部電極２７３を形成する。次いで、前記第２フォトレジスタを除去する。この場合、第１上部電極２７１及び第２上部電極２７２はそれぞれ四角形の形状を有し互いに並んで形成され、第３上部電極２７３は「Ｔ」字の形状を有し第１上部電極２７１及び第２上部電極２７２との間に第１上部電極２７１及び第２上部電極２７２と連結されるようにパターニングされる。従って、第１上部電極２７１、第３上部電極２７３及び第２上部電極２７２は互いに連結され二つの「Ｕ」字が並んで結合された形状を有する。第１上部電極２７１、第２上部電極２７２及び第３上部電極２７３には共通電極線から第２信号、すなわち、バイアス電流信号が供給される。変形層２６０及び下部電極層２５０も上部電極層２７０をパターニングする方法と同一の方法を使用してパターニングされる。変形層２６０は第１変形層２６１、第２変形層２６２及び第３変形層２６３にパターニングされ、下部電極層２５０は第１下部電極２５１、第２下部電極２５２及び第３下部電極２５３にパターニングされる。第１変形層２６１、第２変形層２６２及び第３変形層２６３は第１上部電極２７１、第２上部電極２７２及び第３上部電極２７３と同一の形状を有する。また、第１下部電極２５１、第２下部電極２５２及び第３下部電極２５３も第１上部電極２７１、第２上部電極２７２及び第３上部電極２７３と同一の形状を有する。第１下部電極２５１、第２下部電極２５及び第３下部電極２５３には基板２００に形成された前記電気的配線、連結端子２０５及びプラグ２２０を通して第１信号が供給される。それで、第１下部電極２５１及び第２下部電極２５２及び第３下部電極２５３に第１信号が供給され、同時に第１上部電極２７１、第２上部電極及び第３上部電極２７３に第２信号が供給されると第１上部電極２７１と第１下部電極２５１との間に電気場が発生する。この電気場により第１変形層２５１が変形をおこす。また、第２上部電極２７２と第２下部電極２５２との間にも電気場が発生し、このような電気場により第２変形層２６２が変形をおこす。そして、第３上部電極２７３と第３下部電極２５３との間にも電気場が発生し、このような電気場により第３変形層２６３が変形をおこす。次いで、第１フォトレジスタ２４０及び犠牲層２２５をフルオル化水素ＨＦ蒸気を使用して食刻する。犠牲層２２５が除去されると、第１エアギャップ２３０が犠牲層２２５の位置に形成される。従って、第１アクチュエーティング部２８１、第２アクチュエーティング部２８２及び第３アクチュエーティング部２８３が完成される。図１８Ｃを参照すると、第１アクチュエーティング部２８１、第２アクチュエーティング部２８２及び第３アクチュエーティング部２８３の上部第３フォトレジスタ（図示せず）をコーティングした後、前記第３フォトレジスタをパターニングして上部支持層２７５の一部を露出させる。次いで、前記露出された上部支持層２７５の上部及び前記第３フォトレジスタの上部にアルミニウム、白金、または銀などの反射性を有する金属を使用してポスト２９０及び反射部材２９５を同時に形成する。反射部材２９５及びポスト２９０はスパッタリング方法、または化学気相蒸着ＣＶＤ方法を使用して形成する。反射部材２９５は５００〜１０００Å程度の厚さを有する。望ましくは、反射部材１９０はミラーである。次いで、前記第３フォトレジスタを食刻して除去する。前記第３フォトレジスタが除去されると、第２エアギャップ２８５が形成される。反射部材２９５は中央部がポスト２９０により支持される平板の形状を有する。反射部材２９５は一側が第２エアギャップ２８５を介在して上部支持層２７５と平行であり、他側が隣接したアクチュエータの一部を覆うように形成される。これにより、上部に反射部材２９５が形成されたアクチュエータ２８０が完成される。以下、本実施例による薄膜形光路調節装置の動作を説明する。本実施例による薄膜形光路調節において、第１下部電極２５１では基板２００に形成された電気的配線、連結端子２０５及びプラグ２２０を通して第１信号、すなわち、画像電流信号が供給される。第１下部電極２５１に供給された第１信号は第１下部電極２５１と連結された第３下部電極２５３にも供給される。同時に、第１上部電極２７１には共通電極線（図示せず）を通して第２信号、すなわち、バイアス電流信号が供給される。第１上部電極２７１に供給された第２信号は第１上部電極２７１と連結された第３上部電極２７３及び第２上部電極２７２にも供給される。従って、第１上部電極２７１と第１下部電極２５１との間、第２上部電極２７２と第２下部電極２５２との間、そして第３上部電極２７３と第３下部電極２５３の間にそれぞれ電気場が発生する。このような電気場により第１上部電極２７１と第１下部電極２５１との間に形成された第１変形層２６１、第２上部電極２７２と第２下部電極２５２との間に形成された第２変形層２６２、そして第３上部電極２７３と第３下部電極２５３との間に形成された第３変形層２６３がそれぞれ変形をおこす。第１変形層２６１及び第２変形層２６２及び第３変形層２６３は発生した電気場に対して垂直な方向に収縮する。第１変形層２６１及び第２変形層２６２はそれぞれ第１下部支持層２４１及び第２下部支持層２４２が位置した方向と反対方向にアクチュエーティングする。第３変形層２６３は上部支持層２７５が位置した方向と反対方向にアクチュエーティングする。すなわち、第１変形層２６１と第２変形層２６２のアクチュエーティング方向は同一であり、第３変形層２６３のアクチュエーティング方向は第１変形層２６１のアクチュエーティング方向と反対になる。すなわち、第１変形層２６１及び第２変形層２６２は同じティルティング角度を有して上方にアクチュエーティングし、第３変形層２６３は同じティルティング角度を有してアクチュエーティングする。第１変形層２６１のティルティング角度の大きさをθとするとき、第１変形層２６１を含む第１アクチュエーティング部２８１はθ大きさのティルティング角度を有し、上方にアクチュエーティングする。同時に、第２変形層２６２を含む第２アクチュエーティング部２８２はθ大きさのティルティング角度を有して上方にアクチュエーティングする。第１アクチュエーティング部２８１と第２アクチュエーティング部２８２が上方にアクチュエーティングすると、第１アクチュエーティング部２８１及び第２アクチュエーティング部２８２と連結された第３アクチュエーティング部２８３も共にθ大きさの角度を有して上方に傾く。この状態で、第３変形層２６３が下方にアクチュエーティングするために第３変形層２６３を含む第３アクチュエーティング部２８３はθ大きさのティルティング角度を有して下方にアクチュエーティングする。それ故に、第３アクチュエーティング部２８３の最終ティルティング角度は２θになる。光源から入射された光を反射する反射部材２９５は第３アクチュエーティング部２８３の上部に形成されているために、２θの大きさの角度を有して傾く。実施例３図１９は本発明の第３実施例による薄膜型光路調節装置の平面図であり、図２０は図１９に示す装置をＦ₁−Ｆ₂線で切り取った断面図であり、図２１は図１９に示す装置をＧ₁−Ｇ₂線で切り取った断面図であり、図２２は図１９に示す装置をＨ₁−Ｈ₂線で切り取った断面図であり、図２３は図１９に示す装置をＩ₁−Ｉ₂ 線で切り取った断面図である。図１９を参照すると、本発明の第３実施例による薄膜形光路調節装置は基板３００と基板３００の上部に形成されたアクチュエータ３９０、そしてアクチュエータ３９０の上部に形成された反射部材４００を含む。前記アクチュエータ３９０は、基板３００の両側上部にそれぞれ形成された第１アクチュエーティング部３９１及び第２アクチュエーティング部３９２、第１アクチュエーティング部３９１と一体で形成された第４アクチュエーティング部３９４、そして第３アクチュエーティング部３９３及び第４アクチュエーティング部３９４と一体で形成された第５アクチュエーティング部３９５を含む。第１アクチュエーティング部３９１及び第２アクチュエーティング部３９２はそれぞれ四角形の形状を有し、互いに並んで形成され、第３アクチュエーティング部３９３は「Ｌ」字の形状を有し、第５アクチュエーティング部３９５は「Ｔ」字の形状を有する。それで、第１アクチュエーティング部３９１、第２アクチュエーティング部３９２、第３アクチュエーティング部３９３、第４アクチュエーティング部３９４、そして第５アクチュエーティング部３９５を含むアクチュエータ３９０は「Ｕ」字、「Ｔ」字そして「Ｕ」字が順に結合された形状を有する。反射部材４００は、第５アクチュエーティング部３９５の一側上部に形成されたポスト３９５により支持され、アクチュエータ３９０を覆うように形成される。望ましくは、反射部材４００は四角形の形状を有する。図２０を参照すると、内部に電気的配線（図示せず）が形成された基板３００は、基板３００に形成された前記電気的配線の上部に形成された連結端子３０５、基板３００及び連結端子３０５の上部に形成された保護層３１０、保護層３１０の上部に形成された食刻防止層３１５、そして食刻防止層３１５の表面から保護層３１０を通して連結端子３０５まで形成されたプラグ３２０を含む。望ましくは、前記電気的配線及び連結端子は外部から第１信号、すなわち、画像電流信号を受けて前記第１信号を伝達する。第１アクチュエーティング部３９１は、食刻防止層３１５中下にプラグ３２０及び連結端子３０５が形成された部分に一側下端が取り付けられ他側が第１エアギャップ３３０を介在して食刻防止層３１５と平行に積層された第１下部電極３５１、第１下部電極３５１の他側下端に取り付けられた第１下部支持層３４１、第１下部電極３５１の上部に積層された第１変形層３６１、そして第１変形層３６１の上部に積層された第１上部電極３７１を含む。第２アクチュエーティング部３９２は、第２下部電極３５２が食刻防止層３１５に取り付けられる部分を除くと、第１アクチュエーティング部３９１と同一の形状を有する。図２１を参照すると、第２アクチュエーティング部３９２は、食刻防止層３１５の上部に一側下端が取り付けられ他側が第１エアギャップ３３０を介在して食刻防止層３１５と平行に積層された第２下部電極３５２、第２下部電極３５２の他側下端に取り付けられた第２下部支持層３４２、第２下部電極３５２の上部に積層された第２変形層３６２、そして第２変形層３６２の上部に積層された第２上部電極３７２を含む。第３アクチュエーティング部３９３と第４アクチュエーティング部３９４は同一の形状及び同一の部材を有する。図２２を参照すると、第３アクチュエーティング部３９３は、第１エアギャップ３３０を介在して食刻防止層３１５と平行に形成された第３下部電極３５３、第３下部電極３５３の上部に積層された第３変形層３６３、第３変形層３６３の上部に積層された第３上部電極３７３、そして第３上部電極３７３の上部に積層された第１上部支持層３８１を含む。第３アクチュエーティング部３９３の第３下部電極３５３は第１アクチュエーティング部３９１の第１下部電極３５１と一体で形成され、第３アクチュエーティング部３９３の第３変形層３６３は第１アクチュエーティング部３９１の第１変形層３６１と一体で形成される。また、第３アクチュエーティング部３９３の第３上部電極３７３は第１アクチュエーティング部３９１の第１上部電極３７１と一体で形成される。第４アクチュエーティング部３９４は第１エアギャップ３３０を介在して食刻防止層３１５と平行に形成された第４下部電極３５４、第４下部電極３５４の上部に積層された第４変形層３６４、第４変形層３６４の上部に積層された第４上部電極３７４、そして第４上部電極３７４の上部に積層された第２上部支持層３８２を含む。第４アクチュエーティング部３９４の第４下部電極３５４は第２アクチュエーティング部３９２の第２下部電極３５２と一体で形成され、第４アクチュエーティング部３９４の第４変形層３６４は第２アクチュエーティング部３９２の第２変形層３６２と一体で形成される。また、第４アクチュエーティング部３９４の第４上部電極３７４は第２アクチュエーティング部３９２の第２上部電極３７２と一体で形成される。図２３を参照すると、第５アクチュエーティング部３９５は、第１エアギャップ２３０を介在して食刻防止層３１５と平行に形成された第３下部支持層３４３、第３下部支持層３４３の上部に形成された第５下部電極３５５、第５下部電極３５５の上部に形成された第５変形層３６５、第５変形層３６５の上部に形成された第５上部電極３７５を含む。第５アクチュエーティング部３９５の第５下部電極３５５は、第３アクチュエーティング部３９３の第３下部電極３５３及び第４アクチュエーティング部３９４の第４下部電極３５４との間に第３アクチュエーティング部３９３の第３下部電極３５３及び第４アクチュエーティング部３９４の第４下部電極３５４と一体で形成され、第５アクチュエーティング部３９５の第５変形層３６５は、第３アクチュエーティング部３９３の第３変形層３６３及び第４アクチュエーティング部３９４の第４変形層３６４との間に第３アクチュエーティング部３９３の第３変形層３６３及び第４アクチュエーティング部３９４の第４変形層３６４と一体で形成される。また、第５アクチュエーティング部３９５の第５上部電極３７５は、第３アクチュエーティング部３９３の第３上部電極３７３及び第４アクチュエーティング部３９４の第４上部電極３７４との間に第３アクチュエーティング部３９３の第３上部電極３７３及び第４アクチュエーティング部３９４の第４上部電極３７４との間に第３アクチュエーティング部３９３の第３上部電極３７３及び第４アクチュエーティング部３９４の第４上部電極３７４と一体で形成される。そして、第５アクチュエーティング部３９５の第５上部電極３７５の一側上部にはポスト３９０が形成される。反射部材４００は前記ポスト３９０により中央部が支持される。反射部材４００の一側は第２エアギャップ３９５を介在して第５上部電極３７５と平行であり、反射部材４００の他側は隣接したアクチュエータの一部分を覆う。望ましくは、反射部材４００はミラーである。本発明の第３実施例において、第１アクチュエーティング部３９１及び第２アクチュエーティング部３９２の製造方法は図１７Ａ及び図１７Ｂに示した本発明の第２実施例と同一である。第３アクチュエーティング部３９３及び第４アクチュエーティング部３９４の製造方法は、図１７Ｃに示した本発明の第２実施例と同一である。また、第５アクチュエーティング部３９５の製造方法は支持層及びミラーの位置を除くと図１８Ｃに示した本発明の第２実施例と同一である。以下、前述したように構成された本発明の第３実施例による薄膜型光路調節装置の動作を説明する。本実施例による薄膜型光路調節装置において、電気場が発生して第１変形層３６１、第２変形層３６２、第３変形層３６３、第４変形層３６４そして第５変形層３６５がティルティングされる過程は第２実施例の場合と同一である。第１変形層３６１、第２変形層３６２及び第５変形層３６５はそれぞれ第１下部支持層３４１、第２下部支持層３４２及び第３下部支持層３４３が位置した方向と反対方向にアクチュエーティングする。第３変形層３６３及び第４変形層３６４はそれぞれ第１上部支持層３８１及び第２上部支持層３８２が位置した方向と反対方向にアクチュエーティングする。それで、第１変形層３６１、第２変形層３６２及び第５変形層３６５のティルティング方向は同一であり、第３変形層３６３及び第４変形層３６４のティルティング方向は第１変形層３６１のティルティング方向と反対になる。すなわち、第１変形層３６１、第２変形層３６２及び第５変形層は同じティルティング角度を有して上方に傾く。それ故に、第５アクチュエーティング部３９５の最終ティルティング角度は３θになる。光源から入射された光を反射する反射部材４００は第５アクチュエーティング部３９５の上部に形成されているために、３θ大きさの角度を有して傾く。本発明による第１実施例、第２実施例及び第３実施例は同じ方法を適用する場合、７個のアクチュエーティング部を有するアクチュエータを使用して４θのティルティング角度を有する薄膜形光路調節装置が製造できる。また、９個のアクチュエーティング部を有するアクチュエータを使用して５θのティルティング角度を有する薄膜形光路調節装置が製造できる。このような方法でより多くのアクチュエーティング部を有するアクチュエータを使用してより多くのティルティング角度を有する薄膜形光路調節装置が製造できることを分かる。以上で説明したように、本発明による薄膜形光路調節装置は、隣り合うアクチュエーティング部が互いに反対方向に駆動する複数個のアクチュエーティング部を含むアクチュエータを形成することにより、制限された面積内で従来の光路調節装置により２〜３倍以上のティルティング角度を有して反射部材を駆動できる。従って、光源から入射される光の光効率を高めることができ、スクリーンに投影される画像のコントラストを向上させ明るくて鮮明な画像を結ぶことができる。また、システムの設計においても光源とスクリーンとの間隔を広くしてシステムの間隔を広くしてシステムの設計を容易にできる効果がある。なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲内において種々の改変をなし得ることは無論である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＵ，ＢＲ，ＣＡ，ＣＮ，ＪＰ，ＭＸ，ＰＬ，ＲＵ

Claims

【特許請求の範囲】１．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的配線及び連結端子を含む基板と、ｉ）前記第１信号が供給される第１下部電極と、ii）前記第１下部電極に対応し、第２信号を受けて電気場を発生する第１上部電極、iii）前記第１下部電極と前記第１上部電極との間に形成され、前記電気場により変形をおこす第１変形層と、iv）前記第１下部電極の一側下端に形成された下部支持層を含む第１アクチュエーティング部と、ａ）前記第１下部電極と一体で形成された第２下部電極、ｂ）前記第１上部電極と一体で形成され前記第１信号が供給され電気場を発生させる第２上部電極、ｃ）前記第１変形層と一体で形成され前記電気場により変形をおこす第２変形層と、ｄ）前記第２上部電極の上部に形成された上部支持層を含み、前記第１アクチュエーティング部と一体で形成され、前記第１アクチュエーティング部と反対で駆動する第２アクチュエーティング部を含むアクチュエータと、前記第２アクチュエーティング部の上部に形成された反射手段を含み、前記第１信号及び前記第２信号により駆動することを特徴とする薄膜形光路調節装置。２．前記第１下部電極及び前記第２下部電極は電気伝導性を有する金属を使用して形成され、前記第１変形層及び前記第２変形層は圧電物質、または電歪物質を使用して形成され、前記第１上部電極及び前記第２上部電極は電気伝導性を有する金属を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１に記載の薄膜形光路調節装置。３．前記第１下部電極及び前記第２下部電極は白金Ｐｔ、タンタルＴａ、または白金−タンタルＰｔ−Ｔａを使用して形成され、前記第１変形層及び前記第２変形層はＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮを使用して形成され、前記第１上部電極及び前記第２上部電極はアルミニウム、白金、または銀を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１に記載の薄膜形光路調節装置。４．前記第１変形層及び第２変形層はＺｎＯを使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１に記載の薄膜形光路調節装置。５．前記下部支持層及び前記上部支持層は硬質の物質を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１に記載の薄膜形光路調節装置。６．前記下部支持層及び前記上部支持層は金属または窒化物を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲５に記載の薄膜形光路調節装置。７．前記第２アクチュエーティング部は、前記上部支持層の一側上部に形成され前記反射部材を支持するポストをさらに含み、前記反射手段は反射性を有する金属を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１に記載の薄膜形光路調節装置。８．前記反射手段はアルミニウム、白金、または銀を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲７に記載の薄膜形光路調節装置。９．前記アクチュエータは「Ｕ」字の形状を有することを特徴とする、請求の範囲１に記載の薄膜形光路調節装置。１０．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的配線及び連結端子を含む基板と、前記基板の一側上部に形成され前記第１信号が供給される第１下部電極、前記第１下部電極に対応して形成され第２信号が供給され電気場を発生する第１上部電極、前記第１下部電極と前記第１上部電極との間に形成され前記電気場により変形をおこす第１変形層及び前記第１下部電極の一側下端に形成された第１下部支持層を含む第１アクチュエーティング部と、前記基板の他側上部に形成され前記第１信号が供給される第２下部電極、該第２下部電極に対応して形成され、前記第２信号が供給され電気場を発生する第２上部電極と、前記第２上部電極と前記第２下部電極との間に形成され、前記電気場により変形をおこす第２変形層及び前記第２下部電極の一側下端に形成された第２下部支持層を含み、前記第１アクチュエーティング部と同じ方向に駆動する第２アクチュエーティング部と、前記第１下部電極及び前記第２下部電極と一体で形成され前記第１信号が供給される第３下部電極、前記第１上部電極及び前記第２上部電極と一体で形成され、前記第２信号が供給され電気場を発生する第３上部電極、前記第１変形層及び前記第２変形層と一体で形成され前記電気場により変形をおこす第３変形層及び前記第３上部電極の上部に形成された上部支持層を含み、前記第１アクチュエーティング部と反対方向に駆動する第３アクチュエーティング部を含むアクチュエータと、前記第３アクチュエーティング部の上部に形成された反射手段を含み、前記第１信号及び前記第２信号により駆動することを特徴とする薄膜形光路調節装置。１１．前記第１下部電極、前記第２下部電極及び第３下部電極は電気伝導性を有する金属を使用して形成され、前記第１変形層、前記第２変形層及び前記第３変形層は圧電物質、または電歪物質を使用して形成され、前記第１上部電極、前記第２上部電極及び前記第３上部電極は電気伝導性を有する金属を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１０に記載の薄膜形光路調節装置。１２．前記第１下部電極、前記第２下部電極及び前記第３下部電極は白金Ｐｔ、タンタルＴａ、または白金−タンタルＰｔ−Ｔａを使用して形成され、前記第１変形層、前記第２変形層及び前記第３変形層はＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮを使用して形成され、前記第１上部電極、前記第２上部電極及び前記第３上部電極はアルミニウム、白金、または銀を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１０に記載の薄膜形光路調節装置。１３．前記第１変形層、前記第２変形層及び前記第３変形層はＺｎＯを使用して形成されることを特徴とする、ことを特徴とする、請求の範囲１０に記載の薄膜形光路調節装置。１４．前記第１下部支持層、前記第２下部支持層及び前記上部支持層はそれぞれ硬質の物質を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１０に記載の薄膜形光路調節装置。１５．前記第１下部支持層、前記第２下部支持層及び前記上部支持層はそれぞれ金属または窒化物を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１０に記載の薄膜形光路調節装置。１６．前記第３アクチュエーティング部は、前記上部支持層の一側上部に形成され前記反射部材を支持するポストをさらに含み、前記反射手段は反射性を有する金属を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１０に記載の薄膜形光路調節装置。１７．前記アクチュエータは、二つの「Ｕ」字が並んで結合された形状を有することを特徴とする、請求の範囲１に記載の薄膜形光路調節装置。１８．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的配線及び連結端子を含む基板と、前記基板の一側上部に形成され前記第１信号が供給される第１下部電極、前記第１下部電極に対応して形成され第２信号が供給され電気場を発生する第１上部電極、前記第１下部電極と前記第１上部電極との間に形成され前記電気場により変形をおこす第１変形層及び前記第１下部電極の一側下端に形成された第１下部支持層を含む第１アクチュエーティング部と、前記基板の他側上部に形成され前記第１信号が供給される第２下部電極、該第２下部電極に対応して形成され、前記第２信号が供給され電気場を発生する第２上部電極と、前記第２上部電極と前記第２下部電極との間に形成され、前記電気場により変形をおこす第２変形層及び前記第２下部電極の一側下端に形成された第２下部支持層を含み、前記第１アクチュエーティング部と同じ方向に駆動する第２アクチュエーティング部と、前記第１下部電極及び前記第２下部電極と一体で形成され前記第１信号が供給される第３下部電極、前記第１上部電極及び前記第２上部電極と一体で形成され、前記第２信号が供給され電気場を発生する第３上部電極、前記第１変形層及び前記第２変形層と一体で形成され前記電気場により変形をおこす第３変形層及び前記第３上部電極の上部に形成された第１上部支持層を含み、前記第１アクチュエーティング部と反対方向に駆動する第３アクチュエーティング部と、前記第２下部電極と一体で形成され前記第１信号が供給される第４下部電極、前記第２上部電極と一体で形成され、前記第２信号が供給され電気場を発生する第４上部電極、前記第１変形層と一体で形成され前記電気場により変形をおこす第４変形層及び前記第４上部電極の上部に形成された第２上部支持層を含み、前記第２アクチュエーティング部と反対方向に駆動する第４アクチュエーティングと、前記第３下部電極及び前記第４下部電極と一体で形成され前記第１信号が供給される第５下部電極、前記第３上部電極及び前記第４上部電極と一体で形成され、前記第２信号が供給され電気場を発生する第５上部電極、前記第３変形層及び前記第４変形層と一体で形成され前記電気場により変形をおこす第５変形層及び前記第５下部電極の一側下端に形成された第３下部支持層を含み、前記第１アクチュエーティング部と反対方向に駆動する第５アクチュエーティング部を含むアクチュエータと、前記第５アクチュエーティング部の上部に形成された反射手段を含み、前記第１信号及び前記第２信号により駆動することを特徴とする薄膜形光路調節装置。１９．前記第１下部電極、前記第２下部電極、第３下部電極、第４下部電極及び第５下部電極は電気伝導性を有する金属を使用して形成され、前記第１変形層、前記第２変形層、前記第３変形層、前記第４変形層及び前記第５変形層は圧電物質、または電歪物質を使用して形成され、前記第１上部電極、前記第２上部電極及び前記第３上部電極、第４上部電極及び第５上部電極は電気伝導性を有する金属を使用して形成され、前記反射手段は反射性を有する金属を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１８に記載の薄膜形光路調節装置。２０．前記第１下部支持層、前記第２下部支持層、前記第３下部支持層、前記第１上部支持層及び前記第２上部支持層はそれぞれ金属または窒化物を使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１８に記載の薄膜形光路調節装置。２１．前記第１変形層、前記第２変形層、前記第３変形層、前記第４変形層及び前記第５変形層はＺｎＯ、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮを使用して形成されることを特徴とする、請求の範囲１８に記載の薄膜形光路調節装置。２２．前記アクチュエータは、「Ｕ」字、「Ｔ」字、そして「Ｕ」が順に結合された形状を有することを特徴とする、請求の範囲１８に記載の薄膜形光路調節装置。２３．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的配線及び連結端子を含む基板を提供する工程と、前記基板上に第１支持層を形成したと、前記第１支持層をパターニングして前記基板の一部上に下部支持層を形成する工程と、前記下部支持層及び前記基板上に下部電極層、変形層、上部電極層を形成する工程と、前記上部電極層をパターニングして第２信号が供給され電気層を発生させる第１上部電極及び第２上部電極を形成する工程と、前記変形層をパターニングして前記電気場により変形をおこす第１変形層及び第２変形層を形成する工程と、前記下部電極層をパターニングして前記第１信号が供給され下端に前記下部支持層が取り付けられた第１下部電極及び前記第１信号が供給され前記基板の一部上に第２下部電極を形成する工程と、前記第２上部電極の上部に第２支持層を形成した後、前記第２支持層を上部支持層にパターニングする工程と、前記上部支持層の上部に反射手段を形成する工程を含み、前記第１信号及び前記第２信号により駆動することを特徴とする薄膜形光路調節方法。２４．前記第１支持層を形成する工程は、前記アクチブマトリクスの上部に犠牲層を形成する工程及び前記犠牲層をパターニングして前記基板上前記連結端子が形成された部分を露出させる工程後に遂行されることを特徴とする、請求の範囲２３に記載の薄膜形光路調節方法。２５．前記犠牲層を形成する工程は、前記犠牲層の表面をスピンオンガラスＳＯＧを使用する方法、またはＣＭＰ方法を利用して平坦化させる工程をさらに含むことを特徴とする、請求の範囲２４に記載の薄膜形光路調節方法。２６．前記第１支持層及び前記第２支持層を形成する工程は金属または窒化物を低圧化学気相蒸着方法を利用して遂行されることを特徴とする、請求の範囲２３に記載の薄膜形光路調節方法。２７．前記下部電極層及び前記上部電極層を形成する工程は白金、タンタル、または白金−タンタルをスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行することを特徴とする、請求の範囲２３に記載の薄膜形光路調節方法。２８．前記変形層を形成する工程はＺｎＯ、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮをゾル−ゲル法、スパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行することを特徴とする、請求の範囲２３に記載の薄膜形光路調節方法。２９．前記反射手段を形成する工程はアルミニウム、白金または銀をスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行することを特徴とする、請求の範囲２３に記載の薄膜形光路調節方法。