JPH11317381A - 半導体装置におけるダイシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な方法でチッピングを抑えることができ
る半導体装置におけるチッピング方法を提供する。 【解決手段】 複数の半導体素子が形成されているウエ
ハ１から各半導体素子をダイシングする方法であって、
ウエハ１の表面にコーティング剤２を塗布し、ダイシン
グ後、ウエハ１からコーティング剤２のみ除去するよう
にした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体素子
が形成されているウエハから各半導体素子を切り出すた
めの半導体装置におけるダイシング方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、複数の半導
体素子が形成されているウエハをダイシングして、各半
導体チップに分割する方法が採られている。このダイシ
ングの工程では、ダイアモンドブレードにより分割され
た半導体チップの表面及び裏面のサイドにチッピングが
生じることが多い。このようなチッピングは、拡散層に
及べばその半導体チップは不良となる。また、微細なチ
ッピングでも半導体装置の組立時や樹脂モールド時やパ
ッケージングに応力が集中し、クラックに発展して半導
体チップ自体を破壊する原因ともなっている。しかし、
設備や作業が複雑でコストが高くなっている問題点があ
った。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そこで、半導体装置の
製造工程におけるダイシング作業では、チッピングの発
生を抑えることが課題となっており、これまでも色々な
方法が試みられている。

【０００４】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は簡単な方法でチッピングを抑える
ことができる半導体装置におけるチッピング方法を提供
することにある。さらに、他の目的は、以下に説明する
内容の中で順次明らかにして行く。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次の技術手段を講じたことを特徴とする。
すなわち、複数の半導体素子が形成されているウエハか
ら各半導体素子をダイシングする方法において、前記ウ
エハの表面にコーティング剤を塗布し、ダイシング後、
前記ウエハから前記コーティング剤のみ除去するように
したものである。

【０００６】この方法によれば、ウエハにコーティング
剤を塗布した状態でダイシングすることにより、ブレー
ドが最初に触れるのはコーティング剤の部分で、その
後、下層のウエハに触れることになるので、コーティン
グ剤部分にチッピングが入っても、半導体チップ自体に
までチッピングが及ぶのを防ぐことができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な形態を添付
図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる形
態は、本発明の好適な具体例であるから技術的に好まし
い種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下
の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限
り、これらの形態に限られるものではない。

【０００８】図１は本発明の一実施形態を説明するため
の工程の流れ図で、図２乃至図４は各工程での説明図で
ある。そこで、その工程での作業を図１の流れ図に従っ
て次の〜の順に説明する。

【０００９】 まず、ウエハ１の表面にコーティング
剤２を塗布し（Ｓ１）、このウエハ１の裏面側をＵＶ
（紫外線）シート３に貼り付ける（Ｓ２）。図２は、こ
のようにしてＵＶシート３上に貼り付けられた状態を示
している。また、ここでのコーティング剤２は、好まし
くは硬度がＵＶシート３と同等であり、色及び厚さはス
クライブライン５が見えるようであることが望ましい。
さらに、ドライエッチング可能なコーティング剤２が使
用される。

【００１０】 次に、ウエハ１が貼り付けられている
ＵＶシート３を、ウエハ１を上側にして図示せぬダイシ
ング装置内にセットする。ダイシング装置内には、図３
に示すようにウエハ１をスクライブライン５に沿って回
転しながら切断するダイアモンドブレード６が設けられ
ており、このダイアモンドブレード６でウエハ１の切断
が行われる（Ｓ３）。ここでのダイシングでは、回転し
ているダイアモンドブレード６がウエハ１上に下降さ
れ、図４に示しているように、ウエハ１の表面側からＵ
Ｖシート３内の途中まで切り込みを入れる。したがっ
て、ここではウエハ１は切断されるが、ＵＶシート３は
ハーフカットされて一枚状になった状態にある。

【００１１】 続いて、ウエハ１上にコーティングさ
れているコーティング剤２をドライエッチングにより除
去する。図５は、コーティング剤２を除去した後の断面
を示している。以上により、ダイシング作業が完了し、
次の工程へ移行されて必要な加工がなされる。

【００１２】したがって、この実施形態でのダイシング
方法によれば、ウエハ１にコーティング剤２を塗布した
後、ダイシングするので、ウエハ表面に直接ダイアモン
ドブレードが接することなく、コーティング面から切断
することになる。これにより、コーティング剤２により
ウエハ１の表面が保護され、ウエハ１にチッピングが入
るのを防ぐことができる。一方、コーティング剤２の部
分にはチッピングが入ることがあるが、コーティング剤
２にチッピングが入っても、チップ自体にまでチッピン
グが及ぶのを防ぐことができる。これにより、ダイシン
グ前のウエハ１にコーティング剤２を塗布するという簡
単な方法で、ダイシング時に半導体チップにチッピング
ができるのを防止することができる。

【００１３】なお、上記実施形態では、ウエハ１の表面
にコーティング剤２を塗布した後、このウエハ１をＵＶ
シート３に貼り付ける場合として説明したが、ＵＶシー
ト３にウエハ１を貼り付けた後にコーティング剤２を塗
布するようにしてもよいものである。

【００１４】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
ダイシング前のウエハにコーティング剤を塗布するとい
う簡単な方法で、ダイシング時に半導体チップにチッピ
ングができるのを防止することができる。これにより、
コストを下げることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るダイシング方法における作業手
順の一例を示す流れ図である。

【図２】 本発明に係るダイシング方法の説明図であ
る。

【図３】 本発明に係るダイシング方法の説明図であ
る。

【図４】 本発明に係るダイシング方法の説明図であ
る。

【図５】 本発明に係るダイシング方法の説明図であ
る。

【符号の説明】

１ ウエハ ２ コーティング剤 ３ ＵＶシート ５ スクライブライン ６ ダイアモンドブレード

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の半導体素子が形成されているウエ
   ハから各半導体素子をダイシングする方法において、 前記ウエハの表面にコーティング剤を塗布し、ダイシン
   グ後、前記ウエハから前記コーティング剤のみ除去する
   ことを特徴とする半導体装置におけるダイシング方法。
2. 【請求項２】 複数の半導体素子が形成されているウエ
   ハから各半導体素子をダイシングする方法において、 表面側にコーティング剤を塗布した前記ウエハの裏面側
   をＵＶ（紫外線）シートに貼り付け、このＵＶシートに
   貼り付けられている前記ウエハを前記ＵＶシートを切り
   離すことなくダイシングし、前記ダイシングの後に前記
   ＵＶシートに貼り付けたままの状態で前記ウエハ表面の
   コーティング剤のみを除去することを特徴とする半導体
   装置におけるダイシング方法。
3. 【請求項３】 前記コーティング剤としてドライエッチ
   ング可能なコーティング剤を使用し、前記コーティング
   剤をドライエッチングで除去するようにした請求項２に
   記載の半導体装置におけるダイシング方法。