JPH1150988A - 回転圧縮機 - Google Patents
回転圧縮機Info
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- JPH1150988A JPH1150988A JP20653997A JP20653997A JPH1150988A JP H1150988 A JPH1150988 A JP H1150988A JP 20653997 A JP20653997 A JP 20653997A JP 20653997 A JP20653997 A JP 20653997A JP H1150988 A JPH1150988 A JP H1150988A
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
- F01C—ROTARY-PISTON OR OSCILLATING-PISTON MACHINES OR ENGINES
- F01C21/00—Component parts, details or accessories not provided for in groups F01C1/00 - F01C20/00
- F01C21/08—Rotary pistons
- F01C21/0809—Construction of vanes or vane holders
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 長期間に亘りオイルスラッジの発生を低減
し、圧縮機の耐久性を向上させる。 【解決手段】 シリンダ１１と、シリンダ１１内で偏心
回転するローラ２を備えると共に、ローラ２の偏心回転
に伴って摺動するベーン１を備えた回転圧縮機におい
て、ベーン１の少なくとも先端摺動部分及び／又はロー
ラ２の外周摺動部分に窒化炭素膜が形成されている。
し、圧縮機の耐久性を向上させる。 【解決手段】 シリンダ１１と、シリンダ１１内で偏心
回転するローラ２を備えると共に、ローラ２の偏心回転
に伴って摺動するベーン１を備えた回転圧縮機におい
て、ベーン１の少なくとも先端摺動部分及び／又はロー
ラ２の外周摺動部分に窒化炭素膜が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、冷凍冷蔵装置や空
調機等に用いられる回転式圧縮機に関するものである。
調機等に用いられる回転式圧縮機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、冷凍冷蔵装置、空調装置等に用い
られる回転圧縮機は、高性能化、高効率化に伴い使用条
件が厳しくなってきている。
られる回転圧縮機は、高性能化、高効率化に伴い使用条
件が厳しくなってきている。
【０００３】一方、オゾン層破壊の環境問題のために、
従来から使用していた分子内に塩素を含むジクロロジフ
ルオロメタン（以下、Ｒ１２と略記する）やクロロジフ
ルオロメタン（以下、Ｒ２２と略記する）などの冷媒か
ら分子内に塩素を含まない１，１，１，２−テトラフル
オロエタン（以下、Ｒ１３４ａと略記する）などの冷媒
への変更が検討され順次行われている。ところが、これ
ら分子内に塩素を含まないＲ１３４ａなどの冷媒を使用
する場合、分子内の塩素と鉄とが反応して生成する塩化
鉄の被膜が形成されないため潤滑性能が悪く圧縮機の摺
動材の特性を向上させる必要がある。
従来から使用していた分子内に塩素を含むジクロロジフ
ルオロメタン（以下、Ｒ１２と略記する）やクロロジフ
ルオロメタン（以下、Ｒ２２と略記する）などの冷媒か
ら分子内に塩素を含まない１，１，１，２−テトラフル
オロエタン（以下、Ｒ１３４ａと略記する）などの冷媒
への変更が検討され順次行われている。ところが、これ
ら分子内に塩素を含まないＲ１３４ａなどの冷媒を使用
する場合、分子内の塩素と鉄とが反応して生成する塩化
鉄の被膜が形成されないため潤滑性能が悪く圧縮機の摺
動材の特性を向上させる必要がある。
【０００４】ここで、従来の回転圧縮機の概略断面構造
を図４を用いて説明する。図４において、１１は密閉容
器（図示せず）内に配置された円筒状シリンダであり、
シリンダ１１内には、電動機軸（図示せず）と直結した
偏心軸１２にローラ１３が摺動自在に嵌着されている。
を図４を用いて説明する。図４において、１１は密閉容
器（図示せず）内に配置された円筒状シリンダであり、
シリンダ１１内には、電動機軸（図示せず）と直結した
偏心軸１２にローラ１３が摺動自在に嵌着されている。
【０００５】シリンダ１１には、その半径方向に形成さ
れた溝部にベーン１４が摺動自在に設けられている。こ
のベーン１４の後端１４ａは、バネ１５及び密閉容器内
のガスによる背圧により常時押圧されている。ベーン１
４の先端１４ｂは、シリンダ１１からローラ１３に向け
て突設されており、ローラ１３の外周面に先端１４ｂが
接触してシリンダ１１内に高圧室１６ｂと低圧室１６ａ
とを形成している。
れた溝部にベーン１４が摺動自在に設けられている。こ
のベーン１４の後端１４ａは、バネ１５及び密閉容器内
のガスによる背圧により常時押圧されている。ベーン１
４の先端１４ｂは、シリンダ１１からローラ１３に向け
て突設されており、ローラ１３の外周面に先端１４ｂが
接触してシリンダ１１内に高圧室１６ｂと低圧室１６ａ
とを形成している。
【０００６】低圧室１６ａ側には、冷媒ガスの吸入口１
７が形成されており、ローラ１３の回転により、ここか
らシリンダ１１内にガスが吸入される。高圧室１６ｂ側
には、冷媒ガスの吐出口１８が形成されており、ローラ
１３の回転により、ここから圧縮されたガスが吐出され
るようになっている。
７が形成されており、ローラ１３の回転により、ここか
らシリンダ１１内にガスが吸入される。高圧室１６ｂ側
には、冷媒ガスの吐出口１８が形成されており、ローラ
１３の回転により、ここから圧縮されたガスが吐出され
るようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このため、ベーン１４
の先端１４ｂはローラ１３の外周面に常時押圧されてお
り、境界潤滑の発生とそれに伴う高温の発生により、オ
イルスラッジ発生の原因となりやすく、オイルスラッジ
が多くなると冷媒回路中のキャピラリーチューブや配管
等が詰まる虞れがあった。
の先端１４ｂはローラ１３の外周面に常時押圧されてお
り、境界潤滑の発生とそれに伴う高温の発生により、オ
イルスラッジ発生の原因となりやすく、オイルスラッジ
が多くなると冷媒回路中のキャピラリーチューブや配管
等が詰まる虞れがあった。
【０００８】従来、このオイルスラッジの発生を低減さ
せるために、回転圧縮機のベーン先端部及びローラ外周
の摺動部に炭素膜や窒素膜を形成し、耐摩耗性を向上さ
せる構成が種々提案されているが、長期間の使用により
依然としてオイルスラッジが発生するという問題点があ
った。
せるために、回転圧縮機のベーン先端部及びローラ外周
の摺動部に炭素膜や窒素膜を形成し、耐摩耗性を向上さ
せる構成が種々提案されているが、長期間の使用により
依然としてオイルスラッジが発生するという問題点があ
った。
【０００９】特に、この傾向は潤滑性能が悪い上記Ｒ１
３４ａなどの分子内に塩素を含まない冷媒において顕著
であった。本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもので
あって、長期間に亘りオイルスラッジの発生を低減し、
圧縮機の耐久性を向上させることを目的とする。
３４ａなどの分子内に塩素を含まない冷媒において顕著
であった。本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもので
あって、長期間に亘りオイルスラッジの発生を低減し、
圧縮機の耐久性を向上させることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の回転圧縮機は、
ベーンの少なくとも先端摺動部分及び／又はローラの外
周摺動部分に窒化炭素膜が形成されていることを特徴と
する。
ベーンの少なくとも先端摺動部分及び／又はローラの外
周摺動部分に窒化炭素膜が形成されていることを特徴と
する。
【００１１】この構成を用いることにより、ベーンの少
なくとも先端摺動部分及び／又はローラの外周摺動部分
を高硬度で、且つ低摩擦係数にできるため、その摺動材
の摩耗量を少なくできる。
なくとも先端摺動部分及び／又はローラの外周摺動部分
を高硬度で、且つ低摩擦係数にできるため、その摺動材
の摩耗量を少なくできる。
【００１２】また、前記窒化炭素膜は、中間層を介して
形成されるのが好ましい。具体的には、この中間層はＳ
ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ或いはこれらの酸化物、又
はこれらの窒化物が好ましい。この構成により、窒化炭
素膜の密着性が高められ、長期間に亘り高性能を維持で
きる。
形成されるのが好ましい。具体的には、この中間層はＳ
ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ或いはこれらの酸化物、又
はこれらの窒化物が好ましい。この構成により、窒化炭
素膜の密着性が高められ、長期間に亘り高性能を維持で
きる。
【００１３】さらに、前記窒化炭素膜としては四窒化三
炭素膜が好ましい。これにより、特に耐摩耗性の優れた
被膜が得られる。
炭素膜が好ましい。これにより、特に耐摩耗性の優れた
被膜が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の回転圧縮機の一実
施の形態例について、以下に示す図面に基づいて説明す
る。尚、本発明の回転圧縮機の主要な構成部分のうち、
上述の従来例（図４）と同じ構成については、同一符号
を付し、その説明を省略する。
施の形態例について、以下に示す図面に基づいて説明す
る。尚、本発明の回転圧縮機の主要な構成部分のうち、
上述の従来例（図４）と同じ構成については、同一符号
を付し、その説明を省略する。
【００１５】図１は本発明の一実施の形態を示す回転圧
縮機に用いられるベーン１の概略断面図である。図１に
おいて、ベーン１は高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）を母材
１ａとし、その上に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ或
いはこれらの酸化物、又はこれらの窒化物からなる中間
層１ｂ（本実施形態例ではＳｉからなる中間層）が形成
され、この中間層１ｂ上に窒化炭素膜１ｃが形成されて
いる。ここで、窒化炭素膜１ｃとしては硬度約３０００
Ｈｖを有する四窒化三炭素膜が形成されている。
縮機に用いられるベーン１の概略断面図である。図１に
おいて、ベーン１は高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）を母材
１ａとし、その上に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ或
いはこれらの酸化物、又はこれらの窒化物からなる中間
層１ｂ（本実施形態例ではＳｉからなる中間層）が形成
され、この中間層１ｂ上に窒化炭素膜１ｃが形成されて
いる。ここで、窒化炭素膜１ｃとしては硬度約３０００
Ｈｖを有する四窒化三炭素膜が形成されている。
【００１６】以上のように、ベーン１の表面に四窒化三
炭素膜１ｃを形成させることにより、高硬度で摺動性の
優れたベーン１が実現している。また、四窒化三炭素膜
１ｃを母材１ａ上に形成するに際して、中間層１ｂを介
して形成することにより、四窒化三炭素膜１ｃの密着性
を向上させ、長期使用に伴う四窒化三炭素膜１ｃの剥離
や摩耗を防止している。
炭素膜１ｃを形成させることにより、高硬度で摺動性の
優れたベーン１が実現している。また、四窒化三炭素膜
１ｃを母材１ａ上に形成するに際して、中間層１ｂを介
して形成することにより、四窒化三炭素膜１ｃの密着性
を向上させ、長期使用に伴う四窒化三炭素膜１ｃの剥離
や摩耗を防止している。
【００１７】次に、本発明の回転圧縮機に用いられるロ
ーラ２の構成について説明する。図２に、本発明の一実
施の形態を示す回転圧縮機に用いられるローラ２の要部
概略断面図を示す。
ーラ２の構成について説明する。図２に、本発明の一実
施の形態を示す回転圧縮機に用いられるローラ２の要部
概略断面図を示す。
【００１８】図２に示すように、ローラ２は鋳鉄からな
る母材２ａとし、ベーン１と同様にその上に、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ或いはこれらの酸化物、又はこれ
らの窒化物からなる中間層２ｂ（本実施形態例ではＳｉ
からなる中間層）が形成され、この中間層２ｂ上に四窒
化三炭素からなる窒化炭素膜２ｃが形成されている。
る母材２ａとし、ベーン１と同様にその上に、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ或いはこれらの酸化物、又はこれ
らの窒化物からなる中間層２ｂ（本実施形態例ではＳｉ
からなる中間層）が形成され、この中間層２ｂ上に四窒
化三炭素からなる窒化炭素膜２ｃが形成されている。
【００１９】以上のように、ベーン１と同様に、ローラ
２の外周面に四窒化三炭素膜２ｃを形成させることによ
り、高硬度で摺動性の優れたローラ２を実現している。
また、四窒化三炭素膜２ｃを母材２ａ上に形成するに際
して、中間層２ｂを介して形成することにより、四窒化
三炭素膜２ｃの密着性を向上させ、長期使用に伴う四窒
化三炭素膜２ｃの剥離や摩耗を防止している。
２の外周面に四窒化三炭素膜２ｃを形成させることによ
り、高硬度で摺動性の優れたローラ２を実現している。
また、四窒化三炭素膜２ｃを母材２ａ上に形成するに際
して、中間層２ｂを介して形成することにより、四窒化
三炭素膜２ｃの密着性を向上させ、長期使用に伴う四窒
化三炭素膜２ｃの剥離や摩耗を防止している。
【００２０】更に、ベーン１及びローラ２の摺動部分
に、高硬度の四窒化三炭素膜１ｃ、２ｃを形成すること
により、被膜が硬過ぎるために摺接する相手材の摩耗を
増大させるという虞れもない。
に、高硬度の四窒化三炭素膜１ｃ、２ｃを形成すること
により、被膜が硬過ぎるために摺接する相手材の摩耗を
増大させるという虞れもない。
【００２１】次に、上記した中間層及び窒化炭素膜をベ
ーン１及びローラ２に形成する方法について図３を参照
して説明する。図３は、本発明の回転圧縮機のベーン１
に被膜形成させるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の一例を示
す概略断面図である。
ーン１及びローラ２に形成する方法について図３を参照
して説明する。図３は、本発明の回転圧縮機のベーン１
に被膜形成させるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の一例を示
す概略断面図である。
【００２２】図において、真空チャンバ１０８内部に
は、プラズマ発生室１０４と、基板１１３が設置される
反応室が設けられている。プラズマ発生室１０４には、
導波管１０２の一端が取り付けられており、導波管１０
２の他端には、マイクロ波供給手段１０１が設けられて
いる。
は、プラズマ発生室１０４と、基板１１３が設置される
反応室が設けられている。プラズマ発生室１０４には、
導波管１０２の一端が取り付けられており、導波管１０
２の他端には、マイクロ波供給手段１０１が設けられて
いる。
【００２３】マイクロ波供給手段１０１で発生したマイ
クロ波は、導波管１０２及びマイクロ波導入窓１０３を
通って、プラズマ発生室１０４に導かれる。プラズマ発
生室１０４には、プラズマ発生室１０４内にアルゴン
（Ａｒ）ガス等の放電ガスを導入させるための放電ガス
導入管１０５が設けられている。また、プラズマ発生室
１０４の周囲には、プラズマ磁界発生装置１０６が設け
られている。
クロ波は、導波管１０２及びマイクロ波導入窓１０３を
通って、プラズマ発生室１０４に導かれる。プラズマ発
生室１０４には、プラズマ発生室１０４内にアルゴン
（Ａｒ）ガス等の放電ガスを導入させるための放電ガス
導入管１０５が設けられている。また、プラズマ発生室
１０４の周囲には、プラズマ磁界発生装置１０６が設け
られている。
【００２４】真空チャンバ１０８内の反応室には、ドラ
ム状のホルダー１１２が、図３の紙面に垂直な回転軸の
まわりを回転自在となるように設置されており、ホルダ
ー１１２には、モータ（図示省略）が連結されている。
ム状のホルダー１１２が、図３の紙面に垂直な回転軸の
まわりを回転自在となるように設置されており、ホルダ
ー１１２には、モータ（図示省略）が連結されている。
【００２５】ホルダー１１２の外周面には、複数のベー
ン１の母材１ａが基板１１３として等しい間隔で装着さ
れている。ホルダー１１２には、高周波電源１１０が接
続されている。
ン１の母材１ａが基板１１３として等しい間隔で装着さ
れている。ホルダー１１２には、高周波電源１１０が接
続されている。
【００２６】ホルダー１１２の周囲には、金属製の筒状
のシールドカバー１１４がホルダー１１２から約５ｍｍ
の距離を隔てて設けられている。このシールドカバー１
１４は、接地電極に接続されており、被膜を形成すると
きにホルダー１１２に印加される高周波（ＲＦ）電圧に
よって被膜形成箇所以外のホルダー１１２と真空チャン
バ１０８との間の放電が発生するのを防止するために設
けられている。
のシールドカバー１１４がホルダー１１２から約５ｍｍ
の距離を隔てて設けられている。このシールドカバー１
１４は、接地電極に接続されており、被膜を形成すると
きにホルダー１１２に印加される高周波（ＲＦ）電圧に
よって被膜形成箇所以外のホルダー１１２と真空チャン
バ１０８との間の放電が発生するのを防止するために設
けられている。
【００２７】シールドカバー１１４には、開口部１１５
が形成されている。この開口部１１５を通って、プラズ
マ発生室１０４から引き出されたプラズマが、ホルダー
１１２に装着された基板１１３（ベーン１の母材１ａ）
に放射されるようになっている。真空チャンバ１０８内
には、反応ガス導入管１１６が設けられている。この反
応ガス導入管１１６の先端は、開口部１１５の上方に位
置する。
が形成されている。この開口部１１５を通って、プラズ
マ発生室１０４から引き出されたプラズマが、ホルダー
１１２に装着された基板１１３（ベーン１の母材１ａ）
に放射されるようになっている。真空チャンバ１０８内
には、反応ガス導入管１１６が設けられている。この反
応ガス導入管１１６の先端は、開口部１１５の上方に位
置する。
【００２８】尚、ローラ２の外周面に被膜形成する場合
には、回転ドラムを用いずに、高周波電源１１０をロー
ラ２に接続し、またシールドカバー１１４はこのローラ
２から約５ｍｍ隔てて設けられるような構造にしてお
り、このシールドカバー１１４は、接地電極に接続され
ている。
には、回転ドラムを用いずに、高周波電源１１０をロー
ラ２に接続し、またシールドカバー１１４はこのローラ
２から約５ｍｍ隔てて設けられるような構造にしてお
り、このシールドカバー１１４は、接地電極に接続され
ている。
【００２９】次に、この装置を用いてベーン１の母材１
ａ上に、図１に示すような被膜を形成する方法について
具体的に説明する。尚、ローラ２への被膜形成について
も同様であるので、その説明は省略している。
ａ上に、図１に示すような被膜を形成する方法について
具体的に説明する。尚、ローラ２への被膜形成について
も同様であるので、その説明は省略している。
【００３０】まず、真空チャンバ１０８内を１０-5〜１
０-7Ｔｏｒｒに排気して、ホルダー１１２を約１０ｒｐ
ｍの速度で回転させる。次に、放電ガス導入管１０５か
らＡｒガスを供給しながら、高周波電源１１０から２．
４５ＧＨｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズ
マ発生室１０４内に形成されたＡｒプラズマをベーン１
の母材１ａ表面に放射する。
０-7Ｔｏｒｒに排気して、ホルダー１１２を約１０ｒｐ
ｍの速度で回転させる。次に、放電ガス導入管１０５か
らＡｒガスを供給しながら、高周波電源１１０から２．
４５ＧＨｚ、１００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズ
マ発生室１０４内に形成されたＡｒプラズマをベーン１
の母材１ａ表面に放射する。
【００３１】これと同時に、反応ガス管１１６からシラ
ンガス（ＳｉＨ4）を供給しながら、高周波電源１１０
から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を自己バイアス電圧が
負になるようにホルダー１１２に印加する（本実施形態
例では、自己バイアス電圧−５０Ｖに設定）。
ンガス（ＳｉＨ4）を供給しながら、高周波電源１１０
から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を自己バイアス電圧が
負になるようにホルダー１１２に印加する（本実施形態
例では、自己バイアス電圧−５０Ｖに設定）。
【００３２】以上の工程により、ベーン１の母材１ａ上
に膜厚約１０００ÅのＳｉからなる中間層が形成され
る。そして、反応ガス管１１６からＣＨ4ガス及びＮ2ガ
スを供給しながら、高周波電源１１０から１３．５６Ｍ
ＨｚのＲＦ電力を自己バイアス電圧が負になるようにホ
ルダー１１２に印加する（本実施形態例では、自己バイ
アス電圧−５０Ｖに設定）。
に膜厚約１０００ÅのＳｉからなる中間層が形成され
る。そして、反応ガス管１１６からＣＨ4ガス及びＮ2ガ
スを供給しながら、高周波電源１１０から１３．５６Ｍ
ＨｚのＲＦ電力を自己バイアス電圧が負になるようにホ
ルダー１１２に印加する（本実施形態例では、自己バイ
アス電圧−５０Ｖに設定）。
【００３３】以上の工程により、上記中間層１ｂ上に膜
厚約１０００Åの四窒化三炭素膜１ｃが形成される。そ
して、このようにして得られたベーン１の四窒化三炭素
膜１ｃについて、密着性の評価試験を行った。その結
果、上記中間層１ｂを設けずに直接ベーン１の母材１ａ
上に四窒化三炭素膜を形成した場合には剥離発生個数が
４５個であるのに対し、ベーン１の母材１ａ上に中間層
１ｂを介して四窒化三炭素膜１ｃを形成した場合には、
剥離発生個数が５個であった。尚、この評価試験は、ビ
ッカース圧子を用いた一定荷重（荷重１ｋｇ）の押し込
み試験により行い、サンプル数を５０個とし、ベーン１
上の四窒化三炭素膜に剥離が発生した回数を数えて評価
した。このように、中間層１ｂを形成することにより、
四窒化三炭素膜１ｃの密着性が高められることが分か
る。従って、この本発明の四窒化三炭素膜１ｃは膜硬度
が十分に高く、密着性に優れており、これによってベー
ン１、ローラ２及びこれらとの摺動面において発生する
オイルスラッジを大幅に低減させることができる。
厚約１０００Åの四窒化三炭素膜１ｃが形成される。そ
して、このようにして得られたベーン１の四窒化三炭素
膜１ｃについて、密着性の評価試験を行った。その結
果、上記中間層１ｂを設けずに直接ベーン１の母材１ａ
上に四窒化三炭素膜を形成した場合には剥離発生個数が
４５個であるのに対し、ベーン１の母材１ａ上に中間層
１ｂを介して四窒化三炭素膜１ｃを形成した場合には、
剥離発生個数が５個であった。尚、この評価試験は、ビ
ッカース圧子を用いた一定荷重（荷重１ｋｇ）の押し込
み試験により行い、サンプル数を５０個とし、ベーン１
上の四窒化三炭素膜に剥離が発生した回数を数えて評価
した。このように、中間層１ｂを形成することにより、
四窒化三炭素膜１ｃの密着性が高められることが分か
る。従って、この本発明の四窒化三炭素膜１ｃは膜硬度
が十分に高く、密着性に優れており、これによってベー
ン１、ローラ２及びこれらとの摺動面において発生する
オイルスラッジを大幅に低減させることができる。
【００３４】尚、上記実施の形態の説明は、本発明を説
明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発
明を限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではな
い。又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、
特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可
能であることは勿論である。
明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発
明を限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではな
い。又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、
特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可
能であることは勿論である。
【００３５】例えば、上記実施の形態の説明では、ベー
ン１及びローラ２の母材に被膜形成する場合について説
明したが、これに加えて、シリンダ１１の内周面やベー
ン１の側面部と摺接するシリンダ１１の溝部に、その母
材上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ或いはこれらの酸
化物、又はこれらの窒化物からなる中間層（Ｓｉ等から
なる中間層）を形成し、この中間層上に四窒化三炭素か
らなる窒化炭素膜を形成してもよい。これにより、高硬
度のベーン１及びローラ２との摺接によりシリンダ１１
の内周面及び溝部の摩耗量が増大する虞れもない。
ン１及びローラ２の母材に被膜形成する場合について説
明したが、これに加えて、シリンダ１１の内周面やベー
ン１の側面部と摺接するシリンダ１１の溝部に、その母
材上にＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｒｕ或いはこれらの酸
化物、又はこれらの窒化物からなる中間層（Ｓｉ等から
なる中間層）を形成し、この中間層上に四窒化三炭素か
らなる窒化炭素膜を形成してもよい。これにより、高硬
度のベーン１及びローラ２との摺接によりシリンダ１１
の内周面及び溝部の摩耗量が増大する虞れもない。
【００３６】また、上記実施形態例では、ベーン１の表
面全体及びローラ２の外周面全体に被膜形成する場合を
説明したが、これに限らず、少なくともベーン１の先端
摺動部分及びローラ２の外周摺動部分に被膜形成されて
いればよい。
面全体及びローラ２の外周面全体に被膜形成する場合を
説明したが、これに限らず、少なくともベーン１の先端
摺動部分及びローラ２の外周摺動部分に被膜形成されて
いればよい。
【００３７】
【発明の効果】以上のとおり本発明によれば、ベーンの
少なくとも先端摺動部分及び／又はローラの外周摺動部
分に窒化炭素膜を形成することにより、摩擦係数を低く
し、耐摩耗性に優れたものとし、長期間にわたって優れ
た摺動特性を維持できる。
少なくとも先端摺動部分及び／又はローラの外周摺動部
分に窒化炭素膜を形成することにより、摩擦係数を低く
し、耐摩耗性に優れたものとし、長期間にわたって優れ
た摺動特性を維持できる。
【００３８】従って、長期間に亘りオイルスラッジの発
生を低減し、圧縮機の耐久性を向上させることができ
る。
生を低減し、圧縮機の耐久性を向上させることができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態を示す回転圧縮機に用い
られるベーン１の概略断面図である。
られるベーン１の概略断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態を示す回転圧縮機に用い
られるローラ２の要部概略断面図を示す。
られるローラ２の要部概略断面図を示す。
【図３】本発明の回転圧縮機のベーンに被膜形成させる
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図であ
る。
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図であ
る。
【図４】回転圧縮機の概略断面図である。
１、１４ ベーン ２、１３ ローラ １１ シリンダ １２ 偏心軸 １５ バネ １６ａ 低圧室 １６ｂ 高圧室 １７ 吸入口 １８ 吐出口
Claims (4)
- 【請求項１】 シリンダと、前記シリンダ内で偏心回転
するローラを備えると共に、前記ローラの偏心回転に伴
って摺動するベーンを備えた回転圧縮機において、 前記ベーンの少なくとも先端摺動部分及び／又は前記ロ
ーラの外周摺動部分に窒化炭素膜が形成されていること
を特徴とする回転圧縮機。 - 【請求項２】 前記窒化炭素膜は、中間層を介して前記
ベーンの少なくとも先端摺動部分及び／又は前記ローラ
の外周摺動部分に形成されていることを特徴とする請求
項１記載の回転圧縮機。 - 【請求項３】 前記中間層はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、
Ｒｕ或いはこれらの酸化物、又はこれらの窒化物である
ことを特徴とする請求項２記載の回転圧縮機。 - 【請求項４】 前記窒化炭素膜は、四窒化三炭素膜であ
ることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載
の回転圧縮機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20653997A JPH1150988A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 回転圧縮機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20653997A JPH1150988A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 回転圧縮機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1150988A true JPH1150988A (ja) | 1999-02-23 |
Family
ID=16525057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20653997A Pending JPH1150988A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 回転圧縮機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1150988A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021059552A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 三菱重工業株式会社 | 窒素含有炭素皮膜、その製造方法、圧縮機、および摺動部材 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20653997A patent/JPH1150988A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021059552A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 三菱重工業株式会社 | 窒素含有炭素皮膜、その製造方法、圧縮機、および摺動部材 |
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