JPH11354931A - Electronic components integral-type multilayer substrate and its manufacture method - Google Patents

Electronic components integral-type multilayer substrate and its manufacture method

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JPH11354931A
JPH11354931A JP10158149A JP15814998A JPH11354931A JP H11354931 A JPH11354931 A JP H11354931A JP 10158149 A JP10158149 A JP 10158149A JP 15814998 A JP15814998 A JP 15814998A JP H11354931 A JPH11354931 A JP H11354931A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electronic component integral-type multilayer wiring board, where the misalignment between a pad at a substrate side and the electrode in such electronic components as a semiconductor element may not occur and the need for forming a solder bumps at the electrode of the electronic components are eliminated. SOLUTION: A manufacturing method successively includes an installation process A (step S.1), a first resin layer forming process B (S.2-S.7) for covering the surface of elements and tools with a first insulation resin layer, a first circuit layer forming process C (S.8-S.12), for forming a first circuit layer on the first resin layer, a second resin layer forming process D (S.13-S.20) for covering an area on the first circuit layer with a second insulation resin layer, a second circuit layer forming process E (S.1-S.25) for forming a second circuit layer on the second resin layer, and a stage F (S.28) for stripping the tools.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、複数の基板層が
ポスト(金属柱)等の層間接続部により連結して構成され
る電子部品一体型多層基板およびその製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component-integrated multi-layer substrate in which a plurality of substrate layers are connected by interlayer connecting portions such as posts (metal columns) and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のビルドアップ型配線基板の製造方
法を図23〜図26を用いて説明する。なお、各図は、
説明のため図中の上下方向となる厚さ方向の倍率を左右
方向となる幅方向と比較して大きく設定し、かつ、導体
層、金属膜等の膜圧を実際の縮尺より拡大して示した概
念図である。
2. Description of the Related Art A conventional method of manufacturing a build-up type wiring board will be described with reference to FIGS. Each figure is
For the sake of explanation, the magnification in the thickness direction, which is the vertical direction in the figure, is set to be larger than that in the width direction, which is the horizontal direction, and the film pressure of the conductor layer, the metal film, etc. is shown enlarged from the actual scale. FIG.

【0003】図23(a)に示すように、ガラスエポキシ
等の絶縁基板1の表面に銅箔2をメッキ等により形成
し、表面を過酸化水素配合硫酸等の薬液で化学的に、あ
るいはバフ等を用いた機械的研磨により清浄化する。次
に、ドライフィルムレジストを銅箔2上に熱圧着し、回
路パターン形成用のマスクを重ねて露光し、現像するこ
とにより回路パターンとして必要な部分にのみレジスト
層3を残す(図23(b))。続いて、塩化銅溶液、塩化鉄
溶液、過酸化水素配合硫酸液等のエッチング液により銅
箔2の不要部分を除去して回路パターンを形成し(図2
3(c))、レジスト層3を除去する(図23(d))。ここ
までは、通常の単層の配線基板と同一である。
As shown in FIG. 23A, a copper foil 2 is formed on the surface of an insulating substrate 1 such as glass epoxy by plating or the like, and the surface is chemically or buffed with a chemical such as sulfuric acid containing hydrogen peroxide. Clean by mechanical polishing using, for example. Next, the dry film resist is thermocompression-bonded onto the copper foil 2, a mask for forming a circuit pattern is overlaid, exposed, and developed to leave the resist layer 3 only in a portion required as a circuit pattern (FIG. 23 (b) )). Subsequently, an unnecessary portion of the copper foil 2 is removed with an etching solution such as a copper chloride solution, an iron chloride solution, and a sulfuric acid solution containing hydrogen peroxide to form a circuit pattern (FIG. 2).
3 (c)), the resist layer 3 is removed (FIG. 23 (d)). Up to this point, it is the same as a normal single-layer wiring board.

【0004】次に、上層の基板との接続用のポストをメ
ッキにより形成する。まず、図23(e)に示すように回
路パターンが形成された基板1上の全面にメッキ用の給
電膜4を無電解メッキにより形成し、その上にポストメ
ッキ用レジスト層5を積層する(図23(f))。そして、
絶縁基板1上の導体部分、すなわち銅箔2が残された部
分の一部を露出させるようレジスト層5を露光現像して
開口部5aを形成する(図24(g))。この状態で給電膜
4に通電してポスト用の金属を電解メッキすることによ
り、開口部5a内に銅箔2に接続されたポスト6を形成
する(図24(h))。
[0004] Next, a post for connection to an upper layer substrate is formed by plating. First, as shown in FIG. 23E, a power supply film 4 for plating is formed by electroless plating over the entire surface of the substrate 1 on which a circuit pattern is formed, and a resist layer 5 for post plating is laminated thereon. FIG. 23 (f)). And
The resist layer 5 is exposed and developed to expose a conductor portion on the insulating substrate 1, that is, a part of the portion where the copper foil 2 is left, to form an opening 5a (FIG. 24 (g)). In this state, electricity is supplied to the power supply film 4 to electroplate the metal for the post, thereby forming the post 6 connected to the copper foil 2 in the opening 5a (FIG. 24 (h)).

【0005】続いて、レジスト層5を除去し(図24
(i))、ポスト6をマスクにして給電膜4を塩化銅や過
酸化水素配合硫酸等のエッチング液によりエッチングし
て除去する(図24(j))。そして、下層の基板1と上層
に形成される基板との間を埋める熱硬化性の絶縁性樹脂
層7を基板1上に印刷やカーテンコート法により塗布
し、熱硬化させる(図24(k))。
Subsequently, the resist layer 5 is removed (FIG. 24).
(i)), using the post 6 as a mask, the power supply film 4 is removed by etching with an etching solution such as copper chloride or sulfuric acid containing hydrogen peroxide (FIG. 24 (j)). Then, a thermosetting insulating resin layer 7 filling the space between the lower substrate 1 and the upper substrate is applied onto the substrate 1 by printing or curtain coating, and is thermoset (FIG. 24 (k)). ).

【0006】絶縁性樹脂層7の表面をバフにより研磨し
てポスト6を端面に露出させ(図25(l))、露出したポ
スト6および絶縁性樹脂層7の表面全体に上層の回路用
の銅箔8を無電解メッキ、電解メッキを併用して形成す
る(図25(m))。続いて、銅箔8をエッチングする際の
マスクとなるレジスト層9をレジストの塗布、露光、現
像により形成し(図25(n))、このレジスト層9をマス
クに銅箔8をエッチングして回路パターンを形成する
(図25(o))。
The surface of the insulating resin layer 7 is polished by a buff to expose the post 6 to the end face (FIG. 25 (l)), and the entire surface of the exposed post 6 and the insulating resin layer 7 is covered with an upper layer circuit. The copper foil 8 is formed by using both electroless plating and electrolytic plating (FIG. 25 (m)). Subsequently, a resist layer 9 serving as a mask when etching the copper foil 8 is formed by applying, exposing, and developing a resist (FIG. 25 (n)), and the copper foil 8 is etched using the resist layer 9 as a mask. Form a circuit pattern
(FIG. 25 (o)).

【0007】回路パターンの形成後、レジスト層9を除
去し(図26(p))、導体部分として残された銅箔8上に
ニッケル(Ni)層10と金(Au)層11とをメッキにより形
成することによりパッドを形成する(図26(q))。以上
の工程により、下層回路パターンと上層回路パターンと
を備えるビルドアップ型配線基板が完成する。図26
(r)は、上層回路パターンの導通部分に電子部品として
半導体素子20を接続した様子を示す。素子20の電極
21に固着された半田バンプ22をパッドに接触させ、
熱と圧力とにより半田バンプ22を溶融させた後、冷却
して半田バンプ22を固化させて素子をビルドアップ型
基板に固定する。
After forming the circuit pattern, the resist layer 9 is removed (FIG. 26 (p)), and a nickel (Ni) layer 10 and a gold (Au) layer 11 are plated on the copper foil 8 left as a conductor. To form a pad (FIG. 26 (q)). Through the above steps, a build-up type wiring board including the lower circuit pattern and the upper circuit pattern is completed. FIG.
(r) shows a state in which the semiconductor element 20 is connected as an electronic component to the conductive portion of the upper circuit pattern. The solder bump 22 fixed to the electrode 21 of the element 20 is brought into contact with the pad,
After melting the solder bumps 22 by heat and pressure, the solder bumps 22 are cooled and solidified to fix the element to the build-up type substrate.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の製造方法では、上下の回路パターン間が絶縁性
樹脂層7により充填されることとなるため、温度、湿度
等の環境変化による影響を受けやすく、基板が伸縮して
ビルドアップ型基板側のパッドの位置と、半導体素子2
0の電極21の位置とを合わせることが困難であるとい
う問題がある。
However, in the above-described conventional manufacturing method, the space between the upper and lower circuit patterns is filled with the insulating resin layer 7, so that it is affected by environmental changes such as temperature and humidity. The position of the pad on the build-up type substrate side is easily
There is a problem that it is difficult to match the position of the zero electrode 21.

【0009】この点、伸縮の影響をマージンとして考慮
した上で基板の設計をすることも考えられる。この場
合、使用材料の品種、ロットの違いによる伸縮率の違い
を考慮し、かなりの余裕を持ってマージンを確保しなけ
ればならない。しかしながら、素子の小型化、高集積化
により、半導体素子の電極ピッチは微細化する傾向にあ
り、上記のマージンを確保した設計では微細化に対処で
きないという問題が生じる。
In this regard, it is conceivable to design the substrate in consideration of the influence of expansion and contraction as a margin. In this case, a margin must be secured with a considerable margin in consideration of a difference in expansion and contraction ratio due to a difference in kind and lot of a used material. However, with the miniaturization and high integration of devices, the electrode pitch of semiconductor devices tends to be finer, and there is a problem that the design with the above-mentioned margin cannot cope with miniaturization.

【0010】また、上記の製造方法では、半導体素子2
0の電極21上に半田バンプ22を形成する工程が必要
となるため、半田バンプを必要としない素子と比較する
と製造コストが高く、基板と素子とを組み合わせて構成
される電子回路全体のコストが高くなるという問題があ
る。
In the above-described manufacturing method, the semiconductor element 2
Since the step of forming the solder bumps 22 on the 0 electrodes 21 is required, the manufacturing cost is higher than an element that does not require solder bumps, and the cost of the entire electronic circuit configured by combining the substrate and the element is reduced. There is a problem of becoming high.

【0011】この発明は、上述した従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、基板側のパッドの位置と半
導体素子等の電子部品の電極との位置ずれが生じず、か
つ、電子部品の電極に半田バンプを形成する必要のない
電子部品一体型多層配線基板およびその製造法方法を提
供することを課題(目的)とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and does not cause a displacement between the position of a pad on a substrate and an electrode of an electronic component such as a semiconductor element. It is an object of the present invention to provide a multi-layer wiring board integrated with an electronic component which does not need to form a solder bump on the electrode and a method of manufacturing the same.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この発明にかかる電子部
品一体型多層基板の製造方法は、基板接続面となる一方
の面に電極が形成された電子部品を用いる場合には、電
子部品が嵌合する保持穴が形成された治具を用い、保持
穴に基板接続面が露出するよう電子部品を嵌合させる設
置工程と、電極に第1層間接続部が接続・形成された状
態で、基板接続面の層間接続部以外の部分と治具の表面
とを絶縁性の第1樹脂層により覆う第1樹脂層形成工程
と、第1樹脂層上に、第1層間接続部に接続された第1
回路層を形成する第1回路層形成工程と、第1回路層の
一部に第2層間接続部が接続・形成された状態で、第2
層間接続部以外の部分を絶縁性の第2樹脂層により覆う
第2樹脂層形成工程と、第2樹脂層上に、第2層間接続
部に接続された第2回路層を形成する第2回路層形成工
程と、治具を剥離する段階とを順に含むことを特徴とす
る。
According to the method of manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate according to the present invention, when an electronic component having an electrode formed on one surface serving as a substrate connection surface is used, the electronic component is fitted. An installation step of fitting an electronic component so that a board connection surface is exposed in the holding hole by using a jig having a holding hole formed therein, and a state in which the first interlayer connection portion is connected and formed to the electrode. A first resin layer forming step of covering a portion of the connection surface other than the interlayer connection portion and the surface of the jig with an insulating first resin layer; and forming a first resin layer connected to the first interlayer connection portion on the first resin layer. 1
A first circuit layer forming step of forming a circuit layer; and a second circuit connection step in which a second interlayer connection portion is connected and formed to a part of the first circuit layer.
A second resin layer forming step of covering a portion other than the interlayer connection portion with an insulating second resin layer, and a second circuit for forming a second circuit layer connected to the second interlayer connection portion on the second resin layer It is characterized in that it includes a layer forming step and a step of peeling the jig in order.

【0013】上記の手順によれば、従来とは逆に電子部
品を基準にして素子側から層間接続部、樹脂層、回路層
を順次積層してゆくため、電子部品と基板側との位置関
係を正確に保つことができる。また、層間接続部をメッ
キ等の手段により形成できるため、電子部品と回路層と
を半田で接続するより接続信頼性を高く保つことができ
る。
According to the above procedure, the interlayer connection portion, the resin layer, and the circuit layer are sequentially laminated from the element side on the basis of the electronic component in reverse to the conventional case, so that the positional relationship between the electronic component and the substrate side is reversed. Can be kept accurate. Further, since the interlayer connection portion can be formed by means such as plating, the connection reliability can be kept higher than when the electronic component and the circuit layer are connected by soldering.

【0014】第1樹脂層形成工程としては、以下の2通
りの方法が考えられる。第1は、電極上に第1層間接続
部として第1層ポストを最初に形成し、その後、ポスト
の周囲に第1樹脂層を形成する方法である。第2は、基
板接続面の全面と治具の表面とに第1樹脂層を最初に形
成し、この樹脂層に電極に達する開口を形成し、形成さ
れた開口内に第1層間接続部を形成する方法である。第
2の方法では、第1層間接続部を開口を埋める中実のポ
スト(金属柱)として形成することもできるし、開口の表
面に付された膜として形成することもできる。
As the first resin layer forming step, the following two methods can be considered. The first is a method in which a first layer post is first formed as a first interlayer connection portion on an electrode, and then a first resin layer is formed around the post. Second, a first resin layer is first formed on the entire surface of the substrate connection surface and the surface of the jig, an opening reaching the electrode is formed in the resin layer, and a first interlayer connection portion is formed in the formed opening. It is a method of forming. In the second method, the first interlayer connection portion can be formed as a solid post (metal column) that fills the opening, or can be formed as a film attached to the surface of the opening.

【0015】上述の第2の方法を用いる場合、第1回路
層形成工程においては、第1層間接続部の形成時に連続
して一括して形成された導体層を用いることができる。
すなわち、第1層間接続部をメッキで形成する際に、第
1樹脂層上にまでもメッキを施して第1層間接続部に連
続する状態で導体層を形成することができる。
In the case of using the above-described second method, in the first circuit layer forming step, it is possible to use a conductor layer formed continuously and collectively at the time of forming the first interlayer connection portion.
That is, when the first interlayer connection is formed by plating, plating can be performed even on the first resin layer so that the conductor layer can be formed so as to be continuous with the first interlayer connection.

【0016】また、この発明にかかる電子部品一体型多
層基板の製造方法は、基板接続面となる一方の面にリー
ド若しくはバンプが形成された電子部品を用いる場合に
は、電子部品が嵌合する保持穴が形成された治具を用
い、保持穴にリード若しくはバンプが突出するよう電子
部品を嵌合させる設置工程と、基板接続面と治具の表面
とを絶縁性の第1樹脂層により覆う第1樹脂層形成工程
と、第1樹脂層上に、リード若しくはバンプから成る第
1層間接続部に接続された第1回路層を形成する第1回
路層形成工程と、第1回路層の一部に第2層間接続部が
接続・形成された状態で、第2層間接続部以外の部分を
絶縁性の第2樹脂層により覆う第2樹脂層形成工程と、
第2樹脂層上に、第2層間接続部に接続された第2回路
層を形成する第2回路層形成工程と、治具を剥離する段
階とを順に含むことを特徴とする。
In the method of manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate according to the present invention, when an electronic component having leads or bumps formed on one surface serving as a substrate connection surface is used, the electronic component is fitted. Using a jig having a holding hole formed therein, an installation step of fitting an electronic component such that leads or bumps protrude from the holding hole, and covering the substrate connection surface and the surface of the jig with an insulating first resin layer. A first resin layer forming step, a first circuit layer forming step of forming a first circuit layer connected to a first interlayer connecting portion made of a lead or a bump on the first resin layer, and a first circuit layer forming step. A second resin layer forming step of covering a portion other than the second interlayer connection portion with an insulating second resin layer in a state where the second interlayer connection portion is connected and formed to the portion;
A second circuit layer forming step of forming a second circuit layer connected to the second interlayer connection portion on the second resin layer, and a step of peeling the jig are sequentially included.

【0017】第2樹脂層形成工程においても、第1樹脂
層形成工程における説明と同様に、最初に第2層間接続
部としてポストを形成して後に樹脂層を形成する第1の
方法と、最初に全面に第2樹脂層を形成してから開口を
形成する第2の方法とを選択することができる。また、
第2の方法を用いる場合には、第2層間接続部の形成時
に連続して一括して形成された導体層を利用して第2回
路層を形成することができる。
In the second resin layer forming step, as in the description of the first resin layer forming step, a first method of forming a post as a second interlayer connecting portion first and thereafter forming a resin layer, And a second method of forming an opening after forming a second resin layer on the entire surface. Also,
In the case where the second method is used, the second circuit layer can be formed by using the conductor layer formed continuously and collectively at the time of forming the second interlayer connection portion.

【0018】さらに、この発明にかかる電子部品一体型
多層基板は、複数の回路層が絶縁性の樹脂層を介して積
層された多層のビルドアップ基板と、ビルドアップ基板
の表層の回路層に接続された少なくとも1つの電子部品
とを備える構造において、電子部品と表層の回路層との
間に、両者を電気的に接続する層間接続部が形成され、
表層の回路層は、層間接続部以外の部分で電子部品と表
層の回路層との間隔にほぼ等しい厚さで形成された絶縁
性の樹脂層により覆われ、この樹脂層により電子部品が
基板に固定されていることを特徴とする。
Further, the electronic component-integrated multi-layer substrate according to the present invention is connected to a multi-layer build-up substrate in which a plurality of circuit layers are laminated via an insulating resin layer, and a surface circuit layer of the build-up substrate. In the structure provided with at least one electronic component, an interlayer connecting portion for electrically connecting both is formed between the electronic component and the surface circuit layer,
The surface circuit layer is covered with an insulating resin layer having a thickness substantially equal to the distance between the electronic component and the surface circuit layer in a portion other than the interlayer connection portion, and the electronic component is mounted on the substrate by the resin layer. It is characterized by being fixed.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる電子部品
一体型多層基板の製造方法の実施形態を説明する。図1
は第1の実施形態の各工程、段階を示すフローチャー
ト、図2〜図7は各段階での多層基板の構造を示す断面
図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing an electronic component integrated type multi-layer substrate according to the present invention will be described. FIG.
Is a flowchart showing each process and step of the first embodiment, and FIGS. 2 to 7 are sectional views showing the structure of the multilayer substrate at each step.

【0020】第1の実施形態は、基板接続面となる一方
の面に電極パッドが形成された半導体素子を電子部品と
して用いる場合に適した方法である。まず、図1に基づ
いて工程の概略を説明し、その後、各工程について断面
図を参照しつつ、より詳細に説明する。
The first embodiment is a method suitable for a case where a semiconductor element having an electrode pad formed on one surface serving as a substrate connection surface is used as an electronic component. First, an outline of the steps will be described with reference to FIG. 1, and then each step will be described in more detail with reference to cross-sectional views.

【0021】第1の実施形態にかかる製造方法は、治具
の保持穴に半導体素子を設置する設置工程A(S.1)と、
素子および治具の表面を絶縁性の第1樹脂層により覆う
第1樹脂層形成工程B(S.2〜S.7)と、第1樹脂層上に第
1回路層を形成する第1回路層形成工程C(S.8〜S.12)
と、第1回路層の上を絶縁性の第2樹脂層により覆う第
2樹脂層形成工程D(S.13〜S.20)と、第2樹脂層上に第
2回路層を形成する第2回路層形成工程E(S.21〜S.25)
と、治具を剥離する段階F(S.28)とを順に含む。多層基
板の回路層が2層の場合には、各工程A〜Fを各一回ず
つ経て全行程が終了するが、3層以上の回路層を形成す
るためには、第2樹脂層形成工程D、第2回路層形成工
程Eの部分のみが繰り返し実行される。
The manufacturing method according to the first embodiment includes an installation step A (S.1) of installing a semiconductor element in a holding hole of a jig;
A first resin layer forming step B (S.2 to S.7) for covering the surface of the element and the jig with an insulating first resin layer, and a first circuit for forming a first circuit layer on the first resin layer Layer forming step C (S.8 to S.12)
A second resin layer forming step D (S.13 to S.20) of covering the first circuit layer with an insulating second resin layer; and forming a second circuit layer on the second resin layer. Two-circuit layer forming step E (S.21 to S.25)
And a step F (S.28) of stripping the jig. When the circuit layer of the multi-layer substrate has two layers, the entire process is completed once through each of the steps A to F. However, in order to form three or more circuit layers, the second resin layer forming step D, only the second circuit layer forming step E is repeatedly executed.

【0022】設置工程Aにおいては、図2(a)に示すよ
うに半導体素子30が嵌合する保持穴41が形成された
平板状の治具40を用い、電極パッド32が形成された
基板接続面31が露出するよう半導体素子30を保持穴
41に嵌合させる(S.1)。治具40は完成後には半導体
素子30から剥離されるため、その表面、特に保持穴4
1の内面と表面42とは、剥離性が高いフッ素樹脂等で
表面加工されている。なお、この例では、簡単のため電
子部品として単一の半導体素子30のみを示しており、
保持穴41も単一であるが、複数の電子部品を装着する
場合には、各部品に応じて保持穴が形成された治具を用
意すればよい。
In the installation step A, as shown in FIG. 2 (a), a flat jig 40 having a holding hole 41 into which the semiconductor element 30 is fitted is used, and a substrate connection on which an electrode pad 32 is formed is used. The semiconductor element 30 is fitted into the holding hole 41 so that the surface 31 is exposed (S.1). Since the jig 40 is peeled off from the semiconductor element 30 after completion, its surface, especially the holding hole 4
The inner surface 1 and the surface 42 are surface-processed with a highly releasable fluororesin or the like. In this example, only a single semiconductor element 30 is shown as an electronic component for simplicity.
The holding hole 41 is also single, but when mounting a plurality of electronic components, a jig having a holding hole formed for each component may be prepared.

【0023】第1樹脂層形成工程Bでは、電極パッド3
2に第1層間接続部が接続・形成された状態で、基板接
続面の層間接続部以外の部分と治具の表面とを絶縁性の
第1樹脂層により覆う。この例では、第1樹脂層形成工
程Bが、電極パッド32上に第1層間接続部として第1
層ポストを形成する段階と、ポストの形成後、その周囲
に第1樹脂層を形成する段階とを含む。
In the first resin layer forming step B, the electrode pads 3
In a state where the first interlayer connection portion is connected and formed in 2, a portion other than the interlayer connection portion of the substrate connection surface and the surface of the jig are covered with the insulating first resin layer. In this example, the first resin layer forming step B is performed on the electrode pad 32 as a first interlayer connection portion.
Forming a layer post; and, after forming the post, forming a first resin layer around the post.

【0024】第1層ポストを形成する段階では、基板接
続面31および治具40の表面42とを覆う感光性のレ
ジスト層(メッキレジスト)50を形成し(S.2、図2
(b))、このレジスト層50のポスト形成位置に露光・
現像のプロセスを介して電極に達する開口50aを形成
する(S.3、図2(c))。続いて、この開口50a内にメ
ッキにより第1層ポスト51を形成する(S.4、図3
(d))。第1層ポスト51の形成後、レジスト層50は
除去される(S.5、図3(e))。なお、メッキの金属とし
ては、銅、ニッケル、金、銀、白金、ロジウム等の金
属、あるいはスズと金、ニッケルとリンとの合金等を用
いることができる。メッキは電極パッド32への通電が
可能であれば電解メッキとすればよいし、それができな
ければ無電解メッキにより行われる。
In the step of forming the first layer post, a photosensitive resist layer (plating resist) 50 covering the substrate connecting surface 31 and the surface 42 of the jig 40 is formed (S.2, FIG. 2).
(b)), exposure and post-forming positions of the resist layer 50 are formed.
An opening 50a reaching the electrode through the development process is formed (S.3, FIG. 2C). Subsequently, a first layer post 51 is formed in the opening 50a by plating (S.4, FIG. 3).
(d)). After the formation of the first layer post 51, the resist layer 50 is removed (S.5, FIG. 3E). As the metal for plating, metals such as copper, nickel, gold, silver, platinum and rhodium, or alloys of tin and gold, nickel and phosphorus, and the like can be used. Plating may be performed by electroplating if the electrode pad 32 can be energized, or electroless plating if it cannot be performed.

【0025】第1層ポスト51の形成後、これを覆うよ
うに治具40の表面全体に第1樹脂層52が形成される
(S.6、図3(f))。樹脂材料としては、エポキシ樹脂、
BT樹脂等を用いることができ、形成方法としてはスク
リーン印刷やカーテンコート法による塗布等任意の手段
を用いることができる。ステップS.7では、第1樹脂層
52中に埋没した第1層ポスト51の頭部を露出させる
ため、第1樹脂層52の表面をバフやベルトサンダー等
の研磨装置を用いて機械的に研磨する。図4(g)は研磨
後の状態を示す。
After forming the first layer post 51, a first resin layer 52 is formed on the entire surface of the jig 40 so as to cover the first layer post 51.
(S.6, FIG. 3 (f)). As the resin material, epoxy resin,
BT resin or the like can be used, and as a forming method, any means such as screen printing or application by a curtain coat method can be used. In step S.7, in order to expose the head of the first layer post 51 buried in the first resin layer 52, the surface of the first resin layer 52 is mechanically polished using a polishing device such as a buff or a belt sander. Grind. FIG. 4G shows a state after polishing.

【0026】第1回路層形成工程Cでは、第1層ポスト
51に接続された状態で第1回路層を形成する。最初
に、第1層ポスト51および第1樹脂層52の上に導体
層53をメッキにより形成する(S.8、図4(h))。導体
層53は、最初は無電解銅メッキにより、続いて形成さ
れた銅箔を用いた電解銅メッキにより形成される。続い
て、導体層53の上に感光性のレジスト層(エッチング
レジスト)を形成し(S.9)、レジスト層を所定のパターン
で露光・現像して第1回路層の導通部分にレジスト層を
残す(S.10)。そして、レジスト層に覆われていない領域
の導体層53をエッチングにより除去し(S.11)、レジス
ト層を除去することにより導体層53の必要部分のみを
残し、これにより第1回路層を形成する(S.12、図4
(i))。
In the first circuit layer forming step C, a first circuit layer is formed while being connected to the first layer post 51. First, a conductor layer 53 is formed on the first layer post 51 and the first resin layer 52 by plating (S.8, FIG. 4H). The conductor layer 53 is formed first by electroless copper plating, and subsequently by electrolytic copper plating using a formed copper foil. Subsequently, a photosensitive resist layer (etching resist) is formed on the conductor layer 53 (S.9), and the resist layer is exposed and developed in a predetermined pattern to form a resist layer on a conductive portion of the first circuit layer. Leave (S.10). Then, the conductor layer 53 in a region not covered with the resist layer is removed by etching (S.11), and only the necessary portion of the conductor layer 53 is left by removing the resist layer, thereby forming the first circuit layer. (S.12, Fig. 4
(i)).

【0027】第2樹脂層形成工程Dは、第1回路層53
の一部に第2層間接続部が接続・形成された状態で、第
2層間接続部以外の部分を絶縁性の第2樹脂層により覆
う工程であり、第1回路層53上に第2層間接続部とし
て第2層ポストを形成する段階と、このポストの形成
後、周囲に第2樹脂層を形成する段階とを含む。第2層
ポストを形成する段階においては、第1回路層53およ
び第1樹脂層52上に給電膜54を形成し(S.13、図5
(j))、この給電膜54上に感光性のレジスト層(メッキ
レジスト)55を形成する(S.14)と共に、レジスト層5
5のポスト形成位置に露光・現像のプロセスを介して第
1回路層53に達する開口55aを形成する(S.15、図
5(k))。
The second resin layer forming step D includes the first circuit layer 53
Is a step of covering a portion other than the second interlayer connection portion with an insulating second resin layer in a state where the second interlayer connection portion is connected and formed on a part of the second interlayer connection portion. The method includes a step of forming a second layer post as a connecting portion, and a step of forming a second resin layer around the post after the formation of the post. In the step of forming the second layer post, a power supply film 54 is formed on the first circuit layer 53 and the first resin layer 52 (S.13, FIG. 5).
(j)), a photosensitive resist layer (plating resist) 55 is formed on the power supply film 54 (S.14), and the resist layer 5
An opening 55a that reaches the first circuit layer 53 through an exposure / development process is formed at the post formation position of No. 5 (S.15, FIG. 5 (k)).

【0028】続いて、給電膜54に通電して電解メッキ
を行うことにより、開口55a内に第2層ポスト56を
形成し(S.16、図5(l))、レジスト層55を除去する
(S.17)すると共に、第2層ポスト56をマスクに給電膜
54をエッチングする(S.18、図6(m))。次に、形成さ
れた第2層ポスト56および第1回路層53を覆うよう
に第1樹脂層52上に第2樹脂層57を形成し(S.19、
図6(n))、表面を研磨することにより第2層ポスト5
6の頭出しをする(S.20、図6(o))。
Subsequently, a current is supplied to the power supply film 54 to perform electrolytic plating, thereby forming a second layer post 56 in the opening 55a (S.16, FIG. 5 (l)), and removing the resist layer 55.
(S.17), and the power supply film 54 is etched using the second layer posts 56 as a mask (S.18, FIG. 6 (m)). Next, a second resin layer 57 is formed on the first resin layer 52 so as to cover the formed second layer posts 56 and the first circuit layer 53 (S.19,
6 (n)), the second layer post 5 is polished by polishing the surface.
6 is searched (S.20, FIG. 6 (o)).

【0029】第2回路層形成工程Eは、第2樹脂層57
上に第2層ポスト56に接続された第2回路層を形成す
る工程であり、導体層を形成する段階と、リソグラフィ
の手法によりエッチングする段階とを含む。最初に無電
解銅メッキと電解銅メッキとにより第2樹脂層57上に
第2層ポスト56に接続される導体層58が形成される
(S.21、図7(p))。この導体層58の上に感光性のレジ
スト層(エッチングレジスト)を形成し(S.22)、レジスト
層を所定のパターンで露光・現像して第2回路層の導通
部分にレジスト層を残し(S.23)、レジスト層に覆われて
いない領域の導体層58をエッチングにより除去する
(S.24)。エッチング後、レジスト層を除去することによ
り導体層58の必要部分のみが残り、これにより第2回
路層が形成される(S.25、図7(q))。
The second circuit layer forming step E includes the second resin layer 57
The step of forming a second circuit layer connected to the second layer post 56 thereon includes a step of forming a conductor layer and a step of etching by a lithographic technique. First, a conductor layer 58 connected to the second layer post 56 is formed on the second resin layer 57 by electroless copper plating and electrolytic copper plating.
(S.21, FIG. 7 (p)). A photosensitive resist layer (etching resist) is formed on the conductor layer 58 (S.22), and the resist layer is exposed and developed in a predetermined pattern to leave a resist layer in a conductive portion of the second circuit layer (S.22). S.23), the conductor layer 58 in a region not covered with the resist layer is removed by etching.
(S.24). After the etching, the resist layer is removed to leave only a necessary portion of the conductor layer 58, thereby forming a second circuit layer (S.25, FIG. 7 (q)).

【0030】上記の第2樹脂層形成工程Dおよび第2回
路層形成工程Eは、多層回路基板の層数が2層である場
合には1回で終了するが、3層以上を要する場合にはス
テップS.26の分岐からステップS.27でnをインクリメン
トし、必要に応じた回数分繰り返し実行される。必要な
層数の樹脂層および回路層の形成が終了すると、治具4
0を剥離する段階F(S.28、図7(r))が実行され、半導
体素子30に対して多層の回路が形成された多層基板が
一体として形成され、電子部品一体型基板が完成する。
完成した電子部品一体型基板は、半導体素子20と表層
(第1回路層53)との間に、両者を電気的に接続する層
間接続部として第1層ポスト51が形成され、第1回路
層53は、第1層ポスト51以外の部分で半導体素子2
0と第1回路層53との間隔にほぼ等しい厚さで形成さ
れた絶縁性の樹脂層52により覆われ、この樹脂層52
により電子部品20が基板に固定されている。
The second resin layer forming step D and the second circuit layer forming step E are completed only once when the number of layers of the multilayer circuit board is two, but when three or more layers are required. Is incremented by n in step S.27 from the branch of step S.26, and is repeatedly executed as many times as necessary. When the required number of resin layers and circuit layers have been formed, the jig 4
Step F (S.28, FIG. 7 (r)) of stripping 0 is performed, and a multi-layer substrate on which a multi-layer circuit is formed is formed integrally with the semiconductor element 30 to complete an electronic component integrated substrate. .
The completed electronic component integrated substrate is composed of a semiconductor element 20 and a surface layer.
A first layer post 51 is formed between the first circuit layer 53 and the (first circuit layer 53) as an interlayer connection part for electrically connecting the two. 2
0 and the first circuit layer 53 are covered with an insulating resin layer 52 having a thickness substantially equal to that of the resin layer 52.
Thus, the electronic component 20 is fixed to the substrate.

【0031】第1の実施形態によれば、半導体素子30
を基礎として多層回路基板を積層することとしたため、
従来のように形成された多層基板に半導体素子を取り付
ける場合と比較して、基板を構成する樹脂の伸縮に左右
されずに素子と基板側の回路とを正確に接続することが
できる。したがって、素子と回路との接合に樹脂の伸縮
を考慮したマージンを大きく確保する必要がなく、電極
ピッチの微細化にも容易に対応することが可能となる。
また、電極パッド32と各回路層との接続にメッキによ
り形成されたポストを利用することにより、従来の半田
による接続と比較して、より強固で確実な電気的接続を
得ることができる。
According to the first embodiment, the semiconductor device 30
Because we decided to laminate multilayer circuit boards based on
Compared to a case where a semiconductor element is attached to a multilayer substrate formed as in the related art, the element and the circuit on the substrate side can be accurately connected without being affected by expansion and contraction of the resin constituting the substrate. Therefore, it is not necessary to secure a large margin in consideration of the expansion and contraction of the resin in joining the element and the circuit, and it is possible to easily cope with the miniaturization of the electrode pitch.
Further, by using the post formed by plating for the connection between the electrode pad 32 and each circuit layer, a stronger and more reliable electrical connection can be obtained as compared with the conventional connection using solder.

【0032】次に、第2の実施形態について説明する。
第2の実施形態は、上述した第1の実施形態の工程の一
部を変更した変形例であり、図8に各工程、段階のフロ
ーチャート、図9に第2の実施形態に特有な段階におけ
る多層基板の構造の断面図が示されている。他の工程、
段階における構造は第1の実施形態と同様である。
Next, a second embodiment will be described.
The second embodiment is a modified example in which a part of the steps of the first embodiment described above is modified. FIG. 8 is a flowchart of each step and step, and FIG. 9 is a step in a step unique to the second embodiment. A cross-sectional view of the structure of the multilayer substrate is shown. Other processes,
The structure at the stage is the same as in the first embodiment.

【0033】第2の実施形態にかかる製造方法は、治具
の保持穴に半導体素子を設置する設置工程A(S.51)と、
素子および治具の表面を絶縁性の第1樹脂層により覆う
第1樹脂層形成工程B(S.52〜S.57)と、第1樹脂層上に
第1回路層を形成する第1回路層形成工程C(S.58〜S.6
2)と、第1回路層の上を絶縁性の第2樹脂層により覆う
第2樹脂層形成工程D(S.63〜S.69)と、第2樹脂層上に
第2回路層を形成する第2回路層形成工程E(S.70〜S.7
4)と、治具を剥離する段階F(S.78)とを順に含む。
The manufacturing method according to the second embodiment includes an installation step A (S.51) of installing a semiconductor element in a holding hole of a jig;
A first resin layer forming step B (S.52 to S.57) for covering the surfaces of the element and the jig with an insulating first resin layer, and a first circuit for forming a first circuit layer on the first resin layer Layer forming step C (S.58 to S.6)
2), a second resin layer forming step D (S. 63 to S. 69) of covering the first circuit layer with an insulating second resin layer, and forming a second circuit layer on the second resin layer The second circuit layer forming step E (S.70 to S.7)
4) and a step F (S.78) of stripping the jig.

【0034】設置工程Aおよび第1樹脂層形成工程B
は、第1の実施形態と同一である。これらの工程を終了
した段階では、基板は図4(g)に示した状態となってい
る。
Installation step A and first resin layer forming step B
Is the same as in the first embodiment. When these steps are completed, the substrate is in the state shown in FIG.

【0035】第1回路層形成工程Cでは、第1層ポスト
51に接続された状態で第1回路層を形成する。この例
では、図9(a)に示すように、第1樹脂層52上にメッ
キ用の給電膜60を形成し(S.58)、この給電膜60上に
感光性のレジスト層(メッキレジスト)61を形成する
(S.59)。そして、このレジスト層61を所定のパターン
で露光・現像して第1回路層の絶縁部分に対応させてレ
ジスト層を残し(S.60)、レジスト層現像後に給電膜60
に通電して導体層53を電解メッキにより形成する(S.6
1、図9(b))。導体層53を形成した後、レジスト層6
1を除去する(S.62)。なお、この段階で導体層53をマ
スクに給電膜60を除去してもよいが、この例では第2
樹脂層形成工程D中で第2層ポストの形成に給電膜60
を利用し、ポスト形成後に除去することとしている。
In the first circuit layer forming step C, a first circuit layer is formed while being connected to the first layer post 51. In this example, as shown in FIG. 9A, a power supply film 60 for plating is formed on the first resin layer 52 (S.58), and a photosensitive resist layer (plating resist) is formed on the power supply film 60. ) 61 is formed
(S.59). Then, the resist layer 61 is exposed and developed in a predetermined pattern to leave a resist layer corresponding to the insulating portion of the first circuit layer (S.60).
To form a conductor layer 53 by electrolytic plating (S.6).
1, FIG. 9 (b)). After forming the conductor layer 53, the resist layer 6
1 is removed (S.62). At this stage, the power supply film 60 may be removed using the conductor layer 53 as a mask.
In the resin layer forming step D, the power supply film 60 is used for forming the second layer post.
And is to be removed after forming the post.

【0036】第2樹脂層形成工程Dは、第2層ポストを
形成する段階と、このポストの形成後、周囲に第2樹脂
層を形成する段階とを含む。まず、図9(c)に示すよう
に、第1回路層53および給電膜60の上に感光性のレ
ジスト層(メッキレジスト)55を形成し(S.63)、所定の
パターンで露光現像することによりレジスト層55のポ
スト形成位置に第1回路層53に達する開口55aを形
成する(S.64)。続いて、給電膜60に通電して電解メッ
キを行うことにより、開口55a内に第2層ポスト56
を形成し(S.65)、レジスト層55を除去し(S.66)、続け
て第1回路層53をマスクに給電膜60を過酸化水素配
合硫酸水溶液等でエッチングする(S.67、図9(d))。こ
の段階で第1回路層53を形成するために用いられた給
電膜60が除去される。次に、図6(n)、(o)に示され
る第1の実施形態と同様に、形成された第2層ポスト5
6および第1回路層53を覆うように第1樹脂層52上
に第2樹脂層57を形成し(S.68)、表面を研磨すること
により第2層ポスト56の頭出しをする(S.69)。
The second resin layer forming step D includes a step of forming a second layer post and a step of forming a second resin layer around the post after the formation of the post. First, as shown in FIG. 9C, a photosensitive resist layer (plating resist) 55 is formed on the first circuit layer 53 and the power supply film 60 (S.63), and is exposed and developed in a predetermined pattern. Thus, an opening 55a reaching the first circuit layer 53 is formed at the post formation position of the resist layer 55 (S.64). Subsequently, a current is supplied to the power supply film 60 to perform electrolytic plating, so that the second layer post 56 is formed in the opening 55a.
Is formed (S.65), the resist layer 55 is removed (S.66), and then the power supply film 60 is etched with a hydrogen peroxide-containing sulfuric acid aqueous solution or the like using the first circuit layer 53 as a mask (S.67, S.67). FIG. 9D). At this stage, the power supply film 60 used to form the first circuit layer 53 is removed. Next, similarly to the first embodiment shown in FIGS. 6 (n) and 6 (o), the formed second layer post 5 is formed.
A second resin layer 57 is formed on the first resin layer 52 so as to cover the first circuit layer 53 and the first circuit layer 53 (S.68), and the second layer post 56 is caught by polishing the surface (S.68). .69).

【0037】第2回路層形成工程Eも、第1回路層形成
工程Cと同一であり、最初に給電膜を形成し(S.70)、そ
の上にレジスト層(メッキレジスト)を形成して露光・現
像し(S.71,72)、レジスト層に形成された開口の部分に
導体層を電解メッキにより形成する(S.73)。導体層の形
成後、レジスト層を除去し(S.74)する。3層以上の回路
層を形成する場合には、次の層のポスト形成に利用する
ために給電膜を残したまま、ステップS.75の分岐からス
テップS.76でnをインクリメントし、第2樹脂層形成工
程Dおよび第2回路層形成工程Eを実行する。必要な層
数の樹脂層および回路層の形成が終了すると、最後の第
2回路層形成工程EのステップS.70で形成された給電膜
をエッチングにより除去し(S.77)、治具40を剥離する
段階F(S.78)が実行され、半導体素子30に対して多層
の回路が形成された多層基板が一体として形成され、電
子部品一体型基板が完成する。
The second circuit layer forming step E is the same as the first circuit layer forming step C. First, a power supply film is formed (S.70), and a resist layer (plating resist) is formed thereon. Exposure and development are performed (S.71, 72), and a conductor layer is formed by electrolytic plating in a portion of the opening formed in the resist layer (S.73). After the formation of the conductor layer, the resist layer is removed (S.74). When three or more circuit layers are formed, n is incremented at step S.76 from the branch of step S.75 while the power supply film is left to be used for post formation of the next layer. The resin layer forming step D and the second circuit layer forming step E are performed. When the formation of the required number of resin layers and circuit layers is completed, the power supply film formed in step S.70 of the final second circuit layer forming step E is removed by etching (S.77), and the jig 40 is formed. A step F (S.78) of peeling off is performed, and a multi-layer substrate on which a multi-layer circuit is formed is integrally formed with the semiconductor element 30, thereby completing an electronic component integrated substrate.

【0038】第2の実施形態では、回路の導体層を形成
する前に給電膜を形成するため、導体層を電解メッキに
より形成することができ、しかも、最終的に必要となる
部分にのみ導体層を形成することができるため形成後に
エッチングの必要がなく、第1の実施形態と比較すると
導体層の形成にかかる時間を短縮することができる。
In the second embodiment, since the power supply film is formed before the formation of the conductor layer of the circuit, the conductor layer can be formed by electrolytic plating. Since the layer can be formed, there is no need for etching after the formation, and the time required for forming the conductor layer can be reduced as compared with the first embodiment.

【0039】図10は第3の実施形態の各工程、段階を
示すフローチャート、図11〜図14は各段階での多層
基板の構造を示す断面図である。第3の実施形態にかか
る製造方法も、図10に示されるように、治具の保持穴
に半導体素子を設置する設置工程A(S.101)と、素子お
よび治具の表面を絶縁性の第1樹脂層により覆う第1樹
脂層形成工程B(S.102〜S.104)と、第1樹脂層上に第1
回路層を形成する第1回路層形成工程C(S.105〜S.109)
と、第1回路層の上を絶縁性の第2樹脂層により覆う第
2樹脂層形成工程D(S.110〜S.112)と、第2樹脂層上に
第2回路層を形成する第2回路層形成工程E(S.113〜S.
117)と、治具を剥離する段階F(S.120)とを順に含む。
FIG. 10 is a flowchart showing the steps and steps of the third embodiment, and FIGS. 11 to 14 are sectional views showing the structure of the multilayer substrate at each step. As shown in FIG. 10, the manufacturing method according to the third embodiment also includes an installation step A (S.101) of installing a semiconductor element in a holding hole of a jig, and a step of insulating the surface of the element and the jig. A first resin layer forming step B (S.102 to S.104) for covering with the first resin layer,
First circuit layer forming step C for forming a circuit layer (S.105 to S.109)
A second resin layer forming step D (S.110 to S.112) of covering the first circuit layer with an insulating second resin layer; and forming a second circuit layer on the second resin layer. Two circuit layer forming step E (S.113 to S.113)
117) and a step F (S.120) of separating the jig.

【0040】設置工程Aにおいては、図11(a)に示す
ように、基板接続面31が露出するよう半導体素子30
を治具40の保持穴41に嵌合させる(S.1)。治具40
の構成等は第1の実施形態と同一である。
In the installation step A, as shown in FIG. 11A, the semiconductor element 30 is exposed so that the substrate connection surface 31 is exposed.
Is fitted into the holding hole 41 of the jig 40 (S.1). Jig 40
Is the same as that of the first embodiment.

【0041】第1樹脂層形成工程Bでは、電極パッド3
2に第1層間接続部が接続・形成された状態で、基板接
続面の層間接続部以外の部分と治具の表面とを絶縁性の
第1樹脂層により覆う。この例では、第1樹脂層形成工
程Bが、基板接続面31の全面と治具40の表面とに第
1樹脂層52を形成する段階(S.102、図11(b))と、
第1樹脂層52に半導体素子30の電極パッド32に達
する開口52aを形成する段階(S.103、図11(c))
と、開口52a内に第1層間接続部として第1層ポスト
51を形成する段階(S.103、図12(d))とを含む。
In the first resin layer forming step B, the electrode pads 3
In a state where the first interlayer connection portion is connected and formed in 2, a portion other than the interlayer connection portion of the substrate connection surface and the surface of the jig are covered with the insulating first resin layer. In this example, the first resin layer forming step B is a step of forming the first resin layer 52 on the entire surface of the substrate connection surface 31 and the surface of the jig 40 (S.102, FIG. 11B),
Forming an opening 52a reaching the electrode pad 32 of the semiconductor element 30 in the first resin layer 52 (S.103, FIG. 11C).
And forming a first layer post 51 as a first interlayer connection portion in the opening 52a (S.103, FIG. 12D).

【0042】第1樹脂層52は、絶縁性を持つ感光性エ
ポキシ樹脂等が利用され、この場合には露光、現像によ
る化学的プロセスにより開口52aを形成することがで
きる。ただし、必ずしも感光性樹脂を用いることには限
られず、非感光性の任意の絶縁樹脂を用い、レーザーカ
ッター等により物理的プロセスにより開口52aを形成
してもよい。開口の形成後、第1樹脂層52を熱硬化さ
せる。
The first resin layer 52 is made of a photosensitive epoxy resin having an insulating property. In this case, the opening 52a can be formed by a chemical process such as exposure and development. However, the opening 52a may be formed by a physical process using a laser cutter or the like, without using a photosensitive resin. After the formation of the openings, the first resin layer 52 is thermally cured.

【0043】第1層ポスト51は、無電解メッキによ
り、あるいは途中から電解メッキを併用して形成され
る。この際、開口52aを埋めて析出した金属が第1層
ポスト51となり、開口52aの周囲で第1樹脂層52
の表面に析出した部分が第1回路層を形成するための導
体層53となる。すなわち、この例では、第1樹脂層形
成工程Bの第1層ポスト形成のステップS.104と、第1
回路層形成工程Cの導体層形成のステップS.105とが工
程上は連続して実行される。
The first layer post 51 is formed by electroless plating or by using electrolytic plating in the middle. At this time, the metal deposited by filling the opening 52a becomes the first layer post 51, and the first resin layer 52 around the opening 52a.
The portion deposited on the surface becomes a conductor layer 53 for forming the first circuit layer. That is, in this example, in the first resin layer forming step B, the first layer post forming step S.
Step S.105 of forming the conductor layer in the circuit layer forming step C is continuously performed in the process.

【0044】第1回路層形成工程Cでは、第1層ポスト
51に接続された状態で第1回路層を形成する。上記の
ように、第1層ポスト51の形成に連続して導体層53
が形成され(S.105、図12(d))、その上に感光性のレ
ジスト層(エッチングレジスト)を形成し(S.106)、レジ
スト層を所定のパターンで露光・現像して第1回路層の
導通部分にレジスト層を残し(S.107)、レジスト層に覆
われていない領域の導体層53をエッチングにより除去
する(S.108)。エッチング後、レジスト層を除去するこ
とにより導体層53の必要部分のみが残り、これにより
第1回路層53が形成される(S.109、図12(e))。
In the first circuit layer forming step C, a first circuit layer is formed while being connected to the first layer post 51. As described above, the conductor layer 53 is formed continuously with the formation of the first layer post 51.
Is formed (S.105, FIG. 12D), a photosensitive resist layer (etching resist) is formed thereon (S.106), and the resist layer is exposed and developed in a predetermined pattern to form a first resist. The resist layer is left in the conductive portion of the circuit layer (S.107), and the conductor layer 53 in a region not covered by the resist layer is removed by etching (S.108). After the etching, the resist layer is removed to leave only the necessary portions of the conductor layer 53, thereby forming the first circuit layer 53 (S.109, FIG. 12E).

【0045】なお、第1層間接続部としては、上記のよ
うな開口52aを埋めるポスト51のみでなく、図12
(d-2)に示すように開口52aの表面に形成された膜5
1aを用いてヴァイアホール(Via Hole)型の接続形態を
用いることもできる。
As the first interlayer connection portion, not only the post 51 filling the opening 52a as described above, but also the first interlayer connection portion shown in FIG.
The film 5 formed on the surface of the opening 52a as shown in (d-2)
Via hole type connection form using 1a can also be used.

【0046】第2樹脂層形成工程Dは、第1回路層53
の一部に第2層間接続部が接続・形成された状態で、第
2層間接続部以外の部分を絶縁性の第2樹脂層により覆
う工程であり、第1回路層53上に第2樹脂層57を形
成する段階(S.110、図13(f))と、第2樹脂層57に
第1回路層53の一部に達する開口57aを形成する段
階(S.111、図13(g))と、開口57a内に第2層間接
続部として第2層ポスト56を形成する段階(S.112、図
13(h))とを含む。
The second resin layer forming step D includes the first circuit layer 53
Is a step in which a portion other than the second interlayer connection portion is covered with an insulating second resin layer in a state where the second interlayer connection portion is connected and formed to a part of the first circuit layer 53. The step of forming the layer 57 (S.110, FIG. 13 (f)) and the step of forming the opening 57a reaching a part of the first circuit layer 53 in the second resin layer 57 (S.111, FIG. )) And forming a second layer post 56 as a second interlayer connection portion in the opening 57a (S.112, FIG. 13H).

【0047】第2樹脂層57も、第1樹脂層52と同様
に感光性エポキシ樹脂であり、露光、現像により開口5
7aが形成される。また、第2層ポスト56は、無電解
メッキにより、あるいは途中から電解メッキを併用して
形成される。この際、開口57aを埋めて析出した金属
が第2層ポスト56となり、開口57aの周囲で第2樹
脂層57の表面に析出した部分が第2回路層を形成する
ための導体層58となる。すなわち、この例では、第2
樹脂層形成工程Dの第2層ポスト形成のステップS.112
と、第2回路層形成工程Eの導体層形成のステップS.11
3とが工程上は連続して実行される。
The second resin layer 57 is also made of a photosensitive epoxy resin like the first resin layer 52, and the opening 5 is formed by exposure and development.
7a is formed. The second layer posts 56 are formed by electroless plating or by using electrolytic plating in the middle. At this time, the metal deposited by filling the opening 57a becomes the second layer post 56, and the portion deposited on the surface of the second resin layer 57 around the opening 57a becomes the conductor layer 58 for forming the second circuit layer. . That is, in this example, the second
Step S.112 for forming second layer post in resin layer forming step D
And step S.11 of forming a conductor layer in the second circuit layer forming step E
3 is continuously performed on the process.

【0048】第2回路層形成工程Eでは、第2層ポスト
56に接続された状態で第2回路層を形成する。上記の
ように、第2層ポスト56の形成に連続して導体層58
が形成され(S.113、図13(h))、その上に感光性のレ
ジスト層(エッチングレジスト)を形成し(S.114)、レジ
スト層を所定のパターンで露光・現像して第1回路層の
導通部分にレジスト層を残し(S.115)、レジスト層に覆
われていない領域の導体層58をエッチングにより除去
する(S.116)。エッチング後、レジスト層を除去するこ
とにより導体層58の必要部分のみが残り、これにより
第2回路層58が形成される(S.117、図14(i))。な
お、第2層間接続部としても、図12(d-2)に示される
第1層間接続部と同様に、ヴァイアホール(Via Hole)型
の接続形態を用いることができる。
In the second circuit layer forming step E, a second circuit layer is formed while being connected to the second layer post 56. As described above, the conductive layer 58 is formed continuously with the formation of the second layer post 56.
Is formed (S.113, FIG. 13 (h)), a photosensitive resist layer (etching resist) is formed thereon (S.114), and the resist layer is exposed and developed in a predetermined pattern to form a first resist. The resist layer is left in the conductive portion of the circuit layer (S.115), and the conductor layer 58 in a region not covered by the resist layer is removed by etching (S.116). After the etching, the resist layer is removed to leave only the necessary portions of the conductor layer 58, thereby forming the second circuit layer 58 (S.117, FIG. 14 (i)). As the second interlayer connection, similarly to the first interlayer connection shown in FIG. 12D-2, a via-hole connection mode can be used.

【0049】3層以上の回路層を形成する場合には、ス
テップS.118の分岐からステップS.119でnをインクリメ
ントし、第2樹脂層形成工程Dおよび第2回路層形成工
程Eを実行する。必要な層数の樹脂層および回路層の形
成が終了すると、治具40を剥離する段階F(S.120)が
実行され、半導体素子30に対して多層の回路が形成さ
れた多層基板が一体として形成され、電子部品一体型基
板が完成する。
When three or more circuit layers are formed, n is incremented in step S.119 from the branch of step S.118, and the second resin layer forming step D and the second circuit layer forming step E are executed. I do. When the formation of the necessary number of resin layers and circuit layers is completed, a step F (S.120) of peeling the jig 40 is performed, and the multilayer substrate on which the multilayer circuit is formed is integrated with the semiconductor element 30. And the electronic component integrated substrate is completed.

【0050】第3の実施形態によれば、絶縁性の樹脂層
を最初に形成し、これに開口を形成して層間接続部を形
成する工程としたため、最初にポストを形成してから樹
脂層を形成する第1、第2の実施形態より工程数を削減
して作業の効率化を図ることができる。また、層間接続
部であるポストと回路層の導体とを連続した工程で形成
することができるため、これらを別個の工程として行う
よりも作業が容易となる。
According to the third embodiment, an insulating resin layer is formed first, and an opening is formed in the insulating resin layer to form an interlayer connection portion. Therefore, the number of steps can be reduced as compared with the first and second embodiments, and the efficiency of the operation can be improved. In addition, since the posts, which are the interlayer connection portions, and the conductors of the circuit layer can be formed in a continuous process, the operation is easier than performing these processes as separate processes.

【0051】次に、第4の実施形態について説明する。
第4の実施形態は、上述した第3の実施形態の工程の一
部を変更した変形例であり、図15に各工程、段階のフ
ローチャート、図16に第4の実施形態に特有な段階に
おける多層基板の構造の断面図が示されている。他の工
程、段階における構造は第3の実施形態と同様である。
Next, a fourth embodiment will be described.
The fourth embodiment is a modified example in which a part of the steps of the above-described third embodiment is modified. FIG. 15 is a flowchart of each step and step, and FIG. 16 is a step in a step unique to the fourth embodiment. A cross-sectional view of the structure of the multilayer substrate is shown. The structure in other steps and stages is the same as that of the third embodiment.

【0052】第4の実施形態にかかる製造方法は、治具
の保持穴に半導体素子を設置する設置工程A(S.151)
と、素子および治具の表面を絶縁性の第1樹脂層により
覆う第1樹脂層形成工程B(S.152〜S.157)と、第1樹脂
層上に第1回路層を形成する第1回路層形成工程C(S.1
58〜S.160)と、第1回路層の上を絶縁性の第2樹脂層に
より覆う第2樹脂層形成工程D(S.161〜S.166)と、第2
樹脂層上に第2回路層を形成する第2回路層形成工程E
(S.167〜S.1694)と、治具を剥離する段階F(S.172)とを
順に含む。
The manufacturing method according to the fourth embodiment includes an installation step A (S.151) of installing a semiconductor element in a holding hole of a jig.
A first resin layer forming step B (S.152 to S.157) of covering the surfaces of the element and the jig with an insulating first resin layer; and a first step of forming a first circuit layer on the first resin layer. One circuit layer forming process C (S.1
58 to S.160), a second resin layer forming step D (S.161 to S.166) of covering the first circuit layer with an insulating second resin layer,
Second circuit layer forming step E of forming a second circuit layer on the resin layer
(S.167 to S.1694) and a step F (S.172) of peeling the jig are sequentially included.

【0053】設置工程Aと第1樹脂層形成工程Bの最初
の2ステップとは、第3の実施形態と同一である。これ
らの工程を終了した段階では、基板は図11(c)に示し
た状態となっている。
The first two steps of the setting step A and the first resin layer forming step B are the same as in the third embodiment. When these steps are completed, the substrate is in the state shown in FIG.

【0054】次に第4の実施形態では、図16(a)に示
すように、第1樹脂層52に形成された開口の内部およ
び第1樹脂層52の表面に給電膜60を形成し(S.15
4)、その上に感光性のレジスト層(メッキレジスト)を形
成する(S.155)。そして、所定のパターンにしたがって
レジスト層を露光、現像することにより第1回路層の絶
縁部分に応じてレジスト層61を残し(S.156)、現像後
給電膜60に通電して電解メッキを行う。この際、図1
6(b)に示すように、開口を埋めて析出した金属が第1
層ポスト51となり、開口の外側で給電膜60の表面に
析出した部分が第1回路層を形成するための導体層53
となる。すなわち、この例では、第1樹脂層形成工程B
の第1層ポスト形成のステップS.157と、第1回路層形
成工程Cの導体層形成のステップS.158とが工程上は連
続して実行される。
Next, in the fourth embodiment, as shown in FIG. 16A, a power supply film 60 is formed inside the opening formed in the first resin layer 52 and on the surface of the first resin layer 52 ( S.15
4) Then, a photosensitive resist layer (plating resist) is formed thereon (S.155). Then, by exposing and developing the resist layer according to a predetermined pattern, the resist layer 61 is left according to the insulating portion of the first circuit layer (S.156). . At this time, FIG.
As shown in FIG. 6B, the metal deposited to fill the opening is the first metal.
A layer post 51 is formed on the surface of the power supply film 60 outside the opening.
Becomes That is, in this example, the first resin layer forming step B
The step S.157 of forming the first layer post and the step S.158 of forming the conductor layer in the first circuit layer forming step C are continuously performed in the process.

【0055】第1回路層形成工程Cでは、第1層ポスト
51に接続された状態で第1回路層を形成する。上記の
ように、第1層ポスト51の形成に連続して導体層53
を形成し(S.158)、レジスト層61を除去し(S.159)、導
体層53をマスクにして給電膜60をエッチングにより
除去する(S.160)。
In the first circuit layer forming step C, a first circuit layer is formed while being connected to the first layer post 51. As described above, the conductor layer 53 is formed continuously with the formation of the first layer post 51.
Is formed (S.158), the resist layer 61 is removed (S.159), and the power supply film 60 is removed by etching using the conductor layer 53 as a mask (S.160).

【0056】第2樹脂層形成工程Dは、第1樹脂層形成
工程Bと同一であり、最初に第1回路層53を覆うよう
に第2樹脂層を形成し(S.161)、これに開口を形成する
(S.162)。続いて、給電膜を開口内部を含む全面に形成
し(S.163)、レジスト層(メッキレジスト)を形成して露
光・現像する(S.164,S.165)。そして、給電膜に通電し
て電解メッキを行うことにより、第2層ポストを形成す
ると共に(S.166)、第2回路層に用いられる導体層を連
続して形成する(S.167)。
The second resin layer forming step D is the same as the first resin layer forming step B. First, a second resin layer is formed so as to cover the first circuit layer 53 (S.161). Form an opening
(S.162). Subsequently, a power supply film is formed on the entire surface including the inside of the opening (S.163), a resist layer (plating resist) is formed, and exposure and development are performed (S.164, S.165). Then, the power supply film is energized to perform electrolytic plating, thereby forming the second layer post (S.166) and continuously forming the conductor layer used for the second circuit layer (S.167).

【0057】第2回路層形成工程Eも、第1回路層形成
工程Cと同一であり、第2層ポストに連続して導体層を
形成した後、レジスト層を除去し(S.168)、導体層をマ
スクにして給電膜をエッチングにより除去する(S.16
9)。3層以上の回路層を形成する場合には、ステップS.
170の分岐からステップS.171でnをインクリメントし、
第2樹脂層形成工程Dおよび第2回路層形成工程Eを実
行する。必要な層数の樹脂層および回路層の形成が終了
すると、治具40を剥離する段階F(S.172)が実行さ
れ、半導体素子30に対して多層の回路が形成された多
層基板が一体として形成され、電子部品一体型基板が完
成する。
The second circuit layer forming step E is the same as the first circuit layer forming step C. After the conductor layer is continuously formed on the second layer post, the resist layer is removed (S.168). The power supply film is removed by etching using the conductor layer as a mask (S.16
9). When forming three or more circuit layers, step S.
From step 170, n is incremented in step S.171,
The second resin layer forming step D and the second circuit layer forming step E are performed. When the formation of the required number of resin layers and circuit layers is completed, a step F (S.172) of peeling the jig 40 is performed, and the multilayer substrate on which the multilayer circuit is formed is integrated with the semiconductor element 30. And the electronic component integrated substrate is completed.

【0058】第4の実施形態では、給電膜を利用してポ
ストと導体層とを電解メッキにより形成することがで
き、しかも、最終的に必要となる部分にのみ導体層を形
成することができるため後に導体層をエッチングする必
要がなく、第3の実施形態と比較すると導体層の形成に
かかる時間を短縮することができる。
In the fourth embodiment, the post and the conductor layer can be formed by electroplating using the power supply film, and the conductor layer can be formed only in a finally required portion. Therefore, there is no need to etch the conductor layer later, and the time required for forming the conductor layer can be reduced as compared with the third embodiment.

【0059】図17は第5の実施形態の各工程、段階を
示すフローチャート、図18〜図22は各段階での多層
基板の構造を示す断面図である。上述した4つの実施形
態は、単一の半導体素子30に対して基板を積層する場
合を示しているが、実用的には基板上には多数の部品が
搭載される。また、搭載される部品の中には、電極パッ
ドに半田バンプやリードが形成された半導体素子、ある
いは、コンデンサ等のリード付きの部品が用いられる場
合も多い。このような部品を利用する場合には、上記の
実施形態のように第1層間接続部として第1層ポストを
形成する必要がない。第5の実施形態は、このような基
板接続面となる一方の面にリード若しくはバンプが形成
された電子部品を用いる場合に適した方法である。
FIG. 17 is a flowchart showing the steps and steps of the fifth embodiment, and FIGS. 18 to 22 are sectional views showing the structure of the multilayer substrate at each step. Although the above-described four embodiments show the case where the substrate is stacked on the single semiconductor element 30, a large number of components are practically mounted on the substrate. Further, among components to be mounted, a semiconductor device having solder bumps or leads formed on electrode pads, or a component with leads such as a capacitor is often used. When such a component is used, it is not necessary to form the first layer post as the first interlayer connection as in the above embodiment. The fifth embodiment is a method suitable for using an electronic component in which leads or bumps are formed on one surface serving as the substrate connection surface.

【0060】第5の実施形態の製造方法は、治具の保持
穴にリード若しくはバンプが突出するよう電子部品を嵌
合させる設置工程A(S.201)と、部品および治具の表面
とを絶縁性の第1樹脂層により覆う第1樹脂層形成工程
B(S.202,203)と、第1樹脂層上に第1回路層を形成す
る第1回路層形成工程C(S.204〜S.209)と、第1回路層
の上を第2樹脂層により覆う第2樹脂層形成工程D(S.2
10〜S.217)と、第2樹脂層上に第2回路層を形成する第
2回路層形成工程E(S.218〜S.222)と、治具を剥離する
段階F(S.225)とを順に含む。多層基板の回路層が2層
の場合には、各工程A〜Fを各一回ずつ経て全行程が終
了するが、3層以上の回路層を形成するためには、第2
樹脂層形成工程D、第2回路層形成工程Eの部分のみが
繰り返し実行される。
The manufacturing method according to the fifth embodiment includes an installation step A (S.201) for fitting an electronic component such that leads or bumps protrude from a holding hole of the jig, and a process for mounting the component and the surface of the jig. A first resin layer forming step B (S. 202, 203) covering with an insulating first resin layer, and a first circuit layer forming step C (S. 204 to S. 204) forming a first circuit layer on the first resin layer. 209) and a second resin layer forming step D (S.2) of covering the first circuit layer with the second resin layer.
10 to S.217), a second circuit layer forming step E of forming a second circuit layer on the second resin layer (S.218 to S.222), and a step F of removing the jig (S.225). ). When the circuit layer of the multi-layer substrate has two layers, the entire process is completed once through each of the steps A to F. However, in order to form three or more circuit layers, the second step is performed.
Only the resin layer forming step D and the second circuit layer forming step E are repeatedly executed.

【0061】設置工程Aにおいては、図18(a)に示す
ように、電極パッドに半田バンプ33aが形成された半
導体素子33、リード34aを有するコンデンサ34、
リード35aが形成された半導体素子35を、それぞれ
バンプおよびリードが突出するように治具45の保持穴
に嵌合させる(S.201)。
In the installation step A, as shown in FIG. 18A, a semiconductor element 33 having a solder bump 33a formed on an electrode pad, a capacitor 34 having leads 34a,
The semiconductor element 35 on which the lead 35a is formed is fitted into the holding hole of the jig 45 so that the bump and the lead protrude, respectively (S.201).

【0062】第1樹脂層形成工程Bでは、各部品と治具
の表面とを絶縁性の第1樹脂層52により覆い(S.202、
図18(b))、その後、全てのバンプ、リードが第1樹
脂層52の表面に現るまでリード、樹脂層を研磨する
(S.203、図18(c))。各部品のバンプおよびリードは
長さが異なるため、第1樹脂層52を形成した段階で
は、半導体素子33の半田バンプ33aと半導体素子3
5のリード35aとは第1樹脂層52内に埋没し、コン
デンサ34のリード34aは第1樹脂層52から突出し
ている。これをバフやベルトサンダー等の装置により機
械研磨して高さを揃え、すべてのリード、バンプを表面
に露出させる。
In the first resin layer forming step B, each component and the surface of the jig are covered with an insulating first resin layer 52 (S.202,
Thereafter, the leads and the resin layer are polished until all the bumps and the leads appear on the surface of the first resin layer 52 (FIG. 18B).
(S.203, FIG. 18 (c)). Since the bumps and leads of each component have different lengths, when the first resin layer 52 is formed, the solder bumps 33a of the semiconductor element 33 and the semiconductor elements 3
The lead 35a of the capacitor 5 is buried in the first resin layer 52, and the lead 34a of the capacitor 34 protrudes from the first resin layer 52. This is mechanically polished by a device such as a buff or a belt sander to make the height uniform, and all leads and bumps are exposed on the surface.

【0063】上記の場合、第1樹脂層52は、カーテン
コート法等の非接触の方法で塗布することが望ましい。
ただし、リード、バンプの高さが全て同一である場合、
あるいは、第1樹脂層52を形成する前にリードの高さ
を切りそろえた場合には、スクリーン印刷等の簡易な塗
布方法を用いることもできる。
In the above case, the first resin layer 52 is desirably applied by a non-contact method such as a curtain coating method.
However, if the heights of the leads and bumps are all the same,
Alternatively, when the heights of the leads are trimmed before the first resin layer 52 is formed, a simple application method such as screen printing can be used.

【0064】第1回路層形成工程Cでは、研磨後の表面
に第1回路層を形成するための導体層53を無電解メッ
キにより、あるいは途中から電解メッキを併用して形成
し(S.204、図19(d))、この上に感光性のレジスト層
(エッチングレジスト)を形成し(S.205)、これを所定の
パターンで露光・現像して第1回路層の導通部分にレジ
スト層を残す(S.207)。そして、レジスト層に覆われて
いない領域の導体層53をエッチングにより除去し(S.2
08)、レジスト層を除去することにより導体層53の必
要部分のみを残し、これにより第1回路層を形成する
(S.209、図19(e))。なお、第1回路層形成工程Cで
は、前述の第2の実施形態で説明したように、最初に給
電膜を一面に形成し、その上にレジスト層(メッキレジ
スト)を形成し、これを露光・現像することにより導体
層を形成する部分のレジスト層を除去し、電解メッキで
導体層を必要部分に形成した後、レジスト層、給電膜を
除去する手法を用いることもできる。
In the first circuit layer forming step C, the conductor layer 53 for forming the first circuit layer is formed on the polished surface by electroless plating or by using electrolytic plating in the middle (S.204). FIG. 19 (d)), and a photosensitive resist layer thereon.
(Etching resist) is formed (S.205), and this is exposed and developed in a predetermined pattern to leave a resist layer in a conductive portion of the first circuit layer (S.207). Then, the conductor layer 53 in a region not covered with the resist layer is removed by etching (S.2
08), by removing the resist layer, only the necessary portion of the conductor layer 53 is left, thereby forming the first circuit layer.
(S.209, FIG. 19 (e)). In the first circuit layer forming step C, as described in the second embodiment, a power supply film is first formed on one surface, a resist layer (plating resist) is formed thereon, and this is exposed. A method of removing the resist layer at the portion where the conductor layer is to be formed by development, forming the conductor layer at a necessary portion by electrolytic plating, and then removing the resist layer and the power supply film can also be used.

【0065】第2樹脂層形成工程Dは、第1回路層53
の一部に第2層間接続部が接続・形成された状態で、第
2層間接続部以外の部分を絶縁性の第2樹脂層により覆
う工程であり、第1回路層53上に第2層間接続部とし
て第2層ポストを形成する段階と、このポストの形成
後、周囲に第2樹脂層を形成する段階とを含む。第2層
ポストを形成する段階においては、第1回路層53およ
び第1樹脂層52上に給電膜54を形成し(S.210、図2
0(f))、この給電膜54上に感光性のレジスト層(メッ
キレジスト)55を形成する(S.211)と共に、レジスト層
55のポスト形成位置に露光・現像のプロセスを介して
第1回路層53に達する開口55aを形成する(S.212、
図20(g))。
The second resin layer forming step D includes the first circuit layer 53
Is a step of covering a portion other than the second interlayer connection portion with an insulating second resin layer in a state where the second interlayer connection portion is connected and formed on a part of the second interlayer connection portion. The method includes a step of forming a second layer post as a connecting portion, and a step of forming a second resin layer around the post after the formation of the post. In the step of forming the second layer post, a power supply film 54 is formed on the first circuit layer 53 and the first resin layer 52 (S.210, FIG.
0 (f)), a photosensitive resist layer (plating resist) 55 is formed on the power supply film 54 (S.211), and the first formation position of the resist layer 55 is exposed to light via a process of exposure and development. An opening 55a reaching the circuit layer 53 is formed (S.212,
FIG. 20 (g)).

【0066】続いて、給電膜54に通電して電解メッキ
を行うことにより、開口55a内に第2層ポスト56を
形成し(S.213、図20(h))、レジスト層55を除去す
る(S.214)すると共に、第2層ポスト56をマスクに給
電膜54をエッチングする(S.215、図21(i))。次
に、形成された第2層ポスト56および第1回路層53
を覆うように第1樹脂層52上に第2樹脂層57を形成
し(S.216、図21(j))、表面を研磨することにより第
2層ポスト56の頭出しをする(S.217、図21(k))。
Subsequently, a current is applied to the power supply film 54 to perform electrolytic plating, thereby forming a second layer post 56 in the opening 55a (S.213, FIG. 20H), and removing the resist layer 55. (S.214), and the power supply film 54 is etched using the second layer posts 56 as a mask (S.215, FIG. 21 (i)). Next, the formed second layer post 56 and first circuit layer 53 are formed.
The second resin layer 57 is formed on the first resin layer 52 so as to cover the second layer post (S.216, FIG. 21 (j)), and the surface of the second layer post 56 is located by polishing the surface (S.216). 217, FIG. 21 (k)).

【0067】第2回路層形成工程Eでは、第2層ポスト
56に接続された状態で第2回路層を形成する。上記の
ように、第2樹脂層57の表面に第2層ポスト56が露
出した状態で、第2樹脂層57の上に第2回路層となる
導体層58を形成する(S.218、図22(l))。そして、
導体層58の上に感光性のレジスト層(エッチングレジ
スト)を形成し(S.219)、レジスト層を所定のパターンで
露光・現像して第2回路層の導通部分にレジスト層を残
し(S.220)、レジスト層に覆われていない領域の導体層
58をエッチングにより除去する(S.221)。エッチング
後、レジスト層を除去することにより導体層58の必要
部分のみが残り、これにより第2回路層58が形成され
る(S.222、図22(m))。
In the second circuit layer forming step E, a second circuit layer is formed while being connected to the second layer post 56. As described above, with the second layer posts 56 exposed on the surface of the second resin layer 57, the conductor layer 58 to be the second circuit layer is formed on the second resin layer 57 (S.218, FIG. 22 (l)). And
A photosensitive resist layer (etching resist) is formed on the conductor layer 58 (S.219), and the resist layer is exposed and developed in a predetermined pattern to leave a resist layer in a conductive portion of the second circuit layer (S.219). .220), the conductor layer 58 in a region not covered by the resist layer is removed by etching (S.221). After the etching, the resist layer is removed to leave only the necessary portions of the conductor layer 58, thereby forming the second circuit layer 58 (S.222, FIG. 22 (m)).

【0068】3層以上の回路層を形成する場合には、ス
テップS.223の分岐からステップS.224でnをインクリメ
ントし、第2樹脂層形成工程Dおよび第2回路層形成工
程Eを実行する。必要な層数の樹脂層および回路層の形
成が終了すると、治具45を剥離する段階F(S.225、図
22(n))が実行され、電子部品33,34,35に対
して多層の回路が形成された多層基板が一体として形成
され、電子部品一体型基板が完成する。
When three or more circuit layers are formed, n is incremented in step S.224 from the branch of step S.223, and the second resin layer forming step D and the second circuit layer forming step E are executed. I do. When the formation of the required number of resin layers and circuit layers is completed, a step F (S.225, FIG. 22 (n)) of peeling the jig 45 is performed, and the electronic components 33, 34, 35 are multilayered. Is formed integrally, and an electronic component integrated substrate is completed.

【0069】第5の実施形態によれば、リードやバンプ
を有する電子部品を利用した場合に、これらのリードや
バンプを基準に回路層を形成することができ、完成した
基板に電子部品を固定する場合と比較して、基板を構成
する樹脂の伸縮に左右されずに素子と基板側の回路とを
正確に接続することができる。
According to the fifth embodiment, when an electronic component having leads and bumps is used, a circuit layer can be formed on the basis of these leads and bumps, and the electronic component is fixed to a completed substrate. As compared with the case where the circuit is formed, the element and the circuit on the substrate side can be accurately connected without being affected by expansion and contraction of the resin constituting the substrate.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の製造方
法によれば、電子部品を基準にして素子側から層間接続
部、樹脂層、回路層を順次積層してゆくため、電子部品
と基板側との位置関係を正確に保つことができる。した
がって、素子と回路との接合に樹脂の伸縮を考慮したマ
ージンを大きく確保する必要がなく、電極ピッチの微細
化にも容易に対応することが可能となる。また、層間接
続部をメッキ等の手段により形成できるため、電子部品
と回路層とを半田で接続するより接続信頼性を高く保つ
ことができる。
As described above, according to the manufacturing method of the present invention, since the interlayer connection portion, the resin layer, and the circuit layer are sequentially laminated from the element side based on the electronic component, the electronic component and the substrate The positional relationship with the side can be accurately maintained. Therefore, it is not necessary to secure a large margin in consideration of the expansion and contraction of the resin in joining the element and the circuit, and it is possible to easily cope with the miniaturization of the electrode pitch. Further, since the interlayer connection portion can be formed by means such as plating, the connection reliability can be kept higher than when the electronic component and the circuit layer are connected by soldering.

【0071】請求項2のように、電極上に第1層間接続
部として第1層ポストを最初に形成し、その後、ポスト
の周囲に第1樹脂層を形成する方法を採用した場合に
は、工程数は多くなるが、後に樹脂層に開口を形成する
必要がないため、樹脂の種類が限定されないという利点
がある。他方、請求項3のように、基板接続面の全面と
治具の表面とに第1樹脂層を最初に形成し、この樹脂層
に電極に達する開口を形成し、形成された開口内に第1
層間接続部を形成する方法を採用した場合には、例えば
感光性の樹脂を用い、あるいはレーザーカッター等で開
口を形成する必要はあるが、工程数を請求項2の場合よ
り少なくすることができ、製造工程の時間短縮を図るこ
とが可能となる。
According to a second aspect of the present invention, when the first layer post is first formed as the first interlayer connection portion on the electrode and then the first resin layer is formed around the post, Although the number of steps is increased, there is no need to form an opening in the resin layer later, and thus there is an advantage that the type of resin is not limited. On the other hand, as in claim 3, a first resin layer is first formed on the entire surface of the substrate connection surface and on the surface of the jig, an opening reaching the electrode is formed in the resin layer, and the first resin layer is formed in the formed opening. 1
When the method of forming the interlayer connection is adopted, for example, it is necessary to use a photosensitive resin or to form an opening with a laser cutter or the like, but the number of steps can be reduced as compared with the case of claim 2. In addition, it is possible to shorten the time of the manufacturing process.

【0072】なお、請求項3の方法において、請求項4
のように第1層間接続部の形成時に連続して導体層を形
成することとすれば、さらに実際の工程数を削減すると
共に、これらを別個の工程として行うよりも工程が容易
となる。
It should be noted that, in the method of claim 3,
If the conductor layer is formed continuously at the time of forming the first interlayer connection portion as described above, the actual number of steps is further reduced, and the steps are easier than performing these steps as separate steps.

【0073】電極パッドに半田バンプやリードが形成さ
れた半導体素子、あるいは、コンデンサ等のリード付き
の部品が用いられる場合には、請求項5の方法を用いる
ことにより、これらのリードやバンプを基準に回路層を
形成することができ、完成した基板に電子部品を固定す
る場合と比較して、基板を構成する樹脂の伸縮に左右さ
れずに素子と基板側の回路とを正確に接続することがで
きる。
When a semiconductor element having solder bumps or leads formed on the electrode pads or a component with leads such as a capacitor is used, the method of claim 5 is used to refer to these leads and bumps. A circuit layer can be formed on the board, and compared to the case where electronic components are fixed to a completed board, the element and the circuit on the board side are accurately connected without being affected by expansion and contraction of the resin constituting the board. Can be.

【0074】第2樹脂層形成工程においても、請求項6
のように、最初に第2層間接続部としてポストを形成し
て後に樹脂層を形成する方法と、請求項7のように、最
初に全面に第2樹脂層を形成してから開口を形成する方
法とを選択することができる。請求項7の方法では、請
求項8のように第2層間接続部の形成時に連続して導体
層を形成することもできる。請求項6の方法では、樹脂
の種類が限定されないという利点、請求項7の方法では
工程数を削減することができるという利点、請求項8の
方法では請求項7の方法よりさらに少なくすることがで
きるという利点がある。
In the second resin layer forming step, the sixth resin layer may be formed.
A method in which a post is first formed as a second interlayer connecting portion and a resin layer is formed later, and an opening is formed after first forming a second resin layer on the entire surface. Method and you can choose. According to the method of claim 7, it is possible to form the conductor layer continuously at the time of forming the second interlayer connection portion. The method of claim 6 has the advantage that the type of resin is not limited, the method of claim 7 can reduce the number of steps, and the method of claim 8 can further reduce the number of steps compared to the method of claim 7. There is an advantage that you can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 第1の実施形態にかかる電子部品一体型多層
基板の製造方法を示すフローチャート。
FIG. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate according to a first embodiment.

【図2】 第1の実施形態の方法の各段階(その1)を示
す基板の断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate showing each step (No. 1) of the method according to the first embodiment.

【図3】 第1の実施形態の方法の各段階(その2)を示
す基板の断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate, illustrating each step (No. 2) of the method according to the first embodiment.

【図4】 第1の実施形態の方法の各段階(その3)を示
す基板の断面図。
FIG. 4 is a sectional view of the substrate, showing each step (No. 3) of the method according to the first embodiment.

【図5】 第1の実施形態の方法の各段階(その4)を示
す基板の断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the substrate, illustrating each step (No. 4) of the method according to the first embodiment.

【図6】 第1の実施形態の方法の各段階(その5)を示
す基板の断面図。
FIG. 6 is a sectional view of the substrate, illustrating each step (No. 5) of the method according to the first embodiment.

【図7】 第1の実施形態の方法の各段階(その6)を示
す基板の断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the substrate, illustrating each step (No. 6) of the method according to the first embodiment.

【図8】 第2の実施形態にかかる電子部品一体型多層
基板の製造方法を示すフローチャート。
FIG. 8 is a flowchart illustrating a method for manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate according to a second embodiment.

【図9】 第2の実施形態の方法の特徴的な段階を示す
基板の断面図。
FIG. 9 is a cross-sectional view of a substrate showing characteristic steps of the method of the second embodiment.

【図10】 第3の実施形態にかかる電子部品一体型多
層基板の製造方法を示すフローチャート。
FIG. 10 is a flowchart showing a method for manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate according to a third embodiment.

【図11】 第3の実施形態の方法の各段階(その1)を
示す基板の断面図。
FIG. 11 is a cross-sectional view of a substrate showing each step (No. 1) of the method according to the third embodiment.

【図12】 第3の実施形態の方法の各段階(その2)を
示す基板の断面図。
FIG. 12 is a cross-sectional view of the substrate, showing each step (No. 2) of the method according to the third embodiment.

【図13】 第3の実施形態の方法の各段階(その3)を
示す基板の断面図。
FIG. 13 is a cross-sectional view of the substrate, illustrating each step (No. 3) of the method according to the third embodiment.

【図14】 第3の実施形態の方法の各段階(その4)を
示す基板の断面図。
FIG. 14 is a cross-sectional view of the substrate, illustrating each step (No. 4) of the method according to the third embodiment.

【図15】 第4の実施形態にかかる電子部品一体型多
層基板の製造方法を示すフローチャート。
FIG. 15 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate according to a fourth embodiment.

【図16】 第4の実施形態の方法の特徴的な段階を示
す基板の断面図。
FIG. 16 is a cross-sectional view of a substrate showing characteristic steps of the method of the fourth embodiment.

【図17】 第5の実施形態にかかる電子部品一体型多
層基板の製造方法を示すフローチャート。
FIG. 17 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate according to a fifth embodiment.

【図18】 第5の実施形態の方法の各段階(その1)を
示す基板の断面図。
FIG. 18 is a cross-sectional view of the substrate, illustrating each step (No. 1) of the method according to the fifth embodiment.

【図19】 第5の実施形態の方法の各段階(その2)を
示す基板の断面図。
FIG. 19 is a sectional view of the substrate, showing each step (No. 2) of the method according to the fifth embodiment;

【図20】 第5の実施形態の方法の各段階(その3)を
示す基板の断面図。
FIG. 20 is a sectional view of the substrate, illustrating each step (No. 3) of the method according to the fifth embodiment;

【図21】 第5の実施形態の方法の各段階(その4)を
示す基板の断面図。
FIG. 21 is a sectional view of the substrate, showing each step (No. 4) of the method according to the fifth embodiment;

【図22】 第5の実施形態の方法の各段階(その5)を
示す基板の断面図。
FIG. 22 is a sectional view of the substrate, showing each step (No. 5) of the method according to the fifth embodiment;

【図23】 従来の電子部品一体型多層基板の製造方法
の各段階(その1)を示す基板の断面図。
FIG. 23 is a cross-sectional view of a substrate showing each step (No. 1) of a conventional method for manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate.

【図24】 従来の電子部品一体型多層基板の製造方法
の各段階(その2)を示す基板の断面図。
FIG. 24 is a cross-sectional view of the substrate showing each step (No. 2) of the conventional method for manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate.

【図25】 従来の電子部品一体型多層基板の製造方法
の各段階(その3)を示す基板の断面図。
FIG. 25 is a cross-sectional view of the substrate showing each step (No. 3) of the conventional method of manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate.

【図26】 従来の電子部品一体型多層基板の製造方法
の各段階(その4)を示す基板の断面図。
FIG. 26 is a cross-sectional view of the substrate showing each step (part 4) of the conventional method of manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 半導体素子 40 治具 51 第1層ポスト 52 第1樹脂層 53 第1回路層 56 第2層ポスト 57 第2樹脂層 58 第2回路層 Reference Signs List 30 semiconductor element 40 jig 51 first layer post 52 first resin layer 53 first circuit layer 56 second layer post 57 second resin layer 58 second circuit layer

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板接続面となる一方の面に電極が形成
された少なくとも1つの電子部品と、該電子部品が取り
付けられる多層のビルドアップ基板とから構成される電
子部品一体型多層基板の製造方法において、 前記電子部品が嵌合する保持穴が形成された治具を用
い、前記保持穴に前記基板接続面が露出するよう前記電
子部品を嵌合させる設置工程と、 前記電極に第1層間接続部が接続・形成された状態で、
前記基板接続面の前記層間接続部以外の部分と前記治具
の表面とを絶縁性の第1樹脂層により覆う第1樹脂層形
成工程と、 前記第1樹脂層上に、前記第1層間接続部に接続された
第1回路層を形成する第1回路層形成工程と、 前記第1回路層の一部に第2層間接続部が接続・形成さ
れた状態で、該第2層間接続部以外の部分を絶縁性の第
2樹脂層により覆う第2樹脂層形成工程と、 前記第2樹脂層上に、前記第2層間接続部に接続された
第2回路層を形成する第2回路層形成工程と、 前記治具を剥離する段階とを順に含むことを特徴とする
電子部品一体型基板の製造方法。
An electronic component-integrated multilayer substrate comprising at least one electronic component having electrodes formed on one surface serving as a substrate connection surface and a multilayer build-up substrate to which the electronic component is attached. In the method, using a jig provided with a holding hole into which the electronic component fits, an installation step of fitting the electronic component so that the board connection surface is exposed in the holding hole, and a first interlayer on the electrode. With the connection part connected and formed,
A first resin layer forming step of covering a portion other than the interlayer connection portion of the substrate connection surface and a surface of the jig with an insulating first resin layer; and forming the first interlayer connection on the first resin layer. A first circuit layer forming step of forming a first circuit layer connected to a portion, and a state in which a second interlayer connection portion is connected and formed to a part of the first circuit layer, except for the second interlayer connection portion. Forming a second circuit layer on the second resin layer, the second circuit layer being connected to the second interlayer connecting portion, on the second resin layer. A method for manufacturing an electronic component integrated substrate, comprising: a step; and a step of peeling off the jig.
【請求項2】 前記第1樹脂層形成工程は、前記電極上
に第1層間接続部として第1層ポストを形成する段階
と、前記ポストの形成後、その周囲に前記第1樹脂層を
形成する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載
の電子部品一体型基板の製造方法。
2. The first resin layer forming step includes forming a first layer post as a first interlayer connection portion on the electrode, and forming the first resin layer around the post after the post is formed. 2. The method according to claim 1, further comprising the step of:
【請求項3】 前記第1樹脂層形成工程は、前記基板接
続面の全面と前記治具の表面とに前記第1樹脂層を形成
する段階と、前記第1樹脂層に前記電極に達する開口を
形成する段階と、前記開口内に前記第1層間接続部を形
成する段階とを順に含むことを特徴とする請求項1に記
載の電子部品一体型多層基板の製造方法。
3. The first resin layer forming step includes: forming the first resin layer on the entire surface of the substrate connection surface and the surface of the jig; and forming an opening reaching the electrode in the first resin layer. The method of manufacturing an electronic component-integrated multi-layer substrate according to claim 1, further comprising the steps of: forming a first interlayer connection portion in the opening;
【請求項4】 前記第1回路層形成工程では、前記第1
層間接続部の形成時に連続して一括して形成された導体
層を用いて前記第1回路層を形成することを特徴とする
請求項3に記載の電子部品一体型多層基板の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein in the first circuit layer forming step, the first circuit layer is formed.
4. The method according to claim 3, wherein the first circuit layer is formed using a conductor layer formed continuously and collectively at the time of forming the interlayer connection portion.
【請求項5】 基板接続面となる一方の面にリード若し
くはバンプが形成された少なくとも1つの電子部品と、
該電子部品が取り付けられる多層のビルドアップ基板と
から構成される電子部品一体型多層基板の製造方法にお
いて、 前記電子部品が嵌合する保持穴が形成された治具を用
い、前記リード若しくはバンプが前記保持穴から突出す
るよう前記電子部品を前記保持穴に嵌合させる設置工程
と、 前記基板接続面と前記治具の表面とを絶縁性の第1樹脂
層により覆う第1樹脂層形成工程と、 前記第1樹脂層上に、前記リード若しくはバンプから成
る第1層間接続部に接続された第1回路層を形成する第
1回路層形成工程と、 前記第1回路層の一部に第2層間接続部が接続・形成さ
れた状態で、該第2層間接続部以外の部分を絶縁性の第
2樹脂層により覆う第2樹脂層形成工程と、 前記第2樹脂層上に、前記第2層間接続部に接続された
第2回路層を形成する第2回路層形成工程と、 前記治具を剥離する段階とを順に含むことを特徴とする
電子部品一体型基板の製造方法。
5. At least one electronic component having leads or bumps formed on one surface serving as a substrate connection surface,
A method for manufacturing an electronic component-integrated multi-layer substrate comprising a multilayer build-up substrate to which the electronic component is attached, wherein the lead or the bump is formed using a jig having a holding hole into which the electronic component is fitted. An installation step of fitting the electronic component into the holding hole so as to protrude from the holding hole; a first resin layer forming step of covering the substrate connection surface and the surface of the jig with an insulating first resin layer; Forming a first circuit layer on the first resin layer, the first circuit layer being connected to a first interlayer connection portion made of the lead or the bump; and forming a second circuit layer on a part of the first circuit layer. A second resin layer forming step of covering a portion other than the second interlayer connection portion with an insulating second resin layer in a state where the interlayer connection portion is connected and formed; and forming the second resin layer on the second resin layer. Second circuit layer connected to interlayer connection The second and the circuit layer forming step, electronic component integrated substrate manufacturing method which comprises a step in the order of removing the jig to be formed.
【請求項6】 前記第2樹脂層形成工程は、前記第1回
路層上に第2層間接続部としてポストを形成する段階
と、前記ポストの形成後、その周囲に前記第2樹脂層を
形成する段階とを含むことを特徴とする請求項1〜5の
いずれかに記載の電子部品一体型多層基板の製造方法。
6. The second resin layer forming step includes forming a post as a second interlayer connection portion on the first circuit layer, and forming the second resin layer around the post after the post is formed. The method of manufacturing an electronic component-integrated multilayer substrate according to any one of claims 1 to 5, further comprising the steps of:
【請求項7】 前記第2樹脂層形成工程は、前記第1回
路層を覆って前記第1樹脂層の全面に前記第2樹脂層を
形成する段階と、前記第2樹脂層に前記第1回路層に達
する開口を形成する段階と、前記開口内に前記第2層間
接続部を形成する段階とを順に含むことを特徴とする請
求項1〜5のいずれかに記載の電子部品一体型多層基板
の製造方法。
7. The second resin layer forming step includes: forming the second resin layer on the entire surface of the first resin layer so as to cover the first circuit layer; and forming the first resin layer on the second resin layer. The electronic component-integrated multilayer according to any one of claims 1 to 5, further comprising a step of forming an opening reaching a circuit layer and a step of forming the second interlayer connection portion in the opening. Substrate manufacturing method.
【請求項8】 前記第2回路層形成工程では、前記第2
層間接続部の形成時に連続して一括して形成された導体
層を用いて前記第2回路層を形成することを特徴とする
請求項7に記載の電子部品一体型多層基板の製造方法。
8. The second circuit layer forming step, wherein the second circuit layer
8. The method according to claim 7, wherein the second circuit layer is formed using a conductor layer formed continuously and collectively at the time of forming the interlayer connection portion.
【請求項9】 複数の回路層が絶縁性の樹脂層を介して
積層された多層のビルドアップ基板と、前記ビルドアッ
プ基板の表層の回路層に接続された少なくとも1つの電
子部品とを備える電子部品一体型多層基板において、 前記電子部品と前記表層の回路層との間に、両者を電気
的に接続する層間接続部が形成され、前記表層の回路層
は、前記層間接続部以外の部分で前記電子部品と前記表
層の回路層との間隔にほぼ等しい厚さで形成された絶縁
性の樹脂層により覆われ、該樹脂層により前記電子部品
が前記基板に固定されていることを特徴とする電子部品
一体型多層基板。
9. An electronic device comprising: a multi-layer build-up board in which a plurality of circuit layers are stacked via an insulating resin layer; and at least one electronic component connected to a surface circuit layer of the build-up board. In the component-integrated multi-layer substrate, an interlayer connection portion for electrically connecting the electronic component and the surface circuit layer is formed between the electronic component and the surface circuit layer, and the surface circuit layer is formed in a portion other than the interlayer connection portion. The electronic component is covered with an insulating resin layer having a thickness substantially equal to the distance between the electronic component and the surface circuit layer, and the electronic component is fixed to the substrate by the resin layer. Multilayer board with integrated electronic components.
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