JPH11339711A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH11339711A JPH11339711A JP14902598A JP14902598A JPH11339711A JP H11339711 A JPH11339711 A JP H11339711A JP 14902598 A JP14902598 A JP 14902598A JP 14902598 A JP14902598 A JP 14902598A JP H11339711 A JPH11339711 A JP H11339711A
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- JP
- Japan
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- substrate
- ion implantation
- slit
- ion
- ion beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】１枚の基板の面内に異なるイオン注入量の領域
を形成するに適したイオン注入装置を提供すること 【解決手段】真空中に設けた基板３にイオン源１からの
イオンビーム４を一方向へスキャンして該基板にイオン
注入する装置に於いて、該基板の前方に、該イオンビー
ムが該基板の面内へ入射する領域を可変制御する入射領
域制御スリット８を設けた。入射領域制御スリット８は
一定開口面積のスリット１１と該スリットの開口面積を
減縮制御するシャッター１２とで構成される。
を形成するに適したイオン注入装置を提供すること 【解決手段】真空中に設けた基板３にイオン源１からの
イオンビーム４を一方向へスキャンして該基板にイオン
注入する装置に於いて、該基板の前方に、該イオンビー
ムが該基板の面内へ入射する領域を可変制御する入射領
域制御スリット８を設けた。入射領域制御スリット８は
一定開口面積のスリット１１と該スリットの開口面積を
減縮制御するシャッター１２とで構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス用
等の基板の表面改質のためにイオンを注入するイオン注
入装置に関する。
等の基板の表面改質のためにイオンを注入するイオン注
入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、イオン注入装置として、図１乃至
図３に示すように、真空中に設けた昇降自在の基板ホル
ダーａにシリコンウエハなどの基板ｂを固定し、イオン
源ｃから導出されるＢやＰなどのイオンビームｄをビー
ム制限スリットｅを介して該基板ｂに照射する構成のも
のが知られている。イオンビームはその注入中、一方向
に静電或いは磁場によりスキャンされ、該基板ホルダー
ａを昇降ロッドｆにより適当な速度で昇降させることに
より該基板ｂの面内に均一なイオン注入量でイオンが注
入される。該イオンビームｄはイオン源ｃから基板ｂに
到達するまでの間に多少とも拡散して周辺構造物に衝突
し、その衝突で発生した異物が基板ｂに入射してしまう
不都合を生じ、また、イオンビームｄの拡散のために基
板ｂの面内端部にイオンが注入過多になり面内のイオン
注入量が均一にならない不都合を生じるが、これらの不
都合を解消するため、ビーム制限スリットｅを設けてこ
れで発生した該異物を捕捉すると共に面内端部へのイオ
ンビームをカットしている。
図３に示すように、真空中に設けた昇降自在の基板ホル
ダーａにシリコンウエハなどの基板ｂを固定し、イオン
源ｃから導出されるＢやＰなどのイオンビームｄをビー
ム制限スリットｅを介して該基板ｂに照射する構成のも
のが知られている。イオンビームはその注入中、一方向
に静電或いは磁場によりスキャンされ、該基板ホルダー
ａを昇降ロッドｆにより適当な速度で昇降させることに
より該基板ｂの面内に均一なイオン注入量でイオンが注
入される。該イオンビームｄはイオン源ｃから基板ｂに
到達するまでの間に多少とも拡散して周辺構造物に衝突
し、その衝突で発生した異物が基板ｂに入射してしまう
不都合を生じ、また、イオンビームｄの拡散のために基
板ｂの面内端部にイオンが注入過多になり面内のイオン
注入量が均一にならない不都合を生じるが、これらの不
都合を解消するため、ビーム制限スリットｅを設けてこ
れで発生した該異物を捕捉すると共に面内端部へのイオ
ンビームをカットしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来は基
板の面内に均一になるようにイオン注入しているが、近
時は半導体用基板が大口径化して高価になっており、例
えば半導体試作工程などのイオン注入量を各種に変えた
基板を多数消費する工程などでは基板を有効利用してそ
の消費量を削減することの要望がある。こうした要望を
満足するには、１枚の基板の面内にイオン注入量が異な
る領域を形成することが有利である。
板の面内に均一になるようにイオン注入しているが、近
時は半導体用基板が大口径化して高価になっており、例
えば半導体試作工程などのイオン注入量を各種に変えた
基板を多数消費する工程などでは基板を有効利用してそ
の消費量を削減することの要望がある。こうした要望を
満足するには、１枚の基板の面内にイオン注入量が異な
る領域を形成することが有利である。
【０００４】本発明は、１枚の基板の面内に異なるイオ
ン注入量の領域を形成するに適したイオン注入装置を提
供することを目的とするものである。
ン注入量の領域を形成するに適したイオン注入装置を提
供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、真空中に設
けた基板にイオン源からのイオンビームを一方向へスキ
ャンして該基板にイオン注入する装置に於いて、該基板
の前方に、該イオンビームが該基板の面内へ入射する領
域を制御する入射領域制御スリットを設けることによ
り、上記目的を達成するようにした。該基板は該イオン
ビームのスキャン方向と交叉した方向に往復移動する基
板ホルダーに取り付けることが好ましい。また、該入射
領域制御スリットを一定開口面積のスリットと該スリッ
トの開口面積を減縮制御するシャッターとで構成するこ
とが有利である。
けた基板にイオン源からのイオンビームを一方向へスキ
ャンして該基板にイオン注入する装置に於いて、該基板
の前方に、該イオンビームが該基板の面内へ入射する領
域を制御する入射領域制御スリットを設けることによ
り、上記目的を達成するようにした。該基板は該イオン
ビームのスキャン方向と交叉した方向に往復移動する基
板ホルダーに取り付けることが好ましい。また、該入射
領域制御スリットを一定開口面積のスリットと該スリッ
トの開口面積を減縮制御するシャッターとで構成するこ
とが有利である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図４に基づ
き説明すると、同図に於いて符号１はイオン注入装置の
真空室２内に設けたイオン源、３は該イオン源１から引
き出されたイオンビーム４の照射を受けてイオン注入処
理が施されるシリコンウエハ等の基板を示す。該イオン
ビーム４はそのビーム経路の途中に設けられたスキャナ
５により一方向例えば紙面方向へスキャンされ、該基板
３は図５に示すような上下動軸６により該スキャン方向
と交叉した方向へ昇降自在の基板ホルダー７に着脱可能
に固定される。
き説明すると、同図に於いて符号１はイオン注入装置の
真空室２内に設けたイオン源、３は該イオン源１から引
き出されたイオンビーム４の照射を受けてイオン注入処
理が施されるシリコンウエハ等の基板を示す。該イオン
ビーム４はそのビーム経路の途中に設けられたスキャナ
５により一方向例えば紙面方向へスキャンされ、該基板
３は図５に示すような上下動軸６により該スキャン方向
と交叉した方向へ昇降自在の基板ホルダー７に着脱可能
に固定される。
【０００７】こうした構成は従来のイオン注入装置と略
同様であり、イオンビーム４をスキャンしながら基板３
を昇降させれば、該基板３の面内に均一にイオン注入す
ることができる。しかし、この構成では前記した要望を
満足するために基板３の面内に異なるイオン注入量で注
入分けすることはできない。そこで本発明では、該基板
３の前方に入射領域制御スリット８を設け、該スリット
８により該イオンビーム４が基板３の面内に入射する領
域を制御するようにした。
同様であり、イオンビーム４をスキャンしながら基板３
を昇降させれば、該基板３の面内に均一にイオン注入す
ることができる。しかし、この構成では前記した要望を
満足するために基板３の面内に異なるイオン注入量で注
入分けすることはできない。そこで本発明では、該基板
３の前方に入射領域制御スリット８を設け、該スリット
８により該イオンビーム４が基板３の面内に入射する領
域を制御するようにした。
【０００８】該入射領域制御スリット８は、該イオンビ
ーム４の経路を横断して設けた非金属製のプレート９に
該イオンビーム４のスキャン方向に延びる一定面積の開
口１０を形成したスリット１１と、該開口１０の実質的
な開口面積を減縮制御するシャッター１２とで構成さ
れ、該シャッター１２は、図５に示すように、螺桿１３
の回転により該開口１０の片側に沿って開口が延びる方
向へ直線的に往復移動する直線移動式に構成し、或いは
図６に示すように回転式のシャッターで構成してもよ
い。
ーム４の経路を横断して設けた非金属製のプレート９に
該イオンビーム４のスキャン方向に延びる一定面積の開
口１０を形成したスリット１１と、該開口１０の実質的
な開口面積を減縮制御するシャッター１２とで構成さ
れ、該シャッター１２は、図５に示すように、螺桿１３
の回転により該開口１０の片側に沿って開口が延びる方
向へ直線的に往復移動する直線移動式に構成し、或いは
図６に示すように回転式のシャッターで構成してもよ
い。
【０００９】図示の実施例の作動を説明すると、まず該
真空室２内を真空に排気し、イオン源１を作動させてＰ
イオン等のイオンビーム４を導出する。そして、該イオ
ンビーム４をスキャンするとともに基板３を取り付けた
基板ホルダー７を昇降させると該基板３の面内にイオン
が注入されるが、この注入時間中、基板ホルダー７の昇
降速度を一定とし、その注入時間中の一時期は図５、図
６のようにシャッター１２で開口１０の半分を閉じ、残
りの時間を全開するようにしておくと、基板３の半分の
面内のイオン注入量が他の半分の面内と異ならせること
ができる。これに加えて、昇降速度をイオン注入時間の
前半と後半で異ならせると、基板３の４象限でそれぞれ
イオン注入量を異ならせることができる。これによって
半導体の試作工程などでイオン注入量を各種に変えた多
数の基板を必要とする場合、基板の枚数を節約すること
ができ、試作費が安価になり試作時間も短縮できる。
尚、図６の回転式シャッター１２の場合、シャッター回
転数をイオン注入中に変えることで面内のイオン注入量
を異ならせることができる。また、シャッター１２の移
動位置を調節することで、任意面積に注入多寡領域を区
分できる。
真空室２内を真空に排気し、イオン源１を作動させてＰ
イオン等のイオンビーム４を導出する。そして、該イオ
ンビーム４をスキャンするとともに基板３を取り付けた
基板ホルダー７を昇降させると該基板３の面内にイオン
が注入されるが、この注入時間中、基板ホルダー７の昇
降速度を一定とし、その注入時間中の一時期は図５、図
６のようにシャッター１２で開口１０の半分を閉じ、残
りの時間を全開するようにしておくと、基板３の半分の
面内のイオン注入量が他の半分の面内と異ならせること
ができる。これに加えて、昇降速度をイオン注入時間の
前半と後半で異ならせると、基板３の４象限でそれぞれ
イオン注入量を異ならせることができる。これによって
半導体の試作工程などでイオン注入量を各種に変えた多
数の基板を必要とする場合、基板の枚数を節約すること
ができ、試作費が安価になり試作時間も短縮できる。
尚、図６の回転式シャッター１２の場合、シャッター回
転数をイオン注入中に変えることで面内のイオン注入量
を異ならせることができる。また、シャッター１２の移
動位置を調節することで、任意面積に注入多寡領域を区
分できる。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、イオ
ン注入装置内に設けた基板の前方に、イオンビームが該
基板の面内へ入射する領域を可変制御する入射領域制御
スリットを設けたので、１枚の基板の面内にイオン注入
量を異ならせてイオン注入することができ、半導体試作
工程で消費される基板の枚数を節約できるとともに短時
間で各種イオン注入量を注入できる等の効果がある。
ン注入装置内に設けた基板の前方に、イオンビームが該
基板の面内へ入射する領域を可変制御する入射領域制御
スリットを設けたので、１枚の基板の面内にイオン注入
量を異ならせてイオン注入することができ、半導体試作
工程で消費される基板の枚数を節約できるとともに短時
間で各種イオン注入量を注入できる等の効果がある。
【図１】従来のイオン注入装置の側面図
【図２】図１の左側面図
【図３】図１の平面図
【図４】本発明の実施の形態の側面図
【図５】図４の要部の斜視図
【図６】本発明の他の実施の形態の斜視図
１ イオン源、３ 基板、４ イオンビーム、７ 基板
ホルダー、８ 入射領域制御スリット、１０ 開口、１
１ スリット、１２ シャッター、
ホルダー、８ 入射領域制御スリット、１０ 開口、１
１ スリット、１２ シャッター、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西橋 勉 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 木村 伸昭 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 樫本 和浩 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】真空中に設けた基板にイオン源からのイオ
ンビームを一方向へスキャンして該基板にイオン注入す
る装置に於いて、該基板の前方に、該イオンビームが該
基板の面内へ入射する領域を可変制御する入射領域制御
スリットを設けたことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】上記基板を上記イオンビームのスキャン方
向と交叉した方向に往復移動する基板ホルダーに取り付
けたことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装
置。 - 【請求項３】上記入射領域制御スリットを一定開口面積
のスリットと該スリットの開口面積を減縮制御するシャ
ッターとで構成したことを特徴とする請求項１に記載の
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14902598A JPH11339711A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14902598A JPH11339711A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11339711A true JPH11339711A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15466032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14902598A Pending JPH11339711A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11339711A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084713A3 (en) * | 2001-04-11 | 2003-03-13 | Varian Semiconductor Equipment | Occluding beamline ion implanter |
| JP2003086530A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sony Corp | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
| US6777695B2 (en) | 2002-07-12 | 2004-08-17 | Varian Semiconductors Equipment Associates, Inc. | Rotating beam ion implanter |
| US6791097B2 (en) | 2001-01-18 | 2004-09-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Adjustable conductance limiting aperture for ion implanters |
| JP2007163640A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法及び製造装置 |
| US7964856B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-06-21 | Ihi Corporation | Ion implanting apparatus |
| JP2011210721A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Advanced Ion Beam Technology Inc | 可変開口を利用したイオン注入方法と注入機 |
| CN113571401A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-10-29 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 狭缝组件及离子注入机台 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP14902598A patent/JPH11339711A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791097B2 (en) | 2001-01-18 | 2004-09-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Adjustable conductance limiting aperture for ion implanters |
| WO2002084713A3 (en) * | 2001-04-11 | 2003-03-13 | Varian Semiconductor Equipment | Occluding beamline ion implanter |
| JP2003086530A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sony Corp | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
| US6777695B2 (en) | 2002-07-12 | 2004-08-17 | Varian Semiconductors Equipment Associates, Inc. | Rotating beam ion implanter |
| JP2007163640A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法及び製造装置 |
| US7964856B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-06-21 | Ihi Corporation | Ion implanting apparatus |
| JP2011210721A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Advanced Ion Beam Technology Inc | 可変開口を利用したイオン注入方法と注入機 |
| US8669539B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-03-11 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Implant method and implanter by using a variable aperture |
| US9057129B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-06-16 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Implant method and implanter by using a variable aperture |
| CN113571401A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-10-29 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 狭缝组件及离子注入机台 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050427 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070518 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070518 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071004 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071016 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20071213 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090609 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20091020 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |