JPH11354618A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH11354618A JPH11354618A JP17394698A JP17394698A JPH11354618A JP H11354618 A JPH11354618 A JP H11354618A JP 17394698 A JP17394698 A JP 17394698A JP 17394698 A JP17394698 A JP 17394698A JP H11354618 A JPH11354618 A JP H11354618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- lcd substrate
- mounting table
- base
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に対する均一な熱処理が可能な処理装置
を提供する。 【解決手段】 プロキシミティピン５１に支持されたＬ
ＣＤ基板Ｇを輻射熱により加熱処理する。プロキシミテ
ィピン５１を，ＬＣＤ基板Ｇの裏面を支持する支持部５
２と，支持部５２を固定自在な基台部５３とで構成す
る。支持部５２を細く形成することで，支持部５２によ
って遮られる輻射熱が従来よりも減少する。
を提供する。 【解決手段】 プロキシミティピン５１に支持されたＬ
ＣＤ基板Ｇを輻射熱により加熱処理する。プロキシミテ
ィピン５１を，ＬＣＤ基板Ｇの裏面を支持する支持部５
２と，支持部５２を固定自在な基台部５３とで構成す
る。支持部５２を細く形成することで，支持部５２によ
って遮られる輻射熱が従来よりも減少する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えばＬＣＤ基板
や半導体ウェハ等の基板を載置台で加熱処理する処理装
置に関する。
や半導体ウェハ等の基板を載置台で加熱処理する処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造
工程においては，ＬＣＤ基板の表面に，例えばＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パ
ターンを形成するために，半導体製造工程の場合と同様
にフォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォ
トリソグラフィ技術は，ＬＣＤ基板の表面にレジスト液
を塗布するレジスト塗布工程と，形成されたレジスト膜
に回路パターンを露光する露光処理工程と，露光処理後
のＬＣＤ基板に現像液を供給する現像処理工程とを有し
ている。
工程においては，ＬＣＤ基板の表面に，例えばＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パ
ターンを形成するために，半導体製造工程の場合と同様
にフォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォ
トリソグラフィ技術は，ＬＣＤ基板の表面にレジスト液
を塗布するレジスト塗布工程と，形成されたレジスト膜
に回路パターンを露光する露光処理工程と，露光処理後
のＬＣＤ基板に現像液を供給する現像処理工程とを有し
ている。
【０００３】これらの処理工程のうち，レジスト塗布工
程と露光処理工程との間では，レジスト膜中の残留溶剤
を蒸発させてＬＣＤ基板とレジスト膜との密着性を向上
させるための加熱処理工程が行われている。そして，か
かる工程の際に使用される加熱処理装置にはＬＣＤ基板
を所定の温度に加熱可能な加熱載置台が備えられてお
り，加熱載置台には通常，ＬＣＤ基板を支持するプロキ
シミティピンが取り付けられている。
程と露光処理工程との間では，レジスト膜中の残留溶剤
を蒸発させてＬＣＤ基板とレジスト膜との密着性を向上
させるための加熱処理工程が行われている。そして，か
かる工程の際に使用される加熱処理装置にはＬＣＤ基板
を所定の温度に加熱可能な加熱載置台が備えられてお
り，加熱載置台には通常，ＬＣＤ基板を支持するプロキ
シミティピンが取り付けられている。
【０００４】プロキシミティピン１００は図１０に示す
ように，ＬＣＤ基板Ｇの裏面を支持する支持部１０１を
有しており，支持部１０１は先端部が滑らかな球面状及
び円錐状に形成されている。かかるプロキシミティピン
１００がＬＣＤ基板Ｇを支持した際には，図１１に示す
ように，ＬＣＤ基板Ｇと加熱載置台１０３との間に例え
ば０．２〜０．３ｍｍ程度の隙間が形成される。そし
て，この隙間を伝わる加熱載置台１０３からの輻射熱に
よりＬＣＤ基板Ｇに対する所定の加熱処理が行われてき
た。
ように，ＬＣＤ基板Ｇの裏面を支持する支持部１０１を
有しており，支持部１０１は先端部が滑らかな球面状及
び円錐状に形成されている。かかるプロキシミティピン
１００がＬＣＤ基板Ｇを支持した際には，図１１に示す
ように，ＬＣＤ基板Ｇと加熱載置台１０３との間に例え
ば０．２〜０．３ｍｍ程度の隙間が形成される。そし
て，この隙間を伝わる加熱載置台１０３からの輻射熱に
よりＬＣＤ基板Ｇに対する所定の加熱処理が行われてき
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来で
は支持部１０１の形状により輻射熱が遮られる場合があ
り，上記輻射熱が図１２の矢印で示すようにＬＣＤ基板
Ｇの全面に対して均一に伝わらないことがあった。その
結果として，ＬＣＤ基板Ｇ上に支持部１０１の転写跡が
残ってしまい，歩留まりの低下を引き起こす場合があっ
た。
は支持部１０１の形状により輻射熱が遮られる場合があ
り，上記輻射熱が図１２の矢印で示すようにＬＣＤ基板
Ｇの全面に対して均一に伝わらないことがあった。その
結果として，ＬＣＤ基板Ｇ上に支持部１０１の転写跡が
残ってしまい，歩留まりの低下を引き起こす場合があっ
た。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みて成されたもので
あり，基板に対する均一な加熱処理が可能な新しい処理
装置を提供することを目的としている。
あり，基板に対する均一な加熱処理が可能な新しい処理
装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１に記載の処理装置は，載置台に設けられた
支持部材に基板を支持させた状態で，前記載置台からの
輻射熱により当該基板を加熱処理する処理装置におい
て，前記支持部材は，基板を支持する支持部と，該支持
部を載置台に取り付ける基台部とから構成されており，
前記支持部は，基板に対する輻射熱の伝搬を妨げにくい
形状に形成されたことを特徴としている。
に，請求項１に記載の処理装置は，載置台に設けられた
支持部材に基板を支持させた状態で，前記載置台からの
輻射熱により当該基板を加熱処理する処理装置におい
て，前記支持部材は，基板を支持する支持部と，該支持
部を載置台に取り付ける基台部とから構成されており，
前記支持部は，基板に対する輻射熱の伝搬を妨げにくい
形状に形成されたことを特徴としている。
【０００８】かかる構成によれば，支持部材の構成要素
である支持部の形状が載置台からの輻射熱の伝搬を妨げ
にくい形状に形成されているために，輻射熱が支持部に
支持された基板に対して均一に供給される。従って，従
来よりも支持部の転写跡が基板上に残ることを抑制する
ことが可能となる。この際，載置台から基板に対する輻
射熱の伝搬を妨げにくくするためには，請求項２のよう
に，前記支持部の直径を１ｍｍ以下の柱形状に形成する
とよい。
である支持部の形状が載置台からの輻射熱の伝搬を妨げ
にくい形状に形成されているために，輻射熱が支持部に
支持された基板に対して均一に供給される。従って，従
来よりも支持部の転写跡が基板上に残ることを抑制する
ことが可能となる。この際，載置台から基板に対する輻
射熱の伝搬を妨げにくくするためには，請求項２のよう
に，前記支持部の直径を１ｍｍ以下の柱形状に形成する
とよい。
【０００９】また請求項３の発明は，請求項１または２
に記載の処理装置において，前記支持部は，熱伝導性の
低い材質で形成されたことを特徴としている。かかる構
成によれば，支持部の熱伝導性が低いために，載置台の
熱が支持部を通じて基板に伝わることを抑制することが
できる。従って，基板と支持部との接触部分には熱が過
剰に供給されないために，基板に対してより均一な加熱
処理を施すことが可能となる。その結果，支持部の転写
跡が基板上に残ることをより確実に抑制することが可能
となる。
に記載の処理装置において，前記支持部は，熱伝導性の
低い材質で形成されたことを特徴としている。かかる構
成によれば，支持部の熱伝導性が低いために，載置台の
熱が支持部を通じて基板に伝わることを抑制することが
できる。従って，基板と支持部との接触部分には熱が過
剰に供給されないために，基板に対してより均一な加熱
処理を施すことが可能となる。その結果，支持部の転写
跡が基板上に残ることをより確実に抑制することが可能
となる。
【００１０】請求項４の発明は，請求項１，２または３
に記載の処理装置において，前記基台部は，前記載置台
と同一の材質で形成されたことを特徴としている。かか
る構成によれば，載置台からの輻射熱の熱量と，基台部
からの輻射熱の熱量とがより等しくなる。従って，基板
の全面に輻射熱をより均等に行き渡らせることができ
る。その結果，基板に対してより均一な加熱処理を施す
ことが可能となる。
に記載の処理装置において，前記基台部は，前記載置台
と同一の材質で形成されたことを特徴としている。かか
る構成によれば，載置台からの輻射熱の熱量と，基台部
からの輻射熱の熱量とがより等しくなる。従って，基板
の全面に輻射熱をより均等に行き渡らせることができ
る。その結果，基板に対してより均一な加熱処理を施す
ことが可能となる。
【００１１】請求項５の発明は，請求項１，２，３また
は４に記載の処理装置において，前記基台部の表面は，
前記載置台の表面と同色となるように形成されたことを
特徴としている。かかる構成によれば，載置台および基
台部からそれぞれ発せられる熱量がより等しくなるため
に，基板の全面に対して輻射熱をより均等に行き渡らせ
ることができる。
は４に記載の処理装置において，前記基台部の表面は，
前記載置台の表面と同色となるように形成されたことを
特徴としている。かかる構成によれば，載置台および基
台部からそれぞれ発せられる熱量がより等しくなるため
に，基板の全面に対して輻射熱をより均等に行き渡らせ
ることができる。
【００１２】請求項６に記載の発明は，請求項１，２，
３，４または５に記載の処理装置において，前記基台部
には，該基台部の略中央に位置しかつ前記支持部を取り
付け自在な固定孔と，該固定孔に前記支持部を案内する
誘導溝とが設けられたことを特徴としている。かかる構
成によれば，支持部を固定孔に嵌入させることにより，
支持部を固定孔にしっかりと固定することができる。従
って，支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が
不要となり，支持部材の肥大化，複雑化を防止すること
が可能となる。
３，４または５に記載の処理装置において，前記基台部
には，該基台部の略中央に位置しかつ前記支持部を取り
付け自在な固定孔と，該固定孔に前記支持部を案内する
誘導溝とが設けられたことを特徴としている。かかる構
成によれば，支持部を固定孔に嵌入させることにより，
支持部を固定孔にしっかりと固定することができる。従
って，支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が
不要となり，支持部材の肥大化，複雑化を防止すること
が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。この実施の形態
は，塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置と
して具体化されている。なお，図１は塗布現像処理装置
の斜視図を，図２は塗布現像処理装置の平面図をそれぞ
れ示している。
発明の好適な実施の形態を説明する。この実施の形態
は，塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置と
して具体化されている。なお，図１は塗布現像処理装置
の斜視図を，図２は塗布現像処理装置の平面図をそれぞ
れ示している。
【００１４】塗布現像処理装置１は図１，２に示すよう
に，例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｇを搬入出するローダ部
２と，ＬＣＤ基板Ｇを処理する第１の処理部３と，この
第１の処理部３とインターフェイス部４とを介して連設
された第２の処理部５と，この第２の処理部５と例えば
露光装置（図示せず）との間でＬＣＤ基板Ｇを授受する
ためのインターフェイス部７から構成されている。
に，例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｇを搬入出するローダ部
２と，ＬＣＤ基板Ｇを処理する第１の処理部３と，この
第１の処理部３とインターフェイス部４とを介して連設
された第２の処理部５と，この第２の処理部５と例えば
露光装置（図示せず）との間でＬＣＤ基板Ｇを授受する
ためのインターフェイス部７から構成されている。
【００１５】ローダ部２にはカセット載置台１０が設け
られており，このカセット載置台１０には，例えば未処
理のＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１１，１１と，処
理済みのＬＣＤ基板Ｇが収納されるカセット１２，１２
とがＬＣＤ基板Ｇの出入口を第１の処理部３側に向けて
一列に載置自在である。またローダ部２には，ＬＣＤ基
板を搬送自在な副搬送装置１３が備えられている。
られており，このカセット載置台１０には，例えば未処
理のＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１１，１１と，処
理済みのＬＣＤ基板Ｇが収納されるカセット１２，１２
とがＬＣＤ基板Ｇの出入口を第１の処理部３側に向けて
一列に載置自在である。またローダ部２には，ＬＣＤ基
板を搬送自在な副搬送装置１３が備えられている。
【００１６】副搬送装置１３は搬送レール１３ａに沿っ
た方向（Ｙ方向）と，各カセット１１，１２内のＬＣＤ
基板Ｇの収納方向（Ｚ方向）に移動自在であり，かつθ
方向にも回転自在となるように構成されている。そし
て，副搬送装置１３はＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡
し台１４に対してもアクセス可能となるように構成され
ている。
た方向（Ｙ方向）と，各カセット１１，１２内のＬＣＤ
基板Ｇの収納方向（Ｚ方向）に移動自在であり，かつθ
方向にも回転自在となるように構成されている。そし
て，副搬送装置１３はＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡
し台１４に対してもアクセス可能となるように構成され
ている。
【００１７】第１の処理部３には，ＬＣＤ基板Ｇに対し
て所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置１５の
搬送レール１６を挟んだ両側に配置されている。即ち，
搬送レール１６の一側には，各カセット１１，１１から
取り出されたＬＣＤ基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄装置
１７と，ＬＣＤ基板Ｇに対して現像処理を施す現像処理
装置１８とが並んで配置され，搬送レール１６の他側に
は紫外線オゾン洗浄装置１９と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却処
理する冷却処理装置２０，２１と，ＬＣＤ基板Ｇを加熱
処理する加熱処理装置２２とが適宜多段に配置されてい
る。これら各種の処理装置に対するＬＣＤ基板Ｇの搬入
出は，主搬送装置１５に装備された搬送アーム１５ａに
より行われる。なお，かかる第１の処理部３と後述する
第２の処理部５との間に形成された前記インターフェイ
ス部４には，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台２３
が備えられている。
て所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置１５の
搬送レール１６を挟んだ両側に配置されている。即ち，
搬送レール１６の一側には，各カセット１１，１１から
取り出されたＬＣＤ基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄装置
１７と，ＬＣＤ基板Ｇに対して現像処理を施す現像処理
装置１８とが並んで配置され，搬送レール１６の他側に
は紫外線オゾン洗浄装置１９と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却処
理する冷却処理装置２０，２１と，ＬＣＤ基板Ｇを加熱
処理する加熱処理装置２２とが適宜多段に配置されてい
る。これら各種の処理装置に対するＬＣＤ基板Ｇの搬入
出は，主搬送装置１５に装備された搬送アーム１５ａに
より行われる。なお，かかる第１の処理部３と後述する
第２の処理部５との間に形成された前記インターフェイ
ス部４には，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台２３
が備えられている。
【００１８】第２の処理部５には，主搬送装置２５の搬
送レール２６を挟んだ一側に，塗布・周縁部除去装置２
７が配置され，この搬送レール２６を挟んだ他側には，
ＬＣＤ基板Ｇに疎水化処理を施す疎水化処理装置２８
と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却する冷却処理装置２９と，本発
明の実施の形態にかかる加熱処理装置３０とが多段に配
置されている。なお，上記主搬送装置２５には第２の処
理部５に属する各種処理装置にＬＣＤ基板Ｇを搬入出す
る搬送アーム２５ａが装備されている。
送レール２６を挟んだ一側に，塗布・周縁部除去装置２
７が配置され，この搬送レール２６を挟んだ他側には，
ＬＣＤ基板Ｇに疎水化処理を施す疎水化処理装置２８
と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却する冷却処理装置２９と，本発
明の実施の形態にかかる加熱処理装置３０とが多段に配
置されている。なお，上記主搬送装置２５には第２の処
理部５に属する各種処理装置にＬＣＤ基板Ｇを搬入出す
る搬送アーム２５ａが装備されている。
【００１９】インターフェイス部７には塗布現像処理装
置１と露光装置（図示せず）とのタクトを調整するため
に，ＬＣＤ基板Ｇを一時的に収納して待機させるカセッ
ト３１，３１と，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台
３２と，各カセット３１，３１，受け渡し台３２，露光
装置（図示せず）に対してＬＣＤ基板Ｇを搬送自在な副
搬送装置３３とが装備されている。
置１と露光装置（図示せず）とのタクトを調整するため
に，ＬＣＤ基板Ｇを一時的に収納して待機させるカセッ
ト３１，３１と，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台
３２と，各カセット３１，３１，受け渡し台３２，露光
装置（図示せず）に対してＬＣＤ基板Ｇを搬送自在な副
搬送装置３３とが装備されている。
【００２０】塗布現像処理装置１は以上のように構成さ
れている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれた加
熱処理装置３０について説明する。
れている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれた加
熱処理装置３０について説明する。
【００２１】加熱処理装置３０には図３に示すように，
主搬送装置２５の搬送アーム２５ａにより搬入されたＬ
ＣＤ基板Ｇを加熱処理する処理室４０が形成されてい
る。この処理室４０には，ＬＣＤ基板Ｇを加熱する発熱
体４１を内蔵した矩形状の加熱載置台４２が備えられて
いる。加熱載置台４２はアルミニューム等の材質で形成
されており，加熱載置台４２の外周側には当該加熱載置
台４２の周辺部を包囲するシャッタ４３が備えられてい
る。
主搬送装置２５の搬送アーム２５ａにより搬入されたＬ
ＣＤ基板Ｇを加熱処理する処理室４０が形成されてい
る。この処理室４０には，ＬＣＤ基板Ｇを加熱する発熱
体４１を内蔵した矩形状の加熱載置台４２が備えられて
いる。加熱載置台４２はアルミニューム等の材質で形成
されており，加熱載置台４２の外周側には当該加熱載置
台４２の周辺部を包囲するシャッタ４３が備えられてい
る。
【００２２】シャッタ４３は昇降シリンダ４４の作動に
より上下動自在であり，シャッタ４３が上昇した際に
は，シャッタ４３と上部中央に排気口４５を有するカバ
ー４６から垂下したストッパ４７とが接触して，処理室
４０内が気密に維持されるように構成されている。ま
た，ストッパ４７には給気口（図示せず）が設けられて
おり，この給気口（図示せず）から処理室４０内に流入
した空気は上記排気口４５から排気されるように構成さ
れている。なお，かかる給気口（図示せず）から流入さ
れた空気は処理室４０内のＬＣＤ基板Ｇに直接触れない
ために，ＬＣＤ基板Ｇを所定の処理温度で加熱処理する
ことができるように構成されている。
より上下動自在であり，シャッタ４３が上昇した際に
は，シャッタ４３と上部中央に排気口４５を有するカバ
ー４６から垂下したストッパ４７とが接触して，処理室
４０内が気密に維持されるように構成されている。ま
た，ストッパ４７には給気口（図示せず）が設けられて
おり，この給気口（図示せず）から処理室４０内に流入
した空気は上記排気口４５から排気されるように構成さ
れている。なお，かかる給気口（図示せず）から流入さ
れた空気は処理室４０内のＬＣＤ基板Ｇに直接触れない
ために，ＬＣＤ基板Ｇを所定の処理温度で加熱処理する
ことができるように構成されている。
【００２３】また，処理室４０内にはＬＣＤ基板Ｇを支
持可能な昇降ピン４８が備えられている。昇降ピン４８
はモータ４９の駆動で上下動自在に形成されており，Ｌ
ＣＤ基板Ｇを２点鎖線で示す位置で支持することができ
るように形成されている。また，この状態から昇降ピン
４８を下降させると，ＬＣＤ基板Ｇは実線で示すように
加熱載置台４２上に載置される。この際，ＬＣＤ基板Ｇ
はプロキシミティピン５１上に支持される。
持可能な昇降ピン４８が備えられている。昇降ピン４８
はモータ４９の駆動で上下動自在に形成されており，Ｌ
ＣＤ基板Ｇを２点鎖線で示す位置で支持することができ
るように形成されている。また，この状態から昇降ピン
４８を下降させると，ＬＣＤ基板Ｇは実線で示すように
加熱載置台４２上に載置される。この際，ＬＣＤ基板Ｇ
はプロキシミティピン５１上に支持される。
【００２４】プロキシミティピン５１は図４，５に示す
ように，ＬＣＤ基板Ｇの裏面を支持する支持部５２と，
この支持部５２を固定可能な環状の基台部５３とから構
成されている。
ように，ＬＣＤ基板Ｇの裏面を支持する支持部５２と，
この支持部５２を固定可能な環状の基台部５３とから構
成されている。
【００２５】支持部５２は例えば直径１ｍｍ以下の柱形
状に形成されており，フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材
質から構成されている。そして支持部５２の上端は滑ら
かな曲面に形成されており，支持部５２とＬＣＤ基板Ｇ
との接触面積が極力小さくなるように構成されている。
状に形成されており，フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材
質から構成されている。そして支持部５２の上端は滑ら
かな曲面に形成されており，支持部５２とＬＣＤ基板Ｇ
との接触面積が極力小さくなるように構成されている。
【００２６】基台部５３は上記加熱載置台４２と同じ材
料で構成されており，加熱載置台４２に設けられた凹部
（図示せず）に取り付けられている。そして，加熱載置
台４２および基台部５３の各表面は同色となるように形
成されており，加熱載置台４２から発せられる輻射熱の
熱量と，基台部５３から発せられる輻射熱の熱量とが等
しくなるように形成されている。
料で構成されており，加熱載置台４２に設けられた凹部
（図示せず）に取り付けられている。そして，加熱載置
台４２および基台部５３の各表面は同色となるように形
成されており，加熱載置台４２から発せられる輻射熱の
熱量と，基台部５３から発せられる輻射熱の熱量とが等
しくなるように形成されている。
【００２７】さらに基台部５３には図６に示すように，
上記支持部５２の基端部を取り付け自在な円形状の固定
孔５４と，上記支持部５２を固定孔５４に誘導する誘導
溝５５とが形成されている。この固定孔５４は基台部５
３の略中央部に設けられており，固定孔５４の直径は支
持部５２の直径と等しくなるように形成されている。
上記支持部５２の基端部を取り付け自在な円形状の固定
孔５４と，上記支持部５２を固定孔５４に誘導する誘導
溝５５とが形成されている。この固定孔５４は基台部５
３の略中央部に設けられており，固定孔５４の直径は支
持部５２の直径と等しくなるように形成されている。
【００２８】そして，ＬＣＤ基板Ｇが支持部５２に支持
された際には，ＬＣＤ基板Ｇと加熱載置台４２との間
に，例えば０．２〜０．３ｍｍの隙間，いわゆるプロキ
シミティギャップが形成されるように構成されている。
された際には，ＬＣＤ基板Ｇと加熱載置台４２との間
に，例えば０．２〜０．３ｍｍの隙間，いわゆるプロキ
シミティギャップが形成されるように構成されている。
【００２９】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置
３０は以上のように構成されている。次に，加熱処理装
置３０の作用，効果について説明する。
３０は以上のように構成されている。次に，加熱処理装
置３０の作用，効果について説明する。
【００３０】カセット載置台１０上に未処理のＬＣＤ基
板Ｇを収納したカセット１１が載置されると，副搬送装
置１３がカセット１１にアクセスしてＬＣＤ基板Ｇを１
枚抜き取る。次いで，副搬送装置１３はローダ部２に装
備された受け渡し台１４までこのＬＣＤ基板Ｇを搬送
し，このＬＣＤ基板Ｇを受け渡し台１４上に受け渡す。
板Ｇを収納したカセット１１が載置されると，副搬送装
置１３がカセット１１にアクセスしてＬＣＤ基板Ｇを１
枚抜き取る。次いで，副搬送装置１３はローダ部２に装
備された受け渡し台１４までこのＬＣＤ基板Ｇを搬送
し，このＬＣＤ基板Ｇを受け渡し台１４上に受け渡す。
【００３１】次いで，ＬＣＤ基板Ｇは主搬送装置１５の
搬送アーム１５ａに保持された状態で紫外線オゾン洗浄
装置１９に搬送され，ＬＣＤ基板Ｇに付着した有機汚染
物が除去される。その後，かかるオゾン洗浄が終了した
ＬＣＤ基板Ｇは主搬送装置１５でスクラバ洗浄装置１７
に搬送されてスクラブ洗浄処理が施された後，再び搬送
アーム１５ａに支持された状態で受け渡し台２３に搬送
される。
搬送アーム１５ａに保持された状態で紫外線オゾン洗浄
装置１９に搬送され，ＬＣＤ基板Ｇに付着した有機汚染
物が除去される。その後，かかるオゾン洗浄が終了した
ＬＣＤ基板Ｇは主搬送装置１５でスクラバ洗浄装置１７
に搬送されてスクラブ洗浄処理が施された後，再び搬送
アーム１５ａに支持された状態で受け渡し台２３に搬送
される。
【００３２】受け渡し台２３に受け渡されたＬＣＤ基板
Ｇは，主搬送装置２５の搬送アーム２５ａに保持された
状態で疎水化処理装置２８に搬送される。そして，疎水
化処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは，再び搬送アーム２５
ａに保持された状態で塗布・周縁部除去装置２７に搬送
される。
Ｇは，主搬送装置２５の搬送アーム２５ａに保持された
状態で疎水化処理装置２８に搬送される。そして，疎水
化処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは，再び搬送アーム２５
ａに保持された状態で塗布・周縁部除去装置２７に搬送
される。
【００３３】この塗布・周縁部除去装置２７で表面にレ
ジスト膜が形成されると共に，周縁部の不要なレジスト
膜が除去される。その後，ＬＣＤ基板Ｇは搬送アーム２
５ａに保持された状態で加熱処理装置３０に搬送され
る。
ジスト膜が形成されると共に，周縁部の不要なレジスト
膜が除去される。その後，ＬＣＤ基板Ｇは搬送アーム２
５ａに保持された状態で加熱処理装置３０に搬送され
る。
【００３４】この際，ＬＣＤ基板Ｇは図７に示すよう
に，下降したシャッタ４３の上方から搬送アーム２５ａ
と共に処理室４０内に進入し，１点鎖線で示す上昇した
昇降ピン４８上に支持される。そして，搬送アーム２５
ａを処理室４０から退出させた後にシャッタ４３を上昇
させて処理室４０内を気密にする。その後，ＬＣＤ基板
Ｇを昇降ピン４８と共に図８の１点鎖線で示した位置か
ら実線の位置まで下降させて，ＬＣＤ基板Ｇをプロキシ
ミティピン５１上に支持させる。プロキシミティピン５
１上に支持されたＬＣＤ基板Ｇは，加熱載置台４２およ
び基台部５３からの輻射熱で加熱処理される。
に，下降したシャッタ４３の上方から搬送アーム２５ａ
と共に処理室４０内に進入し，１点鎖線で示す上昇した
昇降ピン４８上に支持される。そして，搬送アーム２５
ａを処理室４０から退出させた後にシャッタ４３を上昇
させて処理室４０内を気密にする。その後，ＬＣＤ基板
Ｇを昇降ピン４８と共に図８の１点鎖線で示した位置か
ら実線の位置まで下降させて，ＬＣＤ基板Ｇをプロキシ
ミティピン５１上に支持させる。プロキシミティピン５
１上に支持されたＬＣＤ基板Ｇは，加熱載置台４２およ
び基台部５３からの輻射熱で加熱処理される。
【００３５】かかる加熱処理が終了した後は，昇降ピン
４８が上昇すると共にシャッタ４３が下降する。次い
で，処理室４０内に進入した搬送アーム２５ａが昇降ピ
ン４８からＬＣＤ基板Ｇを受け取り，その後，このＬＣ
Ｄ基板Ｇと共に処理室４０内から退出する。
４８が上昇すると共にシャッタ４３が下降する。次い
で，処理室４０内に進入した搬送アーム２５ａが昇降ピ
ン４８からＬＣＤ基板Ｇを受け取り，その後，このＬＣ
Ｄ基板Ｇと共に処理室４０内から退出する。
【００３６】その後，このＬＣＤ基板Ｇは搬送アーム２
５ａに保持された状態で受け渡し台３２まで搬送され，
受け渡し台３２上に受け渡される。そして，受け渡し台
３２上のＬＣＤ基板Ｇは今度は副搬送装置３３で露光装
置（図示せず）に搬送された後に所定の露光処理が施さ
れる。
５ａに保持された状態で受け渡し台３２まで搬送され，
受け渡し台３２上に受け渡される。そして，受け渡し台
３２上のＬＣＤ基板Ｇは今度は副搬送装置３３で露光装
置（図示せず）に搬送された後に所定の露光処理が施さ
れる。
【００３７】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置
３０では，プロキシミティピン５１の支持部５２の形状
を従来よりも細く形成している。従って，ＬＣＤ基板Ｇ
に対して与えられる輻射熱のうち，支持部５２で遮られ
る輻射熱が減少する。その結果，このＬＣＤ基板Ｇには
図９の矢印で示すように，輻射熱が均等に行き渡るため
に，ＬＣＤ基板Ｇ上に支持部５２の転写跡が残ることを
従来よりも抑制することが可能となる。
３０では，プロキシミティピン５１の支持部５２の形状
を従来よりも細く形成している。従って，ＬＣＤ基板Ｇ
に対して与えられる輻射熱のうち，支持部５２で遮られ
る輻射熱が減少する。その結果，このＬＣＤ基板Ｇには
図９の矢印で示すように，輻射熱が均等に行き渡るため
に，ＬＣＤ基板Ｇ上に支持部５２の転写跡が残ることを
従来よりも抑制することが可能となる。
【００３８】また，基台部５３は加熱載置台４２と同一
の材料で形成されており，加熱載置台４２の表面と基台
部５３の表面とは各々同色となるように形成されてい
る。従って，加熱載置台４２からの輻射熱の熱量と，基
台部５３からの輻射熱の熱量とが等しくなるために，Ｌ
ＣＤ基板Ｇに対して均一な輻射熱を与えることができ
る。その結果，ＬＣＤ基板Ｇに対する均一な加熱処理が
可能となる。
の材料で形成されており，加熱載置台４２の表面と基台
部５３の表面とは各々同色となるように形成されてい
る。従って，加熱載置台４２からの輻射熱の熱量と，基
台部５３からの輻射熱の熱量とが等しくなるために，Ｌ
ＣＤ基板Ｇに対して均一な輻射熱を与えることができ
る。その結果，ＬＣＤ基板Ｇに対する均一な加熱処理が
可能となる。
【００３９】また，支持部５２はフッ素樹脂等の熱伝導
性の低い材質で形成されているために，基台部５３の熱
が支持部５２を通じてＬＣＤ基板Ｇに伝わることが抑制
される。その結果，ＬＣＤ基板Ｇと支持部５２との接触
部分に過剰な熱が供給されないために，ＬＣＤ基板Ｇに
対する均一な加熱処理を施すことが可能となる。
性の低い材質で形成されているために，基台部５３の熱
が支持部５２を通じてＬＣＤ基板Ｇに伝わることが抑制
される。その結果，ＬＣＤ基板Ｇと支持部５２との接触
部分に過剰な熱が供給されないために，ＬＣＤ基板Ｇに
対する均一な加熱処理を施すことが可能となる。
【００４０】そして，支持部５２と固定孔５４の各直径
が等しくなるように形成されているために，支持部５２
を固定孔５４に嵌入させた際には，支持部５２が基台部
５３にしっかりと固定される。従って，固定孔５４には
フランジ等の別設した固定孔材が不要となり，プロキシ
ミティピン５１の複雑化や肥大化を防止することが可能
となる。
が等しくなるように形成されているために，支持部５２
を固定孔５４に嵌入させた際には，支持部５２が基台部
５３にしっかりと固定される。従って，固定孔５４には
フランジ等の別設した固定孔材が不要となり，プロキシ
ミティピン５１の複雑化や肥大化を防止することが可能
となる。
【００４１】なお，上記の実施の形態では加熱処理装置
２２を例に挙げて説明したが，本発明はこのような例に
限定されず，プロキシミティピンを備えた他の処理装
置，例えば疎水化処理装置等についても適用が可能であ
る。また，使用する基板もＬＣＤ基板Ｇに限らず，本発
明はＣＤ基板や半導体ウェハ等に対しても適用が可能で
ある。
２２を例に挙げて説明したが，本発明はこのような例に
限定されず，プロキシミティピンを備えた他の処理装
置，例えば疎水化処理装置等についても適用が可能であ
る。また，使用する基板もＬＣＤ基板Ｇに限らず，本発
明はＣＤ基板や半導体ウェハ等に対しても適用が可能で
ある。
【００４２】
【発明の効果】請求項１〜６に記載の発明によれば，支
持部で遮られる輻射熱が従来よりも少なくなるために，
基板に対して均一な輻射熱を与えることができる。従っ
て，基板に対して均一な加熱処理を施すことができ，結
果的に支持部の転写跡が基板上に残ることを従来よりも
抑制することが可能となる。
持部で遮られる輻射熱が従来よりも少なくなるために，
基板に対して均一な輻射熱を与えることができる。従っ
て，基板に対して均一な加熱処理を施すことができ，結
果的に支持部の転写跡が基板上に残ることを従来よりも
抑制することが可能となる。
【００４３】特に請求項３によれば，支持部と基板との
接触部分に過剰な熱が供給されないために，基板に対し
てより均一な加熱処理を施すことが可能となる。
接触部分に過剰な熱が供給されないために，基板に対し
てより均一な加熱処理を施すことが可能となる。
【００４４】特に請求項４，５によれば，基台部からの
輻射熱の熱量と，載置台からの輻射熱の熱量とがより等
しくなるために，基板に対してより均一な輻射熱を与え
ることが可能となる。
輻射熱の熱量と，載置台からの輻射熱の熱量とがより等
しくなるために，基板に対してより均一な輻射熱を与え
ることが可能となる。
【００４５】さらに請求項６によれば，支持部は固定孔
に嵌入された状態で固定されるために，支持部を固定す
るためのフランジ等の固定部材が不要である。従って，
支持部材の複雑化や肥大化を防止することが可能とな
る。
に嵌入された状態で固定されるために，支持部を固定す
るためのフランジ等の固定部材が不要である。従って，
支持部材の複雑化や肥大化を防止することが可能とな
る。
【図１】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置を有
する塗布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
する塗布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置の断
面図である。
面図である。
【図４】図３の加熱処理装置に具備されたプロキシミテ
ィピンの外観を示す斜視図である。
ィピンの外観を示す斜視図である。
【図５】図４のプロキシミティピンにＬＣＤ基板が支持
された様子を示す断面図である。
された様子を示す断面図である。
【図６】図４のプロキシミティピンの基台部に設けられ
た誘導溝と固定孔とを示す斜視図である。
た誘導溝と固定孔とを示す斜視図である。
【図７】図３の加熱処理装置にＬＣＤ基板が搬入される
様子を示す断面図である。
様子を示す断面図である。
【図８】図７のＬＣＤ基板が加熱載置台に載置される様
子を示す断面図である。
子を示す断面図である。
【図９】図８のＬＣＤ基板に対して輻射熱が伝わる様子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】従来のプロキシミティピンの外観を示す説明
図である。
図である。
【図１１】従来のプロキシミティピンにＬＣＤ基板が支
持された様子を示す断面図である。
持された様子を示す断面図である。
【図１２】図１１のＬＣＤ基板に対して輻射熱が伝わる
様子を示す断面図である。
様子を示す断面図である。
１ 塗布現像処理装置 １５，２５ 主搬送装置 ３０ 加熱処理装置 ４２ 加熱載置台 ５１ プロキシミティピン ５２ 支持部 ５３ 基台部 ５４ 固定孔 ５５ 誘導溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 義隆 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内
Claims (6)
- 【請求項１】 載置台に設けられた支持部材に基板を支
持させた状態で，前記載置台からの輻射熱により当該基
板を加熱処理する処理装置において，前記支持部材は，
基板を支持する支持部と，該支持部を載置台に取り付け
る基台部とから構成されており，前記支持部は，基板に
対する輻射熱の伝搬を妨げにくい形状に形成されたこと
を特徴とする，処理装置。 - 【請求項２】 前記支持部は，直径が１ｍｍ以下の柱形
状をなすことを特徴とする，請求項１に記載の処理装
置。 - 【請求項３】 前記支持部は，熱伝導性の低い材質で形
成されたことを特徴とする，請求項１または２に記載の
処理装置。 - 【請求項４】 前記基台部は，前記載置台と同一の材質
で形成されたことを特徴とする，請求項１，２または３
に記載の処理装置。 - 【請求項５】 前記基台部の表面は，前記載置台の表面
と同色となるように形成されたことを特徴とする，請求
項１，２，３または４に記載の処理装置。 - 【請求項６】 前記基台部には，該基台部の略中央に位
置しかつ前記支持部を取り付け自在な固定孔と，該固定
孔に前記支持部を案内する誘導溝とが設けられたことを
特徴とする，請求項１，２，３，４または５に記載の処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17394698A JP3822752B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17394698A JP3822752B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354618A true JPH11354618A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3822752B2 JP3822752B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=15970009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17394698A Expired - Fee Related JP3822752B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3822752B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030068773A (ko) * | 2002-02-18 | 2003-08-25 | 태화일렉트론(주) | 엘씨디 글라스 건조용 가열장치의 구조 |
| JP2004253795A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-09-09 | Nissha Printing Co Ltd | 加熱装置 |
| JP2008270408A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Tohoku Univ | 支持ピンの製造方法、支持ピン、熱処理装置および基板焼成炉 |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP17394698A patent/JP3822752B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030068773A (ko) * | 2002-02-18 | 2003-08-25 | 태화일렉트론(주) | 엘씨디 글라스 건조용 가열장치의 구조 |
| JP2004253795A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-09-09 | Nissha Printing Co Ltd | 加熱装置 |
| JP4601301B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2010-12-22 | 日本写真印刷株式会社 | 加熱装置 |
| JP2008270408A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Tohoku Univ | 支持ピンの製造方法、支持ピン、熱処理装置および基板焼成炉 |
| KR100976659B1 (ko) | 2007-04-18 | 2010-08-18 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 | 지지 핀의 제조방법, 지지 핀, 열처리장치 및기판소성로(基板燒成爐) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3822752B2 (ja) | 2006-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3779393B2 (ja) | 処理システム | |
| KR101059307B1 (ko) | 도포 현상 장치 및 도포 현상 방법 | |
| KR20020032339A (ko) | 기판 처리장치 | |
| JP2004235468A (ja) | 熱的処理方法および熱的処理装置 | |
| KR20010020971A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR20070061418A (ko) | 가열 처리 장치 | |
| JP2000056474A (ja) | 基板処理方法 | |
| JP3346716B2 (ja) | 基板冷却方法および基板冷却装置 | |
| JP2000150333A (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP3649048B2 (ja) | レジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いる基板加熱処理装置および基板搬送装置 | |
| KR101207172B1 (ko) | 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체, 및 기판 처리 시스템 | |
| JPH10150089A (ja) | 処理システム | |
| JP3874960B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| TW201940981A (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及電腦記錄媒體 | |
| KR101706735B1 (ko) | 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP3822752B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP5378686B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000091218A (ja) | 加熱処理方法及び加熱処理装置 | |
| JP4954693B2 (ja) | 基板の処理方法、基板の処理システム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JP3833827B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3576826B2 (ja) | 加熱処理装置および加熱処理方法 | |
| JPH11162804A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| TWI833460B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP2926703B2 (ja) | 基板処理方法及び装置 | |
| JP3556068B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051213 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060208 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060620 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060623 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |