JPH11330345A - バリ取り方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂パッケージおよびリードフレームに損傷
を与えることなく効果的に樹脂バリを除去することがで
き、しかも、材料管理が容易で、作業の安全性が高く、
公害発生のおそれの無いバリ取り方法を提供する。 【解決手段】 樹脂パッケージ２１をモールドした後の
リードフレーム２０に、ＣＯ₂ ガスを固化したドライア
イスペレット８からなる研磨材を圧縮空気と共に吹きつ
けることにより、リードフレーム２０の外部リード２２
の面上の不要な樹脂バリ２６を除去する。ドライアイス
ペレット８の原料としては、大気中のＣＯ₂ ガスを用い
ることができる。ドライアイスペレット８のサイズは例
えば３ｍｍφ×５ｍｍ〜３ｍｍφ×１０ｍｍ程度とし、
圧縮空気の圧力は例えば１０ｋｇ／ｃｍ² 以下、具体的
には例えば５〜１０ｋｇ／ｃｍ² とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の組
み立て工程において、樹脂パッケージのモールディング
工程の際にリード面やリード間に生じる樹脂バリを除去
するバリ取り方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体メモリなどの半導体集積回路（Ｉ
Ｃ）、または、トランジスタやダイオードなどの個別半
導体素子においては、半導体チップを樹脂パッケージに
より封止したものがある。この半導体チップの封止に用
いられる樹脂パッケージは、一般に、熱硬化性樹脂を加
熱溶融して可塑化させたものを加熱した成形金型のキャ
ビティの内部に流し込み、圧力を加えて硬化、成形する
トランスファ成形技術を用いて形成される。この場合、
樹脂封止後の仕上げの工程として、リードフレームに付
着した不要な樹脂バリを取り除く、いわゆるバリ取りが
行われる。

【０００３】このバリ取り方法としては、従来より、ガ
ラスビーズ、アルミナ粒子、プラスチックビーズ、その
他無機物の粒子などの研磨材を水（または水溶液）に混
ぜ、ポンプを用いて高圧をかけて、研磨材を水と共にリ
ードフレーム面に高圧噴射することによりバリを除去す
るようにした液体ホーニング法が主流となっている。

【０００４】しかしながら、この液体ホーニング法の場
合、研磨材の形状や混入量の制御が必要であり、研磨材
の管理が難しいという問題があった。また、ガラスビー
ズなどの研磨材を用いているため、ホーニング工程によ
って樹脂パッケージやリードフレームに必ずダメージが
発生してしまうという問題があった。また、ホーニング
工程の後、水洗によるクリーニングや研磨材の回収など
の後処理が必要である上に、これらが汚れを伴う作業で
あることもあって、作業者の確保が難しいという問題も
あった。

【０００５】また、リードフレームに付着した樹脂バリ
を除去するバリ取り方法としては、上述の液体ホーニン
グ法以外にも、溶剤法、陰極電界法、高水圧法などが知
られているが、これらの各方法もまたそれぞれ問題を有
している。

【０００６】すなわち、溶剤法は、化学処理法とも呼ば
れ、樹脂封止工程まで行ったリードフレームを、樹脂材
料が膨潤する所定の薬品に浸してバリを膨潤させた後、
ブラシや水圧などでバリを除去する方法である。しかし
ながら、この溶剤法の場合、薬品の濃度管理が難しく、
薬品の濃度が高いと樹脂パッケージ本体が破損し、薬品
の濃度が薄いと十分なバリ取りを行うことができなくな
るという問題があった。また、この薬品は毒性を有する
ため、作業の安全の確保に十分な対策を施す必要があ
り、さらに、公害など地球環境に悪影響を与えることの
無いように、薬品の管理を徹底して行わなければならな
かった。

【０００７】陰極電解法は、リードフレームを水の電気
分解装置の陰極に接続し、通電可能な水溶液中で陰極と
陽極との間に直流電圧を印加することによってＨ₂ ガス
を発生させ、そのＨ₂ ガスの勢いでバリを浮かして除去
する方法である。通常、この処理は、バリ除去効果を高
めるために、界面活性剤を含んだアルカリ水溶液中で行
われるのが一般的である。しかしながら、この場合、ア
ルカリ水溶液の濃度や温度管理が必要であり、この際樹
脂パッケージの耐湿性も考慮しなければならなかった。
さらに、可燃性のＨ₂ ガスを用いてバリを除去している
ため、作業の安全性の確保に十分な注意を払う必要があ
った。

【０００８】高水圧ホーニング法は、水を例えば数百ｋ
ｇ／ｃｍ² 以上の圧力でリードフレーム面に当ててバリ
を除去する方法である。しかしながら、この場合、リー
ドフレームに対して数百ｋｇ／ｃｍ² もの高圧で水を噴
射しているため、樹脂パッケージの耐湿性や破損が問題
となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
バリ取り方法は、使用される研磨材や薬品などの管理が
必要であり、材料管理が難しいという問題があった。ま
た、使用される薬品やガスによっては、作業の安全対策
や地球環境の保全対策に細心の注意を払う必要があるな
どの問題があった。さらに、上述の従来のバリ取り方法
は、クリーニングや研磨材の回収などの後処理が必要で
あり、作業性にも問題があった。また、液体ホーニング
法のように、ガラスビーズなどの従来の研磨材を用いる
場合は、樹脂パッケージやリードフレームの損傷が避け
られないという問題があった。

【００１０】したがって、この発明の目的は、樹脂パッ
ケージおよびリードフレームに損傷を与えることなく効
果的に樹脂バリを除去することができ、しかも、材料管
理が容易で、作業の安全性が高く、公害発生のおそれの
無いバリ取り方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、樹脂封止後のリードフレームに付着し
た樹脂バリを除去する際のバリ取り方法であって、リー
ドフレームに、気体を固化した材料からなる研磨材を大
気圧以上に加圧された圧縮空気と共に吹きつけるように
したことを特徴とするものである。

【００１２】この発明においては、研磨材の材料とし
て、無毒、不燃性の気体を固化したものを用いることが
望ましい。また、このとき、大気中に含まれる気体を原
料とすれば、原料の入手を低コストで容易に行うことが
できる。このような気体としては、例えば窒素
（Ｎ₂ ）、酸素（Ｏ₂ ）、二酸化炭素（ＣＯ₂ ）などが
あるが、ＣＯ₂ は融点が−５６．６℃であり、Ｎ₂ （融
点−２０９．８６℃）やＯ₂ （融点−２１８．４℃）を
固化する場合に比べて、ＣＯ₂ を固化するコストは低く
済む。また、ＣＯ₂ ガスを固化したドライアイスは昇華
性を有し容易に気化するため、このドライアイスを研磨
材として用いた場合、特に回収を必要とせず、また、ド
ライアイスは水分を殆ど含まず、処理表面が濡れること
がないため、樹脂パッケージの耐湿性が問題とならず、
また、乾燥工程が不要となる。以上より、この発明にお
いては、研磨材の材料として、典型的には二酸化炭素を
固化したドライアイスが用いられる。具体的には、例え
ば、ドライアイスを直径数ｍｍ×長さ数ｍｍの円筒ペレ
ット状に加工したものを研磨材として用いる。

【００１３】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、リードフレームに、気体を固化した材料からなる研
磨材を大気圧以上に加圧された圧縮空気と共に吹きつけ
るようにしていることにより、研磨材を高速で樹脂バリ
の面に衝突させ、その衝撃力でリードフレーム上の樹脂
バリを除去することができる。また、気体、特に大気成
分に含まれる気体は融点が低く（ＣＯ₂ の場合−５６．
６℃）、したがって、このような気体を固化した材料か
らなる低温の研磨材を吹きつけることで、樹脂バリおよ
びリードフレームの表面が冷却され、サーマルショック
が発生することにより、リードフレームからの樹脂バリ
の剥離が助長される。また、剥離した樹脂バリは、圧縮
空気により吹き飛ばされてリードフレーム面から除去さ
れる。さらに、研磨材は衝突と同時に蒸発（昇華）し、
その時の急激な体積膨張により、細かな凹凸を有する樹
脂バリの除去も可能となる。以上により、リードフレー
ムに付着した樹脂バリが効果的に除去される。このと
き、圧縮空気の圧力は、例えば１０ｋｇ／ｃｍ² 以下程
度で十分であるため、樹脂パッケージやリードフレーム
に損傷を与えずに済む。また、研磨材の形状管理は不要
であり、さらに、この研磨材は、衝突後、蒸発して元の
気体に戻るのでリードフレーム面に残渣を残すことがな
くクリーニングが容易である。また、粉塵の発生もな
く、回収や後処理も不要となる。さらに、研磨材の材料
として、例えば二酸化炭素のように無毒、不燃性の気体
を用いた場合、作業の安全上の問題や公害発生の問題も
無く、地球環境の保全に有効である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００１５】図１は、この発明の一実施形態による半導
体ＩＣの組み立て工程において、リードフレーム上の樹
脂バリを除去するのに用いられるバリ取り装置の構成の
一例を示す略線図である。

【００１６】図１に示すように、このバリ取り装置は、
サージタンク１、熱交換器２、ペレタイザー３、油圧シ
ステム４およびペレット貯蔵部５からなるドライアイス
ペレット製造装置と、ドライアイスペレットを圧縮空気
を用いて高圧噴射するようにしたブラスト装置６とを有
している。

【００１７】図１において、ＣＯ₂ 液化貯蔵槽７は、大
気中のＣＯ₂ ガスを例えば−２０℃程度に冷却、液化し
て貯蔵するようにしたものである。このＣＯ₂ 液化貯蔵
槽７としては、例えば工場内の設備が用いられる。この
ＣＯ₂ 液化貯蔵槽７からドライアイスの原料となる液化
ＣＯ₂ が、サージタンク１に供給される。サージタンク
１は、ＣＯ₂ 液化貯蔵槽７から供給された液化ＣＯ₂ を
一時貯蔵し、液化ＣＯ₂ とＣＯ₂ ガスとを分離するため
のものである。このサージタンク１で分離された液化Ｃ
Ｏ₂ およびＣＯ₂ ガスのうち、液化ＣＯ₂ は、熱交換器
２にて例えば−３４℃〜−３３℃まで過冷却された後、
ペレタイザー３のドライアイス生成室３ａに供給され
る。一方、ＣＯ₂ ガスは、熱交換器２で生じたＣＯ₂ ガ
スと共に一部が排気され、残りの一部がＣＯ₂ 液化貯蔵
槽７に供給され、液化ＣＯ₂ の原料として再利用され
る。

【００１８】ペレタイザー３のドライアイス生成室３ａ
においては、減圧により液化ＣＯ₂を例えば−５０℃〜
−４０℃程度に冷却、固化することによりドライアイス
が生成される。このようにして生成されたドライアイス
は、油圧システム４と接続された油圧ピストン３ｂによ
り押し固められ、ダイブレード３ｃにより例えば直径３
ｍｍ程度の円筒状に切断された後、更にロータリーカッ
ター３ｄにより例えば長さ５〜１０ｍｍ程度のペレット
状に切断される。これにより、例えば３ｍｍφ×５ｍｍ
〜３ｍｍφ×１０ｍｍのサイズのほぼ一定形状のドライ
アイスペレット８が生成される。このドライアイスペレ
ットの温度は例えば−５６．６℃以下であり、密度は
１．５６ｇ／ｃｍ³ である。なお、このドライアイスペ
レット８のサイズは、昇華により時間の経過と共に減少
する。図２に、このドライアイスペレット８を示す。こ
のようにして生成されたドライアイスペレット８は、ペ
レット収納部５に一時収納され、このペレット収納部５
からブラスト装置６に供給される。

【００１９】ブラスト装置６にはまた、高圧エア供給シ
ステム９、１０から例えば圧力５ｋｇ／ｃｍ² 〜１０ｋ
ｇ／ｃｍ² の圧縮空気が供給される。これにより、ブラ
スト装置６に供給されたドライアイスペレット８が、圧
縮空気と共に輸送パイプロード６ａを通って、噴射ノズ
ル６ｂからリードフレーム２０に高速噴射されるように
構成されている。また、噴射ノズル６ｂは、前後左右お
よび上下に移動可能に構成されている。

【００２０】ここで、このドライアイスペレット８の噴
射に用いられる圧縮空気は、十分に除湿されていること
が好ましく、また、この圧縮空気の温度は、室温程度ま
たはそれ以下であることが好ましい。高圧エア供給シス
テム９としては、例えば工場内の設備を用いることがで
きる。また、高圧エア供給システム１０は補助的に用い
られるものであり、コンプレッサー１０ａにより空気を
所定の圧力まで圧縮し、この圧縮空気が、アフタークー
ラー１０ｂにより室温程度まで冷却し、エアドライヤー
１０ｃにより十分に除湿を行った後、ブラスト装置６に
供給される。

【００２１】また、図示は省略するが、このバリ取り装
置は、リードフレーム２０の供給装置および収納装置を
備え、リードフレーム２０を順次搬送しながら連続的に
処理を行うことができるように構成されている。また、
リードフレーム２０へのドライアイスペレットのブラス
トは、例えば、排気手段を備えた密閉処理室内で行うよ
うにすると都合がよい。

【００２２】なお、このバリ取り装置は、既存の装置お
よび設備を用いて構成することが可能であるため、装置
コストを低く抑えることができる。

【００２３】以下に、この発明の一実施形態による半導
体ＩＣの組み立て工程について説明する。図３は、リー
ドフレーム２０にチップを搭載し、チップの電極パッド
とリードフレームの内部リードとをワイヤ接続した後、
チップを樹脂パッケージ２１で封止する工程まで行った
状態を示す。

【００２４】ここまでの工程について説明すると、従来
公知の方法により、素子が形成されたウェハを個別のチ
ップに分離し、続いて、チップをリードフレーム２０の
所定のダイパッド上にダイボンディングする。次に、ワ
イヤボンディング法により、チップの電極パッドとリー
ドフレームの内部リードとを、例えば金（Ａｕ）ワイヤ
を用いて接続する。次に、例えばトランスファ成形技術
を用いた樹脂封止法により、リードフレーム２０に搭載
されたチップおよびＡｕワイヤを覆うように、例えば熱
硬化性樹脂からなる樹脂パッケージ２１をモールドす
る。

【００２５】図３において、樹脂パッケージ２１の外部
に延在した導体配線パターンである外部リード２２は、
内部リード（図示せず）を介してチップの電極パッドと
接続されており、最終的にパッケージの電極となる部分
である。タイバー２３は、外部リード２２同士を結合す
るためのものであり、吊りリード２４は、チップが搭載
されたダイパッド（図示せず）を支えるためのものであ
る。これらのダイバー２３および吊りリード２４は、後
に行われるリード加工の際にカットされる。符号２５
は、リードフレーム２１の外周部（ステイ）に形成され
た基準孔を示す。

【００２６】図３に示すように、樹脂パッケージ２１の
モールド後においては、封止に用いられる樹脂材料のう
ち、成形金型からはみ出してリードフレーム２０の外部
リード２２の表面および裏面にもれ出た部分が不要な樹
脂バリ２６となっている。図３中、外部リード２２の面
上の樹脂バリ２６が付着した部分に点描を施す。符号２
７は、樹脂材料が外部リード２２間で固化した不要なも
のであって、樹脂ダムとも呼ばれる。

【００２７】このように樹脂封止工程まで行った後、図
３に示す状態のリードフレームを図１に示すバリ取り装
置に搬入し、リードフレーム２０上の不要な樹脂バリ２
６を除去する。図４は、このバリ取り方法を説明するた
めの斜視図である。

【００２８】すなわち、図４に示すように、複数のパタ
ーンが連結したリードフレーム２０を、バリ取り装置の
噴射ノズル６ｂの下方に搬送し、この噴射ノズル６ｂか
らドライアイスペレット８からなる研磨材を圧縮空気と
共に、リードフレーム２０の一面に上方より噴射するこ
とにより、このリードフレーム２０の表面をブラストす
る。このとき、圧縮空気の圧力は、例えば５〜１０ｋｇ
／ｃｍ² とし、ドライアイスペレット８の大きさは、例
えばイニシャルサイズ（ドライアイスペレット８の製造
時におけるサイズ）で３ｍｍφ×５ｍｍ〜３ｍｍφ×１
０ｍｍ程度である。この処理は、リードフレーム２０の
各パターン毎に行い、また、噴射ノズル６ｂを平行移動
させることで、パターン内で均一な処理が行われるよう
にする。リードフレーム２０の裏面側に対しても同様な
処理を施す。

【００２９】このように、樹脂バリ２６の付着したリー
ドフレーム２０に、ドライアイスペレットからなる研磨
材を圧縮空気と共に吹きつけることにより、研磨材が高
速で樹脂バリ２６の面に衝突し、その衝撃力で外部リー
ド２２の面上の樹脂バリ２６が除去される。このとき、
外部リード２２間の樹脂ダム２７も一部除去される。ま
た、低温のドライアイスペレット８（融点−５６．６
℃）のからなる研磨材を吹きつけることで、樹脂バリ２
６およびリードフレーム２０の表面が冷却され、サーマ
ルショックが発生することにより、リードフレーム２０
から樹脂バリ２６が剥離する。また、衝突の衝撃やサー
マルショックによりリードフレーム２０から剥離した樹
脂バリ２６は、圧縮空気により吹き飛ばされてリードフ
レーム２０の面から除去される。さらに、ドライアイス
ペレットからなる研磨材は衝突と同時に昇華し、その時
の急激な体積膨張により、細かな凹凸を有する樹脂バリ
２６の除去も可能となる。

【００３０】以上により、リードフレーム２０の外部リ
ード２２の面上および外部リード２２の間の不要な樹脂
バリ２６が効果的に除去される。このとき、圧縮空気の
圧力は、例えば１０ｋｇ／ｃｍ² 以下程度で十分である
ため、樹脂パッケージ２１やリードフレーム２０に損傷
を与えずに済む。また、樹脂バリ２６の除去と同時に、
リードフレーム２０の面に付着している離型材も除去す
ることができ、その後の工程において外部リード２２上
にはんだをメッキする際に、はんだメッキ層の密着性が
向上する。なお、外部リード２２間の樹脂ダム２７は、
例えば後の工程において機械的に除去することが可能で
あるため、上述のバリ取り工程においては、外部リード
２２の面上の樹脂バリ２６の除去を主眼に行うようにし
てもよい。

【００３１】以降は、従来の公知の工程に従って、トリ
ム・アンド・フォームを行い、外部リード２２にはんだ
メッキを施し、リードフレーム２０の不要なパターンを
カットし、外部リード２２を所定形状に曲げるリード加
工を行うことにより、半導体ＩＣの組み立て工程が終了
する。図５に、このようにして組み立てられた半導体装
置の最終的なパッケージの形態を示す。

【００３２】以上、この一実施形態によれば、樹脂封止
後のリードフレームに付着した樹脂バリを除去する際
に、ドライアイスペレットを研磨材として用い、この研
磨材を圧縮空気と共にリードフレームに噴射するように
していることにより、樹脂パッケージおよびリードフレ
ームに損傷を与えることなく、効果的に樹脂バリを除去
することができる。

【００３３】また、研磨材の材料となるドライアイスの
原料として、大気中に含まれるＣＯ₂ ガスを用いている
ため、原料を極めて低コストで容易に入手することが可
能である。また、この研磨材の形状管理は不要であり、
材料管理を容易に行うことができるという利点がある。

【００３４】さらに、ドライアイスペレット８からなる
研磨材は、リードフレームと衝突した後、昇華して元の
気体状態に戻るため、リードフレーム上に残渣が生ずク
リーニングが容易であり、また、粉塵の発生もないた
め、回収、後処理が不要となる。

【００３５】また、ＣＯ₂ ガスは、無毒、不燃性である
ため、バリ取り作業を安全に行うことができ、公害の発
生もなく地球環境の保全にも有効である。以上の理由に
より、従来のバリ取り方法に比べて、作業性の向上を図
ることができる。

【００３６】なお、研磨材の回収は不要であると述べた
が、ドライアイスが昇華することにより発生したＣＯ₂
ガスを回収して、ドライアイスの原料として再利用して
もよい。

【００３７】以上この発明の実施形態について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。

【００３８】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値、材料、パッケージの構造などはあくまで例にすぎ
ず、これに限定されるものではない。具体的には、上述
の一実施形態においては、タイバー２３を有するリード
フレーム２０を用いているが、これは、タイバーの無い
リードフレームを用いることも可能である。また、上述
の一実施形態において示したパッケージのタイプは一例
であり、これと異なるタイプのパッケージを用いること
も可能である。また、上述の一実施形態においては、研
磨材として、ドライアイスを円筒ペレット状に加工した
ものを用いているが、この研磨材としては、例えばドラ
イアイスを球状に加工したものを用いてもよい。

【００３９】また、上述の一実施形態において示したバ
リ取り装置の構成は一例であり、これと異なる構成のバ
リ取り装置を用いてもよい。また、上述の一実施形態に
おいて示したドライアイスペレット８のサイズおよび圧
縮空気の圧力も一例に過ぎず、これらのドライアイスペ
レット８のサイズおよび圧縮空気の圧力は、必要に応じ
て応じて適宜選択可能であることは言うまでもない。

【００４０】また、上述の一実施形態においては、この
発明によるバリ取り方法を、半導体ＩＣの組み立て工程
に適用した場合を例に説明したが、この発明は、例え
ば、図６に示すように、発光ダイオード（ＬＥＤ）のよ
うなのディスクリートパッケージを用いた半導体装置の
組み立て工程に適用することも可能である。図６におい
て、符号３１は半導体チップ、符号３２はワイヤー、符
号３３は外部リード、符号３４は樹脂パッケージを示
す。ここで、図６に示す例では、樹脂パッケージとして
透明樹脂パッケージが用いられている。このような透明
樹脂パッケージは、例えば、ＬＥＤや半導体レーザのよ
うな半導体発光素子、または、フォトダイオードのよう
な半導体受光素子などの光半導体装置のパッケージに用
いられるものであるが、この透明樹脂パッケージは樹脂
中にフィラー（無機物充填材）を含まないため柔軟性が
高く、樹脂バリもまた柔らかく粘着性を有している。こ
のため、従来のバリ取り方法では、外部リード３３に付
着した樹脂バリを効果的に除去することができなかっ
た。しかしながら、この発明によるバリ取り方法の場
合、ＣＯ₂ ガスを固化した低温のドライアイス（融点−
５６．６℃）からなる研磨材を吹きつけるようにしてい
るため、樹脂バリは冷却され、柔軟性を失い固くなる。
この状態で、研磨材をブラストすることによって、透明
パッケージの樹脂バリであっても容易に除去することが
可能となる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、樹脂バリの付着したリードフレームに、気体を固化
した材料からなる研磨材を大気圧以上に加圧された圧縮
空気と共に噴射するようにしていることにより、樹脂パ
ッケージやリードフレームに損傷を与えることなく樹脂
バリを効果的に除去することができ、しかも、研磨材の
形状管理が不要であり、研磨材は衝突後に気化するため
回収や後処理が不要となるため、材料管理を容易に行う
ことができ、バリ取り工程の作業性も向上する。さら
に、例えば二酸化炭素のように、無毒、不燃性の気体を
原料とした研磨材を用いた場合、バリ取り作業を安全に
行うことができ、地球環境の保全にも有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態において用いられるバリ
取り装置の略線図である。

【図２】研磨材として用いられるドライアイスペレット
を示す斜視図である。

【図３】この発明の一実施形態による半導体ＩＣの組み
立て工程を説明するための斜視図である。

【図４】この発明の一実施形態による半導体ＩＣの組み
立て工程におけるバリ取り方法を説明するための斜視図
である。

【図５】この発明の一実施形態による半導体ＩＣの組み
立て工程を説明するための斜視図である。

【図６】この発明によるバリ取り方法が適用可能な、デ
ィスクリートパッケージを用いた半導体装置の一例を示
す斜視図である。

【符号の説明】

８・・・ドライアイスペレット、２０・・・リードフレ
ーム、２１、３４・・・樹脂パッケージ、２２、３３・
・・外部リード、２６・・・樹脂バリ、２７・・・樹脂
ダム

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂封止後のリードフレームに付着した
   樹脂バリを除去する際のバリ取り方法であって、 上記リードフレームに、気体を固化した材料からなる研
   磨材を大気圧以上に加圧された圧縮空気と共に吹きつけ
   るようにしたことを特徴とするバリ取り方法。
2. 【請求項２】 上記研磨材は二酸化炭素を固化したドラ
   イアイスからなることを特徴とする請求項１記載のバリ
   取り方法。
3. 【請求項３】 上記圧縮空気の圧力を１０ｋｇ／ｃｍ²
   以下としたことを特徴とする請求項１記載のバリ取り方
   法。