JP2002512701A - 薄膜型光路調節装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 薄膜型光路調節装置及びその製造方法が開示されている。前記装置は、電気的な配線及び連結端子が形成された基板、前記基板の上部に形成されたアクチュエータ、そして前記アクチュエータの上部に形成された反射部材を含む。前記アクチュエータは、下部電極、変形層、上部電極、そして支持層を含む。前記支持層の一方の側は前記下部電極の下端に付着されて、他方の側は外部に露出される。前記反射部材は、前記支持層の他方の側上部に形成される。したがって、前記装置は、アクチュエータと反射部材を分離してアクチュエータの面積を縮少する同時に、反射部材の面積を拡大することで、入射される光束の光効率向上させることができて、スクリーンに投影される画像の画質を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 薄膜型光路調節装置及びその製造方法 発明の背景 １．発明の分野 本発明は薄膜型光路調節装置及びその製造方法に関するものであり、より詳細 には所定の角度で変形を起こすアクチュエータと入射される光束を反射する鏡を 分離してアクチュエータの面積を縮小すると同時に鏡の面積を拡大することで入 射される光束の光効率を極大化できて、これによりスクリーンに投影される画像 の画質を向上させることができる薄膜型光路調節装置及びその製造方法に関する ものである。 ２．従来技術 一般的に光束を調節して画像を形成できる光路調節装置は、大きく２種類に区 分される。その１種類は、直視型画像表示装置であってＣＲＴ(Cathode Ray Tub e)などがあり、他の１種類は、投射型画像表示装置であって液晶表示装置(Liqui d Crystal Display：ＬＣＤ)、ＤＭＤ(Digital Mirror Device)、またはＡＭＡ などがこれに該当する。前記ＣＲＴ装置は、画像の質は優秀であるが、画面の大 型化によって装置の重量と容積が増加して、その製造費用が上昇する問題点があ る。これに比べて液晶表示装置（ＬＣＤ）は、光学的構造が簡単で薄く形成でき るために、その重量及び容積を減らすことができる長所がある。しかし前記液晶 表示装置は、入射される光束の偏光によって１〜２％の光効率を有する程度で効 率が低下し、液晶物質の応答速度が遅くて内部が過熱しやすい問題点がある。 したがって、前記問題点を解決するために、ＤＭＤまたはＡＭＡなどの画像表 示装置が開発された。現在、ＤＭＤ装置が５％程度の光効 率を有することに比べて、ＡＭＡ装置は１０％以上の光効率を得ることができる 。またＡＭＡ装置は、スクリーンに投影される画像のコントラストを向上させて より明るくて鮮明な画像を結ぶことができ、入射される光束の極性に影響を受け ないだけでなく、反射される光束の極性に影響を及ばさない。このようなGregor y Ｕｍによる米国特許第５，１２６，８３６号に開示されたＡＭＡのエンジンシ ステムの概略図を図１に示した。 図１に示すように、光源１から入射された光束は、第１スリット３及び第１レ ンズ５をすぎながらＲ・Ｇ・Ｂ(Red・Green・Blue)表色界によって分光される。 前記Ｒ・Ｇ・Ｂ別に分光された光束は、それぞれ第１鏡７、第２鏡９及び第３ 鏡１１によって反射され、それぞれの鏡に対応して設置されたＡＭＡ素子１３， １５，１７に入射される。前記Ｒ・Ｇ・Ｂ別に形成されたＡＭＡ素子１３，１５ ，１７は、それぞれ内部に備えられた鏡を所定の角度で傾斜させて入射された光 束を反射させる。この時、前記鏡は、鏡の下部に形成された変形層の変形によっ て傾く。前記ＡＭＡ素子１３，１５，１７から反射された光は第２レンズ１９及 び第２スリット２１を通過した後、投影レンズ２３によってスクリーン(図示せ ず)に投影され、画像を結ぶようになる。 前記変形層の構成物質としては、大部分の場合、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が使われ る。しかし、ＰＺＴ(lead zirconate titanate、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ₃)が酸化 亜鉛より優秀な圧電特性を有するという事実が、最近になって知られてきた。前 記ＰＺＴは、ＰｂＺｒＯ₃とＰｂＴｉＯ₃の完全固溶体として、高温では決定構造 が立方晶の常誘電層で存在して、常温ではＺｒとＴｉの造成比によって決定構造 が斜方晶の反強誘電層、菱面体晶の強誘電層、そして正方晶の強誘電層で存在す る。 ＰＺＴは、ＺｒとＴｉの造成比が約１：１の造成で、正方晶相と菱 面体晶相の相境界があって、ＰＺＴは、前記相境界（ＭＰＢ）の造成で。最大の 誘電特性及び圧電特性を表す。前記相境界は、特定造成に位置せずに比較的広い 造成範囲にわたり正方晶相と菱面体晶相が共存する領域されており、相共存領域 は、研究者によって２〜３mol％から１５mol％に至るまでそれぞれ違うように報 告にされている。このような相共存の原因としては熱力学的安全性、造成の不均 一性、内部応力などの色々な理論が提示されている。現在、ＰＺＴ薄膜は、スピ ンコーティング方法、化学気相蒸着(Chemical Vapor Deposition:ＣＶＤ）方法 、スパッタリング方法などのような多様な工程を利用して製造できる。 このような光路調節装置であるＡＭＡは、大きくバルク型と薄膜型で区分され る。前記バルク型光路調節装置は、Dae-Young Limによる米国特許第５，４６９ ，３０２号に開示されている。前記バルク型光路調節装置は、多層セラミックを 薄く切断して内部に金属電極が形成されたセラミックウェーハを、トランジスタ ーが内蔵されたアクティブマトリックス上に装着した後、ソーイング方法で加工 しその上部に鏡を設置してなされる。しかしバルク型光路調節装置は、設計及び 製造において高い精密度が要求され、変形層の応答速度が遅いという問題点があ る。これにより、半導体工程を利用して製造できる薄膜型光路調節装置が開発さ れた。 前記薄膜型光路調節装置は、本出願人が米国に出願した特許出願第０８／３３ １，３９９号「薄膜型光路調節装置及びその製造方法」に開示されている。 図２に前記薄膜型光路調節装置の断面図を示す。図２を参照すると、前記薄膜 型光路調節装置は、アクティブマトリックス３０、アクティブマトリックス３０ の上部に形成されたアクチュエータ５０、そしてアクチュエータ５０の上部に形 成された鏡５３を含む。 アクティブマトリックス３０は、Ｍ×Ｎ（Ｍ、Ｎは整数）個のトランジスター （図示せず）が内蔵された基板３３、そしてそれぞれのトランジスターの上部に 形成されたＭ×Ｎ個の接続端子３５を含む。 アクチュエータ５０は、アクティブマトリックス３０の上部の中接続端子３５ が形成された部分の上部に形成された支持部３９、一方の側の下端が支持部４１ に付着され他方の側がアクティブマトリックス３０と平行に形成された第２電極 ４１、支持部３９の内部に接続端子３５と第２電極４１を連結するように形成さ れた電導管３７、第２電極４１の上部に形成された変形層４３、そして変形層４ ３の上部に形成された第１電極４７を含む。 鏡５３は、第１電極４７の上部に形成され、光源から入射される光を反射する 。 以下、前記薄膜型光路調節装置の製造方法を説明する。図３Ａないし図３Ｃは 、図２に示した装置の製造工程図である。図３Ａないし図３Ｃにおいて、図２と 同一部材に対しては同一参照番号を使用する。 図３Ａを参照すると、まず、Ｍ×Ｎ個のトランジスター（図示せず）と、この 上部に形成された基板３３と前記トランジスターの上部に各々形成されたＭ×Ｎ 個の接続端子３５とを含むアクティブマトリックス３０を提供する。次に、アク ティブマトリックス３０の上部に犠牲層５５を形成した後、犠牲層５５をパター ニングしてアクティブマトリックス３０の中上部にＭ×Ｎ個の接続端子３５が形 成された部分を露出させる。犠牲層５５は後に、エッチング、または化学薬品を 使用して除去できる。 図３を参照すると、前記露出されたＭ×Ｎ個の接続端子３５が形成された部分 にスパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を使用して支持部３９を形成す る。次いで、支持部３９の内部にホールを作った後、前記ホールの内部に例えば 、タングステン（Ｗ）などの伝導性 物質を満たして電導管３７を形成する。電導管３７は、後で形成される第２電極 ４１と接続端子３５を電気的に連結する。 内部に電導管３７が形成された支持部３９の上部及び犠牲層５５の上部に、例 えば、金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）などの伝導性物質を使用して第２電極４１を 形成する。続けて、第２電極４１の上部に例えば、ＰＺＴ(lead zirconate tita nate)などの圧電物質を使用して変形層４７を形成する。そして、変形層４７の 上部に、例えば、金または銀等の伝導性物質を使用して第１電極４７を形成する 。画像信号電流は、アクティブマトリックス３０に内蔵されたトランジスター、 接続端子３５及び電導管３７を通じて第２電極４１に印加される。同時に、第１ 電極４７には、アクティブマトリックス３０の後面に形成された共通電極線（図 示せず）からバイアス電流が印加され、第１電極４７と第２電極４１の間に電場 が発生する。この電場によって第１電極４７と第２電極４１との間に形成された 変形層４７がティルティングするようになる。 第１電極４７の上部には、光源から入射される光を反射する鏡５３を形成する 。図３を参照すると、鏡５３、第１電極４７、変形層４５、第２電極４１を順に パターニングして、Ｍ×Ｎ個の所定の形状を有する画素を形成する。次いで、犠 牲層５５を除去した後、前記画素を洗滌及び乾燥して薄膜型光路調節装置を完成 する。 しかし前述した薄膜型光路調節装置において、光束を反射する鏡の中反射部の 面積より所定の角度で変形を起こす駆動部の面積がさらに広いことにより素子の 実際面積に比べて入射される光に比べて反射される光が少なくなって光効率が落 ちる問題点があった。すなわち、前記鏡の中アクチュエータの変形によって変形 を起こす一方の側の駆動部が他方の側の入射される光束を反射する反射部より広 い関係で、素子の実際面積に比べて光効率が落ちるようになる。 また、前記駆動部の中反射部と隣接する部分から入射される光束が反射される ことによって、反射部から反射される光束と光散乱を起こしスクリーンに投影さ れる画像の画質を低下させる問題点があった。 発明の要約 したがって、本発明の第１の目的は、所定の角度で変形を起こすアクチュエー タと光束を反射する反射部材を分離して形成して、アクチュエータの面積を縮小 すると同時に、鏡部の面積を拡大して光効率を極大化させて、これによりスクリ ーンに投影される画像の画質を向上させることができる薄膜型光路調節装置を提 供することにある。 本発明の第２の目的は、所定の角度で変形を起こすアクチュエータと光束を反 射する鏡を分離して形成して、アクチュエータの面積を縮小すると同時に、鏡部 の面積を拡大して光効率を極大化させて、これによりスクリーンに投影される画 像の画質を向上させることができる薄膜型光路調節装置の製造方法を提供するこ とにある。 前記目的を達成するために、本発明は、基板、該基板の上部に形成されたアク チュエータ、そして前記アクチュエータの上部に形成された反射部材を含む。 前記基板には、外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配 線及び連結端子が形成される。 前記アクチュエータは、前記第１信号が印加される下部電極、前記下部電極に 対応して形成されて第２信号が印加されて電場を発生させる上部電極、前記下部 電極と前記上部電極の間に形成されて前記電場によって変形を起こす変形層及び 一方の側が前記下部電極の下端に付着されて他方の側が前記下部電極の外部に露 出された支持層を含む。 前記反射部材は、前記支持層の露出された部分上に形成されて、入射する光を 反射する。前記アクチュエータは、前記変形層から前記下 部電極、前記支持層を通じて前記連結端子まで形成されたビアホール内に形成さ れて、前記第１信号を前記連結端子から前記下部電極に伝達するビアコンタクト をさらに含む。 前記支持層は硬質の物質を使用して形成され、前記下部電極は、導電性を有する 金属を使用して形成されて、前記変形層は圧電物質、または電歪物質を使用して 形成される。そして前記上部電極は導電性及び反射性を有する金属を使用して形 成される。 望ましくは、前記支持層は、窒化物、または金属を使用して形成され、前記下 部電極は、白金、タンタルまたは白金−タンタルを使用して形成され、前記変形 層は、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮを使用して形成され、そして前記上部電 極は、アルミニウム、白金、または銀を使用して形成される。 前記下部電極、前記変形層及び前記上部電極はそれぞれ「Ｕ」字の形状を有し 、前記支持層の他方の側は四角形の形状を有する。前記下部電極は前記支持層の 一方の側より狭い面積を有し、前記変形層は前記下部電極より狭い面積を有し、 前記上部電極は前記変形層より狭い面積を有し、前記反射手段は四角形の形状を 有する。 望ましくは、前記反射手段は、銀、アルミニウム、または白金などの反射性を 有する金属を使用して形成される。 また、前記目的を達成するために本発明は、 外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結端子 が形成された基板を提供する段階と、 前記基板の上部に第１層を形成する段階と、 前記第１層上に下部電極層、第２層、及び上部電極層を形成する段階と、 前記上部電極層を第２信号が印加され電場を発生させる上部電極にパターニン グする段階、前記第２層を前記電場によって変形を起こす 変形層にパターニングする段階、前記下部電極層を前記第１信号が印加される下 部電極にパターニングする段階及び前記第１層を一方の側が前記下部電極の下端 に付着されて他方の側が前記下部電極の外部に露出される支持層にパターニング する段階を含むアクチュエータを形成する段階と、 前記変形層の一方の側から前記連結端子までビアホールを形成する段階と、 前記ビアホールの内部に前記第１信号を前記連結端子から前記下部電極に伝達 するビアコンタクトを形成する段階と、そして 前記支持層の他方の側上部に光を反射させるための反射手段を形成する段階を 含む薄膜型光路調節装置の製造方法を提供する。 前記第１層を形成する段階は、窒化物または金属を低圧化学気相蒸着（ＬＰＣ ＶＤ）方法を使用して遂行され、前記下部電極層を形成する段階は、白金、タン タルまたは白金-タンタルをスパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を利 用して遂行され、前記上部電極層を形成する段階は、アルミニウム、白金、また は銀をスパッタリング方法または化学気相蒸着方法を利用して遂行される。 前記第２層を形成する段階は、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮをゾル−ゲル 法、スパッタリング方法、または化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を利用して遂行さ れる。前記第２層を形成する段階は、前記第２層を急速熱処理（ＲＴＡ）方法を 使用して熱処理する段階及び前記第２層を分極させる段階をさらに含む。 前記ビアコンタクトを形成する段階は、導電性を有する金属を使用してスパッ タリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行され、前記反射手段を形成 する段階は、白金、アルミニウム、または銀をスパッタリング方法、または化学 気相蒸着方法を利用して遂行される。 前述した本発明による薄膜型光路調節装置において、上部電極には、 ＴＣＰのパッド及びＡＭＡパネルのパッドを通じて第２信号が印加される。同時 に、前記ＴＣＰのパッド及びＡＭＡパネルのパッドを通じて伝えられた第１信号 は、前記基板に形成された前記電気的な配線と連結端子及びビアコンタクトを通 じて下部電極に印加される。したがって、上部電極と下部電極との間に電場が発 生し、このような電場によって上部電極と下部電極との間に形成された変形層が 変形を起こす。 変形層は、このような電場に対し垂直な方向に収縮し、したがって、変形層及 び支持層を含むアクチュエータは、支持層が位置した方向と反対方向にティルテ ィングする。光源から入射される光束を反射する反射部材は、前記支持層の上部 に形成にされているので、反射部材全体がアクチュエータと同じ角度でティルテ ィングする。これにより、反射部材は、入射される光束を所定の角度で反射して スクリーンに画像を結ぶようになる。 したがって、本発明による薄膜型光路調節装置は、反射部材が支持層の中央部 の上部に広く形成され、アクチュエータがティルティングすることにより反射部 材全体がティルティングするようになる。すなわち、反射部材面全体を使用して 光源から入射される光束を反射できる。したがって、上記の通りに反射部材をア クチュエータと分離して形成することにより、光源から入射される光束の光効率 を向上させることができ、これによってスクリーンに投影される画像の画質を従 来に比べて顕著に向上させることができる。 図面の簡単な説明 図１は、従来の光路調節装置のエンジンシステムの概略図である。 図２は、本出願人が先行出願した薄膜型光路調節装置の断面図である。 図３Ａないし図３Ｃは、図２に示した装置の製造工程図である。 図４は、本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の平面図で ある。 図５は、図４に示した装置の斜視図である。 図６は、図５に示した装置をＡ₁−Ａ₂線で切り取った断面図である。 図７ないし図１２は、本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の製造工 程図である。 図１３は、本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の平面図である。 図１４は、図１３に示した装置の斜視図である。 図１５は、図１４に示した装置をＢ₁−Ｂ₂線で切り取った断面図である。 図１６ないし図２０Ｂは、本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の製 造工程図である。 図２１は、本発明の第３実施例による薄膜型光路調節装置の平面図である。 図２２は、図２１示した装置の斜視図である。そして 図２３は、図２１に示した装置をＣ₁−Ｃ₂線で切り取った断面図である。 発明の詳細な説明 以下、本発明の望ましい実施例を中心に本発明を図面を参照して詳細に説明す る。 実施例１ 図４は、本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の平面図を示したもの であり、図５は、図４に示した装置の斜視図を示したものであり、図６は、図５ に示した装置をＡ₁−Ａ₂線で切り取った断面図を示したものである。 図４を参照すると、本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置 は、基板１００、基板１００の上部に形成されたアクチュエータ１７０、そして アクチュエータ１７０の中央上部に形成された反射部材１６０を含む。 図５及び図６を参照すると、外部から第１信号、すなわち画像電流信号が印加 されて前記第１信号を伝達する電気的な配線（図示せず）及び連結端子１０５が 形成された基板１００は、基板１００及び連結端子１０５の上部に形成された保 護層１１０、そして保護層１１０の上部に形成されたエッチング防止層１１５を 含む。 アクチュエータ１７０は、エッチング防止層１１５の中下に連結端子１０５が 形成された部分に一方の側の下端が接触されて他方の側がエアーギャップ１１８ を介在してエッチング防止層１１５と平行するように形成された支持層１２０、 支持層１２０の上部に形成された下部電極１２５、下部電極１２５の上部に形成 された変形層１３０、変形層１３０の上部に形成された上部電極１４０、そして 変形層１３０の一方の側から変形層１３０、下部電極１２５、支持層１２０、エ ッチング防止層１１５及び保護層１１０を通じて連結端子１０５まで垂直するよ うに形成されたビアホール１４５の内部に下部電極１２５と連結端子１０５とが 電気的に連結するように形成されたビアコンタクト１５０とを含む。 支持層１２０は、両側部が基板１００に付着される部分から並んで直四角形の 形状で形成されて、四角形の形状の平板の中央部が前記両側部との間に前記両側 部と一体で形成されている形状を有する。下部電極１２５は、支持層１２０の両 側部及び中央部の一部の上部に「Ｕ」字の模様で形成される。下部電極１２０よ り小さい面積を有する変形層１３０は、下部電極１２５の上部に下部電極１２５ と同じ形状で形成される。変形層１３０より小さい面積を有する上部電極１４０ は、変形層１３０の上部に変形層１３０と同じ形状で形成される。 前記支持層１２０の中央部の上部には、反射部材１６０が形成される。反射部 材１６０は、支持層１２０から変形層１３０の一部まで至る厚さを有する。望ま しくは、反射部材１６０は四角形の平板の形状を有し、反射部材１６０は鏡であ る。 以下、本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の製造方法を、図面を参 照して詳細に説明する。 図７ないし図１２Ｂは、本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置の製造 工程図である。図７ないし図１２Ｂにおいて、図６と同じ部材に対しては同じ参 照番号を使用する。 図７を参照すると、内部に電気的な配線（図示せず）が形成されて前記電気的 な配線の上部に連結端子１０５が形成にされている基板１００の上部に保護層１ １０を積層する。前記電気的な配線及び連結端子１０５、は外部から前記第１信 号を受けて前記第１信号を下部電極１２５に伝達する。望ましくは、前記電気的 な配線は、スイッチング動作を遂行するためのＭＯＳ(Metal Oxide Semiconduct or)トランジスターを含む。前記保護層１１０は、りんシリケートガラス(Phosph or-Sillcate Glass:PSG)を使用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するよう に形成する。保護層１１０は、化学気相蒸着(Chemical Vapor Deposition:ＣＶ Ｄ)方法を使用して形成する。保護層１１０は、後続する工程の間、前記トラン ジスターが内蔵された基板１００が損傷を受けることを防止する。 保護層１１０の上部には、エッチング防止層１１５が積層される。エッチング 防止層１１５は、窒化物を使用して１０００〜２０００Å程度の厚さを有するよ うに形成する。エッチング防止層１１５は、低圧化学気相蒸着(Low Pressure ＣＶＤ：ＬＰＣＶＤ)方法を利用して形成する。エッチング防止層１１５は、保 護層１１０及び、前記電気的な配線及び連結端子１０５が形成された基板１００ が、後続される エッチング工程によってエッチングされることを防止する。 エッチング防止層１１５の上部には、犠牲層１１７が積層される。犠牲層１１ ７は、リンシリケート(PSG)を使用して形成する。犠牲層１１７は、大気圧化学 気相蒸着(Atmospheric Pressure CVD:ＡＰＣＶＤ)方法を使用して０．５〜４． ０μｍ程度の厚さを有するように形成する。この場合、犠牲層１１７は、前記電 気的な配線及び連結端子１０５が形成された基板１００の上部を覆っているので 、その表面の平坦度が非常に不良である。したがって、犠牲層１１７の表面を、 スピンオングラス(Spin On Galss:ＳＯＧ)を使用する方法、またはＣＭＰ(Chemi cal Mechanical Polishing)方法を利用して平坦化させる。次いで、アクチュエ ータ１７０の支持部が形成される位置を考慮して、犠牲層１１７の中下に連結端 子１０５が形成されている部分及びこれと隣接した部分をエッチングして、前記 エッチング防止層１１７の一部を露出させる。 図８を参照すると、前記露出されたエッチング防止層１１５の一部の上部及び 犠牲層１１７の上部に、第１層１１９を積層する。第１層１１９は、硬質の物質 、例えば窒化物または金属を使用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するよ うに形成する。第１層１１９は、低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）方法を使用し て形成する。第１層１１９は、後に支持層１２０でパターニングされる。次いで 、白金(Ｐｔ)、タンタル(Ｔａ)、または白金-タンタル（Ｐｔ-Ｔａ）などの導電 性を有する金属を使用して下部電極層１２４を第１層１１９の上部に積層する。 下部電極層１２４は、スパッタリング方法または化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法 を使用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。下部電極層 １２４は、後に前記第１信号が印加される下部電極１２５にパターニングされる 。 下部電極層１２４の上部には、第２層１２９が積層される。第２層１２９は、 ＰＺＴ、またはＰＬＺＴなどの圧電物質を使用して形成する。また、第２層１２ ９は、ＰＭＮなどの電歪物質を使用して形成する。第２層１２９は、ゾル−ゲル 法、スパッタリング方法、または化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を使用して０．１ 〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。望ましくは、第２層１２９は 、０．４μｍ程度の厚さを有する。次いで、急速熱処理(Rapid Thermal Anneali ng：RTA)方法を利用して第２層１２９を熱処理した後、第２層１２９を分極させ る。第２層１２９は、後に変形層１３０でパターニングされる。 上部電極層１３９は、第２層１２９の上部に積層される。上部電極層１３９は 、アルミニウム、白金、または銀等の導電性及び反射性を有する金属を使用して 形成する。上部電極層１３９は、スパッタリング方法、または化学気相蒸着（Ｃ ＶＤ）を使用して０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。上部 電極層１３９は、後に上部電極１４０でパターニングされる。 図９Ａは、上部電極層１３９、第２層１２９及び下部電極層１２４をパターニ ングした状態を表す図面で、図９Ｂは図９Ａに示した装置の部分斜視図である。 図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、上部電極層１３９の上部に第１フォトレジス ト（図示せず）をスピンコーティング方法で塗布した後、前記第１フォトレジス トをエッチングマスクとして利用して上部電極層１３９をパターニングして、上 部電極１４０を形成する。上部電極１４０には、共通電極線（図示せず）から第 ２信号、すなわちバイアス電流信号が印加される。上部電極１４０は「Ｕ」字の 形状を有する。前記第１フォトレジストを除去した後、上部電極１４０及び第２ 層１２９の上部に第２フォトレジスト（図示せず）をスピンコーティング方法で 塗布する。前記第２フォトレジストをエッチングマスクとして 第２層１２９をパターニングして変形層１３０を形成する。変形層１３０は、上 部電極１４０よりやや広い「Ｕ」字の形状を有する。前記第２フォトレジストを 除去した後、上部電極１４０、変形層１３０及び下部電極層１２４の上部に第３ フォトレジスト（図示せず）をスピンコーティング方法で塗布した後、下部電極 層１２４をパターニングして下部電極１２５を形成する。下部電極１２５は、変 形層１３０よりやや広い「Ｕ」字の形状を有する。そして、前記第３フォトレジ ストを除去する。 図１０Ａは、ビアコンタクト１５０を形成した状態を表す図面で、図１０Ｂは 、図１０Ａに示した装置の部分斜視図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、変形層１３０の中下に連結端子１０５が 形成された部分から、変形層１３０、下部電極１２５、第１層１２０、エッチン グ防止層１１５、そして保護層１１０を順にエッチングしてビアホール１４５を 形成する。ビアホール１４５の内部には、タングステン(Ｗ)、白金、アルミニウ ム(Ａｌ)、またはチタニウム（Ｔｉ）などの導電性を有する金属を使用してビア コンタクト１５０を形成する。連結端子１０５と下部電極１２５を電気的に連結 するために、ビアコンタクト１５０は、スパッタリング方法、または化学気相蒸 着方法を利用して、ビアホール１４５内に下部電極１２５から連結端子１０５の 上部まで形成される。したがって、前記第１信号は、基板１００に形成された前 記電気的な配線及び連結端子１０５からビアコンタクト１５０を通じて下部電極 １２５に印加される。同時に、上部電極１４０に共通電極線から前記第２信号が 印加されると、上部電極１４０と下部電極１２５との間に電場が発生する。この ような電場によって、上部電極１４０と下部電極１２５との間に形成された変形 層１３０が変形を起こす。 図１１Ａは、第１層１１９をパターニングした状態を表す図面で、 図１１Ｂは図１１Ａに示した装置の部分斜視図である。 図１１Ａ及び図１１Ｂを参照すると、下部電極１２５及びビアホール１４５の 上部に、第４フォトレジスト（図示せず）をスピンコーティング方法で塗布する 。前記第４フォトレジストをエッチングマスクとして利用して、第１層１１９を パターニングして支持層１２０を形成する。支持層１２０の両側部は、下部電極 １２５よりやや広い直四角形の形状を有し、中央部は、四角形平板の形状を有す るようにパターニングされる。すなわち、支持層１２０は、両側部が前記下部電 極１２５に付着される部分から並んで直四角形形状で形成され、四角形形状の平 板の中央部が前記両側部の間に前記両側部と一体で形成にされている形状を有す る。次いで、前記第４フォトレジストをエッチングして除去する。上記の通りに 支持層１２０がパターニングされると、犠牲層１１７の一部が露出される。 図１２Ａは、反射部材１６０を形成した状態を表す図面で、図１２Ｂは、図１ ２Ａに示した装置の斜視図である。 図１２Ａ及び図１２Ｂを参照すると、前記露出された犠牲層１１７の上部及び 前記支持層１２０の上部に第５フォトレジスト(図示せず)をスピンコーティング 方法で塗布した後、前記第５フォトレジストをパターニングして前記支持層１２ ０の中央部が露出されるようにする。次いで、前記露出された支持層１２０の中 央部の上部には、白金またはアルミニウムなどの反射性を有する金属を使用して 反射部材１６０を形成する。反射部材１６０は、スパッタリング方法、または化 学気相蒸着方法を使用して０．３〜２．０μｍ程度の厚さを有するようにする。 したがって、反射部材１６０は、前記支持層１２０の中央部と同じ四角形の形状 を有する。反射部材１６０は、光源（図示せず）から入射される光束を反射する 。前記第５フォトレジスト及び犠牲層１１７を、フッ化水素（ＨＦ）蒸気を使用 して除去してアクチュエータ １７０を完成する。犠牲層１１７が除去されると、エアーギャップ１１８が犠牲 層１１７の位置に形成される。次いで、上部にアクチュエータ１７０が形成され た基板１００を洗滌及び乾燥した後、クロム(Ｃｒ)、ニッケル(Ｎｉ)、または金 （Ａｕ）などの金属を、スパッタリング方法、または蒸着方法を利用して基板１ ００の下端に蒸着させ、抵抗性コンタクト(図示せず)を形成する。そして、後続 する上部電極１４０に第２信号を印加して、下部電極１２５に第１信号を印加す るためのＴＣＰ(Tape Carrier Package)ボンディングを対応して基板１００を切 る。この場合、後続される工程に対応して基板１００を所定の厚さまで切り出す 。次いで、ＡＭＡパネルのパッド（図示せず）とＴＣＰのパッド（図示せず）と を連結して、薄膜型ＡＭＡモジュールの製造を完了する。 前述した本発明の第１実施例による薄膜型光路調節装置において、上部電極１ ４０には、ＴＣＰのパッド及びＡＭＡパネルのパッドを通じて第２信号が印加さ れる。同時に、前記ＴＣＰのパッド及びＡＭＡパネルのパッドを通じて伝えられ た第１信号は、前記基板１００に形成された前記電気的な配線と連結端子１０５ 及びビアコンタクト１５０を通じて下部電極１２５に印加される。したがって、 上部電極１４０と下部電極１２５との間に電場が発生して、このような電場によ って、上部電極１４０と下部電極１２５の間に形成された変形層１３０が変形を 起こす。 変形層１３０は、このような電場に対し垂直な方向に収縮し、したがって、変 形層１３０及び支持層１２０を含むアクチュエータ１７０は、支持層１２０が位 置した方向と反対方向にティルティングする。光源から入射される光束を反射す る反射部材１６０は、前記支持層１２０の上部に形成にされているので、反射部 材１６０全体がアクチュエータ１７０と同じ角度でティルティングする。これに より、反射部 材１６０は、入射される光束を所定の角度で反射して、スクリーンに画像を結ぶ ようになる。 実施例２ 図１３は、本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の平面図を示したも ので、図１４は、図１３に示した装置の斜視図を示したものであり、図１５は、 図１４に示した装置をＢ₁−Ｂ₂線で切り取った断面図を示したものである。 図１３を参照すると、本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置は、基板 ２００と、基板２００の上部に形成されたアクチュエータ２８０と、アクチュエ ータ２８０の上部に形成された反射部材２９０とを含む。 アクチュエータ２８０は、基板２００の一方の側上部に形成された第１アクチ ュエーティング部２８１と、基板２００の他方の側上部に形成された第２アクチ ュエーティング部２８２とを含む。反射部材２９０は、第１アクチュエーティン グ部２８１及び第２アクチュエーティング部２８２の中央に形成される。 図１４及び図１５を参照すると、電気的な配線（図示せず）が形成された基板 ２００は、前記電気的な配線の上部に形成された連結端子２０５、基板２００及 び連結端子２０５の上部に積層された保護層２１０、そして保護層２１０の上部 に積層されたエッチング防止層２１５を含む。望ましくは、前記電気的な配線は 、スイッチング動作を遂行するためのMOSトランジスターを含む。 第１アクチュエーティング部２８１は、エッチング防止層２１５の中下に連結 端子２０５が形成された部分に一方の側の下端が付着されて、他方の側がエアー ギャップ２１８を介在してエッチング防止層２１５と平行するように積層された 支持層２２０、支持層２２０の一方の側上部に形成された第１下部電極２３１、 第１下部電極２３１の上 部に形成された第２変形層２４１、第２変形層２４１の上部に形成された第１上 部電極２５１、そして第１変形層２４１の一方の側から第１変形層２４１、第１ 下部電極２３１、支持層２２０、エッチング防止層２１５及び保護層２１０を通 じて連結端子２０５まで垂直するように形成された第１ビアホール２６１内に第 １下部電極２３１と連結端子２０５とが電気的に連結するように形成された第１ ビアコンタクト２７１を含む。 第２アクチュエーティング部２８２は、第１アクチュエーティング部２８１と 同じ形状を有する。第２アクチュエーティング部２８２は、エッチング防止層２ １５の中下に連結端子２０５が形成された部分と隣接した部分に一方の側の下端 が付着されて、他方の側がエアーギャップ２１８を介在してエッチング防止層２ １５と平行するように積層された支持層２２０、支持層２２０の他方の側上部に 形成された第２下部電極２３２、第２下部電極２３２の上部に形成された第２変 形層２４２、第２変形層２４２の上部に形成された第２上部電極２５２、そして 第２変形層２４２の一方の側から第２変形層２４２、第２下部電極２３２、支持 層２２０、エッチング防止層２１５及び保護層２１０を通じて連結端子２０５ま で垂直するように形成された第２ビアホール２６２内に第２下部電極２３２と連 結端子２０５が電気的に連結するように形成された第２ビアコンタクト２７２を 含む。 支持層２２０は、両側部が基板２００に付着される部分から並んで直四角形形 状で形成され、四角形形状の平板の中央部が前記両側部の間に前記両側部と一体 で形成にされている形状を有する。第１下部電極２３１及び第２下部電極２３１ は、それぞれ支持層２２０の両側部の上部に形成されて、第１変形層２４１及び 第２変形層２４２はそれぞれ第１下部電極２３１及び第２下部電極２３２の上部 に形成される。また、第１上部電極２５１及び第２上部電極２５２はそれぞれ第 １変 形層２４１及び第２変形層２４２の上部に形成される。第１変形層２４１及び第 ２変形層２４２は、それぞれ第１下部電極２３１及び第２下部電極２３２より小 さな面積を有し、第１上部電極２５１及び第２上部電極２５２は、それぞれ第１ 変形層２４１及び第２変形層２４２より小さな面積を有する。 前記支持層２２０の中央部の上部には、反射部材２９０が形成される。望まし くは、反射部材２９０は、両側部が突出した四角形の平板の形状を有し、反射部 材２９０は、鏡である。 以下、本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の製造方法を、図面を参 照して説明する。 図１６ないし図２０Ｂは、本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の製 造工程図を示したものである。 図１６を参照すると、第１信号を印加され前記第１信号を伝達する電気的な配 線（図示せず）が形成されていて、前記電気的な配線の上部に連結端子２０５が 形成にされている基板２００の上部に保護層２１０を積層する。保護層２１０は 、リンシリケート（ＰＳＧ）を使用して、０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有す るように形成する。保護層２１０は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を使用して形 成する。保護層２１０は、後続する工程中、前記電気的な配線及び連結端子２０ ５が形成された基板２００が損傷を受けることを防止する。保護層２１０の上部 には、エッチング防止層２１５が積層される。エッチング防止層２１５は、窒化 物を使用して形成する。エッチング防止層２１５は、低圧化学気相蒸着（ＬＰＣ ＶＤ）方法を使用して１０００〜２０００Å程度の厚さを有するように形成する 。エッチング防止層２１５は、基板２００及び保護層２１０が後続されるエッチ ング工程によってエッチングされることを防止する。 前記エッチング防止層２１５の上部には、犠牲層２１７が積層され る。犠牲層２１７は、リンシリケート（ＰＳＧ）を使用して、０．５〜４．０μ ｍ程度の厚さを有するように形成する。犠牲層２１７は、大気圧化学気相蒸着（ ＡＰＣＶＤ）方法を使用して形成する。この場合、犠牲層２１７は、前記電気的 な配線及び連結端子２０５が形成された基板２００の上部を覆っているので、そ の表面の平坦度が非常に不良である。したがって、犠牲層２１７の表面を、スピ ンオングラス(Spin On Galss：ＳＯＧ)を使用する方法、またはＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)方法を利用して平坦化させる。次いで、第１アクチュエ ーティング部２８１及び第２アクチュエーティング部２８２が形成される位置を 考慮して、犠牲層２１７の中下に連結端子２０５が形成にされている部分をパタ ーニングして、前記エッチング防止層１１７の一部を露出させる。 前記露出されたエッチング防止層２１５の部分等の上部及び犠牲層２１７の上 部に、第１層２１９を積層する。第１層２１９は、窒化物を使用して形成する。 第１層２１９は、低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）方法を利用して、０．１〜１ ．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。第１層２１９は、後に支持層２２ ０にパターニングされる。次いで、白金、または白金-タンタルなどの導電性を 有する金属を使用して、下部電極層２３０を第１層２１９の上部に積層する。下 部電極層２３０は、スパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を利用して、 ０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。下部電極層２３０は、 後に第１下部電極２３１及び第２下部電極２３２にパターニングされる。 下部電極層２３０の上部には、変形層２４０が積層される。変形層２４０は、 ＰＺＴ、またはＰＬＺＴなどの圧電物質を使用して０．１〜１．０μｍ、望まし くは０．４μｍ程度の厚さを有するように形成される。また、変形層２４０は、 ＰＭＮなどの電歪物質を使用して形 成される。変形層２４０は、ゾル-ゲル（Sol-Gel）法、スパッタリング方法、ま たは化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を利用して形成される。次いで、急速熱処理（ ＲＴＡ）方法を利用して変形層２４０を熱処理した後、変形層２４０を分極させ る。変形層２４０は、後に第１変形層２４１及び第２変形層２４２にパターニン グされる。上部電極層２５０は、変形層２４０の上部に積層される。上部電極層 ２５０は、アルミニウム、白金、または銀等の導電性及び反射性が優秀な金属を 使用して、０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。上部電極層 ２５０は、スパッタリング方法または化学気相蒸着方法を利用して形成される。 上部電極層２５０は、後に第１上部電極２５１及び第２上部電極２５２にパター ニングされる。 図１７Ａは、上部電極層２５０、変形層２４０及び下部電極層２３０をパター ニングした状態を表す図面で、図１７Ｂは、図１７Ａに示した装置の部分斜視図 である。 図１７Ａ及び図１７Ｂを参照すると、上部電極層２５０の上部に第１フォトレ ジスト（図示せず）をスピンコーティング方法を使用して塗布した後、前記第１ フォトレジストをエッチングマスクとして利用して、上部電極層２５０をパター ニングして第１上部電極２５１及び第２上部電極２５２を形成する。第１上部電 極２５１及び第２上部電極２５２は、お互い並んで形成される。第１上部電極２ ５１及び第２上部電極２５２には、それぞれバイアス電流が印加される。前記第 １フォトレジストを除去した後、第１上部電極２５１、第２上部電極２５２及び 変形層２４０の上部に、第２フォトレジスト（図示せず）をスピンコーティング 方法を使用して塗布する。前記第２フォトレジストをエッチングマスクとして変 形層２４０をパターニングして、第１変形層２４１及び第２変形層２４２を形成 する。第１変形層２４１及び第２変形層２４２は、それぞれ第１上部電極２５１ 及び第２上部電 極２５２よりやや広い面積を有してお互い並んで形成される。前記第２フォトレ ジストを除去した後、第１上部電極２５１、第２上部電極２５２、第１変形層２ ４１、第１変形層２４２及び下部電極層２３０の上部に、第３フォトレジスト（ 図示せず）を、スピンコーティング方法を使用して塗布した後、下部電極層２３ ０をパターニングして、第１下部電極２３１及び第２下部電極２３２を形成する 。第１下部電極２３１及び第２下部電極２３２は、それぞれ第１変形層２４１及 び第２変形層２４２よりやや広い面積を有しお互い並んで形成される。そして、 前記第３フォトレジストを除去する。 図１８Ａは、第１ビアコンタクト２７１及び第２ビアコンタクト２７２を形成 した状態を示す図面で、図１８Ｂは、図１８Ａに示した装置の部分斜視図である 。 図１８Ａ及び図１８Ｂを参照すると、第１変形層２４１の中下に連結端子２０ ５が形成された部分から、第１変形層２４１、第１下部電極２３１、第１層１１ ９、エッチング防止層２１５、そして保護層２１０を順にエッチングして、第１ ビアホール２６１を形成する。同時に、第２変形層２４２の中下に連結端子２０ ５が形成された部分から、第２変形層２４２、第２下部電極２３２、第１層１１ ９、エッチング防止層２１５、そして保護層２１０を順にエッチングして、第２ ビアホール２６２を形成する。第１ビアホール２６１及び第２ビアホール２６２ の内部に、それぞれタングステン(Ｗ)、白金、アルミニウム(Ａｌ)、またはチタ ニウム（Ｔｉ）などの導電性を有する金属を使用して、第１ビアコンタクト２７ １及び第２ビアコンタクト２７２を形成する。連結端子１０５と第１下部電極２ ３１及び第２下部電極２３２をそれぞれ電気的に連結するために、第１ビアコン タクト２７１及び第２ビアコンタクト２７２は、スパッタリング方法、または化 学気相蒸着方法を利用して、第１ビアホール２６１及び第２ビアホール２６２内 に 連結端子２０５から第１下部電極２３１及び第２下部電極２３２までそれぞれ形 成される。したがって、前記第１信号は、基板２００に形成された前記電気的な 配線と連結端子２０５及び第１ビアコンタクト２７１を通じて第１下部電極２３ １に印加される。同時に、前記第１信号は、基板２００に形成された前記電気的 な配線と連結端子２０５及び第２ビアコンタクト２７２を通じて第２下部電極２ ３２に印加される。この場合、第１上部電極２５１及び第２上部電極２５２に共 通電極線から第２信号が印加されると、第１上部電極２５１と第１下部電極２３ １の間、及び第２上部電極２５２と第２下部電極２３２とにそれぞれ電場が発生 する。このような電場によって、第１上部電極２５１と第１下部電極２３１の間 に形成された第１変形層２４１と、第２上部電極２５２と第２下部電極２３２の 間に形成された第２変形層２４２が変形を起こす。 図１９Ａは、第１層２１９をパターニングした状態を表す図面で、図１９Ｂは 、図１９Ａに示した装置の部分斜視図である。 図１９Ａ及び図１９Ｂを参照すると、第１下部電極２３１、第２下部電極２３ ２、第１ビアホール２６１、そして第２ビアホール２６２の上部に、第４フォト レジスト（図示せず）を、スピンコーティング方法を使用して塗布する。前記第 ４フォトレジストをエッチングマスクとして利用して、第１層２１９をパターニ ングして支持層２２０を形成する。支持層２２０の両側部は、それぞれ第１下部 電極２３１及び第２下部電極２３２よりやや広い直四角形の形状を有し、中央部 は、四角形平板の形状を有するようにパターニングされる。すなわち、支持層２ ２０は、両側部が基板２００に付着される部分から並んで直四角形形状で形成さ れて、四角形形状の平板の中央部が前記両側部の間に前記両側部と一体で形成に されている形状を有する。次いで、前記第４フォトレジストをエッチングして除 去する。上記の通りに支持層 ２２０がパターニングされると、犠牲層２１７の一部が露出される。 図２０Ａは、反射部材１６０を形成した状態を表す図面で、図２０Ｂは、図２ ０Ａに示した装置の斜視図である。 図２０Ａ及び図２０Ｂを参照すると、前記露出された犠牲層２１７の上部、支 持層２２０の上部、第１下部電極２３１の一方の側上部、そして第２下部電極２ ３２の一方の側上部に、第５フォトレジスト(図示せず)を、スピンコーティング 方法を使用して塗布した後、前記第５フォトレジストをパターニングして支持層 ２２０の中央部、第１下部電極２３１の一方の側上部、そして第２下部電極２３ ２の一方の側上部が露出されるようにする。次いで、前記露出された支持層２２ ０の中央部の上部、第１下部電極２３１の一方の側上部、そして第２下部電極２ ３２の一方の側上部には、白金またはアルミニウムなどの反射性を有する金属を 使用して反射部材２９０を形成する。反射部材２９０は、スパッタリング方法、 または化学気相蒸着方法を使用して、０．３〜２．０μｍ程度の厚さを有するよ うにする。したがって、反射部材２９０は、前記支持層２２０の中央部と同じ四 角形の形状を有する。反射部材２９０は、光源（図示せず）から入射される光束 を反射する。前記第５フォトレジスト及び犠牲層２１７を、フッ化水素(ＨＦ)蒸 気を使用して除去して、アクチュエータ２８０を完成する。犠牲層２１７が除去 されると、エアーギャップ２１８が犠牲層２１７の位置に形成される。次いで、 上部にアクチュエータ２８０が形成された基板２００を、洗滌及び乾燥した後、 クロム(Ｃｒ)、ニッケル(Ｎｉ)、または金（Ａｕ）などの金属を、スパッタリン グ方法、または蒸着方法を利用して基板２００の下端に蒸着させ、抵抗コンタク ト(図示せず)を形成する。そして、後続する第１上部電極２５１及び第２上部電 極２５２にそれぞれ前記第２信号を印加して、第１下部電極２３１及び第２下部 電極２３２にそれぞれ前記第１信号を印加するためのＴ ＣＰボンディングを対応して基板２００を切る。この場合、後続される工程に対 応して、基板２００を所定の厚さまで切り出す。次いで、ＡＭＡパネルのパッド （図示せず）とＴＣＰのパッド（図示せず）を連結して、薄膜型ＡＭＡモジュー ルの製造を完成する。 前述した本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置において、第１上部電 極２５１及び第２上部電極２５２には、ＴＣＰのパッド及びＡＭＡパネルのパッ ドを通じて第２信号が印加される。同時に前記ＴＣＰのパッド及びＡＭＡパネル のパッドを通じて伝えられた第１信号は、基板２００に形成された前記電気的な 配線と連結端子２０５及び第１ビアコンタクト２７１を通じて、第１下部電極２ ３１に印加される。また、前記第１信号は、基板２００に形成された前記電気的 な配線と、連結端子２０５及び第２ビアコンタクト２７２を通じて、第２下部電 極２３２に印加される。したがって、第１上部電極２５１と第１下部電極２３１ の間及び第２上部電極２５２と第２下部電極２３２の間にそれぞれ電場が発生し て、このような電場によって、第１上部電極２５１と第１下部電極２３１の間に 形成された第１変形層２４１及び第２上部電極２５１と第２下部電極２３２の間 に形成された第２変形層２４２が変形を起こす。 第１変形層２４１及び第２変形層２４２は、このような電場に対し垂直方向に 収縮し、したがって、第１変形層２４１を含む第１アクチュエーティング部２８ １及び第２変形層２４２を含む第２アクチュエーティング部２８２は、それぞれ 支持層２２０が位置した方向と反対方向にティルティングする。すなわち、第１ アクチュエーティング部２８１及び第２アクチュエーティング部２８２は、上方 にティルティングする。光源から入射される光束を反射する反射部材２９０は、 支持層２２０の上部に形成にされているので、反射部材２９０全体が第１アクチ ュエーティング部２８１及び第２アクチュエーティング部２ ８２と同じ角度で同じ方向にティルティングする。これにより、反射部材２９０ は、入射される光束を所定の角度で反射して、スクリーンに画像を結ぶようにな る。 実施例３ 図２１は、本発明の第３実施例による薄膜型光路調節装置の平面図を示したも ので、図２２は、図２１に示した装置の斜視図を示したものであり、図２３は、 図２２に示した装置をＣ₁−Ｃ₂線で切り取った断面図を示したものである。 図２１を参照すると、本発明の第３実施例による薄膜型光路調節装置は、基板 ３００と基板３００の上部に形成されたアクチュエータ３８０、そしてアクチュ エータ３８０の上部に形成された反射部材３９０を含む。 アクチュエータ３８０は、基板３００の一方の側上部に形成された第２アクチ ュエーティング部３８１及び基板３００の他方の側上部に形成された第２アクチ ュエーティング部３８２を含む。反射部材３９０は、第１アクチュエーティング 部３８１及び第２アクチュエーティング部３８２の間に形成される。 図２２及び図２３を参照すると、外部から第１信号が印加されて前記第１信号 を伝達する電気的な配線（図示せず）を形成された基板３００は、前記電気的な 配線の上部に形成された連結端子３０５、基板３００及び連結端子３０５の上部 に形成された保護層３１０、そして保護層３１０の上部に形成されたエッチング 防止層３１５を含む。 第１アクチュエーティング部３８１は、エッチング防止層３１５の中下に連結 端子３０５が形成された部分の一方の側(first portion)に一方の側の下端が付 着されて、他方の側がエアーギャップ３１８を介在してエッチング防止層３１５ と平行するように積層された第１支持層３２１、第１支持層３２１の一方の側上 部に形成された第１下部 電極３３１、第１下部電極３３１の上部に形成された第２変形層３４１、第２変 形層３４１の上部に形成された第１上部電極３５１、そして第１変形層３４１の 一方の側から第１変形層３４１、第１下部電極３３１、第１支持層３２１、エッ チング防止層３１５及び保護層３１０を通じて連結端子３０５まで垂直するよう に形成された第１ビアホール３６１内に、第１下部電極３３１と連結端子３０５ とが電気的に連結するように形成された第１ビアコンタクト３７１を含む。 第２アクチュエーティング部３８２は、第１アクチュエーティング部３８１と 同じ形状を有する。第２アクチュエーティング部３８２は、エッチング防止層３ １５の中下に連結端子３０５が形成された部分の他方の側(second portion)に一 方の側の下端が付着されて、他方の側がエアーギャップ３１８を介在してエッチ ング防止層３１５と平行するように積層された第２支持層３２２、第２支持層３ ２２の一方の側上部に形成された第２下部電極３３２、第２下部電極３３２の上 部に形成された第２変形層３４２、第２変形層３４２の上部に形成された第２上 部電極３５２、そして第２変形層３４２の一方の側から第２変形層３４２、第２ 下部電極３３２、第２支持層３２０、エッチング防止層３１５及び保護層３１０ を通じて連結端子３０５まで垂直するように形成された第２ビアホール３６２内 に、第２下部電極３３２と連結端子３０５とが電気的に連結するように形成され た第２ビアコンタクト３７２を含む。 第１支持層３２１の一方の側部及び第２支持層３２２の一方の側部は、エッチ ング防止層３１５に付着される部分から並んで直四角形形状で形成される。第１ 支持層３２１の他方の側部及び第２支持層３２２の他方の側部は、それぞれ内側 方向に曲がり延長された四角形の形状を有する。すなわち、第１支持層３２１及 び第２支持層３２２は、所定の間隔をおいてお互い対称の形状を有する。第１下 部電極２３１ 及び第２下部電極２３２は、それぞれ第１支持層３２１の一方の側部及び第２支 持層３２２の一方の側部の上部に形成されて、第１変形層３４１及び第２変形層 ３４２は、それぞれ第１下部電極３３１及び第２下部電極３３２の上部に形成さ れる。また、第１上部電極３５１及び第２上部電極３５２はそれぞれ第１変形層 ３４１及び第２変形層３４２の上部に形成される。第１変形層３４１及び第２変 形層３４２は、それぞれ第１下部電極３３１及び第２下部電極３３２より小さい 面積を有し、第１上部電極３５１及び第２上部電極３５２は、それぞれ第１変形 層３４１及び第２変形層３４２より小さな面積を有する。 前記第１支持層３２１の他方の側部及び第２支持層３２２の他方の側部の上部 には、反射部材３９０が形成される。すなわち、反射部材３９０は、第１支持層 ３２１の他方の側部及び第２支持層３２２の他方の側部によって支持される。望 ましくは、反射部材３９０は、四角形の平板の形状を有する。 本発明の第３実施例による薄膜型光路調節装置の製造方法は、支持層が第１支 持層３２１及び第２支持層３２２にパターニングされる段階を除外すると、図１ ６ないし図２０Ｂに示した本発明の第２実施例による薄膜型光路調節装置の製造 方法と同一である。 本発明の第３実施例による薄膜型光路調節装置において、第１上部電極３５１ 及び第２上部電極３５２には、ＴＣＰのパッド及びＡＭＡパネルのパッドを通じ て第２信号が印加される。同時に前記ＴＣＰのパッド及びＡＭＡパネルのパッド を通じて伝えられた第１信号は、基板３００に形成された前記電気的な配線と連 結端子３０５及び第１ビアコンタクト３７１を通じて第１下部電極３３１に印加 される。また、前記第１信号は、基板２００に形成された前記電気的な配線と連 結端子３０５及び第２ビアコンタクト３７２を通じて第２下部電極３３２に印加 される。したがって、第１上部電極３５１と第１下部電極３３ １との間及び第２上部電極３５２と第２下部電極３３２の間にそれぞれ電場が発 生して、このような電場によって、第１上部電極３５１と第１下部電極３３１の 間に形成された第１変形層３４１及び第２上部電極３５１と第２下部電極３３２ の間に形成された第２変形層３４２が変形を起こす。 第１変形層３４１及び第２変形層３４２は、このような電場に対し垂直な方向 に収縮し、したがって、第１変形層３４１を含む第１アクチュエーティング部３ ８１及び第２変形層３４２を含む第２アクチュエーティング部３８２は、それぞ れ第１支持層３２１及び第２支持層３２２が位置した方向と反対方向にティルテ ィングする。すなわち、第１アクチュエーティング部３８１及び第２アクチュエ ーティング部３８２は、上方にティルティングする。光源から入射される光束を 反射する反射部材３９０は、第１支持層３２１の一方の側部及び第２支持層３２ ２の一方の側部の上部に形成にされているので、反射部材３９０全体が第１アク チュエーティング部３８１及び第２アクチュエーティング部３８２と同じ角度で 同じ方向にティルティングする。 これにより、反射部材３９０は、入射される光束を所定の角度で反射して、ス クリーンに画像を結ぶようになる。 従来には、光束を反射する反射部材が、所定の角度で変形を起こすアクチュエ ータの上部に形成された。この場合、反射部材中反射部の面積より駆動部の面積 がより広い理由で、入射される光束に比べて反射される光束が少なくて、素子の 実際面積に比べて光効率が落ちるようになる。また、反射部材の駆動部中反射部 と隣接する部分から入射される光束が反射されることによって、反射部から反射 される光束と光散乱を起こし、スクリーンに投影される画像の画質を低下させる ようになる。しかし、本発明の望ましい実施例によれば、反射部材が支持層の中 央部の上部に広く形成されてアクチュエータがティルティン グすることにより、反射部材全体がティルティングするようになる。 すなわち、反射部材全体を使用して、光源から入射される光束を反射できる。し たがって、上記の通りに反射部材をアクチュエータと分離して形成することで、 光源から入射される光束の光効率向上させることができて、これによってスクリ ーンに投影される画像の画質を従来に比べて顕著に向上させることができる。 以上、本発明を望ましい実施例によって詳細に説明及び図示したが、本発明は これによって制限されることなく、当業者が通常的な範囲内でこれを変形するこ とや改良することが可能である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結端 子が形成された基板と、 前記第１信号が印加される下部電極、前記下部電極に対応して形成されて第２ 信号が印加されて電場を発生させる上部電極、前記下部電極と前記上部電極のの 間に形成されて前記電場によって変形を起こす変形層及び一方の側が前記下部電 極の下端に付着されて他方の側が前記下部電極の外部に露出された支持層を含ん で前記基板の上部に形成されたアクチュエータと、そして 前記支持層の露出された部分上に形成されて光を反射するための反射手段を含 んで、前記第１信号及び前記第２信号によって駆動する薄膜型光路調節装置。 ２．前記アクチュエータは、前記変形層から前記下部電極、前記支持層を通じて 前記連結端子まで形成されたビアホール内に形成されて前記第１信号を前記連結 端子から前記下部電極に伝達するビアコンタクトをさらに含むことを特徴とする 請求の範囲１に記載の薄膜型光路調節装置。 ３．前記支持層は、硬質の物質を使用して形成されて、前記下部電極は、導電性 を有する金属を使用して形成されて、前記変形層は、圧電物質、または電歪物質 を使用して形成され、そして、前記上部電極は、導電性及び反射性を有する金属 を使用して形成されることを特徴とする請求の範囲１に記載の薄膜型光路調節装 置。 ４．前記支持層は、窒化物、または金属を使用して形成されて、前記下部電極は 、白金、タンタルまたは白金-タンタルを使用して形成されて、前記変形層は、 ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮを使用して形成されて、そして、前記上部電極 は、アルミニウム、白金、または銀を 使用して形成されることを特徴とする請求の範囲３に記載の薄膜型光路調節装置 。 ５．前記下部電極、前記変形層及び前記上部電極は、それぞれ「Ｕ」字の形状を 有し、前記支持層の他方の側は、四角形の形状を有することを特徴とする請求の 範囲１に記載の薄膜型光路調節装置。 ６．前記下部電極は、前記支持層の一方の側より狭い面積を有し、前記変形層は 、前記下部電極より狭い面積を有し、前記上部電極は、前記変形層より狭い面積 を有することを特徴とする請求の範囲５に記載の薄膜型光路調節装置。 ７．前記反射手段は、四角形の形状を有することを特徴とする請求の範囲１に記 載の薄膜型光路調節装置。 ８．前記反射手段は、反射性を有する金属を使用して形成されることを特徴とす る請求の範囲１に記載の薄膜型光路調節装置。 ９．前記反射手段は、銀、アルミニウム、または白金を使用して形成されること を特徴とする請求の範囲８に記載の薄膜型光路調節装置。 １０．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結 端子が形成された基板と、 前記基板の一方の側上部に形成されて前記第１信号が印加される第１下部電極 、前記第１下部電極に対応して形成され第２信号が印加されて電場を発生させる 第１上部電極及び前記第１下部電極と前記第１上部電極の間に形成されて前記電 場によって変形を起こす第１変形層を含む第１アクチュエーティング部と、 前記基板の他方の側の上部に形成されて前記第１信号が印加される第２下部電 極、前記第２下部電極に対応して形成されて前記第２信号が印加されて電場を発 生させる第２上部電極及び前記第２下部電極と前記第２上部電極の間に形成され て前記電場によって変形を起こす第２変形層を含む第２アクチュエーティング部 と、そして一方の側が前 記第１下部電極及び前記第２下部電極の下端に付着されて他方の側が前記第１下 部電極及び前記第２下部電極の外部に露出された支持層を含むアクチュエータと 、そして、 前記支持層の露出された部分上に形成されて光路を調節するための反射手段を 含み、前記第１信号及び前記第２信号によって駆動する薄膜型光路調節装置。 １１．前記第１アクチュエーティング部は、前記第１変形層の一方の側から前記 第１下部電極及び前記支持層を通じて前記連結端子まで形成されたビアホール内 に形成され、前記連結端子から前記第１下部電極に前記第１信号を伝達する第１ ビアコンタクトをさらに含んで、前記第２アクチュエーティング部は、前記第２ 変形層の一方の側から前記第２下部電極及び前記支持層を通じて前記連結端子ま で形成されたビアホール内に形成されて、前記第１信号を前記連結端子から前記 第２下部電極に伝達する第２ビアコンタクトをさらに含むことを特徴とする請求 の範囲１０に記載の薄膜型光路調節装置。 １２．前記支持層は、硬質の物質を使用して形成されて、前記第１下部電極及び 前記第２下部電極は、導電性を有する金属を使用して形成されて、前記第１変形 層及び前記第２変形層は、圧電物質、または電歪物質を使用して形成されて、前 記第１上部電極及び前記第２上部電極は、導電性及び反射性を有する金属を使用 して形成されることを特徴とする請求の範囲１０に記載の薄膜型光路調節装置。 １３．前記支持層は、窒化物、または金属を使用して形成されて、前記第１下部 電極及び前記第２下部電極は、白金、タンタルまたは白金-タンタルを使用して 形成されて、前記第１変形層及び前記第２変形層は、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、または ＰＭＮを使用して形成されて、そして、前記第１上部電極及び前記第２上部電極 は、アルミニウム、白金、または銀を使用して形成されることを特徴とする請求 の範囲１２に記載 の薄膜型光路調節装置。 １４．前記第１下部電極及び前記第２下部電極は、お互い並んで形成され、前記 第１変形層及び前記第２変形層は、お互い並んで形成され、前記第１上部電極及 び前記第２上部電極は、お互い並んで形成されて、そして、 前記支持層の他方の側は、四角形の形状を有することを特徴とする請求の範囲 １０に記載の薄膜型光路調節装置。 １５．前記第１下部電極は、前記支持層の一方の側より小さな面積を有し、前記 第１変形層は、前記第１下部電極より小さな面積を有し、前記第１上部電極は、 前記第１変形層より小さな面積を有し、前記第２下部電極は、前記支持層の一方 の側より小さな面積を有し、前記第２変形層は、前記第２下部電極より小さな面 積を有し、前記第２上部電極は、前記第２変形層より小さな面積を有することを 特徴とする請求の範囲１４に記載の薄膜型光路調節装置。 １６．前記反射手段は、四角形の形状を有することを特徴とする請求の範囲１０ に記載の薄膜型光路調節装置。 １７．前記反射手段は、反射性を有する金属を使用して形成されることを特徴と する請求の範囲１０に記載の薄膜型光路調節装置。 １８．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結 端子が形成された基板と、 前記基板の一方の側上部に形成されて前記第１信号が印加される第１下部電極 、前記第１下部電極に対応して形成されて第２信号が印加されて電場を発生させ る第１上部電極、前記第１下部電極と前記第１上部電極のの間に形成されて前記 電場によって変形を起こす第１変形層及び一方の側が前記第１下部電極の下端に 付着されて、他方の側が前記第１下部電極の外部に露出された第１支持層を含む する第１アクチュエーティング部と、前記基板の他方の側上部に形成されて前記 第 １信号が印加される第２下部電極、前記第２下部電極に対応して形成されて前記 第２信号が印加されて電場を発生させる第２上部電極、前記第２下部電極と前記 第２上部電極の間に形成されて前記電場によって変形を起こす第２変形層及び一 方の側が前記第２下部電極の下端に付着されて、他方の側が前記第２下部電極の 外部に露出された第２支持層を含む第２アクチュエーティング部を含むアクチュ エータと、そして 前記支持層の露出された部分上に形成されて光路を調節するための反射手段を 含んで、前記第１信号及び前記第２信号によって駆動する薄膜型光路調節装置。 １９．前記第１アクチュエーティング部は、前記第１変形層の一方の側から前記 第１下部電極及び前記第１支持層を通じて前記連結端子まで形成された第１ビア ホール内に形成されて、前記第１信号を前記連結端子から前記第１下部電極に伝 達する第１ビアコンタクトをさらに含んで、前記第２アクチュエーティング部は 、前記第２変形層の一方の側から前記第２下部電極及び前記第２支持層を通じて 前記連結端子まで形成された第２ビアホール内に形成されて、前記第１信号を前 記連結端子から前記第２下部電極に伝達する第２ビアコンタクトをさらに含むこ とを特徴とする請求の範囲１８に記載の薄膜型光路調節装置。 ２０．前記第１支持層及び前記第２支持層は、硬質の物質を使用して形成されて 、前記第１下部電極及び前記第２下部電極は、導電性を有する金属を使用して形 成されて、前記第１変形層及び前記第２変形層は、圧電物質、または電歪物質を 使用して形成されて、そして前記第１上部電極及び前記第２上部電極は、導電性 及び反射性を有する金属を使用して形成されることを特徴とする請求の範囲１８ に記載の薄膜型光路調節装置。 ２１．前記第１下部電極は、前記第１変形層より小さな面積を有し、 前記第１変形層は、前記第１下部電極より小さな面積を有し、 前記第１上部電極は、前記第１変形層より小さな面積を有し、前記第２下部電 極は、前記第２変形層より小さな面積を有し、前記第１変形層は、前記第２下部 電極より小さな面積を有し、前記第２上部電極は、前記第１変形層より小さな面 積を有することを特徴とする請求の範囲１８に記載の薄膜型光路調節装置。 ２２．前記反射手段は、四角形の形状を有することを特徴とする請求の範囲１８ に記載の薄膜型光路調節装置。 ２３．前記反射手段は、反射性を有する金属を使用して形成されることを特徴と する請求の範囲１８に記載の薄膜型光路調節装置。 ２４．外部から第１信号を受けて前記第１信号を伝達する電気的な配線及び連結 端子が形成された基板を提供する段階と、 前記基板の上部に第１層を形成する段階と、 前記第１層上に下部電極層、第２層、及び上部電極層を形成する段階と、 前記上部電極層を第２信号が印加されて電場を発生させる上部電極にパターニ ングする段階、前記第２層を前記電場によって変形を起こす変形層にパターニン グする段階、前記下部電極層を前記第１信号が印加される下部電極にパターニン グする段階及び前記第１層を一方の側が前記下部電極の下端に付着されて他方の 側が前記下部電極の外部に露出される支持層にパターニングする段階を含むアク チュエータを形成する段階と、 前記変形層の一方の側から前記連結端子までビアホールを形成する段階と、 前記ビアホールの内部に前記第１信号を前記連結端子から前記下部電極に伝達 するビアコンタクト形成する段階と、そして 前記支持層の他方の側上部に光を反射させるための反射手段を形成 する段階を含む薄膜型光路調節装置の製造方法。 ２５．前記第１層を形成する段階は、窒化物または金属を低圧化学気相蒸着（Ｌ ＰＣＶＤ）方法を使用して遂行されることを特徴とする請求の範囲２４に記載の 薄膜型光路調節装置の製造方法。 ２６．前記下部電極層を形成する段階は、白金、タンタル、または白金−タンタ ルをスパッタリング方法、または化学気相蒸着方法を利用して遂行されて、前記 上部電極層を形成する段階は、アルミニウム、白金、または銀をスパッタリング 方法または化学気相蒸着方法を利用して遂行されることを特徴とする請求の範囲 ２４に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 ２７．前記第２層を形成する段階は、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、またはＰＭＮをゾル− ゲル法、スパッタリング方法、または化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を利用して遂 行されることを特徴とする請求の範囲２４に記載の薄膜型光路調節装置の製造方 法。 ２８．前記第２層を形成する段階は、前記第２層を急速熱処理（ＲＴＡ）方法を 使用して熱処理する段階及び前記第２層を分極させる段階をさらに含むことを特 徴とする請求の範囲２４に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 ２９．前記ビアコンタクト形成する段階は、導電性を有する金属を使用してスパ ッタリング方法または化学気相蒸着方法を使用して遂行されることを特徴とする 請求の範囲２４に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 ３０．前記反射手段を形成する段階は、白金、アルミニウム、または銀をスパッ タリング方法または化学気相蒸着方法を利用して遂行されることを特徴とする請 求の範囲２６に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。