JPH11307678A - Interposer - Google Patents

Interposer

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JPH11307678A
JPH11307678A JP10643198A JP10643198A JPH11307678A JP H11307678 A JPH11307678 A JP H11307678A JP 10643198 A JP10643198 A JP 10643198A JP 10643198 A JP10643198 A JP 10643198A JP H11307678 A JPH11307678 A JP H11307678A
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JP
Japan
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wiring
interposer
thickness
bonding surface
solder
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Application number
JP10643198A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Sato
光洋 佐藤
Emi Nakamura
恵美 中村
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH11307678A publication Critical patent/JPH11307678A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an interposer which is capable of coping with subminiaturization of a wiring pattern keeping adhesion strength to a mounting board. SOLUTION: An interposer 30 is equipped with an interposer board 16 possessed of an IC chip joint surface 12 provided with a copper foil wiring 32 and a mounting board solder joint surface 14 provided with a copper foil wiring 20 and a conductor 22 which penetrates through the interposer board 16. In the interposer 30, the wiring 32 is thinner than a usual wiring 18 and as thick as 12 μm or so, and the wiring 20 is formed 35 μm thick as is conventionally. A solder resist film 24 is formed between the wirings 32 and 20, so as to prevent solder from flowing when a soldering operation is carried out.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップをCS
P形式でパッケージするためのインターポーザ、或いは
小型電気・電子部品のパッケージ用インターポーザに関
し、更に詳細には、実装基板との接合強度を維持しつつ
ICチップの微細化及び多ピン化、従ってインターポー
ザの配線パターンの微細化に対応できるインターポーザ
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to an interposer for packaging in a P-type, or an interposer for packaging small electric and electronic components, and more particularly, to miniaturization and multi-pinning of an IC chip while maintaining bonding strength with a mounting substrate, and thus wiring of the interposer. The present invention relates to an interposer that can cope with miniaturization of patterns.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯型電気・電子機器の軽量化、小型
化、薄型化に伴い、また、電気・電子機器の電気回路の
デジタル化及び電気・電子部品の小型化の進展に伴い、
プリント配線板の配線の高密度化、更には実装の高密度
化が盛んに図られている。実装の高密度化に伴い、IC
チップのパッケージの分野では、QFP(Quad Flat Pa
ckage )に代わって、実装基板(別名、マザー基板)上
に実装するICパッケージの実装基板とのハンダ接合面
に端子(ハンダバンプ)を有するCSP(Chip Scale P
ackage)型のICパッケージが多用されつつある。CS
P型のICパッケージは、インターポーザと呼ばれる基
板上にICチップを搭載したパッケージであって、IC
チップは、インターポーザを介して実装基板上に実装さ
れる。
2. Description of the Related Art With the reduction in weight, size, and thickness of portable electric and electronic devices, and with the progress of digitization of electric circuits and miniaturization of electric and electronic components of electric and electronic devices,
2. Description of the Related Art Densification of wiring of a printed wiring board and mounting of packaging have been actively promoted. As the mounting density increases, IC
In the field of chip packaging, QFP (Quad Flat Pa
CSP (Chip Scale P) that has terminals (solder bumps) on the solder bonding surface of the IC package mounted on the mounting board (aka mother board) instead of the mounting board
Acknowledgment type IC packages are being widely used. CS
A P-type IC package is a package in which an IC chip is mounted on a substrate called an interposer.
The chip is mounted on a mounting board via an interposer.

【0003】ここで、図4を参照して、従来のインター
ポーザの構成を説明する。従来のインターポーザ10
は、図4に示すように、ICチップとの接合面12、及
び、ICチップとの接合面12(以下、ICチップ接合
面12と言う)に対向する、実装基板とのハンダ接合面
14(以下、実装基板ハンダ接合面14と言う)の双方
に配線を有するインターポーザ基板16と、インターポ
ーザ基板16を貫通してICチップ接合面12の配線1
8を実装基板ハンダ接合面14の配線20に接続する導
線22とを有する。導線22は、通常、インターポーザ
基板16を貫通するスルーホールを設け、そのスルーホ
ール壁に金属メッキを施すことにより、導線を形成して
いる。配線18と配線20とは同じ厚さ、例えば約35
μm で形成されている。図4では、一部の導線22は、
途中で切断されているが、これは別の経路を経て配線1
8と配線20とを接続している。配線18の間のICチ
ップ接合面12及び配線20の間の実装基板ハンダ接合
面14には、ハンダ接合した際にハンダの流動を防ぐた
めのソルダーレジスト膜24が形成されている。
Here, a configuration of a conventional interposer will be described with reference to FIG. Conventional interposer 10
As shown in FIG. 4, the solder bonding surface 12 with the mounting board, which faces the bonding surface 12 with the IC chip and the bonding surface 12 with the IC chip (hereinafter, referred to as the IC chip bonding surface 12). (Hereinafter referred to as a mounting board solder bonding surface 14). An interposer substrate 16 having wiring on both sides, and a wiring 1 on the IC chip bonding surface 12 penetrating the interposer substrate
8 to the wiring 20 on the solder joint surface 14 of the mounting board. The conductor 22 is usually formed with a through-hole penetrating the interposer substrate 16 and applying metal plating to the wall of the through-hole. The wiring 18 and the wiring 20 have the same thickness, for example, about 35
μm. In FIG. 4, some of the wires 22 are
It is cut off in the middle, but this is
8 and the wiring 20 are connected. A solder resist film 24 is formed on the IC chip bonding surface 12 between the wirings 18 and the mounting substrate solder bonding surface 14 between the wirings 20 to prevent the flow of solder when soldering.

【0004】ところで、実装の高密度化に伴うCSPの
小型化のために、インターポーザ上の配線は、益々、微
細パターン化している。インターポーザの配線の微細パ
ターン化は、配線の厚さ、例えばインターポーザ基板に
プリントした銅箔の厚さを薄くすることによりを実現す
ることができる。しかし、銅箔を薄くすると、以下の問
題が生じる。即ち、銅箔の厚さは、従来、基板の両面と
も同じであるから、実装基板とのハンダ接合面では、銅
箔の厚さが薄くなることにより、銅箔配線の側面に入り
込むハンダの量が少なくなって、ハンダ接合面積が小さ
くなり、そのために、実装基板とのハンダ接合強度が低
下し、機械的及び電気的接合の信頼性が低くなる。
[0004] By the way, in order to reduce the size of the CSP due to the increase in mounting density, wiring on the interposer has been increasingly finely patterned. The fine patterning of the wiring of the interposer can be realized by reducing the thickness of the wiring, for example, the thickness of the copper foil printed on the interposer substrate. However, when the copper foil is thinned, the following problems occur. That is, since the thickness of the copper foil is conventionally the same on both sides of the board, the amount of solder that enters the side face of the copper foil wiring due to the thinner copper foil at the solder joint surface with the mounting board. And the solder joint area is reduced, so that the solder joint strength with the mounting board is reduced and the reliability of mechanical and electrical joints is reduced.

【0005】逆に、銅箔の厚さを厚くして、実装基板と
のハンダ接合強度を高くして機械的及び電気的接合の信
頼性を向上させようとすると、インターポーザの配線パ
ターンの微細化に対応できない。即ち、銅箔18、20
をエッチングして配線を形成する際、銅箔の上部では、
銅箔のエッチングの進行が速いために、銅箔の幅は狭く
なり、銅箔の下部では銅箔のエッチングの進行が遅いた
めに、銅箔の幅が広くなり、銅箔の幅は、図5に示すよ
うに、銅箔の上部と下部で大きなギャップGが生じる。
このために、配線パターン通りに銅箔をエッチングして
所望の配線を形成することが難しく、配線と配線との間
隔を広くすることが必要である。このため、配線パター
ンの微細化の支障となり、インターポーザの配線の微細
パターン化が技術的に難しくなる。これは、CSPの多
ピン及び小型化の障害となる。
On the other hand, if the thickness of the copper foil is increased to increase the solder joint strength with the mounting board to improve the reliability of mechanical and electrical joints, the wiring pattern of the interposer must be miniaturized. Can not respond to. That is, the copper foils 18 and 20
When etching to form wiring, at the top of the copper foil,
Since the progress of the etching of the copper foil is fast, the width of the copper foil becomes narrow, and the progress of the etching of the copper foil is slow at the lower part of the copper foil, so that the width of the copper foil becomes wide, and the width of the copper foil is As shown in FIG. 5, a large gap G occurs between the upper and lower portions of the copper foil.
For this reason, it is difficult to form a desired wiring by etching the copper foil according to the wiring pattern, and it is necessary to increase the distance between the wirings. For this reason, it becomes an obstacle to miniaturization of the wiring pattern, and it becomes technically difficult to finely pattern the wiring of the interposer. This is an obstacle to the high pin count and miniaturization of the CSP.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、実装基板とのハンダ接合強度を維持しつつ配線パタ
ーンの微細化を実現できるインターポーザを提供するこ
とである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an interposer capable of realizing a fine wiring pattern while maintaining the solder joint strength with a mounting substrate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るインターポーザは、ICチップをCS
P形式でパッケージするためのインターポーザであっ
て、ICチップとの接合面、及び、ICチップとの接合
面に対向する、実装基板とのハンダ接合面の双方に配線
を有するインターポーザ基板と、インターポーザ基板を
貫通してICチップとの接合面の配線を実装基板とのハ
ンダ接合面の配線に接続する導線とを有するインターポ
ーザにおいて、ICチップとの接合面の配線の厚さが、
実装基板とのハンダ接合面の配線の厚さより薄いことを
特徴としている。
In order to achieve the above object, an interposer according to the present invention uses an IC chip having a CS
An interposer for packaging in a P format, comprising: an interposer substrate having wiring on both a bonding surface with an IC chip and a solder bonding surface with a mounting substrate facing the bonding surface with the IC chip; And a conductor that penetrates through and connects the wiring at the bonding surface with the IC chip to the wiring at the solder bonding surface with the mounting board, the thickness of the wiring at the bonding surface with the IC chip is
It is characterized in that it is thinner than the thickness of the wiring on the solder joint surface with the mounting board.

【0008】本発明のインターポーザは、配線の材料及
び配線の形成方法について、制約はないが、好適には、
配線が、インターポーザ基板上に形成された銅箔をエッ
チングしてパターニングすることにより形成されてい
る。更に好適には、インターポーザの配線が、インター
ポーザ基板の一方の面に形成された薄い銅箔、及び、イ
ンターポーザ基板の他方の面に形成された厚い銅箔をそ
れぞれ配線パターンに従ってエッチングして、パターニ
ングすることにより形成されている。尚、エッチングす
る際には、厚さの薄い銅箔を基準にしてエッチング条件
を定める。ICチップとの接合面の配線の厚さは、IC
チップのピン数、配線パターンの形状、配線幅、配線ピ
ッチ等により異なるものの、通常は、12〜17μm で
ある。一方、実装基板とのハンダ接合面の配線の厚さ
は、配線パターンの形状、配線幅、配線ピッチ等により
異なるものの、通常は、従来の厚さと同じ35μm 程
度、又はそれ以上である。
The interposer of the present invention has no restrictions on the material of the wiring and the method of forming the wiring.
Wiring is formed by etching and patterning a copper foil formed on an interposer substrate. More preferably, the wiring of the interposer is patterned by etching the thin copper foil formed on one surface of the interposer substrate and the thick copper foil formed on the other surface of the interposer substrate according to the wiring pattern, respectively. It is formed by this. When etching is performed, etching conditions are determined based on a thin copper foil. The thickness of the wiring at the junction surface with the IC chip is
Although it depends on the number of pins of the chip, the shape of the wiring pattern, the wiring width, the wiring pitch, etc., it is usually 12 to 17 μm. On the other hand, the thickness of the wiring on the solder joint surface with the mounting board varies depending on the shape of the wiring pattern, the wiring width, the wiring pitch, etc., but is usually about 35 μm, which is the same as the conventional thickness, or more.

【0009】本発明は、ICチップのパッケージ用のイ
ンターポーザに限ることはなく、小型電気・電子部品の
パッケージ用インターポーザとして適用できる。その場
合には、本発明に係るインターポーザは、電気・電子部
品との接合面、及び、電気・電子部品との接合面に対向
する、実装基板とのハンダ接合面の双方に配線を有する
インターポーザ基板と、インターポーザ基板を貫通して
電気・電子部品の接合面の配線を実装基板とのハンダ接
合面の配線に接続する導線とを有するインターポーザに
おいて、電気・電子部品の接合面の配線の厚さが、実装
基板とのハンダ接合面の配線の厚さより薄いことを特徴
としている。
The present invention is not limited to an interposer for packaging IC chips, but can be applied as an interposer for packaging small electric / electronic components. In that case, the interposer according to the present invention includes an interposer substrate having wiring on both a bonding surface with an electric / electronic component and a solder bonding surface with a mounting substrate facing the bonding surface with the electric / electronic component. And a conductor that penetrates the interposer substrate and connects the wiring at the joint surface of the electric / electronic component to the wiring at the solder joint surface with the mounting board. It is characterized in that it is thinner than the thickness of the wiring at the solder joint surface with the mounting board.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るインターポーザの実施形
態の一例であって、図1は本実施形態例のインターポー
ザの構成を示す断面図である。図1から図3中、図4と
同じものには同じ符号を付して説明を省略する。本実施
形態例のインターポーザ30は、図1に示すように、I
Cチップ接合面12上に形成された銅箔からなる配線3
2と、ICチップ接合面12に対向する実装基板ハンダ
接合面14上に形成された銅箔からなる配線20とを有
するインターポーザ基板16と、インターポーザ基板1
6を貫通して配線32を配線20に接続する導線22と
を有する。導線22は、ICチップ接合面12の配線3
2と実装基板ハンダ接合面14の配線20とを接続する
導線であって、通常、インターポーザ基板16を貫通す
るスルーホールを設け、そのスルーホール壁に金属メッ
キを施すことにより、導線を形成している。図1では、
一部の導線22は、途中で切断されているが、これは別
の経路を経て配線32と配線20とを接続している。本
実施形態例では、配線32は、従来の配線18より薄い
約12μm の厚さを有し、配線20は従来と同じ35μ
m 程度の厚さ、又はそれより厚い厚さで形成されてい
る。配線32及び配線20の間には、ハンダ接合した際
にハンダの流動を防ぐためのソルダーレジスト膜24が
形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment Example This embodiment is an example of an embodiment of an interposer according to the present invention, and FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of the interposer of this embodiment. 1 to 3, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. As shown in FIG. 1, the interposer 30 of the present embodiment
Wiring 3 made of copper foil formed on C chip bonding surface 12
And an interposer substrate 16 having a wiring 20 made of copper foil formed on a solder joint surface 14 of the mounting substrate facing the IC chip joint surface 12;
6 to connect the wiring 32 to the wiring 20. The conductor 22 is a wiring 3 on the IC chip bonding surface 12.
2 and a wiring connecting the wiring 20 of the solder joint surface 14 of the mounting board. Usually, a through-hole penetrating the interposer substrate 16 is provided, and the wall of the through-hole is plated with metal to form a conductive wire. I have. In FIG.
Although some of the conductors 22 are cut off in the middle, they connect the wiring 32 and the wiring 20 via another path. In the present embodiment, the wiring 32 has a thickness of about 12 μm, which is thinner than the conventional wiring 18, and the wiring 20 has the same thickness of 35 μm as the conventional one.
The thickness is about m or more. A solder resist film 24 is formed between the wiring 32 and the wiring 20 to prevent the flow of solder when soldering is performed.

【0011】次に、図2を参照して、上述のインターポ
ーザ30の作製方法を説明する。図2(a)から(c)
はインターポーザ30を作製する際の各工程毎の断面図
である。 (1)先ず、図2(a)に示すように、基板を貫通する
導線22を有する多層絶縁基板からなるインターポーザ
基板16のICチップ接合面12及び実装基板ハンダ接
合面14上に、それぞれ、銅箔32、20を貼着する。
銅箔32の厚さは約12μm 、銅箔20の厚さは約35
μm である。 (2)次に、図2(b)に示すように、配線パターンを
有するスクリーンを用いてレジスト膜を印刷し、パター
ンマスク34を形成する。 (3)次に、パターンマスク34を使って、図2(c)
に示すように、エッチャントにより銅箔を化学的にエッ
チングする。 (4)続いて、パターンマスク34を除去し、除去した
後にソルダーレジスト膜24を形成すると、図1に示す
インターポーザ30を得ることができる。
Next, a method of manufacturing the above-described interposer 30 will be described with reference to FIG. 2 (a) to 2 (c)
FIG. 4 is a cross-sectional view of each step when manufacturing the interposer 30. (1) First, as shown in FIG. 2A, copper is mounted on an IC chip bonding surface 12 and a mounting substrate solder bonding surface 14 of an interposer substrate 16 composed of a multilayer insulating substrate having a conductive wire 22 penetrating the substrate. The foils 32 and 20 are attached.
The thickness of the copper foil 32 is about 12 μm, and the thickness of the copper foil 20 is about 35
μm. (2) Next, as shown in FIG. 2B, a resist film is printed using a screen having a wiring pattern, and a pattern mask 34 is formed. (3) Next, using the pattern mask 34, FIG.
As shown in (1), the copper foil is chemically etched by an etchant. (4) Subsequently, if the pattern mask 34 is removed and the solder resist film 24 is formed after the removal, the interposer 30 shown in FIG. 1 can be obtained.

【0012】上述の(3)の工程で、エッチングする
際、エッチャントがパターンマスクで覆った銅箔部分に
まで入り込み、図5に示すように、必要な銅箔部分を谷
のように腐食してしまうことが多く、そのために、銅箔
の上部と下部との間で幅にギャップが生じてしまう。こ
のギャップは、銅箔の厚さが厚くなるほど、大きくな
る。そこで、本実施形態例では、配線32に厚さの薄い
銅箔を使用し、薄い方の銅箔32を基準にしてエッチン
グ条件を定めている。厚い方の銅箔20を基準にしてエ
ッチングの条件を定めると、厚さの薄い方の銅箔32に
オーバーエッチング等の好ましくない影響が生じるから
である。これにより、本実施形態例では、図3に示すよ
うに、配線32の上下の幅のギャップgが従来のギャッ
プG(図5参照)に比べて遙に小さくなり、パターンマ
スク34の配線パターン通りに銅箔32をエッチングで
きる。換言すれば、ICチップ接合面12の配線32の
厚さを実装基板ハンダ接合面14の配線20の厚さより
薄くし、厚さの薄い配線32を基準にしてエッチングし
て配線32、20をパターニングすることにより、配線
32をインターポーザ基板16に対してほぼ垂直にエッ
チングできるので、配線パターン通りに配線32をパタ
ーニングすることができる。従って、インターポーザ3
0の配線パターンを微細化することができる。一方、配
線20は厚さが厚いので、ハンダ接合する際、ハンダが
配線20の側壁に周り込んでハンダ接合面積が拡大し、
ハンダ接合強度が大きくなる。従って、実装基板とイン
ターポーザ30との接合強度を向上させることができ
る。
In the above-mentioned step (3), when etching is performed, the etchant penetrates into the copper foil portion covered with the pattern mask, and as shown in FIG. 5, the necessary copper foil portion is corroded like a valley. This often results in a gap in width between the upper and lower portions of the copper foil. This gap increases as the thickness of the copper foil increases. Therefore, in the present embodiment, a thin copper foil is used for the wiring 32, and the etching conditions are determined based on the thinner copper foil 32. This is because if the etching conditions are determined based on the thicker copper foil 20, the thinner copper foil 32 will have an undesired effect such as overetching. As a result, in the present embodiment, as shown in FIG. 3, the gap g of the upper and lower widths of the wiring 32 is much smaller than the gap G of the related art (see FIG. 5). The copper foil 32 can be etched first. In other words, the thickness of the wiring 32 on the IC chip bonding surface 12 is made thinner than the thickness of the wiring 20 on the soldering surface 14 of the mounting substrate, and the wirings 32 and 20 are patterned by etching with the thinner wiring 32 as a reference. By doing so, the wiring 32 can be etched substantially perpendicularly to the interposer substrate 16, so that the wiring 32 can be patterned according to the wiring pattern. Therefore, interposer 3
The wiring pattern of 0 can be miniaturized. On the other hand, since the wiring 20 is thick, when soldering, the solder goes around the side wall of the wiring 20 to increase the solder bonding area.
The solder bonding strength increases. Therefore, the bonding strength between the mounting board and the interposer 30 can be improved.

【0013】[0013]

【発明の効果】本発明によれば、インターポーザのIC
チップ接合面の配線の厚さを実装基板ハンダ接合面の配
線の厚さより薄くすることにより、配線のパターニング
の際、配線をインターポーザ基板に対してほぼ垂直にエ
ッチングできるので、配線パターン通りに配線をパター
ニングすることができる。よって、微細な配線パターン
にも追随できる。一方、実装基板ハンダ接合面の配線の
厚さは厚いので、実装基板とインターポーザとの接合強
度を高く維持することができる。また、多くのパターン
引回しを行うために、従来のように、絶縁基板を重ね合
わせて多層基板にすることなく、パターンの引回しがで
きるので、インターポーザの作製コストを低減させるこ
とがでいる。更には、従来と同じ工程で、本発明に係る
インターポーザを作製することができるので、製作コス
トが増大しない。
According to the present invention, an IC for an interposer is provided.
By making the thickness of the wiring on the chip bonding surface thinner than the wiring thickness on the soldering surface of the mounting board, the wiring can be etched almost perpendicular to the interposer substrate when patterning the wiring. It can be patterned. Therefore, it can follow a fine wiring pattern. On the other hand, since the thickness of the wiring on the mounting board solder bonding surface is large, the bonding strength between the mounting board and the interposer can be maintained high. In addition, since a large number of patterns are drawn, the patterns can be drawn without superposing the insulating substrates to form a multilayer substrate as in the related art, so that the manufacturing cost of the interposer can be reduced. Furthermore, since the interposer according to the present invention can be manufactured in the same process as the related art, the manufacturing cost does not increase.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態例のインターポーザの構成を示す断面
図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an interposer according to an embodiment.

【図2】図2(a)から(c)は実施形態例のインター
ポーザを作製する際の各工程毎の断面図である。
FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views for respective steps when manufacturing the interposer of the embodiment.

【図3】実施形態例のインターポーザの効果を説明する
模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an effect of the interposer of the embodiment.

【図4】従来のインターポーザの構成を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional interposer.

【図5】従来のインターポーザの問題点を説明する模式
図である。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a problem of a conventional interposer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……従来のインターポーザ、12……ICチップ接
合面、14……実装基板ハンダ接合面、16……インタ
ーポーザ基板、18……配線、20……配線、22……
導線、24……ソルダーレジスト膜、30……実施形態
例のインターポーザ、32……配線、34……パターン
マスク
10 ... conventional interposer, 12 ... IC chip bonding surface, 14 ... mounting substrate solder bonding surface, 16 ... interposer substrate, 18 ... wiring, 20 ... wiring, 22 ...
Conductor, 24 solder resist film, 30 interposer of embodiment, 32 wiring, 34 pattern mask

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ICチップをCSP形式でパッケージす
るためのインターポーザであって、ICチップとの接合
面、及び、ICチップとの接合面に対向する、実装基板
とのハンダ接合面の双方に配線を有するインターポーザ
基板と、インターポーザ基板を貫通してICチップとの
接合面の配線を実装基板とのハンダ接合面の配線に接続
する導線とを有するインターポーザにおいて、 ICチップとの接合面の配線の厚さが、実装基板とのハ
ンダ接合面の配線の厚さより薄いことを特徴とするイン
ターポーザ。
1. An interposer for packaging an IC chip in a CSP format, wherein wiring is provided on both a bonding surface with the IC chip and a solder bonding surface with the mounting substrate, which is opposed to the bonding surface with the IC chip. An interposer having an interposer substrate having: and a conducting wire penetrating the interposer substrate and connecting a wiring at a bonding surface with the IC chip to a wiring at a solder bonding surface with the mounting substrate, wherein the thickness of the wiring at the bonding surface with the IC chip is Characterized in that the thickness is smaller than the thickness of the wiring at the solder joint surface with the mounting board.
【請求項2】 インターポーザの配線が、インターポー
ザ基板の一方の面に形成された薄い銅箔、及び、インタ
ーポーザ基板の他方の面に形成された厚い銅箔をそれぞ
れ配線パターンに従ってエッチングして、パターニング
することにより形成されていることを特徴とする請求項
1に記載のインターポーザ。
2. The wiring of the interposer is patterned by etching a thin copper foil formed on one surface of the interposer substrate and a thick copper foil formed on the other surface of the interposer substrate according to a wiring pattern. The interposer according to claim 1, wherein the interposer is formed by:
【請求項3】 ICチップとの接合面の配線の厚さが、
実装基板とのハンダ接合面の配線の厚さの1/3以上1
/2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載
のインターポーザ。
3. The thickness of the wiring on the bonding surface with the IC chip is
1/3 or more of the thickness of the wiring on the solder joint surface with the mounting board 1
The interposer according to claim 1 or 2, wherein the ratio is equal to or less than / 2.
【請求項4】 小型電気・電子部品のパッケージ用イン
ターポーザであって、電気・電子部品との接合面、及
び、電気・電子部品との接合面に対向する、実装基板と
のハンダ接合面の双方に配線を有するインターポーザ基
板と、インターポーザ基板を貫通して電気・電子部品の
接合面の配線を実装基板とのハンダ接合面の配線に接続
する導線とを有するインターポーザにおいて、 電気・電子部品の接合面の配線の厚さが、実装基板との
ハンダ接合面の配線の厚さより薄いことを特徴とするイ
ンターポーザ。
4. An interposer for a package of a small electric / electronic component, wherein both a joining surface with the electric / electronic component and a solder joining surface with the mounting substrate, which face the joining surface with the electric / electronic component. An interposer having an interposer substrate having wiring on the surface thereof, and a conductor penetrating through the interposer substrate and connecting a wiring on a bonding surface of the electric / electronic component to a wiring on a solder bonding surface with the mounting substrate. Wherein the thickness of the wiring is thinner than the thickness of the wiring at the solder joint surface with the mounting board.
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