JPH1140663A - 多層配線の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基体の局所段差、グローバル段差によ
り、リソグラフィー工程でレジスト膜へマスクパターン
が正確に転写されない問題、下地の材質によるハレーシ
ョンの問題等によって、高精度なパターン形成が困難で
あった。 【解決手段】 下層配線21を形成した基体11を用意し、
その一方で基板31上に上層配線と接続孔との型となる第
１，第２のパターン41,42 を形成する。次いでそれらを
覆う層間絶縁膜51を流動性を持つ絶縁材料で形成する。
次に層間絶縁膜51を基体11に押圧して下層配線21間にそ
の一部を埋め込み、そして層間絶縁膜51を硬化させてそ
れを基体11に貼りあわせる。その後基板31、第１，第２
のパターン41,42 を除去して、配線溝52と接続孔53とを
形成し、さらに接続孔53が下層配線21に達するまで層間
絶縁膜51を異方性エッチングした後、接続孔53と配線溝
52とに上層配線材料を埋め込み、上層配線61と接続プラ
グ62とを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線の形成方
法に関し、詳しくはいわゆるデュアルダマシン法を応用
した多層配線の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高速化が進行するなかで、配線
抵抗を低減するために配線材料をアルミニウムから銅へ
置き換える開発が進められている。現状のアルミニウム
配線は、半導体基体上にアルミニウム膜を成膜し、この
アルミニウム膜を反応性イオンエッチング〔以下、ＲＩ
Ｅ（Reactive Ion Etching）という〕によってパターニ
ングすることで形成される。銅配線を現状のアルミニウ
ム配線と同様の工程（半導体基体上への銅膜の成膜とそ
のＲＩＥ）によって形成する場合、銅膜のＲＩＥ技術が
確立されていない問題がある。この問題を解決する手段
として、いわゆるダマシンプロセスが提案されている。

【０００３】このダマシンプロセスは、図３の（１）に
示すように、基体１２１に下層配線１２２を形成した
後、この基体１２１上に下層配線１２２を覆う下層の層
間絶縁膜１２３を形成する。そして図３の（２）に示す
ように、リソグラフィー技術とエッチング技術とにより
下層の層間絶縁膜１２３に上記下層配線１２２に達する
接続孔１２４を開口した後、この接続孔１２４を導電性
材料で埋め込むことでプラグ１２５を形成する。

【０００４】次いで図３の（３）に示すように、下層の
層間絶縁膜１２３上に上層の層間絶縁膜１２６を形成し
た後、図３の（４）に示すように、リソグラフィー技術
とエッチング技術とにより上記プラグ１２５に達する配
線溝１２７を形成する。その後図３の（５）に示すよう
に、上層配線材料として銅膜を形成することで上記配線
溝１２７を埋め込む。その後化学的機械研磨技術（以下
ＣＭＰという、ＣＭＰはChemical Mechanical Polishin
g の略）により、上層の層間絶縁膜１２６上に形成され
た銅膜を除去して、配線溝１２７の内部に埋め込まれた
銅膜でプラグ１２５に接続する上層配線１２８を形成す
る。

【０００５】一方、ダマシンプロセスより工程数を削減
したデュアルダマシンプロセスが提案されている。この
プロセスは、ＣＶＤで成膜する銅膜のカバリッジの良さ
を利用している。

【０００６】すなわち、図４の（１）に示すように、基
体１３１に下層配線１３２を形成した後、この基体１３
１上に下層配線１３２を覆う層間絶縁膜１３３を形成す
る。そして図４の（２）に示すように、リソグラフィー
技術とエッチング技術とにより層間絶縁膜１３３に上記
下層配線１３２に達する接続孔１３４を開口した後、さ
らに図４の（３）に示すように、リソグラフィー技術と
エッチング技術とにより層間絶縁膜１３３に、接続孔１
３４の途中まで配線溝１３５を形成する。

【０００７】その後図４の（４）に示すように、上層配
線材料として銅膜を形成することで上記配線溝１３５お
よび接続孔１３４を埋め込む。その後ＣＭＰによって、
配線溝１３５および接続孔１３４の内部に埋め込まれた
銅膜で上層配線１３６および上層配線１３６と下層配線
１３２とに接続するプラグ１３７を形成する。

【０００８】また、最近では、感光性のＳＯＧ（Spin o
n glass ）膜を用いた新しいデュアルダマシンプロセス
〔Proc.3rd Dielectrics For ULSI Malutilevel Interc
onnection Conferece(DUMIC)の予稿集 (1997) p93-97
参照] が提案されている。感光性のＳＯＧ膜を用いるこ
とでＳＯＧ膜をレジスト膜のように用いることができ
る。そのため、ＲＩＥ技術を使わずにデュアルダマシン
プロセスによる多層配線の形成が可能になる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ダ
マシンプロセスおよびデュアルダマシンプロセスでは、
レジスト膜を用いたリソグラフィー技術による配線溝、
接続孔等を開口しているため、半導体基体上に局所段
差、グローバル段差によって最適な露光条件は基体表面
内で異なり、レジスト膜へマスクパターンが正確に転写
されない問題がある。これらの段差が大きくなると、最
悪の場合、パターンが転写されない可能性もある。さら
にレジスト膜の露光では、レジスト下地の材質によって
露光の光を反射し、その反射光がレジスト膜を露光す
る、いわゆるハレーションの問題が起こる。これによっ
て、高精度なパターン形成が困難になる。

【００１０】また、感光性ＳＯＧを用いたプロセスでも
レジスト膜のリソグラフィー技術と同様の問題を生じ
る。特にＳＯＧ膜は基体上のパターン依存性が大きいた
め、ＳＯＧ塗布後の基体上には塗布前の段差と同程度の
段差が存在する。そのため、感光性ＳＯＧ膜でも上記の
ような段差の問題が生じることになる。さらにＳＯＧ膜
の場合も、レジスト膜と同様にハレーションの問題が起
こる。

【００１１】上記ハレーションを防止するために反射防
止膜を用いる方法もあるが、反射防止膜を形成するため
に工程増となる問題が生じる。さらにデュアルダマシン
プロセスでは、接続孔開口時（接続孔＋配線溝）のアス
ペクト比が高くなるため、接続孔を開口する際のＲＩＥ
時にエッチング残りが問題となる。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた多層配線の形成方法である。すな
わち、下層配線が形成された基体を用意する。その一方
で基板上に上層配線の型となる第１のパターンと、この
第１のパターン上に下層配線の位置に対応する接続孔の
型となる第２のパターンとを形成する。次いで基板上
に、第１，第２のパターンとを覆う層間絶縁膜を流動性
を有する絶縁材料で形成する。続いて下層配線に第２の
パターンを対応させて基体の下層配線が形成された側に
層間絶縁膜表面を押しつけるとともに、この層間絶縁膜
の流動性を利用して下層配線間に層間絶縁膜の一部を埋
め込み、その後層間絶縁膜を硬化させて基体とこの層間
絶縁膜とを貼りあわせる。その後基板を除去して層間絶
縁膜を露出させるとともに第１，第２のパターンを除去
して、配線溝と接続孔とを形成する。そして接続孔が下
層配線に達するまで層間絶縁膜を異方性エッチングした
後、接続孔と配線溝とに上層配線材料を埋め込むことに
より多層配線を形成する。

【００１３】上記多層配線の形成方法では、下層配線が
形成された基体とは別の基板上に上層配線の型となる第
１のパターンとこの第１のパターン上に接続孔の型とな
る第２のパターンとを下層配線の位置に対応させて形成
することから、下地段差による影響を受けることなく、
すなわち、ハレーションを起こすことなく第１，第２の
パターンが形成される。

【００１４】また、下層配線が形成された側に層間絶縁
膜表面を押しつけるとともに、この層間絶縁膜の流動性
を利用して下層配線間に層間絶縁膜の一部を埋め込むこ
とから、下層配線が形成されている基体に局所段差やグ
ローバル段差が存在していても、それらの段差を層間絶
縁膜が吸収して、層間絶縁膜が基体に接着する。その
際、第１，第２のパターンが基板に形成されていること
から、層間絶縁膜の流動性によってパターン位置がずれ
ることはない。

【００１５】その後基板を除去して層間絶縁膜を露出さ
せるとともに第１，第２のパターンを除去して、配線溝
と接続孔とを形成する。しかしこの状態では、接続孔と
下層配線との間には層間絶縁膜が存在している。そこで
接続孔が下層配線に達するまで層間絶縁膜を異方性エッ
チングする。その結果、接続孔は下層配線に到達する。
その一方、配線溝の底部、層間絶縁膜の表面も、接続孔
の底部と同様に異方性エッチングされるため、第１，第
２のパターンを転写した初期の接続孔および配線溝の形
状は維持される。

【００１６】そして、接続孔と配線溝とに上層配線材料
を埋め込むことにより上層配線を形成することから、こ
の上層配線は、下層配線が形成されている基体の局所段
差、グローバル段差の影響を受けることなく形成され
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の多層配線の形成方法に係
わる実施形態の一例を、図１の製造工程図によって説明
する。

【００１８】図１の（１）に示すように、下層配線２１
が形成された基体１１を用意する。この基体１１は、図
示はしないが、例えば半導体基板に半導体素子として、
トランジスタ、キャパシタ等が形成され、それらを覆う
状態に絶縁膜が形成されている。そしてその絶縁膜上に
上記下層配線２１が形成されているものである。

【００１９】また上記基体１１を用意する一方では、図
１の（２）に示すように、基板３１上に第１レジスト膜
を形成した後、リソグラフィー技術によって第１レジス
ト膜をパターニングして第１のパターン４１を形成す
る。この基板３１は、例えばシリコン基板３２上に選択
エッチング膜３３が形成されているものを用いる。この
選択エッチング膜３３には、後に説明する層間絶縁膜に
対して選択的にエッチングされる材料、例えばポリイミ
ド、ポリパラキシリレン等の比較的耐熱性を有する樹
脂、またはポリシリコン、窒化シリコン等の無機材料で
形成する。

【００２０】さらに上記基板３１上に、上記第１パター
ン４１を覆う第２レジスト膜を形成した後、リソグラフ
ィー技術によって第２レジスト膜をパターニングし、上
記第１のパターン４１上に接続孔の型となる第２のパタ
ーン４２を上記下層配線２１〔図の（１）参照〕の位置
に対応させて形成する。上記第１，第２パターン４１，
４２をレジストで形成する代わりに、後に説明する層間
絶縁膜に対して選択的にエッチングされるようなポリシ
リコン、窒化シリコン等の無機材料で形成することも可
能である。

【００２１】次いで図１の（３）に示すように、上記基
板３１上に上記第１のパターン４１と第２のパターン４
２とを覆う層間絶縁膜５１を流動性を有する絶縁材料、
例えばＳＯＧ（Spin on glass ）で形成する。このＳＯ
Ｇは、例えば回転塗布法により形成した水素化シリコン
酸化膜からなり、回転塗布後、例えば１００℃〜２５０
℃、好ましくは１００℃〜２００℃でプリベーキングを
行う。ここでは、一例として、１２０℃で３分間のプリ
ベーキングを行っている。

【００２２】上記層間絶縁膜５１には、上記ＳＯＧのよ
うな、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構
造が構成され、置換基に少なくとも水素を有する材料が
用いられる。または層間絶縁膜５１に、置換基にフッ
素、アルキル基および芳香族炭化水素のうちの少なくと
も１種を有するものが用いられる。このように置換基に
フッ素、アルキル基および芳香族炭化水素のうちの少な
くとも１種を有する場合には、層間絶縁膜５１の誘電率
が酸化シリコン（比誘電率≒４．２）よりも低減され
る。

【００２３】例えば層間絶縁膜５１には、シリコン（Ｓ
ｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換
基に水素とフッ素とを有するポリシロキサン系ポリマー
を用いる。またはシリコンと酸素との結合で骨格構造が
構成され、置換基に水素とアルキル基とを有するポリシ
ロキサン系ポリマーを用いる。またはシリコン（Ｓｉ）
と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に
水素と芳香族炭化水素とを有するポリシロキサン系ポリ
マーを用いる。

【００２４】次に図１の（４）に示すように、上記下層
配線２１に上記第２のパターン４２を対応させて上記基
体１１の下層配線２１が形成された側に層間絶縁膜５１
を押しつける。その際、層間絶縁膜５１の流動性を利用
して、上記下層配線２１，２１間に層間絶縁膜５１の一
部を埋め込む。その際の加圧条件としては、例えば圧力
を４００Ｐａの減圧下にし、加圧時間を５分間に設定す
る。そして上記基体１１の裏面側よりヒータによって３
００℃程度に加熱する。その加熱によって層間絶縁膜５
１を硬化させて、基体１１と層間絶縁膜５１とを貼りあ
わせる。

【００２５】その後、ウエットエッチングにより上記選
択エッチング膜３３を選択的にエッチングすることによ
り基板３２を取り去り、図１の（５）に示すように、層
間絶縁膜５１を露出させる。その後、例えば窒素
（Ｎ₂ ）雰囲気で４００℃、３０分間の加熱処理を層間
絶縁膜５１の膜質改善のために行う。さらに層間絶縁膜
５１に対して選択的に第１，第２のパターン４１，４２
〔図（４）参照〕をエッチングにより除去して、配線溝
５２と接続孔５３とを形成する。

【００２６】続いて図１の（６）に示すように、接続孔
５３が下層配線２１に達するまで層間絶縁膜５１を異方
性エッチングする。その際、層間絶縁膜５１の表面、配
線溝５２の底部等もエッチングされる。

【００２７】その後、図１の（７）に示すように、配線
溝５２および接続孔５３とに上層配線材料を埋め込む。
そして層間絶縁膜５１上の上層配線材料を除去して、配
線溝５２および接続孔５３の内部に上層配線材料を残し
て、上層配線６１と、この上層配線６１と上記下層配線
２１とに接続する接続プラグ６２とを形成する。

【００２８】上記多層配線の形成方法では、上記層間絶
縁膜５１を以下のような低誘電率材料で形成することも
可能である。

【００２９】例えば、ポリテトラフルオロエチレン系樹
脂で層間絶縁膜５１を形成する方法である。このポリテ
トラフルオロエチレン系樹脂として、アモルファステフ
ロン〔デュポン社製：テフロンＡＦ（商品名）〕（ガラ
ス転移温度＝１６０℃、熱分解温度＝４５０℃）が知ら
れている。この膜形成は、まずポリテトラフルオロエチ
レン系樹脂をフルオロカーボン系の溶剤に溶かし、粘度
を３０ｃｐに調整する。それを回転塗布法により基板３
１上に塗布して低誘電率を有する有機膜からなる層間絶
縁膜５１を形成する。その後、不活性な雰囲気である例
えば窒素ガスの雰囲気（１気圧）中で、例えば１００
℃、２分間のベーキングを行う。上記フルオロカーボン
系の溶剤としては、例えばフロリナートと呼ばれている
物が知られている。

【００３０】または、環状フッ素樹脂・シロキサン共重
合体で層間絶縁膜５１を形成する方法である。具体的に
は、まず環状フッ素樹脂・シロキサン共重合体をフルオ
ロカーボン系の溶剤に溶かし、粘度を３０ｃｐに調整す
る。それを回転塗布法により基板３１上に塗布して低誘
電率を有する有機膜からなる層間絶縁膜５１を形成す
る。その後、不活性な雰囲気として例えば窒素ガスの１
気圧の雰囲気中で、例えば１００℃、２分間のベーキン
グを行う。上記フルオロカーボン系の溶剤としては、例
えばフロリナートと呼ばれている物が知られている。

【００３１】または、シクロポリマライズドフロリネー
テッドポリマー系樹脂で層間絶縁膜５１を形成する方法
である。このシクロポリマライズドフロリネーテッドポ
リマー系樹脂〔例えばサイトップ（商品名）〕（ガラス
転移温度＝１２０℃、熱分解温度＝４２０℃）が知られ
ている。この膜形成は、まずシクロポリマライズドフロ
リネーテッドポリマー系樹脂をフルオロカーボン系の溶
剤に溶かし、粘度を３０ｃｐに調整する。それを回転塗
布法により基板３１上に塗布して低誘電率を有する有機
膜からなる層間絶縁膜５１を形成する。その後、不活性
な雰囲気である例えば窒素ガスの雰囲気（１気圧）中
で、例えば１００℃、２分間のベーキングを行う。上記
フルオロカーボン系の溶剤としては、例えばフロリナー
トと呼ばれている物が知られている。

【００３２】または、フッ化ポリアリルエーテル系樹脂
で層間絶縁膜５１を形成する方法である。このフッ化ポ
リアリルエーテル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品
名）〕（ガラス転移温度＝２６０℃、熱分解温度＝４６
０℃）が知られている。この膜形成は、まずフッ化ポリ
アリルエーテル系樹脂をフルオロカーボン系の溶剤に溶
かし、粘度を３０ｃｐに調整する。それを回転塗布法に
より基板３１上に塗布して低誘電率を有する有機膜から
なる層間絶縁膜５１を形成する。その後、不活性な雰囲
気である例えば窒素ガスの雰囲気（１気圧）中で、例え
ば１００℃、２分間のベーキングを行う。上記フルオロ
カーボン系の溶剤としては、例えばフロリナートと呼ば
れている物が知られている。

【００３３】または、フッ化ポリイミド樹脂で層間絶縁
膜５１を形成する方法である。この膜形成は、まずフッ
化ポリイミド樹脂をフルオロカーボン系の溶剤に溶か
し、粘度を３０ｃｐに調整する。それを回転塗布法によ
り基板３１上に塗布して低誘電率を有する有機膜からな
る層間絶縁膜５１を形成する。その後、不活性な雰囲気
である例えば窒素ガスの雰囲気（１気圧）中で、例えば
１００℃、２分間のベーキングを行う。上記フルオロカ
ーボン系の溶剤としては、例えばフロリナートと呼ばれ
ている物が知られている。

【００３４】上記低誘電率有機膜の場合、貼り合わせ時
には、不活性な雰囲気として例えば窒素ガス雰囲気中で
３５０℃程度の加熱（アニーリング）を行う。

【００３５】また、上記多層配線の形成方法では、層間
絶縁膜５１を下層配線２１を形成した基体１１に貼り合
わせる前に下層配線２１を覆う状態に絶縁膜（図示省
略）を形成することも可能である。その絶縁膜には、上
記層間絶縁膜５１を形成した材料を用いることが可能で
ある。

【００３６】上記多層配線の形成方法では、下層配線２
１が形成された基体１１とは別の基板３１上に上層配線
の型となる第１のパターン４１とこの第１のパターン４
１上に接続孔の型となる第２のパターン４２とを下層配
線の位置に対応させて形成することから、下地段差によ
る影響を受けることなく、すなわち、ハレーションを起
こすことなく第１，第２のパターン４１，４２が形成さ
れる。

【００３７】また、下層配線２１が形成された側に層間
絶縁膜５１の表面を押しつけるとともに、この層間絶縁
膜５１の流動性を利用して下層配線２１，２１間に層間
絶縁膜５１の一部を埋め込むことから、下層配線２１が
形成されている基体１１に局所段差やグローバル段差が
存在していても、それらの段差を層間絶縁膜５１が吸収
して、層間絶縁膜５１が基体１１に接着する。その際、
第１，第２のパターン４１，４２が基板３１に直接に形
成されていることから、層間絶縁膜５１の流動性によっ
てパターン位置がずれることはない。

【００３８】その後基板３１を取り除いて層間絶縁膜５
１を露出させるとともに第１，第２のパターン４１，４
２を除去して、配線溝５２と接続孔５３とを形成する。
しかしこの状態では、接続孔５３と下層配線２１との間
には層間絶縁膜５１が存在している。そこで接続孔５３
が下層配線２１に達するまで層間絶縁膜５１を異方性エ
ッチングする。その結果、接続孔５３は下層配線２１に
到達する。その一方、配線溝５２の底部、層間絶縁膜５
１の表面も、接続孔５３の底部と同様に異方性エッチン
グされるため、第１，第２のパターン４１，４２を転写
した初期の接続孔５３および配線溝５２の形状は維持さ
れる。

【００３９】そして、接続孔５３と配線溝５２とに上層
配線材料を埋め込むことにより上層配線６１を形成する
ことから、この上層配線６１および接続プラグ６２は、
下層配線２１が形成されている基体１１の局所段差、グ
ローバル段差の影響を受けることなく形成される。

【００４０】次に、上記層間絶縁膜５１と基体１１とを
貼り合わせる装置を、図２の概略構成図によって説明す
る。

【００４１】図２に示すように、処理室７１の内部にお
ける上部には基体固定定盤７２が設けられている。この
基体固定定盤７２の内部にはヒータ７３が設置され、基
体固定定盤７２の基体固定面の全体が加熱されるように
なっている。また、処理室７１の内部における基体固定
定盤７２に対抗する位置には、基板固定定盤７４が昇降
自在に設けられ、この基板固定定盤７４にはこれを上記
基体固定定盤７２に押圧する駆動手段７５が設けられて
いる。したがって、上記基板固定定盤７４は駆動手段７
５によって昇降される。また、上記処理室７１には、上
記基体固定定盤７２に上記基板固定定盤７４が押圧され
たときの圧力を測定する圧力測定手段７６が設置されて
いる。さらに上記処理室７１には、この処理室７１内の
気体を排気するための排気装置７７排気管７８を介して
接続されている。また、図示はしないが、上記処理室７
１には、処理室７１内の雰囲気を形成するガスを導入す
るガス導入部が接続れている。

【００４２】なお、上記基体固定定盤７２と上記基板固
定定盤７４とは上記説明した配置に限定されることはな
く、基体固定定盤７２と基板固定定盤７４とが押圧され
る関係にあればいかようなる位置に設けても差し支えは
ない。

【００４３】上記上記貼り合わせ装置７０は、基体固定
定盤７２側に下層配線を形成した基体１１を固定し、上
記基板固定定盤７４側に層間絶縁膜を形成した基板３１
を固定する。そして、駆動手段７４により基板固定定盤
７４を基体固定定盤７２側に押圧するとともに、ヒータ
７３により基体１１を加熱して、層間絶縁膜を硬化させ
るとともに基体１１に接着させる。その際、基板固定定
盤７４を基体固定定盤７２側に押圧する圧力を圧力測定
手段７６により測定して、基板固定定盤７４の押圧力を
調整する。

【００４４】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
下層配線が形成された基体とは別の基板上に上層配線と
接続孔との型を形成した層間絶縁膜の表面を上記基体に
押しつけるとともに、この層間絶縁膜の流動性を利用し
て下層配線間に層間絶縁膜の一部を埋め込むので、基体
に局所段差やグローバル段差が存在していても、それら
の段差を層間絶縁膜に吸収させて、層間絶縁膜と基体と
を接着することができる。したがって、層間絶縁膜中の
第１，第２のパターンを除去して形成される配線溝と接
続孔とに形成される上層配線は、下層配線が形成されて
いる基体の局所段差やグローバル段差の影響を受けるこ
となく形成できる。また、配線溝と接続孔の型となる第
１，第２のパターンを平坦な基板上に形成することがで
きるため、ハレーションを発生しない条件でそれらのパ
ターンを形成することが可能になる。そのため、高精度
なパターン形成が可能になり、配線溝や接続孔を高精度
に形成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線の形成方法に係わる実施形態
の一例の製造工程図である。

【図２】貼り合わせ装置の概略構成図である。

【図３】従来のダマシンプロセスの製造工程図である。

【図４】従来のデュアルダマシンプロセスの製造工程図
である。

【符号の説明】

１１…基体、２１…下層配線、３１…基板、４１…第１
のパターン、４２…第２のパターン、５１…層間絶縁
膜、５２…配線溝、５３…接続孔

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層配線が形成された基体を用意する工
   程と、 基板上に上層配線の型となる第１のパターンと、該第１
   のパターン上に前記下層配線の位置に対応する接続孔の
   型となる第２のパターンとを形成する工程と、 前記基板上に前記第１のパターンと前記第２のパターン
   とを覆う層間絶縁膜を流動性を有する絶縁材料で形成す
   る工程と、 前記下層配線に前記第２のパターンを対応させて前記基
   体の下層配線が形成された側に前記層間絶縁膜表面を押
   しつけるとともに該層間絶縁膜の流動性を利用して前記
   下層配線間に該層間絶縁膜の一部を埋め込み、その後該
   層間絶縁膜を硬化させて該基体と該層間絶縁膜とを貼り
   あわせる工程と、 前記基板を除去して層間絶縁膜を露出させるとともに第
   １のパターンおよび第２のパターンを除去して、配線溝
   と接続孔とを形成する工程と、 前記接続孔が前記下層配線に達するまで前記層間絶縁膜
   を異方性エッチングする工程と、 前記接続孔と前記配線溝とに上層配線材料を埋め込む工
   程とを備えたことを特徴とする多層配線の形成方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の多層配線の形成方法にお
   いて、 前記第１のパターンと前記第２のパターンとには前記層
   間絶縁膜に対して選択的にエッチングされる材料を用い
   ることを特徴とする多層配線の形成方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の多層配線の形成方法にお
   いて、 前記層間絶縁膜にはシリコンと酸素との結合で骨格構造
   を構成し置換基に少なくとも水素を有する材料を用いる
   ことを特徴とする多層配線の形成方法。
4. 【請求項４】 請求項２記載の多層配線の形成方法にお
   いて、 前記層間絶縁膜にはシリコンと酸素との結合で骨格構造
   を構成し置換基に少なくとも水素を有する材料を用いる
   ことを特徴とする多層配線の形成方法。
5. 【請求項５】 請求項１記載の多層配線の形成方法にお
   いて、 前記層間絶縁膜には置換基にフッ素、アルキル基および
   芳香族炭化水素のうちの少なくとも１種を有することを
   特徴とする多層配線の形成方法。
6. 【請求項６】 請求項２記載の多層配線の形成方法にお
   いて、 前記層間絶縁膜には置換基にフッ素、アルキル基および
   芳香族炭化水素のうちの少なくとも１種を有することを
   特徴とする多層配線の形成方法。