JPH1149706A

JPH1149706A - １，１，２−トリフルオロ−１−ブテン−３−イン誘導体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1149706A
Application number: JP9206011A
Authority: JP
Inventors: Masashi Osawa; 政志大澤; Sadao Takehara; 貞夫竹原; Haruyoshi Takatsu; 晴義高津
Original assignee: Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 1997-07-31
Filing date: 1997-07-31
Publication date: 1999-02-23

Abstract

(57)【要約】【課題】有機電子材料や医農薬、特に電気光学的液晶
表示用ネマチック液晶材料として有用な、(E)-1,2-ジフ
ルオロ-1-ブテン-3-イン誘導体を簡便かつ容易に得るた
めの合成中間体として有用な、新規化合物を提供する。【解決手段】一般式（ＩＩ）【化１】（Ｒ：Ｃ１〜２０のアルキル、アルコキシル、Ｃ２〜２
０のアルケニル、アルケニルオキシ、Ｆ、Ｃｌ、Ｈ等、
環Ａ：Ｆ置換可能な１，４−フェニレン、トランス−
１，４−シクロヘキシレン等、ｍ：０〜４、ｊ：０、
１）で表される化合物及びその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機電子材料や医農
薬、特に電気光学的液晶表示用ネマチック液晶材料とし
て有用な、(E)-1,2-ジフルオロ-1-ブテン-3-イン誘導体
の合成中間体として有用な化合物である1,1,2-トリフル
オロ-1-ブテン-3-イン誘導体に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッ
サー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ
等に用いられるようになっている。液晶表示方式として
は、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、Ｓ
ＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、
ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液
晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティッ
ク駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さら
に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリッ
クス方式が実用化されている。これらの表示方式や駆動
方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求され
ており、このためこれまでにも非常に多くの液晶化合物
が合成されている。

【０００３】こうした液晶化合物の中で式（Ａ）

【０００４】

【化４】

【０００５】で表される(E)-1,2-ジフルオロ-1-ブテン-
3-イン誘導体が、M.M.Kremlev等により報告（Ukr. Khi
m. Zh., 48, 64(1982)）されており、２環化合物と
しては比較的高いネマチック相上限温度を有することが
示されている。（Ａ）の化合物は構造的にみて、大きい
屈折率異方性を有するであろうことは容易に推察でき
る。しかしながら、この報告には相転移温度以外の物性
については示されておらず、従って液晶組成物として用
いた場合にどのような電気光学的特性が得られるかにつ
いては全くわからなかった。また、この報告に基づいて
（Ａ）またはその同族体を製造しようとしても、この報
告に示されている製造方法は収率も低く、操作も容易で
はなかった。

【０００６】特開平6-263661号公報には（Ａ）を包含す
るような広範な一般式を有する(E)-1,2-ジフルオロ-1-
ブテン-3-イン誘導体がその製造方法とともに示されて
いる。しかしながら、この公報には得られた具体的化合
物について相転移温度等の基本的な物性値は一切示され
ておらず、これによって(E)-1,2-ジフルオロ-1-ブテン-
3-イン誘導体の電気光学的特性が明らかにされたわけで
はなかった。また、この公報に示された製造方法に基づ
いて、実際に（Ａ）の同族体を製造しようとしても、本
発明者らが試験したところでは目的物を得ることが困難
であった。

【０００７】以上のように、（Ａ）の化合物をはじめと
する(E)-1,2-ジフルオロ-1-ブテン-3-イン誘導体はその
相転移温度以外の物性や液晶組成物としての電気光学的
特性に興味が持たれていたにもかかわらず、その製造が
容易でなかったため、ほとんど知られていなかった。そ
のため、(E)-1,2-ジフルオロ-1-ブテン-3-イン誘導体の
簡便かつ容易な製造方法が求められている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、上記の目的に応じるため、(E)-1,2-ジフル
オロ-1-ブテン-3-イン誘導体を簡便かつ容易に得るため
の合成中間体として有用な、新規化合物を提供するもの
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、１．一般式（ＩＩ）

【００１０】

【化５】

【００１１】（式中、Ｒ¹は炭素原子数１〜２０のアル
キル基、アルコキシル基、炭素原子数２〜２０のアルケ
ニル基またはアルケニルオキシ基を表し、これらは炭素
原子数１０未満のアルコキシル基またはアルケニルオキ
シ基により置換されていてもよく、あるいはフッ素原
子、塩素原子または水素原子を表し、環Ａは１〜４個の
フッ素原子により置換されていてもよい1,4-フェニレン
基、トランス-1,4-シクロへキシレン基、ピリミジン-2,
5-ジイル基、ピリジン-2,5-ジイル基、ピリダジン-3,6-
ジイル基、ピラジン-2,5-ジイル基または1,3-ジオキサ
ン-2,5-ジイル基を表し、ｊは０または１を表し、ｍは
０〜４の整数を表す。）で表される化合物。２．ｊ及びｋが０であり、Ｒ¹が炭素原子数１〜１０の
直鎖状アルキル基または炭素原子数２〜１０の直鎖状ア
ルケニル基を表すところの上記１記載の一般式（ＩＩ）
で表される化合物。３．一般式（ＩＶ）

【００１２】

【化６】

【００１３】（式中、Ｒ¹、環Ａ、ｊ及びｍは一般式
（ＩＩ）におけると同じ意味を表す。）で表されるフェ
ニルアセチレン誘導体に、遷移金属触媒存在下に式
（Ｖ）

【００１４】

【化７】

【００１５】のトリフルオロヨードエチレンを反応させ
ることを特徴とする上記１記載の一般式（ＩＩ）で表さ
れる化合物の製造方法。を前記課題の解決手段として見
出した。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一例について説明
する。本発明の一般式（ＩＩ）の1,1,2-トリフルオロ-1
-ブテン-3-イン誘導体は、その製造方法を含めて本発明
者らが初めて報告する新規な化合物である。

【００１７】本発明の一般式（ＩＩ）において、Ｒ¹は
炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルコキシル基、炭
素原子数２〜２０のアルケニル基またはアルケニルオキ
シ基を表し、これらは炭素原子数１０未満のアルコキシ
ル基またはアルケニルオキシ基により置換されていても
よく、あるいはフッ素原子、塩素原子または水素原子を
表すが、炭素原子数１〜１０の直鎖状アルキル基が好ま
しい。環Ａは１〜４個のフッ素原子により置換されてい
てもよい1,4-フェニレン基、トランス-1,4-シクロへキ
シレン基、ピリミジン-2,5-ジイル基、ピリジン-2,5-ジ
イル基、ピリダジン-2,5-ジイル基、ピラジン-2,5-ジイ
ル基または1,3-ジオキサン-2,5-ジイル基を表すが、１
〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい1,4-フ
ェニレン基またはトランス-1,4-シクロへキシレン基が
好ましく、トランス-1,4-シクロへキシレン基が特に好
ましい。ｊは０または１を表すが、０であることが好ま
しい。ｍは０〜４の整数を表すが、好ましくは０〜２を
表し、０を表すことがより好ましい。

【００１８】また、一般式（ＩＩ）の製造方法につい
て、以下に説明する。即ち、一般式（ＩＶ）

【００１９】

【化８】

【００２０】（式中、Ｒ¹、環Ａ、ｊ及びｍは一般式
（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるフェニ
ルアセチレン誘導体に、遷移金属触媒存在下に式（Ｖ）

【００２１】

【化９】

【００２２】のトリフルオロヨードエチレンを反応させ
ることにより高収率で得ることができる。反応は溶媒中
で行われるが、溶媒としてはテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル（Ｉ
ＰＥ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）あるいはジオキサ
ン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、ヘキサン
または石油エーテル等の炭化水素系溶媒が好ましく、こ
れらは単独で用いてもその複数を混合して用いてもよい
が、ＴＨＦ等のエーテル系溶媒がより好ましく、ＴＨＦ
が特に好ましい。

【００２３】遷移金属触媒としてはPd及びCu系の触媒を
併用することが好ましく、Pd触媒としては、テトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)、ジ-μ-ク
ロロ-ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）二パラ
ジウム(II)、ジクロロビス（トリエチルホスフィン）パ
ラジウム(II)、ジクロロビス（トリプロピルホスフィ
ン）パラジウム(II)、ジクロロビス（トリブチルホスフ
ィン）パラジウム(II)、ジクロロビス（トリペンチルホ
スフィン）パラジウム(II)、ジクロロビス（ベンゾニト
リル）パラジウム(II)、カルボニルトリス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム(O)、trns-[ヨード（フェニ
ル）ビス（ジメチルフェニルホスフィン）パラジウム(I
I)]、trans-[ジメチルビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム(II)]、ビス（イソシアン化t-ブチル）パラ
ジウム(0)、ジ-μ-クロロ-ジクロロビス（η-エチレ
ン）二パラジウム(II)、（η-エチレン）ビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム(0)、トリス（ジベンジ
リデンアセトン）二パラジウム(0)、ジクロロ（1,5-シ
クロオクタジエン）パラジウム(II)、ジ-μ-クロロ-ビ
ス（η-アリル）二パラジウム(II)、η-アリル（η-シ
クロペンタジエニル）パラジウム(II)、ビス（アリル）
パラジウム(II)、（η-シクロペンタジエニル）（1,5-
シクロオクタジエン）パラジウム(II)テトラフルオロホ
ウ酸塩、アリル（1,5-シクロオクタジエン）パラジウム
(II)テトラフルオロホウ酸塩、（アセチルアセトナト）
（1,5-シクロオクタジエン）パラジウム(II)テトラフル
オロホウ酸塩、塩化パラジウム(II)等を用いることがで
きるが、パラジウム(0)系の触媒がより好ましい。

【００２４】銅触媒としては、塩化銅(I)、臭化銅(I)、
ヨウ化銅(I)、酢酸銅(II)等を用いることができるが、
銅(I)系触媒が好ましく、ヨウ化銅(I)が特に好ましい。
反応は０〜５０℃の広い温度範囲で実施可能であるが、
１０〜４５℃がより好ましく、２０〜４０℃が特に好ま
しい。

【００２５】反応は溶媒中で実施されるが、溶媒として
はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトア
ミド（ＤＭＡ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジ
メチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルイミダゾリ
ジノン（ＤＭＩ）等の非プロトン性極性溶媒、モルホリ
ン、トリエチルアミン、ジエチルアミン、ピリジン等の
アミン類、ＴＨＦ、ジエチルエーテル、ジオキサン、Ｄ
ＭＥ、ＩＰＥ等のエーテル系溶媒、エタノール、メタノ
ール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン等の炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエ
チルケトン（ＭＥＫ）等のケトン系溶媒等を用いること
ができる。これらは単独で用いてもその複数を併用して
もよいが、非プロトン性極性溶媒と、アミン系溶媒を併
用することが好ましく、ＤＭＦとトリエチルアミンを併
用することが特に好ましい。

【００２６】次に、上記の如く得られる本発明の一般式
（ＩＩ）の化合物を用いて、液晶材料として有用な(E)-
1,2-ジフルオロ-1-ブテン-3-イン誘導体の製造例を以下
に示す。

【００２７】即ち、一般式（ＩＩ）

【００２８】

【化１０】

【００２９】（式中、Ｒ¹、環Ａ、ｊ及びｍは上記にお
けると同じ意味を表す。）で表される1,1,2-トリフルオ
ロ-1-ブテン-3-イン誘導体に一般式（ＩＩＩ）

【００３０】

【化１１】

【００３１】（式中、Ｒ²は炭素原子数１〜２０のアル
キル基、アルコキシル基、炭素原子数２〜２０のアルケ
ニル基またはアルケニルオキシ基を表し、これらは炭素
原子数１０未満のアルコキシル基またはアルケニルオキ
シ基により置換されていてもよく、あるいはフッ素原
子、塩素原子または水素原子を表し、環Ｂは１〜４個の
フッ素原子により置換されていてもよい1,4-フェニレン
基、トランス-1,4-シクロへキシレン基、ピリミジン-2,
5-ジイル基、ピリジン-2,5-ジイル基、ピリダジン-3,6-
ジイル基、ピラジン-2,5-ジイル基または1,3-ジオキサ
ン-2,5-ジイル基を表し、ｋは０または１を表し、ｎは
０〜４の整数を表す。）で表されるフェニルリチウム誘
導体を反応させることにより、一般式（Ｉ）

【００３２】

【化１２】

【００３３】（式中、Ｒ¹、Ｒ₂、環Ａ、環Ｂ、ｊ、ｋ、
ｍ及びｎは一般式（ＩＩ）あるいは一般式（ＩＩＩ）に
おけると同じ意味を表す。）で表される(E)-1,2-ジフル
オロ-1-ブテン-3-イン誘導体を製造することができる。

【００３４】この反応において、は温度−７０℃から５
０℃の広い温度範囲で実施することが可能であるが、−
６０℃〜室温の範囲が好ましく、−５０℃〜５℃の範囲
が特に好ましい。

【００３５】また、反応はヘリウム、アルゴンあるいは
窒素等の不活性ガス雰囲気下で実施することが好まし
く、通常はフェニルリチウム誘導体の溶液中に本発明の
一般式（ＩＩ）の1,1,2-トリフルオロ-1-ブテン-3-イン
誘導体の溶液を滴下する。

【００３６】生成物は通常Ｅ体及びＺ体の混合物である
が、これらはエタノールやメタノール等の溶媒からの再
結晶により容易に分離可能でＥ体を単離することができ
る。このように本発明の一般式（ＩＩ）の化合物を用い
ることにより、液晶材料として有用な1,2-ジフルオロ-1
-ブテン-3-イン誘導体を容易に製造することができる
が、その代表例をその相転移温度とともに第１表に掲げ
る。

【００３７】

【表１】

【００３８】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック
相を、またＩは等方性液体相をそれぞれ表し、相転移温
度は「℃」を表す。）また、上記で得た一般式（Ｉ）の化合物を用いて実際に
液晶組成物を調製し、その電気光学的特性を測定した。

【００３９】ホスト液晶（Ｈ）

【００４０】

【化１３】

【００４１】は１１６．７℃以下でネマチック相を示
す。この組成物を厚さ６μｍのＴＮセルに充填して２０
℃で測定した電気光学特性は以下の通りであった。屈折率異方性（Δｎ）：０．０９０誘電率異方性（Δε）：４．８０閾値電圧（Ｖｔｈ）：２．１４Ｖ粘度：１９．８ｃｐ応答時間（τ）：２５．３μ秒ここで応答時間は立ち下がり時間と立ち上がり時間が等
しくなる電圧印加時の測定値である。

【００４２】このホスト液晶（Ｈ）の８０重量％及び第
１表に示された（Ｉ−１）

【００４３】

【化１４】

【００４４】の化合物２０重量％からなる液晶組成物
（Ｈ−１）を調製したところ、そのネマチック相上限温
度（Ｔ_N-I）は１１６．０℃とほとんど変化がなかっ
た。この組成物の電気光学特性は以下の通りであった。

【００４５】屈折率異方性（Δｎ）：０．１４８誘電率異方性（Δε）：４．０５閾値電圧（Ｖｔｈ）：２．７１Ｖ粘度：１７．０ｃｐ応答時間（τ）：１５．８μ秒従って、（Ｉ−１）はその添加により、組成物の粘度を
低減して応答を大幅に高速化し、屈折率異方性を著しく
増大していることがわかる。また、この組成物を０℃で
２４時間放置したが、結晶の析出は見られなかった。従
って、この（Ｉ−１）の化合物はホスト液晶組成物との
相溶性にも優れていることがわかる。

【００４６】従来、屈折率異方性を増大させ、粘度を低
減しその応答性を改善させるという目的で用いられてい
る化合物としては例えば式（Ｂ）

【００４７】

【化１５】

【００４８】で表されるようなトラン系化合物が代表的
である。ところがこれを同じホスト液晶（Ｈ）に同量
（２０重量％）添加して、液晶組成物（Ｈ−Ｂ）を調製
してその相転移温度及び電気光学的物性値を測定したと
ころ以下の通りであった。

【００４９】ネマチック相上限温度（Ｔ_N-I）：９３．５℃ 屈折率異方性（Δｎ）：０．１２５誘電率異方性（Δε）：４．４閾値電圧（Ｖｔｈ）：２．５１Ｖ粘度：１８．６ｃｐ応答時間（τ）：２２．５μ秒このように（Ｈ−Ｂ）ではネマチック相上限温度が大き
く降下しているにもかかわらず、粘度は（Ｈ−１）より
高く、応答も遅くなった。また、屈折率異方性も（Ｈ−
１）より小さくなった。

【００５０】従って（Ｉ−１）の化合物は従来のトラン
系化合物と比較して、粘度を低減して応答を高速化し、
その屈折率異方性を増大させる効果において、はるかに
優れていることがわかる。こうした効果はこれまで全く
知られておらず本発明者らが初めて見いだしたものであ
る。

【００５１】本発明の一般式（ＩＩ）の化合物を用いる
ことにより、一般式（Ｉ）で表される化合物を容易に得
ることができるが、この一般式（Ｉ）の化合物は、温度
範囲が広く、低粘性で高速応答が可能であり、かつ大き
い屈折率異方性が要求されるような液晶組成物の構成材
料として有用である。この一般式（Ｉ）で表される化合
物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合
物の好ましい代表例としては、例えば、安息香酸フェニ
ル誘導体、シクロヘキサンカルボン酸フェニル誘導体、
シクロヘキサンカルボン酸ビフェニル−４−イル誘導
体、シクロヘキサンカルボニルオキシ安息香酸フェニル
誘導体、シクロヘキシル安息香酸フェニル誘導体、シク
ロヘキシル安息香酸シクロヘキシル誘導体、ビフェニル
誘導体、シクロヘキシルベンゼン誘導体、テルフェニル
誘導体、ビシクロヘキサン誘導体、４−シクロヘキシル
ビフェニル誘導体、４−フェニルビシクロヘキサン誘導
体、テルシクロヘキサン誘導体、１，２−ジシクロヘキ
シルエタン誘導体、１，２−ジフェニルエタン誘導体、
１，２−ジフェニルエチン誘導体、（２−シクロヘキシ
ルエチル）ベンゼン誘導体、４−フェネチルビシクロヘ
キサン誘導体、４−（２−シクロヘキシルエチル）ビフ
ェニル誘導体、１−（４−フェニル）シクロヘキシル−
２−シクロヘキシルエタン誘導体、１−（４−シクロヘ
キシルフェニル）−２−フェニルエチン誘導体、フェニ
ルピリミジン誘導体、（４−ビフェニル−４−イル）ピ
リミジン誘導体、フェニルピリジン誘導体、（４−ビフ
ェニル−４−イル）ピリジン誘導体、などを挙げること
ができる。

【００５２】

【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。

【００５３】化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル
（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペ
クトル（ＩＲ）により確認し、純度の測定はキャピラリ
ーガスクロマトグラフにより行った。また生成物の相転
移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及
びＤＳＣを併用して行った。また、組成物における
「％」は『重量％』を表す。（実施例１） 1,1,2-トリフルオロ-4-(4-プロピル)フ
ェニル-1-ブテン-3-イン（本発明の一般式（ＩＩ）の化
合物）の合成

【００５４】

【化１６】

【００５５】4-プロピル-1-エチニルベンゼン5.8gをＤ
ＭＦ25ml及びトリエチルアミン10mlに溶解しテトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)0.5g及びヨ
ウ化銅(I)0.2gを加えた。トリフルオロヨードエテン10g
のＤＭＦ25ml溶液を40℃以下を保つ速度で滴下した。さ
らに１時間撹拌し、水50mlを加えた。酢酸エチル50mlで
抽出し、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶媒：ヘキサン）で精製し、1,1,2-トリフ
ルオロ-4-(4-プロピル)フェニル-1-ブテン-3-イン7.0g
を得た。（参考例１） (E)-1,2-ジフルオロ-1-(4-メチル)フェ
ニル-4-(4-プロピル)フェニル-1-ブテン-3-イン（第１
表中の（Ｉ−１）の化合物）の合成

【００５６】

【化１７】

【００５７】4-ヨードトルエン6.8gをＴＨＦ30mlに溶解
し、窒素雰囲気下に-70℃に冷却した。ｎ-ブチルリチウ
ムヘキサン溶液（1.68mol/l）19mlを-60℃以下を保つ速
度で滴下し、さらに１時間撹拌した。1,1,2-トリフルオ
ロ-4-(4-プロピル)フェニル-1-ブテン-3-イン7.0gのＴ
ＨＦ30ml溶液を-60℃以下を保つ速度で滴下し、滴下終
了後徐々に室温まで戻した。水50mlを加え、酢酸エチル
60mlで抽出し、水、飽和食塩水で洗滌した。無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（溶媒：ヘキサン）で精製し、1,2-ジフルオロ-1-(4-
メチル)フェニル-4-(4-プロピル)フェニル-1-ブテン-3-
イン7.2g（E/Z比=75/25）を得た。これを、エタノール3
0mlから２回再結晶し、(E)-1,2-ジフルオロ-1-(4-メチ
ル)フェニル-4-(4-プロピル)フェニル-1-ブテン-3-イン
3.0gを得た。相転移温度は第１表に示した。（応用例１）液晶組成物の調製ホスト液晶（Ｈ）

【００５８】

【化１８】

【００５９】を調製した。このホスト液晶（Ｈ）は１１
６．７℃以下でネマチック相を示す。この組成物を厚さ
６μｍのＴＮセルに充填して測定した電気光学特性は以
下の通りであった。

【００６０】屈折率異方性（Δｎ）：０．０９０誘電率異方性（Δε）：４．８０閾値電圧（Ｖｔｈ）：２．１４Ｖ粘度：１９．８ｃｐ応答時間（τ）：２５．３μ秒ここで測定は２０℃で行い、応答時間は立ち下がり時間
と立ち上がり時間が等しくなる電圧印加時の測定値であ
る。

【００６１】このホスト液晶（Ｈ）の８０％及び参考例
１で得た式（Ｉ−１）

【００６２】

【化１９】

【００６３】の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｈ−
１）を調製した。（Ｈ−１）のネマチック相上限温度
（Ｔ_N-I）は１１６．０℃で（Ｈ）とほとんど変化がな
かった。次にこの組成物を用いて同様にしてセルを作成
し測定した電気光学特性は以下の通りであった。

【００６４】屈折率異方性（Δｎ）：０．１４８誘電率異方性（Δε）：４．０５閾値電圧（Ｖｔｈ）：２．７１Ｖ粘度：１７．０ｃｐ応答時間（τ）：１５．８μ秒従って、（Ｉ−１）はその添加により、組成物の粘度を
低減して応答を大幅に高速化し、屈折率異方性を著しく
増大していることがわかる。また、この組成物を０℃で
２４時間放置したが、結晶の析出は見られなかった。従
って、この（Ｉ−１）の化合物はホスト液晶組成物との
相溶性にも優れていることがわかる。（応用比較例１）屈折率異方性の増大と応答の改善効果に優れ従来から用
いられている化合物（Ｂ）

【００６５】

【化２０】

【００６６】を同じホスト液晶（Ｈ）に同量（２０％）
添加して、液晶組成物（Ｈ−Ｂ）を調製した。この組成
物のネマチック相上限温度は９３．５℃であり、（Ｈ）
あるいは（Ｈ−１）と比較して大きく低下した。次に同
様にしてセルを作成し、その電気光学的物性値を測定し
たところ以下の通りであった。

【００６７】屈折率異方性（Δｎ）：０．１２５誘電率異方性（Δε）：４．４閾値電圧（Ｖｔｈ）：２．５１Ｖ粘度：１８．６ｃｐ応答時間（τ）：２２．５μ秒このように（Ｈ−Ｂ）では粘度は（Ｈ）と比較すると低
減されているけれど（Ｈ−１）よりは高くなり、応答も
（Ｈ−１）より４０％も遅くなった。また、屈折率異方
性も（Ｈ−１）ほど増大させることができなかった。

【００６８】従って従来のトラン系化合物では粘度を低
減して応答を高速化し、その屈折率異方性を増大させる
効果において、（Ｉ−１）の化合物には及ばないことが
わかる。

【００６９】

【発明の効果】本発明により提供される、1,1,2-トリフ
ルオロ-1-ブテン-3-イン誘導体を中間体とすることによ
り、従来その製造が容易ではなかった一般式（Ｉ）の
(E)-1,2-ジフルオロ-1-ブテン-3-イン誘導体である液晶
化合物を容易に得ることができる。得られた一般式
（Ｉ）の化合物は液晶性に極めて優れ、従来液晶との相
溶性もよく、低粘性で、屈折率異方性が著しく大きいと
いう特徴を有する。従って、これを従来液晶に添加する
ことにより、温度範囲が広くかつ高速応答性の液晶材料
を容易に調製することが可能であるため、液晶材料とし
て極めて有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（ＩＩ）【化１】（式中、Ｒ¹は炭素原子数１〜２０のアルキル基、アル
コキシル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基または
アルケニルオキシ基を表し、これらは炭素原子数１０未
満のアルコキシル基またはアルケニルオキシ基により置
換されていてもよく、あるいはフッ素原子、塩素原子ま
たは水素原子を表し、環Ａは１〜４個のフッ素原子によ
り置換されていてもよい1,4-フェニレン基、トランス-
1,4-シクロへキシレン基、ピリミジン-2,5-ジイル基、
ピリジン-2,5-ジイル基、ピリダジン-3,6-ジイル基、ピ
ラジン-2,5-ジイル基または1,3-ジオキサン-2,5-ジイル
基を表し、ｊは０または１を表し、ｍは０〜４の整数を
表す。）で表される化合物。
【請求項２】ｊ及びｋが０であり、Ｒ¹が炭素原子数
１〜１０の直鎖状アルキル基または炭素原子数２〜１０
の直鎖状アルケニル基を表すところの請求項１記載の一
般式（ＩＩ）で表される化合物。
【請求項３】一般式（ＩＶ）【化２】（式中、Ｒ¹、環Ａ、ｊ及びｍは一般式（ＩＩ）におけ
ると同じ意味を表す。）で表されるフェニルアセチレン
誘導体に、遷移金属触媒存在下に式（Ｖ）【化３】のトリフルオロヨードエチレンを反応させることを特徴
とする請求項１記載の一般式（ＩＩ）で表される化合物
の製造方法。