JPH11316310A - 光学干渉計 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型のマッハツェンダー干渉計を提供する。
【解決手段】 １対の光学カプラー領域間２４，２５に
延びる１対の光学導波路２１，２２を有する光学干渉計
１９において、光学導波路２１，２２は、最大伝送量と
最小伝送量を与える前記光学カプラー領域間２４，２５
間に異なる光学パス長さを有し、１対の光学導波路の各
導波路は、第１セグメント部分Ａと第２セグメント部分
Ｂを光学的に結合する反射器部分Ｃを有する。
延びる１対の光学導波路２１，２２を有する光学干渉計
１９において、光学導波路２１，２２は、最大伝送量と
最小伝送量を与える前記光学カプラー領域間２４，２５
間に異なる光学パス長さを有し、１対の光学導波路の各
導波路は、第１セグメント部分Ａと第２セグメント部分
Ｂを光学的に結合する反射器部分Ｃを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マッハツェンダー
干渉計（Mach-Zehnder interferometer：ＭＺＩ）に関
し、特に、基準波長装置として用いるコンパクトなマッ
ハツェンダー干渉計に関する。
干渉計（Mach-Zehnder interferometer：ＭＺＩ）に関
し、特に、基準波長装置として用いるコンパクトなマッ
ハツェンダー干渉計に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバによる通信チャネルが、金属
製ケーブルおよびマイクロウェーブの伝送リンクに、取
って代わるにつれて、光学信号を直接処理する光学集積
回路がますます重要となる。光学処理に特に有効なアプ
ローチは、シリコン基板上に形成されたガラス導波路の
集積構造を用いることである。このような集積装置の基
本的構造は、C.H.Henry et al 著の“Glass Waveguides
on Slilicon for Hybrid Optical Packaging”,7 J.Li
ghtwave Technol.,pp.1530-1539(1989),に開示されてい
る。これを要約すると、シリコン製基板がＳｉＯ2製の
ベースを具備し、ドープしたシリカガラス製のコア層が
このＳｉＯ2製酸化物層の上に堆積されている。このコ
ア層は標準のリソグラフ技術を用いて、所望の導波路構
造（通常４〜１０μｍ）の幅を有するよう構成され、ド
ープしたシリカガラス製の層がこのコアの上に堆積され
上部クラッド層として機能する。導波路の正確な構造に
より、このようなデバイスは、ビーム分割、タッピン
グ、多重化、分離化、フィルタリング等の様々な機能を
実行できる。
製ケーブルおよびマイクロウェーブの伝送リンクに、取
って代わるにつれて、光学信号を直接処理する光学集積
回路がますます重要となる。光学処理に特に有効なアプ
ローチは、シリコン基板上に形成されたガラス導波路の
集積構造を用いることである。このような集積装置の基
本的構造は、C.H.Henry et al 著の“Glass Waveguides
on Slilicon for Hybrid Optical Packaging”,7 J.Li
ghtwave Technol.,pp.1530-1539(1989),に開示されてい
る。これを要約すると、シリコン製基板がＳｉＯ2製の
ベースを具備し、ドープしたシリカガラス製のコア層が
このＳｉＯ2製酸化物層の上に堆積されている。このコ
ア層は標準のリソグラフ技術を用いて、所望の導波路構
造（通常４〜１０μｍ）の幅を有するよう構成され、ド
ープしたシリカガラス製の層がこのコアの上に堆積され
上部クラッド層として機能する。導波路の正確な構造に
より、このようなデバイスは、ビーム分割、タッピン
グ、多重化、分離化、フィルタリング等の様々な機能を
実行できる。
【０００３】マッハツェンダー干渉計は、ガラス製導波
路の集積デバイス内の主要な要素である。ＭＺＩ（マッ
ハツェンダー干渉計）は、異なる長さの２本の導波路に
より接続された１対のカプラーを有する。図１には、従
来技術を示し、同図においては、従来のＭＺＩは例えば
シリコン製の基板１３の上に堆積された２本の導波路１
１、１２を有する。この２本の導波路は、２個の領域１
４、１５で近接して配置され、２個の方向性カプラー
（通常３ｄＢカプラーと称する）を形成し、２本の導波
路上を伝搬する光を分離したり再結合したりする。下側
の導波路１２は下側アームとも称し、この光学長はＬで
ある。上側の導波路１１はより長い光学長さＬ＋ΔＬを
有し下側アームの導波路１２よりもより大きく湾曲して
いる。
路の集積デバイス内の主要な要素である。ＭＺＩ（マッ
ハツェンダー干渉計）は、異なる長さの２本の導波路に
より接続された１対のカプラーを有する。図１には、従
来技術を示し、同図においては、従来のＭＺＩは例えば
シリコン製の基板１３の上に堆積された２本の導波路１
１、１２を有する。この２本の導波路は、２個の領域１
４、１５で近接して配置され、２個の方向性カプラー
（通常３ｄＢカプラーと称する）を形成し、２本の導波
路上を伝搬する光を分離したり再結合したりする。下側
の導波路１２は下側アームとも称し、この光学長はＬで
ある。上側の導波路１１はより長い光学長さＬ＋ΔＬを
有し下側アームの導波路１２よりもより大きく湾曲して
いる。
【０００４】次に図１の動作について説明する。ＭＺＩ
は１個のフィルタとして機能する。最大伝送量は、出力
用３ｄＢカプラーである領域１５に到達する、アームで
ある導波路１１と導波路１２を伝搬する波長λiが位相
差Δφ＝２πｍ（ｍは正数）の時に発生する。最低伝送
量は、Δφがπの奇数倍の時のλjで発生する。このよ
うな周期的動作により、ＭＺＩは、シンプルな光フィル
タ、波長分割マルチプレクサ、基準波長装置として機能
する。適宜構成されたＭＺＩの連続体を用いて、様々な
異なる特性を有するフィルタを形成できる。これに関し
ては、米国特許５５９６６６１号を参照のこと。
は１個のフィルタとして機能する。最大伝送量は、出力
用３ｄＢカプラーである領域１５に到達する、アームで
ある導波路１１と導波路１２を伝搬する波長λiが位相
差Δφ＝２πｍ（ｍは正数）の時に発生する。最低伝送
量は、Δφがπの奇数倍の時のλjで発生する。このよ
うな周期的動作により、ＭＺＩは、シンプルな光フィル
タ、波長分割マルチプレクサ、基準波長装置として機能
する。適宜構成されたＭＺＩの連続体を用いて、様々な
異なる特性を有するフィルタを形成できる。これに関し
ては、米国特許５５９６６６１号を参照のこと。
【０００５】従来のＭＺＩにおける問題点は、ＭＺＩは
基板表面の比較的長く、広い領域を占有する点である。
より長い光学パス長さを得るために、一方のアーム（導
波路）は通常湾曲している。しかしこの湾曲量は、曲げ
損失と分散の影響により制限される。湾曲部分を光が伝
搬すると、光は失われ、光学モードは半径方向から外側
にシフトしてしまう。導波路コアにルーズに結合された
モード（ＴＭ）は、よりタイトに結合されたモード（Ｔ
Ｅ）よりも損失が大きく、外側シフトの量も多い。従っ
て、湾曲部の半径は大きく保たねばならず、その結果か
なりの面積が所望のパス長差ΔＬを得るために必要であ
る。
基板表面の比較的長く、広い領域を占有する点である。
より長い光学パス長さを得るために、一方のアーム（導
波路）は通常湾曲している。しかしこの湾曲量は、曲げ
損失と分散の影響により制限される。湾曲部分を光が伝
搬すると、光は失われ、光学モードは半径方向から外側
にシフトしてしまう。導波路コアにルーズに結合された
モード（ＴＭ）は、よりタイトに結合されたモード（Ｔ
Ｅ）よりも損失が大きく、外側シフトの量も多い。従っ
て、湾曲部の半径は大きく保たねばならず、その結果か
なりの面積が所望のパス長差ΔＬを得るために必要であ
る。
【０００６】このような形状上の制約は、ＭＺＩを基準
波長ソースとして適応する際に特に問題である。ＭＺＩ
は大型であるために、レーザ光ソースとＭＺＩは通常、
別個の基板上に搭載される。しかしこの別個の基板は、
異なる極性シフト（通常応力複屈折に起因する）を生成
してしまう。このため、この極性差を補償するために別
の装置が必要となる。
波長ソースとして適応する際に特に問題である。ＭＺＩ
は大型であるために、レーザ光ソースとＭＺＩは通常、
別個の基板上に搭載される。しかしこの別個の基板は、
異なる極性シフト（通常応力複屈折に起因する）を生成
してしまう。このため、この極性差を補償するために別
の装置が必要となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、小型のマッハツェンダー干渉型装置を提供すること
である。
は、小型のマッハツェンダー干渉型装置を提供すること
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＺＩは、１対
のカプラー間に配置された、１対の折り曲げられた導波
路を有する。各折り曲げられた導波路は、反射器で交差
する１つのセグメントを有する。このそれぞれの反射器
は、カプラーから異なった位置に配置され、２本のアー
ム間に異なるパス長さの主要部を提供する。一実施例に
おいては、反射器は、ポリシリコン製のミラーであり、
交差した導波路をエッチングして、ポリシリコンを堆積
することにより形成できる。本発明によれば、ＭＺＩ
は、共通のシリコン製の光学ベンチチップ上にレーザ光
ソース用の多重波長基準装置として用いることができ
る。
のカプラー間に配置された、１対の折り曲げられた導波
路を有する。各折り曲げられた導波路は、反射器で交差
する１つのセグメントを有する。このそれぞれの反射器
は、カプラーから異なった位置に配置され、２本のアー
ム間に異なるパス長さの主要部を提供する。一実施例に
おいては、反射器は、ポリシリコン製のミラーであり、
交差した導波路をエッチングして、ポリシリコンを堆積
することにより形成できる。本発明によれば、ＭＺＩ
は、共通のシリコン製の光学ベンチチップ上にレーザ光
ソース用の多重波長基準装置として用いることができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】図２に本発明の折り返し型ＭＺＩ
２０を含む光学導波路集積装置１９の上面図を示す。本
発明の折り返し型ＭＺＩ２０は、酸化物をコーティング
したシリコン製の基板２３の上に１対の折り返し型導波
路２１，２２を有し、それらは、１対のカプラー２４、
２５の間に配置されている。折り返し型導波路２１は、
反射器２１Ｃにより光学的に接合された少なくとも２つ
の導波路セグメント２１Ａ、２１Ｂを有する。このセグ
メントは、反射器と交差している。折り返し型導波路２
２も、折り返し型導波路２１に対応する同様な構成要素
導波路セグメント２２Ａ〜反射器２２Ｃを有する。折り
返し型導波路２１、２２は軸方向に延び、反射器２１
Ｃ、２２Ｃは、結合器と反射器とを結ぶ方向に沿って軸
方向距離ｄだけ互いに離れている。この距離ｄが、折り
返し型導波路２１、２２の間のパス長差ΔＬの主要な部
分となる。カプラー２４、２５は、折り返し型導波路２
１、２２が互いに近づく領域であり、そこで光学結合が
発生する。導波路間の距離と結合領域の長さは、一方の
導波路から他方の導波路へ３ｄＢ結合が行われるよう選
択される。
２０を含む光学導波路集積装置１９の上面図を示す。本
発明の折り返し型ＭＺＩ２０は、酸化物をコーティング
したシリコン製の基板２３の上に１対の折り返し型導波
路２１，２２を有し、それらは、１対のカプラー２４、
２５の間に配置されている。折り返し型導波路２１は、
反射器２１Ｃにより光学的に接合された少なくとも２つ
の導波路セグメント２１Ａ、２１Ｂを有する。このセグ
メントは、反射器と交差している。折り返し型導波路２
２も、折り返し型導波路２１に対応する同様な構成要素
導波路セグメント２２Ａ〜反射器２２Ｃを有する。折り
返し型導波路２１、２２は軸方向に延び、反射器２１
Ｃ、２２Ｃは、結合器と反射器とを結ぶ方向に沿って軸
方向距離ｄだけ互いに離れている。この距離ｄが、折り
返し型導波路２１、２２の間のパス長差ΔＬの主要な部
分となる。カプラー２４、２５は、折り返し型導波路２
１、２２が互いに近づく領域であり、そこで光学結合が
発生する。導波路間の距離と結合領域の長さは、一方の
導波路から他方の導波路へ３ｄＢ結合が行われるよう選
択される。
【００１０】図２の構造は、前掲の Henry et al 著の
文献に開示されたものである。シリコン製の基板は、高
圧蒸気酸化により成長したＳｉＯ2製の第１層（厚さ１
５μｍ）を具備する。８％のリンをドープしたシリカか
らなる厚さが４〜８μｍのコア層をこの酸化物層の上に
ＬＰＣＶＤを用いて堆積した。その後コア層を適宜マス
クして、ＲＩＥ等によりドライエッチングして、このコ
ア層を所望の形状の導波路のパターン化した。このコア
層のガラスをその後アニールして、さらにその後上部ク
ラッド層（リンとボロンをドープしたシリカ製の７μｍ
厚層）を導波路コアの上に堆積した。通常導波路コア
は、４〜１０μｍの範囲の幅を有する。
文献に開示されたものである。シリコン製の基板は、高
圧蒸気酸化により成長したＳｉＯ2製の第１層（厚さ１
５μｍ）を具備する。８％のリンをドープしたシリカか
らなる厚さが４〜８μｍのコア層をこの酸化物層の上に
ＬＰＣＶＤを用いて堆積した。その後コア層を適宜マス
クして、ＲＩＥ等によりドライエッチングして、このコ
ア層を所望の形状の導波路のパターン化した。このコア
層のガラスをその後アニールして、さらにその後上部ク
ラッド層（リンとボロンをドープしたシリカ製の７μｍ
厚層）を導波路コアの上に堆積した。通常導波路コア
は、４〜１０μｍの範囲の幅を有する。
【００１１】反射器２１Ｃ、２２Ｃは、交差点近傍の導
波路セグメントをエッチングし、切断した表面を金属化
することにより形成できる。好ましくは反射器は、導波
路がＲＩＥにより規定された直後にその切断面にポリシ
リコンを堆積することにより形成できる。
波路セグメントをエッチングし、切断した表面を金属化
することにより形成できる。好ましくは反射器は、導波
路がＲＩＥにより規定された直後にその切断面にポリシ
リコンを堆積することにより形成できる。
【００１２】次にこれらの構成の動作について述べる。
折り返し型導波路２１の入力点に入った光は、カプラー
２４を通過し、そこで折り返し型導波路２１、２２の間
で等分割される。各導波路上を光は、第１の導波路セグ
メント２１Ａ，２２Ａに沿って通過して、それぞれ反射
器２１Ｃ、２２Ｃで反射され、導波路セグメント２１
Ｂ、２２Ｂに至る。反射器２１Ｃ、２２Ｃは、結合領域
（２４，２５）から異なる距離に配置されているため
に、導波路セグメント２１Ｂを通過する光と、導波路セ
グメント２２Ｂを通過する光は波長に依存して異なる位
相で、第２の結合領域２５に到達する。位相（２πの正
数倍の位相）で到達した光は、伝送量が最大となる。そ
の位相からずれた光は、伝送量が最小となる。πシフト
が一方の導波路から他方の導波路への結合の際現れるた
めに、出力は相補的となる。
折り返し型導波路２１の入力点に入った光は、カプラー
２４を通過し、そこで折り返し型導波路２１、２２の間
で等分割される。各導波路上を光は、第１の導波路セグ
メント２１Ａ，２２Ａに沿って通過して、それぞれ反射
器２１Ｃ、２２Ｃで反射され、導波路セグメント２１
Ｂ、２２Ｂに至る。反射器２１Ｃ、２２Ｃは、結合領域
（２４，２５）から異なる距離に配置されているため
に、導波路セグメント２１Ｂを通過する光と、導波路セ
グメント２２Ｂを通過する光は波長に依存して異なる位
相で、第２の結合領域２５に到達する。位相（２πの正
数倍の位相）で到達した光は、伝送量が最大となる。そ
の位相からずれた光は、伝送量が最小となる。πシフト
が一方の導波路から他方の導波路への結合の際現れるた
めに、出力は相補的となる。
【００１３】図３は、図２のデバイス１９を多重波長光
ソースの基準波長装置として使用する例を示す。折り返
し型ＭＺＩ２０への入力は、フィードバック制御が可能
な光ソース４０（例、その波長が調整可能な多重波長レ
ーザ）から放射される。このＭＺＩの遅延差は、所望の
ソースの波長において、相補的な出力が所定の比率で
（例えば、好ましくは等比率で現れるよう）選択され
る。２つの出力が、光ダイオード４１、４２に加えら
れ、その結果得られた電気信号が比較器４３内で比較さ
れる。差を表す信号がフィードバックループ４４を介し
て光ソース４０に加えられ、それにより波長を一定にす
る。この実施例においては折り返し型ＭＺＩ２０と光ソ
ース４０とは共通の基板４５上に配置されている。調整
された光学出力は基板４５上に配置された増幅器／変調
器チップ４６により増幅および／または変調される。光
ソース４０は、複数のスペクトラム的に分離した波長を
生成する、多重波長光ソースである。
ソースの基準波長装置として使用する例を示す。折り返
し型ＭＺＩ２０への入力は、フィードバック制御が可能
な光ソース４０（例、その波長が調整可能な多重波長レ
ーザ）から放射される。このＭＺＩの遅延差は、所望の
ソースの波長において、相補的な出力が所定の比率で
（例えば、好ましくは等比率で現れるよう）選択され
る。２つの出力が、光ダイオード４１、４２に加えら
れ、その結果得られた電気信号が比較器４３内で比較さ
れる。差を表す信号がフィードバックループ４４を介し
て光ソース４０に加えられ、それにより波長を一定にす
る。この実施例においては折り返し型ＭＺＩ２０と光ソ
ース４０とは共通の基板４５上に配置されている。調整
された光学出力は基板４５上に配置された増幅器／変調
器チップ４６により増幅および／または変調される。光
ソース４０は、複数のスペクトラム的に分離した波長を
生成する、多重波長光ソースである。
【００１４】次に本発明を以下の実験例を下に説明す
る。
る。
【００１５】
【実施例】図２の装置を前掲の C.H.Henry et al 著の
論文に記載された、シリコン光学ベンチ技術（silicon
optical bench techniques：ＳｉＯＢ）を用いて、シリ
コン製の基板上に形成した。２つのカプラー領域（図２
の２４，２５に相当）が横方向（図２で上下方向に相
当）に約２８０μｍ離れて配置され、縦方向（図２で左
右方向に相当）に約１０００μｍ（図２のｄに相当）離
れてエッチングしたミラー反射器（図２の２１Ｃ，２２
Ｃに相当）を配置した。カプラー領域の導波路の幅は
４．５μｍで、直線カプラー領域の長さは９００μｍ
で、それに沿った２本の導波路（図２の２４の部分の２
１，２２に相当）間の中心間距離は９μｍであった。導
波路（図２の２１，２２に相当）の厚さは約６．８μｍ
で、導波路の曲げ半径は１０ｍｍである。その結果、約
２ｍｍのパス長差を有する折り曲げ型のＭＺＩ２０が得
られ、その結果、１００ＧＨｚの自由空間範囲が得られ
た。
論文に記載された、シリコン光学ベンチ技術（silicon
optical bench techniques：ＳｉＯＢ）を用いて、シリ
コン製の基板上に形成した。２つのカプラー領域（図２
の２４，２５に相当）が横方向（図２で上下方向に相
当）に約２８０μｍ離れて配置され、縦方向（図２で左
右方向に相当）に約１０００μｍ（図２のｄに相当）離
れてエッチングしたミラー反射器（図２の２１Ｃ，２２
Ｃに相当）を配置した。カプラー領域の導波路の幅は
４．５μｍで、直線カプラー領域の長さは９００μｍ
で、それに沿った２本の導波路（図２の２４の部分の２
１，２２に相当）間の中心間距離は９μｍであった。導
波路（図２の２１，２２に相当）の厚さは約６．８μｍ
で、導波路の曲げ半径は１０ｍｍである。その結果、約
２ｍｍのパス長差を有する折り曲げ型のＭＺＩ２０が得
られ、その結果、１００ＧＨｚの自由空間範囲が得られ
た。
【００１６】図３の装置においては、ＭＺＩ（２０）
は、レーザ（４０）から下側カプラーのポートで安定化
された光を受光し、上側出力カプラーの両方のブランチ
は、同調ミラーを介して、ＰＩＮディテクター（４１，
４２）に向けられた。ＰＩＮディテクター（４１，４
２）の信号の差が波長が変わるにつれて（交互に変わる
傾斜でもって）、５０ＧＨｚごとに、ゼロを通る信号を
提供し、その結果、高密度ＷＤＭソースのマルチチャネ
ル基準として用いることができる。ＰＩＮ出力の和は、
レーザーソースのフロントフェイスパワーミラーとして
用いられる。
は、レーザ（４０）から下側カプラーのポートで安定化
された光を受光し、上側出力カプラーの両方のブランチ
は、同調ミラーを介して、ＰＩＮディテクター（４１，
４２）に向けられた。ＰＩＮディテクター（４１，４
２）の信号の差が波長が変わるにつれて（交互に変わる
傾斜でもって）、５０ＧＨｚごとに、ゼロを通る信号を
提供し、その結果、高密度ＷＤＭソースのマルチチャネ
ル基準として用いることができる。ＰＩＮ出力の和は、
レーザーソースのフロントフェイスパワーミラーとして
用いられる。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は従来の導波
路基準波長装置に比較して、小型となる。この小型化に
より、ＭＺＩをレーザーと同一のシリコンチップ上に配
置できる。エッチングされたミラーの製造許容誤差が広
くなったことにより、容易に本発明のデバイスを製造で
きる。
路基準波長装置に比較して、小型となる。この小型化に
より、ＭＺＩをレーザーと同一のシリコンチップ上に配
置できる。エッチングされたミラーの製造許容誤差が広
くなったことにより、容易に本発明のデバイスを製造で
きる。
【図１】従来のマッハツェンダー干渉計を表す図。
【図２】本発明による折り返し形式のマッハツェンダー
干渉計を表す図。
干渉計を表す図。
【図３】多重波長光ソース内の基準波長装置としての図
２の主要例を表す図。
２の主要例を表す図。
１１、１２ 導波路 １３ 基板 １４、１５ 領域 １９ 光学導波路集積装置 ２０ 折り返し型ＭＺＩ ２１、２２ 折り返し型導波路 ２１Ａ、２１Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ 導波路セグメント ２１Ｃ、２２Ｃ 反射器 ２３ 基板 ２４、２５ カプラー ４０ 光ソース ４１、４２ 光ダイオード ４３ 比較器 ４４ フィードバックループ ４５ 基板 ４６ 増幅器／変調器チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ダーク ジョーキム ムールナー アメリカ合衆国，07974 ニュージャージ ー，マーレイ ヒル，ローランド ロード 120
Claims (9)
- 【請求項１】 １対の光学カプラー領域（２４，２５）
間に延びる１対の光学導波路（２１，２２）を有する光
学干渉計（１９）において、 前記光学導波路（２１，２２）は、最大伝送量と最小伝
送量を与える前記光学カプラー領域（２４，２５）間に
異なる長さの光学パスを有し、 前記１対の光学導波路の各導波路（２１，２２）は、第
１セグメント（２１Ａ，２２Ａ）と第２セグメント（２
１Ｂ，２２Ｂ）を光学的に結合する反射器（２１Ｃ，２
２Ｃ）を有することを特徴とする光学干渉計。 - 【請求項２】 前記導波路対の各導波路（２１，２２）
は、 伝送軸方向に延びる第１セグメント（２１Ａ，２２Ａ）
と、 伝送軸方向に延びる第２セグメント（２１Ｂ，２２Ｂ）
と、 伝送軸方向に離間して配置されたそれぞれの導波路の反
射器（２１Ｃ，２２Ｃ）と、を有し、これにより導波路
間（２１，２２）に光学パス長差を提供することを特徴
とする請求項１記載の干渉計。 - 【請求項３】 前記導波路は、シリコンを含有する基板
上に配置された、シリカガラス製の導波路を含むことを
特徴とする請求項１記載の干渉計。 - 【請求項４】 前記反射器は、ポリシリコンを含有する
ことを特徴とする請求項１記載の干渉計。 - 【請求項５】 電気的に制御可能な光学ソース（４０）
と、 前記光学ソースに光学的に結合された光学干渉計（２
０）と、 前記光学干渉計（２０）の出力を表す電気信号を生成す
る光ダイオード（４１，４２）と、 前記電気信号により前記光学ソース（４０）を制御する
フィードバックループ（４４）と、を有する光学ソース
装置において、 前記光学干渉計（２０）は、請求項１記載の干渉計（１
９）であることを特徴とする光学ソース装置。 - 【請求項６】 前記光学ソースは、多重波長光学ソース
であることを特徴とする請求項５記載の光学ソース装
置。 - 【請求項７】 前記光学ソース（４０）と前記干渉計
（２０）とは共通の基板（４５）上に配置されることを
特徴とする請求項５記載の光学ソース装置。 - 【請求項８】 前記光学ソース（４０）と前記干渉計
（２０）とはシリコンを含有する共通の基板（４５）上
に配置されることを特徴とする請求項５記載の光学ソー
ス装置。 - 【請求項９】 前記光学ソース（４０）と前記干渉計
（２０）と光ダイオード（４１，４２）とはシリコンを
含有する共通の基板（４５）上に一体に形成されること
を特徴とする請求項５記載の光学ソース装置。
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