JPH114055A - Flexible circuit board - Google Patents

Flexible circuit board

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Publication number
JPH114055A
JPH114055A JP1906098A JP1906098A JPH114055A JP H114055 A JPH114055 A JP H114055A JP 1906098 A JP1906098 A JP 1906098A JP 1906098 A JP1906098 A JP 1906098A JP H114055 A JPH114055 A JP H114055A
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JP
Japan
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circuit board
flexible circuit
adhesive
polyimide film
aromatic polyimide
Prior art date
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Pending
Application number
JP1906098A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Inoue
浩 井上
Akinori Otani
明範 大谷
Hiroshi Yasuno
弘 安野
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH114055A publication Critical patent/JPH114055A/en
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance a flexible circuit board in punchability keeping it high in adhesiveness and dimensional stability by a method wherein a conductor is laminated on the one side of an aromatic polyimide film, which is specified in thickness and relative edge rupture resistance value and lower in volatile matter content than a specific value, directly or through the intermediary of adhesive agent, and then a circuit is formed. SOLUTION: A conductor is laminated, at least, on the one side of an aromatic polyimide film, which is 10 to 125 μm in thickness, of relative edge rupture resistance 22 kg/20 mm/10 μm, and lower than 0.4 wt.% in volatile matter content, directly or through the intermediary of adhesive agent, and a circuit is formed. At this point, the aromatic polyimide film is manufactured through such a manner that 15 mol.% biphenyl tetracarboxylic acid component or aromatic tetracarboxylic acid component which contains its di-anhydride or ester and 5 mol.% aromatic diamine component which contains phenylene diamine are made to react on each other. By this setup, a flexible circuit board of this constitution can be improved in punchability keeping high in adhesiveness and dimensional stability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、厚みが10〜1
25μmで、11〜22kg/20mm/10μmの比
端裂抵抗値を持ち、かつ揮発物含有量が0.4重量%以
下である打ち抜き性の良好な芳香族ポリイミドフィルム
の少なくとも片面に、直接あるいは接着剤を介して導電
体を積層したのち、回路を形成してなるフレキシブル回
路基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
Directly or adhered to at least one side of a punchable aromatic polyimide film having a specific edge resistance of 11 to 22 kg / 20 mm / 10 μm at 25 μm and a volatile content of 0.4% by weight or less. The present invention relates to a flexible circuit board formed by laminating a conductor through an agent and then forming a circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、フレキシブル回路基板としては芳
香族ポリイミドフィルムの片面あるいは両面に直接ある
いは接着剤を介して銅箔等の導電体層を積層したのち、
回路を形成したものが一般的である。この芳香族ポリイ
ミドは、テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分と
から製造されるポリアミック酸を高温に加熱して脱水環
化することにより得られる耐熱性や機械的特性の優れた
ポリマ−である。しかしながら、フレキシブル回路基板
に用いられる芳香族ポリイミドフィルムには、更なる高
精度化および高生産性の要求からより高い打ち抜き性が
要求される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a flexible circuit board, a conductor layer such as a copper foil is laminated directly or through an adhesive on one or both sides of an aromatic polyimide film.
Generally, a circuit is formed. This aromatic polyimide is a polymer excellent in heat resistance and mechanical properties obtained by heating a polyamic acid produced from a tetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component to a high temperature to effect dehydration cyclization. However, the aromatic polyimide film used for the flexible circuit board is required to have higher punchability in order to achieve higher precision and higher productivity.

【0003】特開平6−334110号公報には、端裂
抵抗が50〜70kgf/20mmのポリイミドフィル
ムは打ち抜き性が優れていることを明らかにしている。
そして更に、そのポリイミドフィルムは何%程度の吸湿
性溶媒が残存していなければならない旨述べられてい
る。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-334110 discloses that a polyimide film having an edge crack resistance of 50 to 70 kgf / 20 mm has excellent punching properties.
Further, it is stated that the polyimide film must have some% of a hygroscopic solvent remaining.

【0004】フレキシブル回路基板のような電子部品と
しての耐熱性、電気絶縁性とともに機械的強度、特に引
張弾性率や低線膨張係数への高い要求を考慮し、芳香族
ポリイミドフィルムは、テトラカルボン酸成分としてビ
フェニルテトラカルボン酸成分を含むものを利用し、ま
た芳香族ジアミン成分としてフェニレンジアミン成分を
含むものを利用して製造することが好ましい。また、銅
箔などのような金属導電性シ−トと接着剤とを用いて貼
り合わせた積層体から回路を形成するためには、芳香族
ポリイミドフィルムは、その公知のポリアミド系接着
剤、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤など
の接着剤に対して高い接着性を示す必要がある。
In consideration of heat resistance and electrical insulation as an electronic component such as a flexible circuit board, as well as mechanical strength, in particular, high requirements for tensile modulus and low linear expansion coefficient, an aromatic polyimide film is made of tetracarboxylic acid. It is preferable to use a component containing a biphenyltetracarboxylic acid component as a component and a component containing a phenylenediamine component as an aromatic diamine component. Further, in order to form a circuit from a laminate bonded using a metal conductive sheet such as a copper foil and an adhesive, an aromatic polyimide film may be formed using a known polyamide-based adhesive or epoxy. It is necessary to exhibit high adhesiveness to an adhesive such as a resin adhesive or an acrylic resin adhesive.

【0005】しかしながら本発明者の研究によると、上
記の特開平6−334110号公報に記載の技術は、テ
トラカルボン酸成分としてビフェニルテトラカルボン酸
成分を含むものを利用し、また芳香族ジアミン成分とし
てフェニレンジアミン成分を含むものを利用して製造す
る芳香族ポリイミドフィルムに対しては充分満足できる
特性を付与することができないことが判明した。
However, according to the study of the present inventors, the technique described in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-334110 utilizes a component containing a biphenyltetracarboxylic acid component as a tetracarboxylic acid component, and uses an aromatic diamine component as a component. It has been found that it is not possible to impart satisfactory properties to an aromatic polyimide film produced using a material containing a phenylenediamine component.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、基
板フィルムとして、打ち抜き性が良好でしかも接着性お
よび寸法安定性を保持した芳香族ポリイミドフィルムを
使用したフレキシブル回路基板を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a flexible circuit board using an aromatic polyimide film which has good punching properties and maintains adhesiveness and dimensional stability as a substrate film. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、厚みが10
〜125μmの芳香族ポリイミドフィルムであって、該
芳香族ポリイミドフィルムが11〜22kg/20mm
/10μmの比端裂抵抗値を持ち、かつ揮発物含有量が
0.4重量%以下である芳香族ポリイミドフィルムの少
なくとも片面に、直接あるいは接着剤を介して導電体を
積層したのち、回路を形成してなるフレキシブル回路基
板に関する。
According to the present invention, the thickness is 10
To 125 μm, wherein the aromatic polyimide film is 11 to 22 kg / 20 mm
After laminating a conductor directly or via an adhesive on at least one side of an aromatic polyimide film having a specific crack resistance of / 10 μm and a volatile matter content of 0.4% by weight or less, a circuit is formed. The present invention relates to a flexible circuit board formed.

【0008】この明細書において、端裂抵抗値(あるい
は比端裂抵抗値)はJIS C2318に従って測定し
た試料(5個)の端裂抵抗(あるいは比端裂抵抗)の平
均値を意味する。具体的には、定速緊張形引張試験機の
上部厚さ1.00±0.05mmのV字形切り込み板試
験金具の中心線を上部つかみの中心線に一致させ、切り
込み頂点と下部つかみとの間隔を約30mmになるよう
に柄を取りつける。幅約20mm、長さ約200mmの
試験片を金具の穴部に通して二つに折り合わせて試験機
の下部のつかみにはさみ、1分間につき約200mmの
速さで引張り、引き裂けたときの力を端裂抵抗という。
試験片を縦方向及び横方向からそれぞれ全幅にわたって
5枚とり、端裂抵抗の平均値を求め、端裂抵抗値として
示す。比端裂抵抗値はフィルム厚み当たり(10mm換
算)の端裂抵抗値を示す。
[0008] In this specification, the crack resistance (or specific crack resistance) means the average value of the crack resistance (or specific crack resistance) of samples (5 pieces) measured according to JIS C2318. Specifically, the center line of the V-shaped notch plate test bracket having the upper thickness of 1.00 ± 0.05 mm of the constant-speed tension-type tensile tester was made to coincide with the center line of the upper grip, and the top of the cut and the lower grip were Attach the handle so that the interval is about 30 mm. A test piece with a width of about 20 mm and a length of about 200 mm is passed through the hole of the bracket, folded into two parts, clamped at the lower part of the tester, pulled at a speed of about 200 mm per minute, and pulled apart. Is called end tear resistance.
Five test pieces were taken from the longitudinal direction and the lateral direction over the entire width, respectively, and the average value of the end crack resistance was determined and shown as the end crack resistance value. The specific tear resistance is a tear resistance per film thickness (converted to 10 mm).

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下に本発明の主たる好ましい態
様を列記する。 1)芳香族ポリイミドフィルムが少なくとも15モル%
のビフェニルテトラカルボン酸もしくはその二無水物ま
たはエステルを含む芳香族テトラカルボン酸成分と、少
なくとも5モル%のフェニレンジアミンを含む芳香族ジ
アミン成分との反応によって製造されたポリイミドから
なる上記のフレキシブル回路基板。 2)芳香族ポリイミドフィルムの比端裂抵抗値が11〜
15kg/20mm/10μmの範囲にある上記のフレ
キシブル回路基板。 3)芳香族ポリイミドフィルムの揮発物含有量が0.1
−0.35重量%、特に0.1−0.3重量%、そのな
かでも特に0.1−0.2重量%である上記のフレキシ
ブル回路基板。 4)芳香族ポリイミドフィルムの少なくとも片面を含む
層が更に0.1〜3重量%の無機フィラ−を含有する上
記のフレキシブル回路基板。 5)芳香族ポリイミドフィルムの表面が表面処理剤処
理、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射、グロ−放
電処理、プラズマ処理のいずれか1つ以上の表面処理が
されている上記のフレキシブル回路基板。 6)芳香族ポリイミドフィルムの吸水率が0.5−1.
8%、引張弾性率が450−1000Kg/mm2 そし
て線膨張係数(50〜200℃)が0.6×10-5
2.5×10-5cm/cm/℃以下である上記のフレキ
シブル回路基板。 7)芳香族ポリイミドフィルムの絶縁破壊電圧が3KV
以上であって、体積抵抗率(25℃)が1×1015Ω・
cm以上である上記のフレキシブル回路基板。 8)接着剤が、熱可塑性接着剤もしくは熱硬化性接着剤
である上記のフレキシブル回路基板。 9)接着剤が、ポリイミドシロキサン−エポキシ樹脂−
エポキシ硬化剤の高耐熱性で低誘電性の熱硬化性接着剤
である上記のフレキシブル回路基板。 10)接着剤が、芳香族ポリイミドフィルムに接着剤溶
液を塗布した後に乾燥して設けられたもの、あるいは保
護フィルムに設けた接着剤を芳香族ポリイミドフィルム
に貼り合わせて設けられたものである上記のフレキシブ
ル回路基板。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The main preferred embodiments of the present invention are listed below. 1) At least 15 mol% of the aromatic polyimide film
The above flexible circuit board comprising a polyimide produced by reacting an aromatic tetracarboxylic acid component containing biphenyltetracarboxylic acid or a dianhydride or an ester thereof with an aromatic diamine component containing at least 5 mol% of phenylenediamine. . 2) The specific tear resistance of the aromatic polyimide film is 11 to 11
The above flexible circuit board in the range of 15 kg / 20 mm / 10 μm. 3) The volatile matter content of the aromatic polyimide film is 0.1
The above-mentioned flexible circuit board having -0.35% by weight, particularly 0.1-0.3% by weight, and especially 0.1-0.2% by weight. 4) The flexible circuit board as described above, wherein the layer containing at least one surface of the aromatic polyimide film further contains 0.1 to 3% by weight of an inorganic filler. 5) The flexible circuit board as described above, wherein the surface of the aromatic polyimide film has been subjected to any one or more of surface treatment treatment, corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation, glow discharge treatment, and plasma treatment. 6) The water absorption of the aromatic polyimide film is 0.5-1.
8%, a tensile modulus of 450-1000 kg / mm 2 and a coefficient of linear expansion (50-200 ° C.) of 0.6 × 10 −5
The above flexible circuit board having a density of 2.5 × 10 −5 cm / cm / ° C. or less. 7) Dielectric breakdown voltage of aromatic polyimide film is 3KV
The volume resistivity (25 ° C.) is 1 × 10 15 Ω ·
cm or more. 8) The flexible circuit board as described above, wherein the adhesive is a thermoplastic adhesive or a thermosetting adhesive. 9) The adhesive is polyimidesiloxane-epoxy resin-
The above flexible circuit board, which is a thermosetting adhesive having a high heat resistance and a low dielectric property of an epoxy curing agent. 10) The adhesive, wherein the adhesive is provided by applying an adhesive solution to the aromatic polyimide film and then dried, or the adhesive provided by bonding the adhesive provided on the protective film to the aromatic polyimide film. Flexible circuit board.

【0010】前記のビフェニルテトラカルボン酸成分と
しては、例えば3,3’,4,4’−ビフェニルテトラ
カルボン酸、それらの二無水物、またはそれらのエステ
ルが使用できるが、なかでも3,3’,4,4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物が好適に用いられる。
As the above-mentioned biphenyltetracarboxylic acid component, for example, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, dianhydride or ester thereof can be used. , 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride is preferably used.

【0011】前記の芳香族テトラカルボン酸成分とし
て、他にピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,
2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、2、2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキ
シフェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)エ−テル二無水物、ビス(2,3−ジ
カルボキシフェニル)エ−テル二無水物、2,3,6,
7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,
5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,
2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水
物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無
水物なども挙げられる。
The aromatic tetracarboxylic acid component further includes pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'
-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,
2 ', 3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl)
Propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ) Ether dianhydride, 2,3,6
7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4
5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,
2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride,
2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,
1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl)
Also included are 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride and the like.

【0012】前記のフェニレンジアミンは、o−フェニ
レンジアミン、m−フェニレンジアミン、そしてp−フ
ェニレンジアミンのいずれであってもよい。フェニレン
ジアミンと併用可能な芳香族ジアミン成分としては、ジ
アミノジフェニルエ−テル、4,4’−ジアミノジフェ
ニルプロパン、4,4’−ジアミノジフェニルエタン、
4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジア
ミノジフェニルスルフィド、ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕メタン、2,2−ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2’−
ビス〔4−(アミノフェノキシ)フェニル〕−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス〔4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エ−テルなどが挙
げられる。
The above phenylenediamine may be any of o-phenylenediamine, m-phenylenediamine and p-phenylenediamine. Aromatic diamine components that can be used in combination with phenylenediamine include diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylpropane, 4,4′-diaminodiphenylethane,
4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 2,2-bis [4- (4
-Aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2'-
Bis [4- (aminophenoxy) phenyl] -1,1,
1,3,3,3-hexafluoropropane, bis [4-
(4-aminophenoxy) phenyl] ether and the like.

【0013】この発明において、芳香族ポリイミドフィ
ルム(あるいは表面処理されたフィルム)は、厚みが1
0〜125μm、特に好ましくは25〜75μm、その
中でも特に45〜55μmであることが好ましい。芳香
族ポリイミドフィルムの厚みがこの下限より小さいと自
己支持性が低く、また上限より大きいと製造に多大なコ
ストがかかる。また、前記の揮発物含有量が0.4重量
%より多いと接着性および寸法安定性に問題が発生す
る。芳香族ポリイミドフィルムの比端裂抵抗値が前記範
囲外であると、この発明の目的を達成することができな
い。
In the present invention, the aromatic polyimide film (or the surface-treated film) has a thickness of 1%.
It is preferably from 0 to 125 μm, particularly preferably from 25 to 75 μm, and particularly preferably from 45 to 55 μm. When the thickness of the aromatic polyimide film is smaller than the lower limit, the self-supporting property is low. When the thickness is larger than the upper limit, a large cost is required for production. On the other hand, if the volatile matter content is more than 0.4% by weight, problems occur in the adhesiveness and dimensional stability. If the specific crack resistance of the aromatic polyimide film is outside the above range, the object of the present invention cannot be achieved.

【0014】また、(1)吸水率および(2)線膨張係
数(50〜200℃)が前記範囲内であると、種々の環
境下(高温、エッチング等)においた場合の寸法安定性
が良好である。さらに、(3)引張弾性率が前記範囲内
であると、基板フィルムとしてハンドリングが良好であ
る。
When (1) the water absorption and (2) the coefficient of linear expansion (50 to 200 ° C.) are within the above ranges, the dimensional stability under various environments (high temperature, etching, etc.) is good. It is. Further, (3) when the tensile modulus is in the above range, the handling is good as a substrate film.

【0015】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、例えば以下のようにして製造することができる。
好適には先ず前記テトラカルボン酸二無水物、好適には
ビフェニルテトラカルボン酸類とフェニレンジアミン、
好適にはパラフェニレンジアミンとをN,N−ジメチル
アセトアミドやN−メチル−2−ピロリドンなどのポリ
イミドの製造に通常使用される有機極性溶媒中で、好ま
しくは10〜80℃で1〜30時間重合して、ポリマ−
の対数粘度(測定温度:30℃、濃度:0.5g/10
0ml溶媒、溶媒:N−メチル−2−ピロリドン)が
0.1〜5 、ポリマ−濃度が15〜25重量%であ
り、回転粘度(30℃)が500〜4500ポイズであ
るポリアミック酸(イミド化率:5%以下)溶液を得
る。
The aromatic polyimide film according to the present invention can be manufactured, for example, as follows.
Preferably first the tetracarboxylic dianhydride, preferably biphenyltetracarboxylic acids and phenylenediamine,
Preferably, paraphenylenediamine is polymerized in an organic polar solvent usually used for the production of a polyimide such as N, N-dimethylacetamide or N-methyl-2-pyrrolidone, preferably at 10 to 80 ° C. for 1 to 30 hours. And the polymer
Logarithmic viscosity (measuring temperature: 30 ° C., concentration: 0.5 g / 10
0 ml solvent, solvent: N-methyl-2-pyrrolidone) 0.1-5, polymer concentration 15-25% by weight, rotational viscosity (30 ° C.) 500-4500 poise polyamic acid (imidization) (Rate: 5% or less) to obtain a solution.

【0016】次いで、好適にはこのポリアミック酸10
0重量部に対して0.01〜1重量%のリン化合物、例
えば(ポリ)リン酸エステルおよび/またはリン酸エス
テルのアミン塩などの有機リン含有化合物あるいは無機
リン化合物および、好適にはさらにポリアミック酸10
0重量部に対して0.1〜3重量部のコロイダルシリ
カ、窒化珪素、タルク、、酸化チタン、燐酸カリウムな
どの無機フィラ−(好適には平均粒径0.005〜5μ
m、特に0.005〜2μm)を添加してポリアミック
酸溶液組成物を調製する。これらのリン化合物及び/又
は無機フィラ−はフィルム層全体に均一に存在させても
よく、あるいは2〜3層構造のフィルムを形成する場合
には少なくとも片方の表面を含む層に前記の割合で含有
させる。
Next, preferably, the polyamic acid 10
0.01 to 1% by weight, based on 0 part by weight, of a phosphorus compound, for example an organic phosphorus-containing compound such as a (poly) phosphate ester and / or an amine salt of a phosphate ester or an inorganic phosphorus compound, and preferably further a polyamic acid Acid 10
0.1 to 3 parts by weight of an inorganic filler such as colloidal silica, silicon nitride, talc, titanium oxide, potassium phosphate or the like (preferably 0.005 to 5 μm)
m, especially 0.005 to 2 μm) to prepare a polyamic acid solution composition. These phosphorus compounds and / or inorganic fillers may be uniformly present in the entire film layer, or when forming a film having a two- or three-layer structure, the phosphorus compound and / or the inorganic filler are contained in the layer containing at least one surface in the above ratio. Let it.

【0017】このポリアミック酸溶液組成物を平滑な表
面を有するガラスあるいは金属製の支持体表面に流延し
て前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾燥する際に、
乾燥条件を調整して(好適な条件は温度:100〜16
0℃、時間:1〜60分間)乾燥することにより、固化
フィルム中、前記溶媒及び生成水分からなる揮発分含有
量が25〜50重量%、イミド化率が5〜60%である
長尺状固化フィルムを形成し、上記固化フィルムを支持
体表面から剥離する。
The polyamic acid solution composition is cast on a glass or metal support having a smooth surface to form a thin film of the solution, and when the thin film is dried,
Adjust the drying conditions (preferable temperature: 100 to 16
(0 ° C., time: 1 to 60 minutes) By drying, the solidified film has a volatile content of 25 to 50% by weight and an imidization rate of 5 to 60% in the solidified film. A solidified film is formed, and the solidified film is peeled from the support surface.

【0018】次いで、固化フィルムの片面または両面に
アミノシラン系、エポキシシラン系あるいはチタネ−ト
系の表面処理剤を含有する表面処理液を塗布した後、さ
らに乾燥することもできる。表面処理剤としては、γ−
アミノプロピル−トリエトキシシラン、N−β−(アミ
ノエチル)−γ−アミノプロピル−トリエトキシシラ
ン、N−(アミノカルボニル)−γ−アミノプロピル−
トリエトキシシラン、N−〔β−(フェニルアミノ)−
エチル〕−γ−アミノプロピル−トリエトキシシラン、
N−フェニル−γ−アミノプロピル−トリエトキシシラ
ン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン
などのアミノシラン系や、β−(3,4−エポキシシク
ロヘキシル)−エチル−トリメトキシシラン、γ−グリ
シリドキシプロピル−トリメトキシシランなどのエポキ
シシラン系や、イソプロピル−トリクミルフェニル−チ
タネ−ト、ジクミルフェニル−オキシアセテ−ト−チタ
ネ−トなどのチタネ−ト系などの耐熱性表面処理剤が使
用できる。表面処理液は前記の表面処理剤を0.5〜5
0重量%含む低級アルコ−ル、アミド系溶媒などの有機
極性溶媒溶液として使用できる。表面処理液はグラビア
コ−ト法、シルクスクリ−ン、浸漬法などを使用して均
一に塗布して薄層を形成することが好ましい。
Next, after one or both surfaces of the solidified film are coated with a surface treating solution containing an aminosilane-based, epoxysilane-based or titanate-based surface treating agent, the film can be further dried. As the surface treatment agent, γ-
Aminopropyl-triethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyl-triethoxysilane, N- (aminocarbonyl) -γ-aminopropyl-
Triethoxysilane, N- [β- (phenylamino)-
Ethyl] -γ-aminopropyl-triethoxysilane,
Aminosilanes such as N-phenyl-γ-aminopropyl-triethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and β- (3,4-epoxycyclohexyl)- Epoxysilanes such as ethyl-trimethoxysilane and γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane; and titanates such as isopropyl-tricumylphenyl-titanate and dicumylphenyl-oxyacetate-titanate. And other heat-resistant surface treatment agents. The surface treatment liquid is 0.5 to 5
It can be used as a solution of an organic polar solvent such as a lower alcohol or amide solvent containing 0% by weight. The surface treatment liquid is preferably applied uniformly using a gravure coating method, a silk screen, a dipping method or the like to form a thin layer.

【0019】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムの製造法の一例の、キュア炉内におけるキュア前の好
適な加熱条件を示す図1を使用して以下に示す。すなわ
ち、前記のようにして得られた固化フィルムを必要であ
ればさらに乾燥して、好ましくは乾燥フィルムの揮発分
含有量が10〜45重量%となるように調整した後、該
乾燥フィルムの幅方向の両端縁を把持した状態で、図1
に示すキュア炉内におけるキュア炉入口における温度
(℃)(好適には100〜250℃)×滞留時間(分)
が斜線の範囲内になるように乾燥後、最高加熱温度:4
00〜500℃の温度が0.2〜30分間となる条件で
該乾燥フィルムを加熱して乾燥およびイミド化して、残
揮発物量0.4重量%以下で、イミド化を完了すること
によって芳香族ポリイミドフィルムとして好適に製造す
ることができる。また、前記キュアリング工程の後、芳
香族ポリイミドフィルムの片面あるいは両面をアルカリ
処理した(例えば、水酸化ナトリウム水溶液、あるいは
水酸化カリウム/抱水ヒドラジン等のアルカリ水溶液に
浸漬)後、水洗・乾燥後、前記の表面処理液を塗布し乾
燥することによっても、同様にフィルム表面を表面処理
することができる。
One example of the method for producing an aromatic polyimide film according to the present invention will be described below with reference to FIG. 1, which shows preferable heating conditions before curing in a curing furnace. That is, the solidified film obtained as described above is further dried if necessary, and preferably the volatile content of the dried film is adjusted to 10 to 45% by weight, and then the width of the dried film is adjusted. Fig. 1
Temperature (° C) (preferably 100 to 250 ° C) at the entrance of the curing furnace in the curing furnace shown in (1) x residence time (minutes)
After drying so that is within the range of the oblique line, the maximum heating temperature: 4
The dried film is heated and dried and imidized under the condition that the temperature is from 00 to 500 ° C. for 0.2 to 30 minutes. It can be suitably manufactured as a polyimide film. After the curing step, one or both sides of the aromatic polyimide film are alkali-treated (for example, immersed in an aqueous solution of sodium hydroxide or an aqueous alkali solution such as potassium hydroxide / hydrazine hydrate), washed with water and dried. By applying the above-mentioned surface treatment liquid and drying it, the film surface can be similarly surface-treated.

【0020】上記のようにして得られた芳香族ポリイミ
ドフィルムを、好適には低張力下あるいは無張力下に2
00〜400℃程度の温度で加熱して応力緩和処理し、
巻き取る。
The aromatic polyimide film obtained as described above is preferably used under low tension or no tension.
Heat at a temperature of about 00 to 400 ° C. to perform stress relaxation treatment,
Take up.

【0021】前記の芳香族ポリイミドフィルムは、前述
の製造時のキュア炉内のキュア前の加熱条件を前記の図
1に示す範囲内にコントロ−ルすること及びキュア条件
を前記の温度および時間の範囲内にすることによって厚
みが10〜125μmのものであって、揮発物含有量が
0.4重量%以下で、かつ比端裂抵抗値がこの発明で規
定した値をとるようにすることができる。
In the above-mentioned aromatic polyimide film, the heating conditions before curing in the curing furnace during the above-mentioned production are controlled within the range shown in FIG. 1 and the curing conditions are adjusted to the above-mentioned temperature and time. When the thickness is in the range, the thickness is 10 to 125 μm, the volatile matter content is 0.4% by weight or less, and the specific crack resistance is set to the value specified in the present invention. it can.

【0022】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、好適にはテトラカルボン酸二無水物として3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
と芳香族ジアミンとしてパラフェニレンジアミンとを重
合する方法によって容易に得ることができるが、ポリア
ミック酸としては、前記フィルムの物性値を満足する範
囲内であれば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとともに
他の成分を重合してもよく、また、結合の種類はランダ
ム重合、ブロック重合のいずれであってもよい。また、
最終的に得られるポリイミドフィルム中の各成分の合計
量が前記の範囲内であれば、3,3’,4,4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリアミック酸
とパラフェニレンジアミンを含むポリアミック酸に他の
成分からなるポリアミック酸成分を混合して使用しても
よい。いずれの場合も高温加熱時に高分子の切断および
再結合が生じ、前記と同様に目的とする芳香族ポリイミ
ドフィルムを得ることができる。また、この発明におけ
る芳香族ポリイミドフィルムは、上述の熱イミド化に限
定されず、前記条件の範囲内であれば化学イミド化によ
っても同様に行うことができる。
The aromatic polyimide film according to the present invention preferably has 3,3 as a tetracarboxylic dianhydride.
It can be easily obtained by a method of polymerizing 3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine as an aromatic diamine, but as a polyamic acid, it satisfies the physical properties of the film. Within the range, other components may be polymerized together with 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, and the type of bond may be random polymerization or block polymerization. Any of them may be used. Also,
If the total amount of each component in the finally obtained polyimide film is within the above range, polyamic acid containing 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine are included. You may mix and use the polyamic acid component which consists of another component with polyamic acid. In either case, the polymer is cut and recombined at the time of heating at a high temperature, and the target aromatic polyimide film can be obtained in the same manner as described above. Further, the aromatic polyimide film in the present invention is not limited to the above-mentioned thermal imidization, and can be similarly performed by chemical imidization within the above-mentioned conditions.

【0023】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、そのままあるいは表面処理剤で処理していない場
合は、好適にはコロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線
照射、グロ−放電処理、火炎処理で表面処理を施した
後、接着剤を塗布あるいはこれら接着剤のフィルムを積
層して接着剤層を設けることができる。
The aromatic polyimide film in the present invention is preferably subjected to a surface treatment by a corona discharge treatment, a plasma treatment, an ultraviolet irradiation, a glow discharge treatment, and a flame treatment, as it is or when it is not treated with a surface treatment agent. After that, an adhesive layer can be provided by applying an adhesive or laminating films of these adhesives.

【0024】上記芳香族ポリイミドフィルム、好適には
フィルムの表面処理面に導電体層を積層する方法として
は、蒸着法、スパッタ法、メッキ法で導電体層を直接積
層してもよく、あるいは接着剤を介して導電体層を積層
しても良い。
As a method for laminating a conductor layer on the surface of the aromatic polyimide film, preferably a film-treated surface, a conductor layer may be directly laminated by a vapor deposition method, a sputtering method, a plating method, or an adhesive layer. The conductor layer may be laminated via an agent.

【0025】この接着剤を介して導電体層を積層する場
合の接着剤は、耐熱性であれば熱硬化性でも熱可塑性で
も良い。例えば、エポキシ樹脂、NBR−フェノ−ル系
樹脂、フェノ−ル−ブチラ−ル系樹脂、エポキシ−NB
R系樹脂、エポキシ−フェノ−ル系樹脂、エポキシ−ナ
イロン系樹脂、エポキシ−ポリエステル系樹脂、エポキ
シ−アクリル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド−エ
ポキシ−フェノ−ル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリイ
ミドシロキサン−エポキシ樹脂などの熱硬化性接着剤、
またはポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイ
ミド系樹脂、ポリイミドシロキサン系樹脂などの熱可塑
性接着剤が挙げられる。この接着剤の厚みは5−35μ
m程度であることが好ましい。特に、ポリイミド接着剤
〔好適には熱融着性の非結晶性ポリイミド、ここに非結
晶性とはX線回折スペクトルについてル−ランド法によ
る解析で実質的に結晶性が認められないもの、好適には
結晶化度が10%未満、特に3%以下、その中でも1%
以下のものが好適である。また、ガラス転移温度:Tg
が180−260℃程度であるものが好適である。〕、
ポリイミドシロキサン−エポキシ樹脂接着剤〔ポリイミ
ドシロキサンはエポキシ樹脂との反応性基を有するポリ
イミドシロキサンであるものが好ましい。通常エポキシ
硬化剤を配合する。好適にはポリイミドシロキサン10
0重量部に対して5−200重量部のエポキシ樹脂およ
び0−150重量部のエポキシ硬化剤及び場合によりさ
らに0−20重量部の硬化触媒を加えたもの。高耐熱性
で低誘電性であることが知られている。)、エポキシ樹
脂接着剤が好適に使用される。また、接着剤は、無機フ
ィラ−を含有してもよい。この接着剤は、芳香族ポリイ
ミドフィルムに接着剤溶液を塗布した後に乾燥して設け
るか、あるいは保護フィルムに設けた接着剤を芳香族ポ
リイミドフィルムに貼り合わせて設けてもよい。
The adhesive for laminating the conductor layers via the adhesive may be thermosetting or thermoplastic as long as it has heat resistance. For example, epoxy resin, NBR-phenol-based resin, phenol-butyral-based resin, epoxy-NB
R resin, epoxy-phenol resin, epoxy-nylon resin, epoxy-polyester resin, epoxy-acrylic resin, acrylic resin, polyamide-epoxy-phenol resin, polyimide resin, polyimide siloxane -Thermosetting adhesives such as epoxy resins,
Alternatively, a thermoplastic adhesive such as a polyamide resin, a polyester resin, a polyimide resin, and a polyimidesiloxane resin may be used. The thickness of this adhesive is 5-35μ
m is preferable. In particular, a polyimide adhesive (preferably a heat-fusible non-crystalline polyimide, in which non-crystalline is substantially non-crystalline when analyzed by the Leuland method for an X-ray diffraction spectrum, preferably Has a crystallinity of less than 10%, especially 3% or less, and among them, 1%
The following are preferred. Glass transition temperature: Tg
Is preferably about 180 to 260 ° C. ],
Polyimide siloxane-epoxy resin adhesive [Polyimide siloxane is preferably a polyimide siloxane having a reactive group with the epoxy resin. Usually, an epoxy curing agent is blended. Preferably polyimide siloxane 10
5-200 parts by weight of an epoxy resin and 0-150 parts by weight of an epoxy curing agent and optionally 0-20 parts by weight of a curing catalyst per 0 parts by weight. It is known that it has high heat resistance and low dielectric properties. ), An epoxy resin adhesive is preferably used. Further, the adhesive may contain an inorganic filler. This adhesive may be provided by applying an adhesive solution to the aromatic polyimide film and then drying, or may be provided by bonding the adhesive provided on the protective film to the aromatic polyimide film.

【0026】この発明における導電体は、金属例えばア
ルミニウム、銅、銅合金等が挙げられ、銅箔が好適に使
用される。銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔があり、
その引張強度が17Kg/mm2 以上であるものが好ま
しい。また、その厚みは8〜50μmであることが好ま
しい。
The conductor in the present invention includes metals such as aluminum, copper, and copper alloy, and copper foil is preferably used. As copper foil, there are electrolytic copper foil and rolled copper foil,
Those having a tensile strength of 17 kg / mm 2 or more are preferred. Further, the thickness is preferably 8 to 50 μm.

【0027】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムには直接、あるいは好適には接着剤を介して導電体を
積層したのち、回路を形成する。導電体に回路を形成す
る場合は、芳香族ポリイミドフィルム上に直接あるいは
接着剤を介して導電体を積層して導電基板を製造した
後、その導電体表面に例えばエッチィングレジストを回
路パタ−ン状(配線パタ−ン状)に印刷して、配線パタ
−ンが形成される部分の導電体の表面を保護するエッチ
ィングレジストの配線パタ−ンを形成した後、それ自体
公知の方法でエッチィング液を使用して配線が形成され
ない部分の導電体をエッチィングにより除去し、エッチ
ィングレジストを除去することによって行うことができ
る。回路パタ−ン上面に直接あるいはシランカップリン
グ剤のような表面処理剤で処理した後、コ−ト材(液状
物)を塗布した後加熱乾燥してコ−ト層を形成してもよ
い。
A circuit is formed on the aromatic polyimide film according to the present invention after a conductor is laminated directly or, preferably, via an adhesive. When a circuit is formed on a conductor, the conductor is laminated on the aromatic polyimide film directly or via an adhesive to produce a conductive substrate, and then, for example, an etching resist is applied on the surface of the conductor with a circuit pattern. After forming a wiring pattern of an etching resist for protecting the surface of the conductor at the portion where the wiring pattern is formed, the wiring pattern is printed in a shape (wiring pattern shape), and then etched by a method known per se. The etching can be performed by removing a portion of the conductor where no wiring is formed by etching using an etching solution and removing an etching resist. A coat layer may be formed by directly coating the upper surface of the circuit pattern or by treating it with a surface treating agent such as a silane coupling agent, applying a coating material (liquid material), and drying by heating.

【0028】[0028]

【実施例】以下にこの発明の実施例を示す。以下の各例
において、ポリイミドフィルムの物性測定は以下の方法
によって行った。 吸水率:ASTM D570−63に従って測定(23
℃×24時間) 引張弾性率:ASTM D882−64Tに従って測定
(MD) 線膨張係数(50〜200℃):300℃で30分加熱
して応力緩和したサンプルをTMA装置(引張りモ−
ド、2g荷重、試料長10mm、20℃/分)で測定
Embodiments of the present invention will be described below. In each of the following examples, the physical properties of the polyimide film were measured by the following methods. Water absorption: measured according to ASTM D570-63 (23
° C × 24 hours) Tensile modulus: Measured according to ASTM D882-64T (MD) Coefficient of linear expansion (50 to 200 ° C): A sample that has been heated at 300 ° C for 30 minutes and stress-relaxed is subjected to a TMA apparatus (tensile module).
(2g load, sample length 10mm, 20 ° C / min)

【0029】イミド化率:FI−IR(ATR法)によ
り1780cm-1と1510cm-1の吸光度の比から求
めた。測定はフィルムのA面について行った。 揮発物含有量(固化フィルム):下記式により求めた。 揮発物含有量(固化フィルム)=〔(A−B)/A〕×
100 A:加熱前のフィルム重量 B:420℃、20分加熱後のフィルム重量 揮発物含有量(ポリイミドフィルム):下記式により求
めた。 揮発物含有量(ポリイミドフィルム)=〔(A−B)/
A〕×100 A:150℃×10分乾燥後の重量 B:450℃×20分乾燥後の重量 (通常は空気中で試験するが、空気中での高温加熱によ
って劣化する場合には窒素ガス中で試験する)
The imidization ratio: calculated from the ratio of absorbance at 1780 cm -1 and 1510 cm -1 by FI-IR (ATR method). The measurement was performed on the A side of the film. Volatile content (solidified film): determined by the following equation. Volatile content (solidified film) = [(AB) / A] x
100 A: Film weight before heating B: Film weight after heating at 420 ° C. for 20 minutes Volatile content (polyimide film): determined by the following formula. Volatile content (polyimide film) = [(AB) /
A] × 100 A: Weight after drying at 150 ° C. × 10 minutes B: Weight after drying at 450 ° C. × 20 minutes (Normally tested in air, but if deteriorated by high temperature heating in air, nitrogen gas Test in)

【0030】絶縁破壊電圧:ASTM D149−64
に従って測定(25℃) 体積抵抗率:ASTM D257−61に従って測定
(25℃) 誘電率:ASTM D150−64Tに従って測定(2
5℃、1KHz) 剥離強度:180°剥離強度、50mm/分
Dielectric breakdown voltage: ASTM D149-64
(25 ° C.) Volume resistivity: measured according to ASTM D257-61 (25 ° C.) Dielectric constant: measured according to ASTM D150-64T (2
(5 ° C., 1 KHz) Peel strength: 180 ° peel strength, 50 mm / min

【0031】実施例1 内容積100リットルの重合槽に、N,N−ジメチルア
セトアミド54.6kgを加え、次いで,3,3’,
4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物8.8
26kgとパラフェニレンジアミン3.243kgとを
加え、30℃で10時間重合反応させてポリマ−の対数
粘度(測定温度:30℃、濃度:0.5g/100ミリ
リットル溶媒、溶媒:N,N−ジメチルアセトアミド)
が1.60、ポリマ−濃度が18重量%であるポリアミ
ック酸(イミド化率:5%以下)溶液を得た。このポリ
アミック酸溶液に、ポリアミック酸100重量部に対し
て0.1重量部の割合でモノステアリルリン酸エステル
トリエタノ−ルアミン塩および0.5重量部の割合(固
形分基準)で平均粒径0.08μmのコロイダルシリカ
を添加して均一に混合してポリアミック酸溶液組成物を
得た。このポリアミック酸溶液組成物の回転粘度は30
00ポイズであった。このポリアミック酸溶液組成物を
Tダイ金型のスリットから連続的に、キャスティング・
乾燥炉の平滑な支持体に押出して前記溶液の薄膜を形成
し、平均温度:141℃で乾燥して長尺状固化フィルム
を形成した。この支持体表面から剥離して長尺状固化フ
ィルムを得た。次いで、N,N−ジメチルアセトアミド
のアミノシラン表面処理液を長尺状固化フィルムの両面
に均一に塗布した後乾燥して、表面処理した乾燥フィル
ムを得た。この乾燥フィルムは溶媒および生成水分から
なる揮発分含有量は27重量%であった。次いで、該表
面処理した乾燥フィルムの幅方向を把持した状態で、キ
ュア炉内でキュアして(入口における温度×滞留時間=
240℃×2分、最高温度×最高温度滞留時間=480
℃×1分)、両面を表面処理剤で処理した厚み25μm
の長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続的に製造し
た。この芳香族ポリイミドフィルムについて測定、評価
した結果を表1に示す。上記の芳香族ポリイミドフィル
ムの上(片面)に熱硬化性接着剤(クレゾ−ルノボラッ
ク樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラ−ルおよぼイ
ミダゾ−ルからなる)を、乾燥後の塗布厚みが20μm
になるように塗布・乾燥する。次に接着剤の面に電解銅
箔(35μm)を130℃、2kg/cm2 でロ−ルラ
ミネ−ト(約1秒)して、張り合わせた。次いで、張り
合わせ物を100℃で2時間、120℃で1時間、18
0℃で6時間加熱して接着剤を硬化させて積層体を得
た。続いて、この積層体である銅張板に常法に従いパタ
−ニングを行い、次にエッチング、水洗・乾燥工程を経
た後、コ−ト材を塗布・乾燥してフレキシブル回路基板
を製造した。
Example 1 54.6 kg of N, N-dimethylacetamide was added to a polymerization tank having an internal volume of 100 liters.
4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride 8.8
26 kg and 3.243 kg of paraphenylenediamine are added and polymerized at 30 ° C. for 10 hours, and the logarithmic viscosity of the polymer (measuring temperature: 30 ° C., concentration: 0.5 g / 100 ml solvent, solvent: N, N-dimethyl) Acetamide)
Was 1.60, and a polyamic acid (imidization ratio: 5% or less) solution having a polymer concentration of 18% by weight was obtained. In this polyamic acid solution, monostearyl phosphate triethanolamine salt at a ratio of 0.1 part by weight to 100 parts by weight of the polyamic acid and an average particle diameter of 0 part by weight (based on solid content) of 0.5 part by weight. 0.08 μm of colloidal silica was added and uniformly mixed to obtain a polyamic acid solution composition. The rotational viscosity of this polyamic acid solution composition was 30.
It was 00 poise. This polyamic acid solution composition was continuously cast from a slit of a T-die mold.
The solution was extruded on a smooth support in a drying furnace to form a thin film of the solution, and dried at an average temperature of 141 ° C. to form a long solidified film. By peeling from the surface of the support, a long solidified film was obtained. Next, an aminosilane surface treatment solution of N, N-dimethylacetamide was uniformly applied to both surfaces of the long solidified film, and then dried to obtain a dried film having a surface treated. This dried film had a volatile content of 27% by weight consisting of a solvent and produced water. Next, the dried film subjected to the surface treatment is cured in a curing furnace while holding the width direction of the dried film (temperature at the inlet × residence time =
240 ° C x 2 minutes, maximum temperature x maximum temperature residence time = 480
° C × 1 minute), both sides treated with a surface treatment agent, thickness 25 μm
Was continuously produced. Table 1 shows the results of measurement and evaluation of this aromatic polyimide film. A thermosetting adhesive (comprised of cresol novolak resin, epoxy resin, polyvinyl butyral and imidazole) is applied on the above-mentioned aromatic polyimide film (one side), and the applied thickness after drying is 20 μm.
Apply and dry so that Next, an electrolytic copper foil (35 μm) was roll-laminated (about 1 second) at 130 ° C. and 2 kg / cm 2 on the surface of the adhesive, and bonded. Then, the bonded product was treated at 100 ° C. for 2 hours and at 120 ° C. for 1 hour for 18 hours.
The adhesive was cured by heating at 0 ° C. for 6 hours to obtain a laminate. Subsequently, patterning was performed on the copper-clad laminate, which is a laminate, in accordance with a conventional method, followed by etching, washing and drying steps, and then coating and drying a coating material to produce a flexible circuit board.

【0032】実施例2 Tダイ金型のスリット巾を変えた他は実施例1と同様に
して長尺状固化フィルムを得た。長尺状固化フィルムの
両表面に表面処理液を塗布せず、実施例1と同様に加熱
・乾燥して乾燥フィルムを得た。このフィルムは揮発物
含有量が27重量%であった。次いで、該乾燥フィルム
の幅方向を把持した状態で、キュア炉内でキュアして
(入口における温度×滞留時間=200℃×4分、最高
温度×最高温度滞留時間=480℃×3分)、厚み50
μmの長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続的に製
造した。この芳香族ポリイミドフィルムについて測定・
評価した結果を表1に示す。この芳香族ポリイミドフィ
ルムを常法によって低温プラズマ処理したフィルム(物
性は処理前のフィルムと同じ)を使用し、実施例1と同
様にしてフレキシブル回路基板を製造した。
Example 2 An elongated solidified film was obtained in the same manner as in Example 1, except that the slit width of the T-die was changed. The dried film was obtained by heating and drying in the same manner as in Example 1 without applying the surface treatment liquid to both surfaces of the long solidified film. This film had a volatile content of 27% by weight. Then, while holding the dried film in the width direction, it is cured in a curing furnace (temperature at the entrance × residence time = 200 ° C. × 4 minutes, maximum temperature × maximum temperature residence time = 480 ° C. × 3 minutes), Thickness 50
A long aromatic polyimide film having a length of μm was continuously produced. Measurement and measurement of this aromatic polyimide film
Table 1 shows the results of the evaluation. A flexible circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1 using a film obtained by subjecting the aromatic polyimide film to low-temperature plasma treatment by a conventional method (the same physical properties as those of the film before treatment).

【0033】実施例3 実施例2と同様にして長尺固化フィルムを製造した。次
いで、実施例1と同様にして表面処理した乾燥フィルム
を得た。このフィルムは揮発分含有量が28重量%であ
った。次いで、該乾燥フィルムの幅方向を把持した状態
で、キュア炉内でキュアして(入口における温度×滞留
時間=200℃×2.5分、最高温度×最高温度滞留時
間=480℃×3分)、両面を表面処理剤で処理した厚
み50μmの長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続
的に製造した。この芳香族ポリイミドフィルムについて
測定・評価した結果を表1に示す。この芳香族ポリイミ
ドフィルムを使用し、実施例1と同様にしてフレキシブ
ル回路基板を製造した。
Example 3 A long solidified film was produced in the same manner as in Example 2. Next, a dried film surface-treated in the same manner as in Example 1 was obtained. This film had a volatile content of 28% by weight. Next, while holding the dried film in the width direction, it is cured in a curing furnace (temperature at the inlet × residence time = 200 ° C. × 2.5 minutes, maximum temperature × maximum temperature residence time = 480 ° C. × 3 minutes) ), A long aromatic polyimide film having a thickness of 50 µm and having both surfaces treated with a surface treating agent was continuously produced. Table 1 shows the results of measurement and evaluation of the aromatic polyimide film. Using this aromatic polyimide film, a flexible circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0034】実施例4 Tダイ金型のスリット巾を変えた他は実施例2と同様に
して長尺状固化フィルムを得た。次いで、実施例2と同
様にして表面処理しない乾燥フィルムを得た。このフィ
ルムは揮発分含有量が30重量%であった。次いで、該
乾燥フィルムの幅方向を把持した状態で、キュア炉内で
キュアして(入口における温度×滞留時間=140℃×
5分、最高温度×最高温度滞留時間=480℃×3
分)、厚み75μmの長尺状の芳香族ポリイミドフィル
ムを連続的に製造した。この芳香族ポリイミドフィルム
の両面をアルカリ処理した(水酸化カリウム/抱水ヒド
ラジン/水からなる溶液に3分間浸漬後、酸洗浄・水洗
・乾燥)後、実施例1と同様にして表面処理して、両面
を表面処理剤で処理した厚み75μmの長尺状の芳香族
ポリイミドフィルムを連続的に製造した。この芳香族ポ
リイミドフィルムについて測定・評価した結果を表1に
示す。この芳香族ポリイミドフィルムを使用し、実施例
1と同様にしてフレキシブル回路基板を製造した。
Example 4 An elongated solidified film was obtained in the same manner as in Example 2 except that the slit width of the T-die was changed. Next, a dried film without surface treatment was obtained in the same manner as in Example 2. This film had a volatile content of 30% by weight. Next, while holding the dried film in the width direction, the dried film is cured in a curing furnace (temperature at the inlet × residence time = 140 ° C. ×
5 minutes, maximum temperature x maximum temperature residence time = 480 ° C x 3
Min), a long aromatic polyimide film having a thickness of 75 μm was continuously produced. Both surfaces of the aromatic polyimide film were alkali-treated (immersed in a solution of potassium hydroxide / hydrazine hydrate / water for 3 minutes, then washed with acid, washed with water, and dried), and subjected to surface treatment in the same manner as in Example 1. Then, a long aromatic polyimide film having a thickness of 75 μm, both surfaces of which were treated with a surface treating agent, was continuously produced. Table 1 shows the results of measurement and evaluation of the aromatic polyimide film. Using this aromatic polyimide film, a flexible circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0035】実施例5 Tダイ金型のスリット巾を変えた他は実施例2と同様に
して長尺状固化フィルムを得た。長尺状固化フィルムの
両表面に表面処理液を塗布せず、実施例2と同様に加熱
・乾燥して乾燥フィルムを得た。このフィルムは揮発物
含有量が30重量%であった。次いで、該乾燥フィルム
の幅方向を把持した状態で、キュア炉内でキュアして
(入口における温度×滞留時間=105℃×9分、最高
温度×最高温度滞留時間=450℃×15分)、厚み7
5μmの長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続的に
製造した。この芳香族ポリイミドフィルムについて測定
・評価した結果を表1に示す。この芳香族ポリイミドフ
ィルムを使用し、常法により低温プラズマ処理したフィ
ルム(物性は処理前のフィルムと同じ)を使用し、実施
例2と同様にしてフレキシブル回路基板を製造した。ま
た、実施例1〜5における芳香族ポリイミドフィルムの
加熱収縮率(250℃、2時間、JIS C2318)
は、いずれも0.3%以下であった。
Example 5 A long solidified film was obtained in the same manner as in Example 2 except that the slit width of the T-die was changed. A dried film was obtained by heating and drying in the same manner as in Example 2 without applying the surface treatment liquid to both surfaces of the long solidified film. This film had a volatile content of 30% by weight. Then, while holding the dried film in the width direction, the film is cured in a curing furnace (temperature at the inlet × residence time = 105 ° C. × 9 minutes, maximum temperature × maximum temperature residence time = 450 ° C. × 15 minutes), Thickness 7
A 5 μm long aromatic polyimide film was continuously produced. Table 1 shows the results of measurement and evaluation of the aromatic polyimide film. A flexible circuit board was manufactured in the same manner as in Example 2 using a film (the physical properties were the same as the film before the treatment) which had been subjected to low-temperature plasma treatment by a conventional method using this aromatic polyimide film. The heat shrinkage of the aromatic polyimide film in Examples 1 to 5 (250 ° C., 2 hours, JIS C2318)
Were all 0.3% or less.

【0036】実施例6 実施例1〜5で得られたフレキシブル回路基板のフィル
ム部を金型で打ち抜きその切断面を観察した。直線性が
保たれ、ひげやくずの発生が認められなかった場合を
○、直線性が劣り、ひげやくずの発生が認められる場合
を×で示す。結果をまとめて表1に示す。
Example 6 The film portion of the flexible circuit board obtained in Examples 1 to 5 was punched out with a mold and the cut surface was observed. The case where the linearity was maintained and generation of beards and debris was not observed is indicated by ○, and the case where linearity was poor and generation of beards and debris was observed is indicated by ×. The results are summarized in Table 1.

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】実施例7 ポリイミドシロキサンの製造−1 特開平5−25453号公報に記載の方法に従い以下の
ようにして製造した。容量2リットルのガラス製のセパ
ラブルフラスコ中、N−メチル−2−ピロリドン(NM
P)1000gを溶媒として、2,3,3’,4’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物(a−BPDA)7
3.56g(250ミリモル)と、ジアミノポリシロキ
サン〔2 HN- C3 H6 - (Si(CH3 )2 O)n-S
i(CH3 )2-C3 H6-NH2 、n=9.5〕88g
(100ミリモル)と2,2−ビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕プロパン61.58g(150
ミリモル)とを、重合・イミド化させた後、多量の水中
に投入し、乾燥して、ポリイミドシロキサン(ポリイミ
ドシロキサン−1)粉末210gを得た。このポリイミ
ドシロキサンは、対数粘度(30℃)が0.32であっ
た。また、このポリイミドシロキサン粉末のテトラヒド
ロフラン溶液から作製したフィルムは、引張弾性率が5
7kg/mm2 、Tg(ガラス転移温度)が190℃
で、結晶化度は0%であった。
Example 7 Production of polyimidesiloxane-1 According to the method described in JP-A-5-25453, it was produced as follows. In a 2-liter glass separable flask, N-methyl-2-pyrrolidone (NM
P) Using 1,000 g as a solvent, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (a-BPDA) 7
3.56 g (250 mmol) of diaminopolysiloxane [2 HN-C3 H6- (Si (CH3) 2 O) n-S
i (CH3) 2-C3 H6-NH2, n = 9.5] 88 g
(100 mmol) and 61.58 g of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (150
Was polymerized and imidized, and then poured into a large amount of water and dried to obtain 210 g of a polyimidesiloxane (polyimidesiloxane-1) powder. This polyimide siloxane had a logarithmic viscosity (30 ° C.) of 0.32. Further, a film prepared from a solution of this polyimidesiloxane powder in tetrahydrofuran has a tensile modulus of 5%.
7 kg / mm 2 , Tg (glass transition temperature) 190 ° C
And the crystallinity was 0%.

【0039】フレキシブル回路基板の製造 熱硬化製接着剤として、上記のポリイミドシロキサン
(ポリイミドシロキサン−1)50部、エポキシ樹脂
(油化シェル社製、商品名:エピコ−ト807)15
部、エポキシ樹脂(住友化学工業社、商品名:ELM1
00)6部、硬化剤としてのフェノ−ルノボラック樹脂
(明和化成社、H−5)17部および硬化触媒としての
2−フェニルイミダゾ−ル0.1部からなる樹脂混合物
(テトラヒドロフラン250部に溶解)を使用し、プラ
ズマ処理しないで得た厚み50μmの芳香族ポリイミド
フィルム(比端裂抵抗:13.9kg/20mm/10
μm、揮発物含有量:0.13%、吸水率:1.3%、
引張弾性率:865kg/mm2、線膨張係数:1.1
×10-5/℃、絶縁破壊電圧:10.3kv、体積抵抗
率:4.7×1016Ω・cm、誘電率:3.2)を使用
した他は、実施例2と同様に実施してフレキシブル回路
基板を得た。実施例2および実施例6と同様にして評価
し、積層体の剥離強度(kg/cm、180°)が2.
4kg/cm、打ち抜き性が良好という結果が得られ
た。
Production of Flexible Circuit Board As the thermosetting adhesive, 50 parts of the above-mentioned polyimide siloxane (polyimide siloxane-1) and 15 parts of an epoxy resin (trade name: Epicoat 807, manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.)
Part, epoxy resin (Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ELM1)
00) 6 parts, a resin mixture consisting of 17 parts of a phenol novolak resin (Meiwa Kasei Co., H-5) as a curing agent and 0.1 part of 2-phenylimidazole as a curing catalyst (dissolved in 250 parts of tetrahydrofuran) And an aromatic polyimide film having a thickness of 50 μm obtained without plasma treatment (specific edge resistance: 13.9 kg / 20 mm / 10
μm, volatile content: 0.13%, water absorption: 1.3%,
Tensile modulus: 865 kg / mm 2 , coefficient of linear expansion: 1.1
× 10 −5 / ° C., dielectric breakdown voltage: 10.3 kv, volume resistivity: 4.7 × 10 16 Ω · cm, dielectric constant: 3.2) Thus, a flexible circuit board was obtained. Evaluation was performed in the same manner as in Example 2 and Example 6, and the peel strength (kg / cm, 180 °) of the laminate was 2.
A result of 4 kg / cm and good punchability was obtained.

【0040】実施例8 ポリイミドシロキサンの製造−2 容量2リットルのガラス製のセパラブルフラスコ中、N
−メチル−2−ピロリドン(NMP)1000gを溶媒
として、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物(a−BPDA)73.56g(250ミ
リモル)と、ジアミノポリシロキサン〔2 HN- C3 H
6 - (Si(CH3 )2 O)n-Si(CH3 )2-C3 H
6-NH2 、n=9.5〕121.4g(138ミリモ
ル)と2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕プロパン41.05g(100ミリモル)と、
ビス(3−カルボキシ−4−アミノフェニル)メタン
3.58g(12.5ミリモル)とを、重合・イミド化
させた後、多量の水中に投入し、乾燥して、ポリイミド
シロキサン(ポリイミドシロキサン−1)粉末210g
を得た。このポリイミドシロキサンは、対数粘度(30
℃)が0.32であった。また、このポリイミドシロキ
サン粉末のテトラヒドロフラン溶液から作製したフィル
ムは、引張弾性率が20kg/mm2 、Tg(ガラス転
移温度)が110℃であった。
Example 8 Preparation of polyimide siloxane-2 In a 2 liter glass separable flask, N
Using 1,000 g of -methyl-2-pyrrolidone (NMP) as a solvent, 73.56 g (250 mmol) of 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (a-BPDA) and diaminopolysiloxane [2 HN-C3H
6-(Si (CH3) 2O) n-Si (CH3) 2-C3H
6-NH2, n = 9.5] 121.4 g (138 mmol) and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane 41.05 g (100 mmol)
After polymerization and imidation of 3.58 g (12.5 mmol) of bis (3-carboxy-4-aminophenyl) methane, the mixture was poured into a large amount of water and dried to obtain polyimide siloxane (polyimide siloxane-1). 210 g of powder
I got This polyimide siloxane has a logarithmic viscosity (30
° C) was 0.32. The film prepared from this polyimidesiloxane powder in tetrahydrofuran solution had a tensile modulus of 20 kg / mm 2 and a Tg (glass transition temperature) of 110 ° C.

【0041】フレキシブル回路基板の製造 熱硬化製接着剤として、上記のポリイミドシロキサン
(ポリイミドシロキサン−2)50部、エポキシ樹脂
(油化シェル社製、商品名:エピコ−ト807)15
部、エポキシ樹脂(住友化学工業社、商品名:ELM1
00)6部、フェノ−ルノボラック樹脂(明和化成社、
H−5)17部および硬化剤としての2−フェニルイミ
ダゾ−ル0.1部をテトラヒドロフラン250部に溶解
したものを使用した他は、実施例7と同様に実施してフ
レキシブル回路基板を得た。実施例2および実施例6と
同様にして評価し、積層体の剥離強度(kg/cm、1
80°)が2.3kg/cm、打ち抜き性が良好という
結果が得られた。
Production of Flexible Circuit Board As the thermosetting adhesive, 50 parts of the above-mentioned polyimide siloxane (polyimide siloxane-2) and epoxy resin (trade name: Epicoat 807, manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.)
Part, epoxy resin (Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ELM1)
00) 6 parts, phenol-novolak resin (Meiwa Kasei Co., Ltd.)
H-5) A flexible circuit board was obtained in the same manner as in Example 7, except that 17 parts and 0.1 part of 2-phenylimidazole as a curing agent were dissolved in 250 parts of tetrahydrofuran. . Evaluation was performed in the same manner as in Example 2 and Example 6, and the peel strength (kg / cm, 1
80 °) of 2.3 kg / cm and good punching properties.

【0042】実施例9 熱硬化性接着剤の乾燥後の塗布厚みを、5μmにし、電
解銅箔として厚み12μmのものを使用した他は、実施
例7と同様に実施してフレキシブル回路基板を得た。実
施例2および実施例6と同様にして評価し、積層体の剥
離強度(kg/cm、180°)が2.0kg/cm、
打ち抜き性が良好という結果が得られた。
Example 9 A flexible circuit board was obtained in the same manner as in Example 7, except that the applied thickness of the thermosetting adhesive after drying was 5 μm, and that the thickness of the electrolytic copper foil was 12 μm. Was. Evaluation was performed in the same manner as in Example 2 and Example 6, and the peel strength (kg / cm, 180 °) of the laminate was 2.0 kg / cm,
The result that the punching property was good was obtained.

【0043】実施例10 実施例7の熱硬化性接着剤に、窒化アルミナ(トクヤマ
社製、比表面積2.72m2 /g)を50部添加して得
られた接着剤を使用した他は、実施例7と同様に実施し
てフレキシブル回路基板を得た。実施例2および実施例
6と同様にして評価し、積層体の剥離強度(kg/c
m、180°)が1.5kg/cm、打ち抜き性が良好
という結果が得られた。
Example 10 An adhesive obtained by adding 50 parts of alumina nitride (manufactured by Tokuyama, specific surface area: 2.72 m 2 / g) to the thermosetting adhesive of Example 7 was used. A flexible circuit board was obtained in the same manner as in Example 7. Evaluation was performed in the same manner as in Examples 2 and 6, and the peel strength (kg / c
m, 180 °) was 1.5 kg / cm, and the result was that the punching property was good.

【0044】実施例11 実施例7で製造した熱硬化性接着剤溶液をポリエチレン
テレフタレ−ト(PET)製のフィルム(厚み25μ
m)の上に乾燥後の塗布厚みが20μmになるように塗
布・乾燥し、接着剤の両面にPET製のフィルムを張り
合わせた。次に、この接着剤シ−トの片方のPETフィ
ルムを剥がし、実施例2で製造した芳香族ポリイミドフ
ィルムの上に接着剤面を合わせ130℃で張り合わせ
た。この接着剤の上の他のPETフィルムを剥がし、接
着剤の上に実施例2と同様にして電解銅箔を張り合わ
せ、さらに実施例2と同様にしてフレキシブル回路基板
を得た。実施例2および実施例6と同様にして評価し、
積層体の剥離強度(kg/cm、180°)が2.3k
g/cm、打ち抜き性が良好という結果が得られた。
Example 11 The thermosetting adhesive solution prepared in Example 7 was applied to a polyethylene terephthalate (PET) film (thickness: 25 μm).
m) was applied and dried so that the applied thickness after drying was 20 μm, and a PET film was adhered to both sides of the adhesive. Next, one of the PET films of the adhesive sheet was peeled off, and the surface of the adhesive was aligned on the aromatic polyimide film produced in Example 2 at 130 ° C. The other PET film on the adhesive was peeled off, an electrolytic copper foil was stuck on the adhesive in the same manner as in Example 2, and a flexible circuit board was obtained in the same manner as in Example 2. Evaluation was performed in the same manner as in Example 2 and Example 6,
The peel strength (kg / cm, 180 °) of the laminate is 2.3k
g / cm and good punchability were obtained.

【0045】実施例12 芳香族ポリイミドフィルムの上に、実施例7で得たポリ
イミドシロキサン(ポリイミドシロキサン−1)のテト
ラヒドロフランの溶液を乾燥後の塗布厚みが20μmに
なるように塗布・乾燥し、さらに、フィルムの反対面に
同様にしてポリイミドシロキサンのテトラホドロフラン
の溶液を塗布・乾燥して両面に熱可塑性接着剤を塗布し
たフィルムを得た。この両面に接着剤を塗布したフィル
ムがLOC(リ−ド・オン・チップ)用のテ−プとして
使用可能であることを確認した。つまり、この両面に接
着剤付きのフィルムの両側に電解銅箔を重ね合わせ、銅
箔との張り合わせ温度を200℃にした他は実施例2と
同様にして電解銅箔を張り合わせ、同様にして両面のフ
レキシブル回路基板を得た。実施例2および実施例6と
同様にして評価し、積層体の剥離強度(kg/cm、1
80°)が1.8kg/cm、打ち抜き性が良好という
結果が得られた。
Example 12 A solution of the polyimidesiloxane (polyimidesiloxane-1) in tetrahydrofuran obtained in Example 7 was applied and dried on an aromatic polyimide film so that the applied thickness after drying was 20 μm. In the same manner, a solution of polyimidesiloxane in tetrahydrofuran was applied to the opposite surface of the film and dried to obtain a film in which a thermoplastic adhesive was applied to both surfaces. It was confirmed that the film coated with the adhesive on both sides can be used as a tape for LOC (lead-on-chip). That is, the electrolytic copper foil was laminated on both sides of the film with the adhesive on both sides, and the electrolytic copper foil was laminated in the same manner as in Example 2 except that the lamination temperature with the copper foil was set to 200 ° C. A flexible circuit board was obtained. Evaluation was performed in the same manner as in Example 2 and Example 6, and the peel strength (kg / cm, 1
80 °) was 1.8 kg / cm, and the result was that the punching property was good.

【0046】[0046]

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載のような効果を奏する。この発
明のフレキシブル回路基板は、打ち抜き性が良好であ
り、しかも接着性を保持しており、高精度の加工が可能
である。
Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained. ADVANTAGE OF THE INVENTION The flexible circuit board of this invention has favorable punching property, and also maintains adhesiveness, and can process with high precision.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明における芳香族ポリイミドフィルムの
製造法の一例の、キュア炉内におけるキュア前の好適な
加熱条件の範囲を示す。 縦軸 キュア炉入口における温度(℃)×滞留時間
(分) 横軸 フィルムの厚み(μm) 斜線 好ましい範囲
FIG. 1 shows a range of suitable heating conditions before curing in a curing furnace in an example of a method for producing an aromatic polyimide film according to the present invention. Vertical axis Temperature at the entrance of cure furnace (° C) × Residence time (minutes) Horizontal axis Film thickness (μm) Oblique line Preferred range

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08G 73/10 C08G 73/10 H05K 3/38 H05K 3/38 E ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI C08G 73/10 C08G 73/10 H05K 3/38 H05K 3/38 E

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 厚みが10〜125μmであって、11
〜22kg/20mm/10μmの比端裂抵抗値を持
ち、かつ揮発物含有量が0.4重量%以下である芳香族
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、直接あるいは
接着剤を介して導電体を積層したのち、回路を形成して
なるフレキシブル回路基板。
1. The method according to claim 1, wherein the thickness is 10 to 125 μm, and
A conductor was laminated directly or via an adhesive on at least one surface of an aromatic polyimide film having a specific crack resistance of 2222 kg / 20 mm / 10 μm and a volatile matter content of 0.4% by weight or less. Later, a flexible circuit board on which a circuit is formed.
【請求項2】 芳香族ポリイミドフィルムが、少なくと
も15モル%のビフェニルテトラカルボン酸もしくはそ
の二無水物またはエステルを含む芳香族テトラカルボン
酸成分と、少なくとも5モル%のフェニレンジアミンを
含む芳香族ジアミン成分との反応によって製造されたポ
リイミドからなる請求項1記載のフレキシブル回路基
板。
2. An aromatic polyimide film comprising: an aromatic tetracarboxylic acid component containing at least 15 mol% of biphenyltetracarboxylic acid or a dianhydride or an ester thereof; and an aromatic diamine component containing at least 5 mol% of phenylenediamine. 2. The flexible circuit board according to claim 1, comprising a polyimide produced by the reaction with:
【請求項3】 芳香族ポリイミドフィルムの比端裂抵抗
値が11〜15kg/20mm/10μmの範囲にある
請求項1記載のフレキシブル回路基板。
3. The flexible circuit board according to claim 1, wherein the specific crack resistance of the aromatic polyimide film is in a range of 11 to 15 kg / 20 mm / 10 μm.
【請求項4】 芳香族ポリイミドフィルムの揮発物含有
量が0.1−0.35重量%である請求項1もしくは2
記載のフレキシブル回路基板。
4. A method according to claim 1, wherein the aromatic polyimide film has a volatile matter content of 0.1 to 0.35% by weight.
The flexible circuit board as described.
【請求項5】 芳香族ポリイミドフィルムの少なくとも
片面を含む層が0.1〜3重量%の無機フィラ−を含有
する請求項1乃至は4のうちのいずれかの項に記載のフ
レキシブル回路基板。
5. The flexible circuit board according to claim 1, wherein the layer containing at least one surface of the aromatic polyimide film contains 0.1 to 3% by weight of an inorganic filler.
【請求項6】 芳香族ポリイミドフィルムの表面が表面
処理剤処理、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射、
グロ−放電処理、プラズマ処理のいずれか1つ以上の表
面処理がされている請求項1乃至5のうちのいずれかの
項に記載のフレキシブル回路基板。
6. The surface of the aromatic polyimide film is treated with a surface treatment agent, corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation,
The flexible circuit board according to any one of claims 1 to 5, wherein at least one of a glow discharge treatment and a plasma treatment is subjected to a surface treatment.
【請求項7】 芳香族ポリイミドフィルムの吸水率が
0.5−1.8%、引張弾性率が450−1000Kg
/mm2 、そして線膨張係数(50〜200℃)が0.
6×10-5−2.5×10-5cm/cm/℃である請求
項1乃至6のうちのいずれかの項に記載のフレキシブル
回路基板。
7. The aromatic polyimide film has a water absorption of 0.5 to 1.8% and a tensile modulus of 450 to 1000 kg.
/ Mm 2 and a coefficient of linear expansion (50 to 200 ° C.) of 0.
The flexible circuit board according to claim 1, wherein the flexible circuit board has a temperature of 6 × 10 −5 −2.5 × 10 −5 cm / cm / ° C. 8.
【請求項8】 芳香族ポリイミドフィルムの絶縁破壊電
圧が3KV以上であって、体積抵抗率(25℃)が1×
1015Ω・cm以上である請求項1乃至7のうちのいず
れかの項に記載のフレキシブル回路基板。
8. The aromatic polyimide film has a dielectric breakdown voltage of 3 KV or more and a volume resistivity (25 ° C.) of 1 ×.
The flexible circuit board according to claim 1, wherein the flexible circuit board has a resistance of 10 15 Ω · cm or more.
【請求項9】 接着剤が、厚みが5−35μmの熱可塑
性接着剤もしくは熱硬化性接着剤である請求項1に記載
のフレキシブル回路基板。
9. The flexible circuit board according to claim 1, wherein the adhesive is a thermoplastic adhesive or a thermosetting adhesive having a thickness of 5-35 μm.
【請求項10】 接着剤が、接着剤樹脂100重量部に
対して0−50重量部の割合で無機フィラ−を含有する
熱可塑性接着剤もしくは熱硬化性接着剤である請求項9
に記載のフレキシブル回路基板。
10. The adhesive according to claim 9, wherein the adhesive is a thermoplastic or thermosetting adhesive containing an inorganic filler in a proportion of 0 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the adhesive resin.
4. The flexible circuit board according to claim 1.
【請求項11】 接着剤が、熱融着性の非結晶性ポリイ
ミドからなる熱可塑性接着剤である請求項9に記載のフ
レキシブル回路基板。
11. The flexible circuit board according to claim 9, wherein the adhesive is a thermoplastic adhesive made of a heat-fusible amorphous polyimide.
【請求項12】 接着剤が、ポリイミドシロキサン−エ
ポキシ樹脂−エポキシ硬化剤の高耐熱性で低誘電性の熱
硬化性接着剤である請求項11に記載のフレキシブル回
路基板。
12. The flexible circuit board according to claim 11, wherein the adhesive is a high heat-resistant and low-dielectric thermosetting adhesive of polyimide siloxane-epoxy resin-epoxy curing agent.
【請求項13】 接着剤が、エポキシ樹脂との反応性基
を有するポリイミドシロキサン−エポキシ樹脂−エポキ
シ硬化剤の熱硬化性接着剤である請求項12に記載のフ
レキシブル回路基板。
13. The flexible circuit board according to claim 12, wherein the adhesive is a thermosetting adhesive of polyimide siloxane-epoxy resin-epoxy curing agent having an epoxy resin-reactive group.
【請求項14】 接着剤が、芳香族ポリイミドフィルム
に接着剤溶液を塗布した後に乾燥して設けられたもの、
あるいは保護フィルムに設けた接着剤を芳香族ポリイミ
ドフィルムに貼り合わせて設けられたものである請求項
9乃至13のうちのいずれかに記載のフレキシブル回路
基板。
14. An adhesive provided by applying an adhesive solution to an aromatic polyimide film and then drying it.
14. The flexible circuit board according to claim 9, wherein an adhesive provided on the protective film is attached to the aromatic polyimide film.
【請求項15】 導電体が厚み8−50μmの銅からな
る請求項1乃至14のうちのいずれかに記載のフレキシ
ブル回路基板。
15. The flexible circuit board according to claim 1, wherein the conductor is made of copper having a thickness of 8 to 50 μm.
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