JPH11311773A

JPH11311773A - 液晶素子の駆動法

Info

Publication number: JPH11311773A
Application number: JP12021498A
Authority: JP
Inventors: Akira Tsuboyama; 明坪山; Jun Iba; 潤伊庭; Takashi Enomoto; 隆榎本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-04-30
Filing date: 1998-04-30
Publication date: 1999-11-09

Abstract

(57)【要約】【課題】自発分極を有するスメクチック液晶をアクテ
ィブマトリクス方式により駆動する液晶素子において、
温度変化による表示状態の変化を低減して、安定した表
示を実現する。【解決手段】液晶素子に温度検知手段を設け、温度変
化に応じて、ゲートオン期間或いは液晶に印加される電
圧値を変化させることによって、液晶の応答速度の温度
依存性を補償する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータのディスプレイ等に用いられる液晶素子の駆動法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶素子で
実用化されているもののほとんどは、ネマチック液晶を
用いたＴＮ（ツイステッドネマチック）モードを用いて
いる。ＴＮモードは、その応答速度が低いことと視野角
特性が狭いために、画質上の問題があった。

【０００３】そこで、強誘電性或いは反強誘電性液晶の
高速で且つ広い視野角特性を生かして、アクティブマト
リクスで駆動する液晶素子の研究がなされてきた。以下
にこれに関連する文献を挙げる。（１）Ａｆｕｌｌ−ｃｏｌｏｒｔｈｒｅｓｈｏｌｄ
ｌｅｓｓＡｎｔｉｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬＣ
Ｄｅｘｈｉｂｉｔｉｎｇｗｉｄｅｖｉｅｗｉｎｇ
ａｎｇｌｅｗｉｔｈｆａｓｔｒｅｓｐｏｎｓｅ
ｔｉｍｅ，Ｔ．Ｙｏｓｈｉｄａら，ＳＩＤ９７（Ｓ
ｏｃｉｅｔｙｆｏｒＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＤｉ
ｓｐｌａｙ９７）ＤＩＧＥＳＴＰ８４１（２）Ｖｏｌｔａｇｅ−ｈｏｌｄｉｎｇｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓｏｆｔｈｒｅｓｈｏｌｄｌｅｓｓａｎｔ
ｉｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓ
ｔａｌｓｄｒｉｖｅｎｂｙａｃｔｉｖｅｍａｔ
ｒｉｃｅｓ，Ｔ．ｓａｉｓｈｕら，ＳＩＤ９６（Ｓｏ
ｃｉｅｔｙｆｏｒＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＤｉｓ
ｐｌａｙ９６）ＤＩＧＥＳＴＰ７０３（３）Ａｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆ
ａｃｔｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘｄｒｉｖｉｎｇｏｆ
ｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａｌｓｗｉｔｈｓｐｏｎ
ｔａｎｅｏｕｓｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎＴ．Ｖｅ
ｒｈｕｌｓｔＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ．
３６（１９９７）ｐｐ７２０−７２９

【０００４】これらの文献によれば、ＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）によって自発分極を有する反強誘電性液晶や
強誘電性液晶を駆動する場合、自発分極の反転に伴う保
持電圧の低下によって、液晶に印加される駆動電圧が低
下し、コントラストが悪化するという画質劣化を引き起
こす。この現象を図面を参照しながら簡単に説明する。

【０００５】図１に、ＴＦＴによって液晶を駆動する時
の１画素の構成の模式図を、図２には当該画素を駆動す
るための駆動信号と液晶の応答を示した。ここでは、液
晶として上記文献（１）に記載された「無しきい値反強
誘電性液晶（ＴＬＡＦＬＣ）」を用いた液晶素子を例に
挙げて説明する。当該液晶素子においては、液晶が、電
圧無印加での配向状態（第一の配向状態とする）にある
ときは第一の透過率を示し、液晶に第一の極性（例えば
正極性側）の電圧を加えたときには、液晶分子が第一の
配向状態から一方の方向にチルトし、所定の電圧値Ｖ₀
で第二の配向状態となり第二の透過率を示し、また第一
の極性とは逆の第二の極性（例えば負極性）の電圧を加
えたときには、液晶分子が第一の配向状態から他方の方
向へチルトし、所定の電圧−Ｖ₀で第三の配向状態とな
り第二の透過率を示し、印加電圧値に応じて上記第一の
透過率と第二の透過率との間で連続的に透過率が変化す
る電圧−透過率特性を有する。従って、上記第一の光透
過率状態の時が最暗状態となるように一対の偏光板で当
該液晶素子を挟持すると、最暗状態を透過率０％、最明
状態を透過率１００％として、図９に示すように、０％
から１００％まで、印加された電圧値に対応して連続し
て透過率が変化する特性が得られる。

【０００６】図１に示したＴＦＴ１はゲート・ソース・
ドレイン電極を有し、ドレイン電極に液晶セル２の画素
電極が接続されている。また、当該構成においては、液
晶セル２と並列に、ＴＦＴ１がオフの期間に液晶に印加
される電圧を保持するための保持容量３を設けている。

【０００７】また、図２において、（ａ）は図１のＴＦ
Ｔ１のゲート電極に印加する走査信号の電圧波形Ｇ₁ 、
（ｂ）はソース電極に印加する情報信号の電圧波形Ｓ
₁ 、（ｃ）は液晶に印加される電圧波形Ｖ_LCをそれぞれ
示し、（ｄ）は当該画素の透過率Ｔ_LCを最暗状態を０
％、最明状態を１００％として示したものである。尚、
図中のＶ_c は画素電極に対向する共通電極の電位であ
る。Ｆ₁ 、Ｆ₂ はそれぞれ当該画素を含む１画面の走査
期間（フレーム）であり、ｔ_onは当該画素のＴＦＴのゲ
ートをオンする期間、ｔ_off はゲートをオフする期間で
ある。また、便宜上、情報信号は当該画素に関わるパル
スのみを示している。

【０００８】図２に示したように、ＴＦＴのゲートオン
に同期して、ソース電極に情報信号を供給する。当該情
報信号Ｓ₁ は、電気的な液晶の劣化を防止するために、
周期的に（図２では１フレーム走査毎に）極性を反転さ
せる。

【０００９】液晶はｔ_onに印加されるＶ_LCに従い、逆極
性に対応した配向状態へ転移（反転）を開始する。液晶
の応答時間がｔ_onよりも長い場合には、ｔ_onが終了して
ｔ_off に入っても反転が引き続いて行われる。液晶は自
発分極を有するため、ｔ_offでの反転は液晶の自発分極
による電圧降下を引き起す。最終的にはこの電圧降下分
を含めたＶ_LCに対応する配向状態となり、画素の透過率
は一定の値で落ち着く。

【００１０】上記したように、所望の光学状態を得るた
めには、自発分極の電圧降下分を見込んだ電圧を液晶に
印加する必要がある。降下する電圧は、ｔ_off に反転す
る液晶の自発分極量、つまり、ｔ_onに反転できなかった
液晶の自発分極量であるから、ｔ_onで反転できる自発分
極量に依存した値となる。ｔ_onに反転できる液晶の自発
分極量は、印加電圧に対する液晶の応答速度に依存す
る。即ち、同じ電圧を与えた場合、液晶の応答速度の速
い方がｔ_onで反転できる自発分極量が多く、従って、電
圧降下が小さいため、Ｖ_LCの絶対値が大きくなり、透過
光量も大きくなる。即ち、画素の表示状態は液晶の応答
速度に大きく依存していると言える。

【００１１】一方、一般に上記ＴＬＡＦＬＣの応答速度
は、図６に示すように、温度依存性が大きい。尚、図６
は、液晶に一定の電圧値の交流矩形波を印加した際に、
一方の最明状態から他方の最明状態へ反転するために必
要な応答時間の温度依存性を示したものである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
ＴＦＴをスイッチング素子として用い、自発分極を有す
る液晶をアクティブマトリクス方式で駆動する場合、表
示状態は液晶の応答速度に強く依存し、さらに、該応答
速度が温度に強く依存していることから、実用的な温度
範囲で良好な画質を安定して表示することが困難であっ
た。

【００１３】本発明の目的は、上記問題を解決し、温度
変化による表示状態の変化を補償して表示状態の温度依
存性を防止した信頼性の高い液晶素子を提供することに
ある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
に自発分極を有するスメクチック液晶を挟持してなり、
二次元状に配置した画素毎にスイッチング素子を配し、
該スイッチング素子により各画素の液晶への電圧印加を
制御するアクティブマトリクス方式の液晶素子の駆動法
であって、当該液晶素子が表示領域或いはその周辺の温
度を検知する手段を有し、該温度検知手段によって検知
された温度に応じて、駆動条件を変化させることを特徴
とするものである。

【００１５】本発明の駆動法を実施する液晶素子は、好
ましくはＴＦＴをスイッチング素子として用い、該ＴＦ
Ｔのゲート電極に時系列的に走査信号を印加し、該走査
信号に同期して所定の情報信号を上記ＴＦＴのソース電
極に供給し、該ＴＦＴのドレイン電極に接続された画素
電極に該ＴＦＴを介して情報信号を印加して画素毎に液
晶を駆動する。

【００１６】本発明の駆動法において好ましくは、各画
素電極に印加される情報信号の電圧値或いはゲートオン
期間を温度に応じて変化させることにより、温度変化に
よる表示状態の変化を低減するものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】図３に、本発明にかかる液晶素子
を組み込んだ表示装置のブロック図を示す。当該装置
は、データ発生部１１、コントローラ部１２、液晶ディ
スプレイ部１３からなる。コンピュータなどに内蔵され
ているデータ発生部１１から所望の画像情報１４と、情
報転送に用いられる情報転送クロック１５がコントロー
ラ部１２に供給される。コントローラ部１１は、走査信
号制御回路１６、情報信号制御回路１７、駆動電圧生成
回路１８からなる。駆動電圧生成回路１８は、情報信号
印加回路２０、走査信号印加回路２１それぞれに駆動電
圧１９を供給する。走査信号印加回路２１、情報信号印
加回路２０は、上記走査信号制御回路１６、情報信号制
御回路１７から、それぞれ走査制御信号２２、表示デー
タ２３を受け、所定の駆動波形を出力し、液晶ディスプ
レイ１３のアクティブマトリクスパネル２４の各配線に
所望の走査信号及び情報信号を供給する。

【００１８】温度センサー２５は、アクティブマトリク
スパネル２４或いはその周辺の温度を検知し、温度デー
タ２６を温度補償回路２７に供給する。温度補償回路２
７は予め決められた各温度に対応した駆動条件が不図示
のＲＯＭに記憶されており、それに応じて液晶の駆動条
件を決定する。

【００１９】上記液晶ディスプレイ部を平面的に見た模
式図を図４に示す。尚、図４においては、便宜上５×５
画素に対応した模式図を示す。図中、４３は走査信号
線、４４は情報信号線で、互いに直交してそれぞれの信
号印加回路２１、２０に接続され、各信号線の交点を１
画素として、各画素にＴＦＴ４１と該ＴＦＴのドレイン
電極に接続された画素電極が配置され、ＴＦＴ４１のソ
ース電極は列毎に共通に情報信号線４４に、ゲート電極
は行毎に共通に走査信号線４３にそれぞれ接続されてい
る。

【００２０】図５は、本発明にかかる液晶素子の一例の
１画素の断面模式図である。図中、５１ａ及び５１ｂは
ガラス基板、５２はゲート電極、５３は絶縁膜、５４は
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、５５ａ及び５５
ｂはｎ⁺ 型アモルファスシリコン（ｎ⁺ ａ−Ｓｉ）層、
５６はソース電極、５７はドレイン電極、５８はチャネ
ル保護層、５９は保持容量電極、６０は画素電極、６１
ａ及び６１ｂは配向膜、６２は共通電極、６３は液晶で
ある。

【００２１】共通電極６２と画素電極６０はＩＴＯ等透
明導電材で形成され、ＴＦＴは、ガラス基板５１ａ上に
形成されたゲート電極５２、該ゲート電極５２を覆って
窒化シリコン（ＳｉＮ）等で形成された絶縁膜５３、ゲ
ート電極５２に対向して絶縁膜５３上に形成されたａ−
Ｓｉ層５４とｎ⁺ ａ−Ｓｉ層５５ａ及び５５ｂ、ａ−Ｓ
ｉ層５４の一端に接続されたソース電極５６及び他端に
接続されたドレイン電極５７、チャネルを保護するチャ
ネル保護層５８より構成される。ＴＦＴはゲート電極５
２にゲートパルス（選択信号）が印加された時にオン
し、そのオン抵抗Ｒ_onは、例えば１００ＫΩ程度であ
る。また、半導体層にはａ−Ｓｉの代わりに多結晶シリ
コン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を用いても良い。また、ガラス
基板５１ｂ上には画素電極６０に対向して共通電極６２
が形成され、基準電圧が印加される。

【００２２】本発明において液晶としては自発分極を有
するスメクチック液晶が用いられ、特に、自発分極が大
きく、しきい値を持たない電圧−透過率特性を示す液晶
素子を構成し得るＴＬＡＦＬＣが好ましく用いられる。

【００２３】上記のような自発分極を有する液晶を用い
た構成の液晶素子において、前記したように、一方の極
性での最明表示から他方の極性での最明表示に反転させ
るために必要な時間は、図６に示したように、電圧値を
一定にした場合には、素子の温度によって異なる。図７
は、温度一定の条件で上記一方の最明表示から他方の最
明表示への反転に必要な電圧値を求めた例で、図６に示
されるように、低温で応答速度が低下する液晶において
は、液晶に印加する電圧値を上げることによって、高温
と同様に駆動できることがわかる。図８はこの方法を実
施する場合の駆動電圧と温度の関係を表わす一設定例で
ある。尚、最明表示と最暗表示の間の階調表示について
は、当該温度での最明表示の電圧値に応じて変化させれ
ば良い。

【００２４】上記のように電圧変調で温度依存性を補償
する場合の駆動タイミングは従来通りである。その一例
を図１１に示す。図１１中（ａ）〜（ｅ）は１本目〜５
本目の走査信号線に印加する走査信号の電圧波形Ｇ₁ 〜
Ｇ₅ を、（ｆ）〜（ｈ）は１本目〜３本目の情報信号線
に印加する情報信号の電圧波形Ｓ₁ 〜Ｓ₃ を示す。本実
施形態では、フレーム毎に画素に印加される極性が反転
し、且つ、隣接する情報信号線には互いに逆極性の信号
が印加されるように設定されている。

【００２５】また、応答速度が低下した分、ゲートオン
期間を長くすれば、液晶の反転に伴う自発分極による電
圧降下をゲートオン状態で補うことができるため、やは
り高温と同様に駆動することができる。図１０はこの方
法を実施する場合の最明表示のゲートオン期間と温度の
関係を表わす一設定例である。

【００２６】このように、ゲートオン期間を長くする場
合の駆動タイミングとしては、図１１のｔ_onを温度に対
応して変化させる方法（温度によって１フレーム走査期
間の長さが変化する）と、１フレーム走査期間の長さは
一定で、ゲートオン期間を長くした分は前ラインのゲー
トオン期間に重ねる方法とがある。

【００２７】後者の駆動タイミングの一例を図１２に示
す。図１２中（ａ）〜（ｅ）は１本目〜５本目の走査信
号線に印加する走査信号の電圧波形Ｇ₁ 〜Ｇ₅ を、
（ｆ）〜（ｈ）は１本目〜３本目の情報信号線に印加す
る情報信号の電圧波形Ｓ₁ 〜Ｓ₃を示す。本実施形態で
も、図１１のタイミング同様に、フレーム毎に画素に印
加される極性が反転し、且つ、隣接する情報信号線には
互いに逆極性の信号が印加されるように設定されてい
る。

【００２８】図１２から明らかなように、ｔ_onの前半部
分を前ラインのｔ_onの後半部分に重ね、書き込みを決定
する情報信号は、各ラインのｔ_onの後半部分に同期して
印加される。従って、ｔ_onの前半部分では前ラインの画
素の情報を書き込む形になるが、本実施形態では、１フ
レーム毎に極性を反転しているため、ｔ_onの前半部分で
少なくとも後半部分で書き込む情報の極性と同極性の信
号が印加されることになり、液晶は前フレームでの配向
状態から逆極性での配向状態への転移を開始し、ｔ_on期
間の後半で印加された信号によって所定の表示に落ち着
く。即ち、液晶の応答速度が低下した分、反転開始時期
を早めることで補うことができるのである。尚、当該駆
動タイミングでは、画面の最初のラインについてはｔ_on
の前半で逆極性の信号が印加されないことになるが、こ
のようなラインは当該ラインだけであるため、実質表示
には影響しない。また、このライン分をダミーとして表
示領域該に設けることにより、完全に影響をなくすこと
もできる。

【００２９】図１２の駆動タイミングでは、ゲートオン
期間を長くしてもフレーム周波数を低下させることがな
いため、周波数低下に起因する表示特性の低下を招く心
配もない。

【００３０】上記実施形態においては、温度に対応して
液晶に印加される電圧値を変化させる形態と、ゲートオ
ン期間を変化させる形態をそれぞれ説明したが、これら
を組み合わせて実施することも可能である。

【００３１】

【実施例】図４のパネル構成を有し、図５に示した断面
構造を有する液晶素子を作製し、本発明の駆動方法で駆
動した。本実施例の液晶素子の作製工程を簡単に説明す
る。

【００３２】ＴＦＴ及び電極を作り込んだガラス基板上
に、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸（東レ社
製「ＬＰ−６４」）のＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）
とｎ−ＢＣ（ｎ−ブチルセロソルブ）の混合溶液をスピ
ンコートした。塗布溶液はＮＭＰ：ｎ−ＢＣ＝２：１の
混合溶媒に、上記ポリアミック酸を１重量％となるよう
に加えて調製し、スピン条件は４５ｒｐｍで２０秒間行
った。この基板を８０℃のオーブン中で５分の溶媒乾燥
を行った後、２００℃のオーブン中で１時間の加熱焼成
を行い、イミド化した。得られたポリイミド膜は厚さが
約１０ｎｍで、この膜をラビング処理して配向膜とし
た。

【００３３】上記基板表面に平均粒径２．２μｍのシリ
カビーズを０．００８重量％で分散させたＩＰＡ（イソ
プロピルアルコール）溶液を、２５ｒｐｍで１０秒間の
条件でスピン塗布し、上記ビーズを分散密度３００個／
ｍｍ² で基板上に散布した。

【００３４】共通電極を形成したもう一方のガラス基板
にも同様の方法で配向膜を形成し、ラビング処理を施し
た。これら２枚の基板を、ラビング方向が逆方向になる
ように対向して貼りあわせ、１５０℃のオーブン中で９
０分間熱硬化させてセルとし、ＴＬＡＦＬＣを注入して
液晶素子を得た。得られた素子の液晶層の厚さ（セルギ
ャップ）は２．０μｍであった。

【００３５】本実施例では下記構造式で示される液晶化
合物を用いた。

【００３６】

【化１】

【００３７】尚、上記自発分極Ｐｓ、チルト角Θは下記
のようにして測定した値である。

【００３８】〔自発分極の測定方法〕自発分極は、Ｋ．
ミヤサト他「三角波による強誘電性液晶の自発分極の直
接測定方法」（日本応用物理学会誌、２２、１０号（６
６１）１９８３、”ＤｉｒｅｃｔＭｅｔｈｏｄｗｉ
ｔｈＴｒｉａｎｇｕｌａｒＷａｖｅｓｆｏｒＭｅ
ａｓｕｒｉｎｇＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓＰｏｌａｒ
ｉｚａｔｉｏｎｉｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ”，ａｓｄｅｓｃｒｉ
ｂｅｄｂｙＫ．Ｍｉｙａｓａｔｏｅｔａｌ．
（Ｊａｐ．Ｊ．ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１
０，Ｌ６６１（１９８３）））によって測定した。

【００３９】〔チルト角Θの測定〕±３０〜±５０Ｖ、
１〜１００ＨｚのＡＣ（交流）を液晶素子の上下基板間
に電極を介して印加しながら、直交クロスニコル下、そ
の間に配置された液晶素子を偏光板と平行に回転させる
と同時に、フォトマル（浜松フォトニクス社製）で光学
応答を検知しながら、第１の消光位（透過率が最も低く
なる位置）及び第２の消光位を求める。そしてこの時の
第１の消光位から第２の消光位までの角度の１／２をチ
ルト角Θとする。

【００４０】上記液晶素子を６０Ｈｚ、ノンインターレ
ースで図１１に示す駆動タイミングで駆動した。尚、Ｖ
_c ＝０Ｖ、Ｖ_g ＝１５Ｖ、最暗表示（透過率０％）の情
報信号電位Ｖ_s0＝０Ｖ、ｔ_on＝７０μｓとし、最明表示
（透過率１００％）の情報信号電位Ｖ_s100は図８に示す
ように温度に対応して変化させ、０〜１００％の間の階
調表示はＶ_s100に対応して変化させた。

【００４１】上記条件で４０℃以下において駆動したと
ころ、２０〜４０℃の実用的な温度範囲においては、温
度変化による表示の変化は実質観察されなかった。

【００４２】また、Ｖ_s100＝±６Ｖに固定し、図１０に
示すようにｔ_onを変化させ、２０℃〜３０℃の温度範囲
では図１２の駆動タイミングと同様に１ライン分重複さ
せ、３０℃を越えて４０℃までの範囲では０．５ライン
分重複させ、４０℃以上では重複させないことで駆動し
たところ、２０℃〜４５℃の温度範囲で温度変化による
表示の変化は実質観察されなかった。さらに、当該駆動
タイミングで、４５℃以上においてＶ_s100を５Ｖに変化
させることにより、２０℃〜５０℃においても温度に依
存しない表示が得られた。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
自発分極を有する液晶をアクティブマトリクス方式によ
って駆動する場合でも、温度変化に左右されない安定し
た表示が実現し、広い温度範囲での使用が可能となっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる液晶素子の１画素の構成の模式
図である。

【図２】図１の画素を駆動するための駆動信号と液晶の
応答を示す図である。

【図３】本発明にかかる液晶素子を組み込んだ表示装置
のブロック図である。

【図４】図３の表示装置の液晶ディスプレイ部を平面的
に見た模式図である。

【図５】本発明にかかる液晶素子の一例の１画素の断面
模式図である。

【図６】本発明にかかる液晶素子の応答時間の温度依存
性の一例を示す図である。

【図７】本発明の駆動法にかかる液晶素子の応答時間と
印加電圧の関係の一例を表わす図である。

【図８】本発明の駆動法にかかる駆動電圧と温度の関係
の一例を表わす図である。

【図９】本発明にかかる液晶素子の印加電圧−透過率特
性を示す図である。

【図１０】本発明の駆動法にかかるゲートオン期間と温
度の関係の一例を表わす図である。

【図１１】本発明の駆動法の一実施形態の駆動タイミン
グを示す図である。

【図１２】本発明の駆動法の他の実施形態の駆動タイミ
ングを示す図である。

【符号の説明】

１ＴＦＴ２液晶セル３保持容量１１データ発生部１２コントローラ部１３液晶ディスプレイ部１４画像情報１５情報転送クロック１６走査信号制御回路１７情報信号制御回路１８駆動電圧生成回路１９駆動電圧２０情報信号印加回路２１走査信号印加回路２２走査制御信号２３表示データ２４アクティブマトリクスパネル２５温度センサー２６温度データ２７温度補償回路４１ＴＦＴ４２画素電極４３走査信号線４４情報信号線５１ａ、５１ｂガラス基板５２ゲート電極５３絶縁膜５４ａ−Ｓｉ層５５ａ、５５ｂｎ⁺ ａ−Ｓｉ層５６ソース電極５７ドレイン電極５８チャネル保護層５９保持容量電極６０画素電極６２共通電極６３液晶

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の基板間に自発分極を有するスメク
チック液晶を挟持してなり、二次元状に配置した画素毎
にスイッチング素子を配し、該スイッチング素子により
各画素の液晶への電圧印加を制御するアクティブマトリ
クス方式の液晶素子の駆動法であって、当該液晶素子が
表示領域或いはその周辺の温度を検知する手段を有し、
該温度検知手段によって検知された温度に応じて、駆動
条件を変化させることを特徴とする液晶素子の駆動法。
【請求項２】上記スイッチング素子が薄膜トランジス
タであり、該トランジスタのゲート電極に時系列的に走
査信号を印加し、該走査信号に同期して所定の情報信号
を上記トランジスタのソース電極に供給し、該トランジ
スタのドレイン電極に接続された画素電極に該トランジ
スタを介して情報信号を印加して画素毎に液晶を駆動す
る請求項１記載の液晶素子の駆動法。
【請求項３】上記温度検知手段によって検知された温
度に応じて、各画素電極に印加される情報信号の電圧値
を変える請求項２記載の液晶素子の駆動法。
【請求項４】上記情報信号の電圧値を低温になるほど
上昇させる請求項３記載の液晶素子の駆動法。
【請求項５】上記温度検知手段によって検知された温
度に応じて、各トランジスタのゲート電極をオンする期
間を変化させる請求項２記載の液晶素子の駆動法。
【請求項６】上記トランジスタのゲート電極のオン期
間を低温になるほど長くする請求項５記載の液晶素子の
駆動法。
【請求項７】ゲート電極のオン期間を長くした分を、
前ラインの画素のオン期間に重複させる請求項６記載の
液晶素子の駆動法。