JPH1149598A - シリコン結晶、その製造装置及び製造方法 - Google Patents
シリコン結晶、その製造装置及び製造方法Info
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Abstract
口径化も可能なものとする。 【解決手段】 原料の多結晶シリコンと成長させるシリ
コン結晶の間にゲルマニウム融液層を介在させる。ゲル
マニウム融液層を通過させて原料の多結晶シリコンを再
結晶化させ、ゲルマニウム混入量を0.005〜0.0
1atoms/cm3 とする。原料の多結晶シリコン1
8とゲルマニウム融液層19を保持する保持手段10、
30、41を設け、保持手段10、30、41の外側に
加熱用のヒータ17、37を設け、ゲルマニウム融液層
を通して原料多結晶シリコンを再び結晶化させ、シリコ
ン結晶を成長させる。
Description
その製造装置及び製造方法に関するものである。
結晶シリコンがある。
イス製造の原材料等として用いられる。近年は、大口径
で高純度のシリコン単結晶を低コストで製造することが
強く求められている。
長装置又はFZ型結晶成長装置で製造される。
製造に最も多く使用される装置である。この装置は、一
般的には石英ガラス坩堝中に原料多結晶シリコンを入れ
て溶融し、融液表面から単結晶を上方へ引き上げる構成
になっている。加熱手段としてはカーボン発熱体を用
い、坩堝の外周から間接的に加熱してシリコンを溶融す
る。石英ガラス坩堝の外側には、形状維持のためにカー
ボン製の保持具が配置される。
(1413℃)以上の温度まで加熱される。このため、
石英ガラス坩堝を構成する二酸化珪素がシリコン融液中
に溶出し、引き上げるシリコン単結晶に酸素が取り込ま
れる。シリコン単結晶中に含まれる酸素はイントリンシ
ックゲッタリング等デバイス製造工程中で有利に働く場
合もあるが、多量に含まれるとシリコンウエーハに結晶
欠陥を増加させて不利になる。
らかじめ棒状に形成された多結晶シリコンを、内径数セ
ンチメートルの高周波コイル内に上方から通し、これを
局所的に加熱溶解させて、下方に単結晶を成長させる方
法である。
直接接しないため、結晶中に取り込まれる酸素を極めて
少なくすることが可能である。
結晶成長装置ではシリコン単結晶中の酸素濃度を十分に
低減することができなかった。特に、大口径の結晶を製
造する場合には、石英坩堝が大型化するので加熱温度を
上げざるを得ず、従って、坩堝の変形及び坩堝壁からの
二酸化珪素の溶出が増大して、結晶中に多量の酸素が取
り込まれシリコン単結晶の品質に重大な影響を与えてい
た。
て坩堝の変形を防止したり、シリコン融液に磁場を印加
して融液対流を制御し、坩堝壁とシリコン融液との摩擦
を減少して坩堝壁からの二酸化珪素の溶出を防止する等
の対策が試みられているが、製造コストの大幅な増大を
招き、その割には十分な効果が得られなかった。
酸素濃度を低く抑えることが可能である。しかし、FZ
型結晶成長装置は、成長させるシリコン単結晶の径に制
限があり、大口径のシリコン単結晶を製造することはで
きなかった。
濃度を低減することができ、大口径化も可能なシリコン
結晶、及びその製造装置、製造方法を提供することを目
的としている。
体のシリコン原料と成長させるシリコン結晶の間にゲル
マニウム融液層を介在させてシリコン結晶を製造する。
また、さらにゲルマニウム融液層とシリコン結晶との間
にシリコン融液層を形成してシリコン結晶を製造する。
度をシリコンの融点より低温で融液状態を維持させ、こ
の融液からシリコン結晶を製造することができる。すな
わち、シリコンの融点1413℃を下回る1000〜1
400℃の温度範囲の加熱で固体のシリコンを溶融し、
シリコン結晶を製造することができる。このため、融液
を保持する石英部材の溶出量を減少させて、シリコン結
晶中に取り込まれる酸素濃度を低減することが可能とな
る。さらに、融液を支持する部材へのダメージを低減す
ることができる。
も前記ゲルマニウム融液層の温度を1000℃〜140
0℃に加熱する。
ニウム融液層の上下間に、温度勾配を与えるように加熱
を行う。
ルマニウム融液層の厚さを5mm〜100mmとする。
結晶を用いてシリコン融液層からシリコン単結晶を引き
上げることができる。
液を、ゲルマニウム融液層を通過させてシリコン(1
8)を再結晶化させ、酸素濃度を低減している。本発明
によって製造されるシリコン単結晶及びシリコン多結晶
の酸素濃度は、1×1016atoms/cm3 以上1×
1018atoms/cm3 未満とすることができる。同
様にシリコン結晶は、ゲルマニウム含有量を0.5〜1
atoms%とすることができる。
装置は、固体のシリコン原料の上部にゲルマニウム融液
層を保持する保持手段と、保持手段の外側に加熱用のヒ
ータとを有し、ゲルマニウム融液層を通してシリコンを
再び結晶化させ、シリコン結晶を成長させる構成であ
る。
能に構成すると都合が良い。
勾配を与えるように加熱を行う構成にすることができ
る。
底部から固体のシリコン原料を連続的に供給することが
できる。
を保持するように構成できる。
ることができる。この引き上げ手段の端部にシリコン単
結晶からなる種結晶を設け、これをシリコン融液層に接
触させて連続的にシリコン融液を再結晶させることによ
りシリコン単結晶を製造することができる。
っとも重要な技術的事項は、固体のシリコン原料にゲル
マニウム融液を接触させることである。ゲルマニウムの
融点は936℃である。
(文献によって異なる。一般に1410℃〜1414℃
と記載されている)である。
認された。すなわち、ゲルマニウムの融液に固体のシリ
コンが接触すると、その接触界面では温度がシリコンの
融点以下であっても固体のシリコンが融解しゲルマニウ
ム融液中に取り込まれる。例えば、ゲルマニウム融液の
下に固体のシリコンが存在するような場合では、融解し
たシリコンは、そのゲルマニウム融液との密度差ゆえ
に、ゲルマニウム融液表面に浮上する。
マニウムと固体のシリコンとの接触界面の温度が100
0℃以上1413℃未満の時に上記現象が生じる。
であると固体のシリコンがゲルマニウム中に融解しな
い。1000℃を越えるとシリコンの溶解が開始される
が、溶解初期は後述するようにシリコンがゲルマニウム
に溶解するため、ゲルマニウム融液上に浮上するには到
らない。実際上、有用な温度範囲は1150℃以上13
50℃未満である。この温度範囲においては固体のシリ
コン原料は十分な速度でゲルマニウム融液中に溶けだ
し、速やかに上記飽和状態に達した後、ゲルマニウム融
液層上部にシリコン融液層を形成する。1350℃以上
ではシリコンの融点に近く、本発明による、シリコンの
融点以下でシリコン融液層を形成することの種々の効果
が減少する。
状態のものでも良く、アモルファスでもかまわない。
ンの融点未満であるにもかかわらず融液状態を保つ。こ
の融液状態を保つことのできるシリコン融液層の厚さ
は、周囲の熱環境により変動するが、ゲルマニウム融液
およびその近傍の温度が1200℃で均熱状態に保たれ
ているときには、数mmのオーダーである。この状態で
次々とゲルマニウム融液を通ってシリコン融液が浮上し
てくると、ゲルマニウム融液の上に存在するシリコンの
量が増加し、融液層が厚くなる結果、ゲルマニウム融液
から遠い部分では再結晶が始まる。
マニウム融液を接触させ続けると、ゲルマニウム融液層
の上に再結晶したシリコン結晶が連続的に形成されてい
くことになる。
することにより、大きさが300μm〜15mmのデン
ドライト型結晶粒によって形成された多結晶シリコンを
製造することができる。
を用いてシリコン融液層からシリコン単結晶を引上げる
こともできる。
基本的には全率固溶であるが1200℃で40atom
s%程度である。つまり、1200℃におけるゲルマニ
ウム融液の組成は、Ge:Si=60:40(原子数
比)となる。この組成に達するまでは固体のシリコン原
料からのシリコンはゲルマニウム融液に溶け込んでしま
い、ゲルマニウム融液の上部まで浮上してシリコン融液
層を形成するには到らない。この組成に達した後は、過
剰のシリコンはゲルマニウム融液の上部に浮上してシリ
コン融液層を形成する。
ムが含有されるが、シリコン中へのゲルマニウムとの固
溶度が極めて小さく、再結晶したシリコン結晶中に取り
込まれるゲルマニウムの量は、0.5〜1atoms%
程度となる。
mとすることができる。また、より好ましい厚さは5〜
30mmである。
張力が大きいために液滴状に凝集してしまい、「層」を
形成する事ができないおそれがある。
ム融液内の対流が大きくなり安定なシリコン融液層を形
成することが困難になるおそれがある。
状態を観察することは困難であるが、本発明者らによる
推測では、ゲルマニウム融液に溶解したシリコンが完全
に溶解し、密度差により浮上する間に、互いに集合し、
集合体を形成するものと考えられる。通過するゲルマニ
ウム融液層の厚さが大きいほど集合体の大きさは大きく
なると考えられる。この状況をたとえるならば、水の入
った水槽の底から細かい油の粒子を供給したときの状況
に類似したものではないかと考えられる。
したときにはシリコン融液層と合体する。
集合体がシリコン融液層と合体するときの影響を少なく
するためにゲルマニウム融液層を薄くして集合体が形成
されないように、あるいは集合体が大きくならないよう
にすることが好ましい。
マニウム融液層〜シリコン融液層〜再結晶したシリコン
多結晶、の温度勾配が、成長する多結晶体中のデンドラ
イト型シリコン結晶粒の大きさを決定する。温度勾配が
緩やかな場合には結晶粒の大きさは大きくなる。また、
ゲルマニウム融液の温度が高い場合には、浮上してくる
シリコンの量が増え、融液層が厚くなり、遠い部分は強
制的に結晶化していく(融液全体が融点以下であるた
め)ため結晶化速度が上がり結晶粒は小さくなりがちで
ある。このようにゲルマニウム融液温度および温度勾配
を制御することにより結晶粒の大きさを制御できる。
000℃以上として固体のシリコン原料と接触させ、ゲ
ルマニウム融液層表面部は1000℃以下となるような
温度勾配を与えると、底部で溶け込んだシリコンがゲル
マニウム融液層を浮上する途中で固体化しゲルマニウム
融液層表面部に固体のデンドライト型シリコン結晶粒子
として浮上する。この場合、ゲルマニウム融液層厚さお
よび温度勾配を制御することにより、大きさが300μ
m〜15mm程度のシリコン結晶を得ることができる。
この際、ゲルマニウム融液層内に対流が生じると所望の
温度勾配を与えることが困難となるので磁界を加えて対
流を押さえるなどの制御が必要となる。
融点以下の低温でシリコン融液を形成し、シリコンを再
結晶させることができる。したがって、ゲルマニウムお
よびシリコン融液の保持部材として石英ガラス製のもの
を使用したとしても、温度が低いために坩堝の粘性が高
く維持されるため、融液中に溶け込む二酸化珪素が少な
く、結果としてシリコン結晶中の酸素濃度を低くするこ
とができる。通常のCZ法の1/100〜1/1000
程度に低減することができる。つまり、酸素濃度が1×
1016atoms/cm3 以上1×1018atoms/
cm3 未満としたシリコン結晶を製造することができ
る。
toms%としたシリコン結晶を製造できる。このよう
なゲルマニウムを含有したシリコン結晶を基盤としてデ
バイスを構成すれば、従来のものと比較して電子及びホ
ールの移動度を大幅に増加させることが可能となる。
びその上下の領域のみを加熱するのみでかまわない。す
なわち、固体のシリコン原料は、ゲルマニウム融液層と
の隣接部分のみを加熱するだけでもかまわない。
例を示す断面図である。
ンバ11を備え、その上部には単結晶引上げ手段12が
配置されている。単結晶引上げ手段12は、種結晶を先
端につけたワイヤ13によってシリコン単結晶を回転さ
せつつ引上げる(矢印bとc参照)構成になっている。
結晶シリコン18とゲルマニウム融液19を保持するた
めの保持手段10が配置されている。保持手段10は、
管状の高純度石英ガラス部材14と、外套管となる高純
度カーボン製保持部材15と、底壁となる底部材16か
ら構成される。底部材16は一体的に固定された軸によ
って支持され、上下動可能に構成する事ができる。
14との間の間隙にはカーボンフェルト等を介在させる
ことができる。ゲルマニウムはカーボンに全く濡れない
のでゲルマニウム融液がカーボンフェルト中に浸潤して
こない。こうすると原料のシリコン18を底部材16で
上方に押し上げることが可能となる。シリコン原料を連
続的に供給する場合には上記のような構成にすることが
好ましい。
ボン部材15の肉厚は、従来のCZ法で用いられている
石英ガラス坩堝およびカーボン製保持部材(カーボン坩
堝)の肉厚に比べて薄くすることができる。これは、本
発明の実施時における加熱温度を従来のCZ法で実施さ
れていたシリコンの融点の1413℃以上の温度ではな
く、ゲルマニウムの融点に近い約1000〜1400
℃、好ましくは1150℃〜1350℃に設定できるか
らである。
段10の外周に配置され、軸方向の比較的狭い範囲を加
熱するようになっている。高周波コイル17は、矢印a
で示すように上下に移動可能である。
ニウム融液の位置が変動する場合には、高周波コイル1
7は、図示例のようにゲルマニウム融液層19を中心に
して、その下側の原料多結晶シリコン18上層部と、そ
の上側のシリコン融液21を加熱するように移動させ
る。
を上方に押し上げてゲルマニウム融液層の位置を一定に
保つ場合には高周波コイル17を移動しなくとも良い。
うに加熱を行う構造にすることができる。幾つかのヒー
トゾーンに別れた構造にしても良い。
原料となる多結晶シリコン18の円柱を支持手段10に
入れ、その上にゲルマニウムを配置する。チャンバ内は
減圧の不活性ガス雰囲気に保っておく。
てカーボン部材15を発熱させ、ゲルマニウム及びその
近辺を1000〜1350℃程度に加熱し、ゲルマニウ
ムを溶融させてゲルマニウム融液層19とする。
8は、シリコンの融点以下の温度であるにも拘らずゲル
マニウム融液層19に溶け込み、ゲルマニウムとの密度
差によってゲルマニウム融液層19の上部に浮上してシ
リコン層21を形成する。
段12によって、通常のCZ法と同様にして単結晶シリ
コン20を引き上げる。
て小さく、成長させたシリコン結晶中に取り込まれるゲ
ルマニウムの量は、0.5〜1atoms%程度とな
る。
に形成されるシリコン層は、通常の融点より低い温度で
維持される。しかも、ゲルマニウム融液層18とその周
辺のみの狭い範囲を加熱するだけなので、従来のCZ炉
と比較して消費電力を大幅に低減することができる。温
度が低いため、融液と接する石英ガラス製部材15への
ダメージも小さくなる。融液中に溶出する二酸化珪素の
量も著しく低下するため、シリコン単結晶に取り込まれ
る酸素量も大幅に低滅できる。
晶引上げ試験を行った。
m長さが400mmの石英ガラス管を用い、外套管とし
て高純度カーボン部材を用いた。この石英ガラス管内に
直径が200mm、高さ300mmの円柱状の原料多結
晶シリコン(約22Kg)を入れて、その上にゲルマニ
ウム1Kgを配置し、原料上部およびゲルマニウムを加
熱した。引き続き1200℃に加熱するとゲルマニウム
は完全に溶融しており、約6mmの厚さでシリコン原料
の上部に層を形成し、その上部にシリコン融液層が形成
されていることが確認された。このシリコン融液層に種
結晶を接触させ直径約70mmのシリコン単結晶を引上
げた。その際、シリコン溶融開始炉内温度、結晶成長融
液保持表面温度、及び得られたシリコン単結晶中の酸素
量を測定した。その結果を表1の実施例(シリコン+ゲ
ルマニウム)の欄に示す。
の保持部材に入れ、その底部を石英ガラス製の蓋で密閉
して、1500℃に全体を加熱してシリコンを完全に融
解してから通常のCZ法と同様にしてシリコン単結晶の
引上げを行った。その結果を表1の従来例(シリコンの
み)の欄に示す。
マニウム)では、従来のCZ法による溶融温度より約2
00℃程度も低い温度でシリコン単結晶を製造すること
が可能であった。また、シリコン単結晶中に取り込まれ
た酸素量も従来のCZ法の1/100〜1/1000に
低減できた。
例を説明する。
ンバ31を備えている。水冷式チャンバ31内には、塊
状の原料多結晶シリコン18とゲルマニウム融液19を
保持するための保持手段30が配置されている。保持手
段30は、管状の高純度石英ガラス部材34と、外套管
となる高純度カーボン製保持部材35と、底壁となる底
部材36から構成される。底部材36は一体的に固定さ
れた軸によって支持され、上下動可能に構成する事がで
きる。
ボン部材35の肉厚は、従来のCZ法で用いられている
石英ガラス坩堝およびカーボン製保持部材(カーボン坩
堝)の肉厚に比べて薄くすることができる。これは、本
発明の実施時における加熱温度を従来のCZ法で実施さ
れていたシリコンの融点の1413℃以上の温度ではな
く、ゲルマニウムの融点に近い約1000〜1400
℃、好ましくは1150℃〜1350℃に設定できるか
らである。
段30の外周に配置され、軸方向の比較的狭い範囲を加
熱するようになっている。高周波コイル37は、矢印a
で示すように上下に移動可能である。
ム融液の位置が変動する場合には、高周波コイル37
は、図示例のようにゲルマニウム融液層19を中心にし
て、その下側の原料多結晶シリコン18上層部と、その
上側のシリコン融液21を加熱するように移動させる。
を上方に押し上げてゲルマニウム融液層の位置を一定に
保つ場合には高周波コイル37を移動しなくとも良い。
うに加熱を行う構造にすることができる。幾つかのヒー
トゾーンに別れた構造にしても良い。
原料となる多結晶シリコン18の円柱を支持手段10に
入れ、その上にゲルマニウムを配置する。チャンバ内は
減圧の不活性ガス雰囲気に保っておく。
てカーボン部材15を発熱させ、ゲルマニウム及びその
近辺を1000〜1350℃程度に加熱し、ゲルマニウ
ムを溶融させてゲルマニウム融液層19とする。
8は、シリコンの融点以下の温度であるにも拘らずゲル
マニウム融液層19に溶け込み、ゲルマニウムとの密度
差によってゲルマニウム融液層19の上部に浮上してシ
リコン層21を形成する。
ゲルマニウム融液層から離れるに従って再結晶化が生じ
多結晶シリコン20が製造される。
て小さく、成長させたシリコン結晶中に取り込まれるゲ
ルマニウムの量は、0.5〜1atoms%程度とな
る。
に形成されるシリコン層は、通常の融点より低い温度で
維持される。しかも、ゲルマニウム融液層18とその周
辺のみの狭い範囲を加熱するだけなので、従来のCZ炉
と比較して消費電力を大幅に低減することができる。温
度が低いため、融液と接する石英ガラス製部材15への
ダメージも小さくなる。融液中に溶出する二酸化珪素の
量も著しく低下するため、シリコン結晶に取り込まれる
酸素量も大幅に低滅できる。
上げ試験を行った。
m長さが600mmの石英ガラス管を用い、外套管とし
て高純度カーボン部材を用いた。この石英ガラス管内に
直径が200mm、高さ450mmの円柱状の原料多結
晶シリコン(約33Kg)を入れて、その上にゲルマニ
ウム2Kgを配置し、原料上部およびゲルマニウムを加
熱した。1200℃に加熱するとゲルマニウムは完全に
溶融し約12mmの厚さでシリコン原料の上部に層を形
成し、その上部にシリコン融液層が形成されていること
が確認された。
々にゲルマニウム上部のシリコン融液層の厚さが増加
し、やがてシリコン融液層の表層部より再結晶が始ま
り、シリコン多結晶体が形成された。この多結晶体は一
般的なデンドライト型結晶構造を有していた。
加するにつれてゲルマニウム層の位置が下方に移動する
ので、ゲルマニウム層を中心とするように高周波コイル
37を移動して製造を行った。
晶体近傍の温度を測定したところ、シリコン結晶が50
〜200℃/hourの速度で徐冷される環境である
と、多結晶シリコン22を構成する一つのデンドライト
型結晶単位の大きさは3〜5mmとなる。再結晶する多
結晶シリコン22の外側は保持手段30で支持され、円
柱型に成長する。
結晶シリコンは、太陽電池等の用途に有用である。
ている。
定され、アルゴン雰囲気に保たれる。
コンシートを製造するように、支持手段41が矩形の浅
い箱型になっている。
が示されており、(A)は加熱前の状態、(B)は加熱
後の状態である。図4(B)の矢印dに示す温度勾配
(下方が高温で上方が低温)を与えるように、図示しな
いヒータで加熱し、ゲルマニウム融液19の上面に多結
晶シリコンシート23を成長させる。温度勾配は、例え
ば0.2〜1.00℃/mm程度とする。
ン多結晶を得ることができ、太陽電池などの用途に用い
る際には板状体にスライスする工程を省くことができ
る。
CZ式引上げ装置5をそのまま用いることができる。引
き上げ装置の上部には引き上げ手段52が設けられてお
り引上用のワイヤを矢印c方向に引上げてシリコン単結
晶を引上げる。チャンバ51内のカーボン製の坩堝55
内に保持された石英ガラス坩堝54の中にシリコン原料
およびゲルマニウムを入れ、ヒータ57によって加熱し
てシリコンおよびゲルマニウムを溶融する。石英ガラス
坩堝54の底にゲルマニウム融液19を形成させ、その
上にシリコン融液18を配置して、そこからシリコン単
結晶20を引上げる。当該方法においても、ゲルマニウ
ム融液19とシリコン融液18の密度差を利用してい
る。
り、ゲルマニウム融液層から遠いシリコンは融点以下の
温度では結晶化してしまうためにシリコン融液の全体の
温度は従来と同様に融点以上の温度に加熱する必要があ
る。しかしながら坩堝底部の石英がシリコン融液内に溶
出することを防止でき、低酸素濃度のシリコン単結晶2
0を引上げることができる。
ば、固体のシリコン原料とシリコン融液の間にゲルマニ
ウム融液を介在させるため、シリコンの融点より大幅に
低い温度にてシリコン結晶を育成することが可能であ
る。
温度を低温化できるため、シリコン融液と接する支持部
材(坩堝等)から融液中、ひいてはシリコン結晶中に取
り込まれる酸素を大幅に低減することができ、また、支
持部材の耐用寿命を著しく向上できる。さらにシリコン
結晶の製造に有するエネルギーを大幅に低減できる。
い。例えば、支持手段の形状を変更すれば、その形状に
応じた多結晶シリコンを成長させることができる。ま
た、高周波加熱以外のヒータ、例えばカーボン製の抵抗
加熱ヒータなども使用できる。
図。
Claims (15)
- 【請求項1】 固体のシリコン原料(18)と結晶成長
させるシリコン結晶(20、22、23)の間にゲルマ
ニウム融液層(19)を介在させるシリコン結晶の製造
方法。 - 【請求項2】 前記ゲルマニウム融液層と前記シリコン
結晶との間にシリコン融液層を形成する請求項1に記載
のシリコン結晶の製造方法。 - 【請求項3】 前記シリコン融液層の温度がシリコンの
融点より低温であることを特徴とする請求項2に記載の
シリコン結晶の製造方法。 - 【請求項4】 少なくともゲルマニウム融液層の温度を
1000℃〜1400℃に加熱する請求項1〜3のいず
れか1項に記載のシリコン結晶の製造方法。 - 【請求項5】 ゲルマニウム融液層(19)の厚さを5
〜100mmとする請求項4に記載のシリコン結晶の製
造方法。 - 【請求項6】 ゲルマニウム融液層(19)の上下間に
温度勾配が生じるように加熱を行う請求項4に記載のシ
リコン結晶の製造方法。 - 【請求項7】 種結晶を用いてシリコン単結晶(20)
をシリコン融液層から引き上げる請求項4に記載のシリ
コン結晶の製造方法。 - 【請求項8】 請求項1に記載の製造方法によって製造
された、酸素濃度が1×1016atoms/cm3 以上
1×1018atoms/cm3 未満としたシリコン結
晶。 - 【請求項9】 ゲルマニウム混入量を0.5〜1ato
ms%とした請求項8に記載のシリコン結晶。 - 【請求項10】 固体のシリコン原料(18)の上にゲ
ルマニウム融液層(19)が位置するように両者を保持
する保持手段(10、30、41)と、保持手段(1
0、30、41)の外側に加熱用のヒータ(17、3
7)とを有し、ゲルマニウム融液層を通して原料多結晶
シリコンを再び結晶化させ、シリコン結晶を成長させる
構成にしたシリコン結晶の製造装置。 - 【請求項11】 ヒータ(17、37)が保持手段(1
0、30、41)の外側に沿って移動可能になっている
請求項10に記載のシリコン結晶の製造装置。 - 【請求項12】 ヒー夕(17、37)が保持手段(1
0、30、41)の軸方向に温度勾配を与えるように加
熱する構成になっている請求項10に記載のシリコン結
晶の製造装置。 - 【請求項13】 保持手段(10、30、41)が管状
に形成され、固体のシリコン原料(18)を連続的に供
給できる構成になっている請求項10に記載のシリコン
結晶の製造装置。 - 【請求項14】 保持手段(10、30、41)が、再
結晶させたシリコン多結晶(22、23)を保持する構
成になっている請求項10に記載のシリコン結晶の製造
装置。 - 【請求項15】 保持手段(10、30、41)の上方
に引上げ手段(12)を設け、シリコン単結晶を引き上
げる構成にした請求項10に記載のシリコン結晶の製造
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16776998A JPH1149598A (ja) | 1997-06-06 | 1998-06-02 | シリコン結晶、その製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-163562 | 1997-06-06 | ||
JP16356297 | 1997-06-06 | ||
JP16776998A JPH1149598A (ja) | 1997-06-06 | 1998-06-02 | シリコン結晶、その製造装置及び製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1149598A true JPH1149598A (ja) | 1999-02-23 |
Family
ID=26488959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16776998A Pending JPH1149598A (ja) | 1997-06-06 | 1998-06-02 | シリコン結晶、その製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1149598A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007142370A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-06-07 | Sumco Solar Corp | 太陽電池用シリコン単結晶基板および太陽電池素子、並びにその製造方法 |
JP2007137756A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-06-07 | Sumco Solar Corp | 太陽電池用シリコン単結晶基板および太陽電池素子、並びにその製造方法 |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP16776998A patent/JPH1149598A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007142370A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-06-07 | Sumco Solar Corp | 太陽電池用シリコン単結晶基板および太陽電池素子、並びにその製造方法 |
JP2007137756A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-06-07 | Sumco Solar Corp | 太陽電池用シリコン単結晶基板および太陽電池素子、並びにその製造方法 |
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