JPH11339695A - 光源用表示管 - Google Patents
光源用表示管Info
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- JPH11339695A JPH11339695A JP14765798A JP14765798A JPH11339695A JP H11339695 A JPH11339695 A JP H11339695A JP 14765798 A JP14765798 A JP 14765798A JP 14765798 A JP14765798 A JP 14765798A JP H11339695 A JPH11339695 A JP H11339695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- display tube
- chip
- phosphor
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造時におけるカソードの取り扱いを容易に
し、フィラメントカソードを用いることなく実現可能と
する。 【解決手段】 外囲器内に、電界放出素子を有する複数
のチップ5が設置され、各チップ5は、蛍光体領域8の
それぞれに対向して配置されている。
し、フィラメントカソードを用いることなく実現可能と
する。 【解決手段】 外囲器内に、電界放出素子を有する複数
のチップ5が設置され、各チップ5は、蛍光体領域8の
それぞれに対向して配置されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数画素を備えた
光源用表示管に関し、特に大画面表示装置に使用される
光源用表示管に関するものである。
光源用表示管に関し、特に大画面表示装置に使用される
光源用表示管に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、屋外等で使用される大画面表
示装置の中には、複数の光源用表示管を密集配置し、各
光源用表示管の点灯/消灯を制御することにより、文字
や画像を表示させるものがある。
示装置の中には、複数の光源用表示管を密集配置し、各
光源用表示管の点灯/消灯を制御することにより、文字
や画像を表示させるものがある。
【0003】図8は、一般的な光源用表示管の外観を示
す斜視図である。同図に示すように、光源用表示管の外
観は、ガラス基板1とスペーサガラス2とフロントガラ
ス3とによって気密封止された外囲器によって構成され
ている。この外囲器の内部は真空状態になっており、外
囲器の外には電源との接続および制御信号の供給等のた
め、金属端子20が複数突出している。
す斜視図である。同図に示すように、光源用表示管の外
観は、ガラス基板1とスペーサガラス2とフロントガラ
ス3とによって気密封止された外囲器によって構成され
ている。この外囲器の内部は真空状態になっており、外
囲器の外には電源との接続および制御信号の供給等のた
め、金属端子20が複数突出している。
【0004】また、フロントガラス3は、透光性を有す
るガラス基板によって形成され、その内側には画素21
毎に蛍光体が塗布されている。したがって、動作時にお
いてはこのガラス基板3が表示面となり、各画素の点灯
/消灯を制御することにより画像や文字を表示させるこ
とができる。このときの制御は、上記の金属端子20に
印加する電圧によって行われる。また、画素21毎に蛍
光体の種類を変えてRGBの発光色を得られるようにし
ておけば、カラー表示を行うこともできる。
るガラス基板によって形成され、その内側には画素21
毎に蛍光体が塗布されている。したがって、動作時にお
いてはこのガラス基板3が表示面となり、各画素の点灯
/消灯を制御することにより画像や文字を表示させるこ
とができる。このときの制御は、上記の金属端子20に
印加する電圧によって行われる。また、画素21毎に蛍
光体の種類を変えてRGBの発光色を得られるようにし
ておけば、カラー表示を行うこともできる。
【0005】さて、このような光源用表示管の詳細な構
成について図を参照して説明する。図9は、従来の光源
用表示管を示す断面図である。同図に示すように、ガラ
ス基板1の上には、図示しない配線層が形成されるとと
もに、その上を覆うようにして絶縁層4が形成され、絶
縁層4の上方にはフィラメントカソード40が複数互い
に平行に配置されている。そして、フィラメントカソー
ド40の上方には、このフィラメントカソード40と対
向して電子通過孔6aの設けられたシールド電極6が設
置されている。また、シールド電極6の上方には、電子
通過孔6aに対向して電子通過孔7aの設けられた加速
電極7が設置されている。
成について図を参照して説明する。図9は、従来の光源
用表示管を示す断面図である。同図に示すように、ガラ
ス基板1の上には、図示しない配線層が形成されるとと
もに、その上を覆うようにして絶縁層4が形成され、絶
縁層4の上方にはフィラメントカソード40が複数互い
に平行に配置されている。そして、フィラメントカソー
ド40の上方には、このフィラメントカソード40と対
向して電子通過孔6aの設けられたシールド電極6が設
置されている。また、シールド電極6の上方には、電子
通過孔6aに対向して電子通過孔7aの設けられた加速
電極7が設置されている。
【0006】なお、ガラス基板1上に設置されたフィラ
メントカソード40、シールド電極6および加速電極7
は、外部からの電源供給や信号を受けるため、上記の図
示しない配線と金属端子20とは電気的に接続されてい
る。
メントカソード40、シールド電極6および加速電極7
は、外部からの電源供給や信号を受けるため、上記の図
示しない配線と金属端子20とは電気的に接続されてい
る。
【0007】一方、スペーサガラス2およびフロントガ
ラス3は箱形のガラス容器を構成し、ガラス基板1の各
部品(フィラメントカソード40,シールド電極6,加
速電極7)を覆うようにして取り付けられ、その内部は
真空排気されている。そして、上記電子通過孔7aと対
向する位置におけるフロントガラス3上には、蛍光体領
域8が、4×4のマトリクス状に配置されている。ま
た、各蛍光体領域8同士の間のフロントガラス3上に
は、光の不透過なブラックマトリクス層9が井の字型に
形成され、さらにはこれら蛍光体領域8およびブラック
マトリクス層9を覆うようにしてAl製のメタルバック
10が形成されている。
ラス3は箱形のガラス容器を構成し、ガラス基板1の各
部品(フィラメントカソード40,シールド電極6,加
速電極7)を覆うようにして取り付けられ、その内部は
真空排気されている。そして、上記電子通過孔7aと対
向する位置におけるフロントガラス3上には、蛍光体領
域8が、4×4のマトリクス状に配置されている。ま
た、各蛍光体領域8同士の間のフロントガラス3上に
は、光の不透過なブラックマトリクス層9が井の字型に
形成され、さらにはこれら蛍光体領域8およびブラック
マトリクス層9を覆うようにしてAl製のメタルバック
10が形成されている。
【0008】このように従来の光源用表示管は、フィラ
メントカソード40で発生した電子を、加速電極7によ
って加速し、メタルバック10を介して蛍光体領域8に
衝突させることにより、発光光を得るように構成されて
いる。
メントカソード40で発生した電子を、加速電極7によ
って加速し、メタルバック10を介して蛍光体領域8に
衝突させることにより、発光光を得るように構成されて
いる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光源用表示管においては、フィラメントカソ
ードの直径が数μm〜数十μm程度と非常に細く、脆弱
であるため、製造時における取り扱いが容易でないとい
う問題点があった。また、このフィラメントカソード
は、例えばタングステン製の芯上にストロンチウム、カ
ルシウム、バリウム等の炭酸塩を塗布し、加熱処理する
ことによって製造されるが、ストロンチウム等の酸化物
は管内の特定ガスによって短時間で劣化され易いという
問題点があった。さらに、フィラメントカソードから放
出された電子流は、フィラメントカソードの温度に大き
く影響されるため、フィラメントカソードの両端係留部
からの放熱(いわゆる、エンド・クーリング)によって
電子流の発生にばらつきが生じ、蛍光面に発光ムラが生
じ易いという問題点もあった。本発明は、このような課
題を解決するためのものであり、製造時におけるカソー
ドの取り扱いを容易にし、フィラメントカソードを用い
ることなく実現可能な光源用表示管を提供することを目
的とする。
うな従来の光源用表示管においては、フィラメントカソ
ードの直径が数μm〜数十μm程度と非常に細く、脆弱
であるため、製造時における取り扱いが容易でないとい
う問題点があった。また、このフィラメントカソード
は、例えばタングステン製の芯上にストロンチウム、カ
ルシウム、バリウム等の炭酸塩を塗布し、加熱処理する
ことによって製造されるが、ストロンチウム等の酸化物
は管内の特定ガスによって短時間で劣化され易いという
問題点があった。さらに、フィラメントカソードから放
出された電子流は、フィラメントカソードの温度に大き
く影響されるため、フィラメントカソードの両端係留部
からの放熱(いわゆる、エンド・クーリング)によって
電子流の発生にばらつきが生じ、蛍光面に発光ムラが生
じ易いという問題点もあった。本発明は、このような課
題を解決するためのものであり、製造時におけるカソー
ドの取り扱いを容易にし、フィラメントカソードを用い
ることなく実現可能な光源用表示管を提供することを目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る光源用表示管は、少なくとも一
部が透光性を有する表示面を有しかつ内部が真空排気さ
れた外囲器と、上記表示面の内側に形成された複数の蛍
光体領域とを備え、上記蛍光体領域のそれぞれは一つの
画素をなし、上記蛍光体領域に電子を衝突させることに
より発光光を得る光源用表示管において、上記外囲器内
には、電界放出素子を有する複数のチップが設置され、
各チップは、上記蛍光体領域のそれぞれに対向して配置
されている。このように構成することにより本発明は、
従来の光源用表示管と比べ、製造時におけるカソードの
取り扱いが容易になり、歩留まりを向上させることがで
きる。
るために、本発明に係る光源用表示管は、少なくとも一
部が透光性を有する表示面を有しかつ内部が真空排気さ
れた外囲器と、上記表示面の内側に形成された複数の蛍
光体領域とを備え、上記蛍光体領域のそれぞれは一つの
画素をなし、上記蛍光体領域に電子を衝突させることに
より発光光を得る光源用表示管において、上記外囲器内
には、電界放出素子を有する複数のチップが設置され、
各チップは、上記蛍光体領域のそれぞれに対向して配置
されている。このように構成することにより本発明は、
従来の光源用表示管と比べ、製造時におけるカソードの
取り扱いが容易になり、歩留まりを向上させることがで
きる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一つの実施の形態
について図を用いて説明する。図1は、本発明の一つの
実施の形態を示す断面図である。同図において、図9に
おける同一符号のものは同一または同等の部品を示して
いる。そして、ガラス基板1上には所望のパタンの配線
層(5a,5h)が複数形成され、これらの配線層には
図9で示したようなフィラメントカソード40の代わり
に、各画素に対向して複数のチップ5が設置されてい
る。
について図を用いて説明する。図1は、本発明の一つの
実施の形態を示す断面図である。同図において、図9に
おける同一符号のものは同一または同等の部品を示して
いる。そして、ガラス基板1上には所望のパタンの配線
層(5a,5h)が複数形成され、これらの配線層には
図9で示したようなフィラメントカソード40の代わり
に、各画素に対向して複数のチップ5が設置されてい
る。
【0012】このチップ5は、シリコン製のチップであ
り、一方の面に複数(例えば、5000〜数万個以上)
のスピント(Spindt)型の冷陰極5fを配列することに
より、電界放出素子(FEA:Field Emission Array)を構
成している。このチップは、導電性が得られるようにす
るため、予め不純物が導入されている。特に、本実施の
形態では、N型の基板を使用する必要がある。なお、図
1においては便宜上、1個のチップ5に1個の冷陰極5
fを記載している。また、この冷陰極5fはシリコンに
よって形成され、その表面にはMo等のエミッタ材料が
塗布されている。あるいは、冷陰極5fはMo等のエミ
ッタ材料のみで形成されている。さらに、冷陰極5fを
形成することができるのであれば、チップ5は半導体で
ある必要はない。
り、一方の面に複数(例えば、5000〜数万個以上)
のスピント(Spindt)型の冷陰極5fを配列することに
より、電界放出素子(FEA:Field Emission Array)を構
成している。このチップは、導電性が得られるようにす
るため、予め不純物が導入されている。特に、本実施の
形態では、N型の基板を使用する必要がある。なお、図
1においては便宜上、1個のチップ5に1個の冷陰極5
fを記載している。また、この冷陰極5fはシリコンに
よって形成され、その表面にはMo等のエミッタ材料が
塗布されている。あるいは、冷陰極5fはMo等のエミ
ッタ材料のみで形成されている。さらに、冷陰極5fを
形成することができるのであれば、チップ5は半導体で
ある必要はない。
【0013】このような電界放出素子は次のようにして
作られる。まず、シリコン基体5c上に絶縁層5dを形
成し、その上にゲート電極の材料(例えば、Mo等)を
堆積してから、両者にシリコン基体5cに達する開孔を
開ける。そして、この開孔内に露出したシリコン基体5
c上に、複数の冷陰極5fを形成すれば、電界放出素子
となる。
作られる。まず、シリコン基体5c上に絶縁層5dを形
成し、その上にゲート電極の材料(例えば、Mo等)を
堆積してから、両者にシリコン基体5cに達する開孔を
開ける。そして、この開孔内に露出したシリコン基体5
c上に、複数の冷陰極5fを形成すれば、電界放出素子
となる。
【0014】このようなチップ5は、Agペースト5b
を介して配線層5a上に取り付けられ、またゲート電極
5eはワイヤ5gを介して配線層5hと電気的に接続さ
れている。なお、図1に示した各層の厚さおよび各部の
大きさは、説明の便宜上、実際のものよりも誇張して記
載している。
を介して配線層5a上に取り付けられ、またゲート電極
5eはワイヤ5gを介して配線層5hと電気的に接続さ
れている。なお、図1に示した各層の厚さおよび各部の
大きさは、説明の便宜上、実際のものよりも誇張して記
載している。
【0015】図2は、図1に係る光源用表示管の電気回
路を示す説明図である。同図において、図1と同一符号
のものは同一の部品を示す。同図から明らかなように、
ゲート電極5eは、ワイヤ5gおよび配線層5h等を介
して外部電源11の電圧が印加され、同様にシールド電
極6にも外部電源12の電圧が印加されている。また、
加速電極7およびメタルバック10には外部電源13の
電圧が印加されている。
路を示す説明図である。同図において、図1と同一符号
のものは同一の部品を示す。同図から明らかなように、
ゲート電極5eは、ワイヤ5gおよび配線層5h等を介
して外部電源11の電圧が印加され、同様にシールド電
極6にも外部電源12の電圧が印加されている。また、
加速電極7およびメタルバック10には外部電源13の
電圧が印加されている。
【0016】ところで、シールド電極6の形状は、図1
に記載のものに限られない。図3は、図1に係るシール
ド電極6のその他の実施の形態を示す断面図である。同
図に示すように、シールド電極6における電子通過孔6
aの縦断面の形状は、図3(a),(b)に示すように
ドーム状であってもよい。すなわち、ドームの曲率を任
意に可変することによって、電子ビームの広がり方を調
整することができ、図3(a)のようにすれば、ビーム
を電界放出素子の面積よりも広くすることができる。ま
た、図3(b)のようにすれば、ビームをフォーカスさ
せることができる。なお、ドーム状の部分には、複数の
貫通孔(その形状は円形,矩形,多角形またはこれらの
組み合わせ)を形成している。
に記載のものに限られない。図3は、図1に係るシール
ド電極6のその他の実施の形態を示す断面図である。同
図に示すように、シールド電極6における電子通過孔6
aの縦断面の形状は、図3(a),(b)に示すように
ドーム状であってもよい。すなわち、ドームの曲率を任
意に可変することによって、電子ビームの広がり方を調
整することができ、図3(a)のようにすれば、ビーム
を電界放出素子の面積よりも広くすることができる。ま
た、図3(b)のようにすれば、ビームをフォーカスさ
せることができる。なお、ドーム状の部分には、複数の
貫通孔(その形状は円形,矩形,多角形またはこれらの
組み合わせ)を形成している。
【0017】なお、加速電極7の電子通過孔7aの形状
についても上記同様に種々の形態が考えられる。例え
ば、単に枠体上のものであってもよいし、開孔部にメッ
シュを形成してもよい。また、シールド電極6は陽極
(蛍光体領域8,メタルバック10,加速電極7)にか
かる高電圧(〜30KV)から、電界放出素子を保護す
る目的で用いられているが、印加する電圧によっては、
電子加速電極またはカットオフ電極として利用すること
もできる。さらに、高電圧の印加用に設けられた加速電
極7を、独立制御できるようにしておけば、電子流の制
御電極として使用することもできる。
についても上記同様に種々の形態が考えられる。例え
ば、単に枠体上のものであってもよいし、開孔部にメッ
シュを形成してもよい。また、シールド電極6は陽極
(蛍光体領域8,メタルバック10,加速電極7)にか
かる高電圧(〜30KV)から、電界放出素子を保護す
る目的で用いられているが、印加する電圧によっては、
電子加速電極またはカットオフ電極として利用すること
もできる。さらに、高電圧の印加用に設けられた加速電
極7を、独立制御できるようにしておけば、電子流の制
御電極として使用することもできる。
【0018】さて、図1に係る光源用表示管は、例えば
以下のようにして製造される。まず、75×75×3.
8(mm)程度のガラス基板1上に、1.2μm厚のA
l薄膜パタンからなる配線層を形成する。そして、この
配線層の一部に、チップ5をダイボンディング法によ
り、導電性Agペーストを使って接着する。
以下のようにして製造される。まず、75×75×3.
8(mm)程度のガラス基板1上に、1.2μm厚のA
l薄膜パタンからなる配線層を形成する。そして、この
配線層の一部に、チップ5をダイボンディング法によ
り、導電性Agペーストを使って接着する。
【0019】このチップ5は、1.3×0.9(mm)
のSi基体からなり、その上には複数(約5000ティ
ップ)の電界放出素子が形成されている。この場合、駆
動電圧にもよるが、冷陰極5f一個当たりにつき、10
0〜200μA/ティップの電子流を得ることができ
る。チップ5をダイボンディングした後は、その上部に
形成されたゲート電極5eとガラス基板1上の配線5h
とを、ワイヤ5gを介してボンディング接続し、チップ
5の装着は完了する。
のSi基体からなり、その上には複数(約5000ティ
ップ)の電界放出素子が形成されている。この場合、駆
動電圧にもよるが、冷陰極5f一個当たりにつき、10
0〜200μA/ティップの電子流を得ることができ
る。チップ5をダイボンディングした後は、その上部に
形成されたゲート電極5eとガラス基板1上の配線5h
とを、ワイヤ5gを介してボンディング接続し、チップ
5の装着は完了する。
【0020】次いでガラス基板1上に搭載されたチップ
群の上方に、これらを覆うようにして金属製のシールド
電極6を設置し、このシールド電極6には、各チップ5
の電界放出素子5fに対向して電子通過孔6aを予め形
成しておく。
群の上方に、これらを覆うようにして金属製のシールド
電極6を設置し、このシールド電極6には、各チップ5
の電界放出素子5fに対向して電子通過孔6aを予め形
成しておく。
【0021】さらに、このシールド電極6を覆うように
して、放出された電子を加速するための加速電極7を設
置し、この加速電極7によって電子流の制御を行う。も
ちろん、この加速電極7にも、上記の電子通過孔6aに
対向して電子通過孔7aを予め形成しておく。その形状
は、メッシュ状であってもよいし、単に枠体状であって
もよい。
して、放出された電子を加速するための加速電極7を設
置し、この加速電極7によって電子流の制御を行う。も
ちろん、この加速電極7にも、上記の電子通過孔6aに
対向して電子通過孔7aを予め形成しておく。その形状
は、メッシュ状であってもよいし、単に枠体状であって
もよい。
【0022】一方、フロントガラス3の材料としてはア
ルカリ・フリーガラスを用い、管の内側の面には井の字
型になるようにブラックマトリクス層(黒色の絶縁体
層)9を形成する。そして、ブラックマトリクス層9の
形成されていないフロントガラス3上には、ブラックマ
トリクス層9の縁にわずかにかかるようにして約13×
13(mm)角の蛍光体領域(R,G,Bまたはその他
の発光色を有する蛍光体)8を形成する。そして、この
蛍光体領域8の露出した表面には、Alからなるメタル
バック10を形成する。なお、蛍光体領域8の厚さは1
5〜30μm、メタルバック10の厚さは50〜100
nmとする。その後においては、従来の製造方法と同様
に行うことにより、光源用表示管が完成する。
ルカリ・フリーガラスを用い、管の内側の面には井の字
型になるようにブラックマトリクス層(黒色の絶縁体
層)9を形成する。そして、ブラックマトリクス層9の
形成されていないフロントガラス3上には、ブラックマ
トリクス層9の縁にわずかにかかるようにして約13×
13(mm)角の蛍光体領域(R,G,Bまたはその他
の発光色を有する蛍光体)8を形成する。そして、この
蛍光体領域8の露出した表面には、Alからなるメタル
バック10を形成する。なお、蛍光体領域8の厚さは1
5〜30μm、メタルバック10の厚さは50〜100
nmとする。その後においては、従来の製造方法と同様
に行うことにより、光源用表示管が完成する。
【0023】次に、図1に係る蛍光表示管の駆動方法に
ついて説明する。図4は、図1に係るチップ、ゲートお
よびカソードの配置を示す平面図である。同図に示すよ
うに、チップの配置の一例として4×4のマトリックス
状としている。
ついて説明する。図4は、図1に係るチップ、ゲートお
よびカソードの配置を示す平面図である。同図に示すよ
うに、チップの配置の一例として4×4のマトリックス
状としている。
【0024】すなわち、4×4のマトリクス状にチップ
5を配置し、行方向に並んだチップのカソードをガラス
基板1上に形成された配線を介して直列に接続し(図1
の配線5a)、それぞれにカソード端子K1〜K4を接
続する。同様に、列方向に並んだゲート電極を直列に接
続し(図1の配線5h)、それぞれにゲート端子G1〜
G4を接続する。したがって、1組のカソード端子およ
びゲート端子を選択すると、この選択に対応するチップ
5の電界放出素子から電子を放出させることができる。
放出された電子は、メタルバック9を介して蛍光体領域
8に衝突し、発光光の大半は管外に放射され、一部はメ
タルバック9に反射されてから管外に放射される。
5を配置し、行方向に並んだチップのカソードをガラス
基板1上に形成された配線を介して直列に接続し(図1
の配線5a)、それぞれにカソード端子K1〜K4を接
続する。同様に、列方向に並んだゲート電極を直列に接
続し(図1の配線5h)、それぞれにゲート端子G1〜
G4を接続する。したがって、1組のカソード端子およ
びゲート端子を選択すると、この選択に対応するチップ
5の電界放出素子から電子を放出させることができる。
放出された電子は、メタルバック9を介して蛍光体領域
8に衝突し、発光光の大半は管外に放射され、一部はメ
タルバック9に反射されてから管外に放射される。
【0025】図5は、図4のようにチップの配置された
光源用表示管の駆動回路を示すブロック図である。同図
に示すように、カソード側およびゲート側のブロックは
何れも同様の構成をしており、外部から信号を受信する
シフトレジスタ(31,34)と、シフトレジスタ(3
1,34)の出力をラッチするラッチ回路(32,3
5)と、ラッチ回路(32,35)の出力に基づいて光
源用表示管内30内のゲートおよびカーソード等の駆動
を制御するドライバ(33,36)とを備えている。
光源用表示管の駆動回路を示すブロック図である。同図
に示すように、カソード側およびゲート側のブロックは
何れも同様の構成をしており、外部から信号を受信する
シフトレジスタ(31,34)と、シフトレジスタ(3
1,34)の出力をラッチするラッチ回路(32,3
5)と、ラッチ回路(32,35)の出力に基づいて光
源用表示管内30内のゲートおよびカーソード等の駆動
を制御するドライバ(33,36)とを備えている。
【0026】なお、図2でも示したようにアノードおよ
びシールド電極にはそれぞれ所定の電圧が印加されてい
る。また、ドライバ33には「−40V」の出力電圧を
有する電源に接続され、ドライバ36には「+40V」
の出力電圧を有する電源に接続されている。さらに、図
5に示す回路は、1個または2個以上のドライバチップ
に集積して光源用表示管内に設置してもよいし、あるい
は管外に設置してもよい。
びシールド電極にはそれぞれ所定の電圧が印加されてい
る。また、ドライバ33には「−40V」の出力電圧を
有する電源に接続され、ドライバ36には「+40V」
の出力電圧を有する電源に接続されている。さらに、図
5に示す回路は、1個または2個以上のドライバチップ
に集積して光源用表示管内に設置してもよいし、あるい
は管外に設置してもよい。
【0027】次に、図1に示した本実施の形態の特徴に
ついて説明する。図6は、カソード−ゲート(以下、K
−Gという)間の電圧と電界放出素子からの放出電流と
の関係を示すグラフである。電界放出素子の特性は同図
に示すとおりであり、K−G間の電圧が40V未満のと
きは、ほとんど電流は流れていないが、60V以上にな
ると電流が流れだし、80Vになれば十分なエミッショ
ンが得られることがわかる。したがって、K−G間の電
圧が80Vとなれば発光光を得ることができることがわ
かる。そこで、この点に基づくと、本実施の形態に係る
光源用表示管は、以下のタイムチャートに従って駆動さ
せるとよい。
ついて説明する。図6は、カソード−ゲート(以下、K
−Gという)間の電圧と電界放出素子からの放出電流と
の関係を示すグラフである。電界放出素子の特性は同図
に示すとおりであり、K−G間の電圧が40V未満のと
きは、ほとんど電流は流れていないが、60V以上にな
ると電流が流れだし、80Vになれば十分なエミッショ
ンが得られることがわかる。したがって、K−G間の電
圧が80Vとなれば発光光を得ることができることがわ
かる。そこで、この点に基づくと、本実施の形態に係る
光源用表示管は、以下のタイムチャートに従って駆動さ
せるとよい。
【0028】図7は、図1に係る光源用表示管の動作を
示すタイムチャートである。図6に示すように、カソー
ド端子(K1〜K4)に0Vまたは−40Vの電圧を印
加し、ゲート端子(G1〜G4)に0Vまたは+40V
の電圧を印加することにより、所望のチップ5を選択し
て発光させることができる。
示すタイムチャートである。図6に示すように、カソー
ド端子(K1〜K4)に0Vまたは−40Vの電圧を印
加し、ゲート端子(G1〜G4)に0Vまたは+40V
の電圧を印加することにより、所望のチップ5を選択し
て発光させることができる。
【0029】すなわち、図6のタイムチャートにおいて
K−G間の電位状態は4種類あり、 (1)行方向に接続されたカソードが-40V、列方向に接
続されたゲートが+40V (2)行方向に接続されたカソードが-40V、列方向に接
続されたゲートが 0V (3)行方向に接続されたカソードが 0V、列方向に接
続されたゲートが+40V (4)行方向に接続されたカソードが 0V、列方向に接
続されたゲートが 0V のとおりである。
K−G間の電位状態は4種類あり、 (1)行方向に接続されたカソードが-40V、列方向に接
続されたゲートが+40V (2)行方向に接続されたカソードが-40V、列方向に接
続されたゲートが 0V (3)行方向に接続されたカソードが 0V、列方向に接
続されたゲートが+40V (4)行方向に接続されたカソードが 0V、列方向に接
続されたゲートが 0V のとおりである。
【0030】この場合、K−G間が80Vとなるのは
(1)の場合のみであり、(2)〜(4)では、K−G
間電圧が40V以下となり、電界放出素子からは電子は
放出されず、発光光は得られない。このように本実施の
形態は、K−G間の電圧を制御することにより、容易に
各画素の発光を制御することができる。
(1)の場合のみであり、(2)〜(4)では、K−G
間電圧が40V以下となり、電界放出素子からは電子は
放出されず、発光光は得られない。このように本実施の
形態は、K−G間の電圧を制御することにより、容易に
各画素の発光を制御することができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、フィラメントカソードの代わりに電界放出素子の形
成されたチップをカソードとして用いているため、フィ
ラメントカソードを用いたときの種々の問題点を解消す
ることができる。すなわち、フィラメントカソードのよ
うに簡単に切れてしまうようなことがなく、また1チッ
プを一つのユニットとして取り扱えるため、取り扱いが
楽である。例えば、不良の電界放出素子を、チップの単
位で交換できるという効果がある。また、チップを用い
ることによって管球を薄くすることができ、光源用表示
管の小型軽量化を図ることができる。また、1画素につ
き1個のチップを対向させているため、ガラス基板全面
に電界放出素子を形成するのと比べて少数の電界放出素
子で済み、安価に光源用表示管を製作することができ
る。さらに、蛍光体領域毎に発光色の異なる蛍光体を用
いることによって、カラー表示を可能とする。
は、フィラメントカソードの代わりに電界放出素子の形
成されたチップをカソードとして用いているため、フィ
ラメントカソードを用いたときの種々の問題点を解消す
ることができる。すなわち、フィラメントカソードのよ
うに簡単に切れてしまうようなことがなく、また1チッ
プを一つのユニットとして取り扱えるため、取り扱いが
楽である。例えば、不良の電界放出素子を、チップの単
位で交換できるという効果がある。また、チップを用い
ることによって管球を薄くすることができ、光源用表示
管の小型軽量化を図ることができる。また、1画素につ
き1個のチップを対向させているため、ガラス基板全面
に電界放出素子を形成するのと比べて少数の電界放出素
子で済み、安価に光源用表示管を製作することができ
る。さらに、蛍光体領域毎に発光色の異なる蛍光体を用
いることによって、カラー表示を可能とする。
【図1】 本発明の一つの実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図2】 図1に係る光源用表示管の回路を示す説明図
である。
である。
【図3】 シールド電極のその他の実施の形態を示す断
面図である。
面図である。
【図4】 電界放出素子の配線を示す説明図である。
【図5】 図1に係る光源用表示管の回路を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図6】 電界放出素子の放出電流とカソード−ゲート
間における電圧との関係を示すグラフである。
間における電圧との関係を示すグラフである。
【図7】 図1に係る光源用表示管の動作を示すタイム
チャートである。
チャートである。
【図8】 一般的な光源用表示管を示す斜視図である。
【図9】 従来例を示す断面図である。
1…ガラス基板、2…スペーサガラス、3…フロントガ
ラス、4…絶縁基板、5…チップ、5a,5h…配線
層、5b…Agペースト、5c…シリコン基体、5d…
絶縁膜、5e…ゲート電極、5f…冷陰極、5g…ワイ
ヤ、6…シールド電極、6a…電子透過孔、7…加速電
極、8…蛍光体領域、9…ブラックマトリクス層、10
…メタルバック。
ラス、4…絶縁基板、5…チップ、5a,5h…配線
層、5b…Agペースト、5c…シリコン基体、5d…
絶縁膜、5e…ゲート電極、5f…冷陰極、5g…ワイ
ヤ、6…シールド電極、6a…電子透過孔、7…加速電
極、8…蛍光体領域、9…ブラックマトリクス層、10
…メタルバック。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠野 和彦 三重県伊勢市上野町字和田700番地 伊勢 電子工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項1】 少なくとも一部が透光性を有する表示面
を有しかつ内部が真空排気された外囲器と、前記表示面
の内側に形成された複数の蛍光体領域とを備え、前記蛍
光体領域のそれぞれは一つの画素をなし、前記蛍光体領
域に電子を衝突させることにより発光光を得る光源用表
示管において、 前記外囲器内には、電界放出素子を有する複数のチップ
が設置され、 各チップは、前記蛍光体領域のそれぞれに対向して配置
されていることを特徴とする光源用表示管。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記チップは、シリコン製のチップであることを特徴と
する光源用表示管。 - 【請求項3】 請求項1において、前記外囲器内には、 前記チップの上方に設置されかつ前記電界放出素子から
の電子が通過する電子通過孔の設けられたシールド電極
と、 このシールド電極の上方に設置されかつ前記電子が通過
する電子通過孔の設けられた加速電極と、 前記蛍光体領域同士の間に形成されたブラックマトリク
ス層と、 前記蛍光体領域を覆うメタルバックとを備えたことを特
徴とする光源用表示管。 - 【請求項4】 請求項3において、 前記シールド電極における電子通過孔の設けられた部分
は、その縦断面がドーム状であるとともに、その表面に
は複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする光源
用表示管。 - 【請求項5】 請求項3において、 前記加速電極における電子通過孔は、その形状がメッシ
ュ状または枠体状に形成されていることを特徴とする光
源用表示管。 - 【請求項6】 請求項1において、 前記蛍光体領域は、画素毎に所望の発光色を有する蛍光
体層が形成されていることを特徴とする光源用表示管。 - 【請求項7】 請求項6において、 前記蛍光体領域は、画素毎にRまたはGまたはBの発光
色を有する蛍光体層が形成されていることを特徴とする
光源用表示管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14765798A JPH11339695A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 光源用表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14765798A JPH11339695A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 光源用表示管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11339695A true JPH11339695A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15435323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14765798A Pending JPH11339695A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 光源用表示管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11339695A (ja) |
-
1998
- 1998-05-28 JP JP14765798A patent/JPH11339695A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20041222 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20051019 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20051025 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060307 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |