JPH1145972A - 複合リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

複合リードフレーム及びそれを用いた半導体装置

Info

Publication number
JPH1145972A
JPH1145972A JP9201662A JP20166297A JPH1145972A JP H1145972 A JPH1145972 A JP H1145972A JP 9201662 A JP9201662 A JP 9201662A JP 20166297 A JP20166297 A JP 20166297A JP H1145972 A JPH1145972 A JP H1145972A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
island
composite
wire bonding
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9201662A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekatsu Sekine
秀克 関根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP9201662A priority Critical patent/JPH1145972A/ja
Publication of JPH1145972A publication Critical patent/JPH1145972A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48639—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤボンディング接続不良を起こさない、
信頼性の高い複合リードフレーム及び半導体装置を提供
することにある。 【解決手段】 アイランド３上に、ポリイミドフィルム
の両面にエポキシ系の熱可塑性接着剤が形成された接着
フィルムを内径２０ｍｍ角、外径２４ｍｍ角のロの字型
に打ち抜いた接着フイルム２をセットし、加熱加圧して
仮接着する。 次いで、リードフレーム１と接着フィル
ム２が固定されたアイランド３とを貼り合わせ、熱圧着
することで本発明の複合リードフレーム１０を作製す
る。さらに、複合リードフレーム１０のアイランド３上
に半導体チップ４を銀ペーストで固定し、半導体チップ
４のバンプ電極とＡｇめっきが施されたリードパッド部
１ａとをＡｕワイヤ５にてワイヤボンディング接続し、
モールド樹脂６にて樹脂封止し本発明の複合リードフレ
ームを用いた半導体装置２０を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ、ＶＬＳＩ等
に代表される半導体集積回路の実装に用いられるワイヤ
ボンディング接合のリードフレームに係わり、さらに詳
しくはリードフレームのワイヤボンディング強度の向上
を実現させる複合リードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の複合リードフレームは図２に示す
ように、アイランド２３上に接着フィルム２２を介して
リードフレーム２１が固定してあり、アイランド２３と
リードフレーム２１が重なるリードパッド部２１ａの下
部には接着フィルム２２が存在する複合リードフレーム
３０である。
【０００３】上記のような複合リードフレーム３０で
は、ワイヤボンディング強度を強くするために高温でワ
イヤボンディングを行うと、接着フィルム２２が軟化す
るため、ワイヤボンディング不良が起こりやすい。ま
た、ボンディングの荷重（力）や超音波（振動）が接着
フィルム２２に吸収されワイヤボンディング不良が発生
するといった問題がある。また、接着フィルム２２の軟
化を抑えるために、ワイヤボンディング温度を下げて、
ボンディング荷重及び超音波出力を高めてワイヤボンデ
ィングを行う試みがされているが、全体的なワイヤボン
ディング強度は、通常の単層リードフレームに比べて弱
くなり、不良の発生率も大きくなるといった問題があ
る。
【０００４】また、ワイヤボンディングを行うリードパ
ッド部２１ａの下部に高温によって軟化する接着フィル
ム２２が存在するために、リードフレーム２１が多ピン
化し、リード幅が狭くなるとリードフレーム２１の不安
定さは大きなものとなり、ワイヤボンディングが不可能
になるといった問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
ワイヤボンディング接続不良を起こさない、信頼性の高
い複合リードフレーム及び半導体装置を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために、請求項１においては、アイランド上
に接着剤もしくは接着フィルムを介してリードフレーム
が固定された複合リードフレームにおいて、前記接着剤
もしくは接着フィルムがワイヤボンディングされるリー
ドパッド部を回避するように配設されて、リードフレー
ムとアイランドが固定されていることを特徴とする複合
リードフレームとしたものである。
【０００７】また、請求項２においては、請求項１記載
の複合リードフレームに半導体チップを搭載し、半導体
チップのバンプ電極とリードフレームをワイヤボンディ
ングにて接続し、樹脂封止して形成した半導体装置とし
たものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１（ａ）に、本発明の複合リードフレーム１
０の平面図を、図１（ｂ）に、複合リードフレーム１０
の平面図をＡ−Ａ’線で切断した断面図を、図１（ｃ）
に、本発明の複合リードフレームを用いて形成した半導
体装置２０の断面図を示す。
【０００９】まず、２４ｍｍ角の金属板からなるアイラ
ンド３上に、ポリイミドフィルムの両面にエポキシ系の
熱可塑性接着剤が形成された接着フィルムを内径２０ｍ
ｍ角、外径２４ｍｍ角のロの字型に打ち抜いた接着フイ
ルム２をセットし、加熱加圧して仮接着する。
【００１０】ここで、アイランド３は半導体チップを搭
載して半導体装置とした場合半導体チップのヒートスプ
レッダとしての役目も果たすので放熱特性の優れた材料
例えば銅、アルミニウム等の金属板又は熱伝導性に優れ
たセラミック基板等が使用できる。
【００１１】次いで、リードパッド部１ａにＡｇめっき
が施されたリードフレーム１と接着フィルム２が仮接着
されたアイランド３を貼り合わせ、熱圧着することでア
イランド３上にリードフレーム１を固定し本発明の複合
リードフレーム１０を作製する。
【００１２】次に、複合リードフレーム１０のアイラン
ド３上に半導体チップ４を銀ペースト又は接着剤で固定
し、半導体チップ４のバンプ電極とＡｇめっきが施され
たリードパッド部１ａとをＡｕワイヤ５にてワイヤボン
ディング接続し、モールド樹脂５にて樹脂封止し本発明
の複合リードフレームを用いた半導体装置２０を作製す
る。
【００１３】本発明の複合リードフレームの場合、ワイ
ヤボンディングされるリードパッド部１ａの下部には接
着剤がないため、ワイヤボンディングの際はリードパッ
ド部１ａは金属板３に接した状態でワイヤボンディング
される。このため、単層リードフレーム同様のワイヤボ
ンディング強度が得られる。また、リードフレームが多
ピン化し、リード幅が狭くなっても、ワイヤボンディン
グ時のリードの安定性は単層リードフレームと同様なの
でワイヤボンディング強度と信頼性は確保できる。
【００１４】尚、本発明の複合リードフレームに半導体
チップを搭載しワイヤボンディングを行って半導体装置
を作製する後工程について説明を加える。複合リードフ
レームの状態では、リードパッド部１ａとアイランド３
は離れた状態であり、絶縁性が保たれている。ワイヤボ
ンディングの際は通常ウィンドクランパと呼ばれるリー
ド押さえで、リードパッド部１ａがアイランド３に接触
し、安定に固定される。いわゆるリードパッド部１ａの
下部が金属なので単層リードフレームと同様のボンディ
ング条件となる。
【００１５】また、ワイヤボンディング終了の際は通常
ウィンドクランパと呼ばれるリード押さえが解放され、
再びリードパッド部１ａとアイランド３とは離れた状態
に戻り、絶縁性が保たれる。更に、樹脂モールドの際、
リードとアイランドとの空隙にモールド樹脂が入り込
み、パッケージ化された状態ではリードとアイランドと
の絶縁性が保持された半導体装置が得られる。
【００１６】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、厚さ０．２ｍｍ、２４ｍｍ角のＣｕ合金からなる
アイランド３上に、厚さ２０μｍのポリイミドフィルム
の両面に厚さ１０μｍのエポキシ系の熱可塑性接着剤が
形成された接着フィルムを内径２０ｍｍ角、外径２４ｍ
ｍ角のロの字型に打ち抜いた接着フイルム２をセット
し、加熱・加圧して仮接着した。
【００１７】次いで、リードパッド部１ａにＡｇめっき
が施されたリードフレーム１と上記接着フイルム２が仮
接着されたアイランド３を貼り合わせ、熱圧着してアイ
ランド３上にリードフレーム１を固定し本発明の複合リ
ードフレームを作製した。
【００１８】さらに、上記本発明の複合リードフレーム
のアイランド３上に半導体チップを銀ペーストにて貼着
し、加熱硬化して固定した。半導体チップのバンプ電極
とＡｇめっきが施されたリードパッド部１ａとをＡｕワ
イヤ５にてワイヤボンディング接続し、モールド樹脂を
封止して本発明の複合リードフレームを用いた半導体装
置２０が得られた。
【００１９】
【発明の効果】上記したように、本発明に係わる複合リ
ードフレームによると、ワイヤボンディングするリード
パッド部の下部に接着剤がないため、ワイヤボンディン
グした際単層リードフレームと同様のワイヤボンディン
グ強度が得られる。また、リードフレームが多ピン化
し、リード幅が狭くなっても、ワイヤボンディング時の
リードの安定性は単層リードフレームと同様なのでワイ
ヤボンディング強度が確保できる。また、単層リードフ
レームと同条件でのワイヤボンディングが可能となる。
さらに、本発明の複合リードフレームを使って半導体装
置を形成した場合信頼性のある半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明に係わる複合リードフレーム
の構成を示す平面図である。（ｂ）は、本発明に係わる
複合リードフレームの平面図をＡ−Ａ’線で切断した断
面図である。（ｃ）は、本発明の複合リードフレームを
用いた半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】従来の複合リードフレームの構成を示す断面図
である。
【符号の説明】
１、２１……リードフレーム １ａ、２１ａ……リードパッド部 ２、２２……接着フィルム ３、２３……アイランド ４……半導体チップ ５……Ａｕワイヤ ６……モールド樹脂 １０……本発明の複合リードフレーム ２０……本発明の複合リードフレームを用いた半導体装
置 ３０……従来の複合リードフレーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】アイランド上に接着剤もしくは接着フィル
    ムを介してリードフレームが固定された複合リードフレ
    ームにおいて、前記接着剤もしくは接着フィルムがワイ
    ヤボンディングされるリードパッド部を回避するように
    配設されて、リードフレームとアイランドが固定されて
    いることを特徴とする複合リードフレーム。
  2. 【請求項２】請求項１記載の複合リードフレームに半導
    体チップを搭載し、半導体チップのバンプ電極とリード
    フレームをワイヤボンディングにて接続し、樹脂封止し
    て形成した半導体装置。
JP9201662A 1997-07-28 1997-07-28 複合リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 Pending JPH1145972A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9201662A JPH1145972A (ja) 1997-07-28 1997-07-28 複合リードフレーム及びそれを用いた半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9201662A JPH1145972A (ja) 1997-07-28 1997-07-28 複合リードフレーム及びそれを用いた半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1145972A true JPH1145972A (ja) 1999-02-16

Family

ID=16444828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9201662A Pending JPH1145972A (ja) 1997-07-28 1997-07-28 複合リードフレーム及びそれを用いた半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1145972A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05129511A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム
JPH0653390A (ja) * 1992-06-03 1994-02-25 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05129511A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム
JPH0653390A (ja) * 1992-06-03 1994-02-25 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3007023B2 (ja) 半導体集積回路およびその製造方法
JP2531382B2 (ja) ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法
JPH0794553A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH08111491A (ja) 半導体装置
JP5553766B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JP3529507B2 (ja) 半導体装置
JPH0817870A (ja) 半導体装置
JPH06140542A (ja) 半導体装置
JPH1145972A (ja) 複合リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JP3642545B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3454192B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH0345542B2 (ja)
JPH034543A (ja) 半導体装置
JP3547270B2 (ja) 実装構造体およびその製造方法
JP3686267B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100352112B1 (ko) 칩싸이즈반도체패키지의구조및그제조방법
JP3145892B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2817425B2 (ja) 半導体装置の実装方法
JP3060100U (ja) 懸吊式チップパッケージ
JPH0855856A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH08274234A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びに半導体実装モジュール
JPS60110145A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH03171744A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2000164646A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH04278548A (ja) 樹脂封止型半導体装置