JPH113858A - Ｘ線光学装置、ｘ線露光装置および半導体デバイス製造方法 - Google Patents
Ｘ線光学装置、ｘ線露光装置および半導体デバイス製造方法Info
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- JPH113858A JPH113858A JP10117765A JP11776598A JPH113858A JP H113858 A JPH113858 A JP H113858A JP 10117765 A JP10117765 A JP 10117765A JP 11776598 A JP11776598 A JP 11776598A JP H113858 A JPH113858 A JP H113858A
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- mirrors
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- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 拡大ミラーや集光ミラーに対するＸ線の相対
的位置ずれを補正する。 【解決手段】 光源１から発生されたシートビーム状の
Ｘ線は、集光ミラー２ｂによってＸ軸方向に集光され、
拡大ミラー２ａによってＹ軸方向に拡大される。各ミラ
ー２ａ，２ｂに対するＸ線の相対的位置ずれを光軸セン
サ１１ａ，１１ｂおよび位置センサ１２ａ，１２ｂによ
って検出し、アクチュエータ４ａ，４ｂによって各ミラ
ー２ａ，２ｂの位置と姿勢を補正することで、均一なＸ
線強度分布を保つ。
的位置ずれを補正する。 【解決手段】 光源１から発生されたシートビーム状の
Ｘ線は、集光ミラー２ｂによってＸ軸方向に集光され、
拡大ミラー２ａによってＹ軸方向に拡大される。各ミラ
ー２ａ，２ｂに対するＸ線の相対的位置ずれを光軸セン
サ１１ａ，１１ｂおよび位置センサ１２ａ，１２ｂによ
って検出し、アクチュエータ４ａ，４ｂによって各ミラ
ー２ａ，２ｂの位置と姿勢を補正することで、均一なＸ
線強度分布を保つ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子蓄積リン
グ放射光等のＸ線を露光光とするＸ線光学装置およびこ
れを用いたＸ線露光装置ならびに半導体デバイス製造方
法に関するものである。
グ放射光等のＸ線を露光光とするＸ線光学装置およびこ
れを用いたＸ線露光装置ならびに半導体デバイス製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細パターン化に伴
なって、１ギガビット以上のＤＲＡＭのための最小線幅
０．１５μｍのパターンを転写、焼き付けすることので
きる様々な露光装置の開発が進んでおり、なかでも荷電
粒子蓄積リング放射光等のＸ線を露光光とするＸ線露光
装置は、転写、焼き付けの精度と生産性の双方にすぐれ
ており、将来性が大きく期待されている。
なって、１ギガビット以上のＤＲＡＭのための最小線幅
０．１５μｍのパターンを転写、焼き付けすることので
きる様々な露光装置の開発が進んでおり、なかでも荷電
粒子蓄積リング放射光等のＸ線を露光光とするＸ線露光
装置は、転写、焼き付けの精度と生産性の双方にすぐれ
ており、将来性が大きく期待されている。
【０００３】図１３に示すように、荷電粒子蓄積リング
放射光等のＸ線（ＳＲ光）は、荷電粒子蓄積リング等の
光源１０１の軌道に垂直な方向（Ｙ軸方向）に厚みの薄
いシートビームとして発光点から引き出されるため、拡
大ミラー１０２等のビーム拡大装置によってＹ軸方向に
拡大する。このようにして必要な露光画角に拡大された
拡大ビームＨ1 を、ベリリウム窓１０３を通って露光室
に導入し、マスクＮ1を経て図示しないウエハを露光す
る。
放射光等のＸ線（ＳＲ光）は、荷電粒子蓄積リング等の
光源１０１の軌道に垂直な方向（Ｙ軸方向）に厚みの薄
いシートビームとして発光点から引き出されるため、拡
大ミラー１０２等のビーム拡大装置によってＹ軸方向に
拡大する。このようにして必要な露光画角に拡大された
拡大ビームＨ1 を、ベリリウム窓１０３を通って露光室
に導入し、マスクＮ1を経て図示しないウエハを露光す
る。
【０００４】光源１０１から露光室のベリリウム窓１０
３に到るまでのビームダクト等は、Ｘ線の減衰を防ぐた
めに超高真空の雰囲気に制御され、また、露光室内も、
ヘリウムガス等の減圧雰囲気に制御される。
３に到るまでのビームダクト等は、Ｘ線の減衰を防ぐた
めに超高真空の雰囲気に制御され、また、露光室内も、
ヘリウムガス等の減圧雰囲気に制御される。
【０００５】拡大ミラー１０２は、円筒状に湾曲した反
射面を有するシリンドリカルミラーであって、図示しな
い真空室内に懸下されている。拡大ミラー１０２の反射
面とＸ線の相対位置すなわちＸ線の入射位置がＹ軸方向
に変化すると、拡大ビームＨ1 のＸ線強度分布が大きく
変動し、露光画角内に著しい強度むらが発生して均一な
露光を行なうことができない。そこで、拡大ミラー１０
２をＹ軸方向に移動させるアクチュエータ１０４を設け
るとともに、拡大ミラー１０２に入射するＸ線のＹ軸方
向の相対的位置ずれを検出するための位置センサ１０５
を設ける。位置センサ１０５は、拡大ミラー１０２と一
体的に配設され、位置センサ１０５の出力をコントロー
ラ１０６に導入してアクチュエータ１０４を制御する。
射面を有するシリンドリカルミラーであって、図示しな
い真空室内に懸下されている。拡大ミラー１０２の反射
面とＸ線の相対位置すなわちＸ線の入射位置がＹ軸方向
に変化すると、拡大ビームＨ1 のＸ線強度分布が大きく
変動し、露光画角内に著しい強度むらが発生して均一な
露光を行なうことができない。そこで、拡大ミラー１０
２をＹ軸方向に移動させるアクチュエータ１０４を設け
るとともに、拡大ミラー１０２に入射するＸ線のＹ軸方
向の相対的位置ずれを検出するための位置センサ１０５
を設ける。位置センサ１０５は、拡大ミラー１０２と一
体的に配設され、位置センサ１０５の出力をコントロー
ラ１０６に導入してアクチュエータ１０４を制御する。
【０００６】これとは別にシート状のＸ線のままでマス
クを走査することにより全面を露光するＸ線露光装置も
知られている。
クを走査することにより全面を露光するＸ線露光装置も
知られている。
【０００７】図１４は走査ミラーシステムとその座標系
を示すものである。光源２０１からのシート状のＳＲ光
（Ｘ線）Ｈ2 を、平面状の走査ミラー２０２を不図示の
駆動手段で揺動することでＹ軸方向に走査してマスクＮ
2 の全面にＳＲ光Ｈ2 が照射されるようにするものであ
る。このミラーシステムではＳＲ光Ｈ2 はそのままマス
ク面に照射されている。
を示すものである。光源２０１からのシート状のＳＲ光
（Ｘ線）Ｈ2 を、平面状の走査ミラー２０２を不図示の
駆動手段で揺動することでＹ軸方向に走査してマスクＮ
2 の全面にＳＲ光Ｈ2 が照射されるようにするものであ
る。このミラーシステムではＳＲ光Ｈ2 はそのままマス
ク面に照射されている。
【０００８】このようなシステムにおいては、ＳＲ光Ｈ
2 のＹ軸方向の強度分布の中心が走査ミラー２０２の反
射面に対してＹ軸方向にのみずれないように制御してい
る。これはＳＲ光Ｈ2 と走査ミラー反射面のＹ軸方向の
ずれによってマスクＮ2 上のＸ線強度が大きく変動する
が、その他のＸ軸方向のずれ、ωＹ方向のずれ（Ｙ軸ま
わりの回転ずれ）については影響は少ないためである。
2 のＹ軸方向の強度分布の中心が走査ミラー２０２の反
射面に対してＹ軸方向にのみずれないように制御してい
る。これはＳＲ光Ｈ2 と走査ミラー反射面のＹ軸方向の
ずれによってマスクＮ2 上のＸ線強度が大きく変動する
が、その他のＸ軸方向のずれ、ωＹ方向のずれ（Ｙ軸ま
わりの回転ずれ）については影響は少ないためである。
【０００９】この理由は、まず集光を行なわないＸ線照
明装置においてはミラーの反射面のＸ軸方向は平坦であ
り、そのためＳＲ光とミラーの反射面のＸ軸方向のずれ
はマスク面上のＸ線の強度変動は生じず、また、ωＹ方
向のずれによる影響も少ないからである。
明装置においてはミラーの反射面のＸ軸方向は平坦であ
り、そのためＳＲ光とミラーの反射面のＸ軸方向のずれ
はマスク面上のＸ線の強度変動は生じず、また、ωＹ方
向のずれによる影響も少ないからである。
【００１０】そこで、ＳＲ光Ｈ2 のＹ軸方向の強度分布
の中心がミラー反射面の所定の位置から相対的に移動し
ないように、位置センサ２０５と、走査ミラー２０２の
揺動中心をＹ軸方向に移動させるアクチュエータ２０４
と、位置センサ２０５の出力に基づいてアクチュエータ
２０４を制御するコントローラ２０６を設けて、マスク
Ｎ2 上のＸ線強度分布が変化するのを防ぐように構成さ
れている。
の中心がミラー反射面の所定の位置から相対的に移動し
ないように、位置センサ２０５と、走査ミラー２０２の
揺動中心をＹ軸方向に移動させるアクチュエータ２０４
と、位置センサ２０５の出力に基づいてアクチュエータ
２０４を制御するコントローラ２０６を設けて、マスク
Ｎ2 上のＸ線強度分布が変化するのを防ぐように構成さ
れている。
【００１１】また、最近では、荷電粒子蓄積リング放射
光等のＸ線を拡大ミラーによってＹ軸方向に拡大すると
ともに、拡大ミラーや走査ミラーの上流側においてＸ線
をＸ軸方向に集光する集光ミラーを設けて、より強度の
高い拡大ビームや走査ビームを得るように構成したＸ線
露光装置が開発されている。集光ミラーは、シートビー
ム状のＸ線をＸ軸方向に集光する凹面ミラーであって、
Ｘ線の強度を増大させることで露光時間を大幅に短縮で
きる。すなわち、２枚のミラーを有するＸ線照明系を用
いることで、マスクの全面を強いＸ線によって均一に露
光し、Ｘ線露光装置の生産性を向上させることができ
る。
光等のＸ線を拡大ミラーによってＹ軸方向に拡大すると
ともに、拡大ミラーや走査ミラーの上流側においてＸ線
をＸ軸方向に集光する集光ミラーを設けて、より強度の
高い拡大ビームや走査ビームを得るように構成したＸ線
露光装置が開発されている。集光ミラーは、シートビー
ム状のＸ線をＸ軸方向に集光する凹面ミラーであって、
Ｘ線の強度を増大させることで露光時間を大幅に短縮で
きる。すなわち、２枚のミラーを有するＸ線照明系を用
いることで、マスクの全面を強いＸ線によって均一に露
光し、Ｘ線露光装置の生産性を向上させることができ
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、拡大ミラーや走査ミラーに集光ミラー
を加えた少なくとも２枚のミラーを用いる場合には、前
述のようにＸ線ビームのＹ軸方向の入射位置のずれを検
出して拡大ミラーや走査ミラーの位置を調節するだけで
は均一なＸ線強度分布を得ることができない。集光ミラ
ーに対してＸ線ビームの入射位置がＸ軸方向にずれた
り、Ｘ線ビームの光軸が傾いた場合には、集光ミラーの
反射角が大きく変化して露光画角内のＸ線強度分布が２
次元的に変動するためである。
の技術によれば、拡大ミラーや走査ミラーに集光ミラー
を加えた少なくとも２枚のミラーを用いる場合には、前
述のようにＸ線ビームのＹ軸方向の入射位置のずれを検
出して拡大ミラーや走査ミラーの位置を調節するだけで
は均一なＸ線強度分布を得ることができない。集光ミラ
ーに対してＸ線ビームの入射位置がＸ軸方向にずれた
り、Ｘ線ビームの光軸が傾いた場合には、集光ミラーの
反射角が大きく変化して露光画角内のＸ線強度分布が２
次元的に変動するためである。
【００１３】このように、集光ミラー等を有するＸ線照
明系を用いたＸ線露光装置においては充分な転写精度を
得るのが難しいという未解決の課題がある。
明系を用いたＸ線露光装置においては充分な転写精度を
得るのが難しいという未解決の課題がある。
【００１４】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、少なくとも２枚のミ
ラーを経てマスク等原版に照射されるＸ線のＸ線強度分
布を均一に制御して、Ｘ線露光装置の転写精度や生産性
を大きく向上できるＸ線光学装置およびこれを用いたＸ
線露光装置ならびに半導体デバイス製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、少なくとも２枚のミ
ラーを経てマスク等原版に照射されるＸ線のＸ線強度分
布を均一に制御して、Ｘ線露光装置の転写精度や生産性
を大きく向上できるＸ線光学装置およびこれを用いたＸ
線露光装置ならびに半導体デバイス製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のＸ線光学装置は、少なくとも２枚のミラー
を備えたＸ線照明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆
動する駆動手段と、前記Ｘ線照明系におけるＸ線の傾き
と入射位置の少なくとも一方を検出するビーム位置検出
手段と、該ビーム位置検出手段の検出結果に基づいて前
記駆動手段による各ミラーの駆動量を制御する制御手段
を有することを特徴とする。
めに本発明のＸ線光学装置は、少なくとも２枚のミラー
を備えたＸ線照明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆
動する駆動手段と、前記Ｘ線照明系におけるＸ線の傾き
と入射位置の少なくとも一方を検出するビーム位置検出
手段と、該ビーム位置検出手段の検出結果に基づいて前
記駆動手段による各ミラーの駆動量を制御する制御手段
を有することを特徴とする。
【００１６】駆動手段が、各ミラーの位置と姿勢を変化
させるように構成されているとよい。
させるように構成されているとよい。
【００１７】ビーム位置検出手段が、２枚のミラーのそ
れぞれに配設された光軸センサと位置センサを備えてい
るとよい。
れぞれに配設された光軸センサと位置センサを備えてい
るとよい。
【００１８】ビーム位置検出手段が、２枚のミラーの一
方に配設された光軸センサと位置センサを備えており、
制御手段が、前記ビーム位置検出手段の検出結果に基づ
いて前記一方のミラーの駆動量を制御するとともに、前
記ビーム位置検出手段の検出結果と前記一方のミラーの
前記駆動量に基づいて前記２枚のミラーのうちの他方の
駆動量を制御するように構成されていてもよい。
方に配設された光軸センサと位置センサを備えており、
制御手段が、前記ビーム位置検出手段の検出結果に基づ
いて前記一方のミラーの駆動量を制御するとともに、前
記ビーム位置検出手段の検出結果と前記一方のミラーの
前記駆動量に基づいて前記２枚のミラーのうちの他方の
駆動量を制御するように構成されていてもよい。
【００１９】Ｘ線照明系が、Ｘ線のビーム断面の一方向
における集光と他方向における拡大を実行するように構
成されているとよい。
における集光と他方向における拡大を実行するように構
成されているとよい。
【００２０】Ｘ線照明系が、Ｘ線による走査照明を行な
うように構成されていてもよい。
うように構成されていてもよい。
【００２１】また、少なくとも２枚のミラーを備えたＸ
線照明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆動する駆動
手段と、前記Ｘ線照明系によって照射されたＸ線のＸ線
強度分布を有効ビーム断面の外側で検出するＸ線強度分
布検出手段と、該Ｘ線強度分布検出手段の検出結果に基
づいて前記駆動手段による各ミラーの駆動量を制御する
制御手段を有することを特徴とするＸ線光学装置でもよ
い。
線照明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆動する駆動
手段と、前記Ｘ線照明系によって照射されたＸ線のＸ線
強度分布を有効ビーム断面の外側で検出するＸ線強度分
布検出手段と、該Ｘ線強度分布検出手段の検出結果に基
づいて前記駆動手段による各ミラーの駆動量を制御する
制御手段を有することを特徴とするＸ線光学装置でもよ
い。
【００２２】２枚のミラーの少なくとも一方に位置セン
サが配設されており、制御手段が、Ｘ線強度分布検出手
段の検出結果と前記位置センサの検出結果に基づいて各
ミラーの駆動量を制御するように構成されていてもよ
い。
サが配設されており、制御手段が、Ｘ線強度分布検出手
段の検出結果と前記位置センサの検出結果に基づいて各
ミラーの駆動量を制御するように構成されていてもよ
い。
【００２３】本発明のＸ線露光装置は、少なくとも２枚
のミラーを備えたＸ線照明系と、前記２枚のミラーをそ
れぞれ駆動する駆動手段と、前記Ｘ線照明系におけるＸ
線の傾きと入射位置の少なくとも一方を検出するビーム
位置検出手段と、該ビーム位置検出手段の検出結果に基
づいて前記駆動手段による各ミラーの駆動量を制御する
制御手段を有し、前記２枚のミラーを介した前記Ｘ線に
よって所定の対象が露光されることを特徴とする。
のミラーを備えたＸ線照明系と、前記２枚のミラーをそ
れぞれ駆動する駆動手段と、前記Ｘ線照明系におけるＸ
線の傾きと入射位置の少なくとも一方を検出するビーム
位置検出手段と、該ビーム位置検出手段の検出結果に基
づいて前記駆動手段による各ミラーの駆動量を制御する
制御手段を有し、前記２枚のミラーを介した前記Ｘ線に
よって所定の対象が露光されることを特徴とする。
【００２４】Ｘ線照明系が、Ｘ線のビーム断面の一方向
における集光と他方向における拡大を実行するように構
成されているとよい。
における集光と他方向における拡大を実行するように構
成されているとよい。
【００２５】Ｘ線照明系が、Ｘ線による所定の対象の走
査露光を行なうように構成されていてもよい。
査露光を行なうように構成されていてもよい。
【００２６】また、少なくとも２枚のミラーを備えたＸ
線照明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆動する駆動
手段と、前記Ｘ線照明系によって照射されたＸ線のＸ線
強度分布を有効ビーム断面の外側で検出するＸ線強度分
布検出手段と、該Ｘ線強度分布検出手段の検出結果に基
づいて各ミラーの駆動量を制御する制御手段を有し、前
記２枚のミラーを介した前記Ｘ線によって所定の対象が
露光されることを特徴とするＸ線露光装置でもよい。
線照明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆動する駆動
手段と、前記Ｘ線照明系によって照射されたＸ線のＸ線
強度分布を有効ビーム断面の外側で検出するＸ線強度分
布検出手段と、該Ｘ線強度分布検出手段の検出結果に基
づいて各ミラーの駆動量を制御する制御手段を有し、前
記２枚のミラーを介した前記Ｘ線によって所定の対象が
露光されることを特徴とするＸ線露光装置でもよい。
【００２７】本発明の半導体デバイス製造方法は、少な
くとも２枚のミラーを備えたＸ線照明系におけるＸ線の
傾きと入射位置の少なくとも一方を検出する工程と、そ
の検出結果に基づいて各ミラーを駆動する工程と、前記
２枚のミラーを介した前記Ｘ線によるパターンの基板へ
の焼き付け露光を行なう工程と、焼き付けられたパター
ンを用いてデバイスを製造する工程を有することを特徴
とする。
くとも２枚のミラーを備えたＸ線照明系におけるＸ線の
傾きと入射位置の少なくとも一方を検出する工程と、そ
の検出結果に基づいて各ミラーを駆動する工程と、前記
２枚のミラーを介した前記Ｘ線によるパターンの基板へ
の焼き付け露光を行なう工程と、焼き付けられたパター
ンを用いてデバイスを製造する工程を有することを特徴
とする。
【００２８】また、少なくとも２枚のミラーを備えたＸ
線照明系によって照射されるＸ線のＸ線強度分布を有効
ビーム断面の外側で検出する工程と、その検出結果に基
づいて各ミラーを駆動する工程と、前記２枚のミラーを
介した前記Ｘ線にるパターンの基板への焼き付け露光を
行なう工程と、焼き付けられたパターンを用いてデバイ
スを製造する工程を有することを特徴とする半導体デバ
イス製造方法でもよい。
線照明系によって照射されるＸ線のＸ線強度分布を有効
ビーム断面の外側で検出する工程と、その検出結果に基
づいて各ミラーを駆動する工程と、前記２枚のミラーを
介した前記Ｘ線にるパターンの基板への焼き付け露光を
行なう工程と、焼き付けられたパターンを用いてデバイ
スを製造する工程を有することを特徴とする半導体デバ
イス製造方法でもよい。
【００２９】
【作用】少なくとも２枚のミラーを用いてＸ線の集光お
よび拡大または走査を行なうＸ線照明系においては、各
ミラーに対するＸ線の傾きや入射位置の変動によってＸ
線強度分布が変化し、均一な露光を行なうことができな
い。そこで、Ｘ線の傾きや入射位置を検出するための光
軸センサや位置センサ等のビーム位置検出手段あるいは
Ｘ線の有効ビーム断面の外側でＸ線強度分布を検出する
Ｘ線強度分布検出手段を配設し、その検出結果に基づい
て各ミラーの位置や姿勢を変化させることで、露光画角
内のＸ線強度分布を一定に保つ。
よび拡大または走査を行なうＸ線照明系においては、各
ミラーに対するＸ線の傾きや入射位置の変動によってＸ
線強度分布が変化し、均一な露光を行なうことができな
い。そこで、Ｘ線の傾きや入射位置を検出するための光
軸センサや位置センサ等のビーム位置検出手段あるいは
Ｘ線の有効ビーム断面の外側でＸ線強度分布を検出する
Ｘ線強度分布検出手段を配設し、その検出結果に基づい
て各ミラーの位置や姿勢を変化させることで、露光画角
内のＸ線強度分布を一定に保つ。
【００３０】これによって、ウエハ等基板の露光むらを
防ぎ、パターンの転写精度を大幅に向上できる。
防ぎ、パターンの転写精度を大幅に向上できる。
【００３１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００３２】図１は第１実施例によるＸ線露光装置のＸ
線光学装置を示す。荷電粒子蓄積リング等の光源１から
発生されるＸ線（ＳＲ光）は、荷電粒子蓄積リング等の
軌道に垂直な方向（Ｙ軸方向）に厚みの薄いシートビー
ムとして発光点から引き出されるため、ミラーである拡
大ミラー２ａによってＹ軸方向に拡大する。また、拡大
ミラー２ａの上流側には、Ｘ軸方向に湾曲する凹面状の
ミラーである集光ミラー２ｂが配設され、前記Ｘ線をＸ
軸方向に集光して強度を高くしたうえで拡大ミラー２ａ
に入射させるように構成されている。
線光学装置を示す。荷電粒子蓄積リング等の光源１から
発生されるＸ線（ＳＲ光）は、荷電粒子蓄積リング等の
軌道に垂直な方向（Ｙ軸方向）に厚みの薄いシートビー
ムとして発光点から引き出されるため、ミラーである拡
大ミラー２ａによってＹ軸方向に拡大する。また、拡大
ミラー２ａの上流側には、Ｘ軸方向に湾曲する凹面状の
ミラーである集光ミラー２ｂが配設され、前記Ｘ線をＸ
軸方向に集光して強度を高くしたうえで拡大ミラー２ａ
に入射させるように構成されている。
【００３３】このように拡大ミラー２ａと集光ミラー２
ｂを有するＸ線照明系によって集光、拡大された拡大ビ
ームＬ1 は、ベリリウム窓３を通って露光室に導入さ
れ、原版であるマスクＭ1 を経て図示しないウエハステ
ージ等の基板保持手段に保持された基板であるウエハを
露光する。光源１から露光室のベリリウム窓３に到るま
でのビームダクト等は、Ｘ線の減衰を防ぐために超高真
空の雰囲気に制御され、また、露光室内も、ヘリウムガ
ス等の減圧雰囲気に制御される。
ｂを有するＸ線照明系によって集光、拡大された拡大ビ
ームＬ1 は、ベリリウム窓３を通って露光室に導入さ
れ、原版であるマスクＭ1 を経て図示しないウエハステ
ージ等の基板保持手段に保持された基板であるウエハを
露光する。光源１から露光室のベリリウム窓３に到るま
でのビームダクト等は、Ｘ線の減衰を防ぐために超高真
空の雰囲気に制御され、また、露光室内も、ヘリウムガ
ス等の減圧雰囲気に制御される。
【００３４】拡大ミラー２ａは、円筒状に湾曲した反射
面を有するシリンドリカルミラーであって、図示しない
真空室内に懸下されている。Ｘ線のゆらぎ等によって拡
大ミラー２ａに対するＸ線の入射位置や傾きが変化する
と、拡大ビームＬ1 のＸ線強度分布が大きく変動し、露
光画角内に著しい強度むらが発生して均一な露光を行な
うことができない。そこで、拡大ミラー２ａの位置や姿
勢を変化させる駆動手段であるアクチュエータ４ａを設
けるとともに、拡大ミラー２ａに対するＸ線の相対的位
置ずれを検出するビーム位置検出手段であるビーム位置
検出装置５ａを拡大ミラー２ａと一体的に配設し、ビー
ム位置検出装置５ａの出力（検出結果）を制御手段であ
るコントローラ６に導入してアクチュエータ４ａの駆動
量を制御するように構成する。
面を有するシリンドリカルミラーであって、図示しない
真空室内に懸下されている。Ｘ線のゆらぎ等によって拡
大ミラー２ａに対するＸ線の入射位置や傾きが変化する
と、拡大ビームＬ1 のＸ線強度分布が大きく変動し、露
光画角内に著しい強度むらが発生して均一な露光を行な
うことができない。そこで、拡大ミラー２ａの位置や姿
勢を変化させる駆動手段であるアクチュエータ４ａを設
けるとともに、拡大ミラー２ａに対するＸ線の相対的位
置ずれを検出するビーム位置検出手段であるビーム位置
検出装置５ａを拡大ミラー２ａと一体的に配設し、ビー
ム位置検出装置５ａの出力（検出結果）を制御手段であ
るコントローラ６に導入してアクチュエータ４ａの駆動
量を制御するように構成する。
【００３５】拡大ミラー２ａと同様に、集光ミラー２ｂ
も真空室内に配設されており、駆動手段であるアクチュ
エータ４ｂによって支持されている。Ｘ線のゆらぎ等に
よって集光ミラー２ｂに対するＸ線の入射位置や傾きが
変化すると、必要な集光力を得ることができず、拡大ビ
ームＬ1 のＸ線強度分布が著しく変動し、均一な露光を
行なうことができない。そこで、集光ミラー２ｂの位置
や姿勢を変化させるアクチュエータ４ｂを設けるととも
に、集光ミラー２ｂに対するＸ線の相対的位置ずれを検
出するビーム位置検出手段であるビーム位置検出装置５
ｂを集光ミラー２ｂと一体的に配設し、ビーム位置検出
装置５ｂの出力（検出結果）をコントローラ６に導入し
てアクチュエータ４ｂの駆動量を制御する。
も真空室内に配設されており、駆動手段であるアクチュ
エータ４ｂによって支持されている。Ｘ線のゆらぎ等に
よって集光ミラー２ｂに対するＸ線の入射位置や傾きが
変化すると、必要な集光力を得ることができず、拡大ビ
ームＬ1 のＸ線強度分布が著しく変動し、均一な露光を
行なうことができない。そこで、集光ミラー２ｂの位置
や姿勢を変化させるアクチュエータ４ｂを設けるととも
に、集光ミラー２ｂに対するＸ線の相対的位置ずれを検
出するビーム位置検出手段であるビーム位置検出装置５
ｂを集光ミラー２ｂと一体的に配設し、ビーム位置検出
装置５ｂの出力（検出結果）をコントローラ６に導入し
てアクチュエータ４ｂの駆動量を制御する。
【００３６】拡大ミラー２ａのビーム位置検出装置５ａ
と集光ミラー２ｂのビーム位置検出装置５ｂは同一構成
を有するもので、それぞれ、Ｘ線のＸ軸方向の入射位置
とωＸ、ωＹ方向の入射角度（光軸の傾き）を検出する
光軸センサ１１ａ，１１ｂと、Ｘ線のＹ軸方向の入射位
置とωＺ方向の傾斜角度（光軸のまわりの傾き）を検出
する位置センサ１２ａ，１２ｂからなる。
と集光ミラー２ｂのビーム位置検出装置５ｂは同一構成
を有するもので、それぞれ、Ｘ線のＸ軸方向の入射位置
とωＸ、ωＹ方向の入射角度（光軸の傾き）を検出する
光軸センサ１１ａ，１１ｂと、Ｘ線のＹ軸方向の入射位
置とωＺ方向の傾斜角度（光軸のまわりの傾き）を検出
する位置センサ１２ａ，１２ｂからなる。
【００３７】光軸センサ１１ａ，１１ｂはそれぞれ、図
２に示すように、筒状の枠体１０ａと、その一端に固着
されたピンホール１０ｂと、枠体１０ａの他端に保持さ
れたＸ線エリアセンサ１０ｃを有し、ピンホール１０ｂ
を通ったＸ線をＸ線エリアセンサ１０ｃ上のスポットと
して感知する。Ｘ線の光軸が傾くと、Ｘ線エリアセンサ
１０ｃ上のスポットの位置が変動する。このようなスポ
ット位置の変動量を計測して、該変動量と、ピンホール
１０ｂとＸ線エリアセンサ１０ｃ間の距離から、Ｘ線の
光軸のωＸ、ωＹ方向の傾きを算出し、これらのデータ
を用いて、拡大ミラー２ａや集光ミラー２ｂに対するＸ
線のＸ軸方向の入射位置とωＸ、ωＹ、方向の入射角度
の変化を求める。
２に示すように、筒状の枠体１０ａと、その一端に固着
されたピンホール１０ｂと、枠体１０ａの他端に保持さ
れたＸ線エリアセンサ１０ｃを有し、ピンホール１０ｂ
を通ったＸ線をＸ線エリアセンサ１０ｃ上のスポットと
して感知する。Ｘ線の光軸が傾くと、Ｘ線エリアセンサ
１０ｃ上のスポットの位置が変動する。このようなスポ
ット位置の変動量を計測して、該変動量と、ピンホール
１０ｂとＸ線エリアセンサ１０ｃ間の距離から、Ｘ線の
光軸のωＸ、ωＹ方向の傾きを算出し、これらのデータ
を用いて、拡大ミラー２ａや集光ミラー２ｂに対するＸ
線のＸ軸方向の入射位置とωＸ、ωＹ、方向の入射角度
の変化を求める。
【００３８】位置センサ１２ａ，１２ｂはそれぞれ、図
３に示すように、拡大ミラー２ａ、集光ミラー２ｂと一
体である支持体１０ｄと、これに支持された第１ないし
第３のＸ線強度センサ１０ｅ〜１０ｇを有し、第１、第
２のＸ線強度センサ１０ｅ，１０ｆはＸ軸方向に直列に
配列され、第２、第３のＸ線強度センサ１０ｆ，１０ｇ
はＹ軸方向に直列に配列されている。第１、第２のＸ線
強度センサ１０ｅ，１０ｆの出力の比からシートビーム
状のＸ線の光軸まわり（ωＺ方向）の入射角度を検出
し、第２、第３のＸ線強度センサ１０ｆ，１０ｇの出力
の和と差を比較して、Ｘ線のＹ軸方向の入射位置を検出
する。
３に示すように、拡大ミラー２ａ、集光ミラー２ｂと一
体である支持体１０ｄと、これに支持された第１ないし
第３のＸ線強度センサ１０ｅ〜１０ｇを有し、第１、第
２のＸ線強度センサ１０ｅ，１０ｆはＸ軸方向に直列に
配列され、第２、第３のＸ線強度センサ１０ｆ，１０ｇ
はＹ軸方向に直列に配列されている。第１、第２のＸ線
強度センサ１０ｅ，１０ｆの出力の比からシートビーム
状のＸ線の光軸まわり（ωＺ方向）の入射角度を検出
し、第２、第３のＸ線強度センサ１０ｆ，１０ｇの出力
の和と差を比較して、Ｘ線のＹ軸方向の入射位置を検出
する。
【００３９】このように、拡大ミラー２ａと集光ミラー
２ｂのそれぞれにＸ線のＸ軸方向、Ｙ軸方向の入射位置
とωＸ、ωＹ、ωＺ方向の入射角度を検出するビーム位
置検出装置５ａ，５ｂを設け、これらの出力に基づいて
拡大ミラー２ａと集光ミラー２ｂのアクチュエータ４
ａ，４ｂの駆動量を制御することで、拡大ミラー２ａ、
集光ミラー２ｂとこれらに入射するＸ線の間の相対的位
置ずれを回避する。
２ｂのそれぞれにＸ線のＸ軸方向、Ｙ軸方向の入射位置
とωＸ、ωＹ、ωＺ方向の入射角度を検出するビーム位
置検出装置５ａ，５ｂを設け、これらの出力に基づいて
拡大ミラー２ａと集光ミラー２ｂのアクチュエータ４
ａ，４ｂの駆動量を制御することで、拡大ミラー２ａ、
集光ミラー２ｂとこれらに入射するＸ線の間の相対的位
置ずれを回避する。
【００４０】拡大ミラー２ａによって厚さ方向（Ｙ軸方
向）に拡大され、しかも集光ミラー２ｂによって高強度
に集光された拡大ビームＬ1 のＸ線強度分布を常に一定
に保つことにより、均一な一括露光を短時間で行なうこ
とが可能となる。これによって、Ｘ線露光装置の転写精
度を向上させ、かつ、スループットを大幅に改善でき
る。
向）に拡大され、しかも集光ミラー２ｂによって高強度
に集光された拡大ビームＬ1 のＸ線強度分布を常に一定
に保つことにより、均一な一括露光を短時間で行なうこ
とが可能となる。これによって、Ｘ線露光装置の転写精
度を向上させ、かつ、スループットを大幅に改善でき
る。
【００４１】図４は第１実施例の一変形例を示す。これ
は、集光ミラー２ｂのみにビーム位置検出装置５ｂを配
設し、拡大ミラー２ａのビーム位置検出装置５ａを省略
したものである。拡大ミラー２ａに対するＸ線の入射位
置と傾き等については、集光ミラー２ｂのアクチュエー
タ４ｂの駆動量とビーム位置検出装置５ｂの出力に基づ
いてコントローラ６において算出する。特に、拡大ミラ
ー２ａのアクチュエータ４ａが、Ｘ線のＹ軸方向の入射
位置のみを制御するように構成されている場合は、この
ように集光ミラー２ｂのビーム位置検出装置５ｂの検出
データを利用することでＸ線光学装置の構成を簡略化す
るとよい。
は、集光ミラー２ｂのみにビーム位置検出装置５ｂを配
設し、拡大ミラー２ａのビーム位置検出装置５ａを省略
したものである。拡大ミラー２ａに対するＸ線の入射位
置と傾き等については、集光ミラー２ｂのアクチュエー
タ４ｂの駆動量とビーム位置検出装置５ｂの出力に基づ
いてコントローラ６において算出する。特に、拡大ミラ
ー２ａのアクチュエータ４ａが、Ｘ線のＹ軸方向の入射
位置のみを制御するように構成されている場合は、この
ように集光ミラー２ｂのビーム位置検出装置５ｂの検出
データを利用することでＸ線光学装置の構成を簡略化す
るとよい。
【００４２】図５は第２実施例によるＸ線光学装置を示
す。第１実施例と同様に、荷電粒子蓄積リング等の光源
２１から発生されるＸ線は、荷電粒子蓄積リング等の軌
道に垂直な方向（Ｙ軸方向）に厚みの小さいシートビー
ムとして発光点から引き出されるため、ミラーである拡
大ミラー２２ａによってＹ軸方向に拡大する。また、拡
大ミラー２２ａの上流側には、Ｘ軸方向に湾曲する凹面
状のミラーである集光ミラー２２ｂが配設され、前記Ｘ
線をＸ軸方向に集光して強度を高くしたうえで拡大ミラ
ー２２ａに入射させるように構成されている。
す。第１実施例と同様に、荷電粒子蓄積リング等の光源
２１から発生されるＸ線は、荷電粒子蓄積リング等の軌
道に垂直な方向（Ｙ軸方向）に厚みの小さいシートビー
ムとして発光点から引き出されるため、ミラーである拡
大ミラー２２ａによってＹ軸方向に拡大する。また、拡
大ミラー２２ａの上流側には、Ｘ軸方向に湾曲する凹面
状のミラーである集光ミラー２２ｂが配設され、前記Ｘ
線をＸ軸方向に集光して強度を高くしたうえで拡大ミラ
ー２２ａに入射させるように構成されている。
【００４３】このように集光ミラー２２ｂによって集光
され拡大ミラー２２ａによって拡大された拡大ビームＬ
2 は、ベリリウム窓２３を通って露光室に導入され、マ
スクＭ2 を経て図示しないウエハを露光する。光源２１
から露光室のベリリウム窓２３に到るまでのビームダク
ト等は、Ｘ線の減衰を防ぐために超高真空の雰囲気に制
御され、また、露光室内も、ヘリウムガス等の減圧雰囲
気に制御される。
され拡大ミラー２２ａによって拡大された拡大ビームＬ
2 は、ベリリウム窓２３を通って露光室に導入され、マ
スクＭ2 を経て図示しないウエハを露光する。光源２１
から露光室のベリリウム窓２３に到るまでのビームダク
ト等は、Ｘ線の減衰を防ぐために超高真空の雰囲気に制
御され、また、露光室内も、ヘリウムガス等の減圧雰囲
気に制御される。
【００４４】拡大ミラー２２ａは、円筒状に湾曲した反
射面を有するシリンドリカルミラーであって、図示しな
い真空室内に懸下されている。Ｘ線のゆらぎ等によって
拡大ミラー２２ａに対するＸ線の入射位置や入射角度が
変化すると、拡大ビームＬ2のＸ線強度分布が大きく変
動し、露光画角内に著しい強度むらが発生して均一な露
光を行なうことができない。そこで、拡大ミラー２２ａ
の位置や姿勢を変化させる駆動手段であるアクチュエー
タ２４ａを設けるとともに、少なくとも４個のＸ線強度
センサを有するＸ線強度分布検出手段であるＸ線強度分
布センサ２５の出力に基づいて拡大ミラー２２ａに対す
るＸ線の相対的位置ずれを検出してアクチュエータ２４
ａの駆動量を制御する制御手段であるコントローラ２６
を設ける。
射面を有するシリンドリカルミラーであって、図示しな
い真空室内に懸下されている。Ｘ線のゆらぎ等によって
拡大ミラー２２ａに対するＸ線の入射位置や入射角度が
変化すると、拡大ビームＬ2のＸ線強度分布が大きく変
動し、露光画角内に著しい強度むらが発生して均一な露
光を行なうことができない。そこで、拡大ミラー２２ａ
の位置や姿勢を変化させる駆動手段であるアクチュエー
タ２４ａを設けるとともに、少なくとも４個のＸ線強度
センサを有するＸ線強度分布検出手段であるＸ線強度分
布センサ２５の出力に基づいて拡大ミラー２２ａに対す
るＸ線の相対的位置ずれを検出してアクチュエータ２４
ａの駆動量を制御する制御手段であるコントローラ２６
を設ける。
【００４５】拡大ミラー２２ａと同様に、集光ミラー２
２ｂも真空室内に配設されており、駆動手段であるアク
チュエータ２４ｂによって支持されている。Ｘ線のゆら
ぎ等によって集光ミラー２２ｂに対するＸ線の入射位置
や入射角度が変化すると、必要な集光力を得ることがで
きず、拡大ビームＬ2 のＸ線強度分布が著しく変動し、
均一な露光を行なうことができない。そこで、集光ミラ
ー２２ｂの位置や姿勢を変化させる駆動手段であるアク
チュエータ２４ｂを設けるとともに、前記Ｘ線強度分布
センサ２５の出力に基づいて集光ミラー２２ｂに対する
Ｘ線の相対的位置ずれを検出してコントローラ２６に導
入し、アクチュエータ２４ｂの駆動量を制御する。
２ｂも真空室内に配設されており、駆動手段であるアク
チュエータ２４ｂによって支持されている。Ｘ線のゆら
ぎ等によって集光ミラー２２ｂに対するＸ線の入射位置
や入射角度が変化すると、必要な集光力を得ることがで
きず、拡大ビームＬ2 のＸ線強度分布が著しく変動し、
均一な露光を行なうことができない。そこで、集光ミラ
ー２２ｂの位置や姿勢を変化させる駆動手段であるアク
チュエータ２４ｂを設けるとともに、前記Ｘ線強度分布
センサ２５の出力に基づいて集光ミラー２２ｂに対する
Ｘ線の相対的位置ずれを検出してコントローラ２６に導
入し、アクチュエータ２４ｂの駆動量を制御する。
【００４６】Ｘ線強度分布センサ２５は、図６に拡大し
て示すように、マスクＭ2 に照射される拡大ビームＬ2
の有効ビーム断面である露光画角を確定するための可変
アパーチャ２７の上流側に配設される開口部材３０と、
その開口３０ａの周縁に配設された８個のＸ線強度セン
サ３１ａ〜３１ｈによって構成される。開口部材３０の
開口３０ａは方形であり、Ｘ線強度センサ３１ａ，３１
ｃ，３１ｅ，３１ｇは開口３０ａの四隅に配設され、残
りのＸ線強度センサ３１ｂ，３１ｄ，３１ｆ，３１ｈは
開口３０ａの各辺の中央に配設される。なお、Ｘ線強度
センサの数は少なくとも４個あればよい。すなわち、８
個に限らず、例えば、開口３０ａの四辺に配設されるＸ
線強度センサ３１ｂ，３１ｄ，３１ｆ，３１ｈ等を省略
することもできる。
て示すように、マスクＭ2 に照射される拡大ビームＬ2
の有効ビーム断面である露光画角を確定するための可変
アパーチャ２７の上流側に配設される開口部材３０と、
その開口３０ａの周縁に配設された８個のＸ線強度セン
サ３１ａ〜３１ｈによって構成される。開口部材３０の
開口３０ａは方形であり、Ｘ線強度センサ３１ａ，３１
ｃ，３１ｅ，３１ｇは開口３０ａの四隅に配設され、残
りのＸ線強度センサ３１ｂ，３１ｄ，３１ｆ，３１ｈは
開口３０ａの各辺の中央に配設される。なお、Ｘ線強度
センサの数は少なくとも４個あればよい。すなわち、８
個に限らず、例えば、開口３０ａの四辺に配設されるＸ
線強度センサ３１ｂ，３１ｄ，３１ｆ，３１ｈ等を省略
することもできる。
【００４７】集光ミラー２２ｂによってＸ軸方向に集光
され、拡大ミラー２２ａによってＹ軸方向に拡大された
拡大ビームＬ2 のＸ線強度分布は、拡大ミラー２２ａや
集光ミラー２２ｂに対する入射位置や入射角度の変化に
伴なって、特にマスクＭ2 の四辺において特徴的な変化
が観察される。図７の（ａ）は、集光ミラー２２ｂとＸ
線の相対的位置（傾き）が＋△ωＸだけずれたときのＸ
線強度分布をマスクＭ2 の表面において計測したもので
あるが、このグラフから解るように、全体的にＹ軸方向
逆向き（−の方向）にＸ線強度が低下しており、また、
Ｘ軸方向の両端では局部的なＸ線強度の減少が観察され
る。
され、拡大ミラー２２ａによってＹ軸方向に拡大された
拡大ビームＬ2 のＸ線強度分布は、拡大ミラー２２ａや
集光ミラー２２ｂに対する入射位置や入射角度の変化に
伴なって、特にマスクＭ2 の四辺において特徴的な変化
が観察される。図７の（ａ）は、集光ミラー２２ｂとＸ
線の相対的位置（傾き）が＋△ωＸだけずれたときのＸ
線強度分布をマスクＭ2 の表面において計測したもので
あるが、このグラフから解るように、全体的にＹ軸方向
逆向き（−の方向）にＸ線強度が低下しており、また、
Ｘ軸方向の両端では局部的なＸ線強度の減少が観察され
る。
【００４８】図７の（ｂ）は、これとは逆に集光ミラー
２２ｂとＸ線の相対的位置（傾き）が−△ωＸだけずれ
たときのデータであるが、この場合は、全体的にＹ軸方
向（＋の方向）にＸ線強度が低下しており、また、Ｘ軸
方向の両端では局部的なＸ線強度の増加が観察される。
２２ｂとＸ線の相対的位置（傾き）が−△ωＸだけずれ
たときのデータであるが、この場合は、全体的にＹ軸方
向（＋の方向）にＸ線強度が低下しており、また、Ｘ軸
方向の両端では局部的なＸ線強度の増加が観察される。
【００４９】このように露光画角の周縁に沿って配設さ
れた８個のＸ線強度センサ３１ａ〜３１ｈの出力の増減
のパターンから、集光ミラー２２ｂや拡大ミラー２２ａ
に対するＸ線の相対的位置ずれがＸ、Ｙ、ωＸ、ωＹ、
ωＺ方向のうちのいずれであるかを判別することができ
る。具体的に説明すると、Ｘ線強度センサ３１ａ〜３１
ｈの出力Ｉａ〜Ｉｈを図示しない演算手段に導入し、こ
れらを以下の式によって比較する。 ｛（Ｉａ＋Ｉｃ）−（Ｉｅ＋Ｉｇ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｃ）＋（Ｉｅ＋Ｉｇ）｝ ・・・・・・ ｛（Ｉａ＋Ｉｇ）−（Ｉｃ＋Ｉｅ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｇ）＋（Ｉｃ＋Ｉｅ）｝ ・・・・・・ ｛（Ｉａ＋Ｉｅ）−（Ｉｃ＋Ｉｇ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｅ）＋（Ｉｃ＋Ｉｇ）｝ ・・・・・・ 辺ａｃ：（Ｉａ−Ｉｂ）／（Ｉａ＋Ｉｂ），（Ｉｂ−Ｉｃ）／（Ｉｂ＋Ｉｃ） ・・・・・・ 辺ｃｅ：（Ｉｃ−Ｉｄ）／（Ｉｃ＋Ｉｄ），（Ｉｄ−Ｉｅ）／（Ｉｄ＋Ｉｅ） ・・・・・・ 辺ｅｇ：（Ｉｅ−Ｉｆ）／（Ｉｅ＋Ｉｆ），（Ｉｆ−Ｉｇ）／（Ｉｆ＋Ｉｇ） ・・・・・・ 辺ｇａ：（Ｉｇ−Ｉｈ）／（Ｉｇ＋Ｉｈ），（Ｉｈ−Ｉａ）／（Ｉｈ＋Ｉａ） ・・・・・・ 例えば、集光ミラー２２ｂが＋△ωＸにずれた場合は、 ・・・｛（Ｉａ＋Ｉｃ）−（Ｉｅ＋Ｉｇ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｃ）＋（Ｉｅ＋Ｉ ｇ）｝＞０ ・・・｛（Ｉａ＋Ｉｇ）−（Ｉｃ＋Ｉｅ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｇ）＋（Ｉｃ＋Ｉ ｅ）｝≒０ ・・・｛（Ｉａ＋Ｉｅ）−（Ｉｃ＋Ｉｇ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｅ）＋（Ｉｃ＋Ｉ ｇ）｝≒０ ・・・（Ｉａ−Ｉｂ）／（Ｉａ＋Ｉｂ）＜０、（Ｉｂ−Ｉｃ）／（Ｉｂ＋Ｉｃ ）＞０ ・・・（Ｉｃ−Ｉｄ）／（Ｉｃ＋Ｉｄ）＞０、（Ｉｄ−Ｉｅ）／（Ｉｄ＋Ｉｅ ）＞０ ・・・（Ｉｅ−Ｉｆ）／（Ｉｅ＋Ｉｆ）＜０、（Ｉｆ−Ｉｇ）／（Ｉｆ＋Ｉｇ ）＞０ ・・・（Ｉｇ−Ｉｈ）／（Ｉｇ＋Ｉｈ）＜０、（Ｉｈ−Ｉａ）／（Ｉｈ＋Ｉａ ）＜０ となる。これらの式の組み合わせによりＸ線強度分布の
ずれが集光ミラー２２ｂの＋△ωＸ方向の相対的位置ず
れであることを検出し、これらの式全てが０になるよう
にアクチュエータ２４ｂの駆動量を算出する。このよう
にして集光ミラー２２ｂの位置や姿勢を調整する。
れた８個のＸ線強度センサ３１ａ〜３１ｈの出力の増減
のパターンから、集光ミラー２２ｂや拡大ミラー２２ａ
に対するＸ線の相対的位置ずれがＸ、Ｙ、ωＸ、ωＹ、
ωＺ方向のうちのいずれであるかを判別することができ
る。具体的に説明すると、Ｘ線強度センサ３１ａ〜３１
ｈの出力Ｉａ〜Ｉｈを図示しない演算手段に導入し、こ
れらを以下の式によって比較する。 ｛（Ｉａ＋Ｉｃ）−（Ｉｅ＋Ｉｇ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｃ）＋（Ｉｅ＋Ｉｇ）｝ ・・・・・・ ｛（Ｉａ＋Ｉｇ）−（Ｉｃ＋Ｉｅ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｇ）＋（Ｉｃ＋Ｉｅ）｝ ・・・・・・ ｛（Ｉａ＋Ｉｅ）−（Ｉｃ＋Ｉｇ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｅ）＋（Ｉｃ＋Ｉｇ）｝ ・・・・・・ 辺ａｃ：（Ｉａ−Ｉｂ）／（Ｉａ＋Ｉｂ），（Ｉｂ−Ｉｃ）／（Ｉｂ＋Ｉｃ） ・・・・・・ 辺ｃｅ：（Ｉｃ−Ｉｄ）／（Ｉｃ＋Ｉｄ），（Ｉｄ−Ｉｅ）／（Ｉｄ＋Ｉｅ） ・・・・・・ 辺ｅｇ：（Ｉｅ−Ｉｆ）／（Ｉｅ＋Ｉｆ），（Ｉｆ−Ｉｇ）／（Ｉｆ＋Ｉｇ） ・・・・・・ 辺ｇａ：（Ｉｇ−Ｉｈ）／（Ｉｇ＋Ｉｈ），（Ｉｈ−Ｉａ）／（Ｉｈ＋Ｉａ） ・・・・・・ 例えば、集光ミラー２２ｂが＋△ωＸにずれた場合は、 ・・・｛（Ｉａ＋Ｉｃ）−（Ｉｅ＋Ｉｇ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｃ）＋（Ｉｅ＋Ｉ ｇ）｝＞０ ・・・｛（Ｉａ＋Ｉｇ）−（Ｉｃ＋Ｉｅ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｇ）＋（Ｉｃ＋Ｉ ｅ）｝≒０ ・・・｛（Ｉａ＋Ｉｅ）−（Ｉｃ＋Ｉｇ）｝／｛（Ｉａ＋Ｉｅ）＋（Ｉｃ＋Ｉ ｇ）｝≒０ ・・・（Ｉａ−Ｉｂ）／（Ｉａ＋Ｉｂ）＜０、（Ｉｂ−Ｉｃ）／（Ｉｂ＋Ｉｃ ）＞０ ・・・（Ｉｃ−Ｉｄ）／（Ｉｃ＋Ｉｄ）＞０、（Ｉｄ−Ｉｅ）／（Ｉｄ＋Ｉｅ ）＞０ ・・・（Ｉｅ−Ｉｆ）／（Ｉｅ＋Ｉｆ）＜０、（Ｉｆ−Ｉｇ）／（Ｉｆ＋Ｉｇ ）＞０ ・・・（Ｉｇ−Ｉｈ）／（Ｉｇ＋Ｉｈ）＜０、（Ｉｈ−Ｉａ）／（Ｉｈ＋Ｉａ ）＜０ となる。これらの式の組み合わせによりＸ線強度分布の
ずれが集光ミラー２２ｂの＋△ωＸ方向の相対的位置ず
れであることを検出し、これらの式全てが０になるよう
にアクチュエータ２４ｂの駆動量を算出する。このよう
にして集光ミラー２２ｂの位置や姿勢を調整する。
【００５０】拡大ミラー２２ａによって厚さ方向（Ｙ軸
方向）に拡大され、しかも集光ミラー２２ｂによって高
強度に集光された拡大ビームＬ2 のＸ線強度分布を常に
一定に保つことにより、均一な一括露光を短時間で行な
うことが可能となる。これによって、Ｘ線露光装置の転
写精度を向上させ、スループットを大幅に改善できる。
方向）に拡大され、しかも集光ミラー２２ｂによって高
強度に集光された拡大ビームＬ2 のＸ線強度分布を常に
一定に保つことにより、均一な一括露光を短時間で行な
うことが可能となる。これによって、Ｘ線露光装置の転
写精度を向上させ、スループットを大幅に改善できる。
【００５１】加えて、マスクＭ2 に入射する直前の拡大
ビームＬ2 のＸ線強度分布を直接計測するものであるた
め、ウエハの露光面におけるＸ線強度分布を均一にする
うえでより高精度な制御を行なうことができるという特
筆すべき長所がある。
ビームＬ2 のＸ線強度分布を直接計測するものであるた
め、ウエハの露光面におけるＸ線強度分布を均一にする
うえでより高精度な制御を行なうことができるという特
筆すべき長所がある。
【００５２】また、集光ミラーや拡大ミラーに光軸セン
サや位置センサを設ける場合に比べて、各ミラー近傍の
構成が簡単であるという利点もある。
サや位置センサを設ける場合に比べて、各ミラー近傍の
構成が簡単であるという利点もある。
【００５３】図８は第２実施例の一変形例を示す。これ
は、集光ミラー２２ｂに３個のＸ線強度センサからなる
位置センサ２８を付加して、これによって、集光ミラー
２２ｂに対するＸ線のＹ軸方向とωＺ方向の相対的位置
ずれを検出するように構成したものである。Ｘ線強度分
布センサ２５によって算出する相対的位置ずれはＸ軸方
向、ωＸ、ωＹ方向の３個ですむため、演算手段のアル
ゴリズムが単純になる。従って処理時間を短縮できると
いう長所がある。
は、集光ミラー２２ｂに３個のＸ線強度センサからなる
位置センサ２８を付加して、これによって、集光ミラー
２２ｂに対するＸ線のＹ軸方向とωＺ方向の相対的位置
ずれを検出するように構成したものである。Ｘ線強度分
布センサ２５によって算出する相対的位置ずれはＸ軸方
向、ωＸ、ωＹ方向の３個ですむため、演算手段のアル
ゴリズムが単純になる。従って処理時間を短縮できると
いう長所がある。
【００５４】図９は第３実施例を示すもので、これは、
第１、第２実施例と同様に２枚のミラー４２ａ，４２ｂ
を用いたＸ線光学装置である。光源４１から発生された
Ｘ線Ｌ3 を、第１のミラーである集光ミラー４２ｂによ
ってＸ軸方向に集光し、第２のミラーである走査ミラー
４２ａを図示しない揺動機構によって揺動させること
で、Ｙ軸方向に走査し、マスクＭ3 を経て図示しない基
板であるウエハの露光画角全面を走査露光する。
第１、第２実施例と同様に２枚のミラー４２ａ，４２ｂ
を用いたＸ線光学装置である。光源４１から発生された
Ｘ線Ｌ3 を、第１のミラーである集光ミラー４２ｂによ
ってＸ軸方向に集光し、第２のミラーである走査ミラー
４２ａを図示しない揺動機構によって揺動させること
で、Ｙ軸方向に走査し、マスクＭ3 を経て図示しない基
板であるウエハの露光画角全面を走査露光する。
【００５５】駆動手段であるアクチュエータ４４ｂは、
集光ミラー４２ｂの位置と姿勢を変化させることができ
る。また、駆動手段であるアクチュエータ４４ａは、走
査ミラー４２ａの位置と姿勢を変化させることができ
る。
集光ミラー４２ｂの位置と姿勢を変化させることができ
る。また、駆動手段であるアクチュエータ４４ａは、走
査ミラー４２ａの位置と姿勢を変化させることができ
る。
【００５６】光軸センサ５１ｂと位置センサ５２ｂから
なるビーム位置検出装置５５ｂは、集光ミラー４２ｂに
固定され、第１、第２実施例と同様にＸ線Ｌ3 の強度中
心位置と光軸の傾きをそれぞれ検出する。走査ミラー４
２ａにも、同様に光軸センサ５１ａと位置センサ５２ａ
からなるビーム位置検出装置４５ａが固定されている。
なるビーム位置検出装置５５ｂは、集光ミラー４２ｂに
固定され、第１、第２実施例と同様にＸ線Ｌ3 の強度中
心位置と光軸の傾きをそれぞれ検出する。走査ミラー４
２ａにも、同様に光軸センサ５１ａと位置センサ５２ａ
からなるビーム位置検出装置４５ａが固定されている。
【００５７】コントローラ４６は、走査ミラー４２ａと
集光ミラー４２ｂのそれぞれのビーム位置検出装置４５
ａ，４５ｂの出力（検出結果）に基づいて、各アクチュ
エータ４４ａ，４４ｂの駆動量を制御し、マスクＭ3 お
よびウエハ上のＸ線強度分布を一定に保つ。
集光ミラー４２ｂのそれぞれのビーム位置検出装置４５
ａ，４５ｂの出力（検出結果）に基づいて、各アクチュ
エータ４４ａ，４４ｂの駆動量を制御し、マスクＭ3 お
よびウエハ上のＸ線強度分布を一定に保つ。
【００５８】マスクＭ3 およびウエハは、ヘリウムガス
等の減圧雰囲気に制御された露光室内に配設され、走査
ミラー４２ａによって走査されるＸ線Ｌ3 は、ベリリウ
ム窓４３を経て露光室内に導入される。
等の減圧雰囲気に制御された露光室内に配設され、走査
ミラー４２ａによって走査されるＸ線Ｌ3 は、ベリリウ
ム窓４３を経て露光室内に導入される。
【００５９】各ビーム位置検出装置４５ａによって、Ｘ
線Ｌ3 のＸ軸方向、Ｙ軸方向、ωＸ軸方向、ωＹ軸方
向、ωＺ軸方向の位置変動が検出できる。これらの計測
値はコントローラ４６に取り込まれ走査ミラー４２ａの
アクチュエータ４４ａの各軸方向の駆動量を算出し、走
査ミラー４２ａの位置、姿勢を制御する。
線Ｌ3 のＸ軸方向、Ｙ軸方向、ωＸ軸方向、ωＹ軸方
向、ωＺ軸方向の位置変動が検出できる。これらの計測
値はコントローラ４６に取り込まれ走査ミラー４２ａの
アクチュエータ４４ａの各軸方向の駆動量を算出し、走
査ミラー４２ａの位置、姿勢を制御する。
【００６０】集光ミラー４２ｂもＸ線Ｌ3 に対して所定
の位置、姿勢に制御されていなくてはならない。そのた
めに走査ミラー４２ａと同様に位置センサ５２ｂと光軸
センサ５１ｂの出力をコントローラ４６に取り込みアク
チュエータ４４ｂの各軸の駆動量を算出し、集光ミラー
４２ｂの位置、姿勢を制御する。
の位置、姿勢に制御されていなくてはならない。そのた
めに走査ミラー４２ａと同様に位置センサ５２ｂと光軸
センサ５１ｂの出力をコントローラ４６に取り込みアク
チュエータ４４ｂの各軸の駆動量を算出し、集光ミラー
４２ｂの位置、姿勢を制御する。
【００６１】なお、走査ミラー４２ａの走査露光時の揺
動中心がＸ線Ｌ3 に対して所定の位置および姿勢になる
ように制御しなければならない。このため、前述の揺動
機構はアクチュエータ４４ａの上に設置されている。す
なわち、走査ミラー４２ａのアクチュエータ４４ａの駆
動量は、揺動機構による走査ミラー４２ａの揺動中心が
Ｘ線Ｌ3 に対して所定の位置と姿勢になるような値であ
る。
動中心がＸ線Ｌ3 に対して所定の位置および姿勢になる
ように制御しなければならない。このため、前述の揺動
機構はアクチュエータ４４ａの上に設置されている。す
なわち、走査ミラー４２ａのアクチュエータ４４ａの駆
動量は、揺動機構による走査ミラー４２ａの揺動中心が
Ｘ線Ｌ3 に対して所定の位置と姿勢になるような値であ
る。
【００６２】以上説明したように、各ミラーに位置セン
サと光軸センサを設けることによって、極めて高精度に
ミラーとＸ線の位置合わせが可能となる。
サと光軸センサを設けることによって、極めて高精度に
ミラーとＸ線の位置合わせが可能となる。
【００６３】図１０は第３実施例の一変形例を示すもの
で、走査ミラー４２ａのアクチュエータ４４ａを、集光
ミラー４２ｂに固定された光軸センサ５１ｂと位置セン
サ５２ｂからなるビーム位置検出装置４５ｂの出力と、
集光ミラー４２ｂのアクチュエータ４４ｂの駆動量に基
づいて制御するように構成されている。
で、走査ミラー４２ａのアクチュエータ４４ａを、集光
ミラー４２ｂに固定された光軸センサ５１ｂと位置セン
サ５２ｂからなるビーム位置検出装置４５ｂの出力と、
集光ミラー４２ｂのアクチュエータ４４ｂの駆動量に基
づいて制御するように構成されている。
【００６４】走査ミラー４２ａのビーム位置検出装置４
５ａを省略することで、揺動機構を含む走査ミラー４２
ａの駆動部を簡略化できるという利点を有する。
５ａを省略することで、揺動機構を含む走査ミラー４２
ａの駆動部を簡略化できるという利点を有する。
【００６５】次に上記説明したＸ線露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図１１
は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウエ
ハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ
５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製
されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、
アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッ
ケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステッ
プ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイ
スの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出
荷（ステップ７）される。
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図１１
は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウエ
ハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ
５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製
されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、
アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッ
ケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステッ
プ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイ
スの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出
荷（ステップ７）される。
【００６６】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。このような製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。このような製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
【００６７】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００６８】少なくとも２枚のミラーを経てマスク等原
版に照射されるＸ線のＸ線強度分布を均一に保ち、Ｘ線
露光装置の転写精度や生産性を大きく向上できる。
版に照射されるＸ線のＸ線強度分布を均一に保ち、Ｘ線
露光装置の転写精度や生産性を大きく向上できる。
【図１】第１実施例によるＸ線露光装置のＸ線光学装置
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図２】図１の装置の光軸センサを示す斜視図である。
【図３】図１の装置の位置センサを示す立面図である。
【図４】第１実施例の一変形例を示す模式図である。
【図５】第２実施例によるＸ線光学装置を示す模式図で
ある。
ある。
【図６】図５の装置のＸ線強度分布センサを拡大して示
す拡大図である。
す拡大図である。
【図７】拡大ビームのＸ線強度分布の実測値を示すもの
である。
である。
【図８】第２実施例の一変形例を示す模式図である。
【図９】第３実施例によるＸ線光学装置を示す模式図で
ある。
ある。
【図１０】第３実施例の一変形例を示す模式図である。
【図１１】半導体製造工程を示すフローチャートであ
る。
る。
【図１２】ウエハプロセスを示すフローチャートであ
る。
る。
【図１３】一従来例を示す模式図である。
【図１４】別の従来例を示す模式図である。
１，２１，４１ 光源 ２ａ，２２ａ，４２ａ 拡大ミラー ２ｂ，２２ｂ，４２ｂ 集光ミラー ４ａ，４ｂ，２４ａ，２４ｂ，４４ａ，４４ｂ アク
チュエータ ５ａ，５ｂ，４５ａ，４５ｂ ビーム位置検出装置 ６，２６，４６ コントローラ １１ａ，１１ｂ，５１ａ，５１ｂ 光軸センサ １２ａ，１２ｂ，２８，５２ａ，５２ｂ 位置センサ ２５ Ｘ線強度分布センサ
チュエータ ５ａ，５ｂ，４５ａ，４５ｂ ビーム位置検出装置 ６，２６，４６ コントローラ １１ａ，１１ｂ，５１ａ，５１ｂ 光軸センサ １２ａ，１２ｂ，２８，５２ａ，５２ｂ 位置センサ ２５ Ｘ線強度分布センサ
Claims (15)
- 【請求項１】 少なくとも２枚のミラーを備えたＸ線照
明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆動する駆動手段
と、前記Ｘ線照明系におけるＸ線の傾きと入射位置の少
なくとも一方を検出するビーム位置検出手段と、該ビー
ム位置検出手段の検出結果に基づいて前記駆動手段によ
る各ミラーの駆動量を制御する制御手段を有することを
特徴とするＸ線光学装置。 - 【請求項２】 駆動手段が、各ミラーの位置と姿勢を変
化させるように構成されていることを特徴とする請求項
１記載のＸ線光学装置。 - 【請求項３】 ビーム位置検出手段が、２枚のミラーの
それぞれに配設された光軸センサと位置センサを備えて
いることを特徴とする請求項１または２記載のＸ線光学
装置。 - 【請求項４】 ビーム位置検出手段が、２枚のミラーの
一方に配設された光軸センサと位置センサを備えてお
り、制御手段が、前記ビーム位置検出手段の検出結果に
基づいて前記一方のミラーの駆動量を制御するととも
に、前記ビーム位置検出手段の検出結果と前記一方のミ
ラーの前記駆動量に基づいて前記２枚のミラーのうちの
他方の駆動量を制御するように構成されていることを特
徴とする請求項１または２記載のＸ線光学装置。 - 【請求項５】 Ｘ線照明系が、Ｘ線のビーム断面の一方
向における集光と他方向における拡大を実行するように
構成されていることを特徴とする請求項１ないし４いず
れか１項記載のＸ線光学装置。 - 【請求項６】 Ｘ線照明系が、Ｘ線による走査照明を行
なうように構成されていることを特徴とする請求項１な
いし４いずれか１項記載のＸ線光学装置。 - 【請求項７】 少なくとも２枚のミラーを備えたＸ線照
明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆動する駆動手段
と、前記Ｘ線照明系によって照射されたＸ線のＸ線強度
分布を有効ビーム断面の外側で検出するＸ線強度分布検
出手段と、該Ｘ線強度分布検出手段の検出結果に基づい
て前記駆動手段による各ミラーの駆動量を制御する制御
手段を有することを特徴とするＸ線光学装置。 - 【請求項８】 駆動手段が、各ミラーの位置と姿勢を変
化させるように構成されていることを特徴とする請求項
７記載のＸ線光学装置。 - 【請求項９】 ２枚のミラーの少なくとも一方に位置セ
ンサが配設されており、制御手段が、Ｘ線強度分布検出
手段の検出結果と前記位置センサの検出結果に基づいて
各ミラーの駆動量を制御するように構成されていること
を特徴とする請求項７または８記載のＸ線光学装置。 - 【請求項１０】 少なくとも２枚のミラーを備えたＸ線
照明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆動する駆動手
段と、前記Ｘ線照明系におけるＸ線の傾きと入射位置の
少なくとも一方を検出するビーム位置検出手段と、該ビ
ーム位置検出手段の検出結果に基づいて前記駆動手段に
よる各ミラーの駆動量を制御する制御手段を有し、前記
２枚のミラーを介した前記Ｘ線によって所定の対象が露
光されることを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項１１】 Ｘ線照明系が、Ｘ線のビーム断面の一
方向における集光と他方向における拡大を実行するよう
に構成されていることを特徴とする請求項１０記載のＸ
線露光装置。 - 【請求項１２】 Ｘ線照明系が、Ｘ線による所定の対象
の走査露光を行なうように構成されていることを特徴と
する請求項１０記載のＸ線露光装置。 - 【請求項１３】 少なくとも２枚のミラーを備えたＸ線
照明系と、前記２枚のミラーをそれぞれ駆動する駆動手
段と、前記Ｘ線照明系によって照射されたＸ線のＸ線強
度分布を有効ビーム断面の外側で検出するＸ線強度分布
検出手段と、該Ｘ線強度分布検出手段の検出結果に基づ
いて前記駆動手段による各ミラーの駆動量を制御する制
御手段を有し、前記２枚のミラーを介した前記Ｘ線によ
って所定の対象が露光されることを特徴とするＸ線露光
装置。 - 【請求項１４】 少なくとも２枚のミラーを備えたＸ線
照明系におけるＸ線の傾きと入射位置の少なくとも一方
を検出する工程と、その検出結果に基づいて各ミラーを
駆動する工程と、前記２枚のミラーを介した前記Ｘ線に
よるパターンの基板への焼き付け露光を行なう工程と、
焼き付けられたパターンを用いてデバイスを製造する工
程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１５】 少なくとも２枚のミラーを備えたＸ線
照明系によって照射されるＸ線のＸ線強度分布を有効ビ
ーム断面の外側で検出する工程と、その検出結果に基づ
いて各ミラーを駆動する工程と、前記２枚のミラーを介
した前記Ｘ線にるパターンの基板への焼き付け露光を行
なう工程と、焼き付けられたパターンを用いてデバイス
を製造する工程を有することを特徴とする半導体デバイ
ス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10117765A JPH113858A (ja) | 1997-04-17 | 1998-04-13 | Ｘ線光学装置、ｘ線露光装置および半導体デバイス製造方法 |
| US09/062,014 US6219400B1 (en) | 1997-04-17 | 1998-04-17 | X-ray optical system and X-ray exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-115321 | 1997-04-17 | ||
| JP11532197 | 1997-04-17 | ||
| JP10117765A JPH113858A (ja) | 1997-04-17 | 1998-04-13 | Ｘ線光学装置、ｘ線露光装置および半導体デバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113858A true JPH113858A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=26453860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10117765A Withdrawn JPH113858A (ja) | 1997-04-17 | 1998-04-13 | Ｘ線光学装置、ｘ線露光装置および半導体デバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6219400B1 (ja) |
| JP (1) | JPH113858A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6947518B2 (en) * | 1999-05-28 | 2005-09-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus, X-ray exposure method, X-ray mask, X-ray mirror, synchrotron radiation apparatus, synchrotron radiation method and semiconductor device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4261660B2 (ja) | 1999-01-27 | 2009-04-30 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| JP2002093684A (ja) | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | Ｘ線露光装置、ｘ線露光方法、半導体製造装置および微細構造体 |
| JP2004128105A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置及び露光装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5285488A (en) | 1989-09-21 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2569862B2 (ja) * | 1990-02-13 | 1997-01-08 | 三菱電機株式会社 | Ｘ線露光装置およびｘ線露光方法 |
| EP0540178B1 (en) | 1991-09-30 | 1998-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus and method for using it |
| US5394451A (en) | 1991-10-08 | 1995-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical arrangement for exposure apparatus |
-
1998
- 1998-04-13 JP JP10117765A patent/JPH113858A/ja not_active Withdrawn
- 1998-04-17 US US09/062,014 patent/US6219400B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6947518B2 (en) * | 1999-05-28 | 2005-09-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus, X-ray exposure method, X-ray mask, X-ray mirror, synchrotron radiation apparatus, synchrotron radiation method and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6219400B1 (en) | 2001-04-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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