JPH11340302A - 搬送装置及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一つのキャリアカセット内に厚さの異なる二
種類以上のガラス基板を収容した場合であっても、これ
らガラス基板を円滑に搬送及び処理することのできる搬
送装置及び基板処理装置を提供する。 【解決手段】 複数の被処理基板Ｇを水平方向に収容す
る収容カセットＣ内の被処理基板Ｇの厚さに応じて複数
の被処理基板Ｇを複数の群に分け、各群に属する被処理
基板Ｇに当該群に属する識別子を付与し、当該識別子に
基づき搬送手段による被処理基板Ｇの搬送等を制御する
制御機構を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばガラス基板
等の被処理基板上に塗布・現像処理を施す塗布・現像装
置等の基板処理装置及び主に基板処理装置等に用いられ
る搬送装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】基板処理装置、例えば液晶表示装置（以
下、ＬＣＤと呼ぶ。）等に使われるガラス基板に塗布・
現像処理を施す装置では、ＬＣＤ画面の基体となるガラ
ス基板は、一つの面が解放された立方体又は直方体のキ
ャリアカセットと呼ばれる収容カセット内にほぼ水平か
つ平行に並べて収容される。

【０００３】そして、このキャリアカセットから塗布や
現像を行う装置ヘガラス基板を搬送する作業は搬送機構
が行う。

【０００４】図１７はこのような搬送機構とキャリアカ
セットとの関係を示した斜視図である。

【０００５】搬送機構１００は、例えばＹ、Ｚ方向に移
動自在で、θ方向に回転自在であり、またＸ方向に対し
て進退自在なピンセット１０１を有する。

【０００６】そして、まず搬送機構１００が移動して、
キャリアカセットＣの前面で停止する。

【０００７】次に、Ｚ方向に移動して所定のガラス基板
Ｇの下側の隙間の高さにピンセット１０１がくるように
位置合わせを行い（図１７）、この状態でガラス基板
Ｇｎとガラス基板Ｇｎ−１との間にピンセット１０１を
挿入する（図１７）。

【０００８】次いで、この状態でピンセット１０１を垂
直方向上向きに移動させてガラス基板Ｇ一枚をすくい上
げ（図１７）、このガラス基板Ｇを載置したままピン
セット１０１をキャリアカセットＣ内から引き出してガ
ラス基板ＧｎをキャリアカセットＣ内から取り出す（図
１７）。そして、後続の工程ヘガラス基板Ｇを搬送す
るメインアーム（図示せず）に引き渡す。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
塗布・現像処理装置では、異なる厚さのガラス基板Ｇが
同一の装置内で同時に処理される場合には、１つのキャ
リアカセットＣ内に異なる厚さのガラス基板Ｇが混在す
ることになる。

【００１０】しかしながら、上述した搬送機構１００が
このように異なる厚さのガラス基板Ｇが混在するキャリ
アカセットＣに対して搬送動作を行う場合には、次のよ
うな問題がある。

【００１１】第１に、ＬＣＤ用ガラス基板Ｇは相当大型
であるため、キャリアカセットＣに収容されたガラス基
板Ｇは撓みを生じるが、ガラス基板Ｇの厚さが異なると
その撓み量も異なる。従って、ガラス基板Ｇの厚さに応
じてピンセット１０１を出し入れする位置を設定しなけ
ればならないが、そのために例えばキャリアカセットＣ
内のガラス基板Ｇの厚さを検出する手段が必要となる、
という問題がある。

【００１２】第２に、製品出荷の際にピンセット１０１
がガラス基板Ｇの上下間に形成された空間の中央の高さ
でキャリアカセットＣ内に出入りするように調節してい
るが、納入時の設置の際に搬送機構２とキャリアカセッ
トＣとの位置関係がズレるため、設置後にこのズレを矯
正してアクセス位置を設定する必要がある。しかし、ガ
ラス基板Ｇの厚さが異なるとそのような設定を厚さ毎に
行う必要があるため、納入時の作業が非常に煩雑にな
る、という問題がある。特に、一般的な処理装置はキャ
リアカセットＣを複数有するため、キャリアカセットＣ
毎にかつガラス基板Ｇの厚さ毎にそのような設定を行う
必要があり、納入時の作業は相当煩雑になる。 また、
前述したように異なる厚さのガラス基板Ｇが混在した
際、或いは異なる厚さのガラス基板Ｇがキャリアカセッ
トＣにてこのような装置に例えば外部から搬送されてき
た場合、搬送位置の設定或いは装置内の各種の処理部で
の各種処理条件を設定しなおさなければならず、その設
定に係るメンテナンス時間の増大により、装置の稼働率
が低下してしまうという改善点を有していた。さらに、
設定ミスを一つでも生じていた場合、ガラス基板Ｇの搬
送の際、ガラス基板Ｇが装置内の筐体等に接触したり、
キャリアカセットＣに衝突させたり等して破損し、歩留
まりを低下させたり、処理部での処理条件の設定ミスに
より、処理条件が変わってしまい処理の歩留まりを低下
させてしまうという問題があった。

【００１３】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、例えば一つの収容カセット内に種別
の異なる被処理基板を収容した場合であっても、その種
別に応じた簡単な構成で収容カセット内等から被処理基
板を円滑に出し入れできる搬送装置及びその種別に応じ
た処理条件を設定し対応可能とした基板処理装置を提供
しようとするものである。また、本発明は、一つの収容
カセット内に種別の異なる被処理基板を収容した場合で
あっても、設置時のティーチングをできるだけ簡略化で
き、納入時の作業を軽減できる搬送装置を提供しようと
するものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
複数の被処理基板を水平方向に収容する収容カセットを
複数載置するカセット載置部と、前記収容カセットに収
容された各被処理基板を水平方向に出し入れする搬送機
構と、前記被処理基板の厚さに応じて前記複数の被処理
基板を複数の群に分け、各群に属する被処理基板に当該
群に属する識別子を付与し、当該識別子に基づき前記搬
送手段による被処理基板の搬送を制御又は収納カセット
の垂直方向の移動量を制御する制御機構と、を具備する
ことを特徴とする。

【００１５】請求項２の発明は、請求項１記載の搬送装
置であって、前記複数の群の内の所定の群ごとに、その
群に属する被処理基板を選択し搬送することを特徴とす
る。

【００１６】請求項３の発明は、請求項１記載の搬送装
置であって、前記被処理基板の厚さに応じる撓み量及び
／又は被処理基板の厚みは、前記搬送機構に設けられた
検出機構で検出することを特徴とする。

【００１７】請求項４の発明は、請求項１記載の搬送装
置であって、前記搬送機構は、被処理基板の厚み又は撓
み量に応じて垂直方向の移動距離を増加又は減少自在に
設定可能に構成されていることを特徴とする。

【００１８】請求項５の発明は、請求項１記載の搬送装
置であって、前記複数の群の内の所定の群ごとに、その
群に属する被処理基板を選択し順次搬出し、搬出した順
に前記収容カセットに搬入することを特徴とする。

【００１９】請求項６の発明は、種別の異なる複数の被
処理基板を水平方向に収容する収容カセットを載置する
カセット載置部と、前記収容カセットに収容された各被
処理基板を水平方向に出し入れする搬送機構と、前記種
別の異なる被処理基板における出し入れ位置の間の相対
的な位置関係を記憶する記憶手段と、少なくとも一の種
類の前記被処理基板に対する出し入れ位置を設定する設
定手段と、前記相対的な位置関係及び前記設定された出
し入れ位置に基づき、残りの種類の前記被処理基板に対
する出し入れ位置を決定する決定手段と、前記設定手段
による設定結果及び前記決定手段による決定結果に基づ
き、前記搬送機構による被処理基板の搬送又は収納カセ
ットの垂直方向の移動量を制御する制御機構と、を具備
することを特徴とする。

【００２０】請求項７の発明は、請求項６記載の搬送装
置であって、前記設定手段及び前記決定手段は、前記搬
送機構が収容カセットに収容された被処理基板の上下間
に形成される空間の中央の高さで被処理基板の出し入れ
を行うよう、出し入れ位置を設定及び決定することを特
徴とする。

【００２１】請求項８の発明は、請求項７記載の搬送装
置であって、前記設定手段及び前記決定手段は、上下の
被処理基板の種別が異なる場合には上下の被処理基板の
撓み量の平均値によって前記被処理基板の上下間に形成
される空間の中央の高さを規定することを特徴とする。

【００２２】請求項９の発明は、種別の異なる複数の被
処理基板を水平方向に収容する収容カセットを載置する
カセット載置部と、前記収容カセットに収容された各被
処理基板を水平方向に出し入れする搬送機構と、前記収
容カセットに収容された前記被処理基板の撓み量を各種
別毎に算出する算出手段と、前記算出手段による算出結
果に基づき、前記種別の異なる被処理基板の各出し入れ
位置を決定する決定手段と、前記決定手段による決定結
果に基づき、前記搬送手段による被処理基板の搬送又は
収納カセットの垂直方向の移動量を制御する制御機構
と、を具備することを特徴とする。

【００２３】請求項１０の発明は、請求項９記載の搬送
装置であって、前記収容カセットに収容された前記被処
理基板の撓み量は、前記収容カセッ卜に収容された各被
処理基板における特定位置の撓み量を検出機構により検
出し、その検出された特定位置の撓み量に基づいて求め
られた、前記収容カセットに収容された前記被処理基板
に対する前記搬送機構の出し入れ位置における撓み量で
あることを特徴とする。

【００２４】請求項１１の発明は、請求項１０記載の搬
送装置であって、前記検出手段が、前記収容カセットに
収容された被処理基板の存在を確認するセンサとしての
機能も有することを特徴とする。

【００２５】請求項１２の発明は、被処理基板に垂直方
向の位置を設定せしめて所定の処理を施す複数の処理部
と、複数の被処理基板を水平方向に収容する収容カセッ
トを載置するカセット載置部と、前記収容カセットに収
容された各被処理基板を水平方向に出し入れする搬送機
構と、この搬送機構を介して前記被処理基板を受け取っ
て前記複数の処理部に対して被処理基板を搬送する処理
部搬送機構と、前記収容カセットに各被処理基板が収容
された状態で前記複数の被処理基板の厚み及び／又は撓
み量を検出するとともに前記被処理基板の枚数及び各前
記被処理基板の収容カセット内の収納位置を検出する検
出機構と、この検出機構の検出データに基づき、前記搬
送機構による前記収容カセットに対する被処理基板の搬
入出位置、又は処理部搬送機構による前記処理部に対す
る被処理基板の搬入出位置、又は前記処理部内で処理す
る被処理基板の処理位置、又は前記処理部内で処理する
被処理基板の処理時間、又は前記被処理基板が配置され
る処理部内の排気量、又は被処理基板への処理液の吐出
量、又は被処理基板に作用させる雰囲気、の内の少なく
とも１の実施に係る被処理基板の垂直方向位置の設定制
御及び／又は被処理基板の処理条件の制御を行う制御機
構と、を具備することを特徴とする。

【００２６】請求項１３の発明は、請求項１２記載の基
板処理装置であって、前記収容カセットに収納された複
数の被処理基板に、厚み及び／又は撓み量が異なる種類
の被処理基板が存在する場合、同一種ごとに前記搬送機
構により前記収容カセットから搬送及び／又は前記処理
部で処理することを特徴とする。

【００２７】請求項１４の発明は、請求項１２記載の基
板処理装置であって、前記処理部は、被処理体に加熱処
理を施す処理部であり、その処理部内で処理する被処理
基板の処理時間は、被処理基板の薄いものほど早く処理
時間が終了することを特徴とする。

【００２８】請求項１５の発明は、請求項１２記載の基
板処理装置であって、前記処理部は、被処理体に加熱処
理を施す処理部であり、その処理部内で処理する被処理
基板の処理位置は、被処理基板の薄いものほど加熱体よ
り離間する位置で処理されることを特徴とする。

【００２９】請求項１６の発明は、請求項１２記載の基
板処理装置であって、前記処理部は、被処理体を回転し
て液処理を施す処理部であり、被処理基板の薄いものほ
どその処理部内の排気量を低く設定することを特徴とす
る。

【００３０】請求項１７の発明は、請求項１２記載の基
板処理装置であって、前記処理部は、被処理体に加熱処
理を施す処理部であり、その処理部内に搬送する被処理
基板の垂直方向の位置は、被処理基板の薄いものほど高
い位置に設定されることを特徴とする。

【００３１】請求項１８の発明は、請求項１２記載の基
板処理装置であって、前記被処理基板に作用させる雰囲
気は、前記検出データに基づき被処理基板の温度及び湿
度がコントロールされ、さらにその流量も制御されるこ
とを特徴とする。

【００３２】請求項１９の発明は、請求項１２記載の基
板処理装置であって、前記被処理基板への処理液の吐出
量は、前記検出データに基づき設定されることを特徴と
する基板処理装置。

【００３３】請求項１乃至５の発明では、被処理基板の
厚さに応じて複数の被処理基板を複数の群に分け、各群
に属する被処理基板に当該群に属する識別子を付与し、
当該識別子に基づき搬送手段による被処理基板の搬送を
制御又は収納カセットの垂直方向の移動量を制御するよ
う構成したので、例えば収容カセット内の被処理基板の
厚さを検出する手段等を用いることなく簡単な構成で収
容カセット内から被処理基板を円滑に出し入れできる。
さらに、識別子に基づいてどのような被処理基板が処理
室に搬送されたのか或いは搬送されるのかが判別できる
ので、処理部における処理条件の設定もその被処理基板
に対応して処理を行うことが容易となり、歩留まりの向
上が図れる。

【００３４】さらに、請求項２の発明では、複数の群の
内の所定の群ごとに、その群に属する被処理基板を選択
し搬送するので、搬送効率及び処理効率の向上を図るこ
とができる。

【００３５】また、請求項３の発明では、被処理基板の
厚さに応じる撓み量及び／又は被処理基板の厚みを、搬
送機構に設けられた検出機構で検出するので、より確実
に搬送等を行うことができる。

【００３６】また、請求項４の発明では、搬送機構は、
被処理基板の厚み又は撓み量に応じて垂直方向の移動距
離を増加又は減少自在に設定可能に構成されているの
で、より確実に搬送等を行うことができる。

【００３７】また、請求項５の発明では、複数の群の内
の所定の群ごとに、その群に属する被処理基板を選択し
順次搬出し、搬出した順に収容カセットに搬入するの
で、搬送効率及び処理効率の向上を図ることができる。

【００３８】請求項６乃至８の発明では、種別の異なる
被処理基板における出し入れ位置の間の相対的な位置関
係を記憶する記憶手段と、少なくとも一の種類の被処理
基板に対する出し入れ位置を設定する設定手段と、相対
的な位置関係及び設定された出し入れ位置に基づき、残
りの種類の被処理基板に対する出し入れ位置を決定する
決定手段と、設定手段による設定結果及び決定手段によ
る決定結果に基づき、搬送機構による被処理基板の搬送
又は収納カセットの垂直方向の移動量を制御する制御機
構とを具備しているので、出し入れ位置が設定された一
の種類の被処理基板以外の残りの種類の被処理基板に対
する出し入れ位置を記憶された種別の異なる被処理基板
における出し入れ位置の間の相対的な位置関係に基づき
決定することにより、設置時のティーチングをできるだ
け簡略化でき、納入時の作業を軽減できる。

【００３９】さらに、請求項７の発明では、設定手段及
び決定手段は、搬送機構が収容カセットに収容された被
処理基板の上下間に形成される空間の中央の高さで被処
理基板の出し入れを行うよう、出し入れ位置を設定及び
決定し、さらにまた、請求項８の発明では、設定手段及
び前記決定手段は、上下の被処理基板の種別が異なる場
合には上下の被処理基板の撓み量の平均値によって被処
理基板の上下間に形成される空間の中央の高さを規定す
るようになっているので、より確実に搬送等を行うこと
ができる。

【００４０】請求項９乃至１１の発明では、収容カセッ
トに収容された被処理基板の撓み量を各種別毎に算出す
る算出手段と、算出手段による算出結果に基づき、種別
の異なる被処理基板の各出し入れ位置を決定する決定手
段と、決定手段による決定結果に基づき、搬送手段によ
る被処理基板の搬送又は収納カセットの垂直方向の移動
量を制御する制御機構と、を具備しているので、算出さ
れた被処理基板の撓み量に基づいて、確実に搬送等を行
うことができる。

【００４１】さらに、請求項１０の発明では、収容カセ
ットに収容された被処理基板の撓み量は、収容カセッ卜
に収容された各被処理基板における特定位置の撓み量を
検出機構により検出し、その検出された特定位置の撓み
量に基づいて求められた、収容カセットに収容された被
処理基板に対する前記搬送機構の出し入れ位置における
撓み量であるので、より確実に搬送等を行うことができ
る。

【００４２】さらにまた、請求項１１の発明では、検出
手段が、収容カセットに収容された被処理基板の存在を
確認するセンサとしての機能も有するので、１の検出手
段により、効率良く検出を行うことができる。

【００４３】請求項１２乃至１９の発明では、収容カセ
ットに各被処理基板が収容された状態で複数の被処理基
板の厚み及び／又は撓み量を検出するとともに被処理基
板の枚数及び各被処理基板の収容カセット内の収納位置
を検出する検出機構と、この検出機構の検出データに基
づき、搬送機構による前記収容カセットに対する被処理
基板の搬入出位置又は処理部搬送機構による処理部に対
する被処理基板の搬入出位置又は前記処理部内で処理す
る被処理基板の処理位置又は処理部内で処理する被処理
基板の処理時間又は被処理基板が配置される処理部内の
排気量又は被処理基板への処理液の吐出量又は被処理基
板に作用させる雰囲気の内の少なくとも１の実施に係る
被処理基板の垂直方向位置の設定制御及び／又は被処理
基板の処理条件の制御を行う制御機構等を具備している
ので、搬送位置の設定或いは装置内の各種の処理部での
各種処理条件を設定する必要がなく或いは設定の低減化
を図ることが容易となり、その設定に係るメンテナンス
時間の短縮化或いはメンテナンスフリーにより、装置の
稼働率を向上することが可能となる。さらに、被処理基
板の厚さに応じた処理部での処理条件の設定を瞬時に変
更する或いは対応することが可能となり、所望の処理条
件で処理を行うことができるので処理の歩留まりも向上
することが容易となる。

【００４４】さらに、請求項１３の発明では、収容カセ
ットに収納された複数の被処理基板に、厚み及び／又は
撓み量が異なる種類の被処理基板が存在する場合、同一
種ごとに搬送機構により収容カセットから搬送及び／又
は処理部で処理するようになっているので、効率良く搬
送及び／又は処理を行うことができる。

【００４５】また、請求項１４の発明では、処理部は、
被処理体に加熱処理を施す処理部であり、その処理部内
で処理する被処理基板の処理時間は、被処理基板の薄い
ものほど早く処理時間が終了するようになっているの
で、被処理基板に適した処理時間で良好な加熱処理を行
うことができる。

【００４６】また、請求項１５の発明では、処理部は、
被処理体に加熱処理を施す処理部であり、その処理部内
で処理する被処理基板の処理位置は、被処理基板の薄い
ものほど加熱体より離間する位置で処理されるようにな
っているので、被処理基板に適した処理位置で良好な加
熱処理を行うことができる。

【００４７】また、請求項１６の発明では、処理部は、
被処理体を回転して液処理を施す処理部であり、被処理
基板の薄いものほどその処理部内の排気量を低く設定す
るようになっているので、被処理基板に適した排気量で
良好な液処理を行うことができる。

【００４８】また、請求項１７の発明では、処理部は、
被処理体に加熱処理を施す処理部であり、その処理部内
に搬送する被処理基板の垂直方向の位置は、被処理基板
の薄いものほど高い位置に設定されるようになっている
ので、被処理基板に適した搬送位置とすることにより、
良好な加熱処理を行うことができる。

【００４９】また、請求項１８の発明では、被処理基板
に作用させる雰囲気は、検出データに基づき被処理基板
の温度及び湿度がコントロールされ、さらにその流量も
制御されるようになっているので、被処理基板に適した
雰囲気で良好な処理を行うことができる。

【００５０】請求項１９の発明では、被処理基板への処
理液の吐出量は、検出データに基づき設定されるように
なっているので、被処理基板に適した処理液の吐出量で
良好な処理を行うことができる。

【００５１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、図面に基づいて説明する。

【００５２】図１は本発明の一実施形態に係る基板処理
装置としてのＬＣＤ用ガラス基板の塗布・現像装置の平
面図である。

【００５３】この塗布・現像装置の主要部は、被処理基
板としてのガラス基板の搬入出ポートをなす搬入出ユニ
ットＡ、ガラス基板にレジスト液を塗布し、レジスト膜
を形成するための複数の処理部を備えた第１の処理ユニ
ットＢ、露光処理後にガラス基板のレジスト膜を現像処
理するための複数の処理部を備えた第２の処理ユニット
Ｃ及びインタフェース部Ｄから構成されている。

【００５４】インタフェース部Ｄには他の装置として例
えば露光装置Ｅが隣接して配置され、このインタフェー
ス部Ｄを介して第２の処理ユニットＣと露光装置Ｅとの
間でガラス基板Ｇのやりとりが行われるよう構成されて
いる。

【００５５】搬入出ユニットＡは、被処理基板としての
ガラス基板Ｇを収納する収容カセットとしてのキャリア
カセットＣを複数個、例えば４個並べて載置するための
カセット載置部としてのキャリア載置部１と、キャリア
カセットＣ内のガラス基板Ｇを第１の処理ユニットＢと
の間で受け渡すための搬送手段としての搬送機構２とを
備えている。

【００５６】キャリアカセットＣは、複数のガラス基板
Ｇを水平方向例えば水平かつ平行に収納するよう箱体に
より構成され、各ガラス基板Ｇの周縁部例えば四隅と周
辺の所定箇所とを保持している。図２は図１に示した搬
入出ユニットＡの斜視図である。

【００５７】搬送機構２は、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動自在
な搬送部本体３に基板搬送用のピンセット４をＸ方向に
進退自在に設けてなり、ピンセット４をキャリアカセッ
トＣ内に出し入れしてキャリアカセットＣとの間でガラ
ス基板Ｇの受け渡しを行う。受け渡しの際にはキャリア
カセットＣの各段におけるガラス基板Ｇの存在の有無を
後述する制御装置側で把握していることが必要であり、
このため搬送機構２にマッピングセンサ７が設けられて
いる。

【００５８】このマッピングセンサ７は、搬送部本体３
の前面部に取り付けられた発受光部７ａと、進退自在に
構成されたマッピングセンサミラーアーム７ｃに固定配
置され、発受光部７ａからの光を発受光部７ａに向けて
反射するためのキャリアカセットＣの高さに応じた縦長
のミラー７ｂとで構成されている。

【００５９】このマッピングセンサ７は、搬送部本体３
をキャリアカセットＣの上端から下端までのレベルを昇
降してスキャンすることにより、ガラス基板Ｇが収納さ
れている段においてはそのガラス基板Ｇにより光路が遮
られるため、キャリアカセットＣ内の各段のガラス基板
Ｇの有無を検出する役割を果たすことが可能である。さ
らに、このマッピングセンサ７のガラス基板Ｇの有無の
検出データにより、制御装置１８は、搬送部本体３の上
下動する移動量とガラス基板Ｇにより光路が遮られるそ
の時間に基づいてガラス基板Ｇの厚み及び／又は撓み量
（厚さに応じた所定のデータ）を算出可能に構成されて
いる。

【００６０】搬送機構２は、所定のキャリアカセットＣ
内に対向する位置に移動した後既述のようにしてマッピ
ングを行う。そして、後述するように識別子を付与した
後、この識別子に応じて搬送機構２の動作を制御して、
キャリアカセットＣ内から１枚づつガラス基板Ｇを取り
出して第１の処理ユニットＢの処理部搬送機構としての
メインアーム１１に受け渡す。メインアーム１１は、受
け取ったガラス基板Ｇを各処理部に搬送し、図１に示す
ように、第１の処理ユニットＢの複数の処理部例えば洗
浄部Ｂ１、アドヒージョン処理部Ｂ２、冷却処理部Ｂ
３、塗布処理部Ｂ４及び加熱処理部Ｂ５等の処理部に順
次搬送し、ガラス基板Ｇの表面にレジスト膜が塗布形成
される。

【００６１】次に、図２に従って搬入出ユニットＡにお
ける動作を説明する。

【００６２】装置外から被処理基板を収納したキャリア
カセットＣを当該装置に対して搬入出するための自動搬
送ロボットＡＧＶは当該装置のキャリアカセットＣを複
数載置するカセット載置部としてのキャリア載置部１の
ところまで来ると、搬送してきた未処理のガラス基板Ｇ
を複数枚収容したキャリアカセットＣをキャリア載置部
１の載置台１ａ上にセットする。

【００６３】このキャリアカセットＣの内部には厚さの
異なる複数のガラス基板Ｇが水平かつ平行状態で保持さ
れており、キャリアカセットＣの前面側の開口部２０
（図３参照）から一枚ずつ取り出せるようになってい
る。

【００６４】キャリアカセットＣがキャリア載置台１ａ
上にセットされると、搬送機構２が移動してきて一のキ
ャリアカセットＣの前面に対向する位置で停止する。そ
して上述したマッピングの後、搬送機構２はキャリアカ
セットＣ内に収容されたガラス基板Ｇを取り出し、搬送
機構２上に保持した状態で移動し、第１の処理ユニット
Ｂ側に取り付けられた基板搬送用メインアーム１１へ保
持していたガラス基板Ｇを引き渡す。ガラス基板Ｇを受
け取った基板搬送用メインアーム１１は搬送路１２上を
移動し、搬送路１２の左右両側に設けられた処理部Ｂ１
〜Ｂ５の一つの前で停止し、処理部Ｂ１〜Ｂ５にそれぞ
れ設けられた搬入出口Ｘを介して保持していたガラス基
板Ｇを該処理部へ引き渡す。

【００６５】図３は上記キャリアカセットＣの斜視図、
図４はその正面図である。

【００６６】キャリアカセットＣの前面には、開口部２
０が設けられている。キャリアカセットＣの左右の側面
２１の内側には、複数段、例えば９６段の保持部材２２
が等間隔ｄで設けられている。そして、ガラス基板Ｇは
水平にされ左右両端のそれぞれを保持部材２２の上に乗
せた状態で押し込まれ、キャリアカセットＣの奥までス
ライドさせて収容されるようになっている。

【００６７】このキャリアカセットＣ内には、図４に示
すように厚さの異なる複数種類のガラス基板Ｇ）例えば
０．７mmのガラス基板４８枚の群（以下、「Ａ群」とい
う。）が上段側に、１．１mmのガラス基板４８枚の群
（以下、「Ｂ群」という。）が下段側にそれぞれ分けて
収容される。なお、後述する制御装置は、「Ａ群」につ
いてはレシピＮｏ．１〜４８の何れかを付与し、「Ｂ
群」についてはレシピＮｏ．４９〜９６の何れかを付与
する。

【００６８】図５は搬送機構２の構成を示した斜視図で
あり、図６は搬送機構２の平面図である。

【００６９】搬送機構２における搬送部本体３は、回転
軸３１により支持され、モータ３２によりθ方向に回転
自在とされている。また、これら搬送部本体３、回転軸
３１、及びモータ３２は一体的に昇降部３３によりＺ方
向に昇降されるようになっている。さらに、これら搬送
部本体３、回転軸３１、及びモータ３２は一体的にＹ方
向移動機構３４によりＹ方向に移動されるようになって
いる。

【００７０】搬送部本体３には、移動体５が取り付けら
れており、この移動体５は搬送部本体３の表面上に形成
された移動路３ａに沿ってＸ方向に進退可能に取り付け
られており、例えば搬送部本体３内に組み込まれたベル
ト機構やステッピングモータなどにより駆動される。

【００７１】移動体５の前面には、キャリアカセットＣ
内に収容されたガラス基板Ｇを下から掬い上げ、これを
キャリアカセットＣから出し入れするための一対のピン
セット４，４が水平に取り付けられている。

【００７２】ピンセット４の上面にはキャリアカセット
から掬い上げたガラス基板Ｇを吸着・保持するための吸
着口１３が６箇所設けられている。この吸着口１３は後
述する制御装置１８により開閉が制御されるバルブＶ１
とピンセット４内部を通る配管を介して真空ポンプＶＰ
と結合しており、ガラス基板Ｇを載置した状態で搬送す
る際に真空により吸着して位置がずれないように保持す
るよう構成されている。 移動体５の両側には、それぞ
れ左右に伸び出し更に直角に折れ曲がって前方に伸び出
している一対のアーム６，６が設けられている。これら
アーム６は、移動体５に内蔵された駆動機構（図示省
略）により互いに逆方向（Ｙ１方向）に接離するように
構成されている。

【００７３】アーム６の先端部にはキャリアカセットＣ
内のガラス基板Ｇの両側縁を狭圧してガラス基板ＧのＹ
方向の位置と向きとを予備矯正するための押圧ローラＲ
が取り付けられている。

【００７４】ピンセット４の根元付近には長円形の孔１
４が開けられており、この孔１４を介してアライメント
ピン１５がピンセット４の下面に隠れている。アライメ
ントピン１５は長円形の孔１４に沿ってＸ方向に進退可
能であり、後述するアライメントピン１６、及びリフト
ピン１７と相俟ってピンセット４上に載置されたガラス
基板ＧについてＸ方向の向きと位置とを規定する。

【００７５】アライメントピン１６はアライメントピン
１５の進退方向のほぼ延長線上にあり、ガラス基板Ｇ
（図中二点鎖線で示す。）をピンセット４上に載置した
移動体５が搬送部本体３のホームポジションにあるとき
にガラス基板Ｇの図中下端部より外側（図中下側）にく
るような位置に配設されている。これらアライメントピ
ン１５，１６は図６中紙面に垂直な方向（Ｚ方向）に出
没可能に取り付けられており、ガラス基板Ｇのアライメ
ントを行う際にはガラス基板Ｇより高い位置まで突出
し、この状態でアライメントピン１５がＸ方向に移動す
ることにより、このアライメントピン１５とアライメン
トピン１６との間でガラス基板Ｇを挟圧してガラス基板
ＧのＸ方向の向きや位置を矯正する。

【００７６】搬送部本体３上面のほぼ中央部にはリフト
ピン１７が搬送部本体３上面から出没可能に取り付けら
れている。このリフトピン１７は上述したアライメント
を行う際にガラス基板ＧをＺ方向に持ち上げ、ピンセッ
ト４上面との間の摩擦抵抗を軽減してアライメントを行
い易くするとともにガラス基板Ｇの下面とピンセット４
の上面とが擦れてガラス基板Ｇの下面に傷がつくのを防
止する。

【００７７】持ち上げる際のバランスを考慮して、この
リフトピン１７は移動体５が搬送部本体３のホームポジ
ションにあるときにガラス基板Ｇの重心付近を支持する
位置に配設されている。

【００７８】次に、塗布・現像装置を設置場所に設置し
た場合に行う、キャリアカセットＣと搬送機構２との間
の位置を調節する操作について説明する。

【００７９】一般に、塗布・現像装置では、出荷前と出
荷後に設置する際とで、キャリアカセットＣと搬送機構
２との位置が変動する。

【００８０】例えば、塗布・現像装置の製造工程では、
出荷前の段階で一度装置全体を組み立て、載置台１の上
に一種類のガラス基板Ｇ（例えば、厚さ０．７mmのガラ
ス基板）を収容したキャリアカセットＣをセットし、搬
送機構２との間で位置を調節する。

【００８１】この操作は「ポジショニング」と呼ばれ、
搬送機構２のピンセット４の出し入れを行う位置（アク
セス位置）がキャリアカセットＣ内に収容されたガラス
基板Ｇとガラス基板Ｇとの間の丁度中央の位置になるよ
うに調整する。

【００８２】しかし、このように出荷前の段階でポジシ
ョニングを行っても、現実には現場にこの塗布・現像装
置を設置すると、キャリアカセットＣと搬送機構２との
位置関係がずれる場合が多い。

【００８３】そのため、設置後にキャリアカセットＣと
搬送機構２との位置関係が出荷前の状態になるようにす
るため、このズレを解消、即ち、搬送機構２の作動基準
位置を矯正してアクセス位置を設定する。このようにア
クセス位置を設定する作業は「ティーチング」と呼ばれ
る。

【００８４】このティーチングの方法としては、設置後
の搬送機構２とキャリアカセットＣとの位置関係が出荷
前のポジショニングした位置からズレた場合に、このズ
レを解消するのに必要な作動基準位置の移動量と移動方
向とを制御装置１８（図７参照）に入力する方法が挙げ
られる。この制御装置１８は、その主要部としてメモリ
等の記録媒体からなる記憶部１８ａと実質的に制御を司
るＣＰＵ部１８ｂとから構成されている。

【００８５】例えば、出荷前にキャリアカセットＣ内の
ガラス基板Ｇとガラス基板Ｇとの空間に対して中央の位
置にアクセスするようにポジショニングする一方、塗布
・現像装置を設置後、キャリアカセットＣ内のガラス基
板Ｇに対するアクセス位置を確認した結果、設置後では
中央の高さよりも２mmだけ上側に偏った位置にアクセス
したとする。

【００８６】この場合、搬送機構２の作動基準位置が出
荷前の状態に対して上方に２mmズレたのであるから、こ
のズレを矯正するため、搬送機構２の作動基準位置が２
mmだけ下側に移動するように制御装置１８に指示（ティ
ーチング）する。このティーチングにより、搬送機構２
の動作は２mmだけ下側の位置を基準にして行われるた
め、キャリアカセットＣに収容したガラス基板Ｇとガラ
ス基板Ｇとの中央の位置にアクセスするようになる。

【００８７】一方、ポジショニングに用いた第一の群の
ガラス基板Ｇと種類の異なる第二の群のガラス基板Ｇに
ついては、第一の群のガラス基板のアクセス位置に対す
る相対的な位置関係に関するデータを実測或いは計算に
より予め求め、このデータを制御装置１８内の記憶部１
８ａに補正値として記憶しておく。そして、第二の群の
ガラス基板Ｇのアクセス位置については第一の群のガラ
ス基板Ｇのアクセス位置と補正値とからアクセス位置を
決定する。

【００８８】なお、０．７mmのガラス基板と１．１mmの
ガラス基板とが隣接する位置Ｃについては、例えば図８
に示すように０．７mmのガラス基板の撓み量Ｂと１．１
mmのガラス基板の撓み量Ａとの差の１／２として、つま
り Ｃ＝（Ｂ−Ａ）／２ として求めることができる。

【００８９】次に、ガラス基板Ｇの収容されたキャリア
カセットＣからガラス基板Ｇを取り出す動作を説明す
る。

【００９０】図７はそのような一連の動作を模式的に示
した図であり、図９〜図１２は各位置での動作状態を示
す図である。

【００９１】制御装置１８から指令を受けた搬送機構２
は、キャリア載置部１にセットされたキャリアカセット
Ｃの前まで移動し、キャリアカセットＣの前面に対向す
る位置まで来て停止する。

【００９２】次に、搬送機構２の昇降装置３３が作動し
て搬送部本体３をキャリアカセットＣの保持部材２２の
最上段の位置まで移動させる。そして、搬送部本体３に
取り付けられたマッピングセンサミラーアーム７ｃを所
定位置にセットするように伸ばし、受発光部７ａから発
光された光がマッピングセンサミラーアーム７ｃの先端
に取り付けられたミラー７ｂで反射されて再びこの受発
光部７ａに戻るか否かにより各段ごとにガラス基板Ｇの
有無を確認する。このようにガラス基板Ｇの有無を確認
しながら搬送部本体３はキャリアカセットＣの保持部材
２２の下から上にかけて走査する。

【００９３】また、この走査を行う際に、キャリアカセ
ットＣの保持部材２２の最上段から最下段にかけて一段
ずつ順に識別子としてのレシピ番号を付与してゆく。例
えば、最上段の保持部材２２に収容されるガラス基板Ｇ
（１）｛以下、上から第ｎ段目（ｎは自然数）に収容さ
れたガラス基板をＧ（ｎ）で表す。｝のレシピ番号をＮ
０．１とし、順に下方に向って、Ｎｏ．２、Ｎｏ．３、
…Ｎｏ．ｎとし、最下段の保持部材２２に収容されるガ
ラス基板Ｇ（９６）をＮｏ．９６とする。

【００９４】このレシピ番号（識別子）は塗布・現像装
置本体内の制御装置１８内の記憶部１８ａに記憶され、
各レシピ番号はキャリアカセットＣ内の保持部材２２の
位置と対応して記憶される。そのため、レシピ番号が分
かれば、キャリアカセットＣ内のどの保持部材２２に収
容されるべきガラス基板Ｇであるかが分かる。

【００９５】キャリアカセットＣについてガラス基板Ｇ
の有無の確認とレシピ番号付与の作業が完了すると、再
び搬送部本体３がキャリアカセットＣの保持部材２２の
最上段側に移動してＺ方向の位置合わせをした後、最上
段の保持部材２２に保持されたガラス基板Ｇ（１）から
順に取り出しを行う。

【００９６】第１段目即ちレシピ番号Ｎｏ．１のガラス
基板Ｇ（１）を取り出すには、まず図７中の矢印で示
すように、Ｚ方向に移動して位置合わせを行い、ピンセ
ット４の高さがガラス基板Ｇ（１）と第２段目のガラス
基板Ｇ（２）との中央の高さになるように昇降装置３３
を作動させる。

【００９７】同様に第ｎ段目のガラス基板Ｇ（ｎ）を取
り出すには、上記と同様に図中の矢印のように移動体
５の位置合わせを行い、ピンセット４の高さをガラス基
板Ｇ（ｎ＋１）とガラス基板Ｇ（ｎ）との中央の高さに
なるように昇降装置３３を作動させる。ここで、レシピ
Ｎｏ．１〜４８の第一の群のガラス基板Ｇにおけるピン
セット４の高さは、ティーチングにより設定された値に
基づき決定される。

【００９８】また、レシピＮｏ．４９〜９６の第二の群
のガラス基板Ｇにおけるピンセット４の高さは、第一の
群のガラス基板Ｇについての設定結果と補正値とから決
定される。次いで、図中矢印の方向に移動部５を移動
させてピンセット４を挿入した後（図９（ａ））、図中
矢印の方向に移動部５を移動させてガラス基板Ｇ
（ｎ）を掬い上げる（図９（ｂ））。この掬い上げる際
の第一の群のガラス基板Ｇにおけるピンセット４の高さ
は、上述と同様にティーチングにより設定された値に基
づき決定され、第二の群のガラス基板Ｇにおけるピンセ
ット４の高さは、第一の群のガラス基板Ｇについての設
定結果と補正値とから決定される。

【００９９】この状態でＹ方向の位置と向きとについて
プリアライメントを行った後（図１０）、図中矢印の
方向に移動部５を移動させてガラス基板Ｇ（ｎ）を取り
出す（図１１）。

【０１００】そしてこの状態でＸ方向について位置と向
きとについてアライメントを行ってガラス基板Ｇ（ｎ）
の位置を確定した後（図１２）、ピンセット４上にガラ
ス基板を固定し、搬送機構２自体が移動して後続のメイ
ンアーム１１へと搬送する。このように本実施形態の搬
送機構２では、第一の群のガラス基板Ｇについての設定
結果と補正値とから第二の群のガラス基板Ｇについての
アクセス位置を決定しているので、ティーチングについ
ては第一の群のガラス基板Ｇについてのみ行えば良い。
よって、本実施形態の塗布・現像装置のように特にキャ
リアカセットＣを複数備えているような場合には、ティ
ーチング作業を半減でき、その効果は大である。

【０１０１】また、本実施形態では、制御装置は第一の
群のガラス基板ＧにレシピＮｏ．１〜４８を付与し、第
二の群のガラス基板ＧにレシピＮｏ．４９〜９６を付与
しているので、これらのレシピＮｏに基づいてアクセス
位置を制御することができる。 よって、一つのキャリ
アカセットＣ内に厚さの異なる二種類以上のガラス基板
Ｇを収容した場合であっても、簡単な構成でこれらガラ
ス基板ＧをキャリアカセットＣ内から円滑に取り出すこ
とができる。

【０１０２】また、一つのキャリアカセットＣに厚さが
同一種のガラス基板Ｇを収容した場合であってもキャリ
アカセットＣ単位で異なる種類のガラス基板Ｇを収容し
ている場合も同様にそれぞれのキャリアカセットＣ内か
ら円滑にガラス基板Ｇを取り出すことができる。

【０１０３】また、一つのキャリアカセットＣ内に厚さ
の異なる二種類以上のガラス基板Ｇを収容した場合、同
種のガラス基板Ｇの搬送を終了した後、他種のガラス基
板Ｇの搬送を順次取り出す或いはその取り出したものを
同種毎に取り出したキャリアカセットＣ内或いは他のキ
ャリアカセットＣ内も搬入することで同種毎の管理も容
易となり、後述する処理装置での処理条件の設定も煩雑
とはならずかつ円滑に搬送等の所定の処理を行うことが
容易となる。

【０１０４】なお、本発明は上述した実施形態には限定
されない。

【０１０５】例えば、上記実施形態では、同一のガラス
基板Ｇの水平方向における撓み量の相違について言及し
ていないが、厳密にいうとこの点についても検討する必
要がある。即ち、ガラス基板Ｇの撓み量は中央部分で最
大となり、キャリアカセットＣの保持部材２２に近付く
につれて撓み量は小さくなり、通常ピンセット４を出し
入れする位置でのガラス基板Ｇの撓み量は前記最大値よ
り小さい値である。そのため、ピンセット４のアクセス
位置を制御する場合にはこのピンセット４をアクセスす
る位置での撓み量を考慮して行う必要がある。

【０１０６】また、上記実施形態では、厚さがそれぞれ
０．７mmと１．１mmの二種類のガラス基板Ｇを用いる場
合を例にとって説明したが、これに限定されることはな
い。例えば、１．１mmのガラス基板Ｇと０．５mmのガラ
ス基板Ｇを用いたり、或いは、厚さの異なる三種類のガ
ラス基板Ｇを用いたり、硬度の異なる複数種類のガラス
基板Ｇを用いることも可能である。その場合にはガラス
基板Ｇごとに予め求めておいた補正値を用いてアクセス
位置を決定することができる。すなわち、このような場
合においても、１つの種類のガラス基板Ｇについてティ
ーチングすれば、他の種類のガラス基板Ｇについてはテ
ィーチングをする必要がない。

【０１０７】更に、上記実施形態ではＡ群のガラス基板
については従来通りの手作業によりティーチングを行う
場合を例にとって説明したが、例えば搬送機構２のセン
サ７を用いて撓み量を自動的に検出することも可能であ
る。

【０１０８】センサ７によりキャリアカセットＣ内に収
容されたガラス基板Ｇの特定の位置での高さが把握でき
るため、この位置をＸとすると既知の次の式（１）から
ガラス基板Ｇ全体の撓み量が把握できる。

【０１０９】 ｙ＝ｐｘ（ｌ−ｘ）（ｌ² ＋ｌｘ−ｘ² ）／２４ＥＩ…（１） ｙ：撓み、ｐ：一様な分布荷重、ｌ：梁の長さ、ｘ：端
部からの距離、Ｅ：ヤング率、Ｉ：断面２次モーメント また、上記実施形態では、処理装置の載置台にセットし
たキャリアカセットＣと搬送機構２との間でガラス基板
Ｇをやりとりする場合を例にとって説明したが、例えば
処理ユニットＢと後続の露光装置との間に配設されるイ
ンタフェース部ＤのバッファカセットＣと、処理ユニッ
トＢや露光装置との間について用いることも勿論可能で
ある。

【０１１０】また、上述したＬＣＤ用ガラス基板Ｇ以外
にも、例えばシリコンウエハとその処理装置との間につ
いて使用することも可能である。

【０１１１】また、上記実施形態では、搬送機構２の垂
直方向の移動量を調節してキャリアカセットＧに対して
ガラス基板Ｇをやりとりする場合を例にとって説明した
が、図１３に示すように搬送機構２の垂直方向を移動さ
せずにキャリアカセットＧを載置する載置台ＣＢを垂直
方向ＣＺに駆動機構例えばステッピングモーターＭによ
り前述の搬送機構２側を駆動せしめた移動量と同等分の
移動量を移動せしめて対応することも可能である。さら
に、この載置台ＣＢと搬送機構２とを垂直方向に互いに
違う方向に移動せしめ搬送時間を短縮させスループット
を向上せしめることも可能である。

【０１１２】次に、本発明の実施形態を基板処理を行う
処理装置全体として適応する例について述べる。前述の
ようにキャリアカセットＧに収容されているガラス基板
Ｇの種別又はガラス基板Ｇの厚み等を検出できるため、
次のようなことに応用可能となる。最初に図１に示す複
数の処理部Ｂ１〜Ｂ５の内の加熱処理部Ｂ５を例にとっ
て説明を行う。この加熱処理部Ｂ５は、図１４に示すよ
うに、その内部にガラス基板Ｇを加熱処理するための加
熱体として例えばホットプレートＨＰが配置されてお
り、そのホットプレートＨＰに対してガラス基板Ｇを保
持して近接或いは離間させるとともにメインアーム１１
とのガラス基板Ｇを受け渡すための受渡し機構例えば複
数の支持ピンＰが具備されて構成されており、また、加
熱処理部Ｂ５の搬入出口Ｘは、開閉機構、例えばシャッ
タ−Ｓにより開閉自在に構成されている。この加熱処理
部Ｂ５に対してメインアーム１１によりガラス基板Ｇが
搬入されることになるが、ガラス基板Ｇの厚みが異なる
場合、例えば、１．１mmのガラス基板Ｇと０．５mmのガ
ラス基板Ｇが混在していたとする。搬入或いは搬出高さ
位置も同一だとすると、同一の処理時間で双方のガラス
基板Ｇを処理する場合、搬送時間例えば処理部の外から
処理部の処理所定位置にセットするまでの間の搬送時間
も同一であるとすると０．５mmのガラス基板Ｇの方が薄
いためホットプレートＨＰからの輻射熱の影響を受けや
すくなる。したがって、図中でいえば１．１mmのガラス
基板Ｇの受渡し又は搬送高さ位置ｇ2 よりも高い位置例
えば、高さ位置ｇ1 で輻射熱の影響を受けない位置にて
搬入出を行うほうが好ましい。

【０１１３】このような処理部内に搬送するガラス基板
Ｇの垂直方向の位置の制御は、前述したような制御装置
１８の記憶部１８ａに記憶されたデータに基づいて制御
装置１８により支持ピンＰとメインアーム１１とを制御
して行うことかできる。また、搬送高さ位置について説
明したが、搬送高さ位置を変化させずに搬送時間を変化
させても良い。つまり、１．１mmのガラス基板Ｇに比べ
０．５mmのガラス基板Ｇの搬送時間を短くなるように制
御装置１８により支持ピンＰとメインアーム１１とを制
御することも可能となる。

【０１１４】また、図１５に示すように、加熱処理部Ｂ
５での処理において、ホットプレートＨＰから若干離間
させて加熱処理を施す場合、１．１mmのガラス基板Ｇに
比べ０．５mmのガラス基板Ｇの処理位置をＧＰ２だけ高
い位置に異ならせて処理を行いガラス基板Ｇの厚みによ
る処理のバラツキを抑制することも可能となる。

【０１１５】また、これと独立或いは併合して処理時間
の設定を行うことも可能である。つまり、１．１mmのガ
ラス基板Ｇに比べ０．５mmのガラス基板Ｇの処理位置を
短時間にセットすることで、ガラス基板Ｇの厚みによる
処理のバラツキを抑制することも可能となる。制御装置
１８の記憶部１８ａに記憶されたデータに基づいて処理
条件を制御することによりガラス基板Ｇの歩留まりを向
上させることが可能である。

【０１１６】次に、他の処理部として複数の処理部Ｂ１
〜Ｂ５の内の回転して液処理を施す回転液処理部として
の塗布処理部Ｂ４を例にとって説明を行う。この塗布処
理部Ｂ４は、図１６に示すように、その内部にガラス基
板Ｇを載置し例えばモータ等の駆動機構Ｍにより回転さ
せる回転機構としてのスピンチャック６１が配置され、
そのスピンチャック６１の周囲に処理液例えばレジスト
液の飛散を抑制或いは防止する液飛散防止体例えばカッ
プ６２が配置されている。さらに、スピンチャック６１
の下方位置には処理室内を排気するための排気路６３が
設けられており、その排気路６３の途中には処理室内を
所定の排気量で排気するための排気量調節機構例えばバ
タフライバルブ６４が設けられ、このバタフライバルブ
６４は制御装置１８の指示により動作する構成とされて
いる。

【０１１７】また、スピンチャック６１の上方位置には
処理室内に所望の温度及び／又は湿度を調整する温湿度
調整機構６５からの気体、例えばクリーンエアーをフィ
ルタ−Ｆ１を介して所望の流量で雰囲気制御する雰囲気
調整機構Ｕが備えられている。雰囲気調整機構Ｕの温湿
度調整機構６５も制御装置１８の指示により動作する構
成とされている。また、雰囲気調整機構Ｕのフィルター
Ｆ１とスピンチャック６１との間に進退自在に構成され
た、スピンチャック６１上に配置されたガラス基板Ｇの
処理面に処理液例えばレジスト液を所望の量で供給する
ための液供給機構６７のノズル６６が配置するよう構成
されている。この液供給機構６７も制御装置１８の指示
により動作する構成とされている。

【０１１８】このように構成された、制御装置１８の記
憶部１８ａに記憶された各種ガラス基板Ｇの厚さに応じ
たデータに基づいて塗布処理部Ｂ４における処理条件を
制御する一例を下記に説明する。

【０１１９】制御装置１８は、記憶部１８ａに記憶され
た各種ガラス基板Ｇの厚さに応じたデータに基づいて、
スピンチャック６１の回転数、液供給機構６７からの処
理液の吐出液量、雰囲気調整機構Ｕの温度及び／又は湿
度或いは流量の設定、排気量調節機構での排気量の設定
の内の少なくとも一つの処理条件を設定制御させて、適
切な処理を行うことができる。

【０１２０】スピンチャック６１の回転数の制御につい
ては、他の処理条件を変動させない場合１．１mmのガラ
ス基板Ｇに比べ０．５mmのガラス基板Ｇの回転数を低下
させ設定する方が好ましい。これは、厚みの薄い０．５
mmのガラス基板Ｇのほうが１．１mmのガラス基板Ｇに比
べ周囲の温度又は回転による風きりの影響から基板の周
縁部の温度が低下するためで、基板処理面での温度分布
の差が増大するためである。これを解消するためには他
の例として、排気量調節機構での排気量を低下設定して
もよい。また、雰囲気調整機構Ｕの温度及び／又は湿度
の少なくとも一方の設定を変化（例えば、温度上昇、湿
度上昇）せしめて対応或いは雰囲気調整機構Ｕの流量を
低下せしめて対応してもよいし、またそれらの複数の要
因の組み合わせで対応しても良い。

【０１２１】さらに、液供給機構６７からの処理液の吐
出液量についても、ガラス基板Ｇの基板処理面での温度
分布の差等における基板間の調整によっても処理のバラ
ツキを押さえることが可能となる。すなわち、上述した
ように厚みの薄い０．５mmのガラス基板Ｇのほうが１．
１mmのガラス基板Ｇに比べ周囲の温度又は回転による風
きりの影響から基板の周縁部の温度が低下するのでレジ
スト液が硬化するために周縁部まで液がいかない又は周
縁部で不具合が生じる等の現象が生じた際、レジスト液
の吐出液量を増加して対応することも可能である。

【０１２２】一つのキャリアカセットＣ内に厚さの異な
る二種類以上のガラス基板Ｇを収容していた場合、上述
した各処理条件をキャリアカセットＣ内に収納されてい
る順に処理するためにその都度設定しても良いが、更に
好ましくは、同種のガラス基板Ｇの処理を終了した後、
他種のガラス基板Ｇの処理を順次行うことで、種類の数
分だけ処理条件の設定を行えば良いので１枚ずつ処理条
件を設定し直さなくて済むので処理効率を向上すること
ができる。また、同種毎に処理したガラス基板Ｇをキャ
リアカセットＣ内或いは他のキャリアカセットＣ内にも
搬入することで同種毎の管埋も容易となり、処理条件の
設定も煩雑とはならずかつ円滑に搬送等の所定の処理を
行うことが容易となる。

【０１２３】なお、本発明は上述した実施形態には限定
されない。

【０１２４】例えば、処理液にレジスト液を例に挙げた
が、現像液でもよいし純水あるいは揮発性液体でも良い
ことは言うまでもない。また、被処理基板にガラス基板
Ｇを例に掲げたが、半導体ウエハ等の基板でも良い。

【０１２５】

【発明の効果】以上詳述したように、本願発明によれ
ば、例えば一つの収容カセット内に種別の異なる被処理
基板を収容した場合であっても、その種別に応じた簡単
な構成で収容カセット内等から被処理基板を円滑に出し
入れできる搬送装置及びその種別に応じた処理条件を設
定し対応可能とした基板処理装置を提供することができ
る。 また、本発明によれば、一つの収容カセット内に
種別の異なる被処理基板を収容した場合であっても、設
置時のティーチングをできるだけ簡略化でき、納入時の
作業を軽減できる搬送装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る搬送装置を含む処理
装置の全体構成を示す平面図。

【図２】本発明の一実施形態に係る搬送装置を含む処理
装置のキャリアカセット載置部周辺を示す斜視図。

【図３】本発明の一実施形態に係る搬送装置に用いるキ
ャリアカセットの全体構成を示す斜視図。

【図４】本発明の一実施形態に係る搬送装置に用いるキ
ャリアカセットに二種類のガラス基板を収容した状態を
示す正面図。

【図５】本発明の一実施形態に係る搬送装置の全体構成
を示す斜視図。

【図６】本発明の一実施形態に係る搬送装置の平面図。

【図７】本発明の一実施形態に係る搬送装置の動作を示
した図。

【図８】本発明の一実施形態に係る搬送装置におけるア
クセス位置の算出方法を説明するための図。

【図９】本発明の一実施形態に係る搬送装置の動作を示
した図。

【図１０】本発明の一実施形態に係る搬送装置の動作を
示した図。

【図１１】本発明の一実施形態に係る搬送装置の動作を
示した図。

【図１２】本発明の一実施形態に係る搬送装置の動作を
示した図。

【図１３】本発明の一実施形態に係る搬送装置の動作を
示した図。

【図１４】本発明の一実施形態に係る処理部の動作を示
した図。

【図１５】本発明の一実施形態に係る処理部の動作を示
した図。

【図１６】本発明の一実施形態に係る処理部の動作を示
した図。

【図１７】従来の搬送機構とキャリアカセットとの関係
を示した斜視図。

【符号の説明】

１……キャリア載置部 ２……搬送機構 ３……搬送部本体 ４……ピンセット ７……マッピングセンサ １８……制御装置 Ｂ１〜Ｂ５……処理部 Ｃ……キャリアカセット Ｇ……ガラス基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 達也 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 蒲田 英一郎 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の被処理基板を水平方向に収容する
   収容カセットを複数載置するカセット載置部と、 前記収容カセットに収容された各被処理基板を水平方向
   に出し入れする搬送機構と、 前記被処理基板の厚さに応じて前記複数の被処理基板を
   複数の群に分け、各群に属する被処理基板に当該群に属
   する識別子を付与し、当該識別子に基づき前記搬送手段
   による被処理基板の搬送を制御又は収納カセットの垂直
   方向の移動量を制御する制御機構と、 を具備することを特徴とする搬送装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の搬送装置であって、 前記複数の群の内の所定の群ごとに、その群に属する被
   処理基板を選択し搬送することを特徴とする搬送装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の搬送装置であって、 前記被処理基板の厚さに応じる撓み量及び／又は被処理
   基板の厚みは、前記搬送機構に設けられた検出機構で検
   出することを特徴とする搬送機構。
4. 【請求項４】 請求項１記載の搬送装置であって、 前記搬送機構は、被処理基板の厚み又は撓み量に応じて
   垂直方向の移動距離を増加又は減少自在に設定可能に構
   成されていることを特徴とする搬送機構。
5. 【請求項５】 請求項１記載の搬送装置であって、 前記複数の群の内の所定の群ごとに、その群に属する被
   処理基板を選択し順次搬出し、搬出した順に前記収容カ
   セットに搬入することを特徴とする搬送装置。
6. 【請求項６】 種別の異なる複数の被処理基板を水平方
   向に収容する収容カセットを載置するカセット載置部
   と、 前記収容カセットに収容された各被処理基板を水平方向
   に出し入れする搬送機構と、 前記種別の異なる被処理基板における出し入れ位置の間
   の相対的な位置関係を記憶する記憶手段と、 少なくとも一の種類の前記被処理基板に対する出し入れ
   位置を設定する設定手段と、 前記相対的な位置関係及び前記設定された出し入れ位置
   に基づき、残りの種類の前記被処理基板に対する出し入
   れ位置を決定する決定手段と、 前記設定手段による設定結果及び前記決定手段による決
   定結果に基づき、前記搬送機構による被処理基板の搬送
   又は収納カセットの垂直方向の移動量を制御する制御機
   構と、 を具備することを特徴とする搬送装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の搬送装置であって、 前記設定手段及び前記決定手段は、前記搬送機構が収容
   カセットに収容された被処理基板の上下間に形成される
   空間の中央の高さで被処理基板の出し入れを行うよう、
   出し入れ位置を設定及び決定することを特徴とする搬送
   装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の搬送装置であって、 前記設定手段及び前記決定手段は、上下の被処理基板の
   種別が異なる場合には上下の被処理基板の撓み量の平均
   値によって前記被処理基板の上下間に形成される空間の
   中央の高さを規定することを特徴とする搬送装置。
9. 【請求項９】 種別の異なる複数の被処理基板を水平方
   向に収容する収容カセットを載置するカセット載置部
   と、 前記収容カセットに収容された各被処理基板を水平方向
   に出し入れする搬送機構と、 前記収容カセットに収容された前記被処理基板の撓み量
   を各種別毎に算出する算出手段と、 前記算出手段による算出結果に基づき、前記種別の異な
   る被処理基板の各出し入れ位置を決定する決定手段と、 前記決定手段による決定結果に基づき、前記搬送手段に
   よる被処理基板の搬送又は収納カセットの垂直方向の移
   動量を制御する制御機構と、 を具備することを特徴とする搬送装置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の搬送装置であって、 前記収容カセットに収容された前記被処理基板の撓み量
    は、前記収容カセッ卜に収容された各被処理基板におけ
    る特定位置の撓み量を検出機構により検出し、その検出
    された特定位置の撓み量に基づいて求められた、前記収
    容カセットに収容された前記被処理基板に対する前記搬
    送機構の出し入れ位置における撓み量であることを特徴
    とする搬送装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の搬送装置であって、 前記検出手段が、前記収容カセットに収容された被処理
    基板の存在を確認するセンサとしての機能も有すること
    を特徴とする搬送装置。
12. 【請求項１２】 被処理基板に垂直方向の位置を設定せ
    しめて所定の処理を施す複数の処理部と、 複数の被処理基板を水平方向に収容する収容カセットを
    載置するカセット載置部と、 前記収容カセットに収容された各被処理基板を水平方向
    に出し入れする搬送機構と、 この搬送機構を介して前記被処理基板を受け取って前記
    複数の処理部に対して被処理基板を搬送する処理部搬送
    機構と、 前記収容カセットに各被処理基板が収容された状態で前
    記複数の被処理基板の厚み及び／又は撓み量を検出する
    とともに前記被処理基板の枚数及び各前記被処理基板の
    収容カセット内の収納位置を検出する検出機構と、 この検出機構の検出データに基づき、 前記搬送機構による前記収容カセットに対する被処理基
    板の搬入出位置、 又は処理部搬送機構による前記処理部に対する被処理基
    板の搬入出位置、 又は前記処理部内で処理する被処理基板の処理位置、 又は前記処理部内で処理する被処理基板の処理時間、 又は前記被処理基板が配置される処理部内の排気量、 又は被処理基板への処理液の吐出量、 又は被処理基板に作用させる雰囲気、の内の少なくとも
    １の実施に係る被処理基板の垂直方向位置の設定制御及
    び／又は被処理基板の処理条件の制御を行う制御機構
    と、 を具備することを特徴とする基板処理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載の基板処理装置であっ
    て、 前記収容カセットに収納された複数の被処理基板に、厚
    み及び／又は撓み量が異なる種類の被処理基板が存在す
    る場合、同一種ごとに前記搬送機構により前記収容カセ
    ットから搬送及び／又は前記処理部で処理することを特
    徴とする基板処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項１２記載の基板処理装置であっ
    て、 前記処理部は、被処理体に加熱処理を施す処理部であ
    り、その処理部内で処理する被処理基板の処理時間は、
    被処理基板の薄いものほど早く処理時間が終了すること
    を特徴とする基板処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項１２記載の基板処理装置であっ
    て、 前記処理部は、被処理体に加熱処理を施す処理部であ
    り、その処理部内で処理する被処理基板の処理位置は、
    被処理基板の薄いものほど加熱体より離間する位置で処
    理されることを特徴とする基板処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項１２記載の基板処理装置であっ
    て、 前記処理部は、被処理体を回転して液処理を施す処理部
    であり、被処理基板の薄いものほどその処理部内の排気
    量を低く設定することを特徴とする基板処理装置。
17. 【請求項１７】 請求項１２記載の基板処理装置であっ
    て、 前記処理部は、被処理体に加熱処理を施す処理部であ
    り、その処理部内に搬送する被処理基板の垂直方向の位
    置は、被処理基板の薄いものほど高い位置に設定される
    ことを特徴とする基板処理装置。
18. 【請求項１８】 請求項１２記載の基板処理装置であっ
    て、 前記被処理基板に作用させる雰囲気は、前記検出データ
    に基づき被処理基板の温度及び湿度がコントロールさ
    れ、さらにその流量も制御されることを特徴とする基板
    処理装置。
19. 【請求項１９】 請求項１２記載の基板処理装置であっ
    て、 前記被処理基板への処理液の吐出量は、前記検出データ
    に基づき設定されることを特徴とする基板処理装置。