JP2002511153A - 薄膜型光路調節装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 薄膜型光路調節装置及びその製造方法が開示されている。前記装置は、電気的な配線及び連結端子が形成された基板、前記基板の上部に形成された支持層、前記支持層の上部に形成されて第１信号が印加される下部電極、前記下部電極に対応して形成されて第２信号が印加されて電気場を発生させる上部電極及び前記上部電極と前記下部電極との間に形成されて前記電気場によって変形を起こす変形層を含むアクチュエータ、前記基板の一側に形成されて前記上部電極と連結して、第２信号を前記上部電極に印加する共通電極線、そして前記上部電極の上部に形成されて光束を反射する反射手段を含む。前記装置は基板上部の連結端子が形成された部分を避けてアクチュエータを形成した後、連結部材を通じて連結端子から下部電極に第１信号を印加するために、基板に形成された電気的な配線及び連結端子が損傷を受けることを最小化できる。また、アクチュエータの一側に厚く共通電極を形成することによって、共通電極内部の抵抗による電圧降下を最小化して上部電極に変形層変形を起こすのに必要な充分の電流を印加できる。そして、第２犠牲層を塗布して２個のポストを通じて反射部材を支持することによって、反射部材の水平度を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 薄膜型光路調節装置及びその製造方法発明の分野 本発明は薄膜型光路調節装置及びその製造方法に関するもので、より詳細には アクチュエータの上部電極及び下部電極の電気配線を安定化して、基板に内蔵さ れた電気的な配線の損傷を防止できて、第２犠牲層を利用して反射部材を形成す ることで反射部材の水平度を向上させて光効率を向上させることができる薄膜型 光路調節装置及びその製造方法に関したものである。 一般的に光束を調節して画像を形成できる光路調節装置は大きく二種類で区分 される。その一種類は直視型画像表示装置でCRT(Cathode Ray Tube)などがあっ て、他の一種類は投射型画像表示装置で液晶表示装置(Liquid Crystal Display ：LCD)、またはDMD(Deformable Mirror Device)、AMAなどがこれに該当する。前 記CRT装置は画像の質は優秀だけれど画面の大型化によって装置の重量と容積が 増加してその製造費用が上昇するようになる問題点がある。これに比べて液晶表 示装置(LCD)は光学的構造が簡単で薄く形成できてその重量及び容積を減らすこ とができる長所がある。しかし前記液晶表示装置(LCD)は入射される光束の偏光 によって１〜２％の光効率を有する程に効率が低下されて、液晶物質の応答速度 がのろくて内部が過熱されやすい問題点がある。 したがって前記問題点を解決するためにDMD、またはAMAなどの画像表示装置が 開発された。現在、DMD装置が５％程度の光効率を有することに比べてAMA装置は １０％以上の光効率を得ることができる。またAMA装置はコントラスト(contrast )を向上させてより明るくて鮮明な画像を結ばれることができて、入射される光 束の極性に影響を受けないだけでなく反射される光束の極性に影響をおよぼすこ ともない。このようなGregory Umによる米国特許第５，１２６，８３６号に開示 されたAMAのエンジンシステムの概略図を第１図に図示した。 第１図に図示したように、光源１から入射された光束は第１スリット３及び第 １レンズ５をすぎながらR・G・B(Red・Green・Blue)表色界によって分光される 。 前記R・G・B別に分光された光束はそれぞれ第１鏡７、第２鏡９及び第３鏡１１ によって反射されてそれぞれの鏡に対応して設置されたAMA素子ら１３，１５， １７に入射される。前記R・G・B別に形成されたAMA素子ら１３，１５，１７はそ れぞれ内部に備わった鏡を所定の角度で傾斜するようにして入射された光束を反 射させる。この時、前記鏡は鏡の下部に形成された変形層(active layer)の変形 によって傾けるようになる。前記AMA素子ら１３，１５，１７から反射された光 は第２レンズ１９及び第２スリット２１を通過した後、投影レンズ２３によって スクリーン(図示せず)に投影されて画像を結ぶようになる。 前記変形層の構成物質としては大部分の場合酸化亜鉛(ZnO)が使われる。しか し、ＰＺＴ(lead zirconate titanate、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ₃)が酸化亜鉛より 優秀な圧電特性を有するという事実が近来に知らされてきた。前記ＰＺＴはＰｂ ＺｒＯ₃とＰｂＴｉＯ₃の完全固溶体(solid solution)として高温では決定構造が 立方晶(cubic)の常誘電層(paraelectric phase)で存在して、常温ではＺｒとＴ ｉの造成比によって決定構造が斜方晶(orthorhombic)の反強誘電層(antiferroel ectric phase)、菱面体晶(rhombohedral)の強誘電層(ferroelectric phase)、そ して正方晶(tetragonal)の強誘電層で存在する。 ＰＺＴはＺｒとＴｉの造成比が約１：１の造成で正方晶相(tetragonal phase) と菱面体晶相(rhombohedral phase)の相境界(morphotropic phase boundary：MP B)があって、ＰＺＴは前記相境界（ＭＰＢ）の造成で最大の誘電特性(dielectri c property)及び圧電特性を表す。前記相境界は特定造成に位置せずに比較的広 い造成範囲にわたり正方晶相と菱面体晶相が共存する領域されており、相共存領 域(phase coexistent region)は研究者によって２〜３mol％から１５mol％に至 るまでそれぞれ違うように報告されている。このような相共存の原因としては熱 力学的安定性(thermodynamic stability)、造成の不均一性(compositional fluc tuation)、内部応力(internal stress)などの色々な理論が提示されている。現 在、ＰＺＴ薄膜(thin film)はスピンコーティング(spin coating)方法、化学気 相蒸着(Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ)方法、スパッタリング(sputtering )方法などのような多様な工程を利用して製造できる。 このような光路調節装置であるＡＭＡは大きくバルク(bulk)型と薄膜(thin fi lm)型で区分される。前記バルク型光路調節装置はDae-Young Limによる米国特許 第５，４６９，３０２号に開示されている。前記バルク型光路調節装置は多層セ ラミックを薄く切断して内部に金属電極が形成されたセラミックウェーハを(waf er)をトランジスターが内蔵されたアクティブマトリックス(active matrix)上に 装着した後、ソーイング(sawing)方法で加工しその上部に鏡を設置してなされる 。しかしバルク型光路調節装置は設計及び製造において高い精密度が要求され変 形層の応答速度が遅いという問題点がある。これにより半導体工程を利用して製 造できる薄膜型光路調節装置が開発された。 前記薄膜型光路調節装置は本出願人が米国に出願した特許出願第０８／３３１ ，３９９号(発明の名称：薄膜型光路調節装置及びその製造方法(THIN FILM ACTU ATED MIRROR ARRAY AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF))に開示されてい る。 第２図は前記薄膜型光路調節装置の断面図を示す。第２図を参照すれば、前記 薄膜型光路調節装置はアクティブマトリックス(active matrix)３０、アクティ ブマトリックス３０の上部に形成されたアクチュエータ(actuator)５０、そして アクチュエータ５０の上部に形成された鏡(mirror)５３を含む。 アクティブマトリックス３０は、M×N(M、Nは整数)個のトランジスター(図示 せず)が内蔵された基板(substrate)３３、そしてそれぞれのトランジスター等の 上部に形成されたM×N個の接続端子(connecting terminal)３５を含む。 アクチュエータ５０は、アクティブマトリックス３０の上部の中、接続端子３ ５が形成された部分の上部に形成された支持部(supporting member)３９、一側 下端が支持部３９に付着されて他側にアクティブマトリックス３０と平行するよ うに形成された第２電極(second electrode)４１、支持部３９の内部に接続端子 ３５と第２電極４１を連結するように形成された電導管(conduit)３７、第２電 極４１の上部に形成された変形層(active layer)４３、そして変形層４３の上部 に形成された第１電極(first electrode)４７を含む。 鏡５３は第１電極４７の上部に形成されて光源から入射される光を反射する。 以下前記薄膜型光路調節装置の製造方法を説明する。第３A図ないし第３C図は 第２図に図示した装置の製造工程図である。第３A図ないし第３C図において、第 ２図と同じ部材らに対しては同じ参照番号を使用する。 第３A図を参照すれば、まず、M×N個のトランジスターら(図示せず)が上部に 形成された基板３３と前記トランジスター等の上部に各々形成されたM×N個の接 続端子３５を含むアクティブマトリックス３０を提供する。次に、アクティブマ トリックス３０の上部に犠牲層(sacrificial layer)５５を形成した後、犠牲層 ５５をパターニングしてアクティブマトリックス３０の中、上部にM×N個の接続 端子３５が形成された部分を露出させる。 犠牲層５５は後に、食刻(etchig)、または化学薬品(chemials)を使用して除去 できる。 第３B図を参照すれば、前記露出されたM×N個の接続端子３５が形成された部 分にスパッタリング(sputtering)方法、または化学気相蒸着(Chemical Vapor De position)方法を使用して支持部３９を形成する。続いて、支持部３９の内部に ホール(hole)を作った後、前記ホールの内部に例えば、タングステン(W)などの 伝導性物質(electrically conductive material)を満たして電導管(conduit)３ ７を形成する。電導管３７は後に形成される第２電極４１と接続端子３５を電気 的に連結する。 内部に電導管３７が形成された支持部３９の上部及び犠牲層５５の上部にたと えば、金(Au)または銀(Ag)などの伝導性物質を使用して第２電極４１を形成する 。 続けて、第２電極４１の上部に例えば、PZT(1ead zirconate titanate)などの 圧電物質を使用して変形層４７を形成する。そして、変形層４７の上部に例えば 、金または銀等の伝導性物質を使用して第１電極４７を形成する。画像信号電流 はアクティブマトリックス３０に内蔵されたトランジスターら、接続端子３５及 び電導管３７を通じて第２電極４１に印加する。同時に第１電極４７にはアクテ ィブマトリックス３０の後面に形成された共通電極線(図示せず)からバイアス電 流が印加されて、第１電極４７と第２電極４１の間に電気場(electric field)が 発生する。この電気場によって第１電極４７と第２電極４１の間に形成された変 形層４７がティルティング(tilting)するようになる。第１電極４７の上部には 光源から入射される光に反射する鏡５３が形成する。 第３C図を参照すれば、鏡５３、第１電極４７、変形層４５、第２電極４１を 順にパターニングしてM×N個の所定の形状を有する画素(pixel)を形成する。続 いて、犠牲層５５を除去した後、前記画素を洗浄及び乾燥して薄膜型光路調節装 置を完成する。 しかし、前記薄膜型光路調節装置において、前記鏡の中、一部だけを駆動して 光源から入射される光束を反射させるために、反射される光束の反射角度が小さ く鏡の面積に比べて光効率が劣ってスクリーンに投影される画像の画質が低下さ れる問題点がある。また、上部電極にバイアス電流を印加するためのアクティブ マトリックスの後面をすぎる共通電極線が非常に薄く形成されることによってそ の内部抵抗が高くて電圧降下が発生して上部電極に充分のバイアス電流を印加で きない問題点がある。したがって、上部電極と下部電極の間に充分の電気場が発 生できなくアクチュエータのティルティング角度が低下される問題点がある。さ らに、アクチュエータがアクティブマトリックスに内蔵されたトランジスターの 上部に形成されるためにアクチュエータを形成する間トランジスターが損傷を受 ける問題点がある。発明の要約 したがって、本発明の第一の目的は上部に反射部材が装着されたアクチュエー タの一側に共通電極線を厚く形成してその内部の抵抗による電圧降下を防止して 、基板の中、電気的な配線及び連結端子が形成された部分と隣接した部分の上部 にアクチュエータを形成することによって、基板に形成された前記電気的な配線 及び連結端子の損傷を防止できて、第２犠牲層を利用して反射部材を形成するこ とによって反射部材の水平度を向上させることができる薄膜型光路調節装置を提 供することにある。 本発明の第２の目的は前述した薄膜型光路調節装置の製造方法を提供すること にある。 前述した本発明の第一の目的を達成するために本発明は基板、前記基板の上部 に形成されたアクチュエータ、前記アクチュエータの一側に形成された共通電極 線、そして前記アクチュエータの上部に形成された反射部材を含む薄膜型光路調 節装置を提供する。 前記基板は外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及 び前記電気的な配線の上部に形成された連結端子を含む。前記アクチュエータは 、前記基板の上部に形成された支持層、前記支持層の上部に形成されて前記第１ 信号が印加される下部電極、前記下部電極に対応して形成されて第２信号が印加 されて電気場を発生させる上部電極及び前記上部電極と前記下部電極の間に形成 されて前記電気場によって変形を起こす変形層を含む。 前記共通電極線は前記アクチュエータの一側に形成されて前記上部電極と連結 して前記第２信号を前記上部電極に印加する。前記反射部材は前記上部電極の上 部に形成されて光束を反射する。 前記下部電極は前記支持層の中央部上に形成されて、前記変形層は前記下部電 極より小さな面積を有して、前記上部電極は前記変形層より小さな面積を有する 。前記アクチュエータは前記支持層の一側に前記支持層から前記連結端子まで形 成されたブァイアホール内部に形成されて前記連結端子から前記下部電極に前記 第１信号電流を印加するブァイアコンタクト、そして前記ブァイアコンタクトと 前記下部電極とを連結する連結部材をさらに含む。 望ましくは、前記ブァイアコンタクト及び前記連結部材は電気伝導性を有する 金属の白金、タンタルまたは白金-タンタルを使用して形成されて、前記共通電 極線は電気伝導性を有する金属の白金、タンタル、白金-タンタル、アルミニウ ム、または銀を使用して０．５〜２．０μmの厚さを有するようにする。 前記支持層は硬質の物質を使用して形成されて、前記下部電極は電気伝導性を 有する物質を使用して形成されて、前記変形層は圧電物質または電歪物質を使用 して形成されて、前記上部電極は電気伝導性を有する物質を使用して形成される 。前記上部電極は前記上部電極の一側上部と前記反射部材の間に形成されて前記 反射部材を支持するポストをさらに含んで、前記反射部材は四角形の形状を有す る。前記反射部材は反射性を有する金属を使用して形成される。 また、前述した本発明の他の目的を達成するために本発明は、 外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結端子 が形成された基板を提供する段階と、 前記基板の上部に第１層を形成する段階と、 前記第１層の上部に下部電極層を形成した後、前記下部電極層をパターニング して前記第１信号が印加される下部電極を形成する段階と、 前記下部電極及び前記第１層の上部に第２層及び上部電極層を形成する段階と 、 前記上部電極層をパターニングして第２信号が印加されて電気場を発生させる 上部電極を形成する段階と、 前記第２層をパターニングして前記電気場によって変形を起こす変形層を形成 する段階と、 前記アクチュエータの一側に前記上部電極と連結する共通電極線を形成する段 階と、そして 前記上部電極の一側上部に光を反射する反射部材を形成する段階を含む薄膜型 光路調節装置の製造方法を提供する。 前記第１層を形成する段階は、窒化物または金属を低圧化学気相蒸着方法を使 用して遂行されて、前記下部電極層及び前記上部電極層を形成する段階は電気伝 導性を有する金属をスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行 されて、前記第２層を形成する段階は圧電物質または電歪物質をゾル-ゲル法、 スパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を使用して遂行される。 前記第２層を形成する段階は、前記第２層を急速熱処理方法を使用して熱処理 する段階及び前記第２層を分極させる段階をさらに含む。 望ましくは、前記支持層を形成する段階は前記変形層から前記連結端子までブ ァイアホールを形成する段階、前記ブァイアホールの内部にブァイアコンタクト を形成する段階、そして前記連結端子から前記下部電極まで連結部材を形成する 段階をさらに含む。前記ブァイアコンタクト及び前記連結部材を形成する段階は 電気伝導性金属をスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行さ れる。 また、望ましくは、前記共通電極線を形成する段階は白金、タンタル、白金- タンタル、アルミニウム、または銀をスパッタリング方法または化学気相蒸着方 法を使用して遂行される。 前記反射部材を形成する段階は、前記アクチュエータの上部に犠牲層を形成し た後、前記犠牲層をパターニングして前記上部電極の一部を露出させる段階の後 に遂行されて、前記反射手段を形成する段階は反射性を有する金属をスパッタリ ング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行される。 前述した本発明による薄膜型光路調節装置において、上部電極にはTCPのパッ ド、AMAパネルのパッド及び共通電極を通じて第２信号、すなわちバイアス電流 信号が印加される。同時に前記TCPのパッド及びAMAパネルのパッドを通じて伝え られた第１信号、すなわち画像電流信号は前記基板に形成された電気的な配線、 連結端子、ブァイアコンタクト及び連結部材を通じて下部電極に印加される。し たがって、上部電極と下部電極の間に電気場が発生して、このような電気場によ って上部電極と下部電極の間の形成された変形層が変形を起こす。 変形層は前記電気場に対し垂直した方向に収縮して、これにより、変形層を含 む前記アクチュエータは所定の角度で上方に曲がる。光源から入射される光束を 反射する反射部材はポストにより支持されてアクチュエータの上部に形成されて いるので前記アクチュエータと同じ角度でティルティングされる。したがって、 反射部材は光源から入射される光束を所定の角度で反射して、反射された光束は スリットを通過してスクリーンに投影されて画像を結ぶようになる。 したがって、本発明による薄膜型光路調節装置において、基板上部の連結端子 が形成された部分を避けてアクチュエータを形成した後、連結部材を通じて連結 端子から下部電極に第１信号を印加するために、基板に形成された電気的な配線 及び連結端子が損傷を受けることを最小化できる。 また、アクチュエータの一側に厚く共通電極線を形成することによって、共通 電極線内部の抵抗による電圧降下を最小化して上部電極に変形層が変形を起こす のに必要な充分の電流を印加できる。そして、第２犠牲層を塗布して２個のポス トを通じて反射部材を支持することによって、反射部材の水平度を向上させるこ とができる。図面の簡単な説明 第１図は従来の光路調節装置のエンジンシステムの概略図であり、 第２図は本出願人が先行出願した薄膜型光路調節装置の断面図であり、 第３A図ないし第３C図は第２図に図示した装置の製造工程図であり、 第４図は本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の平面図であり、 第５図は第４図に図示した装置の斜視図であり、 第６図は第５図に図示した装置をA１‐A２線で切った断面図であり、 第７図は第５図に図示した装置をB１‐B２線で切った断面図であり、 第８A図ないし第１１B図は本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の製造 工程図であり、 第１２図は本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の平面図であり、 第１３図は第１２図に図示した装置の斜視図であり、 第１４図は第１３図に図示した装置をC１‐C２線で切った断面図であり、 第１５図は第１３図に図示した装置をD１‐D２線で切った断面図であり、 第１６A図ないし第１９B図は本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の製 造工程図である。発明の詳細な説明 以下、添付された図面を参照として本発明の望ましい実施例による薄膜型光路調 節装置を詳細に説明する。実施例１ 第４図は本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の平面図を示したもの であり、第５図は第４図に図示した装置の斜視図を図示したものであり、第６図 は第５図に図示した装置をA１‐A２線で切った断面図を図示したものであり、そ して第７図は第５図に図示した装置をB１‐B２線で切った断面図を図示したもの である。 第４図及び第５図を参照すれば、本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装 置は、基板(substrate)１００、基板１００の上部に形成されたアクチュエータ( actuator)１９０、そしてアクチュエータ１９０の上部に形成された反射部材(re flecting member)１８０を含む。 第６図を参照すれば、前記基板１００は外部から第１信号を印加されて前記第 １信号を伝達する電気的な配線(electricalwiring)(図示せず)、前記電気的な配 線の上部に形成されて前記電気的な配線と連結した連結端子(connecting termin al)１０５、前記電気的な配線と前記連結端子１０５の上部に形成された保護層( passivation)１１０、そして前記保護層１１０の上部に形成された食刻防止層(e tch stop layer)１１５を含む。前記保護層１１０は前記電気的な配線及び連 結端子１０５を保護して、前記食刻防止層１１５は前記保護層１１０及び前記基 板１００が後続する食刻工程間食刻されることを防止する。望ましくは、前記電 気的な配線は外部から前記第１信号を受けてスイッチング動作を遂行するために MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスター(transistor)を含む。 前記アクチュエータ１９０は一側が前記食刻防止層１１５の中、下に連結端子 １０５が形成された部分上に付着されて他側にエアーギャップ(air gap)１２５ を介在して前記食刻防止層１１５と平行するように形成された支持層(supportin g layer)１３０、支持層１３０の中央上部に形成された下部電極(bottom electr ode)１３５、下部電極１３５の上部に形成された変形層(active layer)１４０、 変形層１４０の上部に形成された上部電極(top electrode)１４５、前記支持層 １３０の一側に形成されて前記上部電極１４５と連結した共通電極線(common el ectrode)１５０、そして上部電極１４５の一側上部に形成されたポスト(post)１ ７５を含む。前記反射部材１８０は前記ポスト１７５によって支持されて上部電 極１４０と平行するように形成される。 第７図を参照すれば、前記アクチュエータ１９０は、前記支持層１３０の一側 の中下に連結端子１０５が形成された部分には前記支持層１３０から連結端子１ ０５まで垂直するように形成されたブァイアホール(via hole)１５５の内部に形 成されたブァイアコンタクト(via contact)１６０とブァイアコンタクト１６０ から前記下部電極１３５まで形成された連結部材(connecting member)１７０を 含む。したがって、下部電極１３５には外部から前記電気的な配線、連結端子１ ０５、ブァイアコンタクト１６０、そして連結部材１７０を通じて第１信号(fir st signal)、すなわち画像電流信号(picture current signal)が印加される。同 時に上部電極１４５に外部から共通電極線１５０を通じて第２信号(second sign al)、すなわちバイアス電流信号(bias current signal)が印加されれば、上部電 極１４５と下部電極１３５の間に形成された変形層１４０が変形を起こす。望ま しくは、前記支持層１３０は‘T’字の形状を有して、下部電極１３５は四角形 の形状で支持層１３０の中央部上に形成される。前記変形層１４０は下部電極１ ３５より小さな面積の四角形の形状を有して、上部電極１４５は変形層１４０よ り小さな面積の四角形の形状を有する。 以下前述した薄膜型光路調節装置の製造方法を図面を参照して詳細に説明する 。第８A図及び第８B図は第１層１２９を形成した状態を図示したものである。 第８A図及び第８B図を参照すれば、まず、外部から第１信号を受けて前記第１ 信号を下部電極１３５に伝達するために電気的な配線(図示せず)及び連結端子１ ０５が形成された基板１００が提供される。望ましくは、前記基板１００はシリ コン(Si)のような半導体とから構成されて、前記電気的な配線はスイッチング動 作を遂行するためのMOSトランジスターを含む。前記基板１００及び連結端子１ ０５の上部には保護層１１０が形成される。保護層１１０は化学気相蒸着(Chemi cal Vapor Deposition：CVD)方法を利用して０．１〜１．０μm程度の厚さを有 するように形成する。前記保護層１１０はリンシリカゲートガラス(PSG)でなさ れて、後続する工程間前記電気的な配線及び連結端子１０５が形成された基板１ ００が損傷されることを防止する。 前記保護層１１０の上部には食刻防止層１１５が形成される。食刻防止層１１ ５は窒化物(nitride)を使用して１０００〜２０００Å程度の厚さで蒸着させる 。前記食刻防止層１１５は低圧化学気相蒸着(Low Pressure Chemical Vapor Dep osition：LPCVD)工程を利用して形成する。前記食刻防止層１１５は後続する食 刻工程間前記保護層１１０及び基板１００が食刻されて損傷を受けることを防止 する役割をする。 前記食刻防止層１１５の上部には第１犠牲層(first sacrificial layer)１２ ０が形成される。前記第１犠牲層１２０はアクチュエータ１９０を形成するため のの積層を容易なようにする機能を遂行して、前記アクチュエータ１９０のの積 層が完了した後にはフルオル化水素(HF)蒸気によって除去される。前記第１犠牲 層１２０はリンシリカゲートガラス(PSG)を使用して０．５〜２．０μm程度の厚 さを有するように形成する。第１犠牲層１２０は大気圧化学気相蒸着(Atmospher ic Pressure Chemical Vapor Deposition：APCVD)方法を利用して形成される。 この場合、第１犠牲層１２０は前記電気的な配線及び連結端子１０５が形成され た基板１００の表面を覆っているので、その表面の平坦度が非常に不良である。 したがって、スピンオングラス(Spin On Glass：SOG)を利用したりCMP(Chemical Mechanical Polishing)方法を利用して第１犠牲層１２０の表面を平坦化させる 。 望ましくは、CMP工程を利用して第１犠牲層１２０表面を平坦化させる。 第１犠牲層１２０をパターニングして食刻防止層１１５中下に連結端子１０５ が形成された部分を垂直方向に沿って露出させた後、前記食刻防止層１１５の露 出された部分及び第１犠牲層１２０の上部に第１層１２９を形成する。第１層１ ２９は硬質の物質、例えば窒化物を使用して０．１〜１．０μm程度の厚さを有 するように形成する。第１層１２９は低圧化学気相蒸着(LPCVD)方法を利用して 形成する。この時、低圧の反応容器内で反応性ガスの比(ratio)を時間別に変化 させながら第１層１２９を形成することによって第１層１２９内部のストレス(s tress)を調節する。第１層１２９は後に支持層１３０にパターニングされる。 第９A図及び第９B図は上部電極層１４４を形成した状態を図示したものである 。 第９A図及び第９B図を参照すれば、前記第１層１２９の上部にスピンコーティ ング(spin coating)方法を利用して第１フォトレジスト層(photo resist layer) １３２を形成した後、第１フォトレジスト層１３２をパターニングして第１層１ ２９の中、下に連結端子１０５が形成された部分と隣接した部分を水平方向に沿 って露出させる。前記露出された第１層１２９の上部及び第１フォトレジスト１ ３２の上部にスパッタリング方法を利用して下部電極層(bottom electrode laye r)を形成した後、共通電極線１５０が形成される位置を考慮して前記下部電極層 をパターニングしながら四角形の形状を有する下部電極１３５を前記第１層１２ ９の中央上部に形成する。下部電極１３５は電気伝導性を有する金属の白金(Pt) 、タンタル(Ta)、または白金-タンタル(Pt-Ta)を使用して０．１〜１．０μm程 度の厚さを有するように形成する。 前記下部電極１３５及び第１フォトレジスト１３２の上部には第２層１３９が 形成される。第２層１３９はゾル-ゲル(Sol-Gel)法、スパッタリング方法、また は化学気相蒸着(CVD)方法を利用して０．１〜１．０μm程度の厚さ、望ましくは ０．４μm程度の厚さを有するように形成する。第２層１３９は圧電セラミック 、または電歪セラミックを使用して形成する。例えば、圧電物質のBaTiO₃、PZT( Pb(Zr、Ti)O₃、またはPLZT((Pb、La)(Zr、Ti)O₃を使用して第２層１３９を形成 したり、電歪物質のPMN(Pb(Mg、Nb)O₃を使用して第２層１３９を形成する。続い て、前記第２層１３９を急速熱処理(Rapid Thermal Annealing：RTA)工程を利用 して 熱処理して状変移させた後、第２層１３９を分極(polling)させる。第２層１３ ９は後に変形層１４０にパターニングされる。 第２層１３９の上部には上部電極層(top electrode layer)１４４が形成され る。上部電極層１４４は電気伝導性を有する金属のアルミニウム(Al)、白金(Pt) 、またはタンタル(Ta)を使用して形成する。上部電極層１４４はスパッタリング 方法を利用して０．１〜１．０μm程度の厚さを有するように形成する。上部電 極層１４４は後に上部電極１４５にパターニングされる。 第１０A図は共通電極線１５０を形成した状態を図示したものであり、第１０B 図はブァイアコンタクト１６０を形成した状態を図示したものである。 第１０A図を参照すれば、上部電極層１４４の上部に第２フォトレジスト(図示 せず)をスピンコーティング方法でコーティングした後、前記第２フォトレジス トを食刻マスクとして上部電極層１４４を四角形の形状を有する上部電極１４５ にパターニングする。 第２層１３９は上部電極層１４４をパターニングする方法と同じ方法を使用し て変形層１４０にパターニングする。すなわち、上部電極１４５及び第２層１３ ９の上部に第３フォトレジスト(図示せず)をスピンコーティング方法でコーティ ングした後、前記第３フォトレジストを食刻マスクとして第２層１３９をパター ニングして上部電極１４５より大きい面積の四角形の形状を有する変形層１４０ を形成する。この時、変形層１４０は既に形成された下部電極１３５よりは小さ な面積を有する。 第１層１２９もやはり前記と同じ方法で支持層１３０にパターニングされる。 支持層１３０は下部電極１３５の形状とは違い‘T’字の形状を有して、下部電 極１３５は前記支持層１３０の中央部上に形成される。続いて、前記第１フォト レジスト層１３２を除去した後、共通電極線１５０を前記支持層１３０の一側上 に形成する。すなわち、前記支持層１３０上に第４フォトレジスト(図示せず)を スピンコーティング方法でコーティングして前記第４フォトレジストをパターニ ングして前記支持層１３０の一側を露出させた後、白金、タンタル、白金-タン タル、アルミニウム、または銀を使用して共通電極線１５０を形成する。共通電 極線１５０はスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して０．５〜２ ． ０μm程度の厚さを有するように形成する。この場合、共通電極線１５０は下部 電極１３５とは所定の距離だけ離隔され前記上部電極１４５に付着されるように 形成される。上記の通りに共通電極線１５０を厚く形成することによって外部か ら共通電極線１５０を通じて上部電極１４５に印加される第２信号が前記共通電 極線１５０をすぎる時、共通電極線１５０の内部抵抗によって電圧降下が起きる ことを最小化できる。したがって、前記第２信号を上部電極１４５に安定に印加 できる。 また、第１０B図を参照すれば、前記第４フォトレジストをパターニングする 時、前記支持層１３０の中、下に連結端子１０５が形成された部分及びこれと隣 接した部分を同時に露出させる。続いて、前記支持層１３０から食刻防止層１１ ５及び保護層１１０を食刻して前記連結端子１０５まで垂直するようにブァイア ホール１５５を形成した後、ブァイアホール１５５の内部に前記連結端子１０５ の上部から支持層１３０までブァイアコンタクト１６０を形成する。同時に前記 下部電極１３５から前記ブァイアホール１５５までブァイアコンタクト１６０と 連結するように連結部材１７０を形成する。したがって、前記ブァイアコンタク ト１６０、連結部材１７０及び下部電極１３５はお互い連結する。ブァイアコン タクト１６０及び連結部材１７０はスパッタリング方法または化学気相蒸着方法 を使用して形成する。前記ブァイアコンタクト１６０及び連結部材１７０は電気 伝導性を有する金属の白金、タンタルまたは白金-タンタルを使用して形成され る。この場合、前記連結部材１７０は０．５〜１．０μm程度の厚さを有するよ うに形成される。したがって、外部から前記電気的な配線、連結端子１０５、ブ ァイアコンタクト１６０及び連結部材１７０を通じて下部電極１３５に印加され る第１信号はやはり電圧降下を最小化して安定に下部電極１３５に印加できる。 続いて、前記第４フォトレジストを食刻して除去して上部電極１４５、変形層１ ４０、下部電極１３５及び支持層１３０を含むアクチュエータ１９０を形成する 。従来の薄膜型光路調節装置においては、支持層の支持部、下部電極、変形層、 及び上部電極を下に電気的な配線及び連結端子が形成された部分の垂直上部に形 成するために基板に形成された電気的な配線及び連結端子に後続する工程等の影 響を直接受けて損傷を受ける問題があった。しかし、本発明では基板１００上の 連 結端子１０５が形成された部分と隣接した部分にアクチュエータ１９０を形成し て、連結部材１８５を使用して連結端子１０５から下部電極１３５に第１信号を 印加するために、基板１００に形成された電気的な配線及び連結端子１０５が損 傷を受けることを最小化できる。 第１１A図及び第１１B図は反射部材１８０を形成した状態を図示したものであ る。 第１１A図及び第１１B図を参照すれば、前記第１犠牲層１２０をフルオル化水 素蒸気を使用して除去した後、前記アクチュエータ１９０の上部に流動性が優秀 なポリマーなどを使用して第２犠牲層１８５を形成する。第２犠牲層１８５は上 部電極１４５を完全に覆うようにスピンコーティング方法を使用して形成する。 続いて、前記第２犠牲層１８５をパターニングして上部電極１７５の一側を露出 させる。前記露出された上部電極１４５の一側及び第２犠牲層１８５の上部に反 射性を有する金属のアルミニウム、白金、または銀などを使用してポスト１７５ 及び反射部材１８０を同時に形成する。ポスト１７５及び反射部材１８０はスパ ッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して形成する。 望ましくは、光源(図示せず)から入射される光束を反射する前記反射部材１８ ０は鏡であり、０．１〜１．０μm程度の厚さを有する。上記の通りに第２犠牲 層１８５を形成した後、第２犠牲層１８５の上部に反射部材１８０を形成するこ とによって反射部材１８０の水平度を向上させることができる。続いて、前記第 ２犠牲層１８５を食刻して除去することによって第６図及び第７図に図示したよ うに、上部に反射部材１８０が形成されたアクチュエータ１９０が完成される。 続けて、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、または金(Au)などの金属をスパッタリン グ方法、または蒸着(evaporation)方法を利用して基板１００の下端に蒸着させ 抵抗コンタクト(ohmic contact)(図示せず)を形成する。そして、後続する上部 電極１４５に共通電極線１５０を通じて第２信号を印加して、下部電極１３５に 第１信号を印加するためのTCP(Tape Carrier Package)ボンディング(bonding)を 対応して基板１００を切る。続いて、AMAパネル(pannel)のパッド(pad)(図示せ ず)とTCPのパッド(図示せず)を連結して薄膜型AMAモジュール(module)の製造を 完成する。 前述した本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置において、上部電極１ ４５にはTCPのパッド、AMAパネルのパッド及び共通電極線１５０を通じて第２信 号、すなわちバイアス電流信号が印加される。同時に前記TCPのパッド及びAMAパ ネルのパッドを通じて伝えられた第１信号、すなわち画像電流信号は前記基板１ ００に形成された電気的な配線、連結端子１０５、ブァイアコンタクト１６０及 び連結部材１７０を通じて下部電極１３５に印加される。したがって、上部電極 １４５と下部電極１３５の間に電気場が発生して、このような電気場によって上 部電極１４５と下部電極１３５の間に形成された変形層１４０が変形を起こす。 変形層１４０は前記電気場に対し垂直した方向に収縮して、これにより、変形 層１４０を含むアクチュエータ１９０は所定の角度で上方に曲がる。光源から入 射される光束を反射する反射部材１８０はポスト１７５により支持されてアクチ ュエータ１９０の上部に形成されているのでアクチュエータ１９０と同じ角度を 有してティルティングされる。したがって、反射部材１８０は光源から入射され る光束を所定の角度で反射して、反射された光束はスリットを通過してスクリー ンに投影されて画像を結ぶようになる。実施例２ 第１２図は本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の平面図を図示した ものであり、第１３図は第１２図に図示した装置の斜視図を図示したものであり 、第１４図は第１３図に図示した装置をC１‐C２線で切った断面図を図示したも のであり、第１５図は第１３図に図示した装置をD１‐D２線で切った断面図を図 示したものである。 第１２図及び第１３図を参照すれば、本発明の第２実施例による薄膜型光路調 節装置は、基板２００、基板２００の上部に形成されたアクチュエータ２９０、 そしてアクチュエータ２９０の上部に形成された反射部材２８０を含む。前記ア クチュエータ２９０は第１アクチュエーティング部２９１及び第２アクチュエー ティング部２９２とから構成される。 第１４図を参照すれば、前記基板２００は外部から第１信号(画像電流信号)を 印加され前記第１信号を伝達する電気的な配線(図示せず)、前記電気的な配線の 上部に形成されて前記電気的な配線と連結した連結端子２０５、前記電気的な配 線と前記連結端子２０５の上部に形成された保護層２１０、そして前記保護層２ １０の上部に形成された食刻防止層２１５を含む。 前記保護層２１０は後続する工程間前記電気的な配線及び連結端子２０５が形 成された基板２００を保護して、前記食刻防止層２１５は前記保護層２１０及び 前記基板２００が後続する食刻工程間食刻されることを防止する。 望ましくは、前記電気的な配線は外部から第１信号を受けてスイッチング動作 を遂行するためにMOSトランジスターを含む。 前記アクチュエータ２９０はお互い並んで形成された第１アクチュエーティン グ部２９１及び第２アクチュエーティング部２９２を含む。第１アクチュエーテ ィング部２９１は一側が前記食刻防止層２１５の中、下に連結端子２０５が形成 された部分と隣接した一側部分上に付着されて他側にエアーギャップ２２０を介 在して前記食刻防止層２１５と平行するように形成された第１支持層２３１、第 １支持層２３１の中央部上に形成された第１下部電極２４１、第１下部電極２４ １の上部に形成された第１変形層２５１、第１変形層２５１の上部に形成された 第１上部電極２６１、そして第１上部電極２６１の一側上部に形成された第１ポ スト２７１を含む。前記第１変形層２５１は第１上部電極２６１より広い面積の 四角形の形状を有して、前記第１下部電極２４１は前記第１変形層２５１より広 い面積の四角形の形状を有する。 第２アクチュエーティング部２９２は第１アクチュエーティング部２９１と同 じ形状を有する。第２アクチュエーティング部２９２は一側が前記食刻防止層２ １５中、下に連結端子２０５が形成された部分と隣接した他側部分上に付着され て他側にエアーギャップ２２０を介在して前記食刻防止層２１５と平行するよう に形成された第２支持層２３２、第２支持層２３２の上部に形成された第２下部 電極２４２、第２下部電極２４２の上部に形成された第２変形層２５２、第２変 形層２５２の上部に形成された第２上部電極２６２、そして第２上部電極２６２ の一側上部に形成された第２ポスト２７２を含む。前記第１支持層２３１の一側 と第２支持層２３２の一側は前記連結端子２０５を中心として一体に形成される 。 前記第２変形層２５２は前記第２上部電極２６２より広い面積の四角形の形状 を有して、前記第２下部電極２４２は前記第２変形層２５２より広い面積の四角 形の形状を有する。 前記第１支持層２３１及び前記第２支持層２３２の一側には共通電極線３０５ が形成されて前記第１上部電極２６１及び前記第２上部電極２６２と連結する。 前記反射部材２８０は前記第１ポスト２７１及び第２ポスト２７２によって支持 されて前記第１上部電極２６１及び第２上部電極２６２と平行するように形成さ れる。望ましくは、前記第１支持層２３１及び前記第２支持層２３２は共に‘U ’字の形状を有する。 第１５図を参照すれば、前記アクチュエータ２９０は、前記第１支持層２３１ の一側及び前記第２支持層２３２の一側が連結する部分から前記食刻防止層２１ ５及び前記保護層２１０を通じて前記連結端子２０５まで垂直するように形成さ れたブァイアホール２９５の内部に形成されたブァイアコンタクト３００、ブァ イアコンタクト３００から前記第１下部電極２４１まで形成された第１連結部材 ３０１、そして前記ブァイアコンタクト３００から前記第２下部電極２４２まで 形成された第２連結部材３０２を含む。 したがって、第１下部電極２４１には外部から前記電気的な配線、連結端子２ ０５、ブァイアコンタクト３００、そして第１連結部材３０１を通じて前記第１ 信号が印加される。また、第２下部電極２４２には外部から前記電気的な配線、 連結端子２０５、ブァイアコンタクト３００、そして第２連結部材３０２を通じ て前記第１信号が印加される。同時に、前記第１上部電極２６１及び第２上部電 極２６２に外部から共通電極線３０５を通じて第２信号が印加されれば、第１上 部電極２６１と第１下部電極２４１の間に形成された第１変形層２５１及び第２ 上部電極２６２と第２下部電極２４２の間に形成された第２変形層２５２がそれ ぞれ変形を起こす。 以下前述した薄膜型光路調節装置の製造方法を図面を参照して詳細に説明する 。第１６A図及び第１６B図は支持層２３０を形成した状態を図示したものである 。 第１６A図及び第１６B図を参照すれば、外部から第１信号を受けて前記第１信 号を第１下部電極２４１及び第２下部電極２４２に伝達するために電気的な配線 (図示せず)及び連結端子２０５が形成された基板２００が提供される。望ましく は、前記基板２００はシリコン(Si)と同じ半導体とから構成されて、前記電気的 な配線はスイッチング動作を遂行するためのMOSトランジスターを含む。前記基 板２００及び連結端子２０５の上部には保護層２１０が形成される。保護層２１ ０は化学気相蒸着方法を利用して０．１〜１．０μm程度の厚さを有するように 形成する。前記保護層２１０はリンシリケートガラス(PSG)とからなされて、後 続する工程間前記電気的な配線及び連結端子２０５が形成された基板２００が損 傷されることを防止する。 前記保護層２１０の上部には食刻防止層２１５が形成される。食刻防止層２１ ５は窒化物を使用して１０００〜２０００Å程度の厚さで形成する。前記食刻防 止層２１５は低圧化学気相蒸着(LPCVD)方法を利用して形成する。前記食刻防止 層２１５は後続する食刻工程間前記保護層２１０及び基板２００が食刻されて損 傷されることを防止する。 前記食刻防止層２１５の上部には第１犠牲層２２０が形成される。前記第１犠 牲層２２０はアクチュエータ２９０を形成するためのの積層を容易なようにする 機能を遂行して、前記アクチュエータ２９０のの積層が完了した後にはフルオル 化水素(HF)蒸気によって除去される。前記第１犠牲層２２０はリンシリカゲート ガラス(PSG)を使用して０．５〜２．０μm程度の厚さを有するように形成する。 前記第１犠牲層２２０は大気圧化学気相蒸着(APCVD)方法を利用して形成される 。この場合、第１犠牲層２２０は前記電気的な配線及び連結端子２０５が形成さ れた基板２００の表面を覆っているので、その表面の平坦度が非常に不良である 。したがって、スピンオングラス(SOG)を利用したりCMP方法を利用して第１犠牲 層２２０の表面を平坦化させる。望ましくは、CMP工程を利用して第１犠牲層２ ２０表面を平坦化させる。 第１犠牲層２２０をパターニングして食刻防止層２１５中、下に連結端子１０ ５が形成された部分を中心に食刻防止層２１５を四角形の形状で露出させた後、 前記食刻防止層２１５の露出された部分及び第１犠牲層２２０の上部に支持層２ ３０を形成する。支持層２３０は窒化物を使用して０．１〜１．０μm程度の厚 さを有するように形成する。 支持層２３０は低圧化学気相蒸着(LPCVD)方法を利用して形成する。この時、 反応性ガスの比(ratio)を時間別に変化させながら支持層２３０を形成すること によって支持層２３０内部のストレスを調節する。支持層２３０は後に第１支持 層２３１及び第２支持層２３２にパターニングされる。 第１７A図及び第１７B図は上部電極層２６０を形成した状態を図示したもので ある。 第１７A図及び第１７B図を参照すれば、前記支持層２３０の上部にスピンコー ティング方法を利用して第１フォトレジスト層２３５を形成した後、第１フォト レジスト層２３５をパターニングして支持層２３０の中前記連結端子２０５を中 心に両側部を四角形の形状で露出させる。前記露出された支持層２３０の上部及 び第１フォトレジスト２３５の上部にスパッタリング方法を利用して下部電極層 を形成した後、共通電極線３０５が形成される位置を考慮して前記下部電極層を パターニングしながら前記露出された支持層２３０の両側上部にそれぞれ四角形 の形状を有する第１下部電極２４１及び第２下部電極２４２を形成する。第１下 部電極２４１及び第２下部電極２４２は電気伝導性を有する金属の白金(Pt)、タ ンタル(Ta)、または白金-タンタル(Pt-Ta)を使用して０．１〜１．０μm程度の 厚さを有するように形成する。 前記第１下部電極２４１、第２下部電極２４２及び第１フォトレジスト２３５ の上部には変形層２５０が形成される。変形層２５０はゾル-ゲル法、スパッタ リング方法、または化学気相蒸着(CVD)方法を利用して０．１〜１．０μm程度の 厚さ、望ましくは０。４μm程度の厚さを有するように形成する。変形層２５０ は圧電物質、または電歪物質を使用して形成する。例えば、圧電物質のBaTiO₃、 PZT(Pb(Zr、Ti)O₃、またはPLZT((Pb、La)(Zr、Ti)O₃を使用して変形層２５０を 形成したり、電歪物質のPMN(Pb(Mg、Nb)O₃を使用して変形層２５０を形成する。 続いて、前記変形層２５０を急速熱処理(RTA)工程を利用して熱処理して状変移 させた後、変形層２５０を分極させる。変形層２５０は後に第１変形層２５１及 び第２変形層２５２にパターニングされる。 変形層２５０の上部には上部電極層２６０が形成される。上部電極層２６０は 電気伝導性を有する金属のアルミニウム(Al)、白金(Pt)、またはタンタル(Ta)を 使用して形成する。上部電極層２６０はスパッタリング方法を利用して０．１〜 １．０μm程度の厚さを有するように形成する。上部電極層２６０は後に第１上 部電極２６１及び第２上部電極２６２にパターニングされる。 第１８A図は共通電極線３０５を形成した状態を図示したものであり、第１８B 図はブァイアコンタクト３００を形成した状態を図示したものである。 第１８A図を参照すれば、上部電極層２６０の上部に第２フォトレジスト(図示 せず)をスピンコーティング方法でコーティングした後、前記第２フォトレジス トを食刻マスクとして上部電極層２６０をそれぞれ四角形の形状を有する第１上 部電極２６１及び第２上部電極２６２にパターニングする。変形層２５０は上部 電極層２６０をパターニングする方法と同じ方法を使用して第１変形層２５１及 び第２変形層２５２にパターニングする。 すなわち、第１上部電極２６１、第２上部電極２６２及び変形層２５０の上部 に第３フォトレジスト(図示せず)をスピンコーティング方法でコーティングした 後、前記第３フォトレジストを食刻マスクとして変形層２５０をパターニングし てそれぞれ第１上部電極２６１及び第２上部電極２６２より大きい面積の四角形 の形状を有する第１変形層２５１及び第２変形層２５２を形成する。この時、第 １変形層２５１及び第２変形層２５２はそれぞれ既に形成された第１下部電極２ ４１及び第２下部電極２４２よりは小さな面積を有する。 支持層２３０も前記と同じ方法で第１支持層２３１及び第２支持層２３２にパ ターニングされる。第１支持層２３１及び第２支持層２３２は共に‘U’字の形 状を有する。続いて、前記第１フォトレジスト層２３５を除去した後、共通電極 線３０５を前記第１支持層２３１の一側及び前記第２支持層２３２の一側上に形 成される。すなわち、前記第１支持層２３１及び第２支持層２３２上に第４フォ トレジスト(図示せず)をスピンコーティング方法でコーティングして前記第４フ ォトレジストをパターニングして前記第１支持層２３１の一側及び前記第２支持 層２３２の一側を露出させた後、白金、タンタル、白金-タンタル、アルミニウ ム、または銀を使用して共通電極線３０５を形成する。共通電極線３０５はスパ ッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して０．５〜２．０μm程度の厚 さを有するように形成する。 この場合、共通電極線３０５は第１下部電極２４１及び第２下部電極２４２と は所定の距離だけ離隔され第１上部電極２６１及び第２上部電極２６２に付着さ れるように形成される。上記の通りに共通電極線３０５を厚く形成することによ って外部から共通電極線３０５を通じて第１上部電極２６１及び第２上部電極２ ６２に印加される第２信号が前記共通電極線３０５をすぎる時、共通電極線３０ ５の内部抵抗によって電圧降下が起きることを最小化できる。したがって、前記 第２信号を第１上部電極２６１及び第２上部電極２６２に安定に印加できる。 また、第１８B図を参照すれば、前記第４フォトレジストをパターニングする 時、前記連結端子２０５を中心に第１支持層２３１と第２支持層２３２の一部を 露出させる。 続いて、前記第１支持層２３１及び第２支持層２３２が連結する部分から食刻 防止層２１５及び保護層２１０を食刻して前記連結端子２０５まで垂直するよう にブァイアホール２９５を形成した後、ブァイアホール２９５の内部に前記連結 端子２０５の上部から第１支持層２３１及び第２支持層２３２が連結する部分ま でブァイアコンタクト３００を形成する。 同時に前記第１下部電極２４１からブァイアコンタクト３００まで第１連結部 材３０１を形成して、前記第２下部電極２４２からブァイアコンタクト３００ま で第２連結部材３０２を形成する。したがって、前記第１下部電極２４１は第１ 連結部材３０１及びブァイアコンタクト３００を通じて前記連結端子２０５と連 結する。また、前記第２下部電極２４２は第２連結部材３０２及びブァイアコン タクト３００を通じて前記連結端子２０５と連結する。 ブァイアコンタクト３００、第１連結部材３０１及び第２連結部材３０２はス パッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して形成する。前記ブァイアコ ンタクト３００、第１連結部材３０１及び第２連結部材３０２は電気伝導性を有 する金属の白金、タンタルまたは白金-タンタルを使用して形成される。この場 合、前記第１連結部材３０１及び第２連結部材３０２は０．５〜１．０μm程度 の厚さを有するように形成される。したがって、外部から前記電気的な配線、連 結端子２０５、ブァイアコンタクト３００、第１連結部材３０１、第２連結部材 ３０２を通じて第１下部電極２４１及び第２下部電極２４２に印加される第１信 号はやはり電圧降下を最小化して安定に第１下部電極２４１及び第２下部電極２ ４２に印加できる。 続いて、前記第４フォトレジストを食刻して除去して第１上部電極２６１、第 １変形層２５１、第１下部電極２４１及び第１支持層２３１を含む第１アクチュ エーティング部２９１と第２上部電極２６２、第２変形層２５２、第２下部電極 ２４２及び第２支持層２３２を含む第２アクチュエーティング部２９２を形成す る。 第１９A図及び第１９B図は中反射部材２８０を形成した状態を図示したもので ある。 第１９A図及び第１９B図を参照すれば、前記第１犠牲層２１８をフルオル化水 素蒸気を使用して除去した後、前記アクチュエータ２９０の上部に流動性が優秀 なポリマーなどを使用して第２犠牲層３１０を形成する。第２犠牲層３１０は第 １上部電極２６１及び第２上部電極２６２を完全に覆うようにスピンコーティン グ方法を使用して形成する。 続いて、前記第２犠牲層３１０をパターニングして第１上部電極２６１の一側 及び第２上部電極２６２の一側を露出させる。前記露出された第１上部電極２６ １の一側、第２上部電極２６２の一側及び第２犠牲層３１０の上部に反射性を有 する金属のアルミニウム、白金、または銀などを使用して第１ポスト２７１、第 ２ポスト２７２及び反射部材２８０を同時に形成する。第１ポスト２７１、第２ ポスト２７２及び反射部材２８０はスパッタリング方法または化学気相蒸着方法 を使用して形成する。望ましくは、光源(図示せず)から入射される光束を反射す る相期反射部材２８０は鏡であり、０．１〜１．０μm程度の厚さを有する。上 記の通りに第２犠牲層３１０を形成した後、第２犠牲層３１０の上部に反射部材 ２８０を形成することによって反射部材２８０の水平度を向上させることができ る。続いて、前記第２犠牲層３１０を食刻して除去することによって第１４図及 び第１５図に図示したように、上部に反射部材２８０が形成されたアクチュエー タ２９０が完成される。 続けて、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、または金(Au)などの金属をスパッタリン グ方法、または蒸着方法を利用して基板２００の下端に蒸着させ抵抗コンタクト (図示せず)を形成する。そして、後続する第１上部電極２６１及び第２上部電極 ２６２に共通電極線３０５を通じて第２信号を印加して、第１下部電極２４１及 び第２下部電極２４２に第１信号を印加するためのTCPボンディングに備えて基 板２００を切る。続いて、AMAパネルのパッド(図示せず)とTCPのパッド(図示せ ず)を連結して薄膜型AMAモジュールの製造を完成する。 前述した本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置において、第１上部電 極２６１及び第２上部電極２６２にはTCPのパッド、AMAパネルのパッド及び共通 電極線３０５を通じて第２信号、すなわちバイアス電流信号が印加される。同時 に前記TCPのパッド及びAMAパネルのパッドを通じて伝えられた第１信号、すなわ ち画像電流信号は前記基板２００に形成された電気的な配線、連結端子２０５、 ブァイアコンタクト３００、第１連結部材３０１及び第２連結部材３０２を通じ て第１下部電極２４１及び第２下部電極２４２に印加される。したがって、第１ 上部電極２６１と第１下部電極２４１の間に第１電気場が発生して、前記第１電 気場によって第１上部電極２６１と第１下部電極２４１の間に形成された第１変 形層２５１が変形を起こす。また、第２上部電極２６２と第２下部電極２４２の 間に第２電気場が発生して、前記第２電気場によって第２上部電極２６２と第２ 下部電極２４２の間に形成された第２変形層２５２が変形を起こす。 第１変形層２５１及び第２変形層２５２はそれぞれ第１及び第２電気場に対し 垂直した方向に収縮して、これにより、第１変形層２４１を含む第１アクチュエ ーティング部２９１及び第２変形層２５２を含む第２アクチュエーティング部２ ９２はそれぞれ所定の角度で上方に曲がる。光源から入射される光束を反射する 反射部材２８０は第１ポスト２７１及び第２ポスト２７２により支持されて第１ アクチュエーティング部２９１及び第２アクチュエーティング部２９２の上部に 形成されているので第１アクチュエーティング部２９１及び第２アクチュエーテ ィング部２９２と同じ角度でティルティングされる。したがって、反射部材２８ ０は光源から入射される光束を所定の角度で反射して、反射された光束はスリッ トを通過してスクリーンに投影されて画像を結ぶようになる。 前述したように本発明による薄膜型光路調節装置において、基板上部の連結端 子が形成された部分を避けてアクチュエータを形成した後、第１連結部材及び第 ２連結部材を通じて連結端子から第１下部電極及び第２下部電極に第１信号を印 加するために、基板に形成された電気的な配線及び連結端子が損傷を受けること を最小化できる。 また、アクチュエータの一側に厚く共通電極線を形成することによって、共通 電極線内部の抵抗による電圧降下を最小化して第１上部電極及び第２上部電極に 第１変形層及び第２変形層が変形を起こすのに必要な充分の電流を印加できる。 そして、第２犠牲層を塗布して２個のポストを通じて反射部材を支持することに よって反射部材の水平度を向上させることができる。 前記では本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練 された当業者は下記の請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から抜け出 さない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解する ことができる。

───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 を塗布して２個のポストを通じて反射部材を支持するこ とによって、反射部材の水平度を向上させることができ る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結 端子が形成された基板と、 前記基板の上部に形成された支持層、前記支持層の上部に形成されて前記第１ 信号が印加される下部電極、前記下部電極に対応して形成されて第２信号が印 加されて電気場を発生させる上部電極及び前記上部電極と前記下部電極の間に 形成されて前記電気場によって変形を起こす変形層を含むアクチュエータと、 前記基板の一側に形成されて前記上部電極と連結して、前記第２信号を前記上 部電極に印加する共通電極線と、そして 前記上部電極の上部に形成されて光束を反射する反射手段を含んで、前記第１ 信号及び前記第２信号によって駆動する薄膜型光路調節装置。 ２． 前記下部電極、前記変形層及び前記上部電極はそれぞれ四角形の形状を有 することを特徴とする請求の範囲１に記載の薄膜型光路調節装置。 ３． 前記下部電極は前記支持層の中央部上に形成され、前記変形層は前記下部 電極より小さな面積を有して、前記上部電極は前記変形層より小さな面積を有 することを特徴とする請求の範囲２に記載の薄膜型光路調節装置。 ４． 前記アクチュエータは前記支持層の一側に前記支持層から前記連結端子ま で形成されたブァイアホール内部に形成されて前記連結端子から前記下部電極 に前記第１信号電流を印加するブァイアコンタクト、そして前記ブァイアコン タクトと前記下部電極を連結する連結手段をさらに含むことを特徴とする請求 の範囲１に記載の薄膜型光路調節装置。 ５． 前記ブァイアコンタクト及び前記連結手段は電気伝導性を有する金属を使 用して形成されることを特徴とする請求の範囲４に記載の薄膜型光路調節装置 。 ６． 前記ブァイアコンタクト及び前記連結手段は、白金、タンタルまたは白金 -タンタルを使用して形成されることを特徴とする請求の範囲５に記載の薄膜 型光路調節装置。 ７． 前記支持層は硬質の物質を使用して形成されて、前記下部電極電気伝導性 を有する物質を使用して形成されて、前記変形層は圧電物質または電歪物質を 使 用して形成されて、前記上部電極は電気伝導性を有する物質を使用して形成さ れることを特徴とする請求の範囲１に記載の薄膜型光路調節装置。 ８． 前記共通電極線は電気伝導性を有する金属を使用して形成されることを特 徴とする請求の範囲１に記載の薄膜型光路調節装置。 ９． 前記共通電極線は白金、タンタル、白金-タンタル、アルミニウム及び銀 とからなされたグループ中から選択されたどれか一つを使用して０．５〜２． ０μmの厚さを有することを特徴とする請求の範囲８に記載の薄膜型光路調節 装置。 １０．前記上部電極は前記上部電極の一側上部と前記反射手段の間に形成されて 前記反射手段を支持するポストをさらに含んで、 前記反射手段は四角形の形状を有することを特徴とする請求の範囲１に記載の 薄膜型光路調節装置。 １１．前記反射手段は反射性を有する金属を使用して形成されることを特徴とす る請求の範囲１に記載の薄膜型光路調節装置。 １２．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結 端子が形成された基板と、 前記基板の一側上に形成された第１支持層、前記第１支持層上に形成されて前 記第１信号が印加される第１下部電極、前記第１下部電極に対応して形成され て第２信号が印加されて第１電気場を発生させる第１上部電極及び前記第１上 部電極及び前記第１下部電極の間に形成されて前記第１電気場によって変形を 起こす第１変形層を含む第１アクチュエーティング部と、そして前記基板の他 側上に形成され前記第１支持層と連結した第２支持層、前記第２支持層上に形 成されて前記第１信号が印加される第２下部電極、前記第２下部電極に対応し て形成されて前記第２信号が印加されて第２電気場を発生させる第２上部電極 及び前記第２上部電極及び前記第２下部電極の間に形成されて前記第２電気場 によって変形を起こす第２変形層を含む第２アクチュエーティング部を含むア クチュエータと、前記アクチュエータの一側に形成されて前記第１上部電極及 び前記第２上部電極と連結して、前記第２信号を前記第１上部電極及び前記第 ２上部電極に伝達する共通電極線と、そして 前記アクチュエータの上部に形成されて光に反射する反射手段を含んで、前記 第 １信号及び前記第２信号によって駆動する薄膜型光路調節装置。 １３．前記第１下部電極及び前記第２下部電極はそれぞれ四角形の形状を有して 、前記第１変形層及び前記第２変形層はそれぞれ四角形の形状を有して、前記 第１上部電極及び前記第２上部電極はそれぞれ四角形の形状を有することを特 徴とする請求の範囲１２に記載の薄膜型光路調節装置 １４．前記第１下部電極及び前記第２下部電極はそれぞれ前記第１支持層及び前 記第２支持層の中央部上に形成されて、前記第１変形層及び前記第２変形層は それぞれ前記第１下部電極及び前記第２下部電極より小さな面積を有して、前 記第１上部電極及び前記第２上部電極はそれぞれ前記第１変形層及び前記第２ 変形層より小さな面積を有することを特徴とする請求の範囲１３に記載の薄膜 型光路調節装置。 １５．前記第１支持層及び前記第２支持層は共に'U'字の形状を有することを特 徴とする請求の範囲１２に記載の薄膜型光路調節装置。 １６．前記アクチュエータは、前記第１支持層と前記第２支持層がお互い連結す る部分から前記連結端子の上部まで形成されたブァイアホールの内部に形成さ れて前記第１信号を前記連結端子から前記第１下部電極及び前記第２下部電極 に伝達するブァイアコンタクトそして前記ブァイアコンタクトから前記第１下 部電極及び前記第２下部電極まで形成されて前記ブァイアコンタクトと前記第 １下部電極及び前記第２下部電極を連結する連結手段をさらに含むことを特徴 とする請求の範囲１２に記載の薄膜型光路調節装置。 １７．前記ブァイアコンタクト及び前記連結手段は電気伝導性を有する金属を使 用して形成されることを特徴とする請求の範囲１６に記載の薄膜型光路調節装 置。 １８．前記第１支持層及び前記第２支持層は硬質の物質を使用して形成されて、 前記第１下部電極、前記第２下部電極は電気伝導性を有する物質を使用して形 成されて、前記第１変形層及び前記第２変形層は圧電物質または電歪物質を使 用して形成されて、前記第１上部電極及び前記第２上部電極は電気伝導性を有 する物質を使用して形成されることを特徴とする請求の範囲１２に記載の薄膜 型光路調節装置。 １９．前記共通電極線は電気伝導性を有する金属を使用して０．５〜２．０μm の厚さを有することを特徴とする請求の範囲１２に記載の薄膜型光路調節装置 。 ２０．前記第１上部電極は前記第１上部電極の一側上部に形成されて前記反射手 段を支持する第１ポストをさらに含んで、前記第２上部電極は前記第２上部電 極の一側上部に形成されて前記反射手段を支持する第２ポストをさらに含んで 、前記反射手段は四角形の形状を有することを特徴とする請求の範囲１２に記 載の薄膜型光路調節装置。 ２１．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結 端子が形成された基板を提供する段階と、 前記基板の上部に第１層を形成する段階と、 前記第１層の上部に下部電極層を形成した後、前記下部電極層をパターニング して前記第１信号が印加される下部電極を形成する段階と、 前記下部電極の上部に第２層及び上部電極層を形成する段階と、 前記上部電極層をパターニングして第２信号が印加されて電気場を発生させる 上部電極を形成する段階と、 前記第２層をパターニングして前記電気場によって変形を起こす変形層を形成 する段階と、 前記基板の一側に前記上部電極と連結する共通電極線を形成する段階と、そし て前記上部電極の一側上部に光に反射する反射手段を形成する段階を含む薄膜 型光路調節装置の製造方法。 ２２．前記第１層を形成する段階は、窒化物または金属を低圧化学気相蒸着方法 を使用して遂行されて、前記下部電極層及び前記上部電極層を形成する段階は 電気伝導性を有する金属をスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用 して遂行されて、前記第２層を形成する段階は圧電物質または電歪物質をゾル -ゲル法、スパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を使用して遂行され ることを特徴とする請求の範囲２１に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 ２３．前記第２層を形成する段階は、前記第２層を急速熱処理方法を使用して熱 処理する段階及び前記第２層を分極させる段階をさらに含むことを特徴とする 請求の範囲２１に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 ２４．前記支持層を形成する段階は前記変形層から前記連結端子までブァイアホ ールを形成する段階、前記ブァイアホールの内部にブァイアコンタクトを形成 する段階、そして前記連結端子から前記下部電極まで連結手段を形成する段階 をさらに含むことを特徴とする請求の範囲２１に記載の薄膜型光路調節装置の 製造方法。 ２５．前記ブァイアコンタクト及び前記連結手段を形成する段階は電気伝導性を 有する金属をスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行され ることを特徴とする請求の範囲２４に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 ２６．前記共通電極線を形成する段階は白金、タンタル、白金-タンタル、アル ミニウム、または銀をスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して 遂行されることを特徴とする請求の範囲２１に記載の薄膜型光路調節装置の製 造方法。 ２７．前記反射手段を形成する段階は、前記アクチュエータの上部に犠牲層を形 成した後、前記犠牲層をパターニングして前記上部電極の一部を露出させる段 階後に遂行されて、前記反射手段を形成する段階は反射性を有する金属をスパ ッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行されることを特徴とす る請求の範囲２１に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 ２８．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結 端子が形成された基板を提供する段階と、 前記基板の上部に支持層を形成する段階と、 前記第１層の上部に下部電極層を形成した後、前記下部電極層をパターニング して前記第１信号が印加される第１下部電極及び第２下部電極を形成する段階 と、前記下部電極の上部に変形層及び上部電極層を形成する段階と、前記上部 電極層をパターニングしてそれぞれ第２信号が印加されて電気場を発生させる 第１上部電極及び第２上部電極を形成する段階と、前記変形層をパターニング して前記電気場によって変形を起こす第１変形層及び第２変形層を形成する段 階と、及び前記支持層をパターニングして第１支持層及び第２支持層を形成す る段階を含むアクチュエータを形成する段階と、 前記アクチュエータの一側に前記第１上部電極及び前記第２上部電極と連結し て前記第２信号を前記第１上部電極及び前記第２上部電極に印加する共通電極 線を形成する段階と、そして 前記上部電極の一側上部に光に反射する反射手段を形成する段階を含む薄膜型 光路調節装置の製造方法。 ２９．前記アクチュエータを形成する段階は、前記第１支持層と前記第２支持層 が連結する部分から前記連結端子までブァイアホールを形成する段階、前記ブ ァイアホールの内部にブァイアコンタクトゲル形成する段階、そして前記ブァ イアコンタクトから前記第１下部電極及び前記第２下部電極まで連結手段を形 成する段階をさらに含むことを特徴とする請求の範囲２８に記載の薄膜型光路 調節装置の製造方法。