JPH1130584A - 光走査型二次元濃度分布測定装置 - Google Patents
光走査型二次元濃度分布測定装置Info
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- JPH1130584A JPH1130584A JP9202325A JP20232597A JPH1130584A JP H1130584 A JPH1130584 A JP H1130584A JP 9202325 A JP9202325 A JP 9202325A JP 20232597 A JP20232597 A JP 20232597A JP H1130584 A JPH1130584 A JP H1130584A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- cassette
- sensor cassette
- contact
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサを安定かつ交換容易にに保持すること
ができるとともに、信号を安定に取り出すことができる
きわめて実用的な構造を備えた光走査型二次元濃度分布
測定装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板28の上面にセンサ面30を
有し、半導体基板28に対してプローブ光67を二次元
的に走査しながら照射するように構成されたセンサ27
を組み込んだセンサカセット3と、測定装置本体1内に
設けられ、センサカセット3が着脱自在にセットされる
センサカセット受け部14と、センサカセット3に形成
された信号取り出し用電極33に対して接離可能なよう
に測定装置本体1内に設けられるコンタクトプローブ部
15とから構成した。
ができるとともに、信号を安定に取り出すことができる
きわめて実用的な構造を備えた光走査型二次元濃度分布
測定装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板28の上面にセンサ面30を
有し、半導体基板28に対してプローブ光67を二次元
的に走査しながら照射するように構成されたセンサ27
を組み込んだセンサカセット3と、測定装置本体1内に
設けられ、センサカセット3が着脱自在にセットされる
センサカセット受け部14と、センサカセット3に形成
された信号取り出し用電極33に対して接離可能なよう
に測定装置本体1内に設けられるコンタクトプローブ部
15とから構成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、溶液などの試料
におけるイオン濃度などを二次元的に測定することがで
きる光走査型二次元濃度分布測定装置に関する。
におけるイオン濃度などを二次元的に測定することがで
きる光走査型二次元濃度分布測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液体中あるいは物質中にしみこん
だ液体中に溶存している物質(イオンなど)の濃度を二
次元的に計測する装置の研究・開発が行われ、この二次
元分布の計測を行う手法の一つに、LAPS(Ligh
t−AddressablePotentiometr
ic Sensor)センサからなる電気化学画像計測
装置がある。このような装置は、例えば、Jpn.J.
Appl.Phys.Vol.33(1994)pp
L394−L397に記載してあるように、イオンなど
に感応するセンサ面を形成した半導体基板を適宜の光で
スキャンし、このスキャンによって、半導体基板中に誘
発された光電流を取り出すことにより測定を行うことが
できる。
だ液体中に溶存している物質(イオンなど)の濃度を二
次元的に計測する装置の研究・開発が行われ、この二次
元分布の計測を行う手法の一つに、LAPS(Ligh
t−AddressablePotentiometr
ic Sensor)センサからなる電気化学画像計測
装置がある。このような装置は、例えば、Jpn.J.
Appl.Phys.Vol.33(1994)pp
L394−L397に記載してあるように、イオンなど
に感応するセンサ面を形成した半導体基板を適宜の光で
スキャンし、このスキャンによって、半導体基板中に誘
発された光電流を取り出すことにより測定を行うことが
できる。
【0003】前記装置のセンサ部を直接計測したい対象
物質に挿入したり接触させることによって溶存物質の濃
度分布を測定する。得られたデータはコンピュータ処理
により、二次元または三次元の濃度分布画像として出力
される。ある時間での濃度分布のみならず、その変化の
様子をリアルタイムに追跡することができる。リアルタ
イムに得られた画像を、目視、CCDカメラなどによっ
て得られた電磁波画像と容易に比較できる。
物質に挿入したり接触させることによって溶存物質の濃
度分布を測定する。得られたデータはコンピュータ処理
により、二次元または三次元の濃度分布画像として出力
される。ある時間での濃度分布のみならず、その変化の
様子をリアルタイムに追跡することができる。リアルタ
イムに得られた画像を、目視、CCDカメラなどによっ
て得られた電磁波画像と容易に比較できる。
【0004】そして、この出願の出願人は、上記光走査
型二次元濃度分布測定装置およびこれに関連した技術を
主題とする発明を、特願平7−39114号(特開平8
−213580号)を始めとして数多く特許出願してい
るところである。
型二次元濃度分布測定装置およびこれに関連した技術を
主題とする発明を、特願平7−39114号(特開平8
−213580号)を始めとして数多く特許出願してい
るところである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記光走査
型二次元濃度分布測定装置は、その全体構造は実験室レ
ベルのものであり、例えば、半導体基板の上面にセンサ
面を有してなるセンサは、これを保持する受け部と一体
的な構造であり、センサを必要に応じて交換することは
できなかった。また、信号取り出し部においてはリード
線を単に接続する方式を採用していたので、接触抵抗の
大きさが安定せず、安定した信号を得られないことがあ
り、測定に支障を来すことがあった。
型二次元濃度分布測定装置は、その全体構造は実験室レ
ベルのものであり、例えば、半導体基板の上面にセンサ
面を有してなるセンサは、これを保持する受け部と一体
的な構造であり、センサを必要に応じて交換することは
できなかった。また、信号取り出し部においてはリード
線を単に接続する方式を採用していたので、接触抵抗の
大きさが安定せず、安定した信号を得られないことがあ
り、測定に支障を来すことがあった。
【0006】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、センサを安定かつ交換容易にに保持すること
ができるとともに、信号を安定に取り出すことができる
きわめて実用的な構造を備えた光走査型二次元濃度分布
測定装置を提供することを目的としている。
たもので、センサを安定かつ交換容易にに保持すること
ができるとともに、信号を安定に取り出すことができる
きわめて実用的な構造を備えた光走査型二次元濃度分布
測定装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の光走査型二次元濃度分布測定装置は、半
導体基板の上面にセンサ面を有し、前記半導体基板に対
してプローブ光を二次元的に走査しながら照射するよう
に構成されたセンサを組み込んだセンサカセットと、測
定装置本体内に設けられ、前記センサカセットが着脱自
在にセットされるセンサカセット受け部と、前記センサ
カセットに形成された信号取り出し用電極に対して接離
可能なように前記測定装置本体内に設けられるコンタク
トプローブ部とから構成されている。
め、この発明の光走査型二次元濃度分布測定装置は、半
導体基板の上面にセンサ面を有し、前記半導体基板に対
してプローブ光を二次元的に走査しながら照射するよう
に構成されたセンサを組み込んだセンサカセットと、測
定装置本体内に設けられ、前記センサカセットが着脱自
在にセットされるセンサカセット受け部と、前記センサ
カセットに形成された信号取り出し用電極に対して接離
可能なように前記測定装置本体内に設けられるコンタク
トプローブ部とから構成されている。
【0008】上記構成の光走査型二次元濃度分布測定装
置においては、センサがカセットに組み込まれているの
で、センサを測定装置本体に対して容易に脱着すること
ができる。そして、センサを保持するセンサカセットの
構造が簡単であるため、センサに故障が生じた場合にも
その点検や交換を容易に行えるとともに、センサ回りの
部品を再利用することが可能になり、所謂環境に優しい
構成となっている。
置においては、センサがカセットに組み込まれているの
で、センサを測定装置本体に対して容易に脱着すること
ができる。そして、センサを保持するセンサカセットの
構造が簡単であるため、センサに故障が生じた場合にも
その点検や交換を容易に行えるとともに、センサ回りの
部品を再利用することが可能になり、所謂環境に優しい
構成となっている。
【0009】そして、信号の取り出しをコンタクトプロ
ーブによって行うようにしているので、信号を安定して
取り出すことができ、安定な測定を行うことができる。
ーブによって行うようにしているので、信号を安定して
取り出すことができ、安定な測定を行うことができる。
【0010】なお、上記構成の光走査型二次元濃度分布
測定装置において、そのセンサカセットの外周にセンサ
カセット受け部に対する誤セット防止部を形成してあっ
てもよく、また、センサカセット受け部にガイド部を設
ける一方、センサカセットにガイド部によってガイドさ
れる被ガイド部を形成してあってもよい。このように構
成した場合、センサカセットをセンサカセット受け部に
確実にセットすることができ、特に、後者のようにした
場合、センサカセットをセンサカセット受け部に対して
自動装填することも可能になる。
測定装置において、そのセンサカセットの外周にセンサ
カセット受け部に対する誤セット防止部を形成してあっ
てもよく、また、センサカセット受け部にガイド部を設
ける一方、センサカセットにガイド部によってガイドさ
れる被ガイド部を形成してあってもよい。このように構
成した場合、センサカセットをセンサカセット受け部に
確実にセットすることができ、特に、後者のようにした
場合、センサカセットをセンサカセット受け部に対して
自動装填することも可能になる。
【0011】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を図面を参照し
ながら説明する。図1〜図7は、この発明の一つの実施
の形態を示す。まず、図1は、この発明の光走査型二次
元濃度分布測定装置の外観を示す斜視図で、この図1に
おいて、1は測定装置本体で、そのケース2の前面には
センサカセット3(その構成については後で詳しく説明
する)を出し入れするためのカセット挿抜口4が開設さ
れ、このカセット挿抜口4は、センサカセット3を保持
したオペレータ(測定員)の手が入る程度の大きさを有
し、これを開閉するための扉5が設けられている。この
扉5は、後述するように、レーザ光66を用いるところ
からこれが外部に漏洩しないように構成されるととも
に、ボタン6a,6bを操作することにより例えば上下
方向に移動してカセット挿抜口4を開または閉状態にす
るように構成されている。そして、7aはケース2の上
部からその下方を、ケース2内の所定の位置にセットさ
れたセンサカセット3に臨むようにして延設された光学
顕微鏡であり、7bはビデオカメラなどの観察画像入力
装置である。
ながら説明する。図1〜図7は、この発明の一つの実施
の形態を示す。まず、図1は、この発明の光走査型二次
元濃度分布測定装置の外観を示す斜視図で、この図1に
おいて、1は測定装置本体で、そのケース2の前面には
センサカセット3(その構成については後で詳しく説明
する)を出し入れするためのカセット挿抜口4が開設さ
れ、このカセット挿抜口4は、センサカセット3を保持
したオペレータ(測定員)の手が入る程度の大きさを有
し、これを開閉するための扉5が設けられている。この
扉5は、後述するように、レーザ光66を用いるところ
からこれが外部に漏洩しないように構成されるととも
に、ボタン6a,6bを操作することにより例えば上下
方向に移動してカセット挿抜口4を開または閉状態にす
るように構成されている。そして、7aはケース2の上
部からその下方を、ケース2内の所定の位置にセットさ
れたセンサカセット3に臨むようにして延設された光学
顕微鏡であり、7bはビデオカメラなどの観察画像入力
装置である。
【0012】8は前記測定装置本体1を制御するととも
に、これから送られてくる信号を処理し、その結果を表
示したり、記録する制御・画像処理装置で、例えば画像
処理機能を有するコンピュータである。このコンピュー
タ8は、制御や各種の演算などの処理を行うとともにデ
ータや処理結果を記憶する本体9、例えばカラーディス
レイよりなる表示装置10、入力キーボード11、マウ
ス12などよりなり、測定装置本体1とは信号ケーブル
13によって接続されている。
に、これから送られてくる信号を処理し、その結果を表
示したり、記録する制御・画像処理装置で、例えば画像
処理機能を有するコンピュータである。このコンピュー
タ8は、制御や各種の演算などの処理を行うとともにデ
ータや処理結果を記憶する本体9、例えばカラーディス
レイよりなる表示装置10、入力キーボード11、マウ
ス12などよりなり、測定装置本体1とは信号ケーブル
13によって接続されている。
【0013】前記測定装置本体1の構成について、図2
〜図7を参照しながら説明する。図2は、この発明の光
走査型二次元濃度分布測定装置の要部を示す斜視図で、
この図2において、14はセンサカセット3を着脱自在
にセットすることができるセンサカセット受け部、15
はこのセンサカセット受け部14にセットされたセンサ
カセット3の信号取り出し用電極(後述する)に対して
接離自在に設けられるコンタクトプローブ部である。こ
れらセンサカセット受け部14およびコンタクトプロー
ブ部15は、測定装置本体1内に設けられる。なお、そ
れらの詳細な構成および配置状態については後で詳しく
説明する。
〜図7を参照しながら説明する。図2は、この発明の光
走査型二次元濃度分布測定装置の要部を示す斜視図で、
この図2において、14はセンサカセット3を着脱自在
にセットすることができるセンサカセット受け部、15
はこのセンサカセット受け部14にセットされたセンサ
カセット3の信号取り出し用電極(後述する)に対して
接離自在に設けられるコンタクトプローブ部である。こ
れらセンサカセット受け部14およびコンタクトプロー
ブ部15は、測定装置本体1内に設けられる。なお、そ
れらの詳細な構成および配置状態については後で詳しく
説明する。
【0014】まず、センサカセット3の構成について、
図2〜図4および図7を参照しながら説明する。図3お
よび図4において、16,17は平面視が方形のセンサ
ホルダ、ホルダカバーで、これらの間に後述するオーミ
ックコンタクト31、センサ27およびパッキン34を
この順に重ねた順で挟持される(図3参照)。
図2〜図4および図7を参照しながら説明する。図3お
よび図4において、16,17は平面視が方形のセンサ
ホルダ、ホルダカバーで、これらの間に後述するオーミ
ックコンタクト31、センサ27およびパッキン34を
この順に重ねた順で挟持される(図3参照)。
【0015】そして、センサホルダ16、ホルダカバー
17はいずれも適宜厚さの絶縁材料、例えば合成樹脂よ
りなり、それらの平面視の外形寸法は互いに等しく、4
つのコーナーには斜めにカットされた部分18,19を
有するが、対応する一つのコーナー18a,19aは、
他のコーナー18,19とは異なる形状に形成して、セ
ンサカセット3がセンサカセット受け部14に対して誤
ってセットされるのを防止できるようにしてあるととも
に、それぞれの中央には同サイズの方形の貫通孔20,
21が設けられている。この貫通孔20,21は、後述
するセンサ27の大きさとほぼ同じである。なお、セン
サホルダ16とホルダカバー17との平面視の外形寸法
は必ずしも等しくする必要はない。
17はいずれも適宜厚さの絶縁材料、例えば合成樹脂よ
りなり、それらの平面視の外形寸法は互いに等しく、4
つのコーナーには斜めにカットされた部分18,19を
有するが、対応する一つのコーナー18a,19aは、
他のコーナー18,19とは異なる形状に形成して、セ
ンサカセット3がセンサカセット受け部14に対して誤
ってセットされるのを防止できるようにしてあるととも
に、それぞれの中央には同サイズの方形の貫通孔20,
21が設けられている。この貫通孔20,21は、後述
するセンサ27の大きさとほぼ同じである。なお、セン
サホルダ16とホルダカバー17との平面視の外形寸法
は必ずしも等しくする必要はない。
【0016】そして、センサホルダ16の貫通孔20の
下端部周囲には、オーミックコンタクト31、センサ2
7およびパッキン34を保持するための座グリ面20a
が形成され、ホルダカバー17の貫通孔21の下端側の
周囲には前記座グリ面20aに対応するようにして突平
面21aが形成されている(図3参照)。
下端部周囲には、オーミックコンタクト31、センサ2
7およびパッキン34を保持するための座グリ面20a
が形成され、ホルダカバー17の貫通孔21の下端側の
周囲には前記座グリ面20aに対応するようにして突平
面21aが形成されている(図3参照)。
【0017】また、センサホルダ16には、貫通孔20
の外側にねじ22を螺着するための4つのねじ孔23が
等配置的に形成されるとともに、センサカセット受け部
14に設けられたガイドピン42(図2参照)と対応す
る位置に4つの孔(被ガイド部)24が貫設されてい
る。一方、ホルダカバー17には、前記ねじ孔23に対
応する位置にねじ22を挿通させるための孔25が開設
されているとともに、貫通孔19の一辺側に2つの溝2
6が適宜の間隔をおいて並設されている。
の外側にねじ22を螺着するための4つのねじ孔23が
等配置的に形成されるとともに、センサカセット受け部
14に設けられたガイドピン42(図2参照)と対応す
る位置に4つの孔(被ガイド部)24が貫設されてい
る。一方、ホルダカバー17には、前記ねじ孔23に対
応する位置にねじ22を挿通させるための孔25が開設
されているとともに、貫通孔19の一辺側に2つの溝2
6が適宜の間隔をおいて並設されている。
【0018】27は平面視が方形のセンサで、外形が座
グリ面20aおよび突平面21aの形状および寸法にほ
ぼ合致するように形成されている。このセンサ27は、
図7に示すように、測定分解能より小さい厚みを有する
(例えば100μm以下)シリコンなどの半導体基板2
8の上面にSiO2 層29、センサ面としてのSi3N
4 層30を熱酸化、CVDなどの手法によって順次形成
してなるもので、水素イオンに応答するように形成され
ている。
グリ面20aおよび突平面21aの形状および寸法にほ
ぼ合致するように形成されている。このセンサ27は、
図7に示すように、測定分解能より小さい厚みを有する
(例えば100μm以下)シリコンなどの半導体基板2
8の上面にSiO2 層29、センサ面としてのSi3N
4 層30を熱酸化、CVDなどの手法によって順次形成
してなるもので、水素イオンに応答するように形成され
ている。
【0019】31はセンサ27の半導体基板28に当接
するように設けられる電流信号取出し用の平面視方形の
オーミックコンタクトで、外形が貫通孔20,21の形
状および寸法にほぼ合致し、中央に座グリ面20a、突
平面21aの形状および寸法に合致する孔32を有する
とともに、その周囲の適宜箇所から作用極となる突片3
3を備えている。このオーミックコンタクト31は、適
宜厚の銀または白金などの金属板を例えば抜き加工によ
って形成することができる。そして、突片33は、短冊
状部分を両端を互いに異なる方向に互いに平行になるよ
うに曲げてなるもので、すなわち、オーミックコンタク
ト30に連なり、これの上方に直角に折曲された部分3
3aと、この部分33aに連なり、これから水平に折曲
された部分33bと、これに連なり、これの上方に直角
に折曲された部分33cとからなる。また、この部分3
3cの外面には例えば金めっきが施されている。なお、
部分33cは下方に直角に折曲されていてもよい。
するように設けられる電流信号取出し用の平面視方形の
オーミックコンタクトで、外形が貫通孔20,21の形
状および寸法にほぼ合致し、中央に座グリ面20a、突
平面21aの形状および寸法に合致する孔32を有する
とともに、その周囲の適宜箇所から作用極となる突片3
3を備えている。このオーミックコンタクト31は、適
宜厚の銀または白金などの金属板を例えば抜き加工によ
って形成することができる。そして、突片33は、短冊
状部分を両端を互いに異なる方向に互いに平行になるよ
うに曲げてなるもので、すなわち、オーミックコンタク
ト30に連なり、これの上方に直角に折曲された部分3
3aと、この部分33aに連なり、これから水平に折曲
された部分33bと、これに連なり、これの上方に直角
に折曲された部分33cとからなる。また、この部分3
3cの外面には例えば金めっきが施されている。なお、
部分33cは下方に直角に折曲されていてもよい。
【0020】34は平面視が方形のパッキンで、外形が
座グリ面20a、突平面21aの形状にほぼ合致し、中
央に貫通孔20,21の形状および寸法に合致する孔3
5を有している。このパッキン34は、例えばシリコン
ゴムよりなる。
座グリ面20a、突平面21aの形状にほぼ合致し、中
央に貫通孔20,21の形状および寸法に合致する孔3
5を有している。このパッキン34は、例えばシリコン
ゴムよりなる。
【0021】そして、図2〜図4において、36,37
は対極、参照極で、ホルダカバー17の貫通孔21の一
辺側に形成された2つの溝26に装着できるようにコ字
状に形成されている。すなわち、対極36、参照極37
はともにオーミックコンタクト31と同様の素材、すな
わち、適宜厚の銀または白金などの金属板よりなり、短
冊状に形成したプレートの両端を同方向に平行となるよ
うに折曲されている。そして、対極36,37は、その
一方の折り曲げ部36a,37aを貫通孔21を形成す
る内壁の一部に沿うようにし、水平部36b,37bを
溝26の上面に当接させ、さらに、他方の折り曲げ部3
6c,37cをホルダカバー17の外面に沿うようにし
て溝26にそれぞれ装着される。なお、折り曲げ部36
c,37cの外面には、後述するコンタクトプローブと
の接触抵抗を低減するために、例えば金めっきが施され
ている。さらに、試料と接触する部分37aはバイアス
電圧の安定印加のために塩化銀などがコートされてい
る。
は対極、参照極で、ホルダカバー17の貫通孔21の一
辺側に形成された2つの溝26に装着できるようにコ字
状に形成されている。すなわち、対極36、参照極37
はともにオーミックコンタクト31と同様の素材、すな
わち、適宜厚の銀または白金などの金属板よりなり、短
冊状に形成したプレートの両端を同方向に平行となるよ
うに折曲されている。そして、対極36,37は、その
一方の折り曲げ部36a,37aを貫通孔21を形成す
る内壁の一部に沿うようにし、水平部36b,37bを
溝26の上面に当接させ、さらに、他方の折り曲げ部3
6c,37cをホルダカバー17の外面に沿うようにし
て溝26にそれぞれ装着される。なお、折り曲げ部36
c,37cの外面には、後述するコンタクトプローブと
の接触抵抗を低減するために、例えば金めっきが施され
ている。さらに、試料と接触する部分37aはバイアス
電圧の安定印加のために塩化銀などがコートされてい
る。
【0022】38は前記対極36、参照極37を、溝2
6に装着した状態でこれらを固定するための電極押さえ
で、合成樹脂など絶縁性素材よりなり、溝26に嵌合
し、対極36、参照極37を強固に固定できるように構
成されている。
6に装着した状態でこれらを固定するための電極押さえ
で、合成樹脂など絶縁性素材よりなり、溝26に嵌合
し、対極36、参照極37を強固に固定できるように構
成されている。
【0023】上記センサカセット3を組み立てるには、
センサホルダ16の座グリ面20aに、オーミックコン
タクト31、センサ27およびパッキン34をこの順に
重ねた後、ホルダカバー17をセンサホルダ16の上面
から被せてねじ22で締めつけることによりセンサ27
が水密に保持される。そして、対極36、参照極37を
ホルダカバー17に形成された溝26に装着し、電極押
さえ38で対極36、参照極37を固定する。これによ
って、センサ27の上面にセル39を有するセンサカセ
ット3が得ることができる(図2および図3参照)。な
お、センサホルダ16とホルダカバー17との結合は、
上記ねじ止めのほか、嵌合でもよい。
センサホルダ16の座グリ面20aに、オーミックコン
タクト31、センサ27およびパッキン34をこの順に
重ねた後、ホルダカバー17をセンサホルダ16の上面
から被せてねじ22で締めつけることによりセンサ27
が水密に保持される。そして、対極36、参照極37を
ホルダカバー17に形成された溝26に装着し、電極押
さえ38で対極36、参照極37を固定する。これによ
って、センサ27の上面にセル39を有するセンサカセ
ット3が得ることができる(図2および図3参照)。な
お、センサホルダ16とホルダカバー17との結合は、
上記ねじ止めのほか、嵌合でもよい。
【0024】次に、上記構成のセンサカセット3を保持
するためのセンサカセット受け部14の構成について、
図2、図5〜図7を参照しながら説明する。この実施の
形態においては、センサカセット受け部14は、図5に
示すように、XYステージ40の一部として形成されて
いる。そして、このXYステージ40には、コンタクト
プローブ部15およびこれを水平方向に直線的に前進ま
た後退するように移動させる移動機構45(後述する)
が搭載されており、走査制御装置40A(図7参照)か
らの信号によって制御され、二次元方向に移動できるよ
うに構成されている。なお、図7においては、XYステ
ージ40のうちのセンサカセット受け部14のみ示して
いる。
するためのセンサカセット受け部14の構成について、
図2、図5〜図7を参照しながら説明する。この実施の
形態においては、センサカセット受け部14は、図5に
示すように、XYステージ40の一部として形成されて
いる。そして、このXYステージ40には、コンタクト
プローブ部15およびこれを水平方向に直線的に前進ま
た後退するように移動させる移動機構45(後述する)
が搭載されており、走査制御装置40A(図7参照)か
らの信号によって制御され、二次元方向に移動できるよ
うに構成されている。なお、図7においては、XYステ
ージ40のうちのセンサカセット受け部14のみ示して
いる。
【0025】そして、センサカセット受け部14には、
図2に示すように、その上面にセンサカセット3を装着
保持させるため、センサカセット3の外形よりやや大き
く、所定の深さの凹部41が形成され、その四隅にはガ
イド部としてのガイドピン42が立設されているととも
に、センサホルダ16およびホルダカバー17にそれぞ
れ形成された誤セット防止部18a,19aに対応する
誤セット防止部43が形成されている。そして、凹部4
1のほぼ中央には、センサ27の全面に対応する大きさ
の貫通孔44が形成されている。
図2に示すように、その上面にセンサカセット3を装着
保持させるため、センサカセット3の外形よりやや大き
く、所定の深さの凹部41が形成され、その四隅にはガ
イド部としてのガイドピン42が立設されているととも
に、センサホルダ16およびホルダカバー17にそれぞ
れ形成された誤セット防止部18a,19aに対応する
誤セット防止部43が形成されている。そして、凹部4
1のほぼ中央には、センサ27の全面に対応する大きさ
の貫通孔44が形成されている。
【0026】次に、コンタクトプローブ部15およびこ
れを水平方向に直線的に往復動させるプローブ駆動機構
45の構成について、図2および図5〜図7を参照しな
がら説明する。図5および図6において、46は合成樹
脂など絶縁性素材よりなるコンタクトプローブカートリ
ッジで、センサカセット3に設けられた対極36、参照
極37、作用極33の接触部36c,37c,33cと
それぞれ適宜の接触圧でもって接触できるように取り付
けられたコンタクトプローブ47,48,49と、これ
らに接続され、それぞれに対応するレセプタクルを有す
るコネクタ50とからなる。
れを水平方向に直線的に往復動させるプローブ駆動機構
45の構成について、図2および図5〜図7を参照しな
がら説明する。図5および図6において、46は合成樹
脂など絶縁性素材よりなるコンタクトプローブカートリ
ッジで、センサカセット3に設けられた対極36、参照
極37、作用極33の接触部36c,37c,33cと
それぞれ適宜の接触圧でもって接触できるように取り付
けられたコンタクトプローブ47,48,49と、これ
らに接続され、それぞれに対応するレセプタクルを有す
るコネクタ50とからなる。
【0027】51はコネクタ50に挿抜自在に接続され
るプラグ51で、このプラグ51にはケーブル52,5
3,54が接続され、これらのケーブル52,53,5
4の他端側は、後述する制御ボックス68に接続され
る。より詳しくは、対極36、参照極37にそれぞれ対
応するケーブル52,53は、制御ボックス68におけ
るポテンショスタット69に接続され、オーミックコン
タクト31に連なる作用極33に対応するケーブル54
は、制御ボックス68における電流−電圧変換器70お
よび演算増幅回路71を介してポテンショスタット69
に接続される。
るプラグ51で、このプラグ51にはケーブル52,5
3,54が接続され、これらのケーブル52,53,5
4の他端側は、後述する制御ボックス68に接続され
る。より詳しくは、対極36、参照極37にそれぞれ対
応するケーブル52,53は、制御ボックス68におけ
るポテンショスタット69に接続され、オーミックコン
タクト31に連なる作用極33に対応するケーブル54
は、制御ボックス68における電流−電圧変換器70お
よび演算増幅回路71を介してポテンショスタット69
に接続される。
【0028】前記コンタクトプローブカートリッジ46
を含むコンタクトプローブ部15は、図6に示すよう
に、一対のガイド部材55に沿って矢印A,B方向に直
線的に往復動するスライドベース56に例えばねじ止め
によって固定されている。
を含むコンタクトプローブ部15は、図6に示すよう
に、一対のガイド部材55に沿って矢印A,B方向に直
線的に往復動するスライドベース56に例えばねじ止め
によって固定されている。
【0029】そして、スライドベース56を直線的に前
進または後退させる移動機構45は、図5および図6に
示すように、モータ57の出力軸57aと、スライドベ
ース56との間に回転運動を直線運動に変換する運動変
換機構58を設けている。すなわち、この運動変換機構
58は、例えば前記出力軸57aに固着されるクランク
用円盤59と、この円盤59の偏心した位置に立設され
るピン60と、この偏心ピン60とスライドベース56
の立設部材56aに設けられたブラケット61に立設さ
れたピン62との間を連結する連杆63とから構成され
ている。
進または後退させる移動機構45は、図5および図6に
示すように、モータ57の出力軸57aと、スライドベ
ース56との間に回転運動を直線運動に変換する運動変
換機構58を設けている。すなわち、この運動変換機構
58は、例えば前記出力軸57aに固着されるクランク
用円盤59と、この円盤59の偏心した位置に立設され
るピン60と、この偏心ピン60とスライドベース56
の立設部材56aに設けられたブラケット61に立設さ
れたピン62との間を連結する連杆63とから構成され
ている。
【0030】そして、図5に示す状態において、例えば
測定装置本体1に設けられた測定開始スイッチ64aを
操作してモータ57を所定方向に回転させると、その回
転運動が運動変換機構58を介して直線運動に変換さ
れ、スライドベース56を矢印A方向に直線的に移動さ
せる。これによって、スライドベース56上に設けられ
ているコンタクトプローブカートリッジ46がセンサカ
セット受け部14方向に移動し、コンタクトプローブカ
ートリッジ46に設けられたコンタクトプローブ47,
48,49がセンサカセット受け部14にセットされて
いるセンサカセット3側の対極36、参照極37、作用
極33の接触部36c,37c,33cにそれぞれ所定
の接触圧をもって当接し、その状態を維持する。つま
り、測定可能状態となり、測定を開始する。
測定装置本体1に設けられた測定開始スイッチ64aを
操作してモータ57を所定方向に回転させると、その回
転運動が運動変換機構58を介して直線運動に変換さ
れ、スライドベース56を矢印A方向に直線的に移動さ
せる。これによって、スライドベース56上に設けられ
ているコンタクトプローブカートリッジ46がセンサカ
セット受け部14方向に移動し、コンタクトプローブカ
ートリッジ46に設けられたコンタクトプローブ47,
48,49がセンサカセット受け部14にセットされて
いるセンサカセット3側の対極36、参照極37、作用
極33の接触部36c,37c,33cにそれぞれ所定
の接触圧をもって当接し、その状態を維持する。つま
り、測定可能状態となり、測定を開始する。
【0031】また、前記測定可能状態において、測定装
置本体1に設けられた測定終了スイッチ64bを操作し
てステッピングモータ57を前記所定方向と逆方向に回
転させると、スライドベース56が矢印B方向に移動
し、コンタクトプローブ47,48,49が接触部36
c,37c,33cから離れ、図5に示す解除状態に復
帰する。なお、65a、65bはそれぞれ、上記測定可
能状態または解除状態をそれぞれ維持するためのスライ
ドベース56の位置検出装置である。また、上記段落0
032および0033に記述した動作は、測定スタート
/ストップに応じて、コンピュータ8によって自動制御
するようにしてあってもよい。
置本体1に設けられた測定終了スイッチ64bを操作し
てステッピングモータ57を前記所定方向と逆方向に回
転させると、スライドベース56が矢印B方向に移動
し、コンタクトプローブ47,48,49が接触部36
c,37c,33cから離れ、図5に示す解除状態に復
帰する。なお、65a、65bはそれぞれ、上記測定可
能状態または解除状態をそれぞれ維持するためのスライ
ドベース56の位置検出装置である。また、上記段落0
032および0033に記述した動作は、測定スタート
/ストップに応じて、コンピュータ8によって自動制御
するようにしてあってもよい。
【0032】そして、図5および図7において、66は
センサカセット受け部14にセットされたセンサカセッ
ト3のセンサ27の半導体基板28に対して光を照射す
るためのレーザ光源で、XYステージ40の下方に設け
られており、後述するインタフェースボード72を介し
てコンピュータ8の制御信号によって断続光を発すると
ともに、XYステージ40によって二次元方向に走査さ
れるセンサ27の半導体基板28に対して最適なビーム
径になるように調整されたプローブ光67を照射するも
のである。
センサカセット受け部14にセットされたセンサカセッ
ト3のセンサ27の半導体基板28に対して光を照射す
るためのレーザ光源で、XYステージ40の下方に設け
られており、後述するインタフェースボード72を介し
てコンピュータ8の制御信号によって断続光を発すると
ともに、XYステージ40によって二次元方向に走査さ
れるセンサ27の半導体基板28に対して最適なビーム
径になるように調整されたプローブ光67を照射するも
のである。
【0033】68は測定装置本体1に設けられる制御ボ
ックスであって、半導体基板28に適宜のバイアス電圧
を印加するためのポテンショスタット69、半導体基板
28に形成されたオーミックコンタクト31に連なる作
用極33から取り出される電流信号を電圧信号に変換す
る電流−電圧変換器70、この電流−電圧変換器70か
らの信号が入力される演算増幅回路71、この演算増幅
回路71と信号を授受したり、走査制御装置40Aやレ
ーザ光源66に対する制御信号を出力するインタフェー
スボード72などよりなる。
ックスであって、半導体基板28に適宜のバイアス電圧
を印加するためのポテンショスタット69、半導体基板
28に形成されたオーミックコンタクト31に連なる作
用極33から取り出される電流信号を電圧信号に変換す
る電流−電圧変換器70、この電流−電圧変換器70か
らの信号が入力される演算増幅回路71、この演算増幅
回路71と信号を授受したり、走査制御装置40Aやレ
ーザ光源66に対する制御信号を出力するインタフェー
スボード72などよりなる。
【0034】上記構成の光走査型二次元濃度分布測定装
置を用いて、溶液の水素イオン濃度(pH)を測定する
場合について説明すると、図2および図3に示すように
組み立てられたセンサカセット3のセル39内に溶液を
入れる。これにより、センサ27のセンサ面30に溶液
が接するとともに、溶液が対極36および参照極37と
接触する。
置を用いて、溶液の水素イオン濃度(pH)を測定する
場合について説明すると、図2および図3に示すように
組み立てられたセンサカセット3のセル39内に溶液を
入れる。これにより、センサ27のセンサ面30に溶液
が接するとともに、溶液が対極36および参照極37と
接触する。
【0035】次に、測定装置本体1のカセット挿抜口4
の扉5を開いて、上記溶液を収容したセンサカセット3
を測定装置本体1内のセンサカセット受け部14にセッ
トする。これらの操作はオペレータ(測定員)が手動で
行う。この場合、センサカセット3の外周にセンサカセ
ット受け部14に対する誤セット防止部18a,19a
が形成してあるので、カセット挿抜口4に挿入する前に
予めセンサカセット3の向きを確認することができる。
そして、センサカセット受け部14には、ピン42が立
設してあるので、センサカセット3をセンサカセット受
け部14に正しくセットすることが容易に行なえる。
の扉5を開いて、上記溶液を収容したセンサカセット3
を測定装置本体1内のセンサカセット受け部14にセッ
トする。これらの操作はオペレータ(測定員)が手動で
行う。この場合、センサカセット3の外周にセンサカセ
ット受け部14に対する誤セット防止部18a,19a
が形成してあるので、カセット挿抜口4に挿入する前に
予めセンサカセット3の向きを確認することができる。
そして、センサカセット受け部14には、ピン42が立
設してあるので、センサカセット3をセンサカセット受
け部14に正しくセットすることが容易に行なえる。
【0036】上述のようにしてセンサカセット受け部1
4にセンサカセット3をセットした後、カセット挿抜口
4の扉5を閉じる。この状態においては、測定装置本体
1内は、図5に示すような状態、すなわち、コンタクト
プローブ47,48,49がセンサカセット3の対極3
6、参照極37、作用極33の接触部36c,37c,
33cから離れた解除状態である。そこで、ボタン64
aを操作することにより、スライドベース56が矢印A
方向に所定距離だけ移動し、コンタクトプローブ47,
48,49がセンサカセット3の対極36、参照極3
7、作用極33の接触部36c,37c,33cと所定
の接触圧をもってそれぞれ当接し、測定可能状態とな
る。
4にセンサカセット3をセットした後、カセット挿抜口
4の扉5を閉じる。この状態においては、測定装置本体
1内は、図5に示すような状態、すなわち、コンタクト
プローブ47,48,49がセンサカセット3の対極3
6、参照極37、作用極33の接触部36c,37c,
33cから離れた解除状態である。そこで、ボタン64
aを操作することにより、スライドベース56が矢印A
方向に所定距離だけ移動し、コンタクトプローブ47,
48,49がセンサカセット3の対極36、参照極3
7、作用極33の接触部36c,37c,33cと所定
の接触圧をもってそれぞれ当接し、測定可能状態とな
る。
【0037】前記状態において、半導体基板28に空乏
層が発生するように、ポテンショスタット69からの直
流電圧を比較電極36とオーミックコンタクト32との
間に印加して、半導体基板28に所定のバイアス電圧を
印加する。この状態で半導体基板28に対してプローブ
光67を一定周期(例えば、5kHz)で断続的に照射
することによって半導体基板28に交流光電流を発生さ
せる。このプローブ光67の断続照射は、コンピュータ
8の制御信号がインタフェースボード72を介して入力
されることによって行われる。前記光電流は、半導体基
板28の照射点に対向する点で、センサ27に接してい
る溶液におけるpHを反映した値であり、その値を測定
することにより、この部分でのpH値を知ることができ
る。
層が発生するように、ポテンショスタット69からの直
流電圧を比較電極36とオーミックコンタクト32との
間に印加して、半導体基板28に所定のバイアス電圧を
印加する。この状態で半導体基板28に対してプローブ
光67を一定周期(例えば、5kHz)で断続的に照射
することによって半導体基板28に交流光電流を発生さ
せる。このプローブ光67の断続照射は、コンピュータ
8の制御信号がインタフェースボード72を介して入力
されることによって行われる。前記光電流は、半導体基
板28の照射点に対向する点で、センサ27に接してい
る溶液におけるpHを反映した値であり、その値を測定
することにより、この部分でのpH値を知ることができ
る。
【0038】そして、走査制御装置40Aによって、X
Yテーブル40をX,Y方向に移動させることにより、
半導体基板28にはプローブ光67が二次元方向に走査
されるようにして照射され、溶液における位置信号
(X,Y)と、その場所で観測された交流光電流値によ
り、表示装置10の画面上にpHを表す二次元画像が表
示される。
Yテーブル40をX,Y方向に移動させることにより、
半導体基板28にはプローブ光67が二次元方向に走査
されるようにして照射され、溶液における位置信号
(X,Y)と、その場所で観測された交流光電流値によ
り、表示装置10の画面上にpHを表す二次元画像が表
示される。
【0039】上述のように、この発明の光走査型二次元
濃度分布測定装置においては、測定部を、測定装置本体
1側のセンサカセット受け部14およびコンタクトプロ
ーブ部15と、測定装置本体1に対して着脱自在なセン
サカセット3とから構成しており、センサ27がセンサ
カセット3に組み込まれているので、センサ27を測定
装置本体1に対して容易に脱着することができる。そし
て、センサ27を保持するセンサカセット3の構造が簡
単であるため、センサ27に故障が生じた場合にもその
点検や交換を容易に行えるとともに、センサ回りの部品
を再利用することが可能になり、所謂環境に優しい構成
となっている。
濃度分布測定装置においては、測定部を、測定装置本体
1側のセンサカセット受け部14およびコンタクトプロ
ーブ部15と、測定装置本体1に対して着脱自在なセン
サカセット3とから構成しており、センサ27がセンサ
カセット3に組み込まれているので、センサ27を測定
装置本体1に対して容易に脱着することができる。そし
て、センサ27を保持するセンサカセット3の構造が簡
単であるため、センサ27に故障が生じた場合にもその
点検や交換を容易に行えるとともに、センサ回りの部品
を再利用することが可能になり、所謂環境に優しい構成
となっている。
【0040】そして、信号の取り出しを、センサカセッ
ト3に対して接離自在なコンタクトプローブ部15によ
って行うようにしているので、信号を安定して取り出す
ことができ、安定な測定を行うことができる。
ト3に対して接離自在なコンタクトプローブ部15によ
って行うようにしているので、信号を安定して取り出す
ことができ、安定な測定を行うことができる。
【0041】この発明は、上述の実施の形態に限られる
ものではなく、種々に変形して実施することができる。
例えば、溶液中のカリウムイオンや塩化物イオンなど、
水素イオン以外の他の物質の濃度を測定することができ
る。その場合、センサ面30をカリウムイオンや塩化物
イオンに応答する物質で修飾する必要があり、例えば、
カリウムイオンを測定する場合は、センサ面30をバリ
ノマイシンやクラウンエーテルで修飾すればよく、塩化
物イオンを測定する場合は、センサ面30を4級アンモ
ニウムで修飾すればよい。さらに、センサ面30を適宜
の応答物質で修飾するとともに、用いる溶液を適宜選択
することにより、他のイオン濃度の測定を行うことがで
きる。
ものではなく、種々に変形して実施することができる。
例えば、溶液中のカリウムイオンや塩化物イオンなど、
水素イオン以外の他の物質の濃度を測定することができ
る。その場合、センサ面30をカリウムイオンや塩化物
イオンに応答する物質で修飾する必要があり、例えば、
カリウムイオンを測定する場合は、センサ面30をバリ
ノマイシンやクラウンエーテルで修飾すればよく、塩化
物イオンを測定する場合は、センサ面30を4級アンモ
ニウムで修飾すればよい。さらに、センサ面30を適宜
の応答物質で修飾するとともに、用いる溶液を適宜選択
することにより、他のイオン濃度の測定を行うことがで
きる。
【0042】そして、測定対象としての試料は、溶液な
ど液体のほか、ゲル状体であってもよい。
ど液体のほか、ゲル状体であってもよい。
【0043】また、XYステージ40を二次元方向
(X,Y方向)に走査させるのに代えて、レーザ光源6
6に光照射部走査装置を設け、このレーザ光源66を
X,Y方向に走査させるようにしてもよく、また、レー
ザ光源66とセンサカセット受け部14との間にプロー
ブ光走査装置を設け、プローブ光67をX,Y方向に走
査させるようにしてもよい。これらいずれの場合におい
ても、センサカセット受け部14、コンタクトプローブ
部15および移動装置41を二次元的に移動させる必要
がなくなり、それだけ構成が簡単になる。
(X,Y方向)に走査させるのに代えて、レーザ光源6
6に光照射部走査装置を設け、このレーザ光源66を
X,Y方向に走査させるようにしてもよく、また、レー
ザ光源66とセンサカセット受け部14との間にプロー
ブ光走査装置を設け、プローブ光67をX,Y方向に走
査させるようにしてもよい。これらいずれの場合におい
ても、センサカセット受け部14、コンタクトプローブ
部15および移動装置41を二次元的に移動させる必要
がなくなり、それだけ構成が簡単になる。
【0044】
【発明の効果】この発明の光走査型二次元濃度分布測定
装置においては、センサを安定かつ交換容易に保持する
ことができるとともに、信号を安定に取り出すことがで
きる。したがって、この発明によれば、実用的な構造を
有し、しかも使い勝手に優れた光走査型二次元濃度分布
測定装置を得ることができる。
装置においては、センサを安定かつ交換容易に保持する
ことができるとともに、信号を安定に取り出すことがで
きる。したがって、この発明によれば、実用的な構造を
有し、しかも使い勝手に優れた光走査型二次元濃度分布
測定装置を得ることができる。
【図1】この発明の光走査型二次元濃度分布測定装置の
外観を示す斜視図である。
外観を示す斜視図である。
【図2】前装置の要部を示す斜視図である。
【図3】前記装置において用いるセンサカセットの一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図4】前記センサカセットの分解斜視図である。
【図5】測定装置本体側に設けられる主要構成部の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図6】前記主要構成部の平面図である。
【図7】前記装置の構成概略的に示すブロック図であ
る。
る。
1…測定装置本体、3…センサカセット、14…センサ
カセット受け部、15…コンタクトプローブ部、18,
19…誤セット防止部、24…被ガイド部、27…セン
サ、28…半導体基板、30…センサ面、33,36,
37…信号取り出し用電極、42…ガイド部、67…プ
ローブ光。
カセット受け部、15…コンタクトプローブ部、18,
19…誤セット防止部、24…被ガイド部、27…セン
サ、28…半導体基板、30…センサ面、33,36,
37…信号取り出し用電極、42…ガイド部、67…プ
ローブ光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 聡 京都府京都市南区吉祥院宮の東町2番地 株式会社堀場製作所内
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体基板の上面にセンサ面を有し、前
記半導体基板に対してプローブ光を二次元的に走査しな
がら照射するように構成されたセンサを組み込んだセン
サカセットと、測定装置本体内に設けられ、前記センサ
カセットが着脱自在にセットされるセンサカセット受け
部と、前記センサカセットに形成された信号取り出し用
電極に対して接離可能なように前記測定装置本体内に設
けられるコンタクトプローブ部とからなる光走査型二次
元濃度分布測定装置。 - 【請求項2】 センサカセットの外周にセンサカセット
受け部に対する誤セット防止部を形成してある請求項1
に記載の光走査型二次元濃度分布測定装置。 - 【請求項3】 センサカセット受け部にガイド部を設け
る一方、センサカセットに前記ガイド部によってガイド
される被ガイド部を形成してある請求項1または2に記
載の光走査型二次元濃度分布測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9202325A JPH1130584A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 光走査型二次元濃度分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9202325A JPH1130584A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 光走査型二次元濃度分布測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1130584A true JPH1130584A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16455689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9202325A Pending JPH1130584A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 光走査型二次元濃度分布測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1130584A (ja) |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP9202325A patent/JPH1130584A/ja active Pending
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