JPH1140658A - 搬送トレイ体およびこれを用いた半導体レーザ製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハを所要に通りに収容することができ、
また収容したウエハの非電極形成部を遮蔽部材によって
容易にかつ確実に覆うことができる搬送トレイ体を提供
すること。 【解決手段】 ウエハが収容されるトレイ本体４０と、
トレイ本体４０に着脱自在に装着される遮蔽部材３８と
を備えた搬送トレイ体。遮蔽部材３８は、ウエハ２２に
おける電極形成部に対応して形成された電極形成用開口
５０と、ウエハ２２における非電極形成部に対応して設
けられた遮蔽部５２とを有している。遮蔽部材３８をト
レイ本体４０に装着すると、トレイ本体４０に収容され
たウエハ２２の電極形成部は、遮蔽部材３８の電極形成
用開口５０を通して外側に露呈し、ウエハ２２の非電極
形成部は、遮蔽部材３８の遮蔽部５２よって覆われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハを収容して
搬送するための搬送トレイ体およびこれを用いた半導体
レーザ製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体レーザの電極形成工程にお
いて、図９に示す半導体レーザ製造装置が使用されてい
る。この製造装置は、装置本体２と、装置本体２に回転
自在に装着されたターンテーブル４を有している。製造
装置がたとえばスパッタ装置である場合には、装置本体
２はスパッタ室を規定し、このスパッタ室内にターンテ
ーブル４が収容される。ターンテーブル４は、ターンテ
ーブル４上に周方向に間隔を置いて複数個、たとえば５
個の遮蔽治具６が載置される。図１０をも参照して、遮
蔽治具６は矩形状の治具本体８を有し、治具本体８に
は、たとえばスパッタリング処理すべきウエハ１０が長
手方向に２列でもって所定間隔を置いて複数枚、たとえ
ば６枚載置される。治具本体８にはその長手方向に遮蔽
部材１２が取付けられ、この遮蔽部材１２は、２列のウ
エハ１０の隣接する端部を遮蔽する。

【０００３】電極形成工程においては、ウエハ１０が収
容された遮蔽治具６がターンテーブル４上に載置され、
ターンテーブル４が所定方向、たとえば矢印１４（図１
０）で示す方向に回転駆動される。スパッタ室内、たと
えばターンテーブル４の上方にはターゲット（図示せ
ず）が設けられており、このターゲットから放出された
スパッタ電子がウエハ１０に付着することによって、ウ
エハ１０の表面にターゲット材料の薄膜が形成され、こ
のようにしてウエハ１０へのスパッタリング処理が行わ
れる。なお、ウエハ１０の一部に非電極形成部、すなわ
ちスパッタリング処理を施さない部位を設ける理由は、
後の電極フォトエッチング工程においてこの非電極形成
部をアライメントのために利用しているからである。

【０００４】半導体レーザの電極形成工程においては、
たとえば、ウエハ１０の電極形成部にチタン（Ｔｉ）、
チタン−ナイトライド（Ｔｉ−Ｎ）、チタン（Ｔｉ）お
よびアルミニウム（Ａｌ）の薄膜がこの順序で形成さ
れ、このことに関連して、スパッタ室内には、チタンか
らなるＴｉターゲットと、アルミニウムからなるＡｌタ
ーゲットとが配設される。そして、スパッタ処理の際に
は、まず、Ｔｉターゲットを用いたＴｉスパッタリング
処理が行われ、ウエハ１０上にチタン、チタン−ニッケ
ルおよびチタンの薄膜が連続スパッタリングによって形
成される。Ｔｉスパッタリング処理の後、ウエハ１０が
収容された遮蔽治具６は、スパッタ室より上流側の基板
加熱室に移動される。その後、上述した処理の際に使用
したガスを排出するとともにスパッタ室を高真空の状態
にするために、スパッタ室の排気が行われる。しかる
後、基板加熱室内の遮蔽治具（Ｔｉスパッタリング処理
が施されたウエハ１０が収容されている）がスパッタ室
に移動され、その後Ａｌターゲットを用いたＡｌスパッ
タリング処理が行われ、Ｔｉスパッタリング処理後のウ
エハ１０の表面にアルミニウムの薄膜が形成される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来、遮蔽治具６への
ウエハ１０のセットおよび取外しは、作業者によるピン
セットワークで行っており、それ故に、その作業が煩雑
であった。特に、遮蔽治具６の治具本体８にウエハ１０
を２列でもって所定間隔に配置する作業は熟練を要し、
ウエハ１０を正確に所定位置に位置付けることは容易で
ない。ウエハ１０の位置付けが正確でないときには、遮
蔽部材１２によってウエハ１０の特定部位（非電極形成
部）を正確に覆うことができず、スパッタ処理不良の原
因となる。また、半導体レーザの電極用ウエハ１０はそ
の厚さが非常に薄く、ピンセットワークが多いとウエハ
１０の割れ等が発生し易くなる。

【０００６】また、このような遮蔽治具６を用いる場合
には、図９および図１０から容易に理解される如く、遮
蔽治具６自体の取扱いが容易でなく、ウエハ１０が収容
された遮蔽治具６を搬送するには、搬送アーム等を用い
るようになる。しかし、搬送アーム等を用いる場合に
は、その構造が複雑かつ大型になる傾向にあり、特に遮
蔽治具６の重量が大きくなると搬送アーム等の強度を大
きくしなければならず、そのために搬送構造が大型化す
る問題がある。

【０００７】本発明の目的は、ウエハを所要に通りに収
容することができ、また収容したウエハの非電極形成部
を遮蔽部材によって容易にかつ確実に覆うことができる
搬送トレイ体を提供することである。

【０００８】本発明の他の目的は、ウエハを所定の位置
に正確に位置付け保持することができる搬送トレイ体を
提供することである。

【０００９】本発明のさらに他の目的は、ウエハを収容
した搬送トレイ体を所定位置に確実に保持することがで
き、これによってウエハに均一な処理を施すことができ
る半導体レーザ製造装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハが収容
されるトレイ本体と、前記トレイ本体に着脱自在に装着
される遮蔽部材とを備え、前記遮蔽部材は、前記ウエハ
における電極形成部に対応して形成された電極形成用開
口と、前記ウエハにおける非電極形成部に対応して設け
られた遮蔽部とを有しており、前記遮蔽部材を前記トレ
イ本体に装着すると、前記トレイ本体に収容されたウエ
ハの前記電極形成部は、前記遮蔽部材の前記電極形成用
開口を通して外側に露呈し、前記ウエハの前記非電極形
成部は、前記遮蔽部材の前記遮蔽部よって覆われること
を特徴とする搬送トレイ体である。

【００１１】本発明に従えば、処理すべきウエハが収容
される搬送トレイ体は、トレイ本体とこのトレイ本体に
装着される遮蔽部材とを具備している。また、遮蔽部材
は、電極形成用開口と、非電極形成部に対応する遮蔽部
とを有している。トレイ本体に遮蔽部材を装着すると、
トレイ本体に収容されたウエハの電極形成部は、電極形
成用開口を通して外側に露呈するので、この電極形成部
には、上記電極形成用開口を通して所定の処理が施され
る。これに対して、ウエハの非電極形成部は、遮蔽部材
の遮蔽部によって覆われるので、ウエハに対する処理が
この非電極形成部に行われることがない。かくのとおり
であるので、トレイ本体に遮蔽部材を装着するという簡
単な操作でもって、収容されたウエハの非電極形成部を
所要のとおりに覆うことができ、またウエハの搬送も搬
送トレイ体に収容した状態で行うことができる。

【００１２】また本発明は、前記トレイ本体には周方向
に間隔を置いて複数個の収容凹部が設けられ、前記ウエ
ハは前記複数個の収容凹部にそれぞれ収容され、前記遮
蔽部材の前記電極形成用開口は、前記搬送トレイ本体の
前記複数個の収容凹部に対応して設けられ、前記遮蔽部
材の前記遮蔽部は、前記電極形成用開口の半径方向内側
に設けられ、前記複数個の収容凹部に収容された前記ウ
エハの一端部を覆うことを特徴とする。

【００１３】本発明に従えば、トレイ本体には複数の収
容凹部が設けられているので、処理すべきウエハを各収
容凹部に収容することによって所定位置に位置付けるこ
とができる。また、電極形成用開口は収容凹部に対応し
て設けられ、遮蔽部材の遮蔽部は上記電極形成開口の半
径方向内側に設けられているので、この遮蔽部はトレイ
本体に収容されたウエハの半径方向内側の一端部を覆う
ようになる。それ故に、収容された複数枚のウエハの一
端部を容易にかつ確実に覆うことができる。

【００１４】また本発明は、ウエハが収容されるトレイ
本体を備え、前記トレイ本体には収容凹部が形成され、
前記収容凹部の底面は下方に向けて傾斜しており、前記
ウエハを前記収容凹部に収容すると、前記ウエハは前記
収容凹部の傾斜底面に沿って下方側に移動し、前記ウエ
ハの一端部が前記傾斜底面の下縁を基準にして所定位置
に位置付け保持されることを特徴とする搬送トレイ体で
ある。

【００１５】本発明に従えば、トレイ本体に収容凹部が
形成され、この収容凹部の底面が下方に向けて傾斜して
延びている。それ故に、収容凹部にウエハを収容する
と、収容されたウエハは自重によって上記傾斜底面に沿
って下方に移動し、ウエハの一端部がこの傾斜底面の下
縁を基準にして所定位置に保持される。したがって、特
別な位置付け操作等を行うことなくウエハを所定位置に
位置付け保持することができる。

【００１６】また本発明は、前記収容凹部は前記トレイ
本体に周方向に間隔を置いて複数個設けられ、前記収容
凹部の前記傾斜底面は、前記トレイ本体の半径方向内方
に向けて下方に傾斜して延びており、前記ウエハを前記
収容凹部に収容すると、前記ウエハは前記傾斜底面に沿
って半径方向内方に移動して所定位置に位置付け保持さ
れることを特徴とする。

【００１７】本発明に従えば、収容凹部はトレイ本体に
周方向に間隔を置いて設けられ、これら収容凹部の傾斜
底面は半径方向内方に向けて下方に傾斜して延びてい
る。したがって、処理すべきウエハは、トレイ本体の半
径方向内側である一端部を基準にして各収容凹部に収容
され、たとえばトレイ本体の略中央部に遮蔽部材を装着
することによって、処理すべき複数のウエハ全ての一端
部を正確かつ確実に覆うことができる。

【００１８】また本発明は、処理すべきウエハを収容す
る搬送トレイ体と、前記搬送トレイ体を処理室に搬送す
るための搬送機構と、前記処理室に対応して設けられ、
前記搬送トレイ体を所定処理位置に保持するための保持
機構とを備え、前記保持機構は前記搬送トレイ体を保持
するための保持部材を有し、前記保持部材には前記搬送
トレイ体を所定処理位置に案内するための案内面が形成
されていることを特徴とする半導体レーザ製造装置であ
る。

【００１９】本発明に従えば、搬送トレイ体を保持する
ための保持機構は、案内面が形成された保持部材を有し
ているので、保持機構に載置される搬送トレイ体は案内
面に案内されながら保持部材に載置されるようになり、
したがって搬送トレイ体は保持機構に載置されると案内
面によって案内される所定処理位置に正確に位置付けら
れる。

【００２０】さらに本発明は、前記搬送トレイ体は円形
状であり、前記保持部材は周方向に実質上等間隔を置い
て３個設けられ、前記保持部材の各々に、保持される前
記搬送トレイ体の半径方向内方に向けて下方に傾斜する
傾斜案内面が設けられ、前記搬送トレイ体は、前記保持
部材の前記傾斜案内面に案内されて前記所定処理位置に
保持されることを特徴とする。

【００２１】本発明に従えば、保持部材は周方向に間隔
を置いて３個設けられ、各保持部材の傾斜案内面は半径
方向内方に向けて下方に傾斜して延びている。それ故
に、搬送トレイ体を保持部材に保持させる際には、搬送
トレイ体がこれら傾斜案内面に沿って案内されてセンタ
リングされ、所定処理位置に正確にセンタリングされた
状態で保持部材に保持される。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に従う搬送トレイ体
およびこれを用いた半導体レーザ製造装置を、さらに詳
細に説明する。

【００２３】図１は、本発明に従う半導体レーザ製造装
置によって処理されるウエハを示す斜視図であり、図２
は上記半導体レーザ製造装置によって処理されたウエハ
を示す正面図である。

【００２４】この実施形態で用いられる図示のウエハは
２２は矩形状であり、その大きさは、たとえば縦（図１
および図２において左右方向の長さ）２３ｍｍ×横（図
１において左下から右上の方向、図２において紙面に垂
直な方向）４５ｍｍ程度である。後述する如くして電極
を形成する前に、半導体ウエハ２２の片面、すなわちワ
イヤボンド面上に、通常のスパッタリング法によって、
金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）のスパッタリングが施され、そ
の後、図２から理解されるとおり、チタン（Ｔｉ）、チ
タン−ナイトライド（Ｔｉ−Ｎ）、チタン（Ｔｉ）およ
びアルミニウム（Ａｌ）のスパッタリングがそれぞれ施
され、これによってウエハ２２の片面上に、チタン層２
４、チタン−ニッケル層２６、チタン層２８およびアル
ミニウム層３０の薄膜が順次形成される。さらに、ウエ
ハ２２の他面、すなわちダイボンド面上に、金−ゲルマ
ニウム（Ａｕ−Ｇｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン
（Ｍｏ）および金（Ａｕ）のスパッタリングがそれぞれ
行われる。

【００２５】このウエハ２２を利用して半導体レーザを
製作する場合、ウエハ２２の片面上の大部分、すなわち
Ｔｉスパッタリング処理が施される領域が電極形成部３
２となり、その片面の残部、すなわちＴｉスパッタリン
グ処理が施されない領域３４が非電極形成部となり、電
極形成部３２に後述する如くしてチタン層２４、チタン
−ナイトライド層２６、チタン層２８およびアルミニウ
ム層３０が形成される。このようにウエハ２２の一端部
にＴｉスパッタリング処理を施さない理由は、後の電極
フォトエッチング工程においてこの細長い非電極形成部
３４を利用してウエハ２２のアライメントを行った後に
電極のパターンニングを行うためである。

【００２６】図３は、上述したウエハ２２が収容搬送さ
れる搬送トレイ体３６を示し、図４は搬送トレイ体３６
の遮蔽部材３８を示している。図３および図４を参照し
て、図示の搬送トレイ体３６は、外形が円形状のトレイ
本体４０を備え、遮蔽部材３８はこのトレイ本体４０に
着脱自在に装着される。トレイ本体４０は、たとえば石
英から形成される。トレイ本体４０の上面には、周方向
に所定の間隔を置いて複数個、この実施形態では６個の
収容凹部４４（図３において２個示す）が形成されてい
る。各収容凹部４４は、ウエハ２２の外形に対応した矩
形状であり、その長手方向が半径方向外方に延びてい
る。収容凹部４４には処理すべきウエハ２２、この実施
形態ではスパッタリング処理すべきウエハ２２が収容さ
れ、このように収容することによって、ウエハ２２は所
定位置に位置付け保持される。ウエハ２２を収容凹部４
２に収容すると、このウエハ２２の上部が上記収容凹部
４２から上方に突出する。

【００２７】図示の遮蔽部材３８は、トレイ本体４２に
対応した円形状であり、その直径は、トレイ本体４２と
実質上等しく、たとえば１６０ｍｍ程度である。この実
施形態では、トレイ本体４０の外周部には環状突起４６
が形成され、また遮蔽部材３８の外周部には、上記環状
突起４６と嵌合する環状凹部４８が形成され、上記環状
突起４６と上記環状凹部４８とを嵌合させることによっ
て、トレイ本体３６に遮蔽部材３８が着脱自在に取付け
られる（図５参照）。この遮蔽部材３８は、スパッタリ
ング処理時の磁力の影響を考慮して、たとえば非磁性の
ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３０４）等から形
成される。

【００２８】主として図４を参照して、遮蔽部材３８に
は、周方向に間隔を置いて複数個、この形態では６個の
電極形成用開口５０が形成されている。これら電極形成
用開口５０は、ウエハ２２が収容される収容凹部４２に
対応して配設され、その形状は、処理すべきウエハ２２
の電極形成部３２（図１）の形状に対応している。ま
た、遮蔽部材３８の電極形成用開口５０の半径方向内側
に細長い遮蔽部５２（図３、図５参照）が一体的に設け
られている。これら遮蔽部５２は、下方に向けて突出し
ており、その形状は、処理すべきウエハ２２の非電極形
成部３４（図１）の形状に対応している。

【００２９】このように構成されているので、トレイ本
体４０に遮蔽部材３８を取付けると、図５に示すとお
り、トレイ本体４０の収容凹部４２に収容されたウエハ
２２の電極形成部３２は、遮蔽部材３８に形成された電
極形成用開口５０を通して外側に露呈する。これに対し
て、上記ウエハ２２の非電極形成部３４には、遮蔽部材
３８の遮蔽部５２が実質上接触し、この遮蔽部５２によ
って上記非電極形成部３４が覆われる。このように遮蔽
部材３８をトレイ本体４０に装着するという簡単な操作
でもって、トレイ本体４０に収容された複数枚のウエハ
２２の非電極形成部３４を所要のとおりに覆うことがで
きる。

【００３０】このようにウエハ２２が収容された搬送ト
レイ体３６は、スパッタリング処理を行う際には、半導
体レーザ製造装置としてのスパッタリング装置に搬送さ
れる。図５を参照して、図示のスパッタリング装置は、
スパッタ室内にて搬送トレイ体３６を保持するための保
持機構５４を備えている。保持機構５４は、スパッタ室
のスパッタリング域に対応して設けられている。スパッ
タリング装置は、図示していないが、吸引搬送機構を備
えている。吸引搬送機構は、搬送アームの先端部に設け
られた吸引部材を有し、この吸引部材のの吸引作用によ
って、供給域にスタックされた搬送トレイ体３６（この
搬送トレイ体３６には処理前のウエハ２２が収容されて
いる）を第１スパッタ室、第２スパッタ室および排出域
に搬送し、排出域にて処理後のウエハ２２が収容された
搬送トレイ体３６がスタックされる。

【００３１】図示の保持機構５４は、Ｔｉスパッタリン
グ処理が行われる第１スパッタ室およびＡｌスパッタリ
ング処理が行われる第２スパッタ室のスパッタリング域
に対応して設けられた保持部材５６を備えている。この
実施形態では、保持部材５６は、周方向に実質上等間隔
を置いて３個設けられ（図５において２個示す）、各保
持部材５６の内側部、すなわち搬送トレイ体３６を支持
する部位には、実質上平坦で水平に延びる載置部５８が
設けられ、またその外側部には上方に延びる案内部６０
が設けられている。各案内部６０には、搬送トレイ体３
６を案内するための案内面６２が形成されており、この
案内面６２は、搬送トレイ体３６の半径方向内方に向け
て下方に傾斜して延びている。このように傾斜案内面６
２が形成されているので、搬送機構（図示せず）の搬送
アームの作用によって保持機構５４に搬送トレイ体３６
を載置する際には、搬送トレイ体３６は保持部材５６の
案内面６２の沿って案内され、下方に移動するにしたが
ってその中央部に位置するようにセンタリングされる。
そして、保持部材５６の載置部５８上に載置されると、
搬送トレイ体３６は、保持機構５４の中央部にセンタリ
ングされて所定の処理位置に位置付けられる。このよう
にウエハ２２を収容した搬送トレイ体３６が所定の処理
位置に正確に保持されるので、これらウエハ２２に対し
て実質上均一なスパッタリング処理が可能となる。な
お、この搬送トレイ体３６においては、遮蔽部材３８の
中央部に、図４に示すとおりの略６角形状の中央接続部
６４が存在するので、搬送アームの吸引部材（図示せ
ず）によって吸引保持するときには、この中央接続部６
４を利用して吸引保持することができる。また、図示の
保持部材５６は保持ロッド６６を介して単に支持してい
るのみであるが、この保持ロッド６６を伸張、収縮自在
に設け、スパッタリング処理時に保持ロッド６６を伸張
させて保持部材５６を上昇させるようにすることもでき
る。

【００３２】第１のスパッタ室には、ターゲットとして
Ｔｉターゲット（図示せず）が配設され、ウエハ２２
は、まず、第１のスパッタ室の保持機構５４に保持さ
れ、この保持機構５４に保持された状態でＴｉスパッタ
リング処理が施され、これによってウエハ２２の表面に
チタン層２４、チタン−ナイトライド層２６およびチタ
ン層２８（図２）がこの順序で形成される。第２のスパ
ッタ室には、ターゲットとしてＡｌターゲットが配設さ
れ、Ｔｉスパッタリング処理されたウエハ２２は、次い
で、第２スパッタ室の保持機構５４に保持され、この保
持機構５４に保持された状態でＡｌスパッタリング処理
が施され、これによってウエハ２２のチタン層２８の上
面にアルミニウム層３０（図２）が形成される。第１ス
パッタ室におけるＴｉスパッタリング処理および第２ス
パッタ室におけるＡｌスパッタリング処理は、遮蔽部材
３８の電極形成用開口５０を通して行われるので、これ
らスパッタリングによって形成される薄膜は、ウエハ２
２の電極形成部３２（図１）に形成され、その非電極形
成部３４（図１）に形成されることはない。

【００３３】図６は、搬送トレイ体の変形形態を示し、
図７は変形形態の搬送トレイ体のトレイ本体を示し、図
８は変形形態の搬送トレイ体の遮蔽部材を示している。

【００３４】図６〜図８において、図示の搬送トレイ体
１０２は、円板上のトレイ本体１０４と、このトレイ本
体１０４に着脱自在に装着される遮蔽部材１０６とを備
えている。トレイ本体１０４は、たとえば石英から形成
される。トレイ本体１０４の上面には、周方向に所定の
間隔を置いて６個の収容凹部１０６が形成されている。
各収容凹部１０６は、収容されるウエハ１０８の外形に
対応した矩形状であり、その長手方向が半径方向外方に
延びている。この変形形態では、各収容凹部１０６の底
面１０６ａは、トレイ本体１０４の半径方向内方に向け
て下方に傾斜して延びている。このように収容凹部１０
６の底面１０６ａを傾斜させることによって、収容凹部
１０６に収容されたウエハ１０８は自重によって傾斜底
面１０６ａに沿って半径方向内方に移動し、図６に示す
ように、ウエハ１０８の一端部が収容凹部１０６の傾斜
底面１０６ａの下縁（半径方向内側の端縁）に実質上一
致するように、この下縁を基準にして所定位置に位置付
け保持され、図３〜図５に示す搬送トレイ体３６に比し
てより正確にウエハを所定位置に位置付け保持すること
ができる。

【００３５】図示の遮蔽部材１１０は、トレイ本体１０
４の中央部の形状にほぼ対応した六角形状であり、その
６つの縁部には、幾分下方に突出した遮蔽部１１２が一
体的に設けられている。この遮蔽部１１２は、収容され
るウエハ１０８の非電極形成部の形状に対応している。
遮蔽部材１１２は、トレイ本体１０４の中央取付突部１
１４に着脱自在に取付けられる。そして、このように取
付けると、図６に示すとおり、遮蔽部材１１０の遮蔽部
１１２がウエハ１０８の一端部に存在する非電極形成部
に実質上接触してその表面を覆い、したがってスパッタ
リング処理した際にもこの非電極形成部にスパッタリン
グ薄膜が形成されることはない。

【００３６】この変形形態では、収容凹部１０６の底面
１０６ａが半径方向に内方に向けて下方に傾斜して形成
され、ウエハ１０８は半径方向内側の端部を基準として
位置付け保持される。また、遮蔽部材１１０はトレイ本
体１０４の中央部に装着され、遮蔽部材１１０の遮蔽部
１１２は、ウエハ１０８の基準となる内側端部を覆うよ
うに構成されている。したがって、遮蔽部材１１０をト
レイ本体１０４に装着することによってウエハ１０８の
非電極形成部を正確にかつ確実に覆うことができる。な
お、この変形形態においても、遮蔽部材１１０の全体が
図８に示すように六角形状であるので、たとえば搬送ア
ームの吸引部材によって吸引保持するときには、この遮
蔽部材１１０を吸引保持することができる。

【００３７】以上、本発明に従う搬送トレイ体および半
導体レーザ製造装置の実施形態について説明したが、本
発明はこれら実施形態に限定されるものではなく、本発
明の範囲を逸脱することなく種々の変形、修正が可能で
ある。

【００３８】たとえば、実施形態の搬送トレイ体におい
ては、トレイ本体に周方向に間隔をおいて６個の収容凹
部を設けているが、これに限定されることなく、７個以
上設けるようにしてもよく、また５個以下であってもよ
い。

【００３９】また、たとえば、図示の実施形態では、ト
レイ本体に形成された収容凹部の底面は半径方向内方に
向けて下方に傾斜して延びているが、これとは反対に、
収容凹部の底面を半径方向外方に向けて下方に傾斜する
ように形成することもでき、この場合には、収容された
ウエハは半径方向外側の端部を基準として位置付け保持
される。

【００４０】

【発明の効果】本発明の請求項１の搬送トレイ体によれ
ば、処理すべきウエハが収容される搬送トレイ体は、ト
レイ本体とこのトレイ本体に装着される遮蔽部材とを具
備している。また、遮蔽部材は、電極形成用開口と、非
電極形成部に対応する遮蔽部とを有している。トレイ本
体に遮蔽部材を装着すると、トレイ本体に収容されたウ
エハの電極形成部は、電極形成用開口を通して外側に露
呈するので、この電極形成部には、上記電極形成用開口
を通して所定の処理が施される。これに対して、ウエハ
の非電極形成部は、遮蔽部材の遮蔽部によって覆われる
ので、ウエハに対する処理がこの非電極形成部に行われ
ることがない。かくのとおりであるので、トレイ本体に
遮蔽部材を装着するという簡単な操作でもって、収容さ
れたウエハの非電極形成部を所要のとおりに覆うことが
でき、またウエハの搬送も搬送トレイ体に収容した状態
で行うことができる。

【００４１】また本発明の請求項２の搬送トレイ体によ
れば、トレイ本体には複数の収容凹部が設けられている
ので、処理すべきウエハを各収容凹部に収容することに
よって所定位置に位置付けることができる。また、電極
形成用開口は収容凹部に対応して設けられ、遮蔽部材の
遮蔽部は上記電極形成開口の半径方向内側に設けられて
いるので、この遮蔽部はトレイ本体に収容されたウエハ
の半径方向内側の一端部を覆うようになる。それ故に、
収容された複数枚のウエハの一端部を容易にかつ確実に
覆うことができる。

【００４２】また本発明の請求項３の搬送トレイ体によ
れば、トレイ本体に収容凹部が形成され、この収容凹部
の底面が下方に向けて傾斜して延びている。それ故に、
収容凹部にウエハを収容すると、収容されたウエハは自
重によって上記傾斜底面に沿って下方に移動し、ウエハ
の一端部がこの傾斜底面の下縁を基準にして所定位置に
保持される。したがって、特別な位置付け操作等を行う
ことなくウエハを所定位置に位置付け保持することがで
きる。

【００４３】また本発明の請求項４の搬送トレイ体によ
れば、収容凹部はトレイ本体に周方向に間隔を置いて設
けられ、これら収容凹部の傾斜底面は半径方向内方に向
けて下方に傾斜して延びている。したがって、処理すべ
きウエハは、トレイ本体の半径方向内側である一端部を
基準にして各収容凹部に収容され、たとえばトレイ本体
の略中央部に遮蔽部材を装着することによって、処理す
べき複数のウエハ全ての一端部を正確かつ確実に覆うこ
とができる。

【００４４】また本発明の請求項５の半導体レーザ製造
装置によれば、搬送トレイ体を保持するための保持機構
は、案内面が形成された保持部材を有しているので、保
持機構に載置される搬送トレイ体は案内面に案内されな
がら保持部材に載置されるようになり、したがって搬送
トレイ体は保持機構に載置されると案内面によって案内
される所定処理位置に正確に位置付けられる。

【００４５】さらに本発明の請求項６の半導体レーザ製
造装置によれば、保持部材は周方向に間隔を置いて３個
設けられ、各保持部材の傾斜案内面は半径方向内方に向
けて下方に傾斜して延びている。それ故に、搬送トレイ
体を保持部材に保持させる際には、搬送トレイ体がこれ
ら傾斜案内面に沿って案内されてセンタリングされ、所
定処理位置に正確にセンタリングされた状態で保持部材
に保持される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う半導体レーザ製造装置によって処
理されるウエハを示す斜視図である。

【図２】本発明に従う半導体レーザ製造装置によって処
理されたウエハを示す正面図である。

【図３】本発明に従う搬送トレイ体を分解して示す断面
図である。

【図４】図３の搬送トレイ体の遮蔽部材を内側から見た
ところを示す背面図である。

【図５】本発明に従う半導体レーザ製造装置の一実施形
態の要部を示す断面図である。

【図６】搬送トレイ体の変形形態を示す断面図である。

【図７】図６の搬送トレイ体のトレイ本体を示す平面図
である。

【図８】図６の搬送トレイ体の遮蔽部材を内側から見た
ところを示す背面図である。

【図９】従来の半導体レーザ製造装置の一例の要部を簡
略的に示す平面図である。

【図１０】従来の遮蔽治具を示す平面図である。

【符号の説明】

２２，１０８ ウエハ ３２ 電極形成部 ３４ 非電極形成部 ３６，１０２ 搬送トレイ体 ３８，１１０ 遮蔽部材 ４０，１０４ トレイ本体 ４２，１０６ 収容凹部 ５０ 電極形成用開口 ５２，１１２ 遮蔽部 ５４ 保持機構 ５６ 保持部材 ６２ 案内面

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハが収容されるトレイ本体と、前記
   トレイ本体に着脱自在に装着される遮蔽部材とを備え、
   前記遮蔽部材は、前記ウエハにおける電極形成部に対応
   して形成された電極形成用開口と、前記ウエハにおける
   非電極形成部に対応して設けられた遮蔽部とを有してお
   り、前記遮蔽部材を前記トレイ本体に装着すると、前記
   トレイ本体に収容されたウエハの前記電極形成部は、前
   記遮蔽部材の前記電極形成用開口を通して外側に露呈
   し、前記ウエハの前記非電極形成部は、前記遮蔽部材の
   前記遮蔽部よって覆われることを特徴とする搬送トレイ
   体。
2. 【請求項２】 前記トレイ本体には周方向に間隔を置い
   て複数個の収容凹部が設けられ、前記ウエハは前記複数
   個の収容凹部にそれぞれ収容され、前記遮蔽部材の前記
   電極形成用開口は、前記搬送トレイ本体の前記複数個の
   収容凹部に対応して設けられ、前記遮蔽部材の前記遮蔽
   部は、前記電極形成用開口の半径方向内側に設けられ、
   前記複数個の収容凹部に収容された前記ウエハの一端部
   を覆うことを特徴とする請求項１記載の搬送トレイ組立
   体。
3. 【請求項３】 ウエハが収容されるトレイ本体を備え、
   前記トレイ本体には収容凹部が形成され、前記収容凹部
   の底面は下方に向けて傾斜しており、前記ウエハを前記
   収容凹部に収容すると、前記ウエハは前記収容凹部の傾
   斜底面に沿って下方側に移動し、前記ウエハの一端部が
   前記傾斜底面の下縁を基準にして所定位置に位置付け保
   持されることを特徴とする搬送トレイ体。
4. 【請求項４】 前記収容凹部は前記トレイ本体に周方向
   に間隔を置いて複数個設けられ、前記収容凹部の前記傾
   斜底面は、前記トレイ本体の半径方向内方に向けて下方
   に傾斜して延びており、前記ウエハを前記収容凹部に収
   容すると、前記ウエハは前記傾斜底面に沿って半径方向
   内方に移動して所定位置に位置付け保持されることを特
   徴とする請求項３記載の搬送トレイ体。
5. 【請求項５】 処理すべきウエハを収容する搬送トレイ
   体と、前記搬送トレイ体を処理室に搬送するための搬送
   機構と、前記処理室に対応して設けられ、前記搬送トレ
   イ体を所定処理位置に保持するための保持機構とを備
   え、 前記保持機構は前記搬送トレイ体を保持するための保持
   部材を有し、前記保持部材には前記搬送トレイ体を所定
   処理位置に案内するための案内面が形成されていること
   を特徴とする半導体レーザ製造装置。
6. 【請求項６】 前記搬送トレイ体は円形状であり、前記
   保持部材は周方向に実質上等間隔を置いて３個設けら
   れ、前記保持部材の各々に、保持される前記搬送トレイ
   体の半径方向内方に向けて下方に傾斜する傾斜案内面が
   設けられ、前記搬送トレイ体は、前記保持部材の前記傾
   斜案内面に案内されて前記所定処理位置に保持されるこ
   とを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ製造装置。