JPH1145960A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チップのパッケージとして一般的なピン
グリッドアレイと互換性があり、かつ安価で信頼性の高
い樹脂封止型でピン状の端子を有する半導体装置を提供
する。 【解決手段】複数の電極が形成された半導体チップ２は
支持体４に支持される。上記半導体チップ２上の電極
と、外部との接続に用いられるピン状端子８の末端とが
ボンディングワイヤ６で接続される。そして、上記半導
体チップ２、支持体４、ボンディングワイヤ６、及びピ
ン状端子８の末端が、モールド樹脂からなる樹脂封止体
１０で覆われ封止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に半導体チップをパッケージング
した半導体装置及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路が形成された半導体チッ
プをパッケージングした半導体パッケージには、上記半
導体チップに形成された半導体集積回路を保護する、基
板への実装を容易にする、半導体チップと基板間の電気
信号を伝達する、さらに半導体チップに発生する熱を放
散するなどの機能が要求される。

【０００３】従来、このような半導体パッケージにおい
て多ピン化・小型化が要求される場合、ピン状の端子が
設けられたピングリットアレイが用いられている。この
ピングリットアレイは、外部接続用のピン状端子をパッ
ケージの下面に配置している。したがって、このピング
リットアレイはＱＦＰ等に比べて単位面積当たりのピン
密度が高く、多ピン化・小型化に適している。

【０００４】通常、上記ピングリットアレイには、セラ
ミック製のパッケージで気密封止したセラミック・パッ
ケージを用いるのが主流となっている。このピングリッ
トアレイの構成を図１１に示す。

【０００５】この図１１に示すように、半導体チップ１
０２はダイ・ボンディングによりセラミック基板１０４
上に固着されている。上記半導体チップ１０２に形成さ
れた半導体集積回路の複数の電極パッドには、ボンディ
ングワイヤ１０６の一端が接合され、このボンディング
ワイヤ１０６の他端はセラミック基板１０４上の電極パ
ッド１０８に接合されている。この電極パッド１０８
は、セラミック基板１０４の下面に配置された外部接続
用のピン状端子１１０に接続されており、上記半導体チ
ップ２上の電極パッド１０８と外部接続用のピン状端子
１１０が電気的に接続されている。

【０００６】さらに、上記半導体チップ１０２、ボンデ
ィングワイヤ１０６、及び電極パッド１０８を覆うよう
に、上記セラミック基板１０４上に金属製のリッド１１
２がセットされ、上記セラミック基板１０４とリッド１
１２の間がガラス１１４などにより封止されている。

【０００７】このようにセラミック・パッケージのピン
グリットアレイは、中空であるため、ボンディングワイ
ヤ１０６の断線防止、耐湿性、耐熱性、放熱性、及び周
波数特性が優れ信頼性が高く、高信頼性や高機能が要求
される製品に使われている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ラミック・パッケージのピングリットアレイは製造工程
が複雑であり、また使用する材料が高価であるため、製
品コストの高い半導体装置となっている。また、半導体
装置ごとにパッケージを設計、製作して準備しなければ
ならず、パッケージを組み立てるのに必要な部材、すな
わち上記セラミック基板やリッドなどを準備するまで
に、その設計及び製作のためのリードタイムがかかって
しまう。

【０００９】そこで本発明は、上記課題に鑑みてなされ
たものであり、半導体チップのパッケージとして一般的
なピングリッドアレイと互換性があり、かつ安価で信頼
性の高い樹脂封止型でピン状の端子を有する半導体パッ
ケージからなる半導体装置を提供することを目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の半導体装置は、複数の電極が形成
された半導体チップと、上記半導体チップを支持する支
持体と、外部との接続に用いられるピン形状の外部端子
と、上記半導体チップ上の電極と上記外部端子の末端を
接続する導電性の金属細線と、上記半導体チップ、支持
体、金属細線、及び外部端子の末端を覆い封止するモー
ルド樹脂からなる樹脂封止体とを具備することを特徴と
する。

【００１１】また、請求項２に記載の半導体装置は、複
数の電極が形成された半導体チップと、上記半導体チッ
プを支持する支持体と、外部との接続に用いられるピン
形状の外部端子と、上記半導体チップ上の電極と上記外
部端子の末端を接続する導電性の金属細線と、上記半導
体チップ、支持体、金属細線、及び外部端子の末端を覆
い封止するモールド樹脂からなる樹脂封止体とを具備
し、上記ピン形状の外部端子が上記樹脂封止体の下面に
複数配列されることを特徴とする。

【００１２】また、さらに請求項３に記載の半導体装置
は、請求項１又は２に記載の構成において、上記支持体
が上記半導体チップの下面に複数配列されることを特徴
とする。

【００１３】また、さらに請求項４に記載の半導体装置
は、請求項１、２又は３に記載の構成において、半導体
装置上記支持体及びピン形状の外部端子が同一部材であ
ることを特徴とする。

【００１４】また、さらに請求項５に記載の半導体装置
は、請求項１乃至４のいずれかに記載の構成において、
上記外部端子の末端はその表面が平坦であり、かつＴ字
形状あるいは二重のＴ字形状であることを特徴とする。

【００１５】また、さらに請求項６に記載の半導体装置
は、請求項１乃至５のいずれかに記載の構成において、
上記外部端子の末端が上記半導体チップの中心から外周
に行くに従って階段状に高く配置されることを特徴とす
る。

【００１６】また、さらに請求項７に記載の半導体装置
は、請求項１乃至６のいずれかに記載の構成において、
上記金属細線が絶縁性を有するように絶縁膜で被覆され
ていることを特徴とする。

【００１７】また、請求項８に記載の半導体装置の製造
方法は、半導体チップに形成された電極とピン形状の外
部端子の上部末端を導電性の金属細線で接続する工程
と、上記半導体チップ、及び上記外部端子の上部末端を
モールド樹脂で封止する工程とを具備することを特徴と
する。

【００１８】また、請求項９に記載の半導体装置の製造
方法は、半導体チップを支持する支持体及びピン形状の
外部端子とほぼ同径の穴が形成された下型に、上記支持
体及び外部端子を挿入する工程と、上記支持体の上部末
端に、上記半導体チップを固着させる工程と、上記半導
体チップの電極と外部端子の上部末端を導電性の金属細
線で接続する工程と、上記下型上にある半導体チップ、
金属細線、及び外部端子の上部末端をモールド樹脂で封
止する工程とを具備することを特徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。まず、本発明の第１の実
施の形態の半導体装置について説明する。この半導体装
置は、半導体集積回路が形成された半導体チップを樹脂
封止した、ピン状の端子を有する樹脂封止型のパッケー
ジ（プラスチック・パッケージ）である。

【００２０】図１は、この第１の実施の形態の半導体装
置の断面図であり、図２はこの半導体装置を透過して見
た平面図である。この図１，２に示すように、半導体集
積回路が形成された半導体チップ２は接着剤などにより
支持体４に固着され、支持されている。上記半導体チッ
プ２に形成された上記半導体集積回路の複数の電極パッ
ドには、ボンディングワイヤ６の一端が接合され、この
ボンディングワイヤ６の他端は外部接続用のピン状端子
８に接合されている。上記ボンディングワイヤ６によ
り、上記半導体チップ２上の電極パッドと外部接続用の
ピン状端子８が電気的に接続され、電気信号の伝達が行
われる。

【００２１】さらに、上記半導体チップ２、ボンディン
グワイヤ６、及びピン状端子８のボンディングワイヤ６
との接合部分は、エポキシ樹脂などを材料とする樹脂封
止体１０にて覆われ封止されている。

【００２２】なお、上記ボンディングワイヤ６には、ア
ルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、または銅（Ｃｕ）な
どからなる金属細線が用いられる。また、上記樹脂封止
体１０は、主剤をエポキシ樹脂とし、充填剤をシリカと
するモールド樹脂により形成されており、上記充填剤に
結晶性シリカを用いると、熱伝導性を向上させることが
できる。

【００２３】上記実施の形態では、上記支持体４に上記
外部接続用のピン状端子８を用いており、また上記外部
接続用のピン状端子８の配列は、従来から一般的なパッ
ケージであるセラミック・パッケージに用いられている
ピン配列に対して、互換性を有するように形成できる。

【００２４】以上説明したようにこの第１の実施の形態
によれば、半導体チップと外部接続用のピン状端子とを
ボンディングワイヤで直接接続し、樹脂封止体で半導体
チップ及び接続部分を封止することにより、樹脂封止型
のパッケージ（プラスチック・パッケージ）を形成して
いる。このような構成にてプラスチック・パッケージを
形成することにより、多ピン化に対応可能で、かつ安価
なプラスチック・パッケージを実現することができる。

【００２５】次に、本発明の第２の実施の形態の半導体
装置について説明する。この半導体装置は、上記第１の
実施の形態と同様の構造を持つものであり、半導体チッ
プとピン状端子とを接続するボンディングワイヤに絶縁
膜を被覆した、ピン状の端子を有する樹脂封止型のパッ
ケージである。

【００２６】図３は、この第２の実施の形態の半導体装
置の構成を示す断面図である。この図３に示すように、
半導体集積回路が形成された半導体チップ１２は接着剤
などにより支持体１４に固着され、支持されている。上
記半導体チップ１２に形成された上記半導体集積回路の
複数の電極パッドには、絶縁膜が被覆され絶縁性を有す
る被覆型ボンディングワイヤ１６の一端が接合され、こ
の被覆型ボンディングワイヤ１６の他端は外部接続用の
ピン状端子１８に接合されている。上記被覆型ボンディ
ングワイヤ１６により、上記半導体チップ１２上の電極
パッドと外部接続用のピン状端子１８が電気的に接続さ
れ、電気信号の伝達が行われる。

【００２７】さらに、上記半導体チップ１２、被覆型ボ
ンディングワイヤ１６、及びピン状端子１８の被覆型ボ
ンディングワイヤ１６との接合部分は、エポキシ樹脂な
どを材料とする樹脂封止体２０にて覆われ封止されてい
る。

【００２８】なお、上記ボンディングワイヤ１６には、
アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、または銅（Ｃｕ）
などからなる金属細線が用いられる。また、上記樹脂封
止体２０は、主剤をエポキシ樹脂とし、充填剤をシリカ
とするモールド樹脂により形成されており、上記充填剤
に結晶性シリカを用いると、熱伝導性を向上させること
ができる。

【００２９】この実施の形態では、上記支持体１４に上
記外部接続用のピン状端子１８を用いており、また上記
外部接続用のピン状端子１８の配列は、従来から一般的
なパッケージであるセラミック・パッケージに用いられ
ているピン配列に対して、互換性を有するように形成で
きる。

【００３０】以上説明したようにこの第２の実施の形態
によれば、半導体チップと外部接続用のピン状端子とを
被覆型ボンディングワイヤで直接接続し、樹脂封止体で
半導体チップ及び接続部分を封止することにより、樹脂
封止型のパッケージ（プラスチック・パッケージ）を形
成している。このような構成にてプラスチック・パッケ
ージを形成することにより、多ピン化に対応可能で、か
つ安価なプラスチック・パッケージを実現することがで
きる。

【００３１】さらに、半導体チップとピン状端子とを接
合するボンディングワイヤに絶縁膜を被覆することによ
り、被覆型ボンディングワイヤ同士が接触した場合で
も、短絡の発生を防ぐことができるためピン状端子を高
密度に配置することができる。

【００３２】次に、本発明の第３の実施の形態の半導体
装置について説明する。この半導体装置は、上記第１の
実施の形態と同様の構造において、半導体チップが固着
され支持される支持体を多数配列した、ピン状の端子を
有する樹脂封止型のパッケージである。

【００３３】図４は、この第３の実施の形態の半導体装
置の構成を示す断面図である。この図４に示すように、
半導体集積回路が形成された半導体チップ２２はその下
面のほぼ全面に多数配列された支持体２４に接着剤など
で固着され、支持されている。上記半導体チップ２２に
形成された上記半導体集積回路の複数の電極パッドに
は、ボンディングワイヤ２６の一端が接合され、このボ
ンディングワイヤ２６の他端は外部接続用のピン状端子
２８に接合されている。上記ボンディングワイヤ２６に
より、上記半導体チップ２２上の電極パッドと外部接続
用のピン状端子２８が電気的に接続され、電気信号の伝
達が行われる。

【００３４】さらに、上記半導体チップ２２、ボンディ
ングワイヤ２６、及びピン状端子２８のボンディングワ
イヤ２６との接合部分は、エポキシ樹脂などを材料とす
る樹脂封止体３０にて覆われ封止されている。

【００３５】なお、上記ボンディングワイヤ２６には、
アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、または銅（Ｃｕ）
などからなる金属細線が用いられる。また、上記樹脂封
止体３０は、主剤をエポキシ樹脂とし、充填剤をシリカ
とするモールド樹脂により形成されており、上記充填剤
に結晶性シリカを用いると、熱伝導性を向上させること
ができる。

【００３６】この実施の形態では、上記支持体２４に上
記外部接続用のピン状端子２８を用いており、また上記
外部接続用のピン状端子２８の配列は、従来から一般的
なパッケージであるセラミック・パッケージに用いられ
ているピン配列に対して、互換性を有するように形成で
きる。

【００３７】以上説明したようにこの第３の実施の形態
によれば、半導体チップと外部接続用のピン状端子とを
ボンディングワイヤで直接接続し、樹脂封止体で半導体
チップ及び接続部分を封止することにより、樹脂封止型
のパッケージ（プラスチック・パッケージ）を形成して
いる。このような構成にてプラスチック・パッケージを
形成することにより、多ピン化に対応可能で、かつ安価
なプラスチック・パッケージを実現することができる。

【００３８】さらに、半導体チップを固着し支持する支
持体をこの半導体チップ下面に多数配列することによ
り、上記支持体からの放熱効率が高まるため熱特性のよ
いパッケージを得ることができる。

【００３９】次に、本発明の第４の実施の形態の半導体
装置について説明する。この半導体装置は、上記第１の
実施の形態と同様の構造において、半導体チップの中心
から外周に行くに従って外部接続用のピン状端子の長さ
を長くした、ピン状の端子を有する樹脂封止型のパッケ
ージである。

【００４０】図５は、この第４の実施の形態の半導体装
置の構成を示す断面図である。この図５に示すように、
半導体集積回路が形成された半導体チップ３２は接着剤
などにより支持体３４に固着され、支持されている。上
記半導体チップ３２に形成された上記半導体集積回路の
複数の電極パッドには、ボンディングワイヤ３６の一端
が接合され、このボンディングワイヤ３６の他端は外部
接続用のピン状端子３８に接合されている。

【００４１】このピン状端子３８の長さは、半導体チッ
プ３２の中心から外周に行くに従って長くなっており、
すなわち外周に行くに従ってピン状端子３８の接合部分
の位置が階段状に高くなっている。上記ボンディングワ
イヤ３６により、上記半導体チップ３２上の電極パッド
と外部接続用のピン状端子３８が電気的に接続され、電
気信号の伝達が行われる。

【００４２】さらに、上記半導体チップ３２、ボンディ
ングワイヤ３６、及びピン状端子３８のボンディングワ
イヤ３６との接合部分は、エポキシ樹脂などを材料とす
る樹脂封止体４０にて覆われ封止されている。

【００４３】なお、上記ボンディングワイヤ３６には、
アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、または銅（Ｃｕ）
などからなる金属細線が用いられる。また、上記樹脂封
止体４０は、主剤をエポキシ樹脂とし、充填剤をシリカ
とするモールド樹脂により形成されており、上記充填剤
に結晶性シリカを用いると、熱伝導性を向上させること
ができる。

【００４４】この実施の形態では、上記支持体３４に上
記外部接続用のピン状端子３８を用いており、また上記
外部接続用のピン状端子３８の配列は、従来から一般的
なパッケージであるセラミック・パッケージに用いられ
ているピン配列に対して、互換性を有するように形成で
きる。

【００４５】以上説明したようにこの第４の実施の形態
によれば、半導体チップと外部接続用のピン状端子とを
ボンディングワイヤで直接接続し、樹脂封止体で半導体
チップ及び接続部分を封止することにより、樹脂封止型
のパッケージ（プラスチック・パッケージ）を形成して
いる。このような構成にてプラスチック・パッケージを
形成することにより、多ピン化に対応可能で、かつ安価
なプラスチック・パッケージを実現することができる。

【００４６】さらに、半導体チップの中心から外周に行
くに従ってピン状端子のボンディングワイヤとの接合部
分を階段状に高く配置することにより、ボンディングワ
イヤ同士の接触を防止することができるためピン状端子
を高密度に配置することができる。

【００４７】次に、本発明の第５の実施の形態の半導体
装置について説明する。この半導体装置は、上記第１の
実施の形態と同様の構造において、ピン状端子の上部末
端が水平方向の突起形状をもち、かつピン状の端子を有
する樹脂封止型のパッケージである。

【００４８】図６は、この第５の実施の形態の半導体装
置の構成を示す断面図である。この図６に示すように、
半導体集積回路が形成された半導体チップ４２は接着剤
などにより支持体４４に固着され、支持されている。上
記半導体チップ４２に形成された上記半導体集積回路の
複数の電極パッドには、ボンディングワイヤ４６の一端
が接合され、このボンディングワイヤ４６の他端は外部
接続用のピン状端子４８に接合されている。上記ボンデ
ィングワイヤ４６により、上記半導体チップ４２上の電
極パッドと外部接続用のピン状端子４８が電気的に接続
され、電気信号の伝達が行われる。

【００４９】上記ボンディングワイヤ４６が接合される
ピン状端子４８の上部末端４８ａは、その表面が平坦で
あり、かつ水平方向に突起がついた形状になっている。
図７、図８は、図６に示した半導体装置のＡ部の拡大図
であり、突起形状の例を示すものである。上記ピン状端
子４８の上部末端４８ａは、図７に示すように、末端表
面が平坦で二重の平面部分５２をもつ二重のＴ字形状、
あるいは図８に示すように、末端表面が平坦なＴ字形状
になっている。なお、図１〜図１０に示すピン状端子の
上部末端は、上記図７に示すような二重の平面部分５２
をもつ二重のＴ字形状として図示している。

【００５０】さらに、上記半導体チップ４２、ボンディ
ングワイヤ４６、及びピン状端子４８のボンディングワ
イヤ４６との接合部分は、エポキシ樹脂などを材料とす
る樹脂封止体５０にて覆われ封止されている。

【００５１】なお、上記ボンディングワイヤ４６には、
アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、または銅（Ｃｕ）
などからなる金属細線が用いられる。また、上記樹脂封
止体５０は、主剤をエポキシ樹脂とし、充填剤をシリカ
とするモールド樹脂により形成されており、上記充填剤
に結晶性シリカを用いると、熱伝導性を向上させること
ができる。

【００５２】上記実施の形態では、上記支持体４４に上
記外部接続用のピン状端子４８を用いており、また上記
外部接続用のピン状端子４８の配列は、従来から一般的
なパッケージであるセラミック・パッケージに用いられ
ているピン配列に対して、互換性を有するように形成で
きる。

【００５３】以上説明したようにこの第５の実施の形態
によれば、半導体チップと外部接続用のピン状端子とを
ボンディングワイヤで直接接続し、樹脂封止体で半導体
チップ及び接続部分を封止することにより、樹脂封止型
のパッケージ（プラスチック・パッケージ）を形成して
いる。このような構成にてプラスチック・パッケージを
形成することにより、多ピン化に対応可能で、かつ安価
なプラスチック・パッケージを実現することができる。

【００５４】さらに、ピン状端子の上部末端を水平方向
に突起がついた形状にすることにより、樹脂封止体から
ピン状端子が抜け落ちにくい構造にすることができ、さ
らに水分などの侵入を防ぎ耐湿性をよくして信頼性を向
上させることができる。

【００５５】次に、本発明の第６の実施の形態として、
上記第１の実施の形態の半導体装置の製造方法について
説明する。図９、図１０は、上記第１の実施の形態の半
導体装置の製造方法を説明するための図で、各製造工程
における上記半導体装置の断面図である。

【００５６】まず、図９（ａ）に示すように、あらかじ
め支持体４及び外部接続用のピン状端子８とほぼ同径の
穴が形成された金属製の下型プレート６０に、支持体４
となるピン状端子及び外部接続用のピン状端子８を差し
込む。

【００５７】続いて、図９（ｂ）に示すように、これら
のピン状端子のうち半導体チップ２の支持体４となるピ
ン状端子の上部末端４ａに接着剤６２を塗布し、図９
（ｃ）に示すように、この上部末端４ａに半導体チップ
２を載置して固着させる。

【００５８】次に、図１０（ａ）に示すように、上記半
導体チップ２の電極パッドとこれらの各々に該当するピ
ン状端子８の上部末端８ａを導電性の金属細線６（以下
ボンディングワイヤ６と記す）で接続する。このボンデ
ィングワイヤ６には、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａ
ｕ）、または銅（Ｃｕ）などの金属が用いられる。

【００５９】次に、図１０（ｂ）に示すように、この状
態で下型プレート６０上にある半導体チップ２、ボンデ
ィングワイヤ６、及びピン状端子８の上部末端８ａを、
エポキシなどを材料とするモールド樹脂で封止して上記
樹脂封止体１０を形成する。例えばここでは、上記下型
プレート６０を金型の一部としてその上に、上記樹脂封
止体１０の形状を有する金属製の上型プレート６４を配
置し、図１０（ｃ）に示すように、上記下型プレート６
０及び上型プレート６４内に溶融した樹脂６６を注入し
て硬化させるトランスファ・モールド法を用いて形成す
る。

【００６０】続いて、注入した樹脂６６が、上記下型プ
レート６０及び上型プレート６４内で硬化した後、図１
０（ｄ）に示すように、上記上型プレート６４と下型プ
レート６０を取り外すことにより、樹脂封止体１０で封
止され、ピン状端子８が露出した半導体装置が形成でき
る。

【００６１】以上説明したようにこの第６の実施の形態
の製造方法によれば、半導体チップと外部接続用のピン
状端子とをボンディングワイヤで直接接続し、樹脂封止
体で半導体チップ及び接続部分を封止することにより、
樹脂封止型のパッケージ（プラスチック・パッケージ）
を形成することができる。このような製造方法にてプラ
スチック・パッケージを形成することにより、多ピン化
に対応可能で、かつ安価なプラスチック・パッケージを
実現することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体チップのパッケージとして一般的なピングリッドアレ
イと互換性があり、かつ安価で信頼性の高い樹脂封止型
でピン状の端子を有する半導体パッケージからなる半導
体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の半導体装置の構成を示す断
面図である。

【図２】第１の実施の形態の半導体装置を透過して見た
平面図である。

【図３】第２の実施の形態の半導体装置の構成を示す断
面図である。

【図４】第３の実施の形態の半導体装置の構成を示す断
面図である。

【図５】第４の実施の形態の半導体装置の構成を示す断
面図である。

【図６】第５の実施の形態の半導体装置の構成を示す断
面図である。

【図７】上記半導体装置におけるピン状端子の上部末端
形状の一例を示す図である。

【図８】上記半導体装置におけるピン状端子の上部末端
形状の他例を示す図である。

【図９】上記第１の実施の形態の半導体装置の各製造工
程における断面図である。

【図１０】上記第１の実施の形態の半導体装置の各製造
工程における断面図である。

【図１１】従来のセラミック・パッケージを用いたピン
グリットアレイの構成を示す図である。

【符号の説明】

２，１２，２２，３２，４２…半導体チップ ４，１４，２４，３４，４４…支持体 ４ａ，８ａ，４８ａ…ピン状端子の上部末端 ６，２６，３６，４６…ボンディングワイヤ １６…被覆ボンディングワイヤ ８，１８，２８，３８，４８…ピン状端子 １０，２０，３０，４０，５０…樹脂封止体 ５２…平面部分 ６０…下型プレート ６２…接着剤 ６４…上型プレート ６６…樹脂

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の電極が形成された半導体チップ
   と、 上記半導体チップを支持する支持体と、 外部との接続に用いられるピン形状の外部端子と、 上記半導体チップ上の電極と上記外部端子の末端を接続
   する導電性の金属細線と、 上記半導体チップ、支持体、金属細線、及び外部端子の
   末端を覆い封止するモールド樹脂からなる樹脂封止体
   と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 複数の電極が形成された半導体チップ
   と、 上記半導体チップを支持する支持体と、 外部との接続に用いられるピン形状の外部端子と、 上記半導体チップ上の電極と上記外部端子の末端を接続
   する導電性の金属細線と、 上記半導体チップ、支持体、金属細線、及び外部端子の
   末端を覆い封止するモールド樹脂からなる樹脂封止体と
   を具備し、 上記ピン形状の外部端子が上記樹脂封止体の下面に複数
   配列されることを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 上記支持体は、上記半導体チップの下面
   に複数配列されることを特徴とする請求項１又は２に記
   載の半導体装置。
4. 【請求項４】 上記支持体及びピン形状の外部端子は、
   同一部材であることを特徴とする請求項１、２又は３に
   記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 上記外部端子の末端は、その表面が平坦
   であり、かつＴ字形状あるいは二重のＴ字形状であるこ
   とを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
   体装置。
6. 【請求項６】 上記外部端子の末端は、上記半導体チッ
   プの中心から外周に行くに従って階段状に高く配置され
   ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の
   半導体装置。
7. 【請求項７】 上記金属細線は、周囲と絶縁性を有する
   ように絶縁膜で被覆されていることを特徴とする請求項
   １乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 半導体チップに形成された電極とピン形
   状の外部端子の上部末端を導電性の金属細線で接続する
   工程と、 上記半導体チップ、及び上記外部端子の上部末端をモー
   ルド樹脂で封止する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 半導体チップを支持する支持体及びピン
   形状の外部端子とほぼ同径の穴が形成された下型に、上
   記支持体及び外部端子を挿入する工程と、 上記支持体の上部末端に、上記半導体チップを固着させ
   る工程と、 上記半導体チップ上の電極と外部端子の上部末端を導電
   性の金属細線で接続する工程と、 上記下型上にある上記半導体チップ、金属細線、及び外
   部端子の上部末端をモールド樹脂で封止する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。