JPH11345936A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH11345936A
JPH11345936A JP15007198A JP15007198A JPH11345936A JP H11345936 A JPH11345936 A JP H11345936A JP 15007198 A JP15007198 A JP 15007198A JP 15007198 A JP15007198 A JP 15007198A JP H11345936 A JPH11345936 A JP H11345936A
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JP
Japan
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power supply
circuit block
semiconductor
speed
noise
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JP15007198A
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Mitsuyoshi Kobayashi
光由 小林
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NEC Engineering Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit capable of preventing a noise component generated due to the effect of a high speed circuit block, which is quickly switched in a semiconductor, from affecting other circuit block lines and suppressing the noise component. SOLUTION: A semiconductor chip 2 on a semiconductor 1 is formed in a state of being divided into a high speed circuit block 21 and a circuit block 22. The block 21 is connected to a power supply terminal (VCC1) 3 for supplying 1st power supply VCC1 through a bonding wire 6, and the block 22 is connected to plural power supply terminals (VCC2) 4a to 4c for supplying 2nd power supply VCC2 through respective bonding wires 7a to 7c.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に関
し、特に半導体集積回路の高速スイッチング等によって
発生するノイズを半導体内部または半導体周囲で抑圧す
る技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a technique for suppressing noise generated by high-speed switching of a semiconductor integrated circuit inside or around a semiconductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路においては、電源
や接地配線を共有する同一チップ上の複数回路において
スイッチングを行っている回路がノイズを発生して接地
電位や電源電位にノイズを重畳させ、同一チップ上の他
の回路にまで影響を及ぼすことがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor integrated circuit, a circuit that performs switching in a plurality of circuits on the same chip sharing a power supply and a ground wiring generates noise and superimposes noise on a ground potential and a power supply potential. It may affect other circuits on the same chip.

【0003】この問題点を解消するために、特開昭61
−284953号公報に開示された半導体集積回路で
は、図6に示すように、電源端子31から半導体30内
の回路ブロック41〜43各々に個別に配線301〜3
03を施すとともに、接地端子32から回路ブロック4
1〜43各々に個別に配線304〜306を施してい
る。
To solve this problem, Japanese Patent Application Laid-Open No.
In the semiconductor integrated circuit disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 284953, wirings 301 to 43 are individually provided from a power supply terminal 31 to each of circuit blocks 41 to 43 in the semiconductor 30 as shown in FIG.
03 and the ground terminal 32 to the circuit block 4
Wirings 304 to 306 are individually provided for each of 1 to 43.

【0004】これによって、半導体30内である回路が
スイッチングする時に発生するノイズの影響を他の回路
が受けることがなくなり、正常な論理信号を安定に出力
することが可能となる。
As a result, other circuits are not affected by noise generated when a circuit in the semiconductor 30 switches, and a normal logic signal can be stably output.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路では、各回路ブロックに対する電源端子からの
配線を個別に分けているが、その電源端子に半導体チッ
プの同一の電源端子が用いられている。
In the above-mentioned conventional semiconductor integrated circuit, the wiring from the power supply terminal to each circuit block is individually divided. However, the same power supply terminal of the semiconductor chip is used as the power supply terminal. I have.

【0006】そのため、半導体チップ内において高速に
動作している回路ブロックがある場合、狭い半導体チッ
プ内ではその同一の電源供給ポイント経由で他の回路ブ
ロックへノイズが流込んでしまい、電源ラインを経由し
て他の回路ブロックへノイズが流出して半導体全体のノ
イズレベルが悪化してしまうという問題がある。
Therefore, when there is a circuit block operating at high speed in a semiconductor chip, noise flows into another circuit block via the same power supply point in a narrow semiconductor chip, and the noise passes through a power supply line. As a result, there is a problem that noise flows out to other circuit blocks and the noise level of the entire semiconductor deteriorates.

【0007】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、半導体内部で高速にスイッチングする高速回路ブ
ロックの影響で発生するノイズ成分を他の回路ブロック
ラインに対して影響しないようにかつノイズ成分を抑圧
することができる半導体集積回路を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problem and to prevent noise components generated by the influence of a high-speed circuit block which switches at high speed inside a semiconductor from affecting other circuit block lines. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of suppressing components.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明による半導体集積
回路は、半導体内部において高速に動作する回路からな
る高速回路ブロックと、前記高速回路ブロック以外の回
路からなる回路ブロックと、前記回路ブロックに電源を
供給するための第1の電源端子と、前記第1の電源端子
とは別に設置されかつ前記高速回路ブロックに電源を供
給するための第2の電源端子とを備えている。
According to the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit comprising: a high-speed circuit block including a circuit operating at high speed inside a semiconductor; a circuit block including a circuit other than the high-speed circuit block; And a second power supply terminal provided separately from the first power supply terminal and for supplying power to the high-speed circuit block.

【0009】すなわち、本発明の半導体集積回路は、半
導体内部の高速回路ブロックの電源信号と、他の回路ブ
ロックで使用する共通電源とを分割し、共通電源の外部
端子とは別に電源供給用の外部端子を備えている。
That is, the semiconductor integrated circuit of the present invention divides a power supply signal of a high-speed circuit block inside a semiconductor from a common power supply used in another circuit block, and separates a power supply signal from an external terminal of the common power supply. It has an external terminal.

【0010】共通電源の外部端子とは別に設けられた電
源供給用の外部端子を備えることで、高速信号が入力さ
れ高速回路ブロック部で発生するノイズ成分が、半導体
内の他の回路ブロック部や別のI/O端子に流れなくな
り、半導体自身から発生するノイズを低減することがで
きる。
By providing an external terminal for power supply provided separately from the external terminal of the common power supply, a noise component that is input to a high-speed signal and is generated in the high-speed circuit block unit can be used to reduce noise components in other circuit block units in the semiconductor. It does not flow to another I / O terminal, and noise generated from the semiconductor itself can be reduced.

【0011】また、高速回路ブロックへの電源供給用の
外部端子を他の回路ブロックの共通電源の外部端子と分
割することで、高速回路ブロックに単体でノイズ抑制部
品を付加することが可能となり、さらなるノイズ低減を
実施することが可能となる。
Further, by dividing the external terminal for supplying power to the high-speed circuit block from the external terminal of the common power supply of another circuit block, it becomes possible to add a noise suppression component to the high-speed circuit block by itself. Further noise reduction can be performed.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。図1は本発明の一実施例による
半導体集積回路の平面図である。図において、半導体1
には高速回路ブロック21と回路ブロック22とが形成
された半導体チップ2が搭載されている。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention. In the figure, semiconductor 1
The semiconductor chip 2 on which the high-speed circuit block 21 and the circuit block 22 are formed is mounted.

【0013】高速回路ブロック21は第1の電源VCC
1を供給するための電源端子(VCC1)3にボンディ
ングワイヤ6によって接続され、回路ブロック22は第
2の電源VCC2を供給するための電源端子(VCC
2)4a〜4cにボンディングワイヤ7a〜7cによっ
て接続されている。尚、5は半導体1に設けられた複数
のインナリードを示している。
The high-speed circuit block 21 has a first power supply VCC.
1 is connected to a power supply terminal (VCC1) 3 for supplying the second power supply VCC2, and the circuit block 22 is connected to the power supply terminal (VCC1) for supplying the second power supply VCC2.
2) Connected to 4a-4c by bonding wires 7a-7c. Reference numeral 5 denotes a plurality of inner leads provided on the semiconductor 1.

【0014】図2は本発明の一実施例による半導体集積
回路の構成を示すブロック図である。図において、半導
体1は高速回路ブロック21と回路ブロック22〜24
とから構成されている。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention. In the figure, a semiconductor 1 includes a high-speed circuit block 21 and circuit blocks 22 to 24.
It is composed of

【0015】高速回路ブロック21は電源端子(VCC
1)3に電源ライン101を介して接続され、回路ブロ
ック22〜25は電源端子(VCC2)4に電源ライン
102を介して夫々接続され、高速回路ブロック21及
び回路ブロック22〜25は接地端子(GND)8に接
地ライン103を介して接続されている。
The high-speed circuit block 21 has a power supply terminal (VCC)
1) are connected to 3 via a power supply line 101, the circuit blocks 22 to 25 are connected to a power supply terminal (VCC2) 4 via a power supply line 102, respectively, and the high-speed circuit block 21 and the circuit blocks 22 to 25 are grounded terminals ( GND) 8 via a ground line 103.

【0016】高速回路ブロック21の電源ライン101
を他の回路ブロック22〜24で使用する共通電源(図
示せず)の電源端子(VCC2)4とは別の電源供給用
の電源端子(VCC1)3に接続することによって、高
速回路ブロック21で発生するノイズ成分を、半導体1
内の他の回路ブロック22〜24やI/O(入出力)端
子111〜113に流さないようにし、他の回路ブロッ
ク22〜24のI/O端子111〜113からのノイズ
流出を防ぎ、半導体1自身から発生するノイズを低減す
る。
Power supply line 101 of high-speed circuit block 21
Is connected to a power supply terminal (VCC1) 3 for supplying power, which is different from a power supply terminal (VCC2) 4 of a common power supply (not shown) used in the other circuit blocks 22 to 24. The generated noise component is determined by the semiconductor 1
Of the other circuit blocks 22 to 24 and I / O (input / output) terminals 111 to 113 to prevent noise from flowing out from the I / O terminals 111 to 113 of the other circuit blocks 22 to 24, 1 reduces noise generated from itself.

【0017】まず初めに、半導体1を作成する前の回路
設計段階において、半導体ブロックで高速に回路動作す
るクロック部等を予め抽出しておく。半導体設計段階に
おいてはこの抽出したブロックを図1に示す半導体チッ
プ2内で高速回路ブロック21として、他の回路ブロッ
ク22に電源を供給する電源部(図示せず)とは別の電
源部(図示せず)を使用できるようにレイアウト設計し
ておく。
First, in a circuit design stage before the semiconductor 1 is created, a clock section or the like that operates at a high speed in a semiconductor block is extracted in advance. In the semiconductor design stage, the extracted block is used as a high-speed circuit block 21 in the semiconductor chip 2 shown in FIG. 1 and a power supply unit (not shown) different from a power supply unit (not shown) for supplying power to other circuit blocks 22. (Not shown).

【0018】ここでは説明を簡単にするために、高速回
路ブロック21をわかりやすいように半導体チップ2の
端にレイアウトしてあるが、実際のレイアウトではこの
ようにならないものの、高速回路ブロック21と他の回
路ブロック22とに対して夫々電源部(電源端子3,
4)を分割して配置すれば、本発明と同等の効果を得る
ことができる。
Here, for simplicity of explanation, the high-speed circuit block 21 is laid out at the end of the semiconductor chip 2 for easy understanding. Power supply units (power supply terminals 3 and 3)
4), the same effect as that of the present invention can be obtained.

【0019】実際の半導体1の製造段階においては、こ
の高速回路ブロック21の電源部への接続は電源を供給
するインナリードピンである電源端子(VCC1)3に
対してのみボンディングワイヤ6で接続するようにして
いる。他の回路ブロック22への電源供給は今まで通り
の手法で、共通電源として電源端子(VCC2)4,4
a〜4cに接続している。上記のように設計した半導体
1は図2に示すように外部電源供給端子を分割した回路
ブロック構成となる。
In the actual manufacturing stage of the semiconductor 1, the connection of the high-speed circuit block 21 to the power supply section is made by bonding wires 6 only to the power supply terminal (VCC 1) 3 which is an inner lead pin for supplying power. I have to. The power supply to the other circuit blocks 22 is performed in the same manner as before, and the power supply terminals (VCC2) 4, 4
a to 4c. The semiconductor 1 designed as described above has a circuit block configuration in which an external power supply terminal is divided as shown in FIG.

【0020】図3は本発明の一実施例による半導体をプ
リント基板上に配線配置した状態を示す平面図である。
図3においては、上述したように形成された半導体1を
実際のプリント基板10上にレイアウトしたものを示し
ている。
FIG. 3 is a plan view showing a state in which a semiconductor according to one embodiment of the present invention is arranged on a printed circuit board.
FIG. 3 shows a semiconductor 1 formed as described above laid out on an actual printed circuit board 10.

【0021】各接地端子(GND)8a〜8cは直接グ
ランド層(図示せず)に接続され、高速回路ブロック2
1の電源端子(VCC1)3以外の電源端子(VCC
2)4a〜4dも夫々電源層(図示せず)に接続されて
いる。高速回路ブロック21の電源端子(VCC1)3
はある程度のパターン線長を引き出して、つまり電源端
子(VCC2)4a〜4dよりも長いパターン線長をも
って共通電源部に接続することで、パターン9による寄
生インダクタンスも使用して分割されている。
Each of the ground terminals (GND) 8a to 8c is directly connected to a ground layer (not shown),
1 power supply terminal (VCC1)
2) 4a to 4d are also connected to a power supply layer (not shown). Power supply terminal (VCC1) 3 of high-speed circuit block 21
Is divided by using the parasitic inductance of the pattern 9 by drawing a certain pattern line length, that is, by connecting to the common power supply unit with a pattern line length longer than the power supply terminals (VCC2) 4a to 4d.

【0022】図4は本発明の一実施例による半導体集積
回路内部の動作を説明するための図である。この図4を
参照して半導体集積回路内部の動作について説明する。
クロック等の高速信号入力が入力端子13から高速回路
ブロック21に入力されると、高速回路ブロック21内
でのスイッチング動作等によってノイズ源21aでノイ
ズ104が発生する。
FIG. 4 is a diagram for explaining the operation inside the semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention. The operation inside the semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIG.
When a high-speed signal such as a clock is input from the input terminal 13 to the high-speed circuit block 21, a noise 104 is generated in the noise source 21a due to a switching operation in the high-speed circuit block 21 or the like.

【0023】このノイズ104は第1の電源(VCC
1)の電源ラインと出力端子15とに夫々流出するが、
この電源ラインに流れるノイズ成分は半導体チップ2で
同一電源(共通電源11)を使用していると、ノイズ1
04が同様に他の回路ブロック22に流出し、出力端子
16へも影響がでてしまう。
This noise 104 is generated by the first power supply (VCC
The power flows out to the power supply line and the output terminal 15 in 1), respectively.
If the same power supply (common power supply 11) is used in the semiconductor chip 2, the noise component flowing through the power supply
04 flows out to another circuit block 22 in the same manner, and the output terminal 16 is affected.

【0024】これを改善するために、共通電源11とは
高速回路ブロック21の電源ラインを別にして、インナ
リード5による寄生インダクタンス、つまり図3に示す
パターン9の引き出しによる寄生インダクタンスを利用
して寄生インダクタンス12を形成し、このノイズ10
4が他の回路ブロック22や出力端子16に対して流れ
ないようにし、半導体1自身のノイズレベルを低減す
る。
In order to improve this, the common power supply 11 is separated from the power supply line of the high-speed circuit block 21 and utilizes the parasitic inductance due to the inner lead 5, that is, the parasitic inductance derived from the pattern 9 shown in FIG. A parasitic inductance 12 is formed, and this noise 10
4 is prevented from flowing to the other circuit blocks 22 and the output terminal 16, and the noise level of the semiconductor 1 itself is reduced.

【0025】図5は本発明の他の実施例による半導体集
積回路の構成を示すブロック図である。図において、本
発明の他の実施例では共通電源11から電源端子(VC
C1)3までの間にノイズ抑制部品17及びバイパスコ
ンデンサ18を付加した以外は図2に示す本発明の一実
施例と同様の構成となっており、同一構成要素には同一
符号を付してある。また、同一構成要素の動作は本発明
の一実施例と同様である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention. In the figure, in another embodiment of the present invention, a common power supply 11 supplies a power supply terminal (VC).
C1) The configuration is the same as that of the embodiment of the present invention shown in FIG. 2 except that the noise suppressing component 17 and the bypass capacitor 18 are added up to 3, and the same components are denoted by the same reference numerals. is there. The operation of the same component is the same as that of the embodiment of the present invention.

【0026】本発明の他の実施例による半導体1は本発
明の一実施例の構成と同様の構成となっているが、高速
回路ブロック21を別電源としたことによって、本発明
の一実施例でのインダクタンスが不十分な場合、高速回
路ブロック21の電源ラインにのみノイズ抑制部品17
及びバイパスコンデンサ18を付加することで、この部
分で発生するノイズをさらに低減することができる。
The semiconductor 1 according to another embodiment of the present invention has the same configuration as that of the first embodiment of the present invention, but the high-speed circuit block 21 is provided with a separate power supply, so that one embodiment of the present invention If the inductance in the circuit is insufficient, the noise suppression component
By adding the bypass capacitor 18, the noise generated at this portion can be further reduced.

【0027】このように、半導体1内の高速回路ブロッ
ク2の電源ライン101を他の回路ブロック22〜24
で使用する共通電源11の電源端子(VCC2)4,4
a〜4dとは別の電源供給用の電源端子(VCC1)3
に接続することによって、高速回路ブロック21で発生
するノイズ104を、半導体1内の他のブロック22〜
24やI/O端子111〜113に流さないようにし、
他のI/O端子111〜113からのノイズ流出を防ぐ
ことができ、半導体1自身から発生するノイズを低減す
ることができる。
As described above, the power supply line 101 of the high-speed circuit block 2 in the semiconductor 1 is connected to the other circuit blocks 22 to 24.
Power terminals (VCC2) 4, 4 of the common power supply 11 used in
power supply terminal (VCC1) 3 for power supply different from a to 4d
, The noise 104 generated in the high-speed circuit block 21 is transmitted to other blocks 22 to 22 in the semiconductor 1.
24 and I / O terminals 111-113
Outflow of noise from the other I / O terminals 111 to 113 can be prevented, and noise generated from the semiconductor 1 itself can be reduced.

【0028】すなわち、半導体1内部の高速にスイッチ
ングする高速回路ブロック21の影響で発生するノイズ
104を他の回路ブロック22〜24のラインに影響し
ないようにすることができ、ノイズ104を抑圧するこ
とができる。
That is, it is possible to prevent the noise 104 generated due to the influence of the high-speed circuit block 21 that switches at high speed inside the semiconductor 1 from affecting the lines of the other circuit blocks 22 to 24, thereby suppressing the noise 104. Can be.

【0029】また、高速回路ブロック21の電源供給用
の電源端子(VCC1)3を他の回路ブロック22〜2
4で使用する共通電源11の電源端子(VCC2)4,
4a〜4dと分割することで、この高速回路ブロック2
1の部分にインダクタンス等のノイズ抑制部品17を付
加することができる。これによって、高速回路ブロック
21のスイッチングによって発生するノイズ104をさ
らに低減することができる。
The power supply terminal (VCC1) 3 for supplying power to the high-speed circuit block 21 is connected to the other circuit blocks 22 to 2.
4, the power supply terminal (VCC2) of the common power supply 11 used in 4,
4a to 4d, the high-speed circuit block 2
A noise suppression component 17 such as an inductance can be added to the portion 1. Thereby, the noise 104 generated by the switching of the high-speed circuit block 21 can be further reduced.

【0030】つまり、半導体1単体でのノイズ発生、高
速回路ブロック21からのノイズ104の発生に対し
て、個別にしかも容易にノイズ抑制部品17を付加する
ことで、ノイズレベルをさらに低減することができる。
That is, the noise level can be further reduced by individually and easily adding the noise suppression component 17 to the noise generation of the semiconductor 1 alone and the generation of the noise 104 from the high-speed circuit block 21. it can.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体内部において高速に動作する回路からなる高速回路
ブロックに電源を供給するための第2の電源端子と、高
速回路ブロック以外の回路からなる回路ブロックに電源
を供給するための第1の電源端子とを夫々別に設置する
ことによって、半導体単体でのノイズ発生及び高速回路
ブロックからのノイズ発生に対して個別にしかも容易に
ノイズ抑制部品を付加してノイズレベルを低減すること
ができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, a second power supply terminal for supplying power to a high-speed circuit block comprising a circuit operating at high speed inside a semiconductor and a circuit other than the high-speed circuit block are used. By separately installing the first power supply terminal for supplying power to the circuit block, a noise suppression component can be individually and easily provided for noise generation from the semiconductor alone and noise generation from the high-speed circuit block. In addition, there is an effect that the noise level can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例による半導体集積回路の平面
図である。
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例による半導体集積回路の構成
を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例による半導体をプリント基板
上に配線配置した状態を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a state in which a semiconductor according to one embodiment of the present invention is arranged on a printed circuit board by wiring.

【図4】本発明の一実施例による半導体集積回路内部の
動作を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining an operation inside a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention;

【図5】本発明の他の実施例による半導体集積回路の構
成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to another embodiment of the present invention.

【図6】従来例による半導体集積回路の構成を示すブロ
ック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体 2 半導体チップ 3 電源端子(VCC1) 4,4a〜4d 電源端子(VCC2) 5 インナリード 6,7a〜7c ボンディングワイヤ 8,8a〜8e 接地端子 9 パターン 10 プリント基板 11 共通電源 12 寄生インダクタンス 17 ノイズ抑制部品 18 バイパスコンデンサ 21 高速回路ブロック 22〜24 回路ブロック DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor 2 Semiconductor chip 3 Power supply terminal (VCC1) 4, 4a-4d Power supply terminal (VCC2) 5 Inner lead 6, 7a-7c Bonding wire 8, 8a-8e Ground terminal 9 Pattern 10 Printed circuit board 11 Common power supply 12 Parasitic inductance 17 Noise suppression component 18 Bypass capacitor 21 High-speed circuit block 22-24 Circuit block

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体内部において高速に動作する回路
からなる高速回路ブロックと、前記高速回路ブロック以
外の回路からなる回路ブロックと、前記回路ブロックに
電源を供給するための第1の電源端子と、前記第1の電
源端子とは別に設置されかつ前記高速回路ブロックに電
源を供給するための第2の電源端子とを有することを特
徴とする半導体集積回路。
A high-speed circuit block including a circuit operating at high speed inside a semiconductor; a circuit block including a circuit other than the high-speed circuit block; a first power supply terminal for supplying power to the circuit block; A second power supply terminal provided separately from the first power supply terminal and configured to supply power to the high-speed circuit block.
【請求項2】 前記半導体を配線基板上に搭載する際に
前記第2の電源端子に接続されるパターン配線長を前記
第1の電源端子に接続されるパターン配線長よりも長く
したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a length of a pattern wiring connected to the second power terminal is longer than a length of a pattern wiring connected to the first power terminal when the semiconductor is mounted on a wiring board. 2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein
【請求項3】 前記第1及び第2の電源端子を共通の電
源に接続するようにしたことを特徴とする請求項2記載
の半導体集積回路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein said first and second power supply terminals are connected to a common power supply.
【請求項4】 前記第2の電源端子と前記共通の電源と
の間に配設されかつ前記高速回路ブロックにおいて発生
するノイズの伝搬を抑制する抑制部品を含むことを特徴
とする請求項3記載の半導体集積回路。
4. The power supply device according to claim 3, further comprising a suppression component disposed between said second power supply terminal and said common power supply and for suppressing propagation of noise generated in said high-speed circuit block. Semiconductor integrated circuit.
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