JP2003249189A - イオン注入法 - Google Patents

イオン注入法

Info

Publication number
JP2003249189A
JP2003249189A JP2002049228A JP2002049228A JP2003249189A JP 2003249189 A JP2003249189 A JP 2003249189A JP 2002049228 A JP2002049228 A JP 2002049228A JP 2002049228 A JP2002049228 A JP 2002049228A JP 2003249189 A JP2003249189 A JP 2003249189A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion implantation
semiconductor substrate
ion
slit
ion beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002049228A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Mikami
等 三上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP2002049228A priority Critical patent/JP2003249189A/ja
Publication of JP2003249189A publication Critical patent/JP2003249189A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体基板へイオン注入するにあたり半導体
基板の他の部分には条件を満足しない状態でのイオン注
入を阻止するイオン注入法の提供。 【解決手段】 被イオン注入半導体基板前面にスリット
形状の穴を有する遮蔽板を設ける。スリット巾はイオン
ビーム偏向位置からスリットまでの距離をLとするスリ
ットの巾は0.017L以下とする。イオン注入時、あるいは
イオン注入後、順次被イオン注入半導体基板を水平方向
に平行移動させることである。このことにより遮蔽版に
よりイオン注入が妨げられていた部分に順次イオン注入
する事が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオン注入方法に関する
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決すべき課題】解決すべき課
題は２つある。イオン注入により形成する不純物井戸を
任意な形状に形成するには面チャネリング現象を利用す
ることが必要である。面チャネリング現象を利用するた
めには基板へのイオン入射角度の許容範囲は極めて小さ
く、面チャネリング現象を応用するための該当結晶面に
0.5０以内の平行性を保ってイオン注入する必要があ
る。一方その該当結晶面に平行であれば角度広がりは5
０程度まで許容できる。つまり結晶基板に0.5０以内の
注入角度の精度を達成することが必要となる。しかし従
来の全面照射によるイオン注入方法では、半導体基板の
一部分にのみ条件を満足するイオン注入を行なうことが
可能であるが他の部分は条件を満足しないイオン注入が
行なわれることとなる。つまり半導体基板の他の部分に
は条件を満足しない状態でのイオン注入を阻止しなけれ
ばならない。これが第１の課題である。
【０００３】第２の課題は第１の課題を克服した上で面
チャネリング現象を応用するための該当結晶面に0.5０
以内の平行性を保ち半導体基板全面にイオン注入を行な
うことである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の課題を克服するた
めの手段は、被イオン注入半導体基板前面にスリット形
状の穴を有する遮蔽板を設けることである。スリット巾
はイオンビーム偏向位置からスリットまでの距離をLと
するとスリットの巾は0.017L以下とする。イオンビーム
の偏向位置と半導体基板の距離が2ｍである場合、スリ
ットの巾を２ｃｍとするとスリットの短辺方向のイオン
ビーム角度拡がりの角度は0.57０となり、スリット中心
部へのイオンビーム進入角度が、面チャネリング現象を
応用するための当該結晶面に平行であれば、スリットの
短辺方向の端部へのイオン注入角度の差は0.29０以内と
なり本発明第１の課題を克服できる。
【０００５】第２の課題を克服するための手段は、本発
明第１の課題を克服した上でイオン注入時、あるいはイ
オン注入後、順次被イオン注入半導体基板を水平方向に
平行移動させることである。このことにより遮蔽版によ
りイオン注入が妨げられていた部分に順次イオン注入す
る事が可能となり第２の課題が克服される。
【作用】本発明のイオン注入法及び器具を用いることに
より、従来不可能であった面チャネリング現象を半導体
基板全面に生じさせたイオン注入を達成することが出来
る。
【０００６】
【実施例】本発明によるイオン注入の形状を図により説
明する。第1図は従来のイオン注入の概略図である。左
側に位置する半導体基板はイオンビームの進入方向に対
し垂直な角度から数度〜十度程度傾けた角度で保持され
ている。
【０００７】イオンビームは偏向版によって左右、上下
に振られている。そのためイオン注入される半導体基板
の各位置でのイオン進入角度は同一ではない。
【０００８】次に本発明によるイオン注入を第2図を用
いて説明する。第２図４に示したのはイオン注入ビーム
を阻止するためのスリット状穴を有する遮蔽板である。
この遮蔽板によって、左右、上下に振られたイオンビー
ムはスリット状穴を通り抜けた部分を除き基板には到達
しない。
【０００９】一方半導体基板に到達したイオンビームの
横方向イオン注入角度は面チャネリング現象を応用する
ための当該結晶面に0.5０以内の平行性を保ってほぼ均
一なものとなる。このことにより面チャネリング現象を
半導体基板に生じさせるイオン注入条件を半導体基板の
スリット状穴をイオンが通り抜けた部分に達成すること
が出来る。
【００１０】次に半導体基板全面にイオン注入を行なう
方法を第3図を用いて説明する。半導体基板の角度を変
化させずイオンビームとの距離を保ち水平方向に移動さ
せスリットから通過したイオンビームを全面に照射す
る。
【００１１】
【発明の効果】不純物井戸を任意な形状に形成するため
に必要な面チャネリング現象を利用するためイオン注入
条件をクリアして半導体基板全面にイオン注入を行なう
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
」
【図１】 従来のイオン注入概略図
【図２】 被イオン注入半導体基板前面にスリット形状
の穴を有する遮蔽板を設けたイオン注入概略図
【図３】 本発明によるイオン注入概略図
【符号の説明】
１ 半導体基板 2 イオンビームと進行方向 3 イオンビーム垂直、水平偏向版 4 スリット形状開口部を有したイオンビーム遮蔽板 5 半導体基板並行移動方向 6 イオンビーム偏向方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/266 Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｍ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板へイオン注入するにあたり半
    導体基板と入射イオンビームの間にイオン注入を部分的
    に阻止するためのスリット形状の穴を設けた金属板を設
    置することを特徴とするイオン注入法
  2. 【請求項２】 本特許請求範囲第1項の条件を満たした
    イオン注入条件で、半導体基板を平行に移動させる方法
JP2002049228A 2002-02-26 2002-02-26 イオン注入法 Pending JP2003249189A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002049228A JP2003249189A (ja) 2002-02-26 2002-02-26 イオン注入法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002049228A JP2003249189A (ja) 2002-02-26 2002-02-26 イオン注入法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003249189A true JP2003249189A (ja) 2003-09-05

Family

ID=28661797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002049228A Pending JP2003249189A (ja) 2002-02-26 2002-02-26 イオン注入法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003249189A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732770B1 (ko) 2006-02-13 2007-06-27 주식회사 하이닉스반도체 불균일 이온 주입 장비 및 방법
JP2007163640A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置の製造方法及び製造装置
WO2012033697A3 (en) * 2010-09-08 2012-07-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Using beam blockers to perform a patterned implant of a workpiece
KR20170108841A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 이온주입방법 및 이온주입장치

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007163640A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置の製造方法及び製造装置
KR100732770B1 (ko) 2006-02-13 2007-06-27 주식회사 하이닉스반도체 불균일 이온 주입 장비 및 방법
US7488959B2 (en) 2006-02-13 2009-02-10 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus and method for partial ion implantation
WO2012033697A3 (en) * 2010-09-08 2012-07-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Using beam blockers to perform a patterned implant of a workpiece
US8461556B2 (en) 2010-09-08 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Using beam blockers to perform a patterned implant of a workpiece
KR20170108841A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 이온주입방법 및 이온주입장치
JP2017174850A (ja) * 2016-03-18 2017-09-28 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入方法およびイオン注入装置
US10453689B2 (en) 2016-03-18 2019-10-22 Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. Ion implantation method and ion implantation apparatus
KR102282355B1 (ko) * 2016-03-18 2021-07-28 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 이온주입방법 및 이온주입장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0897594B1 (en) Control of junction depth and channel length using generated interstitial gradients to oppose dopant diffusion
JP3851744B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7394078B2 (en) Technique for ion beam angle spread control for advanced applications
WO2002019374A3 (en) Methods and apparatus for adjusting beam parallelism in ion implanters
TWI395251B (zh) 帶狀離子束植入機系統、架構及離子植入工件之方法
US7820985B2 (en) High tilt implant angle performance using in-axis tilt
WO2009139037A1 (ja) 荷電粒子ビーム照射装置
JP2004207571A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及びステンシルマスク
JP2022512365A (ja) 別個の共線形ラジカル及びイオンを提供する、走査された角度付きエッチング装置及び技術
JP2003249189A (ja) イオン注入法
CN103117212B (zh) 用于复杂结构半导体器件的激光退火方法
JP2007200896A (ja) イオン注入システム及びこれを用いたイオン注入方法
TW201447980A (zh) 處理基板的方法與圖案化基板的方法
JP2008034384A (ja) イオンビームガイドチューブ
JPS5950531A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US7807978B2 (en) Divergent charged particle implantation for improved transistor symmetry
US7052981B2 (en) Ion implantation method
JP4580886B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7253072B2 (en) Implant optimization scheme
EP1517727A1 (fr) Dispositif d'irradiation d'une cible par un faisceau de hadrons charges, application a la hadrontherapie
KR100562628B1 (ko) 반도체소자의 이온주입 방법
KR960004820Y1 (ko) 포토레지스트 패턴 구조
JPS6276617A (ja) 半導体装置の製造方法
KR101076778B1 (ko) 이온 주입용 배리어 웨이퍼 및 이를 이용한 이온 주입 방법
JPH06150874A (ja) イオン注入方法及びイオン注入装置