JPH11340745A - トランスインピーダンス型増幅回路 - Google Patents
トランスインピーダンス型増幅回路Info
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- JPH11340745A JPH11340745A JP10147969A JP14796998A JPH11340745A JP H11340745 A JPH11340745 A JP H11340745A JP 10147969 A JP10147969 A JP 10147969A JP 14796998 A JP14796998 A JP 14796998A JP H11340745 A JPH11340745 A JP H11340745A
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- Japan
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- resistor
- switching element
- amplifier circuit
- control circuit
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光素子からの入力信号が大きい場合に、出
力信号の飽和を回避することができるトランスインピー
ダンス型前置増幅器を提供する。 【解決手段】 制御回路からの信号でスイッチング素子
２５をオン状態とすることにより、新たに電気接続され
た抵抗２３の端子電圧をダイオードで一定値に保ち、且
つ、フォトダイオードからの信号電流をダイオードでバ
イパスさせて、フォトダイオードの浮遊容量に蓄積され
た電荷を放電させ、反転増幅器２１の出力の飽和を回避
している。
力信号の飽和を回避することができるトランスインピー
ダンス型前置増幅器を提供する。 【解決手段】 制御回路からの信号でスイッチング素子
２５をオン状態とすることにより、新たに電気接続され
た抵抗２３の端子電圧をダイオードで一定値に保ち、且
つ、フォトダイオードからの信号電流をダイオードでバ
イパスさせて、フォトダイオードの浮遊容量に蓄積され
た電荷を放電させ、反転増幅器２１の出力の飽和を回避
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、増幅器の出力信
号の大きさに応じて抵抗を切り替えるトランスインピー
ダンス型増幅回路に関し、特に、受光素子の出力を増幅
するためのトランスインピーダンス型増幅回路に関す
る。
号の大きさに応じて抵抗を切り替えるトランスインピー
ダンス型増幅回路に関し、特に、受光素子の出力を増幅
するためのトランスインピーダンス型増幅回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、受光素子の出力を増幅するための
トランスインピーダンス型増幅回路には、たとえば、図
７に示すように、特開平９−８５６３号公報に開示され
た「光受信前置増幅器」がある。
トランスインピーダンス型増幅回路には、たとえば、図
７に示すように、特開平９−８５６３号公報に開示され
た「光受信前置増幅器」がある。
【０００３】図７によれば、この光受信前置増幅器は、
バースト状入力データ入力に対して、出力側データに振
幅差が生じないようにするため、フォトダイオード１５
からの受光電流信号１３を反転増幅器１に入力し、バッ
ファ回路２の出力と基準電圧１２との比較結果に基づい
て、反転増幅器１とバッファ回路２とからなる増幅器の
抵抗を変化させている。
バースト状入力データ入力に対して、出力側データに振
幅差が生じないようにするため、フォトダイオード１５
からの受光電流信号１３を反転増幅器１に入力し、バッ
ファ回路２の出力と基準電圧１２との比較結果に基づい
て、反転増幅器１とバッファ回路２とからなる増幅器の
抵抗を変化させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のトランスインピーダンス型増幅回路では、抵抗を切り
替えるのに必要な時間内に入力電流が大きくなると、出
力が飽和する。そして、出力が飽和した状態では、フォ
トダイオードからの信号電流が抜ける電流路がないの
で、フォトダイオードの寄生容量１６に電荷が蓄積され
ていく。従って、寄生容量１６に蓄積された電荷が放電
されない限り、従来のトランスインピーダンス型増幅回
路の出力は飽和したままとなる。
のトランスインピーダンス型増幅回路では、抵抗を切り
替えるのに必要な時間内に入力電流が大きくなると、出
力が飽和する。そして、出力が飽和した状態では、フォ
トダイオードからの信号電流が抜ける電流路がないの
で、フォトダイオードの寄生容量１６に電荷が蓄積され
ていく。従って、寄生容量１６に蓄積された電荷が放電
されない限り、従来のトランスインピーダンス型増幅回
路の出力は飽和したままとなる。
【０００５】従って、光通信等における光信号を正しく
光電変換することができなくなる。
光電変換することができなくなる。
【０００６】そこで、本発明は、入力信号が大きい場合
に、出力信号の飽和を回避することができるトランスイ
ンピーダンス型前置増幅器を提供することを課題として
いる。
に、出力信号の飽和を回避することができるトランスイ
ンピーダンス型前置増幅器を提供することを課題として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明回路は、反転増幅器の出力と基準電圧との比較
結果に基づいて、スイッチング素子をオン状態とするこ
とにより、前記スイッチング素子に接続した抵抗と他の
抵抗とを並列接続状態となして帰還抵抗を変化させるト
ランスインピーダンス型増幅回路であって、前記スイッ
チング素子に接続した抵抗に並列にダイオードを接続し
ている。
の本発明回路は、反転増幅器の出力と基準電圧との比較
結果に基づいて、スイッチング素子をオン状態とするこ
とにより、前記スイッチング素子に接続した抵抗と他の
抵抗とを並列接続状態となして帰還抵抗を変化させるト
ランスインピーダンス型増幅回路であって、前記スイッ
チング素子に接続した抵抗に並列にダイオードを接続し
ている。
【０００８】すなわち、本発明においては、制御回路に
よって新たに電気接続された抵抗の端子電圧をダイオー
ドで一定値に保ち、且つ、フォトダイオードからの信号
電流をバイパスさせて、フォトダイオードの浮遊容量に
蓄積された電荷を放電させ、トランスインピーダンス型
増幅回路の出力の飽和を回避している。
よって新たに電気接続された抵抗の端子電圧をダイオー
ドで一定値に保ち、且つ、フォトダイオードからの信号
電流をバイパスさせて、フォトダイオードの浮遊容量に
蓄積された電荷を放電させ、トランスインピーダンス型
増幅回路の出力の飽和を回避している。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１０】図１は、本発明のトランスインピーダンス
型増幅回路の回路図である。図１に示すように、この回
路は、入力端子に反転増幅器２１の入力端子と、抵抗２
２とＭＯＳＦＥＴ２５のソース端子が接続され、ＭＯＳ
ＦＥＴ２５のドレイン端子に抵抗２３の一方の端子とダ
イオードのアノード端子が接続され、抵抗２３の他方の
端子とダイオードのカソード端子が反転増幅器２１の出
力端子に接続され、制御回路に反転増幅器の出力端子と
基準電圧とリセット端子が接続され、制御回路の出力が
ＭＯＳＦＥＴ２５のゲート端子に接続されている。
型増幅回路の回路図である。図１に示すように、この回
路は、入力端子に反転増幅器２１の入力端子と、抵抗２
２とＭＯＳＦＥＴ２５のソース端子が接続され、ＭＯＳ
ＦＥＴ２５のドレイン端子に抵抗２３の一方の端子とダ
イオードのアノード端子が接続され、抵抗２３の他方の
端子とダイオードのカソード端子が反転増幅器２１の出
力端子に接続され、制御回路に反転増幅器の出力端子と
基準電圧とリセット端子が接続され、制御回路の出力が
ＭＯＳＦＥＴ２５のゲート端子に接続されている。
【００１１】図１においては、スイッチング素子の例示
としてＦＥＴを記載しているが、ＦＥＴに限らず、バイ
ポーラトランジスタその他であってもよい。尚、ＭＯＳ
ＦＥＴを用いる場合には、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴで
もよいが、スイッチング速度が速いｎチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴが、より好適である。
としてＦＥＴを記載しているが、ＦＥＴに限らず、バイ
ポーラトランジスタその他であってもよい。尚、ＭＯＳ
ＦＥＴを用いる場合には、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴで
もよいが、スイッチング速度が速いｎチャンネルＭＯＳ
ＦＥＴが、より好適である。
【００１２】この増幅回路においては、制御回路からの
信号により、ＭＯＳＦＥＴ２５がオン状態となり、抵抗
２２と抵抗２３が並列に接続された状態となって、イン
ピーダンスが切り替わる。
信号により、ＭＯＳＦＥＴ２５がオン状態となり、抵抗
２２と抵抗２３が並列に接続された状態となって、イン
ピーダンスが切り替わる。
【００１３】そして、抵抗２３に並列に接続されたダイ
オードが図示しないフォトダイオードからの入力電流を
バイパスしている。
オードが図示しないフォトダイオードからの入力電流を
バイパスしている。
【００１４】図２は、この増幅回路の動作を説明するた
めのタイムチャートである。
めのタイムチャートである。
【００１５】図２によると、リセット信号が制御回路に
入力されると、動作が開始される。
入力されると、動作が開始される。
【００１６】時刻ｔ1で増幅回路の出力信号が、基準電
圧以下になったことを検知する。その検知のための遅延
を伴って、制御回路からｎチャンネルＭＯＳＦＥＴ２５
のゲートに信号が送られ、時刻ｔ2でｎチャンネルＭＯ
ＳＦＥＴ２５がオン状態となる。そして、過渡的状態を
経て、時刻ｔ3でインピーダンスの切り替えが完了す
る。
圧以下になったことを検知する。その検知のための遅延
を伴って、制御回路からｎチャンネルＭＯＳＦＥＴ２５
のゲートに信号が送られ、時刻ｔ2でｎチャンネルＭＯ
ＳＦＥＴ２５がオン状態となる。そして、過渡的状態を
経て、時刻ｔ3でインピーダンスの切り替えが完了す
る。
【００１７】従って、時刻ｔ3以降は、増幅度を低下さ
せた状態で、入力信号を反転増幅している。
せた状態で、入力信号を反転増幅している。
【００１８】このようにして得られた反転増幅器の出力
Ｓ１を量子化して光通信等の光信号の光電変換が完了す
る。出力Ｓ１の最高レベルをＶ１、最低レベルをＶ２と
し、量子化レベルをＶ１とＶ２の中間に設定すると、図
示した出力Ｓ１から、「０１０」のデジタル信号列が得
られる。尚、ダイオードを用いない従来のトランスイン
ピーダンス回路からの出力は、時刻ｔ2以降も飽和した
ままとなる。このように飽和した出力Ｓ２を量子化して
も、「０００」というデジタル信号列しか得られず、光
通信等の光信号を誤って光電変換したことになる。
Ｓ１を量子化して光通信等の光信号の光電変換が完了す
る。出力Ｓ１の最高レベルをＶ１、最低レベルをＶ２と
し、量子化レベルをＶ１とＶ２の中間に設定すると、図
示した出力Ｓ１から、「０１０」のデジタル信号列が得
られる。尚、ダイオードを用いない従来のトランスイン
ピーダンス回路からの出力は、時刻ｔ2以降も飽和した
ままとなる。このように飽和した出力Ｓ２を量子化して
も、「０００」というデジタル信号列しか得られず、光
通信等の光信号を誤って光電変換したことになる。
【００１９】次に、図３を参照して、制御回路に２つの
基準電圧を入力する場合について、具体的に説明する。
基準電圧を入力する場合について、具体的に説明する。
【００２０】図３は、抵抗を３段階に切り替えるトラン
スインピーダンス増幅回路の回路図である。ここでは、
抵抗２２を２０Ｋオーム、抵抗２３を２０Ｋオーム、抵
抗２４を２．５Ｋオームとする。また基準電圧の電圧値
を４００ｍＶとするとともに出力端子の無信号時のＤＣ
電圧は一般的な１Ｖとする。
スインピーダンス増幅回路の回路図である。ここでは、
抵抗２２を２０Ｋオーム、抵抗２３を２０Ｋオーム、抵
抗２４を２．５Ｋオームとする。また基準電圧の電圧値
を４００ｍＶとするとともに出力端子の無信号時のＤＣ
電圧は一般的な１Ｖとする。
【００２１】又、入力レベルが第１の入力レベル切り替
えレベルである２０μＡｐｐ以下では抵抗２３が選択さ
れ、入力レベルが第１の切り替えレベル（２０μＡｐ
ｐ）から第２の切替レベルの間（４０μＡｐｐ）では抵
抗２２と２３が選択され、入力レベルが第２の切替レベ
ル（４０μＡｐｐ）以上では抵抗２２，２３，２４が選
択される。
えレベルである２０μＡｐｐ以下では抵抗２３が選択さ
れ、入力レベルが第１の切り替えレベル（２０μＡｐ
ｐ）から第２の切替レベルの間（４０μＡｐｐ）では抵
抗２２と２３が選択され、入力レベルが第２の切替レベ
ル（４０μＡｐｐ）以上では抵抗２２，２３，２４が選
択される。
【００２２】図３に示すように、本発明においては、入
力端子に反転増幅器２１の入力端子と、抵抗２２とＭＯ
ＳＦＥＴ２５，２６のソース端子が接続され、ＭＯＳＦ
ＥＴ２５のドレイン端子に抵抗２３の一方の端子とダイ
オードのアノード端子が接続され、抵抗２３の他方の端
子とダイオードのカソード端子が反転増幅器２１の出力
端子に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２６のドレイン端子と反
転増幅器２１の出力端子間に抵抗２４が接続され、制御
回路に反転増幅器の出力端子と基準電圧とリセット端子
が接続され、制御回路の出力がＭＯＳＦＥＴ２５と２６
のゲート端子に接続されている。
力端子に反転増幅器２１の入力端子と、抵抗２２とＭＯ
ＳＦＥＴ２５，２６のソース端子が接続され、ＭＯＳＦ
ＥＴ２５のドレイン端子に抵抗２３の一方の端子とダイ
オードのアノード端子が接続され、抵抗２３の他方の端
子とダイオードのカソード端子が反転増幅器２１の出力
端子に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２６のドレイン端子と反
転増幅器２１の出力端子間に抵抗２４が接続され、制御
回路に反転増幅器の出力端子と基準電圧とリセット端子
が接続され、制御回路の出力がＭＯＳＦＥＴ２５と２６
のゲート端子に接続されている。
【００２３】図４は入力レベルが第１の切り替えレベル
以下の場合を表す動作波形図である。信号に応じた出力
が出ても基準電圧以下にならないために制御回路は動作
せず利得の切り替えは行われない。
以下の場合を表す動作波形図である。信号に応じた出力
が出ても基準電圧以下にならないために制御回路は動作
せず利得の切り替えは行われない。
【００２４】続いて抵抗１０ＫΩが選択される場合の動
作について説明する。
作について説明する。
【００２５】図５は抵抗１０ＫΩが選択される場合の動
作波形図である。入力信号が３０μＡｐｐを例に説明を
おこなう。リセット信号入力後入力信号が入力されると
２０μＡｐｐを越えた時点で出力信号は４００ｍＶｐｐ
となり制御回路が動作し利得切り替えを行い、抵抗が２
０Ｋオームから１０Ｋオームに切り替わる。しかし出力
信号は、利得が切り替わるまで遅延があるため抵抗が切
り替わるまでの間出力端子には６００ｍＶの出力信号が
出力され、利得切り替わり後は３００ｍＶｐｐの信号が
出力される、以降入力信号の論理値に対応した信号を出
力する。さらに入力信号が大きくなり４０μＡｐｐ以上
になった場合について説明する。
作波形図である。入力信号が３０μＡｐｐを例に説明を
おこなう。リセット信号入力後入力信号が入力されると
２０μＡｐｐを越えた時点で出力信号は４００ｍＶｐｐ
となり制御回路が動作し利得切り替えを行い、抵抗が２
０Ｋオームから１０Ｋオームに切り替わる。しかし出力
信号は、利得が切り替わるまで遅延があるため抵抗が切
り替わるまでの間出力端子には６００ｍＶの出力信号が
出力され、利得切り替わり後は３００ｍＶｐｐの信号が
出力される、以降入力信号の論理値に対応した信号を出
力する。さらに入力信号が大きくなり４０μＡｐｐ以上
になった場合について説明する。
【００２６】図６は、入力信号が４０μＡｐｐ以上の場
合の動作波形図である。入力信号が２００μＡｐｐを例
に説明をおこなう。まず２０μＡｐｐを越えた時点で制
御回路が動作し利得切り替えを行い、抵抗が２０Ｋオー
ムから１０Ｋオームに切り替える動作を開始する。利得
が切り替わるまでの間も、出力端子は低下を続けるが出
力振幅が７００ｍＶｐｐ以上になると、ダイオードが導
通するため、入力信号の大きさによらず入力端子と出力
端子間の電位差はダイオードの順方向電圧（ＶＦ）に保
たれ０Ｖとなり、プリアンプは飽和状態にはならない。
さらに、利得が切り替わり抵抗１０ＫΩとなった後もダ
イオードを介して電流が流れるため飽和状態とはならな
い。続いて入力信号が論理値１から０に戻ると出力端子
は１Ｖに戻り、再び入力信号の論理値が０から１に変化
すると、抵抗１０ＫΩで入力信号２００ｍＶｐｐである
ので出力信号は２Ｖｐｐを出力しようとする。出力信号
が４００ｍＶｐｐで再び制御信号から利得切替が出力さ
れ、抵抗を１０ＫΩから２ＫΩに切り替える動作が開始
される。この時も切替動作が終了するまで出力信号は大
きくなり続けるが、出力振幅が７００ｍＶｐｐ以上にな
るとダイオードが導通し動作開始するため出力振幅はそ
れ以上大きくならず飽和しない。これにより抵抗が１０
ＫΩから２ＫΩに切り替わった後も正常に動作をおこな
う。
合の動作波形図である。入力信号が２００μＡｐｐを例
に説明をおこなう。まず２０μＡｐｐを越えた時点で制
御回路が動作し利得切り替えを行い、抵抗が２０Ｋオー
ムから１０Ｋオームに切り替える動作を開始する。利得
が切り替わるまでの間も、出力端子は低下を続けるが出
力振幅が７００ｍＶｐｐ以上になると、ダイオードが導
通するため、入力信号の大きさによらず入力端子と出力
端子間の電位差はダイオードの順方向電圧（ＶＦ）に保
たれ０Ｖとなり、プリアンプは飽和状態にはならない。
さらに、利得が切り替わり抵抗１０ＫΩとなった後もダ
イオードを介して電流が流れるため飽和状態とはならな
い。続いて入力信号が論理値１から０に戻ると出力端子
は１Ｖに戻り、再び入力信号の論理値が０から１に変化
すると、抵抗１０ＫΩで入力信号２００ｍＶｐｐである
ので出力信号は２Ｖｐｐを出力しようとする。出力信号
が４００ｍＶｐｐで再び制御信号から利得切替が出力さ
れ、抵抗を１０ＫΩから２ＫΩに切り替える動作が開始
される。この時も切替動作が終了するまで出力信号は大
きくなり続けるが、出力振幅が７００ｍＶｐｐ以上にな
るとダイオードが導通し動作開始するため出力振幅はそ
れ以上大きくならず飽和しない。これにより抵抗が１０
ＫΩから２ＫΩに切り替わった後も正常に動作をおこな
う。
【００２７】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、大信号入
力時、ダイオードを介して入力電流をバイパスさせるの
で、出力端子が飽和することが無くなり、ダイナミック
レンジが広がる。
力時、ダイオードを介して入力電流をバイパスさせるの
で、出力端子が飽和することが無くなり、ダイナミック
レンジが広がる。
【００２８】又、特に、帰還抵抗を構成する抵抗の数と
基準電圧の数を、２以上の数として、各スイッチング素
子を小信号振幅で高速に動作させるので、より高速のト
ランスインピーダンス型増幅回路が得られる。
基準電圧の数を、２以上の数として、各スイッチング素
子を小信号振幅で高速に動作させるので、より高速のト
ランスインピーダンス型増幅回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のトランスインピーダンス型増幅回路の
回路図。
回路図。
【図２】本発明のトランスインピーダンス型増幅回路の
入出力を示すタイムチャート。
入出力を示すタイムチャート。
【図３】帰還抵抗を３段階に切り替える本発明のトラン
スインピーダンス型増幅回路の回路図。
スインピーダンス型増幅回路の回路図。
【図４】反転増幅器の出力が第１基準電圧以上である場
合の入力と出力の関係を示すタイムチャート。
合の入力と出力の関係を示すタイムチャート。
【図５】反転増幅器の出力が第１基準電圧以下で第２基
準電圧以上である場合の入力と出力の関係を示すタイム
チャート。
準電圧以上である場合の入力と出力の関係を示すタイム
チャート。
【図６】反転増幅器の出力が第２基準電圧以下である場
合の入力と出力の関係を示すタイムチャート。
合の入力と出力の関係を示すタイムチャート。
【図７】従来のトランスインピーダンス型前置増幅回路
の回路図。
の回路図。
２１ 反転増幅器 ２２，２３，２４ 抵抗 ２５，２６ スイッチング素子
Claims (5)
- 【請求項１】反転増幅器の出力と基準電圧との比較結果
に基づいて、スイッチング素子をオン状態とすることに
より、前記スイッチング素子に接続した抵抗と他の抵抗
とを並列接続状態となして帰還抵抗を変化させるトラン
スインピーダンス型増幅回路であって、 前記スイッチング素子に接続した抵抗に並列にダイオー
ドを接続することを特徴とするトランスインピーダンス
型増幅回路。 - 【請求項２】 帰還抵抗を有する反転増幅器と、前記帰
還抵抗の値を変化させる制御回路とを有するトランスイ
ンピーダンス型増幅回路であって、 前記帰還抵抗は、一つのスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子に接続された抵抗と、前記抵抗に並列に接
続されたダイオードとを含み、 前記制御回路は、前記反転増幅器の出力と基準電圧との
比較結果に基づいて、前記スイッチング素子をオン状態
とするための制御信号を発生し、 前記制御回路は、前記基準電圧の入力を受けた後、外部
からのリセット信号を受けて動作を開始することを特徴
とするトランスインピーダンス型増幅回路。 - 【請求項３】 前記帰還抵抗を構成する抵抗の数と前記
基準電圧の数が、それぞれ２以上の数であることを特徴
とする請求項２記載のトランスインピーダンス型増幅回
路。 - 【請求項４】 受光素子と、前記受光素子の出力を入力
する反転増幅器と、前記反転増幅器の帰還抵抗の値を変
化させる制御回路とを有するトランスインピーダンス型
増幅回路であって、 前記帰還抵抗は、一つのスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子に接続された抵抗と、前記抵抗に並列に接
続されたダイオードとを含み、 前記制御回路は、前記反転増幅器の出力と基準電圧との
比較結果に基づいて、前記スイッチング素子をオン状態
とするための制御信号を発生し、 前記制御回路は、前記基準電圧の入力を受けた後、外部
からのリセット信号を受けて動作を開始することを特徴
とするトランスインピーダンス型増幅回路。 - 【請求項５】 前記帰還抵抗を構成する抵抗の数と前記
基準電圧の数が、それぞれ２以上の数であることを特徴
とする請求項４記載のトランスインピーダンス型増幅回
路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10147969A JPH11340745A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | トランスインピーダンス型増幅回路 |
| US09/320,960 US6140878A (en) | 1998-05-28 | 1999-05-27 | Transimpedance-type amplifier circuit with interchangeable resistance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10147969A JPH11340745A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | トランスインピーダンス型増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340745A true JPH11340745A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15442204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10147969A Pending JPH11340745A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | トランスインピーダンス型増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6140878A (ja) |
| JP (1) | JPH11340745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005013480A1 (ja) * | 2003-07-30 | 2006-09-28 | 三菱電機株式会社 | 前置増幅器の利得切り替え回路 |
| JP2006311130A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信器 |
Families Citing this family (18)
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