JPH11337779A - 光結合構造及びその製作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光結合損失のばらつきを低減した、半導体素
子と光導波路との光結合構造およびその製作方法を提供
する。 【解決手段】 本構造は、コア層２をクラッド層１、３
で挟んでなる光導波路４と半導体光素子５とを基板６上
で光学的に結合させた光結合構造である。半導体光素子
と接する光導波路端面が、コア層を横断する面８とコア
層を横断しない複数の面９とから構成される。コア層を
横断する面８が半導体光素子の端面と平行でなく、か
つ、コア層を横断しない少なくとも一つの面９が半導体
光素子の端面と平行な面であって、半導体光素子端面と
面接触する。基板面上での位置合わせのためのマーカ
７、１２が基板および半導体光素子の双方に形成されて
いる。半導体素子５の水平横方向の位置合わせはマーカ
の画像認識によって行われ、光軸方向の位置合わせは半
導体光素子５の劈開面を光導波路部材端面９に押し当て
ることによって行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光素子と光
導波路とを接続した光結合構造に関し、更に詳細には、
半導体光素子と光導波路との接合距離にバラツキがなく
光結合効率の高い光結合構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信システムの大容量化が進む
とともに多機能の高度なシステムが求められている。そ
の一方で、光ファイバネットワークシステムの低コスト
化の要求が強くなっていて、特に、光デバイスの小型
化、高集積化および低コスト化が強く要求されている。
このような状況の中、シリコン基板上に形成した石英系
光導波路によって構成されるＰＬＣ(Planar Lightwave
Circuit)プラットフォーム上に半導体レーザ（ＬＤ）や
フォトダイオード（ＰＤ）あるいは半導体光アンプ（Ｓ
ＯＡ）などの光素子をハイブリッド実装することによ
り、部品点数を削減すると共に、光デバイスの小型化、
多機能化、低コスト化を図る方法が、現実的な方法とし
て有力視されており、現在盛んに研究が行われいる。

【０００３】このようなハイブリッド実装においては、
ＬＤやＳＯＡなどの光素子と石英系光導波路との結合な
どの異なる部品間の光学的結合をいかに低コストに、か
つ高い結合効率を持って行うかが、大きな課題となって
いる。ＬＤやＳＯＡなどの光素子を発光させながら石英
系導波路との調芯を取るいわゆるアクティブアライメン
ト法は、時間も手間もかかるために量産化には全く向い
ていない。低コスト化を図るためには、光素子を発光さ
せずに位置決めできるパッシブアライメント法が望まれ
ており、現在開発が進められている。パッシブアライメ
ント法の中でも、位置決めマーカーを用いた画像認識に
よって光素子の高精度な位置合わせを行うビジュアルア
ライメント法も、また開発が進んでおり、実用化されつ
つある。ビジュアルアライメント法については、例えば
特開平８−３２７８４１号公報などに記載されている。

【０００４】ここで、図７を参照して、ビジュアルアラ
イメント法の一例を説明する。図７に示す方法では、光
素子（ＬＤ）５を高精度に高さ調整されたプラットフォ
ーム６上に搭載することによって、ＬＤ５の活性層と石
英系光導波路４のコア層の高さ方向の位置決めをまった
く無調整で行うことができる。水平方向の位置決めは、
ＬＤ５とＰＬＣプラットフォーム６の双方に記されたマ
ーカ７、１２を合わせることによって行う。この方法で
は、高さ方向のずれはほとんどないと考えられるので、
ＬＤ搭載位置精度はマーカの精度によると考えられる。
現在この方法で水平方向のずれ幅が約１〜２μｍ程度の
精度で実装できることが確認されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ビジュアルアライメン
ト法による水平方向のずれは、マーカ読みとり機の精度
によるものと、マーカ自身がずれを含んでパターニング
されていることの２つが考えられる。現在のアライメン
ト技術では、両者ともに合わせて１〜２μｍ程度のずれ
に抑えることができている。しかし、ＬＤ素子自体の端
面の劈開位置には誤差が含まれることが多く、〜±１０
μｍ程度の誤差があると考えられる。さらに、石英系光
導波路端面位置の光軸方向の誤差も、ＲＩＥで端面を形
成した場合で、〜数μｍ、ダイシングソーによって端面
を形成した場合で、〜１０μｍ程度ある。したがって、
例えマーカによって位置決めされたＬＤの実装位置精度
が高かったとしても、ＬＤ劈開位置や石英系光導波路の
端面の位置のずれは、そのまま光軸方向（結合距離）の
ずれとなってしまうという問題がある。この結合距離の
ずれは、ＬＤと光導波路間の結合効率に直接影響する。

【０００６】結合効率を上げるためには、一般的に、結
合距離を短くすることが望ましい。しかし、このような
ビジュアルアライン法による従来の方法では、先に述べ
たように、結合距離のばらつきが存在し、設計値に対し
結合距離が大きくなると、結合損失は増加し、逆に結合
距離が小さくなると、結合損失は小さくなり、製品間の
結合損失にばらつきが生じる。また、設計値よりも素子
長の長い、すなわち結合距離が短くなってしまうような
素子が使用されると、場合によっては、アライメント作
業中に光素子発光端面部分が光導波路にぶつかり傷が付
いてしまうこともあるので、製品歩留まりを上げるため
には、結合距離の設計値を極端に小さく設定することは
できないという問題がある。そこで、光ネットワークシ
ステムの送受信機あるいは光スイッチなど光導波路デバ
イスを用いたモジュールに使用され、光導波路基板上に
半導体レーザあるいは半導体光アンプなどの光素子を高
精度にハイブリッド実装することができる光結合構造が
要求されている。

【０００７】そこで、本発明の目的は、上述のビジュア
ルアライメントにおける問題点、すなわちＬＤやＳＯＡ
などの光素子と光導波路間の光軸方向のばらつきを改善
し、高い結合効率を歩留まりよく実現する光結合構造の
構成とその製作方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る光結合構造は、コア層をクラッド層で
挟んでなる光導波路と半導体光素子とを基板上で光学的
に結合させた光結合構造において、半導体光素子と対面
する光導波路端面が、コア層を横断する面とコア層を横
断しない複数の面とから形成され、コア層を横断する面
が半導体光素子の端面と平行でなく、かつ、コア層を横
断しない複数の面のうち少なくとも一つの面が半導体光
素子の端面と平行な面であって、半導体光素子の端面と
面接触し、基板面上での位置合わせのためのマーカが基
板および半導体光素子の双方に形成されていることを特
徴としている。

【０００９】本発明の構成により、光素子とコア層を含
む光導波路端面間の距離のばらつきを抑え安定して短い
結合距離を実現することが可能になり、光素子発光部が
光導波路に触れて傷つくこともなく、反射戻り光の低減
された光結合構造を実現することができる。

【００１０】本発明の好適な実施態様では、半導体光素
子の端面と平行な面が、光導波路のクラッド層の上面よ
りも低い位置に形成されている。また、光導波路のコア
層を横断する面が、半導体光素子の端面と平行な面に対
して凹状になっている。また、好適には、光導波路が石
英系材料で形成され、かつ基板がシリコン又は石英で形
成され、半導体光素子が半導体レーザ素子、半導体光ア
ンプ素子、及びフォトダイオード素子のいずれか一つで
ある。

【００１１】本発明に係る光結合構造を製作する方法
は、コア層をクラッド層で挟んでなる光導波路と半導体
光素子とを基板上で光学的に結合させた請求項１から３
のうちのいずれか１項に記載の光結合構造の製作方法に
おいて、半導体光素子の端面と対面する光導波路の光導
波路端面の少なくとも一部が基板に対して垂直な面にな
るように、光導波路端面を形成する光導波路端面形成工
程と、半導体光素子を基板上に搭載する際に、半導体光
素子と基板の双方に形成されたマーカを合わせることに
よって基板と半導体光素子との位置合わせを行う工程
と、基板に対して垂直に形成された光導波路端面に半導
体光素子の端面を面接触させる工程とを有することを特
徴としている。この工程により光素子とコア層を含む光
導波路端面間の距離のばらつきを抑え安定して短い結合
距離を実現することが可能になる。

【００１２】好適には、光導波路端面形成工程では、半
導体光素子の端面を面接触させる端面に対して、光導波
路のコア層を含む端面を凹状に形成する。これにより、
コア層を横断する光導波路端面をコア層を横断しない光
導波路材端面に対して凹型に形成することにより、光素
子発光部とコア層を含む光導波路端面が直接当たらない
構造にすることができ、光素子の発光部を傷つけること
なく実装できるという効果が得られる。

【００１３】また、光導波路端面形成工程では、光導波
路のクラッド層の上面よりも低い位置に、半導体光素子
の端面と面接触する端面を形成する工程を有する。更に
は、光導波路端面形成工程では、コア層を含む光導波路
端面を半導体光素子端面と平行でないように形成する。
更には、光導波路端面形成工程では、コア層を含む光導
波路端面を基板面に対して垂直でないように形成する。
また、コア層を含む光導波路端面を光軸に対して斜めに
形成することにより、上記効果に加えて光素子への反射
戻り光を低減する効果が得られる。

【００１４】好適には、光導波路端面形成工程では、コ
ア層を横断する光導波路端面形成用のマスク材にレジス
トを用い、かつ半導体光素子の端面と面接触する光導波
路端面形成用のマスク材に金属を用いてドライエッチン
グによって、両端面を一括して形成する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る光結合構造の実施形態の
一例であって、図１（ａ）は本実施形態例の光結合構造
の側面図、図１（ｂ）は本実施形態例の光結合構造の斜
視図である。本実施形態例の光結合構造２０は、図１
（ａ）に示すように、上層クラッド１、コア層２および
下層クラッド３の積層構造の光導波路４が基板６上に形
成されており、基板６上に搭載された半導体光素子５が
光導波路４と光学的に結合されている。半導体素子５お
よび基板６にはそれぞれマーカ１２、７が形成されてお
り、半導体光素子５の光軸に対して横方向の位置合わせ
は、双方のマーカ７、１２を合わせるビジュアルアライ
メント法によって行われている。

【００１６】光導波路４のコア層２を含む、即ちコア層
２を横断する端面８（以後、光導波路端面８と呼ぶ）
は、半導体光素子５への反射戻り光を低減するために基
板面に対して斜めに形成されている。一方、光導波路４
のコア層２を含まない、即ちコア層２を横断しない端面
９（以後、光導波路材端面９と呼ぶ）は、光導波路端面
８を挟んだ両側に基板面に対して垂直に形成されてお
り、半導体素子５は、光導波路材端面９に押し当てられ
ている。これにより、光半導体素子５と光導波路端面８
との結合距離は、光導波路端面８と光導波路材端面９の
距離であるから、例え半導体素子５の長さにばらつきが
あったとしても、それに依らず一意的に決定される。

【００１７】図１（ｂ）に示すように、光導波路材端面
９は、半導体光素子５の活性層の周辺を避けてその両側
に形成されており、半導体光素子５からの出射光を遮っ
たり、出射面に触れて傷つけたりすることがないように
形成されている。光導波路材端面９は、金属膜などのエ
ッチング選択比の高い材料をマスクとしてリアクティブ
イオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチングに
よって形成されているので、その位置精度および垂直性
は非常に高い。

【００１８】劈開精度誤差によって光軸方向の長さにば
らつきのある半導体光素子５が使用されても、光導波路
端面８との結合距離は、光導波路端面８と光導波路材端
面９の距離によって決定されるため、光導波路端面８と
の結合距離は歩留まりよく非常に高い精度で所望の値が
実現できることになる。なお、光導波路材端面９の高さ
は、半導体光素子５に接する接触面が形成できるだけの
高さがあれば良いが、安定して半導体光素子５を支える
ことのできる高さである方が良い。光導波路材端面９の
高さとして、光導波路４の高さを上限として与えること
はできるが、高くなるほど半導体光素子５との接触面９
の垂直性や位置精度が劣化することを考慮に入れる必要
がある。

【００１９】実施形態例１の光結合構造の製作方法 本実施形態例は、本発明に係る光結合構造の製作方法の
実施形態の一例であって、本発明方法を光結合構造２０
の製作に適用した例である。図２（ａ）から（ｄ）は、
それぞれ、実施形態例１の光結合構造２０を製作する際
の工程毎の層構造を示す断面図である。以下に、図２
（ａ）から（ｄ）を参照して、実施形態例１の光結合構
造２０を製作する方法を説明する。まず、図２（ａ）に
示すように、上層クラッド１、コア層２、及び下層クラ
ッド３の積層構造からなる光導波路４を基板６上に形成
する。基板６には半導体素子水平横方向位置合わせ用マ
ーカ７が形成されている。光導波路４は、例えばそれぞ
れ厚さ１０μｍの上層クラッド１および下層クラッド
３、厚さおよび幅６μｍのコア層２からなる層構造を有
し、クラッド部材にはリン（Ｐ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、フッ素（Ｆ）などの各種ドーパントのうちの１つ
あるいは複数がドープされた石英系膜が使用され、また
コア層部材にはＰ、Ｇｅ、ボロン（ｂ）などの各種ドー
パントのうちの１つあるいは複数がドープされた石英系
膜が使用される。基板６には例えばシリコン（Ｓｉ）、
石英などを用いる。石英系膜１、２、３を基板６上に堆
積するには、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）、火炎堆積法
（ＦＨＤ法）、スパッタリング法などが用いられる。

【００２０】更に、図２（ａ）に示すように、石英系膜
１中あるいは石英系膜１上には、光導波路材端面９形成
用の金属マスク１０を形成する。なお、石英系膜１の堆
積の際、金属マスク１０を石英系膜１上に形成する場合
には上記成膜法のいずれを用いても構わないが、金属マ
スク１０を石英系膜１中に形成する場合には、ＦＨＤ法
などの高温処理を伴う成膜法は金属マスク１０が損傷を
受けるため、それ以外の成膜法を使用することとする。
次いで、図２（ａ）に示すように、光導波路端面８を形
成するためのマスク１１をパターニングし、形成する。
マスク１１の材料には、石英系膜との選択比が小さいレ
ジストなどを用いる。

【００２１】次に、図２（ｂ）に示すように、石英系膜
１、２、３をＲＩＥを用いてエッチングし、光導波路端
面８および光導波路材端面９を同時に形成する。光導波
路端面８の形成にはエッチング選択比の低いマスク材を
用いているので光導波路端面８は基板面に対して斜めに
形成される。エッチングガスには例えばＣＦ系ガスを用
いることができる。エッチング面の角度は酸素ガスや水
素ガスを添加し、その添加量を調整することによっても
制御することができる。一方、マスク材１０に選択比の
高い金属などを用いている光導波路材端面９は基板面に
対して垂直にエッチングされた形状が得られる。金属な
どの材料としては石英系膜中に形成する場合、石英系膜
の形成に必要な温度に耐えられるものでなければならな
い。例えばＣＶＤ法で石英系膜を堆積した場合、アニー
ルなども含めて８００℃程度の温度が必要とされる。こ
の温度に耐えられる金属などの例としてタングステン、
タングステンシリサイド、クロム、ポリシリコンなどが
挙げられる。もちろん他に条件を満たす材料があること
は言うまでもない。

【００２２】また、光導波路材端面９形成用のマスク１
０は石英系膜中ではなく光導波路４上に形成しても良
い。その場合、マスクの耐熱性は関係なく石英系膜との
選択比の高いものを選べばよいので、より簡便に実現で
きる。ただし、金属膜マスク１０を石英系膜中のある程
度低い位置（例えばコア層２の高さ程度）に形成した方
が、光導波路材端面９の垂直性や位置精度が良くなると
いう効果が得られる。

【００２３】次にに、図２（ｃ）に示すように、半導体
光素子５を基板６上に仮置きする。半導体光素子５には
例えば半導体レーザ素子や半導体光アンプ素子などが用
いられる。基板６上で、光軸に対して水平横方向の半導
体光素子５の位置決めは、半導体光素子５と基板６の双
方に形成されたマーカ１２、７を画像認識によって合わ
せるビジュアルアライメント法によって行う。その際、
半導体光素子５を光軸方向に移動させながら位置決めを
行い、最終的には、図２（ｄ）に示すように、光導波路
材端面９に当たるところまで移動させる。その状態で半
導体光素子５を固定する。半導体光素子５の固定には、
ＡｕＳｎハンダなどが利用できる。

【００２４】実施形態例２ 本実施形態例は、本発明に係る光結合構造の実施形態の
別の例である。図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本
実施形態例の光結合構造を製作する際の工程毎の層構造
を示す断面図であって、図３（ａ）は半導体光素子と光
導波路とを接触させる前の状態を示し、図３（ｂ）は半
導体光素子と光導波路とを接触させた状態を示す。本実
施形態例の光結合構造では、図３（ａ）に示すように、
光導波路端面８と光導波路材端面９とが同じ垂直面に形
成されている。これにより、図３（ｂ）に示すように、
半導体光素子５と光導波路４とを接触させたとき、半導
体光素子５と光導波路端面８との結合距離は、ほぼ０と
いうことになる。

【００２５】光導波路材端面９の形成、すなわち同時に
光導波路端面８の形成のためのエッチングマスク材に
は、タングステンシリサイド、チタン、クロム、ポリシ
リコンなど選択比の高い材料を選び、図３（ａ）に示す
ように、光導波路材端面９、従って光導波路端面８を基
板６に対して垂直に形成する。マーカ７、１２を用いた
ビジュアルアライメント法によって、横方向のアライメ
ントを取りながら半導体光素子５を光導波路材端面９に
押し当てる作業は、実施形態例１と同じである。

【００２６】実施形態例３ 本実施形態例は、本発明に係る光結合構造の実施形態の
更に別の例である。図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞ
れ、本実施形態例の光結合構造を製作する際の工程毎の
層構造を示す断面図であって、図４（ａ）は半導体光素
子と光導波路とを接触させる前の状態を示し、図４
（ｂ）は半導体光素子と光導波路とを接触させた状態を
示す。本実施形態例の光結合構造では、図４（ａ）に示
すように、光導波路端面８が、光導波路材端面９に対し
て凹型に形成されていることである。これにより、図４
（ｂ）に示すように、半導体光素子５と光導波路４とを
接触させた際、半導体光素子５の出射面が、光導波路端
面８に触れて傷がつくということはなくなる。

【００２７】実施形態例４ 本実施形態例は、本発明に係る光結合構造の実施形態の
更に別の例である。図５（ａ）及び（ｂ）は、それぞ
れ、本実施形態例の光結合構造を製作する際の工程毎の
層構造を示す断面図であって、図５（ａ）は半導体光素
子と光導波路とを接触させる前の状態を示し、図５
（ｂ）は半導体光素子と光導波路とを接触させた状態を
示す。本実施形態例の光結合構造では、図５（ａ）及び
（ｂ）に示すように、半導体光素子５への反射戻り光を
低減するために、光導波路４は、光軸に対して斜めに形
成されている光導波路端面８と、光軸に対して垂直な面
を備えた端面９Ａ、Ｂを光導波路端面８の上下に有す
る。実施形態例４の光結合構造では、半導体光素子５
は、図５（ｂ）に示すように、光導波路４と端面９Ａ、
Ｂで面接触している。

【００２８】実施形態例５ 本実施形態例は、本発明に係る光結合構造の実施形態の
更に別の例である。図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞ
れ、本実施形態例の光結合構造を製作する際の工程毎の
層構造を示す断面図であって、図６（ａ）は半導体光素
子と光導波路とを接触させる前の状態を示し、図６
（ｂ）は半導体光素子と光導波路とを接触させた状態を
示す。本実施形態例の光結合構造では、図６（ａ）及び
（ｂ）に示すように、光軸に垂直な端面９は、光導波路
４のコア層２の端面８より半導体光素子５側にあって、
光導波路４は、端面９を介して半導体光素子５と接触し
ている。本実施形態例が、実施形態例３と異なるとろ
は、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、光導波路材端
面９を光導波路４の高さよりも低い位置に形成する点で
あって、実施形態例５の工程および効果については、実
施形態例１の光結合構造で説明したものと同じである。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、光導波路材端面に半導
体光素子の端面を押し当てることによって、半導体光素
子と光導波路端面との結合距離を決定する光結合構造を
実現している。これにより、従来のビジュアルアライメ
ント法によれば、平均１０μｍ程度のばらつきを有して
いた半導体光素子と光導波路との結合距離のばらつきが
１μｍ程度以内に抑えることが可能になる。従って、結
合損失のばらつきが少ない高効率な半導体光素子と光導
波路との光結合構造が実現される。また、これに加えて
光導波路端面を光軸に対して斜めに形成することによ
り、反射戻り光が低減された光結合構造を実現すること
ができる。また、光導波路材端面を光導波路よりも低い
位置に形成することによって、光導波路材端面の垂直性
が向上し、より結合距離精度が上がるという効果が付加
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態
例１の光結合構造の側面説明図及び斜視説明図である。

【図２】図２（ａ）から（ｄ）は、それぞれ、実施形態
例１の光結合構造２０を製作する際の工程毎の層構造を
示す断面図である。

【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態
例２の光結合構造を製作する際の工程毎の層構造を示す
断面図であって、図３（ａ）は半導体光素子と光導波路
とを接触させる前の状態を示し、図３（ｂ）は半導体光
素子と光導波路とを接触させた状態を示す。

【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態
例３の光結合構造を製作する際の工程毎の層構造を示す
断面図であって、図４（ａ）は半導体光素子と光導波路
とを接触させる前の状態を示し、図４（ｂ）は半導体光
素子と光導波路とを接触させた状態を示す。

【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態
例４の光結合構造を製作する際の工程毎の層構造を示す
断面図であって、図５（ａ）は半導体光素子と光導波路
とを接触させる前の状態を示し、図５（ｂ）は半導体光
素子と光導波路とを接触させた状態を示す。

【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態
例５の光結合構造を製作する際の工程毎の層構造を示す
断面図であって、図６（ａ）は半導体光素子と光導波路
とを接触させる前の状態を示し、図６（ｂ）は半導体光
素子と光導波路とを接触させた状態を示す。

【図７】従来の光結合構造の一例を示す斜視説明図であ
る。

【符号の説明】

１ 上層クラッド ２ コア層 ３ 下層クラッド ４ 光導波路 ５ 半導体光素子 ６ 基板 ７，１２ マーカ ８ 光導波路端面 ９ 光導波路材端面 １０、１１ マスク ２０ 実施形態例１の光結合構造

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コア層をクラッド層で挟んでなる光導波
   路と、半導体光素子とを基板上で光学的に結合させた光
   結合構造において、 前記半導体光素子と対面する光導波路端面が、前記コア
   層を横断する面とコア層を横断しない複数の面とから形
   成され、前記コア層を横断する面が前記半導体光素子の
   端面と平行でなく、かつ、コア層を横断しない前記複数
   の面のうち少なくとも一つの面が前記半導体光素子の端
   面と平行な面であって、前記半導体光素子の端面と面接
   触し、 基板面上での位置合わせのためのマーカが前記基板およ
   び前記半導体光素子の双方に形成されていることを特徴
   とする光結合構造。
2. 【請求項２】 前記半導体光素子の端面と前記平行な面
   が、前記光導波路のクラッド層の上面よりも低い位置に
   形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光結
   合構造。
3. 【請求項３】 前記光導波路のコア層を横断する面が、
   前記半導体光素子の端面と平行な面に対して凹状になっ
   ていることを特徴とする請求項１に記載の光結合構造。
4. 【請求項４】 前記光導波路が石英系材料で形成され、
   かつ前記基板がシリコン又は石英で形成され、 前記半導体光素子が半導体レーザ素子、半導体光アンプ
   素子、及びフォトダイオード素子のいずれか一つである
   ことを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項
   に記載の光結合構造。
5. 【請求項５】 コア層をクラッド層で挟んでなる光導波
   路と、半導体光素子とを基板上で光学的に結合させた請
   求項１から３のうちのいずれか１項に記載の光結合構造
   の製作方法において、 前記半導体光素子の端面と対面する光導波路の光導波路
   端面の少なくとも一部が基板に対して垂直な面になるよ
   うに、光導波路端面を形成する光導波路端面形成工程
   と、 前記半導体光素子を前記基板上に搭載する際に、半導体
   光素子と基板の双方に形成されたマーカを合わせること
   によって基板と半導体光素子との位置合わせを行う工程
   と、 基板に対して垂直に形成された前記光導波路端面に前記
   半導体光素子の端面を面接触させる工程とを有すること
   を特徴とする光結合構造の製作方法。
6. 【請求項６】 前記光導波路端面形成工程では、前記光
   導波路のコア層を横断する面が、前記半導体光素子の端
   面と前記平行な面に対して凹状になるように形成するこ
   とを特徴とする請求項５に記載の光結合構造。
7. 【請求項７】 前記光導波路端面形成工程では、前記コ
   ア層を横断する面を前記半導体光素子端面に交差するよ
   うに形成することを特徴とする請求項５に記載の光結合
   構造の製作方法。
8. 【請求項８】 前記光導波路端面形成工程では、前記コ
   ア層を横断する面を基板面に対して垂直でないように形
   成することを特徴とする請求項７に記載の光結合構造の
   製作方法。
9. 【請求項９】 前記光導波路端面形成工程では、前記コ
   ア層を横断する面の形成用マスク材にフォトレジストを
   用い、かつ前記半導体光素子の端面と面接触する前記コ
   ア層を横断しない面の形成用マスク材に金属を用い、ド
   ライエッチングによって、前記コア層を横断する面と前
   記コア層を横断しない面とを同時に形成することを特徴
   とする請求項５から８のうちのいずれか１項に記載の光
   結合構造の製作方法。