JP2001077230A - Lead frame and semiconductor device mounting body using the same - Google Patents

Lead frame and semiconductor device mounting body using the same

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JP2001077230A
JP2001077230A JP24879299A JP24879299A JP2001077230A JP 2001077230 A JP2001077230 A JP 2001077230A JP 24879299 A JP24879299 A JP 24879299A JP 24879299 A JP24879299 A JP 24879299A JP 2001077230 A JP2001077230 A JP 2001077230A
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lead frame
lead
power supply
semiconductor chip
chip
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Atsushi Enohara
淳 榎原
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce noise without increasing the number of external terminals. SOLUTION: A land 200 for a power source is formed on the side of a die pad 101 for supporting a chip 100. The land 200, which is formed of a band- shaped pattern of a conductor layer, having a configuration for surrounding the periphery of a region to which the chip 100 is secured. Using the land 200, a plurality of GND pads 202 are connected to the land 200 with metallic wires 204 based on a wire bonding method, and the inner lead portion of one of leads 206 which is coupled to an external terminal for a GND voltage is connected to the land 200 by a metallic wire 208, based on the wire bonding method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム及び
それを用いた半導体装置実装体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame and a semiconductor device package using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体装置実装体の概略を図1に
示す。リードフレームは半導体チップ(以下、単にチッ
プという)100を支持するダイパッド101と、ダイ
パッド101に支持されたチップ100の周辺に配置さ
れるリード102を備えている。チップ100はダイパ
ッド101上に固着されて支持され、リード102とチ
ップ100のパッド103の間がワイヤボンディング法
により金などの金属線104で接続されている。105
は封止用樹脂であり、外部に導かれるリード102の一
部を除いて、チップ100、リードフレーム101,1
02及びワイヤ104を封入して外部から遮断するため
に封止している。
2. Description of the Related Art FIG. 1 schematically shows a conventional semiconductor device package. The lead frame includes a die pad 101 that supports a semiconductor chip (hereinafter, simply referred to as a chip) 100 and leads 102 that are arranged around the chip 100 supported by the die pad 101. The chip 100 is fixed and supported on the die pad 101, and the lead 102 and the pad 103 of the chip 100 are connected by a metal wire 104 such as gold by a wire bonding method. 105
Is a sealing resin, except for a part of the lead 102 which is led to the outside, and the chip 100, the lead frames 101, 1
02 and the wire 104 are sealed and sealed off from the outside.

【0003】従来、半導体装置のノイズ対策としては電
源端子を増やすことが単純かつ確実な手法として採られ
ており、例えばデータバス等の同時スイッチングが行な
われる半導体装置では、その同時に変化する信号端子の
間に電源端子を追加するといった手法が主流になってい
る。
Conventionally, as a countermeasure against noise in a semiconductor device, increasing the number of power supply terminals has been adopted as a simple and reliable method. For example, in a semiconductor device in which simultaneous switching of a data bus or the like is performed, a signal terminal which changes simultaneously is used. The method of adding a power supply terminal in between has become mainstream.

【0004】しかし、図1のリードフレームの構造から
明らかな通り、パッド103とこの実装体の外部端子は
1対1に対応しており、ノイズを減らす対策のため電源
端子を増やそうとすると外部端子の並びが変わってしま
うだけでなく、外部端子が増える一方でさらにはその数
の制約からパッケージさえも変更することを余儀なくさ
れることとなる。
However, as is apparent from the structure of the lead frame shown in FIG. 1, the pads 103 correspond to the external terminals of this package on a one-to-one basis. Not only does the arrangement change, but also the number of external terminals increases, and even the package is forced to change due to the limitation of the number.

【0005】また、一般的な従来の技術として、外部端
子の増加なしに複数の電源パッドヘ電源を供給する方法
としてダブルボンディングという手法がある。これは供
給する電源パッドを複数並べておくだけで、自由な位置
に電源を供給することができないといった欠点があっ
た。このような問題を解決するためにいくつかの提案が
なされている。その一つの方法は、電気的ノイズを吸収
するためにデカップリングコンデンサをリードフレーム
上に形成して実装体内部に埋め込むものである(特開平
6−216309号公報参照)。
As a general conventional technique, there is a method called double bonding as a method of supplying power to a plurality of power supply pads without increasing the number of external terminals. This has a drawback that power can not be supplied to a free position only by arranging a plurality of power supply pads to be supplied. Several proposals have been made to solve such a problem. One of the methods is to form a decoupling capacitor on a lead frame and to embed the decoupling capacitor inside a mounting body to absorb electric noise (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-216309).

【0006】他の方法は、リードフレームのインダクタ
ンス成分を減らしてノイズを減らすために、ダイパッド
を分割し、分割された領域に電源電圧Vccと接地電圧
(GND)Vssをそれぞれ供給する方法である(特開
平8−70059号公報参照)。
Another method is to divide a die pad and supply a power supply voltage Vcc and a ground voltage (GND) Vss to each of the divided regions in order to reduce noise by reducing the inductance component of the lead frame. See JP-A-8-70059).

【0007】さらに他の方法は、ノイズ発生源の回路か
ら発生されるノイズに起因する電源ノイズを減少させて
耐ノイズ性能を向上させるために、ノイズが放出されに
くい回路に電源を供給するボンディングパッドにボンデ
ィングされるインナーリードと、ノイズが発生しやすい
回路に電源を供給するボンディングパッドにボンディン
グされるインナーリードとのボンディング距離を大きく
してインダクタンスを大きくすることにより、ノイズを
減少させる方法である(特開平10−256457号公
報参照)。
Still another method is to provide a bonding pad for supplying power to a circuit in which noise is hardly emitted, in order to reduce power supply noise caused by noise generated from a noise source circuit and improve noise immunity. This method is to reduce the noise by increasing the inductance by increasing the bonding distance between the inner lead bonded to the inner lead and the inner lead bonded to the bonding pad that supplies power to a circuit where noise is likely to occur ( See JP-A-10-256457).

【0008】さらに他の方法は、リードの配置の制約を
緩和し、ノイズによる誤動作を低減するために、信号用
リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を配置する方
法である(特開平11−40721号公報参照)。
Still another method is to dispose a dummy metal piece for noise reduction between signal leads in order to alleviate restrictions on the arrangement of leads and reduce malfunctions due to noise (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 11 (1999)). -40721).

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】これらの提案は、ノイ
ズの低減という目的を達成する手段として有効な方法で
あるが、いずれも電源端子の位置がリードフレーム毎に
固定されているといった大きな欠点がある。これはリー
ドフレームの汎用性の点では大きく不利となってくる。
また、従来の汎用的なリードフレームを用いた半導体装
置実装体に耐ノイズ性を高めるためのチップの再設計を
余儀なくされた場合、電源数を増やすにはその端子数を
増加させる必要があり、それは端子の並びを変える必要
があるだけでなく、パッケージ自体の変更までも必要と
されてしまう。
These proposals are effective methods for achieving the object of reducing noise, but all have the major drawback that the position of the power supply terminal is fixed for each lead frame. is there. This is disadvantageous in terms of versatility of the lead frame.
In addition, if a conventional semiconductor device package using a general-purpose lead frame has to be redesigned to improve noise resistance, it is necessary to increase the number of terminals in order to increase the number of power supplies, This not only requires changing the arrangement of the terminals, but also changing the package itself.

【0010】システムの高速化に伴い、信号が同時に変
化する端子群では、データバス等のいわゆる同時スイッ
チングによる電源ノイズの発生は大きな問題として取り
上げられている。これを解決する方法として電源端子を
増やすことが単純かつ確実な手法として従来から採られ
ているが、今日のシステムの複雑化に伴い、データバス
等のビット幅は増加の傾向にあり、また一方ではシステ
ムの小型化という観点からパッケージを小さくしたいと
いう要求があり、端子数の増加は好ましくない。また汎
用品等のようにパッケージ及びその端子配置などがすで
に決まっているものにおいては、端子の並び替えはおろ
か、ノイズ対策の為に電源端子を増やすことさえ事実上
不可能となってくる場合が多い。本発明は、新しい構造
のリードフレームを用いることにより、外部端子数を増
やすことなく、上記の問題に対処できるようにすること
を目的とするものである。
In a terminal group in which signals change simultaneously with the increase in the speed of the system, the occurrence of power supply noise due to so-called simultaneous switching of a data bus or the like is taken up as a major problem. To solve this problem, increasing the number of power supply terminals has been adopted as a simple and reliable method. However, with the complexity of today's systems, the bit width of data buses and the like tends to increase. In such a case, there is a demand to reduce the size of the package from the viewpoint of miniaturization of the system, and it is not preferable to increase the number of terminals. For products such as general-purpose products, for which the package and its terminal arrangement have already been determined, it may not be possible to rearrange the terminals, or even increase the number of power terminals for noise suppression. Many. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to address the above problem without increasing the number of external terminals by using a lead frame having a new structure.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、チップを支持するダイパッドを備えたリードフレー
ムであって、そのダイパッドにはチップを支持する側で
チップを支持する領域の周辺部に、電源用リード及びチ
ップの電源用パッドに接続される低抵抗のランドが設け
られたものである。ここで、電源は、Vccのような高
電圧側の電源だけでなく、グランド(以下、GNDと記
す)のような低電圧側も電源も含む意味で使用してい
る。
A lead frame according to the present invention is a lead frame provided with a die pad for supporting a chip, the die pad being provided on a peripheral portion of a region for supporting the chip on a side supporting the chip. A low-resistance land connected to the power supply lead and the power supply pad of the chip is provided. Here, the power supply is used to include not only the power supply on the high voltage side such as Vcc, but also the power supply on the low voltage side such as ground (hereinafter referred to as GND).

【0012】そして、本発明の半導体装置実装体は、上
に示した本発明のリードフレームを使用してチップを封
止したものである。すなわち、本発明の半導体装置実装
体は、実装されるチップの周辺に配置されたリード、及
び実装されるチップを支持する側でそのチップを支持す
る領域の周辺部に低抵抗のランドが設けられているダイ
パッドを備えたリードフレームと、そのリードフレーム
のダイパッドに固着されて支持されたチップと、そのチ
ップのパッドとリードフレームの対応するリードとの接
続、及びランドと所定の電源用リード及び電源用パッド
との接続を行なう金属線と、リードのうち外部に導かれ
る部分を除く各部材を外気から遮断して封止する封止部
材とを備えている。
Further, a semiconductor device package of the present invention is one in which a chip is sealed using the above-described lead frame of the present invention. That is, in the semiconductor device package of the present invention, the leads arranged around the chip to be mounted and the low-resistance land are provided on the side supporting the chip to be mounted on the periphery of the region supporting the chip. Frame provided with a die pad, a chip fixedly supported on the die pad of the lead frame, connection between the pad of the chip and a corresponding lead of the lead frame, and a land and a predetermined power supply lead and power supply A metal wire for connection with the pad for use, and a sealing member for sealing each of the leads except for a portion led to the outside by blocking them from the outside air.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】ランドとしてGND電圧用の1種
類のみしか設けない場合は、ダイパッド全体をランドと
することができる。しかし、好ましいランドの一例は、
ダイパッド上に絶縁層を介してパターン化して形成され
た導電体層にてなるものである。この場合には、ランド
として互いに離れて形成された高電圧電源用と低電圧電
源用の2つを設けることも、さらにはそれ以上を形成す
ることもできる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS When only one type of GND voltage is provided, the entire die pad can be used as a land. However, one example of a preferred land is
It is composed of a conductor layer formed on the die pad by patterning via an insulating layer. In this case, two lands for a high-voltage power supply and a low-voltage power supply formed separately from each other may be provided, or more lands may be formed.

【0014】[0014]

【実施例】図2は一実施例のリードフレームを表したも
のである。そのリードフレームはダイパッド101とリ
ード102を備えている。ダイパッド101上にはチッ
プ100が固着されて支持される。チップ100の周辺
にはリード102の基端部(インナーリード部)が配置
され、リード102の先端部(アウターリード部)は封
止後に封止樹脂105の外部に突出して外部接続用の端
子となる。
FIG. 2 shows a lead frame according to an embodiment. The lead frame has a die pad 101 and leads 102. The chip 100 is fixed and supported on the die pad 101. A base end portion (inner lead portion) of the lead 102 is arranged around the chip 100, and a tip end portion (outer lead portion) of the lead 102 projects outside the sealing resin 105 after sealing to form a terminal for external connection. Become.

【0015】ダイパッド101上には、チップ100が
支持される側に、導電体層の帯状パターンにより、チッ
プ100が固着される領域の周囲を取り囲む形状の電源
用ランド200が形成されている。ダイパッド101の
基材は、リード102と同じであり、リード102と同
時に形成されたものである。ダイパッド101の基材の
表面は絶縁層で被われており、その中央部にチップ10
0が固着されるようになっている。ランド200はダイ
パッド101上のその絶縁層上にメッキにより形成され
た錫などの導電層をエッチングなどによりパターン化し
て形成したものである。
On the die pad 101, on the side on which the chip 100 is supported, a power supply land 200 is formed by a strip-shaped pattern of a conductive layer so as to surround the periphery of the region where the chip 100 is fixed. The base material of the die pad 101 is the same as the lead 102 and is formed simultaneously with the lead 102. The surface of the base material of the die pad 101 is covered with an insulating layer.
0 is fixed. The land 200 is formed by patterning a conductive layer such as tin formed by plating on the insulating layer on the die pad 101 by etching or the like.

【0016】ランド200は、高電圧側の電源電圧(V
cc)用と低電圧側(GND電圧側)用のそれぞれのた
めに2本のランドが形成されていることが望ましいが、
この実施例ではVcc側またはGND側のいずれかを補
強する目的で1本のみが設けられている。チップ100
が使用する電源数が3以上ある場合には、それぞれの電
源に応じて電源数のランドを設けることもできる。
The land 200 is connected to the power supply voltage (V
cc) and two lands are desirably formed for each of the low voltage side (GND voltage side).
In this embodiment, only one is provided for the purpose of reinforcing either the Vcc side or the GND side. Chip 100
When the number of power supplies used is three or more, lands of the number of power supplies can be provided according to each power supply.

【0017】図3はこのリードフレームを用いてチップ
を実装した状態を概略的に表したものである。いま、ラ
ンド200はGND電源用に使用するものとする。ダイ
パッド101上にはチップ100が固着されて支持され
ており、チップ100の信号用パッド103とリード1
02のインナーリード部が金属線104により接続され
ている。パッドのうちGND電源用のパッド202はラ
ンド200に金属線204により接続され、ランド20
0とGND用の外部端子となるリード206のインナー
リード部との間が金属配線208により接続されてい
る。図ではGND用パッド202は一つのみが示されて
いるが、複数個ある場合は複数のGND用パッド202
をすべてそれぞれの金属線204によりランド200に
接続する。金属線104,204,208は、いずれも
金線を用いたワイヤボンディング法により接続されたも
のである。図3には一部のパッド、一部のリードとの接
続しか示されていないが、必要なパッドとリードの接続
が全てなされた後に、封止樹脂105により封止され
る。
FIG. 3 schematically shows a state in which a chip is mounted using this lead frame. Now, it is assumed that the land 200 is used for a GND power supply. A chip 100 is fixed and supported on the die pad 101, and the signal pad 103 and the lead 1 of the chip 100 are provided.
02 are connected by a metal wire 104. Of the pads, a GND power supply pad 202 is connected to a land 200 by a metal wire 204, and
A metal wiring 208 connects between 0 and an inner lead portion of a lead 206 serving as an external terminal for GND. In the figure, only one GND pad 202 is shown.
Are connected to the lands 200 by the respective metal wires 204. The metal wires 104, 204, and 208 are all connected by a wire bonding method using a gold wire. FIG. 3 shows only a connection with some pads and some leads, but after all necessary connections between pads and leads are made, the package is sealed with a sealing resin 105.

【0018】図4は同時スイッチングによりノイズが発
生する様子を示したものである。(A)は出力バッファ
回路の一つを示したものであり、PチャネルMOSトラ
ンジスタ30とNチャネルMOSトランジスタ32とか
らなるCMOSインバータの出力バッファ回路の出力側
にパッドとなる端子34が設けられている。出力バッフ
ァには寄生のインダクタンス36がつき、出力ラインに
は寄生の容量38がつく。n本のデータバスではこのよ
うな出力バッファ回路がn個設けられる。
FIG. 4 shows how noise is generated by simultaneous switching. (A) shows one of the output buffer circuits, and a terminal 34 serving as a pad is provided on the output side of an output buffer circuit of a CMOS inverter including a P-channel MOS transistor 30 and an N-channel MOS transistor 32. I have. The output buffer has a parasitic inductance 36, and the output line has a parasitic capacitance 38. For n data buses, n such output buffer circuits are provided.

【0019】(B)に示されるように、バスの出力
が、”H”レベル出力から瞬時にすべて“L”レベル出
力になることにより、電源ライン(ここではGNDライ
ン)に寄生的についているインダクタンス36の影響に
より逆起電力が発生し、電源ラインにノイズが乗る。こ
のインダクタンス36を減らすことによりノイズが減る
ことは容易に推測できるわけであるが、これは電流発生
源、すなわちここではバス出力の近く、に電源数を増や
すことが最も効果的であることは周知の事実として知ら
れており、設計の段階でバスを電源端子で挟んだり、バ
スを数本単位で区切ってそれを電源端子で挟むなどの方
法により、ノイズが許容範囲内に収まるような対策を採
っている。
As shown in (B), the output of the bus is instantaneously changed from the "H" level output to the "L" level output, and the inductance parasitic on the power supply line (here, the GND line) is changed. 36, a back electromotive force is generated, and noise is added to the power supply line. It is easy to guess that reducing this inductance 36 reduces noise, but it is well known that increasing the number of power supplies near the current source, here the bus output, is most effective. It is known as a fact that at the design stage, buses are sandwiched between power supply terminals, or buses are divided into several units and sandwiched between power supply terminals, etc. I am taking it.

【0020】そのような一例は、図5に示されるよう
に、(A)のような信号用パッド103配列のチップ1
00に対し、(B)のようにGND用パッド202で所
定数ずつの信号用パッド103を挾む構成である。しか
し、これに対応したリードフレームを考えると、信号用
端子の並びにGND用端子を挟むことになり、対策前の
端子配置とは変わってくる。これは端子数の増加も意味
し、パッケージの変更にまでもつながってしまう。仮に
端子配置及び端子数の変更が許されない場合などはこの
対策を採ることができず、スイッチングスピードを落と
すことでノイズを低減させるなど、チップの性能を落と
す方向に再設計し対策せざるを得なくなっていた。
FIG. 5 shows an example of such a chip 1 having an arrangement of signal pads 103 as shown in FIG.
As shown in FIG. 2B, a predetermined number of signal pads 103 are sandwiched between GND pads 202 as shown in FIG. However, considering a lead frame corresponding to this, the signal terminals and the GND terminals are sandwiched, which is different from the terminal arrangement before the measures. This also means an increase in the number of terminals, which leads to a change in the package. If the terminal arrangement and the number of terminals cannot be changed, this measure cannot be taken.Therefore, it is necessary to redesign in the direction to lower the chip performance, such as reducing the noise by lowering the switching speed. Was gone.

【0021】図6は電源用のパッドが増えた場合にも外
部端子の数を増やさないように本発明を適用した例を示
したものである。ランド200を利用し、複数のGND
用パッド202とランド200の間をワイヤボンディン
グ法による金属線204で接続し、GND電圧用の外部
端子につながる一本のリード206のインナーリード部
をワイヤボンディング法による金属配線208によりラ
ンド200に接続する。
FIG. 6 shows an example in which the present invention is applied so as not to increase the number of external terminals even when the number of power supply pads increases. Using the land 200, multiple GND
A pad 202 and a land 200 are connected by a metal wire 204 by a wire bonding method, and an inner lead portion of one lead 206 connected to an external terminal for GND voltage is connected to the land 200 by a metal wiring 208 by a wire bonding method. I do.

【0022】上に既に述べた対策としてバスを電源端子
で挟むという最も基本的で確実な方法があったが、ここ
ではチップ上に必要なだけ配置された電源パッドへ外部
端子を増やすことなく電流を供給することを可能とする
ものである。すなわち、まず電源端子のリードとランド
を金属線により接続することにより、ランドを低インピ
ーダンスで電源レベル(図6の例ではGNDレベル)に
帯電させる。さらに電源パッド(ここではGND用パッ
ド)のみダイパッド上のランドに金属線で配線する。こ
れはすなわちチップ内のエリア上の許される範囲内で置
かれた電源パッドをすべて外部端子を増やすことなく接
続できることを意味する。これによりチップの同時スイ
ッチングノイズの発生を抑え、かつ所望の端子数、端子
配置を満足する半導体装置を提供することができる。ま
た一方で、任意の位置に配置できる最小限の外部電源端
子数(1本以上)を確保するだけで実現できる半導体装
置の提供も可能としており、それはパッケージの小型化
を可能にし、本半導体装置を含んだシステム自体を小さ
く構成することが可能となる。
As the above-mentioned countermeasure, there has been the most basic and reliable method of sandwiching the bus between the power supply terminals. However, in this case, the current is supplied to the power supply pads arranged as necessary on the chip without increasing the number of external terminals. Can be supplied. That is, first, the lands are charged to a power level (GND level in the example of FIG. 6) with a low impedance by connecting the lead of the power terminal and the land with a metal wire. Further, only the power supply pad (GND pad in this case) is wired with a metal line to the land on the die pad. This means that all the power pads placed within the permissible range on the area within the chip can be connected without increasing external terminals. This makes it possible to provide a semiconductor device that suppresses the occurrence of simultaneous switching noise of the chip and satisfies the desired number of terminals and terminal arrangement. On the other hand, it is also possible to provide a semiconductor device which can be realized only by securing the minimum number of external power supply terminals (one or more) that can be arranged at an arbitrary position, which enables a reduction in the size of a package and the present semiconductor device. Can be configured to be small.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明のリードフレームを使うことによ
り、従来複数必要としていた電源端子数を減らすことが
可能となり、さらにはパッケージの小型化を可能とす
る。チップの耐ノイズ性を高める再設計を行なう場合、
本リードフレームを使用することにより端子配置の変更
をすることなく、またチップの性能を落とすことなく簡
単に耐ノイズ性を高めることが可能となる。そのリード
フレームを用いて実装された半導体装置を使うことによ
り、半導体装置自体で十分な耐ノイズ性が得られ、従来
採っていたボード上での耐ノイズ対策を採る必要がなく
なり、コストの削減にもつながる。
By using the lead frame of the present invention, it is possible to reduce the number of power supply terminals required conventionally, and to further reduce the size of the package. When redesigning to improve the noise resistance of the chip,
By using the present lead frame, it is possible to easily improve the noise resistance without changing the terminal arrangement and without reducing the performance of the chip. By using a semiconductor device mounted using the lead frame, sufficient noise resistance can be obtained by the semiconductor device itself, eliminating the need to take noise countermeasures on the conventional board, and reducing costs. Also leads.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の半導体装置実装体を示す概略平面図であ
る。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a conventional semiconductor device package.

【図2】一実施例のリードフレームを示す概略平面図で
ある。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a lead frame of one embodiment.

【図3】一実施例の半導体装置実装体を示す概略平面図
である。
FIG. 3 is a schematic plan view showing a semiconductor device package according to one embodiment.

【図4】同時スイッチングによりノイズが発生する様子
を説明する図であり、(A)は出力バッファ回路の一つ
を示す回路図、(B)は波形図である。
4A and 4B are diagrams illustrating how noise is generated by simultaneous switching. FIG. 4A is a circuit diagram illustrating one of output buffer circuits, and FIG. 4B is a waveform diagram.

【図5】耐ノイズ対策の一例を説明する図であり、
(A)は本来の信号用パッド配列を示す平面図、(B)
はその信号用パッドの所定数ずつをGND用パッドで挾
んだ状態を示す平面図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining an example of noise resistance measures;
(A) is a plan view showing an original signal pad arrangement, (B)
FIG. 3 is a plan view showing a state in which a predetermined number of the signal pads are sandwiched by GND pads.

【図6】電源用のパッドが増えた図5(B)のチップに
対して本発明を適用した半導体装置実装体を示す概略平
面図である。
FIG. 6 is a schematic plan view showing a semiconductor device mounted body to which the present invention is applied to the chip shown in FIG. 5B in which power supply pads are increased.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 ダイパッド 100 チップ 102 リード 103 信号用パッド 104,204,208 金属線 200 ランド 202 GND用パッド 206 GND用外部端子となるリード 101 die pad 100 chip 102 lead 103 signal pad 104, 204, 208 metal wire 200 land 202 GND pad 206 lead to be an external terminal for GND

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 実装する半導体チップの周辺に配置され
てその半導体チップのパッドと金属線により接続される
リード、及び実装する半導体チップを支持するダイパッ
ドを備えたリードフレームにおいて、 前記ダイパッドには半導体チップを支持する側で半導体
チップを支持する領域の周辺部に、電源用リード及び半
導体チップの電源用パッドに接続される低抵抗のランド
が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
1. A lead frame provided with a lead arranged around a semiconductor chip to be mounted and connected to a pad of the semiconductor chip by a metal wire, and a die pad for supporting the semiconductor chip to be mounted, wherein the die pad includes a semiconductor. A lead frame, comprising: a power supply lead and a low-resistance land connected to a power supply pad of the semiconductor chip in a peripheral portion of a region supporting the semiconductor chip on a side supporting the chip.
【請求項2】 前記ランドは、ダイパッド上に絶縁層を
介してパターン化して形成された導電体層にてなる請求
項1に記載のリードフレーム。
2. The lead frame according to claim 1, wherein said lands are made of a conductor layer formed on a die pad by patterning via an insulating layer.
【請求項3】 前記ランドは、互いに離れて形成された
高電圧電源用と低電圧電源用の2つを含んでいる請求項
2に記載のリードフレーム。
3. The lead frame according to claim 2, wherein the lands include two high voltage power supplies and two low voltage power supplies formed separately from each other.
【請求項4】 実装される半導体チップの周辺に配置さ
れたリード、及び実装される半導体チップを支持する側
でその半導体チップを支持する領域の周辺部に低抵抗の
ランドが設けられているダイパッドを備えたリードフレ
ームと、 そのリードフレームのダイパッドに固着されて支持され
た半導体チップと、 前記半導体チップのパッドと前記リードフレームの対応
するリードとの接続、及び前記ランドと所定の電源用リ
ード及び電源用パッドとの接続を行なう金属線と、 前記リードのうち外部に導かれる部分を除く前記各部材
を外気から遮断して封止する封止部材とを備えたことを
特徴とする半導体装置実装体。
4. A die pad provided with leads arranged around a semiconductor chip to be mounted and low-resistance lands on a side supporting the semiconductor chip to be mounted on a periphery of a region supporting the semiconductor chip. A semiconductor chip fixedly supported on a die pad of the lead frame, a connection between the pad of the semiconductor chip and a corresponding lead of the lead frame, and the land and a predetermined power supply lead. A semiconductor device mounting, comprising: a metal wire for connection to a power supply pad; and a sealing member for sealing off each of the members except for a portion of the lead that is led to the outside, from outside air. body.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009212211A (en) * 2008-03-03 2009-09-17 Rohm Co Ltd Semiconductor device
JP2015502035A (en) * 2011-11-22 2015-01-19 ジアンスー チャンジアン エレクトロニクス テクノロジー カンパニーリミテッド Quad flat no lead (QFN) package structure and manufacturing method thereof
JP2015502661A (en) * 2011-11-28 2015-01-22 ジアンスー チャンジアン エレクトロニクス テクノロジー カンパニーリミテッド Non-exposed pad quad flat no lead (QFN) package structure and manufacturing method thereof

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