JP2002164508A - Protective circuit of pad - Google Patents

Protective circuit of pad

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JP2002164508A
JP2002164508A JP2000356674A JP2000356674A JP2002164508A JP 2002164508 A JP2002164508 A JP 2002164508A JP 2000356674 A JP2000356674 A JP 2000356674A JP 2000356674 A JP2000356674 A JP 2000356674A JP 2002164508 A JP2002164508 A JP 2002164508A
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pad
protection circuit
circuit
diodes
semiconductor element
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Takeshi Ikeda
毅 池田
Hiroshi Miyagi
弘 宮城
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NSC Co Ltd
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Nigata Semitsu Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain deterioration of high frequency characteristic by reducing wiring length from a pad to an amplifying circuit. SOLUTION: Diodes 3, 4 which are used for making an excess signal generated on the pad 2 by static electricity or the like flow into a power source Vcc are connected with not a metal wiring 6 between the pad 2 and the amplifying circuit 7 but the pad 2 itself. Consequently, it is made unnecessary that the metal wiring 6 between the pad 2 and the amplifying circuit 7 is made long to connect the diodes 3, 4, and wiring length between the pad 2 and the amplifying circuit 7 can be reduced, so that influence of noise or the like on a high frequency signal flowing on a wiring is restrained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はパッドの保護回路に
関し、特に、半導体チップに備えられるデータ入出力用
のパッドを静電気等から保護するための回路に用いて好
適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pad protection circuit, and more particularly, to a pad protection circuit suitable for use in a circuit for protecting a data input / output pad provided on a semiconductor chip from static electricity or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4に、一般的な半導体集積回路のチッ
プレイアウトを概略的に示す。図4において、101は
ICチップであり、その周辺部にデータ入出力用のパッ
ド102が複数配置されている。これらのパッド102
は、ボンディングワイヤ103によって図示しないリー
ドフレームあるいはプリント回路基板と電気的に接続さ
れている。パッド102の内側、すなわちICチップ1
01の中心部には、論理回路が実装されるコア部104
が存在する。
2. Description of the Related Art FIG. 4 schematically shows a chip layout of a general semiconductor integrated circuit. In FIG. 4, reference numeral 101 denotes an IC chip, and a plurality of data input / output pads 102 are arranged around the IC chip. These pads 102
Are electrically connected to a lead frame or a printed circuit board (not shown) by bonding wires 103. Inside of pad 102, ie, IC chip 1
01 is a core unit 104 on which a logic circuit is mounted.
Exists.

【0003】通常、データ入出力用のパッド102を通
して外部から与えられる静電気や雑音などによってIC
チップ101が破壊されないように、パッド102に対
して保護回路が設けられる。図5は、従来のパッド保護
回路の構成を示す図である。図5において、増幅回路1
11は、パッド102を介してコア部104に入出力さ
れる信号の増幅を行うものであり、コア部104の最外
周に設けられる。この増幅回路111とパッド102と
の間にパッド保護回路が設けられる。
Normally, ICs are generated by static electricity or noise externally applied through pads 102 for data input / output.
A protection circuit is provided for the pad 102 so that the chip 101 is not destroyed. FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a conventional pad protection circuit. In FIG. 5, the amplification circuit 1
Reference numeral 11 denotes an amplifier for amplifying a signal input / output to / from the core unit 104 via the pad 102, and is provided on the outermost periphery of the core unit 104. A pad protection circuit is provided between the amplifier circuit 111 and the pad 102.

【0004】すなわち、パッド保護回路は、パッド10
2から伸びるメタル配線112を介して2つのダイオー
ド113,114をグランドから電源Vccへと同方向
に向けて接続するとともに、パッド102から伸びるメ
タル配線112と増幅回路111から伸びるメタル配線
116との間に抵抗115を接続することによって構成
される。このような構成により、静電気やノイズによっ
て発生する過剰な信号がダイオード113,114によ
って電源Vccに流し込まれ、増幅回路111を通じて
コア部104内に過剰電流が流れ込むのを防止してい
る。
That is, the pad protection circuit includes the pad 10
The two diodes 113 and 114 are connected in the same direction from the ground to the power supply Vcc via the metal wiring 112 extending from the metal wiring 112, and between the metal wiring 112 extending from the pad 102 and the metal wiring 116 extending from the amplifier circuit 111. Is connected to a resistor 115. With such a configuration, an excessive signal generated by static electricity or noise is supplied to the power supply Vcc by the diodes 113 and 114, and an excessive current is prevented from flowing into the core unit 104 through the amplifier circuit 111.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術では、パッド102と増幅回路111との間に
ダイオード113,114を含むパッド保護回路が設け
られるため、パッド102と増幅回路111との配線距
離が長くなってしまう。そのため、特にICチップ10
1が高周波回路を実装している場合には、入出力される
高周波信号が長い配線上でノイズ等の影響を受けてしま
い、高周波特性が劣化してしまうという問題があった。
However, in the above-described conventional technique, since a pad protection circuit including diodes 113 and 114 is provided between the pad 102 and the amplifier circuit 111, the wiring between the pad 102 and the amplifier circuit 111 is not provided. The distance will be long. Therefore, especially the IC chip 10
In the case where 1 is equipped with a high-frequency circuit, there is a problem that high-frequency signals to be input and output are affected by noise and the like on long wirings, and high-frequency characteristics are deteriorated.

【0006】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたものであり、パッドから増幅回路までの配線
長を短くして高周波特性の劣化を抑制できるようにする
ことを目的とする。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to reduce the wiring length from a pad to an amplifier circuit so that deterioration of high frequency characteristics can be suppressed. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明によるパッドの保
護回路は、複数のパッドが配列されるパッド領域と、論
理回路が実装されるコア部とを有する半導体集積回路に
おいて、上記パッドに対して設けられる保護回路であっ
て、上記保護回路は、発生した過剰信号をグランドまた
は電源に流し込むための半導体素子を含み、上記半導体
素子を上記パッドに接続したことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION A pad protection circuit according to the present invention is a semiconductor integrated circuit having a pad region in which a plurality of pads are arranged and a core portion on which a logic circuit is mounted. A protection circuit provided, wherein the protection circuit includes a semiconductor element for flowing a generated excess signal to ground or a power supply, and the semiconductor element is connected to the pad.

【0008】本発明の他の態様では、複数のパッドが配
列されるパッド領域と、論理回路が実装されるコア部と
を有する半導体集積回路において、上記パッドに対して
設けられる保護回路であって、上記パッドと上記パッド
を介して入出力される信号の増幅を行う増幅回路との間
に接続された抵抗と、上記パッドに対して接続され、発
生した過剰信号をグランドまたは電源に流し込むための
半導体素子とを備えたことを特徴とする。
Another aspect of the present invention is a protection circuit provided for a pad in a semiconductor integrated circuit having a pad region in which a plurality of pads are arranged and a core portion on which a logic circuit is mounted. A resistor connected between the pad and an amplifier circuit for amplifying a signal input / output via the pad, and a resistor connected to the pad, for flowing an excessive signal generated to ground or a power supply. A semiconductor element.

【0009】本発明のその他の態様では、上記半導体素
子は2つのダイオードから成り、上記2つのダイオード
の少なくとも一方を、隣接するパッドおよびその保護回
路の間に生じる空きスペースに配置したことを特徴とす
る。
According to another aspect of the present invention, the semiconductor element comprises two diodes, and at least one of the two diodes is arranged in an empty space generated between an adjacent pad and its protection circuit. I do.

【0010】本発明のその他の態様では、複数のパッド
が配列されるパッド領域と、論理回路が実装されるコア
部とを有する半導体集積回路において、上記パッドに対
して設けられる保護回路であって、上記保護回路は、発
生した過剰信号をグランドまたは電源に流し込むための
半導体素子を含み、上記パッドの外側に設けた配線に上
記半導体素子を接続したことを特徴とする。
Another aspect of the present invention is a protection circuit provided for a pad in a semiconductor integrated circuit having a pad region in which a plurality of pads are arranged and a core portion on which a logic circuit is mounted. The protection circuit includes a semiconductor element for flowing the generated excess signal to the ground or a power supply, and the semiconductor element is connected to a wiring provided outside the pad.

【0011】本発明のその他の態様では、複数のパッド
が配列されるパッド領域と、論理回路が実装されるコア
部とを有する半導体集積回路において、上記パッドに対
して設けられる保護回路であって、上記パッドと上記パ
ッドを介して入出力される信号の増幅を行う増幅回路と
の間に接続された抵抗と、上記パッドの外側に設けた配
線に接続され、発生した過剰信号をグランドまたは電源
に流し込むための半導体素子とを備えたことを特徴とす
る。
Another aspect of the present invention is a protection circuit provided for a pad in a semiconductor integrated circuit having a pad region in which a plurality of pads are arranged and a core portion on which a logic circuit is mounted. A resistor connected between the pad and an amplifier circuit for amplifying a signal input / output via the pad, and a wiring connected outside of the pad to connect an excess signal generated to a ground or a power supply. And a semiconductor element for pouring into the device.

【0012】本発明は上記技術手段より成るので、パッ
ド保護回路の半導体素子を接続するためにパッドと増幅
回路との間の配線を長くする必要がなくなり、パッドと
増幅回路との間の配線長を短くすることが可能となる。
Since the present invention comprises the above technical means, it is not necessary to lengthen the wiring between the pad and the amplifier circuit to connect the semiconductor element of the pad protection circuit, and the wiring length between the pad and the amplifier circuit is eliminated. Can be shortened.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図1は、第1の実施形態によるパ
ッド保護回路の構成例を示す図である。図1において、
1はICチップであり、その周辺部にデータ入出力用の
パッド2が複数配置されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a pad protection circuit according to the first embodiment. In FIG.
Reference numeral 1 denotes an IC chip, and a plurality of data input / output pads 2 are arranged around the IC chip.

【0014】なお、図1では代表として1個のパッド2
のみを示しているが、実際には図4のチップレイアウト
と同様に複数のパッド2が配列されており、ボンディン
グワイヤによってリードフレームあるいはプリント回路
基板と電気的に接続されている。
In FIG. 1, one pad 2 is representatively represented.
Only a plurality of pads 2 are arranged in the same manner as in the chip layout of FIG. 4, and are electrically connected to a lead frame or a printed circuit board by bonding wires.

【0015】パッド2の内側、すなわちICチップ1の
中心部には、論理回路が実装されるコア部8が存在す
る。このコア部8の最外周には、パッド2を介してコア
部8に入出力される信号の増幅を行う増幅回路7が設け
られる。
Inside the pad 2, that is, in the center of the IC chip 1, there is a core unit 8 on which a logic circuit is mounted. An amplifier circuit 7 for amplifying a signal input / output to / from the core unit 8 via the pad 2 is provided on the outermost periphery of the core unit 8.

【0016】本実施形態においても、パッド2を通して
外部から与えられる静電気や雑音などによってICチッ
プ1が破壊されないようにするために、パッド2に対し
て保護回路を設けている。このパッド保護回路は、2つ
のダイオード3,4および抵抗5を備えて構成される。
Also in the present embodiment, a protection circuit is provided for the pad 2 in order to prevent the IC chip 1 from being damaged by static electricity or noise externally applied through the pad 2. This pad protection circuit includes two diodes 3 and 4 and a resistor 5.

【0017】本実施形態において、抵抗5については、
従来と同様に、パッド2から伸びるメタル配線6と増幅
回路7から伸びるメタル配線9との間に接続される。一
方、2つのダイオード3,4は、メタル配線6ではな
く、パッド2そのものに接続している。
In this embodiment, the resistance 5 is
As in the conventional case, the connection is made between the metal wiring 6 extending from the pad 2 and the metal wiring 9 extending from the amplifier circuit 7. On the other hand, the two diodes 3 and 4 are connected not to the metal wiring 6 but to the pad 2 itself.

【0018】すなわち、グランドとパッド2との間に第
1のダイオード3を接続し、パッド2と電源Vccとの
間に第2のダイオード4を接続する。このとき、これら
2つのダイオード3,4を、共に順方向がグランドから
電源Vccの方向に向くようにパッド2を介して直列に
接続する。
That is, the first diode 3 is connected between the ground and the pad 2, and the second diode 4 is connected between the pad 2 and the power supply Vcc. At this time, these two diodes 3 and 4 are connected in series via the pad 2 such that the forward direction is directed from the ground to the power supply Vcc.

【0019】このような構成により、静電気やノイズに
よってパッド2に過剰な信号が発生しても、それがダイ
オード3,4を介して電源Vccに流し込まれる。これ
により、増幅回路7を通じてコア部8内の論理回路に必
要以上に大きな電流が流れ込むのを防止することができ
る。
With this configuration, even if an excessive signal is generated on the pad 2 due to static electricity or noise, it is supplied to the power supply Vcc via the diodes 3 and 4. As a result, it is possible to prevent an unnecessarily large current from flowing into the logic circuit in the core unit 8 through the amplification circuit 7.

【0020】また、本実施形態では、2つのダイオード
3,4を、パッド2と増幅回路7との間のメタル配線6
ではなくパッド2自体に接続しているので、ダイオード
3,4を接続するためにメタル配線6を長くする必要が
なく、パッド2と増幅回路7との間の配線長を短くする
ことができる。これにより、配線上を流れる高周波信号
に対するノイズ等の影響を抑制することができ、従来に
比べて高周波特性を向上させることができる。
In this embodiment, the two diodes 3 and 4 are connected to the metal wiring 6 between the pad 2 and the amplifier circuit 7.
Instead, the connection is made to the pad 2 itself, so that it is not necessary to lengthen the metal wiring 6 to connect the diodes 3 and 4, and the wiring length between the pad 2 and the amplifier circuit 7 can be shortened. As a result, the influence of noise and the like on the high-frequency signal flowing on the wiring can be suppressed, and the high-frequency characteristics can be improved as compared with the related art.

【0021】また、パッド2と増幅回路7との間の配線
長を短くできる分だけ、保護回路を含むパッド領域(コ
ア部8以外の領域)におけるチップエッジからコア部エ
ッジまでの距離を短くすることができ、それだけコア部
8の面積を大きくとることができる。これにより、IC
チップ1にとって重要な論理回路を構成する回路素子を
コア部8に対してより多く集積化することができるとい
うメリットも有する。
In addition, the distance from the chip edge to the core portion edge in the pad region (the region other than the core portion 8) including the protection circuit is shortened to the extent that the wiring length between the pad 2 and the amplifier circuit 7 can be reduced. Accordingly, the area of the core portion 8 can be increased accordingly. Thereby, IC
There is also an advantage that more circuit elements constituting a logic circuit important for the chip 1 can be integrated in the core unit 8.

【0022】次に、本発明の第2の実施形態について説
明する。図2は、第2の実施形態によるパッド保護回路
の構成例を示す図である。この図2において、図1に示
した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して
いる。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of a pad protection circuit according to the second embodiment. 2, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0023】図2において、10はICチップであり、
その周辺部にデータ入出力用のパッド2が複数配置され
ている。この図2でも代表として1個のパッド2のみを
示しているが、実際には図4のチップレイアウトと同様
に複数のパッド2が配列されており、ボンディングワイ
ヤによってリードフレームあるいはプリント回路基板と
電気的に接続されている。
In FIG. 2, reference numeral 10 denotes an IC chip,
A plurality of data input / output pads 2 are arranged in the peripheral portion. Although only one pad 2 is shown as a representative in FIG. 2, a plurality of pads 2 are actually arranged similarly to the chip layout of FIG. Connected.

【0024】パッド2の内側、すなわちICチップ10
の中心部には、論理回路が実装されるコア部8が存在す
る。このコア部8の最外周には、パッド2を介してコア
部8に入出力される信号の増幅を行う増幅回路7が設け
られる。パッド2と増幅回路7との間は、第1の実施形
態と同様に、従来に比べて長さの短いメタル配線6,9
と抵抗5とによって接続される。
The inside of the pad 2, that is, the IC chip 10
A core unit 8 on which a logic circuit is mounted is present at the center of the block. An amplifier circuit 7 for amplifying a signal input / output to / from the core unit 8 via the pad 2 is provided on the outermost periphery of the core unit 8. Between the pad 2 and the amplifier circuit 7, as in the first embodiment, metal wires 6, 9, 9
And the resistor 5.

【0025】本実施形態においては、メタル配線6に対
してパッド2の反対側、すなわちパッド2の外側に、メ
タル配線11を設けている。そして、2つのダイオード
3,4をこのメタル配線11に接続している。
In this embodiment, the metal wiring 11 is provided on the side opposite to the pad 2 with respect to the metal wiring 6, that is, outside the pad 2. The two diodes 3 and 4 are connected to the metal wiring 11.

【0026】すなわち、グランドとメタル配線11との
間に第1のダイオード3を接続し、メタル配線11と電
源Vccとの間に第2のダイオード4を接続する。この
とき、これら2つのダイオード3,4を、共に順方向が
グランドから電源Vccの方向に向くようにメタル配線
11を介して直列に接続する。
That is, the first diode 3 is connected between the ground and the metal wiring 11, and the second diode 4 is connected between the metal wiring 11 and the power supply Vcc. At this time, these two diodes 3 and 4 are connected in series via the metal wiring 11 such that the forward direction is directed from the ground to the power supply Vcc.

【0027】このような構成により、静電気やノイズに
よってパッド2に過剰な信号が発生しても、それがダイ
オード3,4を介して電源Vccに流し込まれる。これ
により、増幅回路7を通じてコア部8内の論理回路に必
要以上に大きな電流が流れ込むのを防止することができ
る。
With such a configuration, even if an excessive signal is generated on the pad 2 due to static electricity or noise, it flows into the power supply Vcc via the diodes 3 and 4. As a result, it is possible to prevent an unnecessarily large current from flowing into the logic circuit in the core unit 8 through the amplification circuit 7.

【0028】また、本実施形態では、2つのダイオード
3,4を、パッド2と増幅回路7との間のメタル配線6
ではなく、パッド2の外側に接続しているので、ダイオ
ード3,4を接続するためにメタル配線6を長くする必
要がなく、パッド2と増幅回路7との間の配線長を短く
することができる。これにより、配線上を流れる高周波
信号に対するノイズ等の影響を抑制することができ、従
来に比べて高周波特性を向上させることができる。
In this embodiment, the two diodes 3 and 4 are connected to the metal wiring 6 between the pad 2 and the amplifier circuit 7.
However, since the connection is made outside the pad 2, it is not necessary to lengthen the metal wiring 6 to connect the diodes 3 and 4, and the wiring length between the pad 2 and the amplifier circuit 7 can be shortened. it can. As a result, the influence of noise and the like on the high-frequency signal flowing on the wiring can be suppressed, and the high-frequency characteristics can be improved as compared with the related art.

【0029】さらに、上述した第1の実施形態では、ダ
イオード3,4をパッド2の両側に接続していたので、
隣接するパッド2の間隔は従来に比べて広くなる。これ
に対して、第2の実施形態によれば、パッド2よりも幅
の狭いメタル配線11の両側にダイオード3,4を接続
しているので、隣接するパッド2の間隔は従来と同程度
に抑えることができる。
Further, in the above-described first embodiment, since the diodes 3 and 4 are connected to both sides of the pad 2,
The spacing between adjacent pads 2 is wider than in the prior art. On the other hand, according to the second embodiment, since the diodes 3 and 4 are connected to both sides of the metal wiring 11 having a width smaller than that of the pad 2, the interval between the adjacent pads 2 is substantially the same as that of the related art. Can be suppressed.

【0030】なお、本実施形態において、ボンディング
ワイヤはパッド2に接続するものとして説明したが、メ
タル配線11に接続するようにしても良い。
In this embodiment, the bonding wire is connected to the pad 2, but may be connected to the metal wiring 11.

【0031】次に、本発明の第3の実施形態について説
明する。図3は、第3の実施形態によるパッド保護回路
の構成例を示す図である。この図3において、図1に示
した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して
いる。
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a pad protection circuit according to the third embodiment. 3, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0032】第3の実施形態のパッド保護回路は、上述
した第1の実施形態と同様に、パッド2そのものに2つ
のダイオード3,4を接続したものであるが、ダイオー
ド3,4の配置に工夫を加えている。
In the pad protection circuit of the third embodiment, two diodes 3 and 4 are connected to the pad 2 itself, as in the first embodiment described above. It is ingenious.

【0033】すなわち、第1の実施形態では、2つのダ
イオード3,4を共にパッド2の真横に配置していた。
これに対して、第3の実施形態では、図3に示すよう
に、横方向に隣接する2つのパッド2のうち、一方のパ
ッド2に接続された第1のダイオード3と、他方のパッ
ド2に接続された第2のダイオード4とを縦方向に並べ
て配置している。
That is, in the first embodiment, the two diodes 3 and 4 are both arranged right beside the pad 2.
On the other hand, in the third embodiment, as shown in FIG. 3, the first diode 3 connected to one pad 2 and the other pad 2 And the second diode 4 connected to the vertical line are arranged in the vertical direction.

【0034】つまり、複数のパッド2をその保護回路と
共に横方向に並べて配列した場合、隣接する保護回路の
間には若干のスペースが生じる。本実施形態では、この
スペースを利用して、2つのダイオード3,4のうちの
少なくとも一方(図3の場合は第1のダイオード3)を
配置する。
That is, when the plurality of pads 2 are arranged side by side with the protection circuits in the horizontal direction, some space is generated between adjacent protection circuits. In this embodiment, at least one of the two diodes 3 and 4 (the first diode 3 in the case of FIG. 3) is arranged by utilizing this space.

【0035】このように配置することにより、隣接する
パッド2の間隔である横方向の距離を従来と同程度に抑
えつつ、パッド領域におけるチップエッジからコア部エ
ッジまでの縦方向の距離を短くすることができる。よっ
て、チップサイズを大きくすることなくコア部8の面積
を大きくとることができ、より多くの回路素子をコア部
8に集積化することができる。
With this arrangement, the vertical distance from the chip edge to the core edge in the pad area is reduced while the horizontal distance, which is the distance between adjacent pads 2, is suppressed to the same level as in the related art. be able to. Therefore, the area of the core unit 8 can be increased without increasing the chip size, and more circuit elements can be integrated in the core unit 8.

【0036】なお、以上に説明した各実施形態は、何れ
も本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示した
ものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限
定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本
発明はその精神、またはその主要な特徴から逸脱するこ
となく、様々な形で実施することができる。例えば、上
記実施形態では、パッド2に発生した過剰信号を電源V
ccに流し込むようにしてるが、グランドに流し込むよ
うにしても良い。
It should be noted that each of the embodiments described above is merely an example of a concrete example for carrying out the present invention, and the technical scope of the present invention is interpreted in a limited manner. It must not be. That is, the present invention can be embodied in various forms without departing from the spirit or main features thereof. For example, in the above embodiment, the excess signal generated on the pad 2 is
Although it is designed to flow into the cc, it may be flown into the ground.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ッド保護回路の半導体素子を接続するためにパッドと増
幅回路との間の配線を長くしなくても済み、パッドと増
幅回路との間の配線長を短くすることができる。したが
って、配線上を流れる高周波信号に対するノイズ等の影
響を抑制することができ、従来に比べて高周波特性を向
上させることができる。
As described above, according to the present invention, it is not necessary to lengthen the wiring between the pad and the amplifier circuit for connecting the semiconductor element of the pad protection circuit. The wiring length between them can be shortened. Therefore, the influence of noise and the like on the high-frequency signal flowing on the wiring can be suppressed, and the high-frequency characteristics can be improved as compared with the related art.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施形態によるパッド保護回路の構成例
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a pad protection circuit according to a first embodiment.

【図2】第2の実施形態によるパッド保護回路の構成例
を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of a pad protection circuit according to a second embodiment;

【図3】第3の実施形態によるパッド保護回路の構成例
を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a pad protection circuit according to a third embodiment;

【図4】一般的な半導体集積回路のチップレイアウトを
概略的に示す図である。
FIG. 4 is a diagram schematically showing a chip layout of a general semiconductor integrated circuit.

【図5】従来のパッド保護回路の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a conventional pad protection circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ICチップ 2 パッド 3,4 ダイオード 5 抵抗 6 メタル配線 7 増幅回路 8 コア部 9 メタル配線 10 ICチップ 11 メタル配線 20 ICチップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 IC chip 2 Pad 3, 4 Diode 5 Resistance 6 Metal wiring 7 Amplification circuit 8 Core part 9 Metal wiring 10 IC chip 11 Metal wiring 20 IC chip

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のパッドが配列されるパッド領域
と、論理回路が実装されるコア部とを有する半導体集積
回路において、上記パッドに対して設けられる保護回路
であって、 上記保護回路は、発生した過剰信号をグランドまたは電
源に流し込むための半導体素子を含み、上記半導体素子
を上記パッドに接続したことを特徴とするパッドの保護
回路。
1. A protection circuit provided for a pad in a semiconductor integrated circuit having a pad region in which a plurality of pads are arranged and a core portion on which a logic circuit is mounted, wherein the protection circuit includes: A pad protection circuit including a semiconductor element for flowing generated excessive signals to ground or a power supply, wherein the semiconductor element is connected to the pad.
【請求項2】 複数のパッドが配列されるパッド領域
と、論理回路が実装されるコア部とを有する半導体集積
回路において、上記パッドに対して設けられる保護回路
であって、 上記パッドと上記パッドを介して入出力される信号の増
幅を行う増幅回路との間に接続された抵抗と、 上記パッドに対して接続され、発生した過剰信号をグラ
ンドまたは電源に流し込むための半導体素子とを備えた
ことを特徴とするパッドの保護回路。
2. A protection circuit provided for a pad in a semiconductor integrated circuit having a pad region in which a plurality of pads are arranged and a core portion on which a logic circuit is mounted, wherein the pad and the pad A resistor connected between the amplifier and an amplifier circuit for amplifying a signal input / output via the input / output terminal; and a semiconductor element connected to the pad and for flowing the generated excess signal to ground or a power supply. A pad protection circuit, characterized in that:
【請求項3】 上記半導体素子は2つのダイオードから
成り、上記2つのダイオードの少なくとも一方を、隣接
するパッドおよびその保護回路の間に生じる空きスペー
スに配置したことを特徴とする請求項1または2に記載
のパッドの保護回路。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor element comprises two diodes, and at least one of the two diodes is arranged in an empty space formed between an adjacent pad and its protection circuit. 4. A pad protection circuit according to claim 1.
【請求項4】 複数のパッドが配列されるパッド領域
と、論理回路が実装されるコア部とを有する半導体集積
回路において、上記パッドに対して設けられる保護回路
であって、 上記保護回路は、発生した過剰信号をグランドまたは電
源に流し込むための半導体素子を含み、上記パッドの外
側に設けた配線に上記半導体素子を接続したことを特徴
とするパッドの保護回路。
4. A protection circuit provided for a pad in a semiconductor integrated circuit having a pad region in which a plurality of pads are arranged and a core portion on which a logic circuit is mounted, wherein the protection circuit comprises: A pad protection circuit including a semiconductor element for flowing generated excessive signals to ground or a power supply, wherein the semiconductor element is connected to a wiring provided outside the pad.
【請求項5】 複数のパッドが配列されるパッド領域
と、論理回路が実装されるコア部とを有する半導体集積
回路において、上記パッドに対して設けられる保護回路
であって、 上記パッドと上記パッドを介して入出力される信号の増
幅を行う増幅回路との間に接続された抵抗と、 上記パッドの外側に設けた配線に接続され、発生した過
剰信号をグランドまたは電源に流し込むための半導体素
子とを備えたことを特徴とするパッドの保護回路。
5. A protection circuit provided for a pad in a semiconductor integrated circuit having a pad region in which a plurality of pads are arranged and a core portion on which a logic circuit is mounted, wherein the pad and the pad A resistor connected between an amplifier circuit for amplifying a signal input and output through the pad, and a semiconductor element connected to a wiring provided outside the pad for flowing an excessive signal generated to ground or a power supply A pad protection circuit, comprising:
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