KR100209943B1 - 큰 구동 각도를 가지는 박막형 광로 조절장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

거울의 구동 각도를 보다 크게 할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은, 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스의 상부에 하부전극, 변형부 및 상부전극을 각기 갖고 서로 반대 방향으로 구동하는 적어도 2 개의 액츄에이팅부를 포함하는 액츄에이터를 포함하는 상기 장치를 제공한다. 따라서 좁은 면적을 가지면서도 2∼3배 이상의 구동 각도로 거울을 구동시킬 수 있어 광원으로부터 입사되는 광의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트(contrast)를 향상시킬 수 있다.

Description

큰 구동 각도를 가지는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법

본 발명은 박막형 광로 조절 장치인 AMA(Actuated Mirror Arrays)의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 좁은 면적을 가지면서도 거울의 구동 각도를 크게 할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

광속을 조정할 수 있는 광로 조절 장치 또는 광 변조기는 광통신, 화상 처리, 그리고 정보 디스플레이 장치 등에 다양히 응용될 수 있다. 일반적으로 그러한 장치는 광학적 특성에 따라 크게 두 종류로 분류된다. 그 한 종류는 직시형 화상 표시 장치로서 CRT(Cathode Ray Tube) 등이 이에 해당하며, 다른 한 종류는 투사형 화상 표시 장치로서 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD), DMD(Deformable Mirror Device), AMA 등이 이에 해당한다. 상기 CRT 장치는 화질은 우수하나 화면의 대형화에 따라 그 중량과 용적이 증가하여 제조 비용이 상승하게 되는 문제점이 있다. 이에 비하여, 액정 표시 장치(LCD)는 광학적 구조가 간단하여 얇게 형성하여 중량을 가볍게 할 수 있으며, 용적을 줄이는 것이 가능하다. 그러나 상기액정 표시 장치는 광의 편광으로 인하여 1∼2％의 광효율을 가질 정도로 효율이 떨어지고, 액정 물질의 응답 속도가 느리며 그 내부가 과열되기 쉬운 단점이 있다. 따라서, 상기의 문제점을 해결하기 위하여 AMA, 또는 DMD 등의 화상 표시 장치가 개발되었다. 현재, DMD가 5％ 정도의 광효율을 가지는 것에 비하여 AMA는 10％ 이상의 광효율을 얻을 수 있다.

상기의 AMA는 그 내부에 설치된 각각의 거울들이 광원으로부터 유입되는 빛을 소정의 각도로 반사하며, 상기 반사된 빛은 슬릿(slit)을 통과하여 스크린에 화상을 맺도록 광속을 조절할 수 있는 장치이다. 따라서 그 구조와 동작 원리가 간단하며, 액정 표시 장치나 DMD 등에 비해 높은 광효율을 얻을 수 있다. 또한 콘트라스트(contrast)를 향상시켜 밝고 선명한 화상을 얻을 수 있으며, 입사되는 광속의 극성에 영향을 받지 않을 뿐만 아니라 반사되는 광속의 극성에도 영향을 미치지 않는다. AMA에 내장된 거울들은 각기 슬릿에 대응하도록 배열되며, 액츄에이터(actuator) 내부에 발생하는 전계에 의해 거울이 경사지게 된다. 따라서 광원으로부터 입사되는 광속을 소정의 각도로 조절하여, 스크린에 화상을 맺을 수 있도록 한다. 일반적으로 각각의 액츄에이터는 인가되는 전기적인 화상 신호 및 바이어스 전압에 의하여 발생되는 전계에 따라 변형을 일으킨다.

상기 액츄에이터가 변형을 일으킬 때, 상기 액츄에이터의 상부에 장착된 각각의 거울들이 경사지게 된다. 따라서 상기 경사진 거울들은 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시킬 수 있게 된다. 상기 각각의 거울들을 구동하는 변형부의 구성 물질로서 PZT(Pb(Zr, Ti)O₃) 나 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O₃)등의 압전 물질이 이용된다. 또한 PMN(Pb(Mg, Nb)O₃) 등의 전왜 물질을 상기 변형부의 구성 재료로서 사용할 수 있다.

이러한 광로 조절 장치인 AMA는 크게 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형 광로 조절 장치는 예를 들면 미합중국 특허 제5,085,497호(issued to Gregory Um, et al.), 제5,159,225호(issued to Gregory Um), 제5,175,465호(issued to Gregory Um, et al.)에 개시되어 있다. 상기 벌크형 광로 조절 장치는, 다층 세라믹을 얇게 절단하여 내부에 금속 전극이 형성된 세라믹 웨이퍼(ceramic wafer)를 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(active matrix)에 장착한 후 쏘잉(sawing) 방법으로 가공하고 상부에 거울을 설치하여 구성된다. 그러나 벌크형 광로 조절 장치는 액츄에이터들을 쏘잉 방법에 의하여 분리하여야 하므로 설계 및 제조에 있어서 높은 정밀도가 요구되며, 변형부의 응답 속도가 느린 단점이 있다. 따라서 반도체 제조 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형 광로 조절 장치가 개발되었다.

이러한 박막형 광로 조절 장치는 본 출원인이 대한민국 특허청에 특허출원한 특허출원 제95-13353호(발명의 명칭 : 광로 조절 장치의 제조 방법)에 개시되어 있다.

도 1은 상기 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1에 도시한 장치를 A­A′선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(1)와 상기 액티브 매트릭스(1)의 상부에 설치된 액츄에이터(3)로 구성된다. 상기 액티브 매트릭스(1)는 실리콘(Si) 등의 반도체로 구성되며, 내부에 M×N(M, N은 정수)개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되어 있다. 또한, 액티브 매트릭스(1)는 유리, 알루미나(Al₂O₃) 등의 절연 물질로 구성할 수 있다.

액티브 매트릭스(1)의 일측 상부에는 패드(5)가 형성된다. 상기 패드(5)는 액티브 매트릭스(1)에 내장된 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있다.

상기 액츄에이터(3)는 멤브레인(7), 플러그(9), 하부전극(11), 변형부(15) 그리고 상부전극(17)으로 구성된다.

도 1에 도시한 바와 같이, 상기 멤브레인(7)은 액츄에이터(3)의 중앙부를 중심으로 일측에는 사각형 형상의 오목한 부분이 형성되어 있으며, 타측에는 상기 오목한 부분에 대응하는 사각형 형상의 돌출부가 형성된다. 상기 멤브레인(7)의 오목한 부분에 인접하는 액츄에이터의 멤브레인의 돌출부가 끼워지고, 상기 멤브레인(7)의 돌출부가 인접하는 액츄에이터의 오목한 부분에 끼워진다. 또한 도 2를 참조하면, 상기 멤브레인(7)은 일측의 일부가 상기 액티브 매트릭스(1)의 상부에 접하고, 타측이 에어 갭(air gap)(8)을 개재하여 액티브 매트릭스(1)와 평행하도록 형성된다.

플러그(9)는 상기 멤브레인(7) 중 하부에 패드(5)가 형성된 부분에 수직하게 형성된다. 상기 플러그(9)는 패드(5)와 전기적으로 연결되도록 한다. 하부전극(11)은 상기 멤브레인(7)의 상부에 형성되며, 변형부(15)는 상기 하부전극(11)의 상부에 형성된다. 상부전극(17)은 상기 변형부(15)의 상부에 형성된다. 상기 상부전극(17)은 전극의 기능뿐만 아니라 입사되는 광속을 반사하는 거울의 기능도 함께 수행한다.

이하 상기 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 설명한다.

도 3A를 참조하면, 일측 상부에 패드(5)가 형성된 액티브 매트릭스(1)의 상부에 인 실리케이트 유리(Phospho-Silicate Glass：PSG)로 구성된 희생층(2)을 적층한다. 상기 희생층(2)은 스핀 코팅(spin coating) 방법을 이용하여 1．0∼2．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 상기 희생층(2)의 일부를 식각하여 상기 액티브 매트릭스(1) 중 상부에 패드(5)가 형성되어 있는 부분을 노출시킨다.

도 3B를 참조하면, 상기 액티브 매트릭스(1)의 노출된 부분 및 상기 희생층(2)의 상부에 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖는 멤브레인(7)을 적층한다. 상기 멤브레인(7)은 질화실리콘(Si₃N₄)을 스퍼터링, 또는 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 형성한다. 이어서, 포토리쏘래피(photolithography) 방법으로 상기 액티브 매트릭스(1)의 노출된 부분의 상부에 형성된 멤브레인(7)의 일부를 식각하여 개구부(6)를 형성한다.

상기 개구부(6)를 통해 텅스텐(W), 또는 티타늄(Ti) 등의 금속으로 구성된 플러그(9)를 형성한다. 플러그(9)는 리프트-오프(lift-off) 방법을 이용하여 형성하여 상기 패드(5)와 전기적으로 연결되도록 한다.

하부전극(11)은 개구부(6)가 형성된 멤브레인(7)의 상부에 적층된다. 상기 하부전극(11)은 백금(Pt), 또는 백금-티타늄(Pt-Ti) 등을 진공 증착, 또는 스퍼터링 방법을 이용하여 500∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 하부전극(11)은 상기 플러그(9)와 전기적으로 연결되며, 따라서 상기 패드(5), 플러그(9) 및 하부전극(11)은 서로 전기적으로 연결된다.

도 3C를 참조하면, 상기 하부전극(11)의 상부에 변형부(15)를 적층한다. 변형부(15)는 PZT, 또는 PLZT 등의 압전 물질이나 PMN 등의 전왜 물질을 사용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 변형부(15)는 졸-겔(Sol-Gel)법 또는 화학 기상 증착 방법을 이용하여 형성한다. 상기 변형부(15)의 상부에는 상부전극(17)이 적층된다. 상부전극(17)은 알루미늄을 스퍼터링, 또는 진공 증착 방법을 이용하여 500∼1000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이어서, 상기 상부전극(17), 변형부(15) 및 하부전극(11)을 상부로부터 차례로 인접하는 액츄에이터의 상부전극, 변형부 및 하부전극과 분리되도록 식각한다. 이 때, 상기 멤브레인(7)은 인접하는 액츄에이터의 멤브레인과 연결되도록 식각한다. 그리고, 상기 상부전극(17)의 상부 및 액츄에이터들을 분리할 때 생성되는 측면에 포토레지스트(photoresist)를 코팅(coating)하여 보호막(18)을 형성한다.

도 3D를 참조하면, 상기 희생층(2)을 플루오르화 수소(HF) 증기로 식각하여 에어 갭(air gap)(8)을 형성한다. 그리고, 상기 보호막(18)을 습식 식각 방법으로 제거하고 잔류하는 식각 용액을 탈이온수로 세정한다. 이어서, 상기 상부전극(17)의 상부에 포토레지스트를 코팅하여 마스크(19)를 형성한다.

도 3E를 참조하면, 상기 마스크(19)를 식각 마스크로 이용하여 상기 멤브레인(7) 중 인접한 액츄에이터의 멤브레인과 연결된 부분을 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching：RIE) 방법으로 식각한다. 그리고, 상기 마스크(19)를 산소 플라즈마(plasma) 방법으로 제거하여 AMA 소자를 완성한다.

상술한 구조의 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 액티브 매트릭스(1)에 내장된 MOS 트랜지스터로부터 발생한 화상 신호가 패드(5)와 플러그(9)를 통해 하부전극(11)에 인가된다. 동시에, 상부전극(17)에 바이어스 전압이 인가되어 상부전극(17)과 하부전극(11) 사이에 전계가 발생한다. 이 전계에 의하여 변형부(15)가 전계에 수직한 방향으로 수축한다. 이에 따라 액츄에이터(3)가 멤브레인(7)이 형성된 방향의 반대 방향으로 휘어지며, 액츄에이터(3) 상부의 상부전극(17)이 광원으로부터 입사되는 광속을 반사한다. 상부전극(17)에 의하여 반사된 광속은 슬릿을 통하여 스크린에 투영된다.

그러나, 상기 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 상부전극의 일부만을 구동하여 광속을 반사시킴으로서 상부전극의 구동 각도가 작아지고 광효율이 떨어지는 단점이 있었다. 또한, 변형부에 의한 액츄에이터의 변위가 작기 때문에 거울로 이용되는 상부전극의 구동 각도가 작아서 콘트라스트(contrast)가 저하되며, 광원과 스크린 사이의 간격이 좁아지는 등과 같은 시스템의 설계에 있어서도 문제점이 있었다.

따라서 본 발명의 목적은 좁은 면적을 가지면서도 거울의 구동 각도를 보다 크게 할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.

도 1은 본 출원인의 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.

도 2는 도 1에 도시한 장치를 A­A′선으로 자른 단면도이다.

도 3A 내지 도 3E는 도 2에 도시한 장치의 제조 공정도이다.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.

도 5는 도 4에 도시한 장치를 B­B′선으로 자른 단면도이다.

도 6은 도 4에 도시한 장치를 C-C′선으로 자른 단면도이다.

도 7A 내지 도 7C는 도 5에 도시한 장치의 제조 공정도이다.

도 8A 내지 도 8B는 도 6에 도시한 장치의 제조 공정도이다.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.

도 10은 도 9에 도시한 장치를 E­E′선으로 자른 단면도이다.

도 11은 도 9에 도시한 장치를 F­F′선으로 자른 단면도이다.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

21：액티브 매트릭스 23：보호층

25：식각 방지층 27：희생층

29：제1 하부 멤브레인 31：하부전극

33：변형부 37, 38：제1 액츄에이팅부

39：제1 상부 멤브레인 41：제2 액츄에이팅부

43：거울 45, 46：제3 액츄에이팅부

47：제2 상부 멤브레인 49, 50：제4 액츄에이팅부

51：제5 액츄에이팅부 53：제2 하부 멤브레인

55：제3 하부멤브레인

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스의 일측 상부에 패드를 형성하는 단계; 그리고

ⅰ) 상기 패드가 형성된 액티브 매트릭스의 상부에 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어 갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 하부전극을 형성하는 단계, ⅱ) 상기 하부전극의 상부에 변형부를 형성하는 단계 및 ⅲ) 상기 변형부의 상부에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하며, 서로 반대 방향으로 구동하는 적어도 2개의 액츄에이팅부들을 갖는 액츄에이터를 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.

상기 패드를 형성하는 단계는 상기 액티브 매트릭스 및 상기 패드의 상부에 보호층을 형성하는 단계, 상기 보호층의 상부에 식각 방지층을 형성하는 단계, 그리고 상기 보호층 및 상기 식각 방지층의 일부를 식각하여 상기 식각 방지층으로부터 상기 패드까지 수직하게 플러그를 형성하는 단계를 더 포함한다.

본 발명의 제1 실시예에 의하면, 상기 액츄에이터는 각기 상기 하부전극, 상기 변형부 및 상기 상기 상부전극을 갖는 2개의 제1 액츄에이팅부들과 제2 액츄에이팅부를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제1 액츄에이팅부들의 하부전극은, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하는 단계 및 상기 희생층의 상부에 제1 하부 멤브레인을 형성하는 단계 후에 형성되며, 상기 제2 액츄에이팅부의 상부전극은 상기 상부전극의 상부에 제1 상부 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 상부전극의 일측 상부에 중앙부가 접촉되며 타측이 제2 에어 갭을 개재하여 상기 제1 상부 멤브레인과 평행하게 거울을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 거울은 중앙부에‘U’자 형상의 홈이 있는 평판으로 형성되며, 은(Ag), 또는 알루미늄(Al)의 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 형성한다.

바람직하게는, 상기 제1 액츄에이팅부들은 상기 액티브 매트릭스의 양측 상부에 형성되며, 상기 제2 액츄에이팅부는 상기 액티브 매트릭스의 중앙 상부에 상기 제1 액츄에이팅부들과 일체로 형성되어, 상기 제1 액츄에이팅부들 및 제2 액츄에이팅부는 동일 평면상에서 함께‘W’자 형상을 가지며, 서로 반대 방향으로 구동한다.

본 발명의 제2 실시예에 의하면, 상기 액츄에이터는 각기 하부전극, 변형부 및 상부전극을 포함하는 2 개의 제3 액츄에이팅부들, 2개의 제4 액츄에이팅부들, 그리고 제5 액츄에이팅부를 포함한다. 상기 제3 액츄에이팅부들의 하부전극은, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하는 단계 및 상기 희생층의 상부에 제2 하부 멤브레인을 형성하는 단계 후에 형성되며, 상기 제4 액츄에이팅부들의 상부전극은 상부에 형성된 제2 상부 멤브레인을 더 포함하고, 상기 제5 액츄에이팅부의 하부전극은, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하는 단계 및 상기 희생층의 상부에 제3 하부 멤브레인을 형성하는 단계 후에 형성된다. 또한, 상기 제5 액츄에이팅부의 상부전극은 상기 상부전극의 일측 상부에 중앙부가 접촉되며 일측이 상기 상부전극과 평행하도록 형성된 거울을 더 포함한다.

바람직하게는, 상기 제3 액츄에이팅부들은 각기 상기 액티브 매트릭스의 양측 상부에 형성되며, 상기 제5 액츄에이팅부는 상기 액티브 매트릭스의 중앙 상부에 형성되며, 상기 제4 액츄에이팅부들은 각기 상기 액티브 매트릭스 상부의 상기 제3 액츄에이팅부들과 상기 제5 액츄에이팅부 사이에 상기 제3 액츄에이팅부들 및 상기 제5 액츄에이팅부와 일체로 형성되며, 상기 제3 액츄에이팅부들, 상기 제4 액츄에이팅부들 및 상기 제5 액츄에이팅부들은 동일 평면상에서 차례로‘U’자,‘T’자, 그리고‘U’자가 결합된 형상을 가지고, 상기 제3 액츄에이팅부들 및 상기 제5 액츄에이팅부와 상기 제4 액츄에이팅부들은 서로 반대 방향으로 구동한다.

본 발명의 제1 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 상기 하부전극에는 화상 신호가 인가되며, 상기 상부전극에는 바이어스 전압이 인가된다. 따라서 상기 상부전극과 하부전극 사이에 전계가 발생하게 된다. 이 전계에 의하여 상부전극과 하부전극 사이의 상기 변형부가 변형을 일으킨다. 상기 변형부는 전계와 수직한 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 상기 제1 액츄에이팅부들이 θ크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 상기 제1 액츄에이팅부들은 상기 제1 하부 멤브레인이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘어진다. 또한, 상기 하부전극에 화상 신호가 인가되고 상부전극에 바이어스 전압이 인가될 때, 상기 제2 액츄에이팅부의 변형부도 전계에 수직한 방향으로 수축을 일으킨다. 이에 따라 상기 제2 액츄에이팅부도 θ 크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 상기 제2 액츄에이팅부는 상기 제1 상부 멤브레인이 형성된 방향의 반대쪽으로 휘어진다. 상기 제1 액츄에이팅부들과 제2 액츄에이팅부는, 구동 각도의 크기는 같고 구동 방향은 서로 반대가 된다. 따라서, 상기 제1 액츄에이팅부들과 제2 액츄에이팅부의 구동 각도의 합은 2θ가 된다. 광원으로부터 입사된 광속을 반사하는 상기 거울은 상기 제2 액츄에이팅부의 상부에 형성되어 있으므로, 2θ 크기의 구동 각도를 가지고 구동하게 된다.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 전계가 발생하여 상기 변형부가 변형을 일으키게 되는 과정은 제1 실시예의 경우와 동일하다. 따라서 상기 제3 액츄에이팅부들의 변형부는 전계와 수직한 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 상기 제3 액츄에이팅부들이 θ크기의 구동 각도를 가지고 휘게된다. 상기 제3 액츄에이팅부들 상기 제2 하부 멤브레인이 형성되어 있는 방향의 반대쪽으로 휘어진다. 동시에 상기 제4 액츄에이팅부의 변형부도 전계에 수직한 방향으로 수축을 일으킨다. 이에 따라 상기 제4 액츄에이팅부들도 θ크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 상기 제4 액츄에이팅부들은 상기 제2 상부 멤브레인이 형성된 방향의 반대쪽으로 휘어진다. 또한 상기 제5 액츄에이팅부의 변형부도 변형을 일으킨다. 따라서 상기 제5 액츄에이팅부도 θ크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 상기 제5 액츄에이팅부는 상기 제3 하부 멤브레인이 형성된 방향의 반대쪽으로 휘어진다. 상기 제3 액츄에이팅부들와 제5 액츄에이팅부는 구동 각도의 크기와 구동 방향이 서로 같다. 이에 비하여, 상기 제4 액츄에이팅부들는 구동 각도의 크기는 같지만 구동 방향은 상기 제3 액츄에이팅부들 및 제5 액츄에이팅부의 구동 방향과 반대 방향이 된다. 따라서 상기 제3 액츄에이팅부들, 제4 액츄에이팅부들 및 제5 액츄에이팅부의 구동 각도의 합은 3θ가 된다. 광원으로부터 입사된 광속을 반사하는 상기 거울은 상기 제5 액츄에이터의 상부에 형성되어 있으므로, 3θ크기의 구동 각도를 가지고 구동하게 된다.

그러므로, 상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는 좁은 면적을 가지면서도 종래의 박막형 광로 조절 장치에 비해 2∼3배의 구동 각도를 가지고 거울을 구동시킬 수 있다. 이에 의하여, 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트(contrast)를 향상시켜 선명한 화상을 맺을 수 있다. 또한 시스템의 설계에 있어서도 광원과 스크린과의 간격을 넓게 하여 시스템의 설계를 용이하게 할 수 있다.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 자세히 설명한다.

실시예 1

도 4는 본 발명의 제1 실시예 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이고, 도 5는 도 4에 도시한 장치를 B­B′선으로 자른 단면도를 도시한 것이며, 도 6은 도 4에 도시한 장치를 C­C′선으로 자른 단면도를 도시한 것이다. 또한 도 7A 내지 도 7C는 도 5에 도시한 장치의 제조 공정도이며, 도 8A 내지 도 8B는 도 6에 도시한 장치의 제조 공정도이다.

도 5 및 도 6에 있어서, 도 4와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(21)와 액티브 매트릭스(21)의 양측 상부에 형성된 2개의 제1 액츄에이터팅부들(37)(38)을 포함한다. 또한, 도 4 및 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 상기 장치는 상기 액티브 매트릭스(21)의 중앙 상부에 상기 2개의 제1 액츄에이팅부들(37)(38)과 일체로 형성된 제2 액츄에이팅부(41)를 포함한다. 상기 제1 액츄에이팅부들(37)(38)과 상기 제2 액츄에이팅부(41)는 동일 평면상에서‘W’자 형상을 가지며 형성된다.

도 5에 도시한 바와 같이, 상기 액티브 매트릭스(21)는 액티브 매트릭스(21)의 일측 상부에 형성된 패드(22), 액티브 매트릭스(21) 및 패드(22)의 상부에 적층된 보호층(23), 상기 보호층(23)의 상부에 적층된 식각 방지층(25), 그리고 상기 식각 방지층(25)으로부터 상기 패드(22)까지 수직하게 형성된 플러그(24)를 포함한다.

상기 2개의 제1 액츄에이터팅부들(37)(38)은, 각기 일측이 상기 식각 방지층(25) 중 플러그(24)가 형성된 부분에 접촉되며 타측이 제1 에어갭(26)을 개재하여 상기 식각 방지층과(25)와 수평하도록 적층된 하부전극(31), 상기 하부전극(31)의 하단에 형성된 제1 하부 멤브레인(29), 상기 하부전극(31)의 상부에 적층된 변형부(33), 그리고 상기 변형부(33)의 상부에 적층된 상부전극(35)을 포함한다.

도 6에 도시한 바와 같이, 제2 액츄에이팅부(41)는 하부전극(31), 변형부(33), 상부전극(35), 제1 상부 멤브레인(39), 그리고 거울(43)을 포함한다.

제2 액츄에이팅부(41)의 하부전극(31), 변형부(33) 및 상부전극(35)은 각기 제1 액츄에이팅부들(37)(38)의 하부전극(31), 변형부(33) 및 상부전극(35)과 일체로 형성된 부재들이다. 제2 액츄에이팅부의 제1 상부 멤브레인(39)은 상기 상부전극(35)의 상부에 적층된다. 또한, 상기 제2 액츄에이팅부(41)의 제1 상부 멤브레인(39)의 일측 상부에는, 중앙부가 접촉되며 일측이 제2 에어갭(42)을 개재하여 상기 제1 상부 멤브레인(39)과 평행하도록 거울(43)이 형성된다. 상기 거울(43)은 그 중앙부에‘U’자형의 홈을 가진 평판의 형상이며, 일측이 상기 제1 상부 멤브레인(39)을 덮고, 타측이 인접한 액츄에이터를 덮도록 형성된다.

이하 본 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 공정을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 7A를 참조하면, 먼저 M×N(M, N은 정수) MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장된 액티브 매트릭스(21)의 상부에 패드(22)를 형성한다. 패드(22)는 텅스텐 등으로 구성되며 액티브 매트릭스(21)에 내장된 트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 상기 패드(22) 및 액티브 매트릭스(21)의 상부에 인 실리케이트 유리(PSG)를 사용하여 보호층(23)을 적층한다. 상기 보호층(23)은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition：CVD) 방법을 이용하여 1．0 ∼ 2．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 보호층(23)은 이후에 형성되는 희생층(27)의 표면을 평탄화 할 때, 상기 액티브 매트릭스(21)가 손상되는 것을 방지한다.

식각 방지층(25)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD：LPCVD) 방법을 이용하여 상기 보호층(23)의 상부에 2000Å 정도의 두께를 가지도록 적층한다. 상기 식각 방지층(25)은 희생층(27)을 식각할 때, 상기 액티브 매트릭스(21)가 식각되어 손상을 입게 되는 것을 방지한다. 이어서, 식각 방지층(25) 및 보호층(23) 중 하부에 패드(22)가 형성되어 있는 부분을 식각한 후, 텅스텐이나 티타늄 등으로 구성된 플러그(24)를 형성한다. 플러그(24)는 리프트-오프 방법에 의해 식각 방지층(25)으로부터 패드(22)까지 수직하게 형성된다. 따라서, 플러그(24)는 패드(22)와 전기적으로 연결되어 상기 트랜지스터로부터 발생한 화상 신호를 하부전극(31)에 전달한다.

상기 식각 방지층(25)의 상부에 인 실리케이트 유리(PSG) 등을 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure CVD：APCVD) 방법을 이용하여 1．0 ∼ 2．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 희생층(27)을 적층한다. 이 경우, 인 실리케이트 유리로 구성된 희생층(27)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(21)의 표면을 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 상기 희생층(27)의 표면을 스핀 온 글래스(Spin On Glass：SOG)를 사용하는 방법, 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법을 이용하여 평탄화시킨다. 이어서, 희생층(27)의 일부를 식각하여 상기 식각 방지층(25) 중 플러그(24)가 형성된 부분을 노출시킨다.

도 7B를 참조하면, 상기 희생층(27)의 상부에 질화물을 사용하여 제1 하부 멤브레인(29)을 적층한다. 제1 하부 멤브레인(29)은 상기 식각 방지층(25)의 노출된 부분을 제외한 희생층(27)의 상부에 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다. 이어서, 일측이 식각 방지층(25)의 노출된 부분에 접촉되고, 타측이 상기 제1 하부 멤브레인(29)의 상부에 위치하도록 하부전극(31)을 적층한다. 하부전극(31)은 백금, 또는 티타늄 등을 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 500∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 하부전극(31), 플러그(24) 및 패드(22)는 서로 전기적으로 연결된다.

도 7C를 참조하면, 상기 하부전극(27)의 상부에 변형부(33)를 적층한다. 변형부(33)는 PZT, 또는 PLZT 등의 압전 물질이나 PMN 등의 전왜 물질을 사용하여 0．1∼1．0㎛, 바람직하게는 0．4㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 변형부(33)는 졸-겔(Sol-gel)법을 이용하여 형성한 후, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing：RTA) 방법으로 열처리하여 상변이 시킨다. 상부전극(35)은 상기 변형부(33)의 상부에 적층된다. 상기 상부전극(35)은 알루미늄, 또는 은 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 500∼2000Å 정도의 두께로 형성하여 상기 제1 액츄에이팅부(37)를 구성한다. 계속하여, 상기 희생층(27)을 플루오르화 수소(HF) 증기로 식각하여 제1 에어 갭(26)을 형성하여 제1 액츄에이팅부(37)를 완성한다.

제2 액츄에이팅부(41)를 제조하는 공정에 있어서, 상기 제1 하부 멤브레인(29)을 형성하는 공정을 제외하면, 하부전극(31), 변형부(33) 및 상부전극(35)을 형성하는 공정은 상기 제1 액츄에이팅부(37)의 제조 공정과 동일하다.

도 8A 내지 도 8B에 있어서, 도 7A 내지 도 7C와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다. 도 8A를 참조하면, 상기 상부전극(35)의 상부에 제1 상부 멤브레인(39)을 적층한다. 제1 상부 멤브레인(39)은 제1 액츄에이팅부(37)의 제1 하부 멤브레인(29)과 동일한 재료인 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다.

도 8B를 참조하면, 상기 상부전극(35)의 일측 상부에 거울(43)을 형성하여, 제2 액츄에이팅부(41)를 완성한다. 상기 거울(43)은 알루미늄, 또는 은 등의 금속을 통상의 포토리쏘그래피(photolithography) 방법 및 스퍼터링 방법을 이용하여 500∼1000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 거울(43)은 상부전극(35)의 일측 상부에 중앙부가 접촉되며, 그 일측이 제2 에어갭(42)을 개재하여 상기 제1 상부 멤브레인(39)과 평행하도록 형성된다. 상기 거울(43)은 중앙부에‘U’자형의 홈이 있는 평판의 형상을 가지며, 상기 제1 상부 멤브레인(39) 및 인접한 액츄에이터의 일부를 덮도록 형성된다.

상술한 본 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 하부전극(31)에는 액티브 매트릭스(21)에 내장되어 있는 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)로부터 발생한 화상 신호가 인가되며, 상부전극(35)에는 바이어스 전압이 인가된다. 따라서 상부전극(35)과 하부전극(31) 사이에 전계가 발생하게 된다. 이 전계에 의하여 상부전극(35)과 하부전극(31) 사이의 변형부(33)가 변형을 일으킨다. 변형부(33)는 전계와 수직한 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 제1 액츄에이팅부들(37)(38)이 θ크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 제1 액츄에이팅부들(37)(38)은 제1 하부 멤브레인(29)이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘어진다. 또한, 하부전극(31)에 액티브 매트릭스(21) 내의 MOS 트랜지스터로부터 발생한 화상 신호가 인가되고 상부전극(35)에는 바이어스 전압이 인가될 때, 제2 액츄에이팅부(41)의 변형부(33)도 전계에 수직한 방향으로 수축을 일으킨다. 이에 따라 제2 액츄에이팅부(41)도 θ크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 제2 액츄에이팅부(41)는 제1 상부 멤브레인(39)이 형성되어 있는 방향의 반대쪽으로 휘어진다. 제1 액츄에이팅부들(37)(38)과 제2 액츄에이팅부(41)는 구동 각도의 크기는 같고 구동 방향은 서로 반대가 된다. 따라서, 제1 액츄에이팅부들(37)(38)과 제2 액츄에이팅부(41)의 구동 각도의 합은 2θ가 된다. 광원으로부터 입사된 광속을 반사하는 거울(43)은 제2 액츄에이팅부(41)의 상부에 형성되어 있으므로, 2θ 크기의 구동 각도를 가지고 구동하게 된다.

실시예 2

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이고, 도 10은 도 8에 도시한 장치를 E­E′선으로 자른 단면도를 도시한 것이며, 도 11은 도 9에 장치를 F­F′선으로 자른 단면도를 도시한 것이다. 도 9에 도시한 장치를 D-D′선으로 자른 단면도는 도 5와 동일하다. 도 9, 도 10 및 도 11에 있어서, 도 4, 도 5 및 도 6과 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(21), 액티브 매트릭스(21)의 양측 상부에 형성된 2개의 제3 액츄에이팅부들(45)(46), 액티브 매트릭스(21)의 중앙 상부에 상기 2개의 제3 액츄에이팅부들(45)(46)과 일체로 형성된 제5 액츄에이팅부(51), 그리고 상기 제3 액츄에이팅부들(45)(46) 및 제5 액츄에이팅부(51)의 사이에 상기 2개의 제3 액츄에이팅부들(45)(46) 및 제5 액츄에이팅부(51)와 일체로 형성된 2개의 제4 액츄에이팅부들(49)(50)을 포함한다. 따라서 상기 제3 액츄에이팅부들(45)(46), 상기 제4 액츄에이팅부들(49)(50) 및 제5 액츄에이팅부(51)는 동일 평면상에서‘U’자,‘T’자, 그리고‘U’자가 차례로 결합된 형상을 가진다.

본 실시예에 있어서, 상기 제3 액츄에이팅부들(45)(46)의 구성 및 제조 방법은 도 5 및 도 7A 내지 도 7C에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 액츄에이팅부(37)와 동일하다.

또한, 도 10에 도시한 본 실시예에 따른 제4 액츄에이팅부(49)는, 상부에 거울(43)이 형성되어 있는 것을 제외하면, 도 6 및 도 8A 내지 도 8B에 도시한 제2 액츄에이팅부(41)와 구성 및 제조 방법이 동일하다.

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 제4 액츄에이팅부들(49)(50)은 상기 제3 액츄에이팅부들(45)(46)의 하부전극(31)과 일체로 형성된 부재들인 하부전극(31), 변형부(33) 및 상부전극(35)을 포함한다. 상기 제4 액츄에이팅부(49)의 상부전극(35)의 상부에는 제2 상부 멤브레인(47)이 형성된다. 제2 상부 멤브레인(47)의 구성 및 제조 방법은 도 8 (A)에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 상부 멤브레인(39)과 동일하다.

도 9 및 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 제5 액츄에이팅부(51)는, 상기 제3 액츄에이팅부들(45)(46) 및 제4 액츄에이팅부들(49)(50)의 하부전극(31), 변형부(33) 및 상부전극(35)과 각기 일체로 형성된 하부전극(31), 변형부(33) 및 상부전극(35)을 포함한다.

도 11에 도시한 바와 같이, 제5 액츄에이팅부(51)는 상부에 거울(43)이 형성되어 있는 것을 제외하면 제1 실시예에 따른 제1 액츄에이팅부(37)와 구성 및 제조 방법이 동일하다.

상기 제5 액츄에이팅부(51)의 하부전극(33)의 하단에는 제1 액츄에이팅부(37)의 제1 하부 멤브레인과(29)과 동일한 제3 하부 멤브레인(55)이 형성되어 있다. 제3 하부 멤브레인(55)의 구성물질 및 제조 방법은 제1 실시예에 따른 제1 액츄에이팅부(37)의 제1 하부 멤브레인(29)과 동일하다. 또한 상기 제5 액츄에이팅부(51)의 상부전극(35)의 일측 상부에는 거울(43)이 형성되어 있다. 상기 거울(43)의 구성, 형상 및 제조 방법은 제1 실시예에 따른 제2 액츄에이팅부(41)의 거울(43)과 동일하다.

상술한 본 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서 전계가 발생하여 변형부가(33)가 변형을 일으키게 되는 과정은 제 1실시예의 경우와 동일하다. 제3 액츄에이팅부들(45)(46)의 변형부(33)는 전계와 수직한 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 제3 액츄에이팅부들(45)(46)이 θ크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 제3 액츄에이팅부들(45)(46)는 제2 하부 멤브레인(53)이 형성되어 있는 방향의 반대쪽으로 휘어진다. 동시에 제4 액츄에이팅부들(49)(50)의 변형부(33)도 전계에 수직한 방향으로 수축을 일으킨다. 이에 따라 제4 액츄에이팅부들(49)(50)도 θ크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 제4 액츄에이팅부들(49)(50)은 제2 상부 멤브레인(47)이 형성된 방향의 반대 방향으로 휘어진다. 또한 제5 액츄에이팅부(51)의 변형부(33)도 변형을 일으킨다. 따라서 제5 액츄에이팅부(51)도 θ크기의 구동 각도를 가지고 변형을 일으킨다. 제5 액츄에이팅부(51)는 제3 하부 멤브레인(55)이 형성된 방향의 반대쪽으로 휘어진다. 제3 액츄에이팅부들(45)(46)과 제5 액츄에이팅부(51)는 구동 각도의 크기와 구동 방향이 서로 같다. 이에 비하여, 제4 액츄에이팅부들(49)(50)은 구동 각도의 크기는 같지만 구동 방향은 제3 액츄에이팅부들(45)(46) 및 제5 액츄에이팅부(51)의 구동 방향과 반대 방향이 된다. 따라서 제3 액츄에이팅부들(45)(46), 제4 액츄에이팅부들(49)(50) 및 제5 액츄에이팅부(51)의 구동 각도의 합은 3θ가 된다. 광원으로부터 입사된 광속을 반사하는 거울(43)은 제5 액츄에이팅부(51)의 상부에 형성되어 있으므로, 3θ 크기의 구동 각도를 가지고 구동하게 된다.

본 발명에 따른 제1 실시예 및 제2 실시예에서와 같은 방법을 적용할 경우, 7개의 액츄에이터들로 구성됨으로써 4θ의 구동 각도를 가지는 박막형 광로 조절 장치를 만들 수 있다. 더욱이, 9개의 액츄에이터들로 구성됨으로써 5θ의 구동 각도를 가지는 박막형 광로 조절 장치를 제조할 수 있으며, 상기와 같은 방법으로 더욱 많은 액츄에이터들로 구성됨으로서 더욱 큰 구동 각도를 가지는 박막형 광로 조절 장치도 제조할 수 있을 것이다.

그러므로, 상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는, 좁은 면적을 가지면서도 종래의 박막형 광로 조절 장치에 비해 2∼3배, 또는 그 이상의 구동 각도로 거울을 구동시킬 수 있다. 그러므로 광원으로부터 입사되는 광속의 광효율을 높일 수 있으며, 콘트라스트를 향상시켜 밝고 선명한 화상을 맺을 수 있다. 또한 시스템의 설계에 있어서도 광원과 스크린과의 간격을 넓게 하여 시스템의 설계를 용이하게 할 수 있다.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예에 의하여 상세하게 설명 및 도시하였지만, 본 발명은 이에 의해 제한되는 것은 아니고 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적인 범위 내에서 이를 변형하는 것이나 개량하는 것이 가능하다.

Claims (18)

1. M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스의 일측 상부에 패드를 형성하는 단계; 그리고

   ⅰ) 상기 패드가 형성된 액티브 매트릭스의 상부에 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어 갭을 개재하여 상기 액티브 매트릭스와 평행하도록 하부전극을 형성하는 단계, ⅱ) 상기 하부전극의 상부에 변형부를 형성하는 단계 및 ⅲ) 상기 변형부의 상부에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하며, 서로 반대 방향으로 구동하는 적어도 2개의 액츄에이팅부들을 갖는 액츄에이터를 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 패드를 형성하는 단계는, 상기 액티브 매트릭스 및 상기 패드의 상부에 보호층을 형성하는 단계, 상기 보호층의 상부에 식각 방지층을 형성하는 단계, 그리고 상기 보호층 및 상기 식각 방지층의 일부를 식각하여 상기 식각 방지층으로부터 상기 패드까지 수직하게 플러그를 형성하는 단계 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 액츄에이터를 형성하는 단계는, 각기 상기 하부전극, 상기 변형부 및 상기 상부전극을 갖는 2개의 제1 액츄에이팅부들과 제2 액츄에이팅부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부들의 하부전극은, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하는 단계 및 상기 희생층의 상부에 제1 하부 멤브레인을 형성하는 단계 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 제2 액츄에이팅부의 상부전극은, 상기 상부전극의 상부에 제1 상부 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 상부전극의 일측 상부에 중앙부가 접촉되며 일측이 제2 에어 갭을 개재하여 상기 제1 상부 멤브레인과 평행하게 거울을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
6. 제5항에 있어서, 상기 거울은 중앙부에‘U’자 형상의 홈이 있는 평판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
7. 제5항에 있어서, 상기 거울은 은(Ag), 또는 알루미늄(Al)의 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
8. 제3항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부들은 상기 액티브 매트릭스의 양측 상부에 형성되며, 상기 제2 액츄에이팅부는 상기 액티브 매트릭스의 중앙 상부에 상기 제1 액츄에이팅부들과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부들 및 제2 액츄에이팅부는 동일 평면상에서 함께‘W’자 형상을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
10. 제3항에 있어서, 상기 제1 액츄에이팅부들과 상기 제2 액츄에이팅부는 서로 반대 방향으로 구동하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
11. 제1항에 있어서, 상기 액츄에이터는 각기 하부전극, 변형부 및 상부전극을 포함하는 2개의 제3 액츄에이팅부들, 2개의 제4 액츄에이팅부들, 그리고 제5 액츄에이팅부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 제3 액츄에이팅부들의 하부전극은, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하는 단계 및 상기 희생층의 상부에 제2 하부 멤브레인을 형성하는 단계 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 제4 액츄에이팅부들의 상부전극은 상부에 형성된 제2 상부 멤브레인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
14. 제13항에 있어서, 상기 제5 액츄에이팅부의 하부전극은, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하는 단계 및 상기 희생층의 상부에 제3 하부 멤브레인을 형성하는 단계 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
15. 제14항에 있어서, 상기 제5 액츄에이팅부의 상부전극은 상기 상부전극의 일측 상부에 중앙부가 접촉되며 일측이 상기 상부전극과 평행하도록 형성된 거울을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
16. 제11항에 있어서, 상기 제3 액츄에이팅부들은 각기 상기 액티브 매트릭스의 양측 상부에 형성되며, 상기 제5 액츄에이팅부는 상기 액티브 매트릭스의 중앙 상부에 형성되며, 상기 제4 액츄에이팅부들은 각기 상기 액티비 매트릭스 상부의 상기 제3 액츄에이팅부들과 상기 제5 액츄에이팅부 사이에 상기 제3 액츄에이팅부들 및 상기 제5 액츄에이팅부와 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 제3 액츄에이팅부들, 상기 제4 액츄에이팅부들 및 상기 제5 액츄에이팅부들은 동일 평면상에서 차례로‘U’자,‘T’자, 그리고‘U’자가 결합된 형상을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
18. 제11항에 있어서, 상기 제3 액츄에이팅부들 및 상기 제5 액츄에이팅부와 상기 제4 액츄에이팅부들은 서로 반대 방향으로 구동하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.