JPH1149594A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPH1149594A JPH1149594A JP20363997A JP20363997A JPH1149594A JP H1149594 A JPH1149594 A JP H1149594A JP 20363997 A JP20363997 A JP 20363997A JP 20363997 A JP20363997 A JP 20363997A JP H1149594 A JPH1149594 A JP H1149594A
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Abstract
部への液だれ、および下方への落下を有効に防止する。 【解決手段】 カーボンサセプタ21の外周面に、周方
向に沿って溝22a,22b,22c,22dを形成し
た。これにより、カーボンサセプタ21の外周面に付着
した液滴状Siは、該外周面を伝って下方に流れる間に
溝22a,22b,22c,22dに回収される。よっ
て、液滴状Siがカーボンサセプタ21の底部に液だれ
したり、落下することがなくなる。
Description
留された半導体融液から半導体単結晶を引き上げる単結
晶引上装置に係わり、特に、半導体融液を貯留する石英
ルツボを収容して支持するカーボンサセプタに関する。
(GaAs)等の半導体単結晶を製造する方法の一つと
して、チョクラルスキー法(以下、CZ法と称する)が
知られている。
無転位あるいは格子欠陥の極めて少ない状態で容易に得
ることができる等の特徴を有することから、様々な半導
体単結晶の製造に用いられている方法である。
結晶引上装置の一例を示している。この単結晶引上装置
1は、中空の気密容器であるチャンバー2内に石英ルツ
ボ3、ヒーター4がそれぞれ配置されるとともに、前記
チャンバ2の外部にマグネット5が配置されている。
防止するため、シャフト6によってその軸線回りに回転
可能に支持されるカーボンサセプタ7内に収容されてい
る。また、このカーボンサセプタ7は、冷却時等におけ
る割れを防止するため、周方向に分割されて石英ルツボ
3の外周に組み付けられている。
体融液8に上方から回転可能に吊り下ろされた種結晶9
を浸漬してこれを引き上げることにより半導体単結晶1
0を成長させるようになっている。
晶の引き上げ操作中、半導体融液8の蒸発によるSi蒸
気や石英ルツボ3から発生するSiOガスによって、カ
ーボンサセプタ7の外周面7aは、液滴状のSiが付着
しやすい状況になっている。
滴状Siは、外周面7aを伝って底部7bに流れ、カー
ボンサセプタ7を支持する台座11との嵌合部に固着す
る場合がある。かかる場合、嵌合部でのカーボンサセプ
タ7と台座11との装着性が悪化するという問題があ
る。
特開平9−77589に開示されるように、カーボンサ
セプタ7の底部7bに突起を形成し、これにより、液滴
状Siの嵌合部への侵入を防止する構成のものがある
が、かかる構成では、依然として次の問題が解消されて
いなかった。
て、カーボンサセプタ7の下方に設置された部材、例え
ば、前記ヒーター4がネジ等により固定される支持台
(図示略)に落下した場合に、該ネジに固着して、点検
時にヒーター4を該支持台から取り外すことが困難にな
っていた。
で、カーボンサセプタに付着した液滴状Siの底部への
液だれ、および下方への落下を有効に防止することので
きる単結晶引上装置を提供することを目的とする。
る目的を達成するため、本発明の単結晶引上装置は、以
下の手段を採用した。請求項1記載の単結晶引上装置
は、チャンバ内に、半導体融液を貯留するための石英ル
ツボと、該石英ルツボを収容して支持するための周方向
に分割されたカーボンサセプタとが設けられる単結晶引
上装置において、前記カーボンサセプタの外周面に、周
方向に沿って溝が形成されていることを特徴とするもの
である。
タの外周面に付着した液滴状Siは、該外周面を伝って
下方に流れる間に溝に回収され、カーボンサセプタの底
部に液だれしたり、落下することがなくなる。
1記載の単結晶引上装置において、前記溝が、前記カー
ボンサセプタの軸線方向下方に向かうに従い次第に該カ
ーボンサセプタの外周面から半径内方向への切欠量が増
大するように形成されていることを特徴とするものであ
る。
タの外周面を伝って下方移動する液滴状Siが溝の内部
に確実に案内され、下方移動に伴い点在していた液滴状
Siと一体化しながら増大した液滴状Siが、その増大し
た重量によって、溝に回収されずに通過してしまうこと
がない。
1または請求項2のいずれかに記載の単結晶引上装置に
おいて、前記溝が、前記カーボンサセプタの分割部近傍
で不連続となるように断続的に形成されていることを特
徴とするものである。
液滴状Siが、カーボンサセプタの分割部で固着するこ
とがなくなり、カーボンサセプタの分割片同士のかみ合
わせが阻害されることがない。
て、図1から図5を参照しながら説明する。ここで説明
する単結晶引上装置は、図6に示す装置とカーボンサセ
プタの構成のみが異なるものであり、他の構成は同一で
ある。
ついてのみ説明し、その他の構成要素については説明を
省略する。図1から図3は、本発明の第一の実施形態を
示す図であり、符号21はカーボンサセプタ、22a,
22b,22c,22dは溝である。
に、周方向に三分割された分割片21a,21b,21
cから構成されており、これらが組み立てられて容器が
構成され、その内部に石英ルツボ(図示略)を収容する
ようになっている。
Aには、図2に示すように、周方向に沿って溝22a,
22b,22c,22dが、カーボンサセプタ21の軸
線方向に所定の相互間隔をおいて全周にわたって形成さ
れている。
3の拡大図に示すように、前記カーボンサセプタ21の
軸線に沿って下部側に向かうに従い次第にカーボンサセ
プタ21の外周面21Aから半径内方向への切欠量が増
大するように、縦断面台形状に形成されている。
22dの内面には、それぞれ、傾斜部22a1,22b
1,22c1,22d1が形成されている。また、溝22
a,22b,22c,22dは、この順にカーボンサセ
プタ21の外周面21Aからの切欠量が大きくなるよう
に形成されている。
では、液滴状Siがカーボンサセプタ21の外周面21
Aに付着した場合であっても、該外周面21Aを伝って
下方に流れる間に溝22a,22b,22c,22dに
回収され、当該液滴状Siが、カーボンサセプタ21の
底部に液だれしたり、下方に落下するといったことを防
ぐことができる。
b1,22c1,22d1に沿って溝22a,22b,2
2c,22dの内部に確実に案内されるようになってい
るので、下方移動に伴い点在していた液滴状Siと一体
化しながら増大した液滴状Siが、その増大した重量に
よって、溝22a,22b,22c,22dに回収され
ず、通過してしまうといったことも防ぐことができる。
21を下方から支持する台座(図示略)との嵌合部に液
だれして台座との装着性を損ねたり、当該液滴状Siが
下方に落下して、ヒーター(図示略)をその下方で支持
する支持部(図示略)に固定しているネジ等の締結部材
の着脱性を損ねて点検時における作業性を悪くするとい
った不具合を回避することができる。
図4を参照しながら説明する。ここで説明する単結晶引
上装置は、前述した第一の実施形態とカーボンサセプタ
の溝の構成のみが異なるものであり、他の構成は同一で
ある。
成についてのみ説明し、その他の構成要素については、
図1〜図3と同一の符号を付すとともに、その説明を省
略する。
1、すなわち、分割片21a,21bのかみ合わせ部分
を外周面21A側から見た拡大図であり、符号32は溝
を示している。
おける溝22a,22b,22c,22dのように、カ
ーボンサセプタ31の外周面21A全周にわたって形成
されているのとは異なり、分割部31の近傍で不連続と
なるように断続的に形成されている点を特徴としてい
る。
ンサセプタ21の外周面21Aを伝って溝32に回収さ
れた液滴状Siが、カーボンサセプタ21の分割部31
で固着することがなり、カーボンサセプタ21の分割片
21a,21b,21c同士のかみ合わせが阻害される
ことがなくなって、組立性および組立精度の向上を図る
ことができる。
b,22c,22dとして、カーボンサセプタ21の軸
線方向下方に向かうに従い次第に外周面21Aから半径
内方向への切欠量が増大するについて説明したが、図5
に示すように、該切欠量が前記軸線に沿って一定とされ
る溝41であっても構わない。
c,22dと比べて各溝41における液滴状Siの回収
量を増やすことができるので、カーボンサセプタ21の
底部への液だれや下方への落下をより効果的に防止する
ことができる。
によれば、次のような効果を奏することができる。 (a)請求項1記載の単結晶引上装置によれば、カーボ
ンサセプタの外周面に周方向に沿って溝を形成したこと
により、カーボンサセプタの外周面に付着して下方に流
れる液滴状Siを該溝に回収することができる。
底部に液だれしたり、落下することがなくなり、カーボ
ンサセプタとこれを支持する台座との装着性を損ねた
り、ヒーターをその支持部に固定しているネジ等の締結
部材の着脱性を損ねて点検時における作業性を悪くする
といった不具合を回避することができる。
れば、溝をカーボンサセプタの軸線方向下方に向かうに
従い次第に該カーボンサセプタの外周面から半径内方向
への切欠量が増大するように形成したことにより、カー
ボンサセプタの外周面を伝って下方に移動する液滴状S
iを溝の内部に確実に案内することができ、下方移動に
伴い点在していた液滴状Siと一体化しながら増大した
液滴状Siが、その増大した重量によって溝に回収され
ずに通過して、カーボンサセプタの底部に液だれした
り、落下するといったことを防止することができる。
れば、溝をカーボンサセプタの分割部近傍で不連続とな
るように断続的に形成したことにより、溝に回収された
液滴状Siが、カーボンサセプタの分割部で固着するこ
とがなくなり、カーボンサセプタの分割片同士のかみ合
わせを阻害せず、組立性および組立精度の向上を図るこ
とができる。
セプタの平面図である。
セプタの要部を拡大した要部拡大図である。
プタの要部の断面を拡大した要部拡大断面図である。
ある。
Claims (3)
- 【請求項1】 チャンバ内に、半導体融液を貯留するた
めの石英ルツボと、該石英ルツボを収容して支持するた
めの周方向に分割されたカーボンサセプタとが設けられ
る単結晶引上装置において、 前記カーボンサセプタの外周面に、周方向に沿って溝が
形成されていることを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項2】 前記溝は、前記カーボンサセプタの軸線
方向下方に向かうに従い次第に該カーボンサセプタの外
周面から半径内方向への切欠量が増大するように形成さ
れていることを請求項1記載の単結晶引上装置。 - 【請求項3】 前記溝は、前記カーボンサセプタの分割
部近傍で不連続となるように断続的に形成されているこ
とを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記
載の単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20363997A JP3666194B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20363997A JP3666194B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1149594A true JPH1149594A (ja) | 1999-02-23 |
JP3666194B2 JP3666194B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=16477387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20363997A Expired - Fee Related JP3666194B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3666194B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009249218A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sumco Corp | 単結晶引き上げ用黒鉛ルツボ |
-
1997
- 1997-07-29 JP JP20363997A patent/JP3666194B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009249218A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Sumco Corp | 単結晶引き上げ用黒鉛ルツボ |
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